TWI867393B

TWI867393B - 顯示面板及其製造方法

Info

Publication number: TWI867393B
Application number: TW111149639A
Authority: TW
Inventors: 林世雄
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2022-11-29
Filing date: 2022-12-23
Publication date: 2024-12-21
Also published as: US12490562B2; DE102023103382A1; CN115911238A; TW202422870A; US20240178357A1

Abstract

一種顯示面板，包括電路基板、多個畫素結構以及模封層。電路基板具有多個第一接墊結構以及多個第二接墊結構。畫素結構設置於電路基板的顯示區之上。畫素結構的至少部分各自包括第一發光二極體、第一導電塊以及第一導電連接結構。第一發光二極體設置於對應的第一接墊結構上。第一導電塊設置於對應的第二接墊結構上。第一導電連接結構電性連接第一發光二極體至第一導電塊。模封層位於電路基板之上，且環繞第一發光二極體以及第一導電塊。第一導電連接結構位於模封層上。

Description

顯示面板及其製造方法

本發明是有關於一種顯示面板及其製造方法。

發光二極體是一種電致發光的半導體元件，具有效率高、壽命長、不易破損、反應速度快、可靠性高等優點。一般而言，製造微發光二極體顯示器的關鍵技術在於如何將大量之微型發光二極體轉移至畫素陣列基板上。然而，轉移技術為機械式操作，轉移技術的成效取決於機台精度以及轉印器件本身的精度與良率。當提取微型發光二極體時會遇到機台作動誤差及轉印器件精度誤差，放置微型發光二極體時則會面臨另一次機台作動對位偏差，若微型發光二極體並未放置於正確的位置，或者轉印與放置過程中有損傷，將使得微型發光二極體無法正常運作。一般而言，會透過維修製程來修復無法正常運作的畫素。因此，目前有許多廠商致力於發展能夠提升前述維修製程的良率的方法。

本發明提供一種顯示面板，可以改善發光二極體與接墊之間因為段差而造成電性連接不良的問題。

本發明提供一種顯示面板的製造方法，可以提升維修製程的良率。

本發明的至少一實施例提供一種顯示面板。顯示面板包括電路基板、多個畫素結構以及模封層。電路基板具有多個第一接墊結構以及多個第二接墊結構。畫素結構設置於電路基板的顯示區之上。畫素結構的至少部分各自包括第一發光二極體、第一導電塊以及第一導電連接結構。第一發光二極體設置於對應的第一接墊結構上。第一導電塊設置於對應的第二接墊結構上。第一導電連接結構電性連接第一發光二極體至第一導電塊。模封層位於電路基板之上，且環繞第一發光二極體以及第一導電塊。第一導電連接結構位於模封層上。

本發明的至少一實施例提供一種顯示面板的製造方法，包括以下步驟。提供電路基板，其中電路基板具有多個第一接墊結構以及多個第二接墊結構。形成多個導電塊於第二接墊結構上。將多個第一發光二極體置於第一接墊結構上。形成模封層以環繞導電塊以及第一發光二極體。形成多個第一導電連接結構於模封層上，其中第一導電連接結構電性連接至少部分的第一發光二極體到至少部分的導電塊，以形成多個畫素結構。移除模封層的一部分，以形成暴露出第一接墊結構的至少部分的開口。將第二發光二極體置於開口中，且第二發光二極體接合至第一接墊結構的至少部分。形成第二導電連接結構於模封層上，其中第二導電連接結構電性連接第二發光二極體至導電塊中的對應的一者。

圖1A、2A、3A、4A、5A、6A、7A、8A與9A是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的製造方法的上視示意圖。圖1B、2B、3B、4B、5B與6B分別是沿著圖1A、2A、3A、4A、5A與6A的線A-A’的剖面示意圖。圖7B、8B與9B分別是沿著圖7A、8A與9A的線B-B’的剖面示意圖。更具體地說，圖1A至圖6B是顯示面板10的製造方法的示意圖。當發現顯示面板10中的部分畫素結構PX出現故障時，進一步執行圖7A至圖9B所示的維修製程，以獲得顯示面板10’。

請參考圖1A與圖1B，提供電路基板100。電路基板100具有位於表面的多個第一接墊結構102以及多個第二接墊結構104。舉例來說，電路基板100包括基板以及位於前述基板上的電路結構，前述電路結構中包括導線、主動元件、被動元件、第一接墊結構102、第二接墊結構104以及其他合適的構件。為了方便說明，圖1B與圖1A繪示出電路基板100中的第一接墊結構102以及第二接墊結構104，並省略繪示電路基板100中的其他電路結構。第一接墊結構102與第二接墊結構104設置於電路基板100的顯示區DR中。

在本實施例中，第一接墊結構102包括彼此分離的第一部分102a以及第二部分102b。第一接墊結構102的第一部分102a以及第二部分102b透過其他導線（未繪出）或電路結構而彼此電性連接。換句話說，第一部分102a以及第二部分102b會被施加相同的訊號。在其他實施例中，第一部分102a以及第二部分102b彼此相連，也可以說第一接墊結構102不會被分成互相分離的兩個部分。

在本實施例中，第二接墊結構104包括彼此分離的第三部分104a以及第四部分104b。第二接墊結構104的第三部分104a以及第四部分104b透過其他導線（未繪出）或電路結構而彼此電性連接。換句話說，第三部分104a以及第四部分104b會被施加相同的訊號。在其他實施例中，第三部分104a以及第四部分104b彼此相連，也可以說第二接墊結構104不會被分成互相分離的兩個部分。

在本實施例中，在第一方向D1上，第一部分102a以及第二部分102b交替排列，且第三部分104a以及第四部分104b交替排列。在第二方向D2上，第一部分102a以及第三部分104a交替排列，且第二部分102b以及第四部分104b交替排列。在本實施例中，第一方向D1垂直於第二方向D2。

在本實施例中，第一接墊結構102與第二接墊結構104屬於相同的圖案化導電層。舉例來說，透過圖案化同一個導電材料層以形成第一接墊結構102與第二接墊結構104。在一些實施例中，第一接墊結構102與第二接墊結構104的材料包括金屬、金屬氧化物或其他合適的材料。在一些實例中，第一接墊結構102與第二接墊結構104各自為單層或多層結構。

請參考圖2A與圖2B，形成多個第一導電塊320a以及多個第二導電塊320b於第二接墊結構104上，其中第一導電塊320a形成於第二接墊結構104的第三部分104a上，而第二導電塊320b形成於第二接墊結構104的第四部分104b上。第一導電塊320a分離於第二導電塊320b。

在一些實施例中，第一導電塊320a以及第二導電塊320b還包括晶種層（未繪出）。舉例來說，形成第一導電塊320a以及第二導電塊320b的方法包括以下步驟。首先，形成晶種層以及圖案化的光阻層於電路基板100之上，其中晶種層接觸第二接墊結構104的第三部分104a以及四部分104b，且圖案化的光阻層具有暴露出第三部分104a以及四部分104b的多個開口。接著，透過電鍍而於圖案化的光阻層的開口中之晶種層上形成金屬材料。最後，移除圖案化的光阻層以及多餘的晶種層，剩下來的金屬材料以及晶種層即構成第一導電塊320a以及第二導電塊320b。在一些實施例中，前述晶種層包括鈦、銅、其他合適的導電材料或前述材料的組合，而前述電鍍所形成的金屬材料包括金、銅、其他合適的金屬材料或前述材料的組合。

在一些實施例中，第一導電塊320a以及第二導電塊320b具有相同的厚度T，其中厚度T為5微米至10微米。

請參考圖3A與圖3B，將多個第一發光二極體200置於第一接墊結構102上。在本實施例中，第一發光二極體200位於對應的第一接墊結構102的第一部分102a上。

第一發光二極體200為垂直型發光二極體，且包括第一電極210、第一半導體層220、發光層230、第二半導體層240以及第二電極250。第一半導體層220、發光層230以及第二半導體層240依序堆疊。在一些實施例中，第一半導體層220與第二半導體層240中的一者為N型半導體，且另一者為P型半導體。第一電極210以及第二電極250分別連接第一半導體層220以及第二半導體層240。在本實施例中，第一電極210的頂面面積小於第一半導體層220的頂面面積，但本發明不以此為限。第一電極210的頂面面積可以依照實際需求而進行調整，舉例來說，在其他實施例中，第一電極210的頂面面積等於第一半導體層220的頂面面積。在一些實施例中，第一發光二極體200包括不同顏色的發光二極體，舉例來說，第一發光二極體200包括紅色發光二極體、綠色發光二極體、藍色發光二極體或其他顏色的發光二極體。在一些實施例中，不同顏色的第一發光二極體200在第一方向D1上排列，而相同顏色的第一發光二極體200在第二方向D2上排列，但本發明不以此為限。在其他實施例中，不同顏色的第一發光二極體200在第二方向D2上排列，而相同顏色的第一發光二極體200在第一方向D1上排列。

在本實施例中，第二電極250接合至對應的第一接墊結構102的第一部分102a。舉例來說，第二電極250透過導電連接構件310而接合至第一部分102a。導電連接構件310例如為異方性導電膠、銲料或其他合適的材料。在一些實施例中，第二電極250共晶接合至第一接墊結構102的第一部分102a。

在一些實施例中，在將第一發光二極體200接合至第一部分102a之後，第一發光二極體200的頂面（第一電極210的頂面）約與第一導電塊320a的頂面以及第二導電塊320b的頂面齊平。換句話說，以電路基板100為基準，第一發光二極體200的頂面約與第一導電塊320a的頂面以及第二導電塊320b的頂面位於相同的水平高度。

請參考圖4A與圖4B，形成模封層110於電路基板100上，且模封層110環繞第一導電塊320a、第二導電塊320b以及第一發光二極體200。

在一些實施例中，模封層110包括透明材料、灰色材料或是黑色材料。舉例來說，模封層110包括環氧樹脂、矽膠或其他合適的材料，且模封層110中選擇性地包括碳黑、散射粒子或其他填充顆粒。

在本實施例中，模封層110覆蓋第一導電塊320a的頂面、第二導電塊320b的頂面以及第一發光二極體200的頂面。因此，須執行電漿處理以移除部分的模封層110，使第一導電塊320a、第二導電塊320b以及第一發光二極體200可以暴露出來，如圖5A和圖5B所示。在一些實施例中，前述電漿處理例如透過六氟化硫電漿、四氟化碳電漿、氧電漿或其組合來執行。

在一些實施例中，執行電漿處理直到模封層110的頂面110t低於第一導電塊320a的頂面、第二導電塊320b的頂面以及第一發光二極體200的頂面。然而，為了減少第一發光二極體200短路的機率，模封層110較佳為覆蓋發光層230以及第二半導體層240。具體地說，以電路基板100為基準，模封層110的頂面110t的高度較佳為高於第一發光二極體200的發光層230的高度。

接著請參考圖6A與圖6B，形成多個第一導電連接結構400於模封層110上。第一導電連接結構400電性連接至少部分的第一發光二極體200到至少部分的第一導電塊320a與第二導電塊320b，以形成多個畫素結構PX。在本實施例中，每個畫素結構PX所對應之第一接墊結構102包括彼此分離的第一部分102a以及第二部分102b，且每個畫素結構PX所對應之第二接墊結構104包括彼此分離的第三部分104a以及第四部分104b。

在本實施例中，第一導電連接結構400是由延著第一方向D1延伸的部分以及延著第二方向D2延伸的部分所構成的L型結構，且第一導電連接結構400同時連接第一導電塊320a與第二導電塊320b。在其他實施例中，第一導電連接結構400為直條型，其中第一導電連接結構400連接至第一導電塊320a，且不連接至第二導電塊320b。

在一些實施例中，第一導電連接結構400包括透明的導電材料，例如導電氧化物（如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物或前述材料的組合），因此，即使第一導電連接結構400覆蓋第一發光二極體200的頂面，也不會對顯示面板10的亮度造成太大的影響，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一導電連接結構400包括不透明的導電材料，例如金屬，因此，可減少第一導電連接結構400覆蓋第一發光二極體200的頂面的面積，更甚者，如圖20所示，第一導電連接結構400只接觸到第一發光二極體200的第一電極210的側邊，以避免第一導電連接結構400對顯示面板30的亮度造成太大的影響。在一些實施例中，形成第一導電連接結構400的方法包括物理氣相沉積、化學氣相沉積、原子層沉積、印刷、噴墨或其他合適的方法。在一些實施例中，定義第一導電連接結構400的圖案的方法例如包括微影製程。

在本實施例中，至少部分的畫素結構PX各自包括第一發光二極體200、第一導電塊320a、第二導電塊320b、第一導電連接結構400以及修補區RR。第一發光二極體200以及修補區RR皆重疊於第一接墊結構102，其中第一發光二極體200以及修補區RR分別重疊於第一部分102a以及第二部分102b。

在形成第一導電連接結構400後，檢測顯示面板10中的畫素結構PX，當發現部分畫素結構PX故障時，則進一步執行圖7A至圖9B所示的維修製程。舉例來說，部分畫素結構PX為故障的畫素結構PX，在故障的畫素結構PX中，第一發光二極體200及/或第一導電連接結構400損壞，導致故障的畫素結構PX中之第一發光二極體200不能正常發光。在圖7A至圖9B中，於不能正常發光的第一發光二極體200上標示打叉符號。

請參考圖7A與圖7B，移除模封層110的一部分，以形成暴露出第一接墊結構102的至少部分的開口112。具體地說，模封層110的開口112位於故障的畫素結構PX的修補區RR中，並暴露出故障的畫素結構PX的第一接墊結構102。在本實施例中，開口112暴露出第一接墊結構102的第二部分102b。

在一些實施例中，移除模封層110的一部分的方法包括乾蝕刻製程（例如雷射製程）或濕蝕刻製程。

請參考圖8A與圖8B，將第二發光二極體200R置於開口112中。第二發光二極體200R接合至至少部分的第一接墊結構102。

第二發光二極體200R為垂直型發光二極體，且包括第一電極210R、第一半導體層220R、發光層230R、第二半導體層240R以及第二電極250R。第一半導體層220R、發光層230R以及第二半導體層240R依序堆疊。在一些實施例中，第一半導體層220R與第二半導體層240R中的一者為N型半導體，且另一者為P型半導體。第一電極210R以及第二電極250R分別連接第一半導體層220R以及第二半導體層240R。在一些實施例中，第二發光二極體200R包括不同顏色的發光二極體，舉例來說，第二發光二極體200R包括紅色發光二極體、綠色發光二極體、藍色發光二極體或其他顏色的發光二極體。在一些實施例中，在一個故障的畫素結構PX中的第一發光二極體200以及第二發光二極體200R為相同顏色的發光二極體。

在一些實施例中，在將第二發光二極體200R置於開口112中之後，形成填補材料120以填補第二發光二極體200R與開口112之間的縫隙。第二發光二極體200R以及填補材料120填入開口112中，且填補材料120環繞第二發光二極體200R。在一些實施例中，形成填補材料120的方法包括噴墨、點膠或其他合適的製程。在一些實施例中，填補材料120包括環氧樹脂、矽膠、壓克力或其他合適的材料，且填補材料120中選擇性地包括碳黑、散射粒子或其他填充顆粒。填補材料120與模封層110可以包括相同或不同的材料。

請參考圖9A與圖9B，形成第二導電連接結構500於模封層110上。第二導電連接結構500電性連接第二發光二極體200R至導電塊中的對應的一者，至此形成包含經修復的畫素結構PX’的顯示面板10’。

在一些實施例中，第二導電連接結構500包括藉由點膠、噴墨或其他合適的方式所形成的透明或不透明的導電材料，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第二導電連接結構500包括藉由化學氣相沉積所形成的導電材料，例如鎢、其他金屬材料或其他合適的導電材料。在一些實施例中，第一導電連接結構400與第二導電連接結構500包括相同或不同的材料。

經修復的畫素結構PX’各自包括第一發光二極體200、第二發光二極體200R、第一導電塊320a、第二導電塊320b、第一導電連接結構400、填補材料120以及第二導電連接結構500。第一發光二極體200以及第二發光二極體200R分別設置於第一接墊結構102的第一部分102a與第二部分102b上。第一導電塊320a以及第二導電塊320b分別設置於第二接墊結構104的第三部分104a與第四部分104b上。第一導電連接結構400以及第二導電連接結構500位於模封層110上。第二導電連接結構500電性連接第二發光二極體200R至第二導電塊320b。在本實施例中，未移除經修復的畫素結構PX’中之第一發光二極體200，但本發明不以此為限。在其他實施例中，透過額外的製程移除經修復的畫素結構PX’中之第一發光二極體200。

在本實施例的經修復的畫素結構PX’中，由於第一導電連接結構400為L型，第二導電連接結構500電性連接第二發光二極體200R的第一電極210R至第一導電連接結構400，並透過第一導電連接結構400而電性連接至第二導電塊320b。第二發光二極體200R與第一導電連接結構400之間的水平距離L1小於第二發光二極體200R與第二導電塊320b之間的水平距離L2。換句話說，藉由第一導電連接結構400的設計，第二導電連接結構500不用直接接觸第一導電塊320a或第二導電塊320b就可以電性連接至第一導電塊320a和第二導電塊320b。因此，可以減少第二導電連接結構500的尺寸，降低第二導電連接結構500對顯示面板10’的亮度所造成的影響。

在本實施例中，由於導電連接結構500形成於模封層110上，且可以透過第一導電塊320a及/或第二導電塊320b而電性連接至第二接墊結構104，因此，可以避免第二發光二極體200R的第一電極210R與第二接墊結構104之間的段差造成導電連接結構500斷線，並提高維修製程的良率。

圖10A、11A、12A、13A、14A、15A、16A、17A、18A與19A是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的製造方法的上視示意圖。圖10B、11B、12B、13B、14B與15B分別是沿著圖10A、11A、12A、13A、14A與15A的線A-A’的剖面示意圖。圖16B、17B、18B與19B分別是沿著圖16A、17A、18A與19A的線B-B’的剖面示意圖。更具體地說，圖10A至圖15B是顯示面板20的製造方法的示意圖。當發現顯示面板20中的部分畫素結構PX出現故障時，進一步執行圖16A至圖19B所示的維修製程，以獲得顯示面板20’。

在此必須說明的是，圖10A至圖19B的實施例沿用圖1A至圖9B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖10A與圖10B，提供電路基板100。電路基板100具有位於表面的多個第一接墊結構102以及多個第二接墊結構104。在本實施例中，每個第一接墊結構102不包含互相分離的多個部分，且每個第二接墊結構104不包含互相分離的多個部分。

在本實施例中，第一接墊結構102沿著第一方向D1排列，且第二接墊結構104沿著第一方向D1排列。在第二方向D2上，第一接墊結構102以及第二接墊結構104交替排列。

請參考圖11A與圖11B，形成多個第一導電塊320於第二接墊結構104上。

在一些實施例中，第一導電塊320還包括晶種層（未繪出）。舉例來說，形成第一導電塊320的方法包括以下步驟。首先，形成晶種層以及圖案化的光阻層於電路基板100之上，其中晶種層接觸第二接墊結構104，且圖案化的光阻層具有暴露出第二接墊結構104的開口。接著，透過電鍍而於圖案化的光阻層的開口中形成金屬材料。最後，移除圖案化的光阻層以及多餘的晶種層，剩下來的金屬材料以及晶種層即構成第一導電塊320。在一些實施例中，前述晶種層包括鈦、鉻、銅、其他合適的導電材料或前述材料的組合，而前述電鍍所形成的金屬材料包括金、銅、其他合適的金屬材料或前述材料的組合。

在一些實施例中，第一導電塊320的厚度T為5微米至10微米。

請參考圖12A與圖12B，將多個第一發光二極體200置於第一接墊結構102上。在一些實施例中，第一發光二極體200包括不同顏色的發光二極體，舉例來說，第一發光二極體200包括紅色發光二極體、綠色發光二極體、藍色發光二極體或其他顏色的發光二極體。在一些實施例中，不同顏色的第一發光二極體200在第一方向D1上排列，而相同顏色的第一發光二極體200在第二方向D2上排列，但本發明不以此為限。在其他實施例中，不同顏色的第一發光二極體200在第二方向D2上排列，而相同顏色的第一發光二極體200在第一方向D1上排列。在一些實施例中，相同顏色的兩列第一發光二極體200排在一起，舉例來說，兩列紅色發光二極體排在一起，兩列綠色發光二極體排在一起，且兩列藍色發光二極體排在一起，在此情況下，相鄰的兩個相同顏色之發光二極體可以同時開關。

在本實施例中，第二電極250接合至對應的第一接墊結構102。舉例來說，第二電極250透過導電連接構件310而接合至第一接墊結構102。在一些實施例中，第二電極250共晶接合至第一接墊結構102。

在一些實施例中，在將第一發光二極體200接合至第一接墊結構102之後，第一發光二極體200的頂面（第一電極210的頂面）約與第一導電塊320的頂面齊平。換句話說，以電路基板100為基準，第一發光二極體200的頂面約與第一導電塊320位於相同的水平高度。

請參考圖13A與圖13B，形成模封層110於電路基板100上，且模封層110環繞第一導電塊320以及第一發光二極體200。

在本實施例中，模封層110覆蓋第一導電塊320的頂面以及第一發光二極體200的頂面。因此，須執行電漿處理以移除部分的模封層110，使第一導電塊320以及第一發光二極體200可以暴露出來，如圖14A和圖14B所示。在一些實施例中，前述電漿處理例如透過六氟化硫電漿、四氟化碳電漿、氧電漿或其組合來執行。

在一些實施例中，執行電漿處理直到模封層110的頂面110t的頂面低於第一導電塊320的頂面以及第一發光二極體200的頂面。然而，為了減少第一發光二極體200短路的機率，模封層110較佳為覆蓋發光層230以及第二半導體層240。具體地說，以電路基板100為基準，模封層110的頂面110t的高度較佳為高於第一發光二極體200的發光層230的高度。

接著請參考圖15A與圖15B，形成多個第一導電連接結構400於模封層110上。第一導電連接結構400電性連接至少部分的第一發光二極體200到至少部分的第一導電塊320，以形成多個畫素結構PX。在本實施例中，第一導電連接結構400為沿著第一方向D1延伸的直條型。

在本實施例中，每個畫素結構PX對應一個第一接墊結構102以及一個第二接墊結構104。在本實施例中，至少部分的畫素結構PX各自包括第一發光二極體200、第一導電塊320以及第一導電連接結構400，其中第一發光二極體200以及第一導電塊320分別重疊於第一接墊結構102以及第二接墊結構104。

在其他實施例中，每個畫素結構PX對應相鄰的兩個第一接墊結構102以及對應的兩個第二接墊結構104，且至少部分的畫素結構PX各自包括相鄰的兩個第一發光二極體200、相鄰的兩個第一導電塊320以及相鄰的兩個第一導電連接結構400。在每個畫素結構PX包括兩個第一發光二極體200的情況下，即使畫素結構PX中有其中一個第一發光二極體200損壞，也可以選擇不要對畫素結構PX進行修復。

在形成第一導電連接結構400後，檢測顯示面板20中的畫素結構PX，當發現部分畫素結構PX故障時，則進一步執行圖16A至圖19B所示的維修製程。舉例來說，部分畫素結構PX為故障的畫素結構PX，在故障的畫素結構PX中，第一發光二極體200及/或第一導電連接結構400損壞，導致故障的畫素結構PX中之第一發光二極體200不能正常發光。在圖16A至圖19B中，於不能正常發光的第一發光二極體200上標示打叉符號。

請參考圖17A與圖17B，移除模封層110的一部分，以形成暴露出第一接墊結構102的至少部分的開口112。在本實施例中，至少一個故障的第一發光二極體200位於模封層110被移除的部分中，且移除故障的第一發光二極體200，使故障的第一發光二極體200下方之至少部分第一接墊結構102被暴露出來。

在一些實施例中，移除模封層110的一部分的方法包括乾蝕刻製程（例如雷射製程）或濕蝕刻製程。在一些實施例中，移除故障的第一發光二極體200的方法包括雷射（例如紫外光雷射或紅外光雷射）、真空提取或其他合適的方法。

在本實施例中，部分第一導電連接結構400也會被移除，以形成第一導電連接結構400’。舉例來說，至少移除故障的畫素結構PX中之第一發光二極體200上的部分第一導電連接結構400。故障的畫素結構PX中之第一導電連接結構400’的尺寸小於未故障的畫素結構PX中之第一導電連接結構400的尺寸。

請參考圖18A與圖18B，將修復用的第一發光二極體200’置於開口112中。第一發光二極體200’接合至至少部分的第一接墊結構102。

第一發光二極體200’為垂直型發光二極體，且包括第一電極210’、第一半導體層220’、發光層230’、第二半導體層240’以及第二電極250’。第一半導體層220’、發光層230’以及第二半導體層240’依序堆疊。在一些實施例中，第一半導體層220’與第二半導體層240’中的一者為N型半導體，且另一者為P型半導體。第一電極210’以及第二電極250’分別連接第一半導體層220’以及第二半導體層240’。在一些實施例中，第一發光二極體200’包括不同顏色的發光二極體，舉例來說，第一發光二極體200’包括紅色發光二極體、綠色發光二極體、藍色發光二極體或其他顏色的發光二極體。在一些實施例中，用於修復故障的畫素結構PX的第一發光二極體200’與畫素結構PX中原本的第一發光二極體200為相同顏色的發光二極體。

在一些實施例中，在將第一發光二極體200’置於開口112中之後，形成填補材料120以填補第一發光二極體200’與開口112之間的縫隙。第一發光二極體200’以及填補材料120填入開口112中，且填補材料120環繞第一發光二極體200’。在一些實施例中，形成填補材料120的方法包括噴墨、點膠或其他合適的製程。在一些實施例中，填補材料120包括環氧樹脂、矽膠、壓克力或其他合適的材料，且填補材料120中選擇性地包括碳黑、散射粒子或其他填充顆粒。填補材料120與模封層110可以包括相同或不同的材料。

請參考圖19A與圖19B，形成第二導電連接結構500於模封層110上。第二導電連接結構500電性連接第一發光二極體200’至導電塊中的對應的一者，至此形成包含經修復的畫素結構PX’的顯示面板20’。

經修復的畫素結構PX’各自包括第一發光二極體200’、第一導電塊320、第一導電連接結構400’、填補材料120以及第二導電連接結構500。第一發光二極體200’設置於第一接墊結構102上。第一導電塊320設置於第二接墊結構104上。第一導電連接結構400’以及第二導電連接結構500位於模封層110上。第二導電連接結構500以及第一導電連接結構400’電性連接第一發光二極體200’至第一導電塊320。

在本實施例中，由於導電連接結構500形成於模封層110上，且可以透過第一導電塊320而電性連接至第二接墊結構104，因此，可以避免第一發光二極體200’的第一電極210’與第二接墊結構104之間的段差造成導電連接結構500斷線，並提高維修製程的良率。

圖20是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的上視示意圖。在此必須說明的是，圖20的實施例沿用圖1A至圖9B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖20的顯示面板30與圖9B的顯示面板10’的差異在於：在顯示面板30中，第一導電連接結構400以及第二導電連接結構500不重疊於第一發光二極體200的第一電極200的至少部分頂面以及第二發光二極體200R的第一電極210R的至少部分頂面。

請參考圖20，在本實施例中，第一導電連接結構400及第二導電連接結構500皆包括金屬材料，且是透過化學氣相沉積製程所形成。為了減少第一導電連接結構400及第二導電連接結構500遮蔽的面積，第一導電連接結構400連接第一發光二極體200的第一電極210的側面並暴露第一電極210的至少部分頂面，且第二導電連接結構500連接第二發光二極體200R的第一電極210R的側面並暴露第一電極210R的至少部分頂面。

在本實施例中，以第一導電連接結構400及第二導電連接結構500皆包括不透明的導電材料為例，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一導電連接結構400包括透明導電材料，且第二導電連接結構500包括不透明的導電材料，在此情況下，第一導電連接結構400即使覆蓋第一發光二極體200的第一電極210的頂面，也不會對顯示面板30的亮度造成太大的影響。

圖21是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的上視示意圖。在此必須說明的是，圖21的實施例沿用圖10A至圖19B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖21的顯示面板40與圖19B的顯示面板20’的差異在於：在顯示面板40中，第二導電連接結構500不重疊於第一發光二極體200’的第一電極200’的至少部分頂面。

請參考圖21，在本實施例中，第一導電連接結構400包括透明導電材料，且第二導電連接結構500包括不透明的導電材料。即使第一導電連接結構400覆蓋第一發光二極體200的第一電極210的頂面，也不會對顯示面板40的亮度造成太大的影響。

在本實施例中，第二導電連接結構500包括金屬材料，且是透過化學氣相沉積製程所形成。為了減少第二導電連接結構500遮蔽的面積，第二導電連接結構500連接第一發光二極體200’的第一電極210’的側面並暴露第一電極210’的頂面。

綜上所述，透過模封層以及導電塊的設置，可以改善發光二極體與接墊之間因為段差而造成電性連接不良的問題。

10, 10’, 20, 20’, 30, 40:顯示面板 100:電路基板 102:第一接墊結構 102a:第一部分 102b:第二部分 104:第二接墊結構 104a:第三部分 104b:第四部分 110:模封層 112:開口 120:填補材料 110t:頂面 200, 200’:第一發光二極體 200R:第二發光二極體 210, 210’, 210R:第一電極 220, 220’, 220R:第一半導體層 230, 230’, 230R:發光層 240, 240’, 240R:第二半導體層 250, 250’, 250R:第二電極 310, 310’, 310R:導電連接構件 320, 320a:第一導電塊 320b:第二導電塊 400, 400’:第一導電連接結構 500:第二導電連接結構 A-A’, B-B’:線 D1:第一方向 D2:第二方向 DR:顯示區 L1, L2:水平距離 PX:畫素結構 PX’:經修復的畫素結構 RR:修補區 T:厚度

圖1A、2A、3A、4A、5A、6A、7A、8A與9A是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的製造方法的上視示意圖。圖1B、2B、3B、4B、5B與6B分別是沿著圖1A、2A、3A、4A、5A與6A的線A-A’的剖面示意圖。圖7B、8B與9B分別是沿著圖7A、8A與9A的線B-B’的剖面示意圖。圖10A、11A、12A、13A、14A、15A、16A、17A、18A與19A是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的製造方法的上視示意圖。圖10B、11B、12B、13B、14B與15B分別是沿著圖10A、11A、12A、13A、14A與15A的線A-A’的剖面示意圖。圖16B、17B、18B與19B分別是沿著圖16A、17A、18A與19A的線B-B’的剖面示意圖。圖20是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的上視示意圖。圖21是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的上視示意圖。

10’:顯示面板

100:電路基板

102a:第一部分

102b:第二部分

110:模封層

120:填補材料

200:第一發光二極體

200R:第二發光二極體

210,210R:第一電極

220,220R:第一半導體層

230,230R:發光層

240,240R:第二半導體層

250,250R:第二電極

310,310R:導電連接構件

400:第一導電連接結構

500:第二導電連接結構

B-B’:線

Claims

一種顯示面板，包括：一電路基板，具有多個第一接墊結構以及多個第二接墊結構；多個畫素結構，設置於該電路基板的一顯示區之上，且該些畫素結構的至少部分各自包括：一第一發光二極體，設置於該些第一接墊結構中對應的第一接墊結構上；以及一第一導電塊，設置於該些第二接墊結構中對應的第二接墊結構上；以及一第一導電連接結構，電性連接該第一發光二極體至該第一導電塊；以及一模封層，位於該電路基板之上，且環繞該些第一發光二極體以及該些第一導電塊，其中該些第一導電連接結構位於該模封層上，其中以該電路基板為基準，該模封層的頂面的高度高於該第一發光二極體的發光層的高度。
如請求項1所述的顯示面板，其中該些畫素結構的其中一者為經修復的畫素結構，且該經修復的畫素結構更包括一第二發光二極體以及一第二導電塊，該第二發光二極體以及該第二導電塊分別設置於該對應的第一接墊結構上以及該對應的第二接墊結構上，且該經修復的畫素結構更包括：一第二導電連接結構，電性連接該第二發光二極體至該第二導電塊，其中該第二導電連接結構位於該模封層上。
如請求項2所述的顯示面板，其中在該經修復的畫素結構中，該第一發光二極體與該第二發光二極體分別位於該對應的第一接墊結構的一第一部分以及一第二部分上，其中該第一部分以及該第二部分在結構上彼此分離。
如請求項2所述的顯示面板，其中在該經修復的畫素結構中，該第一導電塊以及該第二導電塊分別設置於該對應的第二接墊結構的一第三部分以及一第四部分上，其中該第三部分以及該第四部分在結構上彼此分離。
如請求項2所述的顯示面板，更包括：一填補材料，其中該第二發光二極體以及該填補材料填入該模封層的一開口中，且該填補材料環繞該第二發光二極體。
如請求項2所述的顯示面板，其中該第二導電連接結構將該第二發光二極體的一第一電極電性連接至該第一導電連接結構，其中該第二發光二極體與該第一導電連接結構之間的水平距離小於該第二發光二極體與該第二導電塊之間的水平距離。
如請求項2所述的顯示面板，其中該第二導電連接結構連接該第二發光二極體的電極的側面，且該第二導電連接結構不重疊於該第二發光二極體的該電極的至少部分頂面。
如請求項1所述的顯示面板，其中該第一導電連接結構連接該第一發光二極體的電極的側面，且該第一導電連接結構不重疊於該第一發光二極體的該電極的至少部分頂面。
如請求項2所述的顯示面板，其中該第一導電連接結構與該第二導電連接結構包括不同的材料。
如請求項1所述的顯示面板，其中該模封層包括透明材料、灰色材料或是黑色材料。
如請求項1所述的顯示面板，其中該些畫素結構的該至少部分各自更包括一第二導電塊，該第二導電塊設置於該對應的第二接墊結構上，且該第一導電連接結構同時連接該第一導電塊以及該第二導電塊。
如請求項1所述的顯示面板，其中該第一導電塊的厚度為5微米至10微米。
如請求項1所述的顯示面板，其中該些畫素結構的該至少部分中的一者為經修復的畫素結構，且該經修復的畫素結構更包括：一第二導電連接結構，電性連接該第一發光二極體以及該第一導電塊，其中該第二導電連接結構位於該模封層上。
一種顯示面板的製造方法，包括：提供一電路基板，其中該電路基板具有多個第一接墊結構以及多個第二接墊結構；形成多個導電塊於該些第二接墊結構上；將多個第一發光二極體置於該些第一接墊結構上；形成一模封層以環繞該些導電塊以及該些第一發光二極體，其中以該電路基板為基準，該模封層的頂面的高度高於該些第一發光二極體的發光層的高度；形成多個第一導電連接結構於該模封層上，其中該些第一導電連接結構電性連接至少部分的該些第一發光二極體到至少部分的該些導電塊，以形成多個畫素結構；移除該模封層的一部分，以形成暴露出該些第一接墊結構的至少部分的一開口；將一第二發光二極體置於該開口中，且該第二發光二極體接合至該些第一接墊結構的該至少部分；以及形成一第二導電連接結構於該模封層上，其中該第二導電連接結構電性連接該第二發光二極體至該些導電塊中的對應的一者。
如請求項14所述的顯示面板的製造方法，其中形成該些導電塊的方法包括電鍍。
如請求項14所述的顯示面板的製造方法，更包括：在將該第二發光二極體置於該開口中之後，形成一填補材料以填補該第二發光二極體與該開口之間的縫隙。
如請求項14所述的顯示面板的製造方法，更包括：該些第一發光二極體中的其中一者位於該模封層的該部分中，且移除該第一發光二極體中的該其中一者，以暴露出該第一發光二極體中的該其中一者下方的該些第一接墊結構的該至少部分。
如請求項14所述的顯示面板的製造方法，其中各該些畫素結構各自包括一修補區，且該模封層的該開口位於部分的該些修補區中。
如請求項18所述的顯示面板的製造方法，其中各該第一接墊結構包括彼此分離的一第一部分以及一第二部分，其中該些第一發光二極體設置於該第一部分上，且該些修補區重疊於該些第二部分。