TWI867912B

TWI867912B - 畫素陣列基板及顯示裝置

Info

Publication number: TWI867912B
Application number: TW112150513A
Authority: TW
Inventors: 吳炯璋; 胡憲堂; 陳一通; 王昭弦
Original assignee: 瀚宇彩晶股份有限公司
Priority date: 2023-12-25
Filing date: 2023-12-25
Publication date: 2024-12-21
Also published as: TW202526479A

Abstract

一種畫素陣列基板包括基板、絕緣層、多個畫素結構、保護層及配向層。絕緣層與多個畫素結構設置在基板上。這些畫素結構各自包括主動元件與反射電極。主動元件設置在絕緣層與基板之間。反射電極設置在絕緣層上且電性連接主動元件。保護層設置在這些畫素結構上。保護層的材料包括二氧化矽或氮氧化矽。這些畫素結構的多個反射電極沿著至少一方向間隔排列。各個反射電極沿著至少一方向具有電極側壁。保護層覆蓋電極側壁。電極側壁與絕緣層的表面之間的第一角度大於或等於60度且小於或等於80度，配向層設置在保護層上。一種顯示裝置也被提出。

Description

畫素陣列基板及顯示裝置

本發明是有關於一種基板與電子裝置，且特別是有關於一種畫素陣列基板及顯示裝置。

反射式顯示面板主要是利用自然光或環境光作為光源來進行顯示。由於不需要搭配背光照明即可進行顯示，使其具有良好的節能特性。因此，常應用在戶外或光線充足的場域，例如室外看板、電子標籤、運動手錶等。考量高反射率和低電阻率，銀為所有金屬元素中作為反射層的首選。

由於銀元素的抗化性、抗熱性、耐候性都不好，且具有較高的電化學遷移率，致使銀在製作反射式或半穿反式顯示面板的反射電極存在許多的問題和限制。為了解決這些問題，一種利用銀合金材料來製作反射層的技術方案被提出。然而，為了增加銀反射層在製程中的耐化性與耐候性所添加的非銀元素會對於反射層的光學性質產生負面的影響。另外，還有一種在銀反射層上覆蓋一層由透明導電材料製作而成的保護層的技術方案也被提出。然而，這類的保護層會造成反射層的反射率降低，並且影響顯示面板的色彩表現。

本發明提供一種畫素陣列基板，其反射電極的光學特性較佳且製程良率較高。

本發明提供一種顯示裝置，其反射顯示的色彩品質較佳且生產良率也高。

本發明的畫素陣列基板，包括基板、絕緣層、多個畫素結構、保護層及配向層。絕緣層與多個畫素結構設置在基板上。這些畫素結構各自包括主動元件與反射電極。主動元件設置在絕緣層與基板之間。反射電極設置在絕緣層上且電性連接主動元件。保護層設置在這些畫素結構上。保護層的材料包括二氧化矽或氮氧化矽。這些畫素結構的多個反射電極沿著至少一方向間隔排列。各個反射電極沿著至少一方向具有電極側壁。保護層覆蓋電極側壁。電極側壁與絕緣層的表面之間的第一角度大於或等於60度且小於或等於80度。配向層設置在保護層上。

本發明的顯示裝置，包括畫素陣列基板、彩色濾光基板與液晶層。畫素陣列基板包括基板、絕緣層、多個畫素結構、保護層及第一配向層。絕緣層與多個畫素結構設置在基板上。這些畫素結構各自包括主動元件與反射電極。主動元件設置在絕緣層與基板之間。反射電極設置在絕緣層上且電性連接主動元件。保護層設置在這些畫素結構上。保護層的材料包括二氧化矽或氮氧化矽。這些畫素結構的多個反射電極沿著至少一方向間隔排列。各個反射電極沿著至少一方向具有電極側壁。保護層覆蓋電極側壁。電極側壁與絕緣層的表面之間的第一角度大於或等於60度且小於或等於80度。第一配向層設置在保護層上。彩色濾光基板與畫素陣列基板對向設置，且設有第二配向層。液晶層夾設在第一配向層與第二配向層之間。

基於上述，在本發明的一實施例的顯示裝置中，畫素陣列基板上的反射電極設置在絕緣層上且覆蓋有保護層。由於保護層的材料包括二氧化矽或氮氧化矽，除了在製程中對反射電極能產生良好的保護效果外，對於反射電極的反射率的影響還可有效降低。另外，將反射電極的電極側壁與絕緣層表面之間的角度控制在60度至80度的範圍內，還能進一步提高保護層對於電極側壁在製程中的保護效果。

現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

圖1是依照本發明的第一實施例的顯示裝置的正視示意圖。圖2是圖1的顯示裝置的剖視示意圖。圖3是圖2的顯示裝置的局部區域Z1的放大示意圖。圖4A及圖4B是顯示裝置在不同厚度的保護層下的反射率對波長的分布曲線圖。圖5是一比較例的顯示裝置的反射率對波長的分布曲線圖。圖6A及圖6B是另一比較例的顯示裝置在不同厚度的保護層下的反射率對波長的分布曲線圖。

請參照圖1至圖3，先說明的是，為清楚呈現起見，圖1僅繪示出顯示裝置10的掃描線GL、資料線DL與反射電極RE。顯示裝置10包括畫素陣列基板100。畫素陣列基板100包括基板101、多條掃描線GL、多條資料線DL與多個畫素結構PX。基板101的材質可包括玻璃、石英、高分子聚合物（例如聚醯亞胺、聚碳酸脂、聚甲基丙稀酸甲酯、或其他合適的可撓性板材）、或其他合適的板材。

在本實施例中，多條資料線DL可沿著方向X間隔排列並且延伸在方向Y上，多條掃描線GL可沿著方向Y間隔排列並且延伸在方向X上。更具體地，這些資料線DL相交於這些掃描線GL並且定義出多個畫素區PA。多個畫素結構PX設置在基板101上，且分別位於這些畫素區PA內。

詳細而言，這些畫素結構PX各自可包括彼此電性連接的主動元件T與反射電極RE。在本實施例中，形成主動元件T的方法可包括以下步驟：在基板101上依序形成閘極GE、閘絕緣層110、半導體圖案SC、源極SE和汲極DE。半導體圖案SC重疊閘極GE設置。源極SE和汲極DE重疊於半導體圖案SC，並且與半導體圖案SC的不同兩區電性接觸。在本實施例中，主動元件T的閘極GE可選擇性地設置於半導體圖案SC的下方，以形成底部閘極型薄膜電晶體（bottom-gate TFT），但不以此為限。在其他實施例中，主動元件的閘極也可選擇性地配置在半導體圖案的上方，以形成頂部閘極型薄膜電晶體（top-gate TFT）。

進一步而言，主動元件T上可依序覆蓋有絕緣層120與絕緣層130。在本實施例中，絕緣層120例如是鈍化層（passivation layer），而絕緣層130例如是平坦層（planarization layer）。畫素結構PX的反射電極RE設置在絕緣層130的表面130s，且經由絕緣層120與絕緣層130的接觸孔TH電性連接主動元件T的汲極DE。

需說明的是，閘極GE、源極SE、汲極DE、半導體圖案SC、閘絕緣層110、鈍化層（即絕緣層120）與平坦層（即絕緣層130）分別可由任何所屬技術領域的技術人員所周知的用於反射式顯示面板的任一閘極、任一源極、任一汲極、任一半導體圖案、任一閘絕緣層、任一鈍化層與任一平坦層來實現，且閘極GE、源極SE、汲極DE、半導體圖案SC、閘絕緣層110、鈍化層與平坦層分別可經由任何所屬技術領域的技術人員所周知的任一方法來形成，故於此不加以贅述。

在本實施例中，顯示裝置10更包括彩色濾光基板200與液晶層300。液晶層300設置在畫素陣列基板100與彩色濾光基板200之間。亦即，本實施例的顯示裝置10可以是反射式液晶顯示面板，但不以此為限。在其他實施例中，顯示裝置也可以是半穿反式液晶顯示面板。

舉例來說，在本實施例中，彩色濾光基板200的基板201上可設有彩色濾光層CFL與共電極層CE，但不以此為限。共電極層CE與反射電極RE之間所產生的電場適於驅使液晶層300的多個液晶分子（未繪示）轉動而形成對應所述電場方向與強度的排列狀態。藉由改變這些液晶分子的排列狀態，使通過液晶層300的光線的偏振狀態發生改變而形成對應所述排列狀態的出光亮度。

為了定向液晶層300中的多個液晶分子在自然狀態（即不受外力作用）下的排列，畫素陣列基板100還可包括設置在多個反射電極RE上的配向層AL1，而彩色濾光基板200還可包括設置在共電極層CE上的另一配向層AL2。液晶層300夾設在配向層AL1與配向層AL2之間。

在本實施例中，反射電極RE可包括反射層RFL與緩衝層BFL，緩衝層BFL連接反射層RFL與絕緣層130。透過緩衝層BFL的設置，可有效提升反射電極RE與絕緣層130的接著性。

緩衝層BFL的材料可為透光或不透光的導電材料。舉例來說，緩衝層BFL的材料例如包括金屬氧化物（例如ITO、IZO、MoTaO _x或MoO _x）、Mo、MoTa、AlNd、Ti或Cr。然而，本發明不限於此。在另一變形實施例中，反射電極RE的緩衝層BFL數量也可以是多層。亦即，反射電極RE與絕緣層130之間可設有複數個緩衝層BFL的堆疊結構，且這些緩衝層BFL的材料可不相同。

在本實施例中，反射層RFL的材料例如是銀元素或包含銀元素的金屬合金材料。較佳地，反射層RFL沿著方向Z的厚度d0可大於或等於700埃且小於或等於2000埃，以使反射層RFL具有較佳的反射率，例如大於等於90%。而為了避免反射層RFL在製程中因長時間暴露在空氣中而產生材料變質並影響光學特性（例如反射層RFL的顏色改變及/或反射率下降），顯示裝置10更包括覆蓋反射層RFL的保護層PTL，且配向層AL1設置在保護層PTL上。

特別注意的是，保護層PTL的材料例如包括二氧化矽（SiO ₂）或氮氧化矽（SiO _xN _y）。由於二氧化矽製作而成的保護層PTL對光線具有較低的折射率與較高的穿透率，其對於反射電極RE的反射率的影響可有效降低。

較佳地，保護層PTL沿著絕緣層130的表面130s的法線方向（例如方向Z）的厚度d1可大於或等於1000埃且小於或等於3000埃。如圖4A所示，當保護層PTL的厚度為1000埃時，顯示裝置10無論是在紅光波段（例如620nm~750nm）、綠光波段（例如500nm~580nm）或藍紫光波段（例如380nm~450nm）的反射率都大於0.9。如圖4B所示，當保護層PTL的厚度進一步提升至2500埃時，顯示裝置10在部分波段（例如紅光波段）的反射率還能獲得進一步的提升。

請同時參照圖4A、圖4B及圖5，相較於未設置保護層PTL的顯示裝置（即比較例）來說，本實施例的顯示裝置10無論是在保護層PTL的厚度為1000埃或2500埃的條件下，其反射率的表現皆與比較例的顯示裝置相當，例如在紅光波段、綠光波段和藍光波段的反射率大致上都高於0.9。

另一方面，在現行採用銦錫氧化物（Indium Tin Oxide，ITO）製作保護層PTL的技術方案中，其顯示裝置在各波段的反射率都低於0.9，某些波段（例如紅光波段與藍紫光波段）甚至更低於0.8（如圖6A所示）。其中，圖6A示出的反射率表現為ITO層（即保護層）的厚度條件為1000埃。即使縮減ITO層的厚度（例如150埃）來提升反射率，其在藍紫光波段的反射率改善仍不顯著（如圖6B所示）。此外，ITO層厚度的縮減，會明顯降低保護層PTL對於反射電極的保護效果。

換句話說，在本實施例中，利用二氧化矽製作的保護層PTL，除了可取得與未設置保護層的顯示裝置相當的反射率表現外，其厚度還明顯高於現行利用ITO製成的保護層，因此對於反射電極的保護效果更是優於現行ITO製成的保護層。

特別說明的是，為了增加保護層的保護效果，本實施例的保護層也可選用氮氧化矽（SiO _xN _y）來製作。藉由調整氮氧比例來產生所需的透光度與保護效果。在另一些實施例中，保護層也可選用寬能隙材料（wide bandgap material）來製作，例如透光度高的Al ₂O ₃、HfO ₂、MgF ₂或AlF ₃。

請再次參照圖1至圖3，在本實施例中，多個畫素結構PX的多個反射電極RE分別沿著方向X與方向Y間隔排列，且各自沿著方向X或方向Y具有電極側壁REsw。更具體地，反射電極RE的反射層RFL定義出此電極側壁REsw。保護層PTL覆蓋電極側壁REsw。特別注意的是，電極側壁REsw與絕緣層130的表面130s之間的角度A1大於或等於60度且小於或等於80度。據此，可確保在反射電極RE的電極側壁REsw上形成足夠厚的保護層PTL，進而提高保護層PTL對於電極側壁REsw在製程中的保護效果。

從另一觀點來說，反射電極RE的電極側壁REsw在絕緣層130的表面130s上的正投影沿著方向X（或方向Y）的寬度W可小於0.1微米，以降低電極側壁REsw蝕刻後的傾斜角（即角度A1）對反射面積的影響。

在本實施例中，反射電極RE的緩衝層BFL沿著方向X（或方向Y）具有緩衝側壁BFLsw，且保護層PTL更延伸覆蓋此緩衝側壁BFLsw。緩衝側壁BFLsw與絕緣層130的表面130s之間具有角度A2，且角度A2較佳地可大於或等於45度且小於或等於90度。較佳地，緩衝層BFL沿著方向Z的厚度d2可大於或等於50埃且小於或等於300埃。

以下將列舉另一些實施例以詳細說明本公開，其中相同的構件將標示相同的符號，並且省略相同技術內容的說明，省略部分請參考前述實施例，以下不再贅述。

圖7是依照本發明的第二實施例的顯示裝置的正視示意圖。請參照圖7，相較於圖3的顯示裝置10，本實施例的顯示裝置10A的畫素陣列基板100A更包括多個保護圖案PTP，設置在多個畫素結構PX的多個反射電極RE與保護層PTL之間，且沿著方向Z分別重疊於這些反射電極RE。由於本實施例的其他構件及配置關係都相似於圖3的顯示裝置10，詳細說明請參見前述實施例的相關段落，於此不再贅述。

在本實施例中，保護圖案PTP的材料例如是二氧化矽，但不以此為限。在其他實施例中，保護圖案PTP的材料還可包括氮氧化矽、或金屬氧化物（例如銦錫氧化物）。舉例來說，在製程中，本實施例的保護圖案PTP可先採用乾式蝕刻製程來形成。在定義出保護圖案PTP後，轉以濕式蝕刻製程蝕刻出反射電極RE，但不以此為限。由於濕式蝕刻對於保護圖案PTP蝕刻選擇比極小，為了避免蝕刻後產生尖端倒角的現象，保護圖案PTP沿著方向Z的厚度d3可小於或等於150埃。

在反射電極RE的蝕刻製程完成後，形成保護層PTL以覆蓋保護圖案PTP與反射電極RE。在本實施例中，保護圖案PTP具有被保護層PTL覆蓋的圖案側壁PTPsw，此圖案側壁PTPsw與對應的反射電極RE的電極表面REs之間具有角度A3。較佳地，角度A3可大於或等於45度且小於或等於90度。

在本實施例中，保護層PTL的厚度d1較佳地可大於或等於50埃且小於或等於500埃，但不以此為限。在另一變形實施例中，保護層PTL的厚度d1也可增加至1000埃至3000埃範圍內，以加強反射電極RE對於短波長光線的反射率。

圖8是依照本發明的第三實施例的顯示裝置的正視示意圖。請參照圖8，本實施例的顯示裝置10B與圖3的顯示裝置10的差異僅在於：保護層的配置方式不同。在本實施例的顯示裝置10B中，畫素陣列基板100B的保護層PTL-B對於圖案化後的多個反射電極RE間的區域還具有平坦化的效果。

具體而言，保護層PTL-B具有沿著方向Z的兩個部分。第一部分PTLp1重疊於多個反射電極RE以及第二部分PTLp2不重疊於上述的多個反射電極RE。第一部分PTLp1與第二部分PTLp2分別具有背對絕緣層130且實質上相對齊的第一表面S1與第二表面S2。從另一觀點來說，第一表面S1具有相對於絕緣層130的表面130s的第一高度H1，第二表面S2具有相對於絕緣層130的表面130s的第二高度H2。第一高度H1與第二高度H2因製程精度或量測公差等因素，兩者之間可容許的變異程度小於2.5%，在本案中的變異程度的計算為H1與H2相減後的絕對值除以H1與H2相加後的平均值。較佳地，第一高度H1實質上等於第二高度H2。

在本實施例中，藉由保護層PTL-B來平坦化多個反射電極RE間的區域，可進一步提升配向層AL1在這些反射電極RE間的配向效果。

圖9是依照本發明的第四實施例的顯示裝置的正視示意圖。請參照圖9，相較於圖8的顯示裝置10B，本實施例的顯示裝置10C的畫素陣列基板100C更包括多個保護圖案PTP”，設置在多個畫素結構PX的多個反射電極RE與保護層PTL-B之間，且沿著方向Z分別重疊於這些反射電極RE。由於本實施例的其他構件及配置關係都相似於圖8的顯示裝置10B，詳細說明請參見前述實施例的相關段落，於此不再贅述。

在本實施例中，保護圖案PTP”的材料例如是二氧化矽，但不以此為限。在其他實施例中，保護圖案PTP”的材料還可包括氮氧化矽、或金屬氧化物（例如銦錫氧化物）。舉例來說，在製程中，本實施例的保護圖案PTP”可先採用乾式蝕刻製程來形成。在定義出保護圖案PTP”後，轉以濕式蝕刻製程蝕刻出反射電極RE，但不以此為限。

在反射電極RE的蝕刻製程完成後，形成保護層PTL-B以覆蓋保護圖案PTP”與反射電極RE。在本實施例中，保護圖案PTP”具有被保護層PTL-B覆蓋的圖案側壁PTPsw，此圖案側壁PTPsw與對應的反射電極RE的電極表面REs之間具有角度A3。較佳地，角度A3可大於或等於45度且小於或等於90度。特別注意的是，不同於圖7的保護圖案PTP，本實施例的保護圖案PTP”的圖案側壁PTPsw可對齊反射電極RE的電極側壁REsw。

在本實施例中，保護層PTL-B對於圖案化後的多個反射電極RE間的區域同樣具有平坦化的效果，詳細說明請參見前述實施例的相關段落，於此不再贅述。

圖10是依照本發明的第五實施例的顯示裝置的正視示意圖。請參照圖10，相較於圖2的顯示裝置10，本實施例的顯示裝置20更包括前光模組50，設置在彩色濾光基板200背對液晶層300的一側。前光模組50可包括導光板LGP與光源LS。導光板LGP具有相連接的入光面IS與出光面ES。其中，光源LS設置在導光板LGP的入光面IS的一側，且出光面ES朝向多個反射電極RE。

光源LS適於朝向入光面IS射入光線。這些光線在經由導光板LGP的傳遞後可經由出光面ES出射並照射在反射電極RE上，以作為外部環境光或自然光不足時的照明光源。也就是說，透過前光模組50的設置，能滿足顯示裝置20在較昏暗的環境下的使用需求。

綜上所述，在本發明的一實施例的顯示裝置中，畫素陣列基板上的反射電極設置在絕緣層上且覆蓋有保護層。由於保護層的材料包括二氧化矽或氮氧化矽，除了在製程中對反射電極能產生良好的保護效果外，對於反射電極的反射率的影響還可有效降低。另外，將反射電極的電極側壁與絕緣層表面之間的角度控制在60度至80度的範圍內，還能進一步提高保護層對於電極側壁在製程中的保護效果。

10、10A、10B、10C、20:顯示裝置 50:前光模組 100、100A、100B、100C:畫素陣列基板 101、201:基板 110:閘絕緣層 120、130:絕緣層 130s:表面 200:彩色濾光基板 300:液晶層 A1、A2、A3:角度 AL1、AL2:配向層 BFL:緩衝層 BFLsw:緩衝側壁 CE:共電極層 CFL:彩色濾光層 d0、d1、d2、d3:厚度 DE:汲極 DL:資料線 ES:出光面 GE:閘極 GL:掃描線 H1:第一高度 H2:第二高度 IS:入光面 LGP:導光板 LS:光源 PA:畫素區 PTL、PTL-B:保護層 PTLp1:第一部分 PTLp2:第二部分 PTP、PTP”:保護圖案 PTPsw:圖案側壁 PX:畫素結構 RE:反射電極 REs:電極表面 REsw:電極側壁 RFL:反射層 S1:第一表面 S2:第二表面 SC:半導體圖案 SE:源極 T:主動元件 TH:接觸孔 W:寬度 X、Y、Z:方向 Z1:區域

圖1是依照本發明的第一實施例的顯示裝置的正視示意圖。圖2是圖1的顯示裝置的剖視示意圖。圖3是圖2的顯示裝置的局部區域的放大示意圖。圖4A及圖4B是顯示裝置在不同厚度的保護層下的反射率對波長的分布曲線圖。圖5是一比較例的顯示裝置的反射率對波長的分布曲線圖。圖6A及圖6B是另一比較例的顯示裝置在不同厚度的保護層下的反射率對波長的分布曲線圖。圖7是依照本發明的第二實施例的顯示裝置的正視示意圖。圖8是依照本發明的第三實施例的顯示裝置的正視示意圖。圖9是依照本發明的第四實施例的顯示裝置的正視示意圖。圖10是依照本發明的第五實施例的顯示裝置的正視示意圖。

10:顯示裝置

100:畫素陣列基板

130:絕緣層

130s:表面

300:液晶層

A1、A2:角度

AL1:配向層

BFL:緩衝層

BFLsw:緩衝側壁

d0、d1、d2:厚度

PTL:保護層

PX:畫素結構

RE:反射電極

REsw:電極側壁

RFL:反射層

W:寬度

X、Y、Z:方向

Z1:區域

Claims

一種畫素陣列基板，包括：一基板；一絕緣層，設置在該基板上；多個畫素結構，設置在該基板上，且各自包括：一主動元件，設置在該絕緣層與該基板之間；以及一反射電極，設置在該絕緣層上，且電性連接該主動元件；一保護層，設置在該些畫素結構上，該保護層的材料包括二氧化矽或氮氧化矽，其中該些畫素結構的多個該反射電極沿著至少一方向間隔排列，各該些反射電極沿著該至少一方向具有一電極側壁，該保護層覆蓋該電極側壁，該電極側壁與該絕緣層的一表面之間具有一第一角度，且該第一角度大於或等於60度且小於或等於80度；以及一配向層，設置在該保護層上。
如請求項1所述的畫素陣列基板，其中各該些反射電極包括：一反射層；以及一緩衝層，設置於該反射層與該絕緣層之間，其中該緩衝層的材料包括金屬氧化物。
如請求項2所述的畫素陣列基板，其中該緩衝層具有一緩衝側壁，該保護層更覆蓋該緩衝側壁，該緩衝側壁與該絕緣層的該表面之間具有一第二角度，且該第二角度大於或等於45度且小於或等於90度。
如請求項1所述的畫素陣列基板，其中該電極側壁在該絕緣層的該表面上的正投影沿著該至少一方向的一寬度小於0.1微米。
如請求項1所述的畫素陣列基板，更包括：多個保護圖案，設置在該些畫素結構的該些反射電極與該保護層之間，且分別重疊於該些反射電極，其中各該些保護圖案的一圖案側壁與對應的一該反射電極的一電極表面之間具有一第三角度，且該第三角度大於或等於45度且小於或等於90度。
如請求項5所述的畫素陣列基板，其中該些保護圖案的材料包括二氧化矽或氮氧化矽。
如請求項1所述的畫素陣列基板，其中該保護層具有重疊於該些反射電極的一第一部分以及不重疊於該些反射電極的一第二部分，該第一部分與該第二部分分別具有背對該基板的一第一表面與一第二表面，該第一表面具有相對於該絕緣層的該表面的一第一高度，該第二表面具有相對於該絕緣層的該表面的一第二高度，且該第一高度與該第二高度之間的變異程度小於2.5%。
一種顯示裝置，包括：一畫素陣列基板，包括：一基板；一絕緣層，設置在該基板上；多個畫素結構，設置在該基板上，且各自包括：一主動元件，設置在該絕緣層與該基板之間；以及一反射電極，設置在該絕緣層上，且電性連接該主動元件；一保護層，設置在該些畫素結構上，該保護層的材料包括二氧化矽或氮氧化矽，其中該些畫素結構的多個該反射電極沿著至少一方向間隔排列，各該些反射電極沿著該至少一方向具有一電極側壁，該保護層覆蓋該電極側壁，該電極側壁與該絕緣層的一表面之間具有一第一角度，且該第一角度大於或等於60度且小於或等於80度；以及一第一配向層，設置在該保護層上；一彩色濾光基板，與該畫素陣列基板對向設置，且設有一第二配向層；以及一液晶層，設置在該第一配向層與該第二配向層之間。
如請求項8所述的顯示裝置，更包括：多個保護圖案，設置在該些畫素結構與該保護層之間，且分別重疊於該些反射電極，其中各該些保護圖案的一圖案側壁與該些反射電極的其中一者的該電極側壁相對齊。
如請求項8所述的顯示裝置，更包括：一前光模組，設置在該彩色濾光基板背對該液晶層的一側，且包括：一導光板，具有相連接的一入光面與一出光面，該出光面朝向該些反射電極；以及一光源，設置在該導光板的該入光面的一側。