TWI868153B - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

[課題] 使包含有鍍敷處理之一連串的基板處理之生產率提高。 [解決手段] 本揭示之基板處理方法，係包含有：活性化之工程；盛裝之工程；形成鍍敷膜之工程；進行後處理之工程；及乾燥之工程。活性化之工程，係藉由將鍍敷液加熱至預先決定之溫度並進行維持的方式，將鍍敷液活性化。盛裝之工程，係將經活性化之鍍敷液盛裝於基板上。形成鍍敷膜之工程，係藉由對盛裝有鍍敷液之基板進行加熱的方式，在基板上以無電解鍍敷形成鍍敷膜。進行後處理之工程，係對形成鍍敷膜後之基板進行使用了液體的後處理。乾燥之工程，係使進行後處理後的基板乾燥。又，將用於下次的基板之鍍敷液活性化之工程，係與對本次之基板形成鍍敷膜的工程、進行後處理的工程及乾燥的工程重疊進行。

Description

基板處理方法及基板處理裝置

本揭示，係關於基板處理方法及基板處理裝置。

以往，在半導體之製造工程中，使用鍍敷處理來作為將銅等之金屬埋入溝槽或通孔這樣的凹部之手法。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2018-3097號公報

[本發明所欲解決之課題]

本揭示，係提供一種「可使包含有鍍敷處理之一連串的基板處理之生產率提高」的技術。 [用以解決課題之手段]

本揭示之一態樣的基板處理方法，係包含有：活性化之工程；盛裝之工程；形成鍍敷膜之工程；進行後處理之工程；及乾燥之工程。活性化之工程，係藉由將鍍敷液加熱至預先決定之溫度並進行維持的方式，將鍍敷液活性化。盛裝之工程，係將經活性化之鍍敷液盛裝於基板上。形成鍍敷膜之工程，係藉由對盛裝有鍍敷液之基板進行加熱的方式，在基板上以無電解鍍敷形成鍍敷膜。進行後處理之工程，係對形成鍍敷膜後之基板進行使用了液體的後處理。乾燥之工程，係使進行後處理後的基板乾燥。又，將用於下次的基板之鍍敷液活性化之工程，係與對本次之基板形成鍍敷膜的工程、進行後處理的工程及乾燥的工程重疊進行。 [發明之效果]

根據本揭示，可使包含有鍍敷處理之一連串的基板處理之生產率提高。

在以下中，參閱圖面，詳細地說明關於用以實施本揭示之基板處理方法及基板處理裝置的形態(以下，記載為「實施形態」)。另外，並非藉由該實施形態來限定本揭示之基板處理方法及基板處理裝置。又，各實施形態，係可在處理內容不相矛盾的範圍下，適當地進行組合。又，在以下之各實施形態中，相同部位，係賦予相同符號，並省略重複的說明。

又，在以下參閱之各圖面中，係為了容易理解說明，有時表示規定相互正交之X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，並將Z軸正方向設成為垂直向上方向的正交座標系統。又，有時將以垂直軸為旋轉中心的旋轉方向稱為θ方向。

＜基板處理裝置之構成＞ 圖1，係表示實施形態之基板處理裝置之構成的圖。如圖1所示般，基板處理裝置1，係具備有：搬入搬出站2；及處理站3。搬入搬出站2與處理站3，係鄰接設置。

搬入搬出站2，係具備有：載體載置台11；及搬送部12。在載體載置台11，係載置有複數個載體C，該載體C，係以水平狀態收容複數片基板，在本實施形態中為半導體晶圓(以下稱為基板W)。

在載體載置台11，係以鄰接於搬送部12的方式，排列配置有複數個裝載埠，且在複數個裝載埠之各個逐一載置有載體C。

搬送部12，係鄰接設置於載體載置台11，在內部具備有基板搬送裝置13與收授部14。基板搬送裝置13，係具備有保持基板W的晶圓保持機構。又，基板搬送裝置13，係可朝水平方向及垂直方向移動和以垂直軸為中心旋轉，並使用晶圓保持機構，在載體C與收授部14之間進行基板W的搬送。

處理站3，係鄰接設置於搬送部12。處理站3，係具備有：搬送部15；及複數個鍍敷處理部5。複數個鍍敷處理部5，係被排列設置於搬送部15的兩側。關於鍍敷處理部5之構成，係如後述。

搬送部15，係在內部具備有基板搬送裝置17。基板搬送裝置17，係具備有保持基板W的晶圓保持機構。又，基板搬送裝置17，係可朝水平方向及垂直方向移動和以垂直軸為中心旋轉，並使用晶圓保持機構，在收授部14、預處理部4及鍍敷處理部5間之間進行基板W的搬送。

又，基板處理裝置1，係具備有控制裝置9。控制裝置9，係例如電腦，具備有控制部91與記憶部92。在記憶部92，係儲存有控制基板處理裝置1中所執行之各種處理的程式。控制部91，係藉由讀出並執行被記憶於記憶部92之程式的方式，控制基板處理裝置1的動作。

另外，該程式，係亦可為被記錄於電腦可讀取之記憶媒體者，且亦可為從該記憶媒體被安裝於控制裝置9的記憶部92者。作為電腦可讀取之記憶媒體，係例如有硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。

在如上述所構成之基板處理裝置1中，係首先，搬入搬出站2之基板搬送裝置13從被載置於載體載置台11的載體C取出基板W，並將取出的基板W載置於收授部14。收授部14所載置之基板W，係藉由處理站3的基板搬送裝置17，從收授部14被搬送至鍍敷處理部5，並藉由鍍敷處理部5進行處理。具體而言，在基板W之表面，係形成有溝槽或通孔等的凹部，鍍敷處理部5，係對該凹部，以無電解鍍敷法進行金屬之埋入。

藉由鍍敷處理部5所處理之基板W，係藉由基板搬送裝置17，從鍍敷處理部5被搬出且載置於收授部14。而且，載置於收授部14之處理完畢的基板W，係藉由基板搬送裝置13返回到載體載置部11的載體C。

＜鍍敷處理部之構成＞ 其次，參閱圖2，說明鍍敷處理部5的構成。圖2，係表示實施形態之鍍敷處理部5之構成的圖。

鍍敷處理部5，係被構成為進行包含有無電解鍍敷處理的液處理。該鍍敷處理部5，係具備有：腔室51；基板保持部52，被配置於腔室51內，水平地保持基板W；及鍍敷液供給部53，將鍍敷液L1供給至基板保持部52所保持之基板W的上面(表面)。

在本實施形態中，基板保持部52，係具有：卡盤構件521，真空吸附基板W的下面(背面)。該卡盤構件521，係成為所謂的真空夾頭類型。

在基板保持部52，係經由旋轉軸桿522連結有旋轉馬達523(旋轉驅動部)。當驅動該旋轉馬達523時，則基板保持部52與基板W一起旋轉。旋轉馬達523，係被支撐於腔室51所固定的基座524。另外，在基板保持部52之內部，係未設置加熱器等的加熱源。

鍍敷液供給部53，係具有：鍍敷液噴嘴531，將鍍敷液L1吐出至基板保持部52所保持之基板W的上面；及鍍敷液供給源532，儲存被供給至鍍敷液噴嘴531的鍍敷液L1。鍍敷液噴嘴531，係被構成為保持於噴嘴臂56且可進行移動。

鍍敷液L1，係自體觸媒型(還原型)無電解鍍敷用之鍍敷液。鍍敷液L1，係例如含有金屬離子與還原劑。鍍敷液L1所含有之金屬離子，係例如鈷(Co)離子、鎳(Ni)離子、鎢(W)離子、銅(Cu)離子、鈀(Pd)離子、金(Au)離子、釕(Ru)離子等。又，鍍敷液L1所含有之還原劑，係次亞磷酸、二甲基胺硼烷、乙醛酸等。作為藉由使用了鍍敷液L1之鍍敷處理所形成的鍍敷膜，係例如可列舉出CoWB、CoB、CoWP、CoWBP、NiWB、NiB、NiWP、NiWBP、Cu、Pd、Ru等。另外，鍍敷膜，係亦可由單層所形成，且亦可遍及2層以上形成。在鍍敷膜由2層構造所構成的情況下，亦可從基底金屬層(晶種層)側依序具有例如CoWB/CoB、Pd/CoB等的層構成。

在此，參閱圖3，說明關於鍍敷液供給部53的具體構成。圖3，係表示實施形態之鍍敷液供給部53之構成的圖。

如圖3所示般，鍍敷液供給部53，係更具備有：泵534；閥535；加熱部536；及保溫部537。泵534、閥535、加熱部536及保溫部537，係從上游側(鍍敷液供給源532側)依該順序被設置於鍍敷液配管533。

鍍敷液供給源532，係例如儲存鍍敷液L1的儲槽。在鍍敷液供給源532，係儲存有常溫的鍍敷液L1。泵534，係將被儲存於鍍敷液供給源532之鍍敷液L1送出至鍍敷液配管533內。閥535，係開關鍍敷液配管533。

加熱部536，係例如熱交換器，將流動於鍍敷液配管533之鍍敷液L1加熱至設定溫度。保溫部537，係被設置為覆蓋比加熱部536更下游側的鍍敷液配管533，在藉由加熱部536所加熱至設定溫度之鍍敷液L1從鍍敷液噴嘴531被吐出的期間，將鍍敷液L1的溫度保持為設定溫度。例如，保溫部537，係使被加熱至設定溫度之傳熱媒體接觸於比加熱部536更下游側的鍍敷液配管533，藉此，可將流動於比加熱部536更下游側之鍍敷液配管533的鍍敷液L1保持為設定溫度。

如此一來，鍍敷液供給部53，係將被加熱至設定溫度之鍍敷液L1從鍍敷液噴嘴531供給至基板W的上面。另外，上述設定溫度，係例如55℃以上75℃以下，更佳為60℃以上70℃以下。

如圖2所示般，鍍敷處理部5，係更具備有：洗淨液供給部54，將洗淨液L2供給至基板保持部52所保持之基板W的表面；及沖洗液供給部55，將沖洗液L3供給至該基板W的表面。

洗淨液供給部54，係對基板保持部52所保持且旋轉之基板W供給洗淨液L2，並對被形成於基板W的晶種層進行預洗淨處理者。該洗淨液供給部54，係具有：洗淨液噴嘴541，對基板保持部52所保持之基板W吐出洗淨液L2；及洗淨液供給源542，將洗淨液L2供給至洗淨液噴嘴541。其中，洗淨液供給源542，係如後述般被構成為將被加熱或調溫至預定溫度之洗淨液L2經由洗淨液配管543供給至洗淨液噴嘴541。洗淨液噴嘴541，係被保持於噴嘴臂56，可與鍍敷液噴嘴531一起移動。

作為洗淨液L2，係使用二羧酸或三羧酸。其中，作為二羧酸，係例如可使用蘋果酸、丁二酸、丙二酸、草酸、戊二酸、己二酸、酒石酸等的有機酸。又，作為三羧酸，係例如可使用檸檬酸等的有機酸。

沖洗液供給部55，係具有：沖洗液噴嘴551，將沖洗液L3吐出至基板保持部52所保持之基板W；及沖洗液供給源552，將沖洗液L3供給至沖洗液噴嘴551。沖洗液噴嘴551，係被保持於噴嘴臂56，可與鍍敷液噴嘴531及洗淨液噴嘴541一起移動。又，沖洗液供給源552，係被構成為將沖洗液L3經由沖洗液配管553供給至沖洗液噴嘴551。作為沖洗液L3，係例如可使用DIW(去離子水)等。

在保持上述鍍敷液噴嘴531、洗淨液噴嘴541及沖洗液噴嘴551之噴嘴臂56，係連結有未圖示的噴嘴移動機構。該噴嘴移動機構，係使噴嘴臂56沿水平方向及上下方向移動。更具體而言，藉由噴嘴移動機構，噴嘴臂56，係可在將處理液(鍍敷液L1、洗淨液L2或沖洗液L3)吐出至基板W的吐出位置與從吐出位置退避的退避位置之間移動。其中，吐出位置，係只要可將處理液供給至基板W的表面中之任意位置，則不特別限定。例如，設成為可將處理液供給至基板W之中心的位置為較適合。在對基板W供給鍍敷液L1的情況、供給洗淨液L2的情況、供給沖洗液L3的情況下，噴嘴臂56之吐出位置亦可不同。退避位置，係在腔室51內從上方觀看時不與基板W重疊的位置，且為遠離吐出位置的位置。在噴嘴臂56被定位於退避位置的情況下，可避免移動之蓋體6與噴嘴臂56的干涉。

另外，鍍敷處理部5，係除了鍍敷液噴嘴531、洗淨液噴嘴541及沖洗液噴嘴551以外，亦可具備有對基板W供給IPA(異丙醇)等之揮發性有機溶劑的噴嘴。

在基板保持部52之周圍，係設置有罩杯571。該罩杯571，係從上方觀看時被形成為環狀，在基板W之旋轉時，接取從基板W飛散的處理液且引導至排洩管581。在罩杯571之外周側，係設置有氛圍遮斷蓋板572，抑制基板W之周圍的氛圍擴散至腔室51內。該氛圍遮斷蓋板572，係以往上下方向延伸的方式形成為圓筒狀，上端呈開口。後述之蓋體6可從上方插入氛圍遮斷蓋板572內。

在本實施形態中，基板保持部52所保持之基板W，係藉由蓋體6來覆蓋。該蓋體6，係具有：頂部61；及側壁部62，從頂部61往下方延伸。

頂部61，係包含有：第1頂板611；及第2頂板612，被設置於第1頂板611上。在第1頂板611與第2頂板612之間，係介設有加熱器63(加熱部)。第1頂板611及第2頂板612，係被構成為密封加熱器63，使加熱器63不與鍍敷液L1等的處理液接觸。更具體而言，在加熱器63之外周側，係設置有密封環613，藉由該密封環613密封加熱器63。第1頂板611及第2頂板612，係對於鍍敷液L1等的處理液具有耐腐蝕性為較適合，例如亦可藉由鋁合金來形成。為了更提高耐腐蝕性，第1頂板611、第2頂板612及側壁部62，係亦可藉由鐵氟龍(註冊商標)予以塗佈。

在蓋體6，係經由蓋體臂71連接有蓋體移動機構7。蓋體移動機構7，係使蓋體6沿水平方向及上下方向移動。更具體而言，蓋體移動機構7，係具有：旋轉馬達72，使蓋體6沿水平方向移動；及汽缸73(間隔調節部)，使蓋體6沿上下方向移動。其中，旋動馬達72，係被安裝於支撐板74上，該支撐板74，係被設成為相對於汽缸73可沿上下方向移動。亦可使用包含有馬達與滾珠螺桿之致動器(未圖示)來代替汽缸73。

蓋體移動機構7之旋轉馬達72，係使蓋體6在被配置於基板保持部52所保持的基板W之上方的上方位置與從上方位置退避的退避位置之間移動。其中，上方位置，係相對於基板保持部52所保持之基板W，以比較大的間隔而相對向之位置，且為從上方觀看時不與基板W重疊之位置。退避位置，係在腔室51內從上方觀看時不與基板W重疊之位置。在蓋體6被定位於退避位置的情況下，可避免移動之噴嘴臂56與蓋體6的干涉。旋轉馬達72之旋轉軸線，係往上下方向延伸，蓋體6，係可在上方位置與退避位置之間，沿水平方向旋轉移動。

蓋體移動機構7之汽缸73，係使蓋體6沿上下方向移動，以調節供給了鍍敷液L1之基板W與頂部61之第1頂板611的間隔。更具體而言，汽缸73，係將蓋體6定位於下方位置(圖2中以實線所示之位置)與上方位置(圖2中以二點鏈線所示之位置)。

在本實施形態中，係被構成為在蓋體6被定位於上述下方位置的情況下，驅動加熱器63，加熱基板保持部52或基板W上的鍍敷液L1。

在蓋體6之內側，係藉由惰性氣體供給部66，供給惰性氣體(例如，氮(N₂ )氣體)。該惰性氣體供給部66，係具有：氣體噴嘴661，將惰性氣體吐出至蓋體6的內側；及惰性氣體供給源662，將惰性氣體供給至氣體噴嘴661。其中，氣體噴嘴661，係被設置於蓋體6之頂部61，在蓋體6覆蓋基板W的狀態下，朝向基板W吐出惰性氣體。

蓋體6之頂部61及側壁部62，係藉由蓋體蓋板64來覆蓋。該蓋體蓋板64，係經由支撐部65被載置於蓋體6的第2頂板612上。亦即，在第2頂板612上設置有從第2頂板612之上面突出於上方的複數個支撐部65，在該支撐部65載置有蓋體蓋板64。蓋體蓋板64，係可與蓋體6一起沿水平方向及上下方向移動。又，為了抑制蓋體6內之熱散逸至周圍的情形，蓋體蓋板64，係具有比頂部61及側壁部62高的隔熱性為較佳。例如，蓋體蓋板64，係藉由樹脂材料來形成為較適合，且該樹脂材料具有耐熱性為更適合。

如此一來，在本實施形態中，係一體地設置有具備加熱器63之蓋體6與蓋體蓋板64，在被配置於下方位置的情況下，覆蓋基板保持部52或基板W之蓋板單元10是藉由該些蓋體6及蓋體蓋板64所構成。

在腔室51之上部，係設置有將潔淨空氣(氣體)供給至蓋體6之周圍的風扇過濾單元59(氣體供給部)。風扇過濾單元59，係將空氣供給至腔室51內(特別是氛圍遮斷蓋板572內)，所供給之空氣，係朝向排氣管81流動。在蓋體6之周圍，係形成有該空氣朝下流動的下降流，從鍍敷液L1等的處理液氣化之氣體，係藉由該下降流朝向排氣管81流動。如此一來，防止從處理液氣化之氣體上升而擴散至腔室51內的情形。

從上述之風扇過濾單元59所供給的氣體，係藉由排氣機構8來排出。

具有上述構成之鍍敷處理部5，係更藉由控制部91，控制基板保持部52、加熱器63(加熱部)及鍍敷液供給部53的動作。控制部91，係在藉由基板保持部52吸附保持基板W之前，以藉由加熱器63(加熱部)將基板保持部52加熱至50℃以上的方式，進行控制。例如，在鍍敷液L1之吐出時的溫度為55℃以上75℃以下的情況下，係將基板保持部52之溫度設成為50℃以上80℃以下為較佳。

＜基板處理裝置之具體動作＞ 其次，參閱圖4，說明關於上述基板處理裝置1之具體動作。圖4，係表示實施形態之基板處理裝置1所執行的處理之程序的流程圖。另外，圖4所示之一連串的處理程序，係依照控制部91之控制來執行。

又，在圖4所示之一連串的處理中，加熱部536及保溫部537，係成為可始終對流通於鍍敷液配管533之鍍敷液L1進行加熱･保溫的狀態。

如圖4所示般，控制部91，係判定本次處理之基板W是否為連續處理的複數個基板W中之第1片(步驟S101)。例如，本次在某個鍍敷處理部5所處理之基板W為被收容於1個載體C的複數個基板W(1批次量的基板W)中之首先在其鍍敷處理部5所處理的基板W。在該情況下，控制部91，係判定為連續處理的複數個基板W中之第1片。

在步驟S101中，在判定本次處理之基板W為連續處理的複數個基板W中之第1片的情況下(步驟S101，Yes)，鍍敷處理部5，係進行虛擬調整處理(步驟S102)。在虛擬調整處理中，基板W，係例如在被保持於基板搬送裝置17的狀態下，在鍍敷處理部5之前方僅待機所設定的時間。亦即，基板W，係搬入鍍敷處理部5被延遅僅所設定的時間。

又，在鍍敷處理部5中，係與虛擬調整處理並行地開始活性化處理。例如，亦可在開始虛擬調整處理之時刻，開始活性化處理。活性化處理，係藉由將鍍敷液L1加熱至預先決定之溫度並進行維持的方式，將鍍敷液活性化之處理。在此之活性化處理，係用以將被使用於本次所處理之基板W的鍍敷液L1活性化之處理。

具體而言，在鍍敷處理部5中，係控制泵534及閥535，將被儲存於鍍敷液供給源532之常溫的鍍敷液L1僅以預先決定之量送出至比閥535更下游側的鍍敷液配管533。

送出至比閥535更下游側之鍍敷液配管533的鍍敷液L1之一部分，雖係從鍍敷液噴嘴531被排出，但殘留之一部分，係殘留於比閥535更下游側的鍍敷液配管533。殘留之鍍敷液L1，係藉由加熱部536被加熱至設定溫度，並且藉由加熱部536及保溫部537被維持為設定溫度。

比閥535更下游側之鍍敷液配管533的容積，係大於後段之盛裝處理中所使用的鍍敷液L1之量。因此，在活性化處理中，係盛裝處理之至少1次量的鍍敷液L1會在比閥535更下游側之鍍敷液配管533被加熱･保溫。

當虛擬調整處理結束時，抑或在步驟S101中，本次處理之基板W並非為連續處理的複數個基板W中之第1片的情況下(步驟S101，No)，鍍敷處理部5，係進行搬入處理(步驟S103)。在搬入處理中，基板W，係在藉由基板搬送裝置17搬入腔室51之內部後，被載置於基板保持部52的卡盤構件521，並藉由卡盤構件521來保持。

接著，在鍍敷處理部5中，係進行調節處理(步驟S104)。在調節處理中，基板W，係在被保持於卡盤構件521的狀態下，僅待機所說定之時間。亦即，基板W，係下個處理即預處理之開始被延遅僅所設定的時間。

接著，在鍍敷處理部5中，係進行預處理(步驟S105)。在預處理中，係首先，驅動旋轉馬達523，使基板W以預定旋轉數旋轉。接著，定位於退避位置(圖2中以實線所示之位置)之噴嘴臂56會移動至基板W之中央上方的吐出位置。其次，洗淨液L2從洗淨液噴嘴541被供給至旋轉之基板W，洗淨基板W的表面。藉此，附著於基板W之附著物等從基板W被去除。供給至基板W之洗淨液L2，係被排出至排洩管581。其後，沖洗液L3從沖洗液噴嘴551被供給至旋轉之基板W，對基板W的表面進行沖洗處理。藉此，殘存於基板W上之洗淨液L2被沖洗。供給至基板W之沖洗液L3，係被排出至排洩管581。另外，在預處理中，鍍敷處理部5，係亦可進一步進行對基板W供給IPA的處理。

接著，在鍍敷處理部5中，係進行盛裝處理(步驟S106)。盛裝處理，係對預處理後的基板W供給鍍敷液L1且盛裝於基板W之處理，該鍍敷液L1，係藉由被加熱･維持為設定溫度的方式而活性化。

在該情況下，首先，使基板W之旋轉數比沖洗處理時的旋轉數更降低。例如，亦可將基板W之旋轉數設成為50~150rpm。藉此，可使被形成於基板W上之鍍敷膜均勻化。另外，基板W之旋轉，係亦可停止。

接著，從鍍敷液噴嘴531對基板W之表面吐出經活性化的鍍敷液L1。所吐出之鍍敷液L1，係藉由表面張力滯留於基板W的表面，且鍍敷液L1被承載於基板W之表面而形成鍍敷液L1的層(所謂的覆液(paddle))。鍍敷液L1之一部分，係從基板W的表面流出，並從排洩管581被排出。在從鍍敷液噴嘴531吐出預定量之鍍敷液L1後，停止鍍敷液L1的吐出。其後，定位於吐出位置之噴嘴臂56會被定位於退避位置。

在鍍敷處理部5中，係與上述盛裝處理並行地開始活性化處理。例如，於「泵534及閥535在上述盛裝處理中進行作動的時間點，亦即常溫之鍍敷液L1從鍍敷液供給源532被送出至比閥535更下游側之鍍敷液配管533」的時間點，開始活性化處理。在此之活性化處理，係用以將被使用於下次處理之基板W的鍍敷液L1活性化之處理。

接著，在鍍敷處理部5中，係進行鍍敷處理(步驟S107)。鍍敷處理，係藉由對盛裝有鍍敷液L1之基板W進行加熱的方式，在基板W上以無電解鍍敷形成鍍敷膜之處理。

首先，基板W被蓋體6覆蓋。在該情況下，首先，驅動蓋體移動機構7之旋轉馬達72，使蓋體6沿水平方向旋轉移動而被定位於上方位置(圖2中以二點鏈線所示之位置)。

接著，驅動蓋體移動機構7之汽缸73，使定位於上方位置的蓋體6下降而被定位於第1間隔位置。藉此，基板W與蓋體6之第1頂板611的間隔成為第1間隔，蓋體6之側壁部62被配置於基板W的外周側。在本實施形態中，蓋體6之側壁部62的下端621被定位於比基板W之下面更低的位置。如此一來，基板W被蓋體6覆蓋，使基板W之周圍的空間封閉。

在基板W被蓋體6覆蓋後，設置於蓋體6之頂部61的氣體噴嘴661將惰性氣體吐出至蓋體6的內側。藉此，蓋體6之內側被置換成惰性氣體，基板W的周圍成為低氧氣氛圍。惰性氣體，係吐出預定時間，其後，停止惰性氣體的吐出。

接著，藉由加熱器63，加熱被承載於基板W上的鍍敷液L1。當鍍敷液L1之溫度上升至成分析出的溫度時，則鍍敷液L1之成分析出至晶種層的表面而形成鍍敷膜。

接著，驅動蓋體移動機構7，使蓋體6被定位於退避位置。在該情況下，首先，驅動蓋體移動機構7之汽缸73，藉此，蓋體6上升而被定位於上方位置。其後，驅動蓋體移動機構7之旋轉馬達72，使定位於上方位置的蓋體6沿水平方向旋轉移動而被定位於退避位置。

接著，在鍍敷處理部5中，係進行後處理(步驟S108)。在該情況下，首先，使基板W之旋轉數比鍍敷處理時的旋轉數更增大。接者，定位於退避位置之沖洗液噴嘴551移動至吐出位置。其次，沖洗液L3從沖洗液噴嘴551被供給至旋轉之基板W，洗淨基板W的表面。藉此，殘存於基板W上之鍍敷液L1被沖洗。另外，在後處理中，鍍敷處理部5，係不僅供給沖洗液L3，亦可對基板W依序供給洗淨液L2或DIW。

接著，在鍍敷處理部5中，係進行乾燥處理(步驟S109)。在該情況下，例如使基板W之旋轉數比後處理的旋轉數更增大，使基板W以高速旋轉。藉此，殘存於基板W上之沖洗液L3被甩掉，基板W便乾燥。另外，鍍敷處理部5，係在乾燥處理中，除了上述甩乾處理以外，亦可藉由對基板W供給IPA的方式，將基板W上之處理液置換成IPA，利用IPA的揮發來使基板W乾燥。

當乾燥處理結束時，基板W，係藉由基板搬送裝置17，從鍍敷處理部5被取出且搬送至收授部14。又，搬送至收授部14之基板W，係藉由基板搬送裝置13，從收授部14被取出且收容於載體C。

圖5，係實施形態之活性化處理的說明圖。如圖5所示般，活性化處理之所需時間(活性化時間)，係被設定為鍍敷處理、後處理及乾燥處理之所需時間(第1時間)與調節處理及預處理之所需時間(第2時間)的總合時間。

對被用於下次處理之基板W的鍍敷液L1之活性化處理的開始點，係被設定為對本次所處理之基板W的鍍敷處理之開始點。因此，對被用於下次的基板W之鍍敷液L1的活性化處理之第1時間，係與對本次之基板W的鍍敷處理、後處理及乾燥處理重疊。因此，例如與「在對下次的基板W開始一連串之處理後，開始活性化處理」的情形相比，可將一連串之基板處理所需要的時間僅縮短鍍敷處理、後處理及乾燥處理的所需時間(第1時間)。亦即，可使包含有鍍敷處理之一連串的基板處理之生產率提高。

活性化時間，係例如由基板處理裝置1之使用者來指定。控制部91，係以使第1時間及第2時間之總合與由使用者所指定之活性化時間一致的方式，設定調節處理的所需時間(調整時間)。圖6，係表示實施形態之調整 時間設定處理之程序的流程圖。圖7，係表示實施形態之調整時間設定處理之一例的圖。另外，在圖7中，係例如表示被顯示於控制裝置9所具備之未圖示的顯示部之活性化時間之輸入欄及配方資訊的一例。

如圖6所示般，控制部91，係例如藉由對控制裝置9所具備之鍵盤或觸控式面板顯示等的輸入部之輸入操作的方式，受理活性化時間的指定(步驟S201)。在此，係如圖7所示般，指定「600sec(秒)」作為活性化時間。

接著，控制部91，係從所受理之活性化時間，減去第1時間與預處理的所需時間，藉此，算出調整時間(步驟S202)。

例如，如圖7所示般，在配方資訊中，預處理之時間被設定為「120sec」，盛裝處理被設定為「30sec」，鍍敷處理被設定為「60sec」，後處理被設定為「120sec」，乾燥處理被設定為「60sec」。在該情況下，控制部91，係從所指定之調整時間「600sec」，減去「120sec」、「60sec」、「120sec」及「60sec」，藉此，算出調整時間「240sec」。

而且，控制部91，係將所算出之調整時間「240sec」作為調節處理的時間，且設定成配方資訊(步驟S203)。

如此一來，實施形態之鍍敷處理部5，係可基於從使用者所受理之活性化時間，配合所受理的活性化時間，自動地調整配方。因此，根據實施形態之鍍敷處理部5，可使活性化時間的掌握及配方設定容易化。

另外，在本實施形態中，雖係表示了一連串的基板處理含有預處理之情形的例子，但預處理，係不一定要包含於一連串的基板處理。在一連串之基板處理不含有預處理的情況下，控制部91，係只要算出從所指定之活性化時間減去了第1時間的時間來作為調整時間即可。

圖8，係實施形態之虛擬調整處理的說明圖。在本次所處理之基板W為連續處理的複數個基板W中之第1片的情況下，由於不存在「前次之基板W」，因此，在前次之基板W的處理中，無法確保第1時間。

因此，在處理複數個基板W中之第1片的情況下，鍍敷處理部5，係對本次之基板W進行處理，具體而言，係在開始搬入處理之前，進行虛擬調整處理。虛擬調整處理，係例如使基板搬送裝置17所保持之基板W在鍍敷處理部5的前方僅待機第1時間之處理。

如此一來，可藉由進行虛擬調整處理的方式，針對被使用於連續處理之複數個基板W的第1片之鍍敷液L1，確保適當的活性化時間。

如上述般，實施形態之基板處理方法，係包含有：活性化之工程(作為一例，活性化處理)；盛裝之工程(作為一例，盛裝處理)；形成鍍敷膜之工程(作為一例，鍍敷處理)；進行後處理之工程(作為一例，後處理)；及乾燥之工程(作為一例，乾燥處理)。活性化之工程，係藉由將鍍敷液(作為一例，鍍敷液L1)加熱至預先決定之溫度並進行維持的方式，將鍍敷液活性化。盛裝之工程，係將經活性化之鍍敷液盛裝於基板(作為一例，基板W)上。形成鍍敷膜之工程，係藉由對盛裝有鍍敷液之基板進行加熱的方式，在基板上以無電解鍍敷形成鍍敷膜。進行後處理之工程，係對形成鍍敷膜後之基板進行使用了液體(作為一例，沖洗液L3)的後處理。乾燥之工程，係使進行後處理後的基板乾燥。又，將用於下次的基板之鍍敷液活性化之工程，係與對本次之基板形成鍍敷膜的工程、進行後處理的工程及乾燥的工程重疊進行。

藉此，例如與「在對下次的基板W開始一連串之處理後，開始活性化處理」的情形相比，可將一連串之基板處理所需要的時間僅縮短鍍敷處理、後處理及乾燥處理的時間。因此，可使包含有鍍敷處理之一連串的基板處理之生產率提高。

又，實施形態之基板處理方法，係亦可更包含有：受理之工程；及延遲開始之工程(作為一例，調節處理)。受理之工程，係受理將鍍敷液活性化之工程的所需時間之指定。延遲開始之工程，係基於受理之工程中所受理的所需時間與形成鍍敷膜之工程、進行後處理之工程及乾燥之工程的時間(作為一例，第1時間)，使開始對下次的基板進行盛裝之工程延遲。

又，實施形態之基板處理方法，係亦可更包含有：進行預處理之工程(作為一例，預處理)。進行預處理之工程，係對進行盛裝之工程前的基板，進行使用了液體(作為一例，洗淨液L2、沖洗液L3)的預處理。在該情況下，延遲開始之工程，係使開始對下次的基板進行盛裝之工程延遲僅「從受理之工程中所受理的所需時間減去了形成鍍敷膜之工程、進行後處理之工程及乾燥之工程的時間與進行預處理之工程的時間」之時間。

藉此，由於例如可配合從使用者所受理之活性化時間來自動地調整配方，因此，可使活性化時間的掌握及配方設定容易化。

又，實施形態之基板處理方法，係亦可包含有：進一步延遲開始之工程(作為一例，虛擬調整處理)。進一步延遲開始之工程，係在對連續處理的複數個基板中之第1片進行處理的情況下，使開始進行盛裝之工程更延遲僅「相當於形成鍍敷膜之工程、進行後處理之工程及乾燥之工程的時間」之時間。藉此，可針對被使用於連續處理之複數個基板W的第1片之鍍敷液，確保適當的活性化時間。

又，實施形態之基板處理裝置(作為一例，鍍敷處理部5)，係具備有：活性化部(作為一例，鍍敷液配管533、加熱部536及保溫部537)；保持部(作為一例，基板保持部52)；第1液供給部(作為一例，鍍敷液供給部53)；加熱部(作為一例，蓋體6)；第2液供給部(作為一例，沖洗液供給部55)；及控制部(作為一例，控制部91)。活性化部，係藉由將鍍敷液(作為一例，鍍敷液L1)加熱至預先決定之溫度並進行維持的方式，將鍍敷液活性化。保持部，係可旋轉地保持基板(作為一例，基板W)。第1液供給部，係對保持部所保持之基板，供給藉由活性化部所活性化的鍍敷液。加熱部，係對保持部所保持之基板進行加熱。第2液供給部，係對保持部所保持之基板，供給鍍敷液以外的處理液(作為一例，沖洗液L3)。控制部，係執行如下述者：活性化處理，控制活性化部，將鍍敷液活性化；盛裝處理，控制第1液供給部，將藉由活性化部所活性化的鍍敷液盛裝於基板上；鍍敷處理，控制加熱部，藉由對盛裝有鍍敷液之基板進行加熱的方式，在基板上以無電解鍍敷形成鍍敷膜；後處理，控制第2液供給部，對鍍敷處理後的基板進行液處理；及乾燥處理，控制保持部，使後處理後的基板乾燥。又，控制部，係將活性化處理與對本次之基板W的鍍敷處理、後處理及乾燥處理重疊進行，該活性化處理，係將用於下次的基板之鍍敷液活性化。

因此，根據實施形態之基板處理裝置，可使包含有鍍敷處理之一連串的基板處理之生產率提高。

吾人應理解本次所揭示之實施形態，係在所有方面皆為例示而非限制性者。實際上，上述實施形態，係可藉由多種形態來實現。又，上述的實施形態，係亦可不脫離添附之申請專利範圍及其意旨，以各種形態進行省略、置換、變更。

W:基板 1:基板處理裝置 5:鍍敷處理部 6:蓋體 9:控制裝置 51:腔室 52:基板保持部 53:鍍敷液供給部 54:洗淨液供給部 55:沖洗液供給部 56:噴嘴臂 531:鍍敷液噴嘴 532:鍍敷液供給源 533:鍍敷液配管 534:泵 535:閥 536:加熱部 537:保溫部

[圖1]圖1，係表示實施形態之基板處理裝置之構成的圖。 [圖2]圖2，係表示實施形態之鍍敷處理部之構成的圖。 [圖3]圖3，係表示實施形態之鍍敷液供給部之構成的圖。 [圖4]圖4，係表示實施形態之基板處理裝置所執行的處理之程序的流程圖。 [圖5]圖5，係實施形態之活性化處理的說明圖。 [圖6]圖6，係表示實施形態之調整時間設定處理之程序的流程圖。 [圖7]圖7，係表示實施形態之調整時間設定處理之一例的圖。 [圖8]圖8，係實施形態之虛擬調整處理的說明圖。

Claims (4)

1. 一種基板處理方法，其特徵係，包含有：藉由將鍍敷液加熱至預先決定之溫度即55℃以上75℃以下並進行維持的方式，將鍍敷液活性化的工程；使基板保持於可旋轉地保持前述基板之保持部的工程；將經活性化之前述鍍敷液盛裝於被保持在前述保持部的前述基板的工程；藉由對盛裝有前述鍍敷液之前述基板進行加熱的方式，在前述基板上以無電解鍍敷形成鍍敷膜的工程；對形成前述鍍敷膜後之前述基板進行至少使用了沖洗液的後處理的工程；使進行前述後處理後之前述基板乾燥的工程；控制部受理將前述鍍敷液活性化之工程的所需時間之指定的工程；及在前述保持之工程後且前述盛裝之工程之前，使前述基板在保持於前述保持部的狀態下待機的工程，用於下次的前述基板之前述鍍敷液活性化之工程，係與對本次之前述基板形成前述鍍敷膜的工程、進行前述後處理的工程及前述乾燥的工程重疊進行，更包含有：前述控制部基於表示「前述受理之工程中所受理的前述所需時間與形成前述鍍敷膜之工程、進行前述後處理之 工程及前述乾燥之工程的所需時間」的配方資訊，算出前述待機之工程中使前述基板待機的時間，並設定於前述配方資訊而作為前述待機之工程的所需時間的工程。
2. 如請求項1之基板處理方法，其中，更包含有：對進行前述盛裝之工程前的前述基板，進行使用了洗淨液及沖洗液之預處理的工程，前述設定之工程，係將「從前述受理之工程中所受理的前述所需時間減去了形成前述鍍敷膜之工程、進行前述後處理之工程及前述乾燥之工程的時間與進行前述預處理之工程的時間」之時間作為前述待機之工程的所需時間而設定於前述配方資訊。
3. 如請求項1或2之基板處理方法，其中，更包含有：在對連續處理的複數個前述基板中之第1片進行處理的情況下，在前述保持之工程中使前述基板在具有前述保持部之鍍敷處理部的前方僅待機「相當於形成前述鍍敷膜之工程、進行前述後處理之工程及前述乾燥之工程的時間」之時間的工程。
4. 一種基板處理裝置，其特徵係，具備有：活性化部，藉由將鍍敷液加熱至預先決定之溫度即55℃以上75℃以下並進行維持的方式，將前述鍍敷液活性化； 保持部，可旋轉地保持基板；第1液供給部，對前述保持部所保持之前述基板，供給藉由前述活性化部所活性化的前述鍍敷液；加熱部，對前述保持部所保持之前述基板進行加熱；第2液供給部，對前述保持部所保持之前述基板，供給前述鍍敷液以外的處理液；及控制部，執行如下述者：活性化處理，控制前述活性化部，將前述鍍敷液活性化；搬入處理，控制前述保持部，使前述基板保持於前述保持部；盛裝處理，控制前述第1液供給部，將藉由前述活性化部所活性化的前述鍍敷液盛裝於前述基板上；鍍敷處理，控制前述加熱部，藉由對盛裝有前述鍍敷液之前述基板進行加熱的方式，在前述基板上以無電解鍍敷形成鍍敷膜；後處理，控制前述第2液供給部，對前述鍍敷處理後的前述基板進行至少使用了沖洗液的液處理；乾燥處理，控制前述保持部，使前述後處理後的前述基板乾燥；受理之工程，受理前述活性化處理的所需時間之指定；及虛擬調整處理，在前述搬入處理後且前述盛裝處理之前，使前述基板在保持於前述保持部的狀態下待機，「將用於下次的前述基板之前述鍍敷液活性化」之前述活性化處理，係與對本次之前述基板的前述鍍敷處理、前述後處理及前述乾燥處理重疊進行，前述控制部，係基於表示「前述受理之工程中所受理的前述所需時間與前述鍍敷處理、前述後處理及前述乾燥 處理的所需時間」的配方資訊，算出前述虛擬調整處理中使前述基板待機的時間，並設定於前述配方資訊而作為前述虛擬調整處理的所需時間。

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