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TWI868135B - 樹脂粒子、導電性粒子、導電材料及連接構造體 - Google Patents

樹脂粒子、導電性粒子、導電材料及連接構造體 Download PDF

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TWI868135B
TWI868135B TW109116079A TW109116079A TWI868135B TW I868135 B TWI868135 B TW I868135B TW 109116079 A TW109116079 A TW 109116079A TW 109116079 A TW109116079 A TW 109116079A TW I868135 B TWI868135 B TW I868135B
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久保厚喜
山田恭幸
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日商積水化學工業股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種樹脂粒子，其可有效地抑制凝集，於使用表面上形成有導電部之導電性粒子將電極間電性連接之情形時，可有效地提高與導電部之密接性，進而可有效地降低連接電阻。  關於本發明之樹脂粒子，對於樹脂粒子之外表面，藉由飛行時間型二次離子質譜法獲得負離子質譜時，OH- 離子之強度相對於全部負離子之強度之合計的比為2.0×10-2 以上。

Description

樹脂粒子、導電性粒子、導電材料及連接構造體
本發明係關於一種作為聚合性成分之聚合物的樹脂粒子。又，本發明係關於一種使用上述樹脂粒子之導電性粒子、導電材料及連接構造體。
各向異性導電膏及各向異性導電膜等各向異性導電材料被廣泛知曉。於上述各向異性導電材料中，導電性粒子分散於黏合劑樹脂中。
上述各向異性導電材料用於將可撓性印刷基板(FPC)、玻璃基板、玻璃環氧基板及半導體晶片等各種連接對象構件之電極間電性連接而獲得連接構造體。又，作為上述導電性粒子，有時使用具有基材粒子、及配置於該基材粒子之表面上之導電層的導電性粒子。作為上述基材粒子，有時使用樹脂粒子。
作為上述導電性粒子之一例，於下述專利文獻1中揭示有具備合成樹脂微粒子、及形成於其表面之金屬膜之金屬被覆微粒子。於上述金屬被覆微粒子中，上述合成樹脂微粒子係由使含有含羧基單體與多官能單體之單體混合物聚合而成之共聚物構成。
又，為了將2個連接對象構件等(被黏著體)接著而使用各種接著劑。為了使由該接著劑形成之接著層之厚度均勻來控制2個連接對象構件等(被黏著體)之間隔(間隙)，有時於接著劑中調配間隙材料(間隔件)。作為上述間隙材料(間隔件)，有時使用樹脂粒子。  [先前技術文獻]  [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平10-259253號公報
[發明所欲解決之問題]
近年來，於使用包含導電性粒子之導電材料或連接材料將電極間電性連接時，期待即便以相對較低之壓力亦會將電極間確實地電性連接，降低連接電阻。例如，於液晶顯示裝置之製造方法中，於FOG(film on glass，覆膜玻璃)工法中之可撓性基板之安裝時，於玻璃基板上配置各向異性導電材料，並積層可撓性基板，進行熱壓接。近年來，推進液晶面板之窄邊緣化及玻璃基板之薄型化。於該情形時，於安裝可撓性基板時，若以較高之壓力及較高之溫度進行熱壓接，則有時可撓性基板會發生變形，從而產生顯示不均。因此，於FOG工法中之可撓性基板之安裝時，期待以相對較低之壓力進行熱壓接。又，除FOG工法以外，有時亦要求相對降低熱壓接時之壓力及溫度。
於作為使用先前之樹脂粒子之導電性粒子使用之情形時，若以相對較低之壓力將電極間電性連接，則有時連接電阻會增高。其原因可列舉：導電性粒子未與電極(被黏著體)充分接觸、或樹脂粒子與配置於該樹脂粒子之表面上之導電部之密接性較低、導電部破裂或剝離。於先前之樹脂粒子中，樹脂粒子與配置於該樹脂粒子之表面上之導電部之密接性之提高有限，有時難以充分地提高樹脂粒子與配置於該樹脂粒子之表面上之導電部之密接性。
又，關於先前之樹脂粒子，於藉由鍍覆形成導電部(鍍覆層)時，存在樹脂粒子彼此凝集而無法良好地實施鍍覆之情形。結果存在如下情況：導電性粒子之粒徑不均、或導電性粒子中之導電部之厚度不均，導電性粒子未與電極均勻地接觸而導致連接電阻增高。
又，於使用先前之樹脂粒子作為間隙材料(間隔件)之情形時，存在難以良好地保持分散狀態，樹脂粒子彼此凝集之情況。又，於先前之樹脂粒子中，存在樹脂粒子未與連接對象構件等(被黏著體)充分地接觸而無法獲得充分之間隙控制效果之情況。
本發明之目的在於提供一種樹脂粒子，其可有效地抑制凝集，於使用表面上形成有導電部之導電性粒子將電極間電性連接之情形時，可有效地提高與導電部之密接性，進而，可有效地降低連接電阻。又，本發明之目的在於提供一種使用上述樹脂粒子之導電性粒子、導電材料及連接構造體。  [解決問題之技術手段]
根據本發明之廣泛形態，提供一種樹脂粒子，其中對於樹脂粒子之外表面，藉由飛行時間型二次離子質譜法獲得負離子質譜時，OH- 離子之強度相對於全部負離子之強度之合計的比為2.0×10-2 以上。
於本發明之樹脂粒子之某一特定之形態中，壓縮10%時之壓縮彈性模數為500 N/mm2 以上4500 N/mm2 以下。
於本發明之樹脂粒子之某一特定之形態中，壓縮30%時之壓縮彈性模數為300 N/mm2 以上4000 N/mm2 以下。
於本發明之樹脂粒子之某一特定之形態中，上述樹脂粒子係包含複數種聚合性化合物之聚合性成分之聚合物。
於本發明之樹脂粒子之某一特定之形態中，構成上述聚合物之上述聚合性成分包含交聯性化合物，且上述聚合性成分100重量%中，上述交聯性化合物之含量為30重量%以上。
於本發明之樹脂粒子之某一特定之形態中，構成上述聚合物之上述聚合性成分包含交聯性化合物、及具有極性官能基之聚合性化合物，且上述聚合性成分100重量%中，上述交聯性化合物之含量未達30重量%，上述聚合性成分100重量%中，上述具有極性官能基之聚合性化合物之含量為0.5重量%以上30重量%以下。
於本發明之樹脂粒子之某一特定之形態中，上述具有極性官能基之聚合性化合物包含具有羥基之聚合性化合物、具有羧基之聚合性化合物、或具有磷酸基之聚合性化合物。
於本發明之樹脂粒子之某一特定之形態中，上述交聯性化合物包含二乙烯苯、四亞甲基二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、或酸式磷酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯。
於本發明之樹脂粒子之某一特定之形態中，上述樹脂粒子用作間隔件、或用於藉由在表面上形成導電部而獲得具有上述導電部之導電性粒子。
根據本發明之廣泛形態，提供一種導電性粒子，其具備上述樹脂粒子、及配置於上述樹脂粒子之表面上之導電部。
於本發明之導電性粒子之某一特定之形態中，上述導電性粒子進而具備配置於上述導電部之外表面上之絕緣性物質。
於本發明之導電性粒子之某一特定之形態中，上述導電性粒子於上述導電部之外表面具有突起。
根據本發明之廣泛形態，提供一種導電材料，其包含導電性粒子、及黏合劑樹脂，且上述導電性粒子具備上述樹脂粒子、及配置於上述樹脂粒子之表面上之導電部。
根據本發明之廣泛形態，提供一種連接構造體，其具備：表面具有第1電極之第1連接對象構件、表面具有第2電極之第2連接對象構件、及將上述第1連接對象構件與上述第2連接對象構件連接之連接部，上述連接部係由導電性粒子形成、或由上述包含導電性粒子及黏合劑樹脂之導電材料形成，上述導電性粒子具備上述樹脂粒子、及配置於上述樹脂粒子之表面上之導電部，上述第1電極與上述第2電極藉由上述導電性粒子電性連接。  [發明之效果]
於本發明之樹脂粒子中，對於樹脂粒子之外表面，藉由飛行時間型二次離子質譜法獲得負離子質譜時，OH- 離子之強度相對於全部負離子之強度之合計的比為2.0×10-2 以上。本發明之樹脂粒子由於具備上述構成，故而可有效地抑制凝集，於使用表面上形成有導電部之導電性粒子將電極間電性連接之情形時，可有效地提高與導電部之密接性，進而可有效地降低連接電阻。
以下，對本發明之詳情進行說明。
(樹脂粒子)  關於本發明之樹脂粒子，對於樹脂粒子之外表面，藉由飛行時間型二次離子質譜法獲得負離子質譜時，OH- 離子之強度相對於全部負離子之強度之合計的比為2.0×10-2 以上。
本發明之樹脂粒子由於具備上述構成，故而可有效地抑制凝集，於使用表面上形成有導電部之導電性粒子將電極間電性連接之情形時，可有效地提高與導電部之密接性，進而，可有效地降低連接電阻。
關於本發明之樹脂粒子，由於藉由飛行時間型二次離子質譜法獲得負離子質譜時，OH- 離子之強度滿足特定關係，故而可於樹脂粒子之外表面配置相對較多之羥基。若於樹脂粒子之外表面配置有羥基，則可藉由與羥基之相互作用提高樹脂粒子與導電部之密接性，從而可有效地抑制導電部之破裂或導電部之剝離之產生。又，於使用本發明之樹脂粒子之導電性粒子中，可有效地降低電極間之連接電阻，從而可有效地提高電極間之連接可靠性。例如，即便將藉由使用本發明之樹脂粒子之導電性粒子使電極間得以電性連接之連接構造體於高溫及高濕條件下長時間放置，連接電阻亦不易變得更高，從而更不易產生導通不良。
進而，於本發明之樹脂粒子中，可有效地抑制樹脂粒子彼此之凝集。其結果，於使用本發明之樹脂粒子作為間隙材料(間隔件)之情形時，可良好地保持分散狀態，從而可使間隔件之粒徑均勻。進而，可與連接對象構件等充分地接觸，從而可獲得充分之間隙控制效果。
關於本發明之樹脂粒子，對於上述樹脂粒子之外表面，藉由飛行時間型二次離子質譜法(TOF-SIMS)獲得負離子質譜時，OH- 離子之強度相對於全部負離子之強度之合計的比(OH- 離子之強度/全部負離子之強度之合計)為2.0×10-2 以上。
於上述TOF-SIMS之測定中，對上述樹脂粒子之外表面濺鍍2次，使用TOF-SIMS測定比(OH- 離子之強度/全部負離子之強度之合計)。於以使40～60個上述樹脂粒子配置於500 μm×500 μm之區域之方式分散之狀態下進行測定，並採用檢測累計次數達到50次時之比(OH- 離子之強度/全部負離子之強度之合計)之平均值。再者，於根據上述樹脂粒子之大小而難以於500 μm×500 μm之區域配置40～60個之情形時，可適當減少配置數量後進行測定。於上述測定中，獲得例如自上述樹脂粒子之外表面朝向內側約為2 nm左右之厚度區域之測定結果。又，於上述測定中，較佳為對任意選擇之3個樹脂粒子之比(OH- 離子之強度/全部負離子之強度之合計)進行算術平均，藉此算出上述比。
上述比(OH- 離子之強度/全部負離子之強度之合計)較佳為2.5×10-2 以上，更佳為3.0×10-2 以上。上述比(OH- 離子之強度/全部負離子之強度之合計)之上限並無特別限定。上述比(OH- 離子之強度/全部負離子之強度之合計)可為9.0×10-2 以下。若上述樹脂粒子滿足上述較佳之形態，則可進一步有效地抑制凝集。又，若上述樹脂粒子滿足上述較佳之形態，則於使用表面上形成有導電部之導電性粒子將電極間電性連接之情形時，可進一步有效地提高與導電部之密接性，進而，可進一步有效地降低連接電阻。
上述TOF-SIMS中使用ION TOF公司製造之「TOF-SIMS 5型」等。為了使用TOF-SIMS分析裝置測定上述樹脂粒子之外表面之OH- 離子之強度及總離子強度，例如將Bi3+ 離子槍作為測定用之一次離子源，並於25 keV之條件下進行測定即可。濺鍍係於真空中導入氬氣等惰性氣體，對靶施加負電壓而產生輝光放電，使惰性氣體原子離子化，使氣體粒子高速撞擊靶之表面而強烈擊打該表面之方法。可以奈米～微米級之深度對靶之表面進行研削。具體而言，例如藉由使用O2 + 進行濺鍍，可以約1 nm/次之深度對樹脂粒子之表面進行挖掘。可藉由進行2次濺鍍，並利用TOF-SIMS測定自上述樹脂粒子之外表面朝向內側約2 nm左右之厚度之區域之OH- 離子之強度及總離子強度之比。
將上述樹脂粒子壓縮10%時之壓縮彈性模數(10%K值)較佳為500 N/mm2 以上，更佳為1000 N/mm2 以上，且較佳為6000 N/mm2 以下，更佳為5000 N/mm2 以下，進而較佳為4500 N/mm2 以下，尤佳為3500 N/mm2 以下。若上述10%K值為上述下限以上及上述上限以下，則可進一步有效地抑制凝集。又，若上述10%K值為上述下限以上及上述上限以下，則於使用表面上形成有導電部之導電性粒子將電極間電性連接之情形時，可進一步有效地提高與導電部之密接性，進而，可進一步有效地降低連接電阻。
將上述樹脂粒子壓縮30%時之壓縮彈性模數(30%K值)較佳為300 N/mm2 以上，更佳為500 N/mm2 以上，且較佳為5500 N/mm2 以下，更佳為4500 N/mm2 以下，進而較佳為4000 N/mm2 以下，尤佳為3000 N/mm2 以下。若上述30%K值為上述下限以上及上述上限以下，則可進一步有效地抑制凝集。又，若上述30%K值為上述下限以上及上述上限以下，則於使用表面上形成有導電部之導電性粒子將電極間電性連接之情形時，可進一步有效地提高與導電部之密接性，進而，可進一步有效地降低連接電阻。
上述樹脂粒子中之上述壓縮彈性模數(10%K值及30%K值)可以如下方式進行測定。
使用微小壓縮試驗機，於圓柱(直徑50 μm、金剛石製)之平滑壓頭端面於25℃、壓縮速度0.3 mN/秒、及最大試驗荷重20 mN之條件下對1個樹脂粒子進行壓縮。測定此時之荷重值(N)及壓縮位移(mm)。可根據所獲得之測定值並藉由下述式求出上述壓縮彈性模數(10%K值或30%K值)。作為上述微小壓縮試驗機，例如使用Fischer公司製造之「Fischerscope H-100」等。上述樹脂粒子中之上述壓縮彈性模數(10%K值或30%K值)較佳為藉由對任意選擇之50個樹脂粒子之上述壓縮彈性模數(10%K值或30%K值)進行算術平均而算出。
10%K值或30%K值(N/mm2 )＝(3/21/2 )・F・S-3/2 ・R-1/2 F：樹脂粒子壓縮變形10%或30%之荷重值(N)  S：樹脂粒子壓縮變形10%或30%之壓縮位移(mm)  R：樹脂粒子之半徑(mm)
上述壓縮彈性模數普遍且定量地表示樹脂粒子之硬度。藉由使用上述壓縮彈性模數，可定量且單一化地表示樹脂粒子之硬度。
上述樹脂粒子之壓縮回復率較佳為5%以上，更佳為10%以上，且較佳為60%以下，更佳為45%以下。若上述壓縮回復率為上述下限以上及上述上限以下，則可進一步有效地抑制凝集。又，上述壓縮回復率為上述下限以上及上述上限以下，則於使用表面上形成有導電部之導電性粒子將電極間電性連接之情形時，可進一步有效地提高與導電部之密接性，進而，可進一步有效地降低連接電阻。
上述樹脂粒子中之上述壓縮回復率可以如下方式進行測定。
將樹脂粒子散佈於試樣台上。針對所散佈之1個樹脂粒子，使用微小壓縮試驗機於圓柱(直徑50 μm、金剛石製)之平滑壓頭端面於25℃下在樹脂粒子之中心方向上施加負荷(反轉荷重值)直至樹脂粒子壓縮變形30%為止。其後，進行卸載直至原點用荷重值(0.40 mN)。測定該期間之荷重-壓縮位移，並可根據下述式求出壓縮回復率。再者，負荷速度設為0.33 mN/秒。作為上述微小壓縮試驗機，例如使用Fischer公司製造之「Fischerscope H-100」等。
壓縮回復率(%)＝[L2/L1]×100  L1：施加負荷時之自原點用荷重值至反轉荷重值為止之壓縮位移  L2：解除負荷時之自反轉荷重值至原點用荷重值為止之卸載位移
上述樹脂粒子之用途並無特別限定。上述樹脂粒子可較佳地使用於各種用途。上述樹脂粒子較佳為用作間隔件、或用於藉由在表面上形成導電部而獲得具有上述導電部之導電性粒子。於上述導電性粒子中，上述導電部形成於上述樹脂粒子之表面上。上述樹脂粒子較佳為用於藉由在表面上形成導電部而獲得具有上述導電部之導電性粒子。上述導電性粒子較佳為用於將電極間電性連接。上述導電性粒子亦可用作間隙材料(間隔件)。上述樹脂粒子較佳為用作間隙材料(間隔件)。作為上述間隙材料(間隔件)之使用方法，可列舉液晶顯示元件用間隔件、間隙控制用間隔件、及應力緩和用間隔件等。上述間隙控制用間隔件可用於控制積層晶片或電子零件裝置之間隙以確保支架高度及平坦性、以及控制光學零件之間隙以確保玻璃面之平滑性及接著劑層之厚度等。上述應力緩和用間隔件可用於感測晶片等之應力緩和、及將2個連接對象構件連接之連接部之應力緩和等。又，於將上述樹脂粒子用作間隙材料(間隔件)之情形時，可良好地保持分散狀態，從而可使間隔件之粒徑均勻。進而，可與連接對象構件等充分地接觸，從而可獲得充分之間隙控制效果。
上述樹脂粒子較佳為用作液晶顯示元件用間隔件，較佳為用於液晶顯示元件用周邊密封劑。於上述液晶顯示元件用周邊密封劑中，上述樹脂粒子較佳為作為間隔件發揮功能。上述樹脂粒子由於具有良好之壓縮變形特性及良好之壓縮破壞特性，故而於將上述樹脂粒子用作間隔件並配置於基板間之情形、或於表面形成導電部而用作導電性粒子將電極間電性連接之情形時，間隔件或導電性粒子有效率地配置於基板間或電極間。進而，於上述樹脂粒子中，由於可抑制液晶顯示元件用構件等之受損，故而於使用上述液晶顯示元件用間隔件之液晶顯示元件及使用上述導電性粒子之連接構造體中不易產生連接不良及顯示不良。
進而，上述樹脂粒子亦可較佳地用作無機填充材、增色劑之添加劑、衝擊吸收劑或振動吸收劑。例如，可使用上述樹脂粒子作為橡膠或彈簧等之替代品。
以下，對樹脂粒子之其他詳情進行說明。
(樹脂粒子之其他詳情)  上述樹脂粒子較佳為包含複數種聚合性化合物之聚合性成分之聚合物。於上述樹脂粒子中，較佳為樹脂粒子之中心部與樹脂粒子之表面部係由相同之上述聚合性成分構成。上述樹脂粒子之中心部之聚合性成分之調配比與上述樹脂粒子之表面部之聚合性成分之調配比可相同，亦可不同。上述樹脂粒子之中心部之構成成分之構成比與上述樹脂粒子之表面部之構成成分之構成比可相同，亦可不同。若上述樹脂粒子滿足上述較佳之形態，則可進一步有效地抑制凝集。又，若上述樹脂粒子滿足上述較佳之形態，則於使用表面上形成有導電部之導電性粒子將電極間電性連接之情形時，可進一步有效地提高與導電部之密接性，進而，可進一步有效地降低連接電阻。
於上述樹脂粒子中，較佳為樹脂粒子之中心部係由中心部形成材料形成，樹脂粒子之表面部係由表面部形成材料形成。於上述樹脂粒子中，較佳為上述中心部形成材料之成分與上述表面部形成材料之成分相同。於上述樹脂粒子中，上述中心部形成材料之成分比與上述表面部形成材料之成分比可相同，亦可不同。又，於上述樹脂粒子中，較佳為存在包含上述中心部形成材料與上述表面部形成材料之兩者之區域。於上述樹脂粒子中，較佳為樹脂粒子於中心部具有如下區域，該區域包含上述中心部形成材料且不包含上述表面部形成材料或包含未達25重量%之上述表面部形成材料。於上述樹脂粒子中，較佳為樹脂粒子於表面部具有如下區域，該區域包含上述表面部形成材料且不包含上述中心部形成材料或包含未達25重量%之上述中心部形成材料。若上述樹脂粒子滿足上述較佳之形態，則可進一步有效地抑制凝集。又，若上述樹脂粒子滿足上述較佳之形態，則於使用表面上形成有導電部之導電性粒子將電極間電性連接之情形時，可進一步有效地提高與導電部之密接性，進而，可進一步有效地降低連接電阻。
上述樹脂粒子較佳為並非具備核、及配置於該核之表面上之外殼之核殼粒子，較佳為於樹脂粒子內不具有核與外殼之界面。上述樹脂粒子較佳為於樹脂粒子內不具有界面，更佳為不具有不同之面彼此接觸之界面。上述樹脂粒子較佳為不具有存在表面之不連續部分，較佳為不具有存在構造表面之不連續部分。若上述樹脂粒子滿足上述較佳之形態，則可進一步有效地抑制凝集。又，若上述樹脂粒子滿足上述較佳之形態，則於使用表面上形成有導電部之導電性粒子將電極間電性連接之情形時，可進一步有效地提高與導電部之密接性，進而，可進一步有效地降低連接電阻。
於上述樹脂粒子中，較佳為構成上述聚合物之上述聚合性成分包含交聯性化合物。於構成上述聚合物之上述聚合性成分包含交聯性化合物之情形時，上述聚合性成分100重量%中，上述交聯性化合物之含量較佳為30重量%以上，更佳為40重量%以上。上述交聯性化合物之含量之上限並無特別限定。上述交聯性化合物之含量較佳為80重量%以下，更佳為70重量%以下，進而較佳為60重量%以下。若上述樹脂粒子滿足上述較佳之形態，則可進一步有效地抑制凝集。又，若上述樹脂粒子滿足上述較佳之形態，則於使用表面上形成有導電部之導電性粒子將電極間電性連接之情形時，可進一步有效地提高與導電部之密接性，進而，可進一步有效地降低連接電阻。
於上述樹脂粒子中，構成上述聚合物之上述聚合性成分可為包含不具有極性官能基之交聯性化合物且不包含具有極性官能基之交聯性化合物之聚合性成分、及包含不具有極性官能基之交聯性化合物與具有極性官能基之交聯性化合物之聚合性成分之任一者。於上述樹脂粒子中，構成上述聚合物之上述聚合性成分亦可為包含不具有極性官能基之交聯性化合物且不包含具有極性官能基之交聯性化合物之聚合性成分。於上述樹脂粒子中，構成上述聚合物之上述聚合性成分亦可為包含不具有極性官能基之交聯性化合物及具有極性官能基之交聯性化合物之聚合性成分。
於構成上述聚合物之上述聚合性成分包含不具有極性官能基之交聯性化合物且不包含具有極性官能基之交聯性化合物之情形時，上述聚合性成分100重量%中，上述不具有極性官能基之交聯性化合物之含量較佳為30重量%以上，更佳為40重量%以上。上述不具有極性官能基之交聯性化合物之含量之上限並無特別限定。上述不具有極性官能基之交聯性化合物之含量較佳為80重量%以下，更佳為70重量%以下，進而較佳為60重量%以下。若上述樹脂粒子滿足上述較佳之形態，則可進一步有效地抑制凝集。又，若上述樹脂粒子滿足上述較佳之形態，則於使用表面上形成有導電部之導電性粒子將電極間電性連接之情形時，可進一步有效地提高與導電部之密接性，進而，可進一步有效地降低連接電阻。
於構成上述聚合物之上述聚合性成分包含不具有極性官能基之交聯性化合物及具有極性官能基之交聯性化合物之情形時，上述聚合性成分100重量%中，上述不具有極性官能基之交聯性化合物與具有極性官能基之交聯性化合物之合計含量較佳為30重量%以上，更佳為40重量%以上。上述不具有極性官能基之交聯性化合物與具有極性官能基之交聯性化合物之合計含量之上限並無特別限定。上述不具有極性官能基之交聯性化合物與具有極性官能基之交聯性化合物之合計含量較佳為80重量%以下，更佳為70重量%以下， 進而較佳為60重量%以下。若上述樹脂粒子滿足上述較佳之形態，則可進一步有效地抑制凝集。又，若上述樹脂粒子滿足上述較佳之形態，則於使用表面上形成有導電部之導電性粒子將電極間電性連接之情形時，可進一步有效地提高與導電部之密接性，進而，可進一步有效地降低連接電阻。
於上述樹脂粒子中，構成上述聚合物之上述聚合性成分較佳為包含交聯性化合物及具有極性官能基之聚合性化合物。於構成上述聚合物之上述聚合性成分包含交聯性化合物及具有極性官能基之聚合性化合物之情形時，上述聚合性成分100重量%中，上述交聯性化合物之含量較佳為未達30重量%，更佳為20重量%以下。上述交聯性化合物之含量之下限並無特別限定。上述交聯性化合物之含量亦可為5重量%以上。於構成上述聚合物之上述聚合性成分包含交聯性化合物及具有極性官能基之聚合性化合物之情形時，上述聚合性成分100重量%中，上述具有極性官能基之聚合性化合物之含量較佳為0.5重量%以上，更佳為2重量%以上，且較佳為30重量%以下，更佳為20重量%以下。若上述樹脂粒子滿足上述較佳之形態，則可進一步有效地抑制凝集。又，若上述樹脂粒子滿足上述較佳之形態，則於使用表面上形成有導電部之導電性粒子將電極間電性連接之情形時，可進一步有效地提高與導電部之密接性，進而，可進一步有效地降低連接電阻。
於上述樹脂粒子中，構成上述聚合物之上述聚合性成分較佳為包含不具有極性官能基之交聯性化合物及不具有交聯性且具有極性官能基之聚合性化合物。於構成上述聚合物之上述聚合性成分包含不具有極性官能基之交聯性化合物及不具有交聯性且具有極性官能基之聚合性化合物之情形時，上述聚合性成分100重量%中，上述不具有極性官能基之交聯性化合物之含量較佳為未達30重量%，更佳為20重量%以下。上述不具有極性官能基之交聯性化合物之含量之下限並無特別限定。上述不具有極性官能基之交聯性化合物之含量亦可為5重量%以上。於構成上述聚合物之上述聚合性成分包含不具有極性官能基之交聯性化合物及不具有交聯性且具有極性官能基之聚合性化合物之情形時，上述聚合性成分100重量%中，上述不具有交聯性且具有極性官能基之聚合性化合物之含量較佳為0.5重量%以上，更佳為2重量%以上，且較佳為30重量%以下，更佳為20重量%以下。若上述樹脂粒子滿足上述較佳之形態，則可進一步有效地抑制凝集。又，若上述樹脂粒子滿足上述較佳之形態，則於使用表面上形成有導電部之導電性粒子將電極間電性連接之情形時，可進一步有效地提高與導電部之密接性，進而，可進一步有效地降低連接電阻。
又，對於上述樹脂粒子之外表面，藉由飛行時間型二次離子質譜法獲得負離子質譜時，就更容易將OH- 離子之強度相對於全部負離子之強度之合計的比設為2.0×10-2 以上之觀點而言，上述樹脂粒子較佳為滿足以下任一關係。  1)構成上述聚合物之上述聚合性成分包含交聯性化合物，上述聚合性成分100重量%中，上述交聯性化合物之含量為30重量%以上。  2)構成上述聚合物之上述聚合性成分包含交聯性化合物、及具有極性官能基之聚合性化合物，上述聚合性成分100重量%中，上述交聯性化合物之含量未達30重量%，上述具有極性官能基之聚合性化合物之含量為0.5重量%以上、30重量%以下。
尤其是於上述1)中，若上述交聯性化合物之含量為30重量%以上、80重量%以下，則可更容易地將OH- 離子之強度相對於全部負離子之強度之合計的比設為2.0×10-2 以上。
上述具有極性官能基之聚合性化合物並無特別限定。上述極性官能基並無特別限定。作為上述極性官能基，可列舉羥基、羧基、磺酸基及磷酸基等。上述具有極性官能基之聚合性化合物可僅使用1種，亦可併用2種以上。
作為具有羥基之聚合性化合物，可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-(甲基)丙烯醯氧基丙酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、鄰苯二甲酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯-2-羥基丙酯、及聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯等。
作為具有羧基之聚合性化合物，可列舉：(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-羧基乙酯、及琥珀酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯等。
作為具有磺酸基之聚合性化合物，可列舉(甲基)丙烯酸3-磺丙酯等。
作為具有磷酸基之聚合性化合物，可列舉酸式磷酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯等。
於上述樹脂粒子中，上述具有極性官能基之聚合性化合物較佳為包含具有羥基之聚合性化合物、具有羧基之聚合性化合物、或具有磷酸基之聚合性化合物。於上述樹脂粒子中，上述具有極性官能基之聚合性化合物更佳為包含(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸、琥珀酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯、或酸式磷酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯。於上述樹脂粒子中，上述具有極性官能基之聚合性化合物進而較佳為包含(甲基)丙烯酸、琥珀酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯、或酸式磷酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯。若上述樹脂粒子滿足上述較佳之形態，則可進一步有效地抑制凝集。又，若上述樹脂粒子滿足上述較佳之形態，則於使用表面上形成有導電部之導電性粒子將電極間電性連接之情形時，可進一步有效地提高與導電部之密接性，進而，可進一步有效地降低連接電阻。
上述交聯性化合物並無特別限定。作為上述交聯性化合物，可列舉：二乙烯苯、(二/三/四)亞甲基二醇(甲基)丙烯酸酯、(二/三/四)乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚四亞甲基二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二甲基丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、及酸式磷酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯(共榮社化學公司製造之「LIGHT ESTER P-2M」)等。上述交聯性化合物可僅使用1種，亦可併用2種以上。
於上述樹脂粒子中，上述交聯性化合物較佳為包含下述化合物。作為上述化合物，可列舉：二乙烯苯、四亞甲基二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、及酸式磷酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯(共榮社化學公司製造之「LIGHT ESTER P-2M」)等。於上述樹脂粒子中，上述交聯性化合物更佳為包含甘油二(甲基)丙烯酸酯、酸式磷酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯(共榮社化學公司製造之「LIGHT ESTER P-2M」)、或季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯。若上述樹脂粒子滿足上述較佳之形態，則可進一步有效地抑制凝集。又，若上述樹脂粒子滿足上述較佳之形態，則於使用表面上形成有導電部之導電性粒子將電極間電性連接之情形時，可進一步有效地提高與導電部之密接性，進而，可進一步有效地降低連接電阻。
上述具有極性官能基之聚合性化合物亦可為交聯性化合物。上述交聯性化合物亦可為具有極性官能基之聚合性化合物。於上述聚合性成分包含具有交聯性、極性官能基及聚合性之化合物之情形時，上述聚合性化合物包含交聯性化合物、及具有極性官能基之聚合性化合物之兩者。上述交聯性化合物之含量包括上述具有交聯性、極性官能基及聚合性之化合物之含量。上述具有極性官能基之聚合性化合物之含量包括上述具有交聯性、極性官能基及聚合性之化合物之含量。
於上述樹脂粒子中，構成上述聚合物之上述聚合性成分不包含或包含非交聯性化合物。於上述樹脂粒子中，構成上述聚合物之上述聚合性成分可不包含非交聯性化合物。於上述樹脂粒子中，構成上述聚合物之上述聚合性成分亦可包含非交聯性化合物。上述非交聯性化合物可為不具有極性官能基之非交聯性化合物。上述非交聯性化合物可僅使用1種，亦可併用2種以上。
作為上述非交聯性化合物，可列舉：作為乙烯系化合物之苯乙烯、α-甲基苯乙烯、氯苯乙烯等苯乙烯單體；甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、丙基乙烯基醚等乙烯基醚化合物；乙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯等酸乙烯酯化合物；氯乙烯、氟乙烯等含鹵素單體；作為(甲基)丙烯酸系化合物之(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸鯨蠟酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異𦯉酯等(甲基)丙烯酸烷基酯化合物；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、甘油(甲基)丙烯酸酯、聚氧乙烯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含氧原子之(甲基)丙烯酸酯化合物；(甲基)丙烯腈等含腈單體；(甲基)丙烯酸三氟甲酯、(甲基)丙烯酸五氟乙酯等含鹵素之(甲基)丙烯酸酯化合物；作為α-烯烴化合物之二異丁烯、異丁烯、Linealene、乙烯、丙烯等烯烴化合物；作為共軛二烯化合物之異戊二烯、丁二烯等。
於構成上述聚合物之上述聚合性成分包含上述非交聯性化合物之情形時，上述聚合性成分100重量%中，上述非交聯性化合物之含量可為1重量%以上，亦可為5重量%以上，亦可為10重量%以上，亦可為20重量%以上，亦可為30重量%以上，亦可為40重量%以上。於構成上述聚合物之上述聚合性成分包含上述非交聯性化合物之情形時，上述聚合性成分100重量%中，上述非交聯性化合物之含量可為90重量%以下，亦可為80重量%以下，亦可為70重量%以下，亦可為60重量%以下，亦可為50重量%以下。
上述樹脂粒子之粒徑可根據用途適當設定。上述樹脂粒子之粒徑較佳為0.5 μm以上，更佳為1 μm以上，且較佳為500 μm以下，更佳為300 μm以下，進而較佳為100 μm以下，進而更佳為50 μm以下，尤佳為30 μm以下。若上述樹脂粒子之粒徑為上述下限以上及上述上限以下，則可將樹脂粒子更適宜地使用於導電性粒子或間隔件之用途。若上述樹脂粒子之粒徑為0.5 μm以上500 μm以下，則可將上述樹脂粒子適宜地使用於導電性粒子之用途。若上述樹脂粒子之粒徑為0.5 μm以上500 μm以下，則可將上述樹脂粒子適宜地使用於間隔件之用途。
上述樹脂粒子之粒徑較佳為平均粒徑，更佳為數量平均粒徑。上述樹脂粒子之粒徑例如係利用電子顯微鏡或光學顯微鏡對任意50個樹脂粒子進行觀察並算出各樹脂粒子之粒徑之平均值，或藉由粒度分佈測定裝置求出。於利用電子顯微鏡或光學顯微鏡進行之觀察中，每個樹脂粒子之粒徑係作為以圓相當徑計之粒徑而求出。於利用電子顯微鏡或光學顯微鏡進行之觀察中，任意50個樹脂粒子之以圓相當徑計之平均粒徑與以球相當徑計之平均粒徑幾乎相等。於粒度分佈測定裝置中，每個樹脂粒子之粒徑係作為以球相當徑計之粒徑而求出。上述樹脂粒子之平均粒徑較佳為藉由粒度分佈測定裝置而算出。
又，於導電性粒子中，對上述樹脂粒子之粒徑進行測定之情形時，例如可以如下方式進行測定。
以導電性粒子之含量成為30重量%之方式添加至Kulzer公司製造之「Technovit 4000」並使之分散，製作導電性粒子檢查用嵌入樹脂體。使用離子研磨裝置(日立高新技術公司製造之「IM4000」)，以通過分散於檢查用嵌入樹脂體中之導電性粒子之中心附近之方式切出導電性粒子之剖面。然後，使用電場放射型掃描式電子顯微鏡(FE-SEM)，將圖像倍率設定為25000倍，隨機選擇50個導電性粒子，觀察各導電性粒子之樹脂粒子。測量各導電性粒子中之樹脂粒子之粒徑，對其等進行算術平均後，將所得值設為樹脂粒子之粒徑。
上述樹脂粒子之粒徑之變異係數(CV值)較佳為10%以下，更佳為7%以下。若上述樹脂粒子之粒徑之變異係數為上述上限以下，則可將上述樹脂粒子更佳地使用於間隔件及導電性粒子之用途。
上述變異係數(CV值)可以如下方式進行測定。
CV值(%)＝(ρ/Dn)×100  ρ：樹脂粒子之粒徑之標準偏差  Dn：樹脂粒子之粒徑之平均值
上述樹脂粒子之形狀並無特別限定。上述樹脂粒子之形狀可為球狀，亦可為球狀以外之形狀，亦可為扁平狀等形狀。
(導電性粒子)  上述導電性粒子具備上述樹脂粒子、及配置於上述樹脂粒子之表面上之導電部。
圖1係表示本發明之第1實施方式之導電性粒子之剖視圖。
圖1所示之導電性粒子1具有樹脂粒子11、及配置於樹脂粒子11之表面上之導電部2。導電部2與樹脂粒子11之表面相接。導電部2覆蓋樹脂粒子11之表面。導電性粒子1係樹脂粒子11之表面由導電部2被覆之被覆粒子。於導電性粒子1中，導電部2為單層之導電部(導電層)。
圖2係表示本發明之第2實施方式之導電性粒子之剖視圖。
圖2所示之導電性粒子21具有樹脂粒子11、及配置於樹脂粒子11之表面上之導電部22。導電部22整體而言於樹脂粒子11側具有第1導電部22A、及位於與樹脂粒子11側相反側之第2導電部22B。
於圖1所示之導電性粒子1與圖2所示之導電性粒子21中，僅導電部22不同。即，於導電性粒子1中形成有1層構造之導電部，與此相對，於導電性粒子21中形成有2層構造之第1導電部22A及第2導電部22B。第1導電部22A與第2導電部22B可形成為不同之導電部，亦可形成為相同之導電部。
第1導電部22A配置於樹脂粒子11之表面上。於樹脂粒子11與第2導電部22B之間配置有第1導電部22A。第1導電部22A與樹脂粒子11相接。第2導電部22B與第1導電部22A相接。於樹脂粒子11之表面上配置有第1導電部22A，於第1導電部22A之表面上配置有第2導電部22B。
圖3係表示本發明之第3實施方式之導電性粒子之剖視圖。
圖3所示之導電性粒子31具有樹脂粒子11、導電部32、複數個芯物質33、及複數個絕緣性物質34。導電部32配置於樹脂粒子11之表面上。複數個芯物質33配置於樹脂粒子11之表面上。導電部32係以覆蓋樹脂粒子11及複數個芯物質33之方式配置於樹脂粒子11之表面上。於導電性粒子31中，導電部32為單層之導電部(導電層)。
導電性粒子31於外表面具有複數個突起31a。於導電性粒子31中，導電部32於外表面具有複數個突起32a。複數個芯物質33可使導電部32之外表面隆起。導電部32之外表面因複數個芯物質33而隆起，藉此形成突起31a及32a。複數個芯物質33嵌入至導電部32內。於突起31a及32a之內側配置有芯物質33。於導電性粒子31中，為了形成突起31a及32a而使用複數個芯物質33。於上述導電性粒子中，亦可不使用複數個上述芯物質來形成上述突起。上述導電性粒子亦可不具備複數個上述芯物質。
導電性粒子31具有配置於導電部32之外表面上之絕緣性物質34。導電部32之外表面之至少一部分區域係由絕緣性物質34被覆。絕緣性物質34係由具有絕緣性之材料形成，為絕緣性粒子。如此，本發明之導電性粒子可具有配置於導電部之外表面上之絕緣性物質。但是，上述導電性粒子亦可未必具有絕緣性物質。上述導電性粒子亦可不具備複數個絕緣性物質。
導電部：  用以形成上述導電部之金屬並無特別限定。作為上述金屬，可列舉：金、銀、鈀、銅、鉑、鋅、鐵、錫、鉛、鋁、鈷、銦、鎳、鉻、鈦、銻、鉍、鉈、鍺、鎘、矽、鎢、鉬及該等之合金等。又，作為上述金屬，可列舉摻錫氧化銦(ITO)及焊料等。就進一步提高電極間之連接可靠性之觀點而言，上述金屬較佳為含錫之合金、鎳、鈀、銅或金，較佳為鎳或鈀。
又，由於可有效地提高導通可靠性，故而上述導電部及上述導電部之外表面部分較佳為包含鎳。包含鎳之導電部100重量%中之鎳之含量較佳為10重量%以上，更佳為50重量%以上，進而較佳為60重量%以上，進而更佳為70重量%以上，尤佳為90重量%以上。上述包含鎳之導電部100重量%中之鎳之含量可為97重量%以上，亦可為97.5重量%以上，亦可為98重量%以上。
再者，導電部之表面因氧化而存在羥基之情況居多。一般而言，由鎳形成之導電部之表面因氧化而存在羥基。可於此種具有羥基之導電部之表面(導電性粒子之表面)經由化學鍵配置絕緣性物質。
上述導電部可如導電性粒子1、31，由1層形成。上述導電部亦可如導電性粒子21，由複數層形成。即，上述導電部亦可具有2層以上之積層構造。於導電部由複數層形成之情形時，最外層較佳為金層、鎳層、鈀層、銅層或包含錫與銀之合金層，更佳為金層。於最外層為該等較佳之導電部之情形時，可進一步有效地降低電極間之連接電阻。又，於最外層為金層之情形時，可進一步有效地提高耐腐蝕性。
於上述樹脂粒子之表面形成上述導電部之方法並無特別限定。作為形成上述導電部之方法，例如可列舉：利用無電解鍍覆之方法、利用電鍍之方法、利用物理蒸鍍之方法、以及將金屬粉末或者包含金屬粉末與黏合劑之漿料塗佈於樹脂粒子之表面之方法等。利用無電解鍍覆之方法由於簡便地形成導電部，故較佳。作為上述利用物理蒸鍍之方法，可列舉：真空蒸鍍、離子鍍覆及離子濺鍍等方法。
上述導電性粒子之粒徑較佳為0.5 μm以上，更佳為1 μm以上，且較佳為500 μm以下，更佳為300 μm以下，進而較佳為100 μm以下，進而更佳為50 μm以下，尤佳為30 μm以下。若上述導電性粒子之粒徑為上述下限以上及上述上限以下，則於使用導電性粒子將電極間連接之情形時，導電性粒子與電極之接觸面積充分變大，且不易形成在導電部之形成時凝集之導電性粒子。又，經由導電性粒子連接之電極間之間隔不會變得過大，且導電部不易自樹脂粒子之表面剝離。又，若上述導電性粒子之粒徑為上述下限以上及上述上限以下，則可將導電性粒子適宜地使用於導電材料之用途。
上述導電性粒子之粒徑於導電性粒子為真球狀之情形時意指直徑，於導電性粒子為真球狀以外之形狀之情形時，意指假定為與其體積相當之真球時之直徑。
上述導電性粒子之粒徑較佳為平均粒徑，更佳為數量平均粒徑。上述導電性粒子之粒徑係利用電子顯微鏡或光學顯微鏡對任意50個導電性粒子進行觀察並算出平均值、或藉由粒度分佈測定裝置而求出。於利用電子顯微鏡或光學顯微鏡進行之觀察中，每個導電性粒子之粒徑係作為以圓相當徑計之粒徑而求出。於利用電子顯微鏡或光學顯微鏡進行之觀察中，任意50個導電性粒子之以圓相當徑計之平均粒徑與以球相當徑計之平均粒徑幾乎相等。於粒度分佈測定裝置中，每個導電性粒子之粒徑係作為以球相當徑計之粒徑而求出。上述導電性粒子之粒徑較佳為藉由粒度分佈測定裝置而算出。
上述導電部之厚度較佳為0.005 μm以上，更佳為0.01 μm以上，且較佳為10 μm以下，更佳為1 μm以下，進而較佳為0.3 μm以下。上述導電部之厚度於導電部為多層之情形時為導電部整體之厚度。若導電部之厚度為上述下限以上及上述上限以下，則可獲得充分之導電性，且導電性粒子不會變得過硬，於電極間之連接時導電性粒子充分變形。
於上述導電部係由複數層形成之情形時，最外層之導電部之厚度較佳為0.001 μm以上，更佳為0.01 μm以上，且較佳為0.5 μm以下，更佳為0.1 μm以下。若上述最外層之導電部之厚度為上述下限以上及上述上限以下，則最外層之由導電部之被覆變得均勻，耐腐蝕性充分提高，且電極間之連接電阻充分降低。又，於上述最外層為金層之情形時，金層之厚度越薄，成本越低。
上述導電部之厚度例如可藉由使用穿透式電子顯微鏡(TEM)對導電性粒子之剖面進行觀察而測定。關於上述導電部之厚度，較佳為將導電部之任意5個部位之厚度之平均值作為1個導電性粒子之導電部之厚度而算出，更佳為將導電部整體之厚度之平均值作為1個導電性粒子之導電部之厚度而算出。上述導電部之厚度較佳為藉由對任意10個導電性粒子算出各導電性粒子之導電部之厚度之平均值而求出。
芯物質：  上述導電性粒子較佳為於上述導電部之外表面具有突起。上述導電性粒子更佳為於上述導電部之外表面具有複數個突起。藉由使上述導電性粒子於上述導電部之外表面具有複數個突起，可進一步提高電極間之導通可靠性。大多於由上述導電性粒子連接之電極之表面形成有氧化覆膜。進而，大多於上述導電性粒子之導電部之表面形成有氧化覆膜。藉由使用上述具有突起之導電性粒子，於將導電性粒子配置於電極間後進行壓接，藉此，氧化覆膜被突起有效地排除。因此，可使電極與導電性粒子更確實地接觸，從而可進一步有效地降低電極間之連接電阻。進而，於上述導電性粒子表面具有絕緣性物質之情形、或使導電性粒子分散於黏合劑樹脂中用作導電材料之情形時，藉由導電性粒子之突起，將導電性粒子與電極之間之絕緣性物質或黏合劑樹脂有效地排除。因此，可進一步有效地提高電極間之導通可靠性。
藉由將上述芯物質嵌入至上述導電部中，可容易地於上述導電部之外表面形成複數個突起。但是，亦可未必使用芯物質以使導電性粒子之導電部之表面形成突起。
作為於上述導電性粒子之表面形成突起之方法，可列舉：使芯物質附著於樹脂粒子之表面後藉由無電解鍍覆形成導電部之方法；及藉由無電解鍍覆於樹脂粒子之表面形成導電部後使芯物質附著，進而藉由無電解鍍覆形成導電部之方法等。又，亦可不使用上述芯物質來形成突起。
作為形成上述突起之方法，亦可列舉以下之方法等。於藉由無電解鍍覆於樹脂粒子之表面形成導電部之中途階段添加芯物質之方法。作為藉由無電解鍍覆且不使用芯物質形成突起之方法，係藉由無電解鍍覆產生金屬核，使金屬核附著於樹脂粒子或導電部之表面，進而藉由無電解鍍覆形成導電部之方法。
上述芯物質之材料並無特別限定。作為上述芯物質之材料，例如可列舉導電性物質及非導電性物質。作為上述導電性物質，可列舉：金屬、金屬之氧化物、鋅等導電性非金屬及導電性聚合物等。作為上述導電性聚合物，可列舉聚乙炔等。作為上述非導電性物質，可列舉：二氧化矽、氧化鋁、鈦酸鋇及氧化鋯等。金屬由於可提高導電性，進而可有效地降低連接電阻，故而較佳。上述芯物質較佳為金屬粒子。作為上述芯物質之材料之金屬可適宜地使用作為用以形成上述導電部之金屬所列舉之金屬。
絕緣性物質：  上述導電性粒子較佳為進而具備配置於上述導電部之外表面上之絕緣性物質。於該情形時，若將導電性粒子用於電極間之連接，則可進一步防止相鄰之電極間之短路。具體而言，於複數個導電性粒子接觸時，在複數個電極間存在絕緣性物質，故而可防止橫向上相鄰之電極間而非上下電極間的短路。再者，於將電極間連接時，利用2個電極對導電性粒子進行加壓，藉此可容易地將導電性粒子之導電部與電極之間之絕緣性物質排除。於上述導電性粒子於導電部之外表面具有複數個突起之情形時，可更容易地排除導電性粒子之導電部與電極之間之絕緣性物質。
就於電極間之壓接時可更容易地將上述絕緣性物質排除之方面而言，上述絕緣性物質較佳為絕緣性粒子。
作為上述絕緣性物質之材料，可列舉：聚烯烴化合物、(甲基)丙烯酸酯聚合物、(甲基)丙烯酸酯共聚物、嵌段聚合物、熱塑性樹脂、熱塑性樹脂之交聯物、熱硬化性樹脂及水溶性樹脂等。上述絕緣性物質之材料可僅使用1種，亦可併用2種以上。
作為上述聚烯烴化合物，可列舉：聚乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物及乙烯-丙烯酸酯共聚物等。作為上述(甲基)丙烯酸酯聚合物，可列舉：聚(甲基)丙烯酸甲酯、聚(甲基)丙烯酸十二烷基酯及聚(甲基)丙烯酸硬脂酯等。作為上述嵌段聚合物，可列舉：聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯酸酯共聚物、SB型苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物、及SBS型苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物、以及該等之氫化物等。作為上述熱塑性樹脂，可列舉乙烯系聚合物及乙烯系共聚物等。作為上述熱硬化性樹脂，可列舉：環氧樹脂、酚樹脂及三聚氰胺樹脂等。作為上述熱塑性樹脂之交聯，可列舉：聚乙二醇甲基丙烯酸酯、烷氧基化三羥甲基丙烷甲基丙烯酸酯或烷氧基化季戊四醇甲基丙烯酸酯等之導入。作為上述水溶性樹脂，可列舉：聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚丙烯醯胺、聚乙烯基吡咯啶酮、聚環氧乙烷及甲基纖維素等。又，聚合度之調整亦可使用鏈轉移劑。作為鏈轉移劑，可列舉硫醇或四氯化碳等。
作為於上述導電部之表面上配置絕緣性物質之方法，可列舉化學方法、及物理或者機械方法等。作為上述化學方法，例如可列舉：界面聚合法、粒子存在下之懸浮聚合法及乳化聚合法等。作為上述物理或者機械方法，可列舉：噴霧乾燥、混成作用、靜電吸附法、噴霧法、浸漬及真空蒸鍍法等。就絕緣性物質不易脫離之方面而言，較佳為經由化學鍵於上述導電部之表面配置上述絕緣性物質之方法。
上述導電部之外表面、及絕緣性物質之表面亦可分別由具有反應性官能基之化合物被覆。導電部之外表面與絕緣性物質之表面可並未直接化學鍵結，亦可藉由具有反應性官能基之化合物間接地化學鍵結。亦可於將羧基導入至導電部之外表面後，使該羧基經由聚伸乙基亞胺等高分子電解質，與絕緣性物質表面之官能基化學鍵結。
(導電材料)  本發明之導電材料包含上述導電性粒子、及黏合劑。上述導電性粒子具備上述樹脂粒子、及配置於上述樹脂粒子之表面上之導電部。上述導電性粒子較佳為分散於黏合劑中使用，較佳為分散於黏合劑中作為導電材料使用。上述導電材料較佳為各向異性導電材料。上述導電材料較佳為用於電極間之電性連接。上述導電材料較佳為電路連接用導電材料。
上述黏合劑樹脂並無特別限定。作為上述黏合劑樹脂，可使用公知之絕緣性樹脂。上述黏合劑樹脂較佳為包含熱塑性成分(熱塑性化合物)或硬化性成分，更佳為包含硬化性成分。作為上述硬化性成分，可列舉光硬化性成分及熱硬化性成分。上述光硬化性成分較佳為包含光硬化性化合物及光聚合起始劑。上述熱硬化性成分較佳為包含熱硬化性化合物及熱硬化劑。作為上述黏合劑樹脂，例如可列舉：乙烯系樹脂、熱塑性樹脂、硬化性樹脂、熱塑性嵌段共聚物及彈性體等。上述黏合劑樹脂可僅使用1種，亦可併用2種以上。
作為上述乙烯系樹脂，例如可列舉：乙酸乙烯酯樹脂、丙烯酸系樹脂及苯乙烯樹脂等。作為上述熱塑性樹脂，例如可列舉：聚烯烴樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物及聚醯胺樹脂等。作為上述硬化性樹脂，例如可列舉：環氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂及不飽和聚酯樹脂等。再者，上述硬化性樹脂亦可為常溫硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂或濕氣硬化型樹脂。上述硬化性樹脂亦可與硬化劑併用。作為上述熱塑性嵌段共聚物，例如可列舉：苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物之氫化物、及苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物之氫化物等。作為上述彈性體，例如可列舉：苯乙烯-丁二烯共聚橡膠、及丙烯腈-苯乙烯嵌段共聚橡膠等。
上述導電材料除上述導電性粒子及上述黏合劑樹脂以外，例如亦可包含填充劑、增量劑、軟化劑、塑化劑、聚合觸媒、硬化觸媒、著色劑、抗氧化劑、熱穩定劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、潤滑劑、抗靜電劑及阻燃劑等各種添加劑。
使上述導電性粒子分散於上述黏合劑樹脂中之方法可使用先前公知之分散方法，並無特別限定。作為使上述導電性粒子分散於上述黏合劑樹脂中之方法，例如可列舉以下之方法等。於上述黏合劑樹脂中添加上述導電性粒子後，利用行星式混合機等進行混練來分散之方法。使用均質機等，使上述導電性粒子均勻地分散於水或有機溶劑中後，添加至上述黏合劑樹脂中，並利用行星式混合機等進行混練來分散之方法。利用水或有機溶劑等將上述黏合劑樹脂稀釋後，添加上述導電性粒子，並利用行星式混合機等進行混練來分散之方法。
上述導電材料之25℃時之黏度(η25)較佳為30 Pa・s以上，更佳為50 Pa・s以上，且較佳為400 Pa・s以下，更佳為300 Pa・s以下。若上述導電材料之25℃時之黏度為上述下限以上及上述上限以下，則可進一步有效地提高電極間之連接可靠性。上述黏度(η25)可藉由調配成分之種類及調配量適當進行調整。
上述黏度(η25)例如可使用E型黏度計(東機產業公司製造之「TVE22L」)等於25℃及5 rpm之條件下進行測定。
上述導電材料可以導電膏及導電膜等之形式使用。於本發明之導電材料為導電膜之情形時，亦可於包含導電性粒子之導電膜積層不含導電性粒子之膜。上述導電膏較佳為各向異性導電膏。上述導電膜較佳為各向異性導電膜。
上述導電材料100重量%中，上述黏合劑樹脂之含量較佳為10重量%以上，更佳為30重量%以上，進而較佳為50重量%以上，尤佳為70重量%以上，且較佳為99.99重量%以下，更佳為99.9重量%以下。若上述黏合劑樹脂之含量為上述下限以上及上述上限以下，則將導電性粒子有效率地配置於電極間，經導電材料連接之連接對象構件之連接可靠性進一步提高。
上述導電材料100重量%中，上述導電性粒子之含量較佳為0.01重量%以上，更佳為0.1重量%以上，且較佳為80重量%以下，更佳為60重量%以下，進而較佳為40重量%以下，進而更佳為20重量%以下，尤佳為10重量%以下。若上述導電性粒子之含量為上述下限以上及上述上限以下，則可進一步有效地降低電極間之連接電阻，且可進一步有效地提高電極間之連接可靠性。
(連接構造體)  藉由使用上述導電性粒子或包含上述導電性粒子與黏合劑樹脂之導電材料將連接對象構件連接，可獲得連接構造體。
上述連接構造體具備表面具有第1電極之第1連接對象構件、表面具有第2電極之第2連接對象構件、及將上述第1連接對象構件與上述第2連接對象構件連接之連接部。於上述連接構造體中，上述連接部係由導電性粒子形成、或由上述包含導電性粒子與黏合劑樹脂之導電材料形成。上述導電性粒子具備上述樹脂粒子、及配置於上述樹脂粒子之表面上之導電部。於上述連接構造體中，上述第1電極與上述第2電極藉由上述導電性粒子電性連接。
於單獨使用上述導電性粒子之情形時，連接部本身為導電性粒子。即，上述第1連接對象構件與上述第2連接對象構件藉由上述導電性粒子連接。用以獲得上述連接構造體之上述導電材料較佳為各向異性導電材料。
圖4係表示使用本發明之第1實施方式之導電性粒子之連接構造體之一例的剖視圖。
圖4所示之連接構造體41具備第1連接對象構件42、第2連接對象構件43、及將第1連接對象構件42與第2連接對象構件43連接之連接部44。連接部44係由包含導電性粒子1及黏合劑樹脂之導電材料形成。圖4中，為了便於圖示，簡略地圖示出導電性粒子1。亦可使用導電性粒子21、31等其他導電性粒子代替導電性粒子1。
第1連接對象構件42於表面(上表面)具有複數個第1電極42a。第2連接對象構件43於表面(下表面)具有複數個第2電極43a。第1電極42a與第2電極43a係由一個或複數個導電性粒子1電性連接。因此，第1、第2連接對象構件42、43藉由導電性粒子1電性連接。
上述連接構造體之製造方法並無特別限定。作為連接構造體之製造方法之一例，可列舉於第1連接對象構件與第2連接對象構件之間配置上述導電材料而獲得積層體後，對該積層體進行加熱及加壓之方法等。上述加壓時之壓力較佳為40 MPa以上，更佳為60 MPa以上，且較佳為90 MPa以下，更佳為70 MPa以下。上述加熱時之溫度較佳為80℃以上，更佳為100℃以上，且較佳為140℃以下，更佳為120℃以下。
上述第1連接對象構件及第2連接對象構件並無特別限定。作為上述第1連接對象構件及第2連接對象構件，具體而言，可列舉：半導體晶片、半導體封裝、LED(light-emitting diode，發光二極體)晶片、LED封裝、電容器及二極體等電子零件、以及樹脂膜、印刷基板、可撓性印刷基板、可撓性扁平電纜、剛性可撓性基板、玻璃環氧基板及玻璃基板等電路基板等電子零件等。上述第1連接對象構件及第2連接對象構件較佳為電子零件。
上述導電材料較佳為用以將電子零件連接之導電材料。上述導電膏為糊狀之導電材料，較佳為以糊狀之狀態塗佈於連接對象構件上。
上述導電性粒子、上述導電材料及上述連接材料亦可適宜地用於觸控面板。因此，上述連接對象構件亦較佳為可撓性基板或於樹脂膜之表面上配置有電極之連接對象構件。上述連接對象構件較佳為可撓性基板，且較佳為於樹脂膜之表面上配置有電極之連接對象構件。於上述可撓性基板為可撓性印刷基板等之情形時，可撓性基板通常於表面具有電極。
作為設置於上述連接對象構件之電極，可列舉：金電極、鎳電極、錫電極、鋁電極、銅電極、鉬電極、銀電極、SUS(Steel Use Stainless，不鏽鋼)電極、及鎢電極等金屬電極。於上述連接對象構件為可撓性印刷基板之情形時，上述電極較佳為金電極、鎳電極、錫電極、銀電極或銅電極。於上述連接對象構件為玻璃基板之情形時，上述電極較佳為鋁電極、銅電極、鉬電極或鎢電極。再者，於上述電極為鋁電極之情形時，可為僅由鋁形成之電極，亦可為於金屬氧化物層之表面積層有鋁層之電極。作為上述金屬氧化物層之材料，可列舉摻雜有三價金屬元素之氧化銦及摻雜有三價金屬元素之氧化鋅等。作為上述三價金屬元素，可列舉Sn、Al及Ga等。
又，上述樹脂粒子可適宜地用作液晶顯示元件用間隔件。上述第1連接對象構件可為第1液晶顯示元件用構件。上述第2連接對象構件可為第2液晶顯示元件用構件。上述連接部亦可為以上述第1液晶顯示元件用構件與上述第2液晶顯示元件用構件對向之狀態將上述第1液晶顯示元件用構件與上述第2液晶顯示元件用構件之外周密封之密封部。
上述樹脂粒子亦可用作液晶顯示元件用周邊密封劑。液晶顯示元件具備第1液晶顯示元件用構件及第2液晶顯示元件用構件。液晶顯示元件進而具備：密封部，其以上述第1液晶顯示元件用構件與上述第2液晶顯示元件用構件對向之狀態將上述第1液晶顯示元件用構件與上述第2液晶顯示元件用構件之外周密封；及液晶，其配置於上述密封部之內側且上述第1液晶顯示元件用構件與上述第2液晶顯示元件用構件之間。該液晶顯示元件應用液晶滴下法，且上述密封部係藉由使液晶滴下法用密封劑熱硬化而形成。
於上述液晶顯示元件中，每1 mm2 之液晶顯示元件用間隔件之配置密度較佳為10個/mm2 以上，較佳為1000個/mm2 以下。若上述配置密度為10個/mm2 以上，則元件間隙變得更均勻。若上述配置密度為1000個/mm2 以下，則液晶顯示元件之對比度變得更良好。
(電子零件裝置)  上述樹脂粒子或導電性粒子亦可於第1陶瓷構件與第2陶瓷構件之外周部配置於第1陶瓷構件與第2陶瓷構件之間，並用作間隙控制材料及導電連接材料。
圖5係表示使用本發明之樹脂粒子之電子零件裝置之一例的剖視圖。圖6係將圖5所示之電子零件裝置中之接合部部分放大表示之剖視圖。
圖5、6所示之電子零件裝置81具備第1陶瓷構件82、第2陶瓷構件83、接合部84、電子零件85、及引線框架86。
第1、第2陶瓷構件82、83分別係由陶瓷材料形成。第1、第2陶瓷構件82、83例如分別為殼體。第1陶瓷構件82例如為基板。第2陶瓷構件83例如為蓋。第1陶瓷構件82於外周部具有向第2陶瓷構件83側(上側)突出之凸部。第1陶瓷構件82於第2陶瓷構件83側(上側)具有形成用以收納電子零件85之內部空間R之凹部。再者，第1陶瓷構件82亦可不具有凸部。第2陶瓷構件83於外周部具有向第1陶瓷構件82側(下側)突出之凸部。第2陶瓷構件83於第1陶瓷構件82側(下側)具有形成用以收納電子零件85之內部空間R之凹部。再者，第2陶瓷構件83亦可不具有凸部。藉由第1陶瓷構件82與第2陶瓷構件83形成內部空間R。
接合部84將第1陶瓷構件82之外周部與第2陶瓷構件83之外周部接合。具體而言，接合部84將第1陶瓷構件82之外周部之凸部與第2陶瓷構件83之外周部之凸部接合。
藉由經接合部84接合之第1、第2陶瓷構件82、83形成封裝。藉由封裝形成內部空間R。接合部84將內部空間R以液密及氣密方式密封。接合部84為密封部。
電子零件85配置於上述封裝之內部空間R內。具體而言，於第1陶瓷構件82上配置有電子零件85。於本實施方式中，使用2個電子零件85。
接合部84包含複數個樹脂粒子11及玻璃84B。接合部84係使用包含與玻璃粒子不同之複數個樹脂粒子11及玻璃84B之接合材料而形成。該接合材料為陶瓷封裝用接合材料。上述接合材料亦可包含上述導電性粒子代替上述樹脂粒子。
接合材料可包含溶劑，亦可包含樹脂。於接合部84，玻璃粒子等玻璃84B於熔融及結合後固化。
作為電子零件，可列舉：感測器元件、MEMS(Micro Electro Mechanical System，微機電系統)及裸晶片等。作為上述感測器元件，可列舉：壓力感測器元件、加速度感測器元件、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金氧半導體)感測器元件、CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)感測器元件及上述各種感測器元件之殼體等。
引線框架86配置於第1陶瓷構件82之外周部與第2陶瓷構件83之外周部之間。引線框架86向封裝之內部空間R側與外部空間側延伸。電子零件85之端子與引線框架86經由導線電性連接。
接合部84將第1陶瓷構件82之外周部與第2陶瓷構件83之外周部局部直接接合、局部間接接合。具體而言，接合部84於第1陶瓷構件82之外周部與第2陶瓷構件83之外周部之間之存在引線框架86之部分，隔著引線框架86將第1陶瓷構件82之外周部與第2陶瓷構件83之外周部間接地接合。於第1陶瓷構件82之外周部與第2陶瓷構件83之外周部之間之存在引線框架86之部分，第1陶瓷構件82與引線框架86相接，引線框架86與第1陶瓷構件82及接合部84相接。進而，接合部84與引線框架86及第2陶瓷構件83相接，第2陶瓷構件83與接合部84相接。接合部84於第1陶瓷構件82之外周部與第2陶瓷構件83之外周部之間之不存在引線框架86之部分，將第1陶瓷構件82之外周部與第2陶瓷構件83之外周部直接接合。於第1陶瓷構件82之外周部與第2陶瓷構件83之外周部之間之不存在引線框架86之部分，接合部84與第1陶瓷構件82及第2陶瓷構件83相接。
於第1陶瓷構件82之外周部與第2陶瓷構件83之外周部之間之存在引線框架86之部分，第1陶瓷構件82之外周部與第2陶瓷構件83之外周部之間隙距離係由接合部84中所包含之複數個樹脂粒子11控制。
接合部只要將第1陶瓷構件之外周部與第2陶瓷構件之外周部直接或間接接合即可。再者，亦可採用引線框架以外之電性連接方法。
電子零件裝置例如可如電子零件裝置81，具備由陶瓷材料形成之第1陶瓷構件、由陶瓷材料形成之第2陶瓷構件、接合部、及電子零件。於上述電子零件裝置中，上述接合部可將上述第1陶瓷構件之外周部與上述第2陶瓷構件之外周部直接或間接接合。於上述電子零件裝置中，可藉由經上述接合部接合之上述第1、第2陶瓷構件形成封裝。於上述電子零件裝置中，上述電子零件可配置於上述封裝之內部空間內，且上述接合部包含複數個樹脂粒子及玻璃。
又，如電子零件裝置81所使用之接合材料，上述陶瓷封裝用接合材料可於上述電子零件裝置中用於形成上述接合部，且包含樹脂粒子及玻璃。再者，亦可採用僅包含樹脂粒子且不含玻璃之電性連接方法。又，上述接合部亦可包含上述導電性粒子代替上述樹脂粒子。
以下，列舉實施例及比較例對本發明具體地進行說明。本發明並不僅限定於以下之實施例。
(實施例1)  (1)樹脂粒子之製作  準備平均粒徑0.80 μm之聚苯乙烯(PS)粒子作為種粒子。將上述聚苯乙烯粒子3.9重量份、離子交換水500重量份、及聚乙烯醇之5重量%水溶液120重量份進行混合，製備混合液(種粒子分散液)。藉由超音波使上述混合液分散後放入至可分離式燒瓶中，並均勻地攪拌。
又，準備二乙烯苯(NS Styrene Monomer公司製造之「DVB960」)作為交聯性化合物。向二乙烯苯100重量份中添加2,2'-偶氮雙(異丁酸甲酯)(和光純藥工業公司製造之「V-601」)2重量份、及過氧化苯甲醯(日油公司製造之「Nyper BW」)2重量份，進而添加月桂基硫酸三乙醇胺8重量份、乙醇100重量份、及離子交換水1000重量份，製備乳化液。
向可分離式燒瓶中之上述混合液中進而添加上述乳化液並攪拌4小時，使種粒子吸收單體，獲得包含單體膨潤後之種粒子之懸浮液。
其後，添加聚乙烯醇之5重量%水溶液490重量份，開始加熱並於85℃下反應10小時，獲得樹脂粒子。
(2)導電性粒子之製作  將所獲得之樹脂粒子洗淨並進行分級操作，然後進行乾燥。其後，藉由無電解鍍覆法於所獲得之樹脂粒子之表面形成鎳層，製作導電性粒子。再者，鎳層之厚度為0.1 μm。
(3)導電材料(各向異性導電膏)之製作  為了製作導電材料(各向異性導電膏)，準備以下材料。
(導電材料(各向異性導電膏)之材料)  熱硬化性化合物A：環氧化合物(Nagase ChemteX公司製造之「EP-3300P」)  熱硬化性化合物B：環氧化合物(DIC公司製造之「EPICLON HP-4032D」)  熱硬化性化合物C：環氧化合物(四日市合成公司製造之「Epogosey PT」，聚四亞甲基二醇二縮水甘油醚)  熱硬化劑：熱陽離子產生劑(三新化學公司製造之San-Aid「SI-60」)  填料：二氧化矽(平均粒徑0.25 μm)
以如下方式製作導電材料(各向異性導電膏)。
(導電材料(各向異性導電膏)之製作方法)  調配熱硬化性化合物A 10重量份、熱硬化性化合物B 10重量份、熱硬化性化合物C 15重量份、熱硬化劑5重量份、及填料20重量份而獲得調配物。進而，以調配物100重量%中之含量成為10重量%之方式添加所獲得之導電性粒子後，使用行星式攪拌機以2000 rpm攪拌5分鐘，藉此獲得導電材料(各向異性導電膏)。
(4)連接構造體之製作  準備上表面具有L/S為20 μm/20 μm之鋁電極圖案之玻璃基板作為第1連接對象構件。又，準備下表面具有L/S為20 μm/20 μm之金電極圖案(金電極厚度20 μm)之半導體晶片作為第2連接對象構件。
將剛製作後之導電材料(各向異性導電膏)以厚度成為30 μm之方式塗佈於上述玻璃基板之上表面，形成導電材料(各向異性導電膏)層。繼而，將上述半導體晶片以電極彼此對向之方式積層於導電材料(各向異性導電膏)層之上表面。其後，一面以導電材料(各向異性導電膏)層之溫度成為170℃之方式調整加壓加熱頭之溫度，一面將加壓加熱頭載置於半導體晶片之上表面，使導電材料(各向異性導電膏)層於170℃、1 MPa、及15秒之條件下硬化，獲得連接構造體。
(實施例2)  於製作樹脂粒子時，將二乙烯苯(交聯性化合物)100重量份變更為二乙烯苯(NS Styrene Monomer公司製造之「DVB960」)50重量份及季戊四醇三丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之「Light acrylate PE-4A」)50重量份。除上述變更以外，以與實施例1相同之方式獲得樹脂粒子、導電性粒子、導電材料及連接構造體。
(實施例3)  於製作樹脂粒子時，將二乙烯苯(交聯性化合物)100重量份變更為聚四亞甲基二醇二丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之「Light acrylate PTMGA-250」)80重量份。於製作樹脂粒子時，進而使用作為非交聯性化合物之苯乙烯(NS Styrene Monomer公司製造)20重量份。除上述變更以外，以與實施例1相同之方式獲得樹脂粒子、導電性粒子、導電材料及連接構造體。
(實施例4)  於製作樹脂粒子時，將二乙烯苯(交聯性化合物)100重量份變更為1,4-丁二醇二甲基丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之「LIGHT ESTER 1.4BG」)60重量份。於製作樹脂粒子時，進而使用作為非交聯性化合物之丙烯酸異𦯉酯(共榮社化學公司製造之「Light acrylate IB-XA」)40重量份。除上述變更以外，以與實施例1相同之方式獲得樹脂粒子、導電性粒子、導電材料及連接構造體。
(實施例5)  於製作樹脂粒子時，將二乙烯苯(交聯性化合物)100重量份變更為聚四亞甲基二醇二丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之「Light acrylate PTMGA-250」)30重量份。於製作樹脂粒子時，進而使用作為非交聯性化合物之丙烯酸異𦯉酯(共榮社化學公司製造之「Light acrylate IB-XA」)70重量份。除上述變更以外，以與實施例1相同之方式獲得樹脂粒子、導電性粒子、導電材料及連接構造體。
(實施例6)  於製作樹脂粒子時，將二乙烯苯(交聯性化合物)100重量份變更為甘油二甲基丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之「LIGHT ESTER G-101P」)50重量份。於製作樹脂粒子時，進而使用作為非交聯性化合物之甲基丙烯酸環己酯(共榮社化學公司製造之「LIGHT ESTER CH」)50重量份。除上述變更以外，以與實施例1相同之方式獲得樹脂粒子、導電性粒子、導電材料及連接構造體。
(實施例7)  於製作樹脂粒子時，將二乙烯苯(交聯性化合物)100重量份變更為二乙烯苯(NS Styrene Monomer公司製造之「DVB960」)20重量份。於製作樹脂粒子時，進而使用作為非交聯性化合物之甲基丙烯酸環己酯(共榮社化學公司製造之「LIGHT ESTER CH」)79.5重量份、及作為具有極性官能基之聚合性化合物之甲基丙烯酸(共榮社化學公司製造之「LIGHT ESTER A」)0.5重量份。除上述變更以外，以與實施例1相同之方式獲得樹脂粒子、導電性粒子、導電材料及連接構造體。
(實施例8)  於製作樹脂粒子時，將平均粒徑0.80 μm之聚苯乙烯粒子(種粒子)變更為平均粒徑3 μm之聚苯乙烯粒子。於製作樹脂粒子時，將二乙烯苯(交聯性化合物)100重量份變更為聚四亞甲基二醇二丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之「Light acrylate PTMGA-250」)5重量份。於製作樹脂粒子時，使用作為非交聯性化合物之丙烯酸異𦯉酯(共榮社化學公司製造之「Light acrylate IB-XA」)65重量份、及作為具有極性官能基之聚合性化合物之酸式磷酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(共榮社化學公司製造之「LIGHT ESTER P-1M」)30重量份。除上述變更以外，以與實施例1相同之方式獲得樹脂粒子。
於製作導電性粒子時，將鎳層之厚度自0.1 μm變更為1 μm。
除上述變更以外，獲得導電性粒子、導電材料及連接構造體。
(比較例1)  於製作樹脂粒子時，將二乙烯苯(交聯性化合物)100重量份變更為二乙烯苯(NS Styrene Monomer公司製造之「DVB960」)20重量份。於製作樹脂粒子時，進而使用作為非交聯性化合物之甲基丙烯酸環己酯(共榮社化學公司製造之「LIGHT ESTER CH」)80重量份。除上述變更以外，以與實施例1相同之方式獲得樹脂粒子、導電性粒子、導電材料及連接構造體。
(比較例2)  於製作樹脂粒子時，將平均粒徑0.80 μm之聚苯乙烯粒子(種粒子)變更為平均粒徑3 μm之聚苯乙烯粒子。於製作樹脂粒子時，將二乙烯苯(交聯性化合物)100重量份變更為聚四亞甲基二醇二丙烯酸酯(共榮社化學公司製造之「Light acrylate PTMGA-250」)7.5重量份。於製作樹脂粒子時，進而使用作為非交聯性化合物之丙烯酸異𦯉酯(共榮社化學公司製造之「Light acrylate IB-XA」)82.5重量份。除上述變更以外，以與實施例1相同之方式獲得樹脂粒子。
於製作導電性粒子時，將鎳層之厚度自0.1 μm變更為1 μm。
除上述變更以外，獲得導電性粒子、導電材料及連接構造體。
(評價)  (1)樹脂粒子及導電性粒子之粒徑  使用精密粒度分佈測定裝置(Beckman Coulter公司製造之「Multisizer 3」)測定所獲得之樹脂粒子及導電性粒子之粒徑。
(2)樹脂粒子之壓縮彈性模數  藉由上述方法並使用微小壓縮試驗機(Fischer公司製造之「Fischerscope H-100」)，測定所獲得之樹脂粒子之壓縮彈性模數(10%K值及30%K值)。
(3)樹脂粒子之壓縮回復率  藉由上述方法並使用微小壓縮試驗機(Fischer公司製造之「Fischerscope H-100」)，測定所獲得之樹脂粒子之壓縮回復率。
(4)樹脂粒子之飛行時間型二次離子質譜法(TOF-SIMS)  使用所獲得之樹脂粒子，實施飛行時間型二次離子質譜法(TOF-SIMS)。具體而言，以如下方式進行分析。上述TOF-SIMS使用ION TOF公司製造之「TOF-SIMS 5型」。為了使用TOF-SIMS分析裝置測定上述樹脂粒子之外表面之OH- 離子之強度及總離子強度，將Bi3+ 離子槍作為測定用之一次離子源，並於25 keV之條件下進行測定。濺鍍係於真空中導入氬氣等惰性氣體，對靶施加負電壓而產生輝光放電，使惰性氣體原子離子化而對靶之表面進行研削。藉由進行2次濺鍍，並利用TOF-SIMS獲得自上述樹脂粒子之外表面朝向內側約2 nm左右之厚度之區域中之各離子強度之檢測結果。
根據所獲得之結果，算出於上述樹脂粒子之外表面，藉由飛行時間型二次離子質譜法(TOF-SIMS)獲得負離子質譜時，OH- 離子之強度相對於全部負離子之強度之合計的比(OH- 離子之強度/全部負離子之強度之合計)。
(5)樹脂粒子之凝集性  測定將所獲得之樹脂粒子與有機溶劑進行混合並靜置時之沈澱速度，藉此對樹脂粒子之凝集性進行評價。將所獲得之樹脂粒子2.5 g與丙酮25 mL進行混合而製作混合液，利用超音波洗淨機(AS ONE公司製造之「VS-1003」)，藉由超音波使所製作之混合液分散1分鐘。其後，放入至20 mL之玻璃量筒中靜置。每隔60分鐘確認樹脂粒子之沈澱，藉此算出實測沈澱速度。算出理論沈澱速度相對於實測沈澱速度之比([理論沈澱速度(m/h)/實測沈澱速度值(m/h)])，並按以下基準進行判定。
又，理論沈澱速度係使用斯托克斯式算出。該式係假定真球狀之粒子以單粒子存在時所使用之式。但是，由於不包含漿料濃度之項，故而不作考慮。
理論沈澱速度(m/h)＝Dp 2 (ρp －ρf )g/18η  Dp ：樹脂粒子之粒徑(m)  ρp ：樹脂粒子之密度(kg/m3 )  ρf ：丙酮之密度(kg/m3 )：784 kg/m3 g：重力加速度(m/s)  η：丙酮之黏度(kg/m・s)：0.00032 kg/m・s
樹脂粒子之密度測定使用乾式自動密度計(島津製作所製造之「AccuPyc」)。樹脂粒子之密度測定使用如下樹脂粒子，其係將樹脂粒子1 g於25℃下在甲醇100 g中浸漬20小時，其後，於40℃下真空乾燥12小時而得。
[樹脂粒子之凝集性之判定基準]  ○：上述比([理論沈澱速度(m/h)/實測沈澱速度值(m/h)])之值未達0.55(完全未確認到樹脂粒子凝集而成之凝集物)  △：上述比([理論沈澱速度(m/h)/實測沈澱速度值(m/h)])之值為0.55以上且未達0.75(略微確認到樹脂粒子凝集而成之凝集物)  ×：上述比([理論沈澱速度(m/h)/實測沈澱速度值(m/h)])之值為0.75以上(確認到樹脂粒子凝集而成之凝集物)
(6)導電部之厚度  將所獲得之導電性粒子以含量成為30重量%之方式添加至Kulzer公司製造之「Technovit 4000」中，使之分散，製作檢查用嵌入樹脂體。使用離子研磨裝置(日立高新技術公司製造之「IM4000」)，以通過分散於該檢查用嵌入樹脂體中之導電性粒子之中心附近之方式切出導電性粒子之剖面。
然後，使用電場放射型穿透式電子顯微鏡(FE-TEM)(日本電子公司製造之「JEM-ARM200F」)，將圖像倍率設定為5萬倍，隨機選擇10個導電性粒子，並對各導電性粒子之導電部進行觀察。測量各導電性粒子中之導電部之厚度，對其等進行算術平均，將所得值設為導電部之厚度。
(7)樹脂粒子與導電部之密接性  針對所獲得之連接構造體，使用掃描式電子顯微鏡(日立高新技術公司製造之「Regulus 8220」)對連接部中之導電性粒子進行觀察。針對配置於樹脂粒子之表面上之導電部，確認是否產生導電部之破裂或導電部之剝離。再者，所觀察之導電性粒子之個數為100個。按以下基準判定樹脂粒子與導電部之密接性。
[樹脂粒子與導電部之密接性之判定基準]  ○○○：產生導電部之破裂或導電部之剝離之導電性粒子為0個  ○○：產生導電部之破裂或導電部之剝離之導電性粒子超過0個且為15個以下  ○：產生導電部之破裂或導電部之剝離之導電性粒子超過15個且為30個以下  △：產生導電部之破裂或導電部之剝離之導電性粒子超過30個且為50個以下  ×：產生導電部之破裂或導電部之剝離之導電性粒子超過50個
(8)連接可靠性(上下之電極間)  藉由四端子法分別測定所獲得之100個連接構造體之上下電極間之連接電阻。算出連接電阻之平均值。再者，根據電壓＝電流×電阻之關係，測定流過一定電流時之電壓，藉此可求出連接電阻。按以下基準判定連接可靠性。
[連接可靠性之判定基準]  ○○○：連接電阻之平均值為1.5 Ω以下  ○○：連接電阻之平均值超過1.5 Ω且為2.0 Ω以下  ○：連接電阻之平均值超過2.0 Ω且為5.0 Ω以下  △：連接電阻之平均值超過5.0 Ω且為10 Ω以下  ×：連接電阻之平均值超過10 Ω
(9)高溫及高濕條件後之連接可靠性  將上述(8)連接可靠性之評價中所獲得之100個連接構造體於85℃、85%RH下放置100小時。針對放置後之100個連接構造體，對是否產生上下電極間之導通不良進行評價。按以下基準判定高溫及高濕條件後之連接可靠性。
[高溫及高濕條件後之連接可靠性之判定基準]  ○○：100個連接構造體中，產生導通不良之個數為1個以下  ○：100個連接構造體中，產生導通不良之個數為2個以上5個以下  △：100個連接構造體中，產生導通不良之個數為6個以上10個以下  ×：100個連接構造體中，產生導通不良之個數為11個以上
將實施例1～8及比較例1、2之樹脂粒子之製作時之材料示於表1、2。將結果示於下述表3、4。
[表1]
   實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5
種粒子 分散液 種粒子 種類 PS粒子 PS粒子 PS粒子 PS粒子 PS粒子
平均粒徑 (μm) 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8
乳化液 交聯性化合物 種類 二乙烯苯 二乙烯苯 聚四亞甲基二醇二丙烯酸酯 1,4-丁二醇二甲基丙烯酸酯 聚四亞甲基二醇二丙烯酸酯
調配量 (重量份) 100 50 80 60 30
種類 - 季戊四醇三丙烯酸酯 - - -
調配量 (重量份) - 50 - - -
非交聯性化合物 種類 - - 苯乙烯 丙烯酸異𦯉酯 丙烯酸異𦯉酯
調配量 (重量份) - - 20 40 70
具有極性官能基之聚合性化合物 種類 - - - - -
調配量 (重量份) - - - - -
[表2]
   實施例6 實施例7 實施例8 比較例1 比較例2
種粒子 分散液 種粒子 種類 PS粒子 PS粒子 PS粒子 PS粒子 PS粒子
平均粒徑 (μm) 0.8 0.8 3 0.8 3
乳化液 交聯性化合物 種類 甘油二甲基丙烯酸酯 二乙烯苯 聚四亞甲基二醇二丙烯酸酯 二乙烯苯 聚四亞甲基二醇二丙烯酸酯
調配量 (重量份) 50 20 5 20 7.5
種類 - - - - -
調配量 (重量份) - - - - -
非交聯性化合物 種類 甲基丙烯酸環己酯 甲基丙烯酸環己酯 丙烯酸異𦯉酯 甲基丙烯酸環己酯 丙烯酸異𦯉酯
調配量 (重量份) 50 79.5 65 80 82.5
具有極性官能基之聚合性化合物 種類 - 甲基丙烯酸 酸式磷酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯 - -
調配量 (重量份) - 0.5 30 - -
[表3]
   實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5
樹脂粒子之評價 粒徑(μm) 5.0 3.1 25.4 3.2 3.3
10%K值(N/mm2 ) 5280 4390 690 3060 2680
30%K值(N/mm2 ) 5050 3620 390 2450 1320
壓縮回復率(%) 60 45 55 36 25
比(OH- 離子之強度/全部負離子之強度之合計)(×10- 2 ) 4.8 8.3 4.2 3.8 3.1
凝集性 ○ ○ ○ ○ ○
導電性粒子之評價 粒徑(μm) 5.1 3.2 25.5 3.3 3.4
導電部之厚度(μm) 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
樹脂粒子與導電部之密接性 ○○ ○○○ ○○ ○○ ○
連接構造體之評價 連接可靠性 ○ ○○ ○ ○○ ○
連接可靠性(高溫高濕後) ○ ○○ ○ ○ ○
[表4]
   實施例6 實施例7 實施例8 比較例1 比較例2
樹脂粒子之評價 粒徑(μm) 3.5 2.1 20.2 2.1 20.3
10%K值(N/mm2 ) 4070 3300 2130 3160 2200
30%K值(N/mm2 ) 2360 1430 760 1450 740
壓縮回復率(%) 25 13 7 12 7
比(OH- 離子之強度/全部負離子之強度之合計)(×10- 2 ) 6.2 5.9 7.4 1.8 1.2
凝集性 ○ ○ ○ △ ×
導電性粒子之評價 粒徑(μm) 3.6 2.2 21.2 2.2 21.3
導電部之厚度(μm) 0.1 0.1 1 0.1 1
樹脂粒子與導電部之密接性 ○○○ ○○○ ○○○ △ ×
連接構造體之評價 連接可靠性 ○○○ ○○○ ○○○ ○ △
連接可靠性(高溫高濕後) ○○ ○○ ○○ △ ×
(10)作為間隙控制用間隔件之使用例 陶瓷封裝用接合材料之製作： 獲得如下陶瓷封裝用接合材料，其包含實施例1～8中獲得之樹脂粒子30重量份及玻璃(組成：Ag-V-Te-W-P-W-Ba-O，熔點264℃)70重量份。
電子零件裝置之製作： 使用所獲得之接合材料，製作圖5所示之電子零件裝置。具體而言，藉由網版印刷法將接合材料塗佈於第1陶瓷構件之外周部。其後，將第2陶瓷構件對向設置，對接合部照射半導體雷射進行焙燒，而將第1陶瓷構件與第2陶瓷構件接合。
於所獲得之電子零件裝置中，第1陶瓷構件與第2陶瓷構件之間隔被良好地限制。又，所獲得之電子零件裝置良好地作動。又，封裝內部之氣密性亦被良好地保持。又，樹脂粒子於接合部良好地分散。
1:導電性粒子 2:導電部 11:樹脂粒子 21:導電性粒子 22:導電部 22A:第1導電部 22B:第2導電部 31:導電性粒子 31a:突起 32:導電部 32a:突起 33:芯物質 34:絕緣性物質 41:連接構造體 42:第1連接對象構件 42a:第1電極 43:第2連接對象構件 43a:第2電極 44:連接部 81:電子零件裝置 82:第1陶瓷構件 83:第2陶瓷構件 84:接合部 84B:玻璃 85:電子零件 86:引線框架 R:內部空間
圖1係表示本發明之第1實施方式之導電性粒子之剖視圖。  圖2係表示本發明之第2實施方式之導電性粒子之剖視圖。  圖3係表示本發明之第3實施方式之導電性粒子之剖視圖。  圖4係表示使用本發明之第1實施方式之導電性粒子之連接構造體之一例的剖視圖。  圖5係表示使用本發明之樹脂粒子之電子零件裝置之一例的剖視圖。  圖6係將圖5所示之電子零件裝置中之接合部部分放大表示之剖視圖。
1:導電性粒子
2:導電部
11:樹脂粒子

Claims (8)

  1. 一種導電性粒子，其係具備樹脂粒子、及配置於上述樹脂粒子之表面上之導電部者，上述導電性粒子於上述導電部之外表面具有突起，上述樹脂粒子係包含複數種聚合性化合物之聚合性成分之聚合物，構成上述聚合物之上述聚合性成分包含交聯性化合物、及具有極性官能基之聚合性化合物，上述聚合性成分100重量%中，上述交聯性化合物之含量未達30重量%，上述聚合性成分100重量%中，上述具有極性官能基之聚合性化合物之含量為0.5重量%以上30重量%以下，且對於上述樹脂粒子之外表面，藉由飛行時間型二次離子質譜法獲得負離子質譜時，OH-離子之強度相對於全部負離子之強度之合計的比為2.0×10-2以上。
  2. 如請求項1之導電性粒子，其中上述樹脂粒子之壓縮10%時之壓縮彈性模數為500N/mm2以上4500N/mm2以下。
  3. 如請求項1之導電性粒子，其中上述樹脂粒子之壓縮30%時之壓縮彈性模數為300N/mm2以上4000N/mm2以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之導電性粒子，其中上述具有極性官能基之 聚合性化合物包含具有羥基之聚合性化合物、具有羧基之聚合性化合物、或具有磷酸基之聚合性化合物。
  5. 如請求項1至3中任一項之導電性粒子，其中上述交聯性化合物包含二乙烯苯、四亞甲基二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、或酸式磷酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯。
  6. 如請求項1至3中任一項之導電性粒子，其進而具備配置於上述導電部之外表面上之絕緣性物質。
  7. 一種導電材料，其包含如請求項1至6中任一項之導電性粒子、及黏合劑樹脂。
  8. 一種連接構造體，其具備：表面具有第1電極之第1連接對象構件、表面具有第2電極之第2連接對象構件、及將上述第1連接對象構件與上述第2連接對象構件連接之連接部，且上述連接部係由如請求項1至6中任一項之導電性粒子形成、或由上述包含導電性粒子與黏合劑樹脂之導電材料形成，且上述第1電極與上述第2電極藉由上述導電性粒子電性連接。
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