TWI867050B

TWI867050B - 多晶圓體積單移送腔室刻面

Info

Publication number: TWI867050B
Application number: TW109132718A
Authority: TW
Inventors: 威廉Ｔ韋佛爾; 安德魯Ｊ康斯坦特; 薛伊艾薩福; 傑寇柏纽曼
Original assignee: 美商應用材料股份有限公司
Priority date: 2019-09-22
Filing date: 2020-09-22
Publication date: 2024-12-21
Also published as: TW202126856A; US11817332B2; JP7641275B2; JP2022549271A; CN114730724A; KR102751143B1; US20210090917A1; WO2021055991A1; KR20220086578A

Abstract

本揭示案的實施例係針對裝載閘腔室和使用裝載閘腔室的方法。裝載閘腔室包括中間部分、連接到中間部分的上部分和連接到中間部分的下部分。中間部分外部上的刻面中的狹縫閥提供了從裝載閘外部進出中間體積的開口。

Description

多晶圓體積單移送腔室刻面

本揭示案的實施例一般係關於半導體製造設備。具體言之，本揭示案的實施例係關於用於半導體製造的移送腔室。

大型多腔室處理工具(也稱為叢集工具)通常用於半導體製造中。通常，繞中央移送站佈置複數個處理腔室。中央移送站中的機器人以協調的(coordinated)順序在各種處理腔室之間移動基板，以在基板上施行預定的製程。叢集工具中常用的處理腔室包括，例如，原子層沉積(ALD)腔室、化學氣相沉積(CVD)腔室、物理氣相沉積(PVD)腔室、蝕刻腔室、調節腔室、處置(treatment)腔室、加熱腔室等。

經常地，對於製程的晶圓操縱(handling)要求需要額外的晶圓腔室空間(如，用於裝載閘、加熱站、冷卻站或組合功能站)，以滿足生產量或製程規格。因此，對於在不增加叢集工具的總佔地面積的情況下增加可用的基板處理站的數量的裝備和方法係有其需求的。

本揭示案的一個或多個實施例係針對包括中間部分、上部分和下部分的裝載閘腔室。該中間部分具有內表面與外表面，該內表面含有中間體積，該外表面具有第一中間刻面，該第一中間刻面經配置連接至叢集工具。該第一中間刻面具有狹縫閥開口，該狹縫閥開口提供通過該外表面進出(access)該中間體積的途徑。上部分沿著腔室的軸定位且連接到中間部分的頂部。上部分具有包含上部體積的內表面。上部分可藉由上部可移動分隔件而與中間部分隔離。下部分沿著腔室的軸定位並連接到中間部分的底部。下部分具有包含較小體積的內表面，並且可藉由下部可移動分隔件而與中部分隔離。

本揭示案的另外的實施例係關於一種處理方法，該處理方法包括以下步驟：在具有一中間部分、一上部分和一下部分的一裝載閘腔室的一中間部分的一中間體積中產生一處理環境，該下部分沿著該裝載閘腔室的一軸定位，該上部分連接到該中間部分的一頂部以及該下部分連接到該中間部分的一底部，該上部分可藉由一上部可移動分隔件與該中間部分隔離以及該下部分可藉由一下部可移動分隔件與該中間部分隔離；在該上部分的一上部體積中產生該處理環境，該上部體積具有連接到一上馬達的一上基板支撐件，該上馬達經配置使該上基板支撐件在該上部體積和該中間體積之間移動；打開一上分隔件，以允許該上基板支撐件在該上部體積和該中間體積之間移動；將該上基板支撐件從該上部體積移動到該中間體積或從該中間體積移動到該上部體積；關閉該上分隔件以將該上部體積與該中間體積隔離開；在該下部分的一下部體積中產生該處理環境，該下部體積具有連接到一下馬達的一下基板支撐件，該下馬達經配置使該下基板支撐件在該下部體積和該中間體積之間移動；打開一下分隔件，以允許該下基板支撐件在該下部體積和該中間體積之間移動；將該下基板支撐件從該下部體積移動到該中間體積或從該中間體積移動到該下部體積；關閉該下分隔件以將該下部體積與該中間體積隔離開；打開在該中間部分的一外表面的一刻面中的一狹縫閥，以允許透過該外表面進出該中間體積；透過該外表面中的該狹縫閥中進出該中間體積，以使一基板在該中間體積與該裝載閘腔室外部的一體積之間移動；及關閉該中間部分的該外表面的該刻面中的該狹縫閥，以使該中間體積與該外表面隔離開。

本揭示案的其他實施例針對包括指令的非暫態電腦可讀取媒體，當一裝載閘腔室的一控制器執行該等指令時，該等指令使該裝載閘腔室施行以下操作：在該裝載閘腔室的一中間體積、一上部體積或一下部體積中的一個或多個中產生一處理環境；打開和/或關閉一上分隔件或下分隔件，以允許該上部體積和/或該下部體積與該中間體積之間的運動及/或防止該上部體積和/或該下部體積與該中間體積之間的運動；在該上部體積和該中間體積之間或在該下部體積和該中間體積之間移動一上基板支撐件或一下基板支撐件中的一個或多個；打開和/或關閉該中間部分、上部分或下部分中的一個或多個的一刻面中的一個或多個狹縫閥；及透過該狹縫閥進出該中間體積、該上部體積或該下部體積中的一個或多個。

100:叢集工具

101:晶圓

102:處理腔室

151:前面

104:處理腔室

106:處理腔室

110:處理腔室

112:處理腔室

116:處理腔室

118:處理腔室

120:第一部分

121:第一中央移送站

122:緩衝腔室

124:緩衝腔室

125:機器人

126:機器人葉片

130:第二部分

131:第二中央移送站

135:機器人

136:機器人葉片

150:工廠介面

152:機器人

154:裝載腔室

156:卸載腔室

160:裝載閘腔室

162:裝載閘腔室

190:系統控制器

200:裝載閘腔室

205:腔室軸

220:中間部分

221:頂部

222:內表面

223:底部

224:外表面

226:中間體積

228:第一中間刻面

229:狹縫閥開口

230:上分隔部分

232:內表面

234:外表面

235:上部可移動分隔件

236:上分隔體積

237:延伸部分

238:上分隔件致動器

240:上部分

242:內表面

244:外表面

246:上部體積

250:下分隔部分

252:內表面

254:外表面

255:下分隔件

256:下分隔體積

257:延伸部分

258:下分隔件致動器

260:下部分

262:內表面

264:外表面

266:下部體積

270:上基板支撐件

272:上馬達

274:上部活塞

280:下基板支撐件

282:下馬達

284:下部活塞

311:支撐樑

314:支撐指狀物

316:支撐表面

318:加熱板和/或冷卻板

328:第二中間刻面

329:第二狹縫閥開口

348:上刻面

349:上狹縫閥開口

368:下刻面

369:下狹縫閥開口

本揭示案之特徵已簡要概述於前，並在以下有更詳盡之討論，可以藉由參考所附圖式中繪示之本案實施例以作瞭解。然而，應注意的是，所附圖式僅繪示本揭示案的典型實施例，且因此不應認為是對其範圍的限制，因為本揭示案可允許其他同等有效的實施例。

圖1表示根據本揭示案的一個或多個實施例的叢集工具；圖2表示根據本揭示案的一個或多個實施例的裝載閘腔室的橫截面示意圖；圖3表示根據本揭示案的一個或多個實施例的裝載閘腔室的平行投影圖；圖4表示根據本揭示案的一個或多個實施例的裝載閘腔室的平行投影圖；圖5表示根據本揭示案的一個或多個實施例的裝載閘腔室的平行投影圖；圖5A表示根據本揭示案的一個或多個實施例之與裝載閘腔室一起使用的基板支撐件的平行投影圖；及圖6A至圖6C表示根據本揭示案的一個或多個實施例的在使用中的裝載閘腔室的截面示意圖。

在描述本揭示案的幾個示例性實施例之前，應理解，本揭示案不限於在以下描述中闡述的構造或處理步驟的細節。本揭示案能夠具有其他實施例並且能夠以各種方式來實踐或執行。

如在本說明書和所附專利申請範圍中所使用的，術語「基板」係指製程所作用的表面或表面的部分。本發明所屬領域中具有通常知識者還將理解到，除非上下文另有明確說明，否則提及基板也可僅指基板的一部分。另外，所提在基板上的沉積可以表示裸基板和具有在其上沉積或形成的一個或多個膜或特徵的基板。

本說明書所使用的「基板」是指任何基板或在製造製程期間所施行膜處理的基板上形成的材料表面。例如，在其上施行處理的基板表面包括諸如矽、氧化矽、應變矽、絕緣體上矽(SOI)、碳摻雜的氧化矽、非晶矽、摻雜的矽、鍺、砷化鎵、玻璃、藍寶石的材料和任何其他材料(如金屬、金屬氮化物、金屬合金和其他導電材料)，其取決於應用。基板包括但不限於半導體晶圓。可將基板暴露於預處理製程以拋光、蝕刻、還原、氧化、羥基化、退火、UV固化、電子束固化(e-beam cure)和/或烘烤基板表面。除了直接在基板表面本身上的直接膜處理之外，在本揭示案中，所揭露的任何膜處理步驟也可在基板上形成的底層(under-layer)上施行，如下面更詳細地揭露，且術語「基板表面」旨在包括如上下文所指示的這種底層。因此，例如，在已經將膜/層或部分膜/層沉積到基板表面上的情況下，新沉積的膜/層所暴露的表面變為基板表面。

圖1表示用於半導體製造製程的叢集工具100。所示的叢集工具100包括具有複數個側面的至少一個中央移送站121、131。在所示的實施例中，叢集工具100具有第一中央移送站121和第二中央移送站131。以這種方式使用的術語「中央(central)」並非暗示特定的位置；相反地，該術語指的是多於一個(more than one)腔室所連接的部件與在處理期間基板所通過的部件之大概描述。每個中央移送站121、131包括位於其中的至少一個機器人125、135。機器人125、135經配置將至少一個機器人葉片126、136和晶圓101移動到中央移送站121、131的每一側。中央移送站121、131的每一側具有與其連接的至少一個腔室。

所示的叢集工具100包括連接到中央移送站的複數個處理腔室102、104、106、110、112、114、116和118(也稱為處理站)。各種處理腔室提供與相鄰處理站隔離的獨立處理區域。處理腔室可以是任何合適的腔室，其包括但不限於預清洗腔室、緩衝腔室、移送空間、晶圓定向器/脫氣腔室、低溫冷卻(cryo cooling)腔室、沉積腔室、退火腔室、蝕刻腔室和結晶劑去除腔室。處理腔室和部件的特定佈置可以根據叢集工具而變化，且不應被視為限制本揭示案的範圍。

一些實施例的沉積腔室包括以下各者中的一個或多個：原子層沉積腔室、電漿增強原子層沉積腔室、化學氣相沉積腔室、電漿增強化學氣相沉積腔室或物理沉積腔室。在一些實施例中，叢集工具100包括連接至中央移送站的預清洗腔室。

在圖1所示的實施例中，工廠介面150連接到叢集工具100的前面。工廠介面150在工廠介面150的前面151上包括裝載腔室154和卸載腔室156。儘管在左側表示裝載腔室154以及在右側表示卸載腔室156，但是本發明所屬領域中具有通常知識者將理解，這僅是一種可能的配置的代表。

裝載腔室154和卸載腔室156的尺寸和形狀可以根據例如在叢集工具100中正被處理的基板而變化。在所示的實施例中，調整裝載腔室154和卸載腔室156的尺寸以固持晶圓收容盒(cassette)，其中晶圓收容盒具有定位在盒中的複數個晶圓。

機器人152在工廠介面150內且經配置在裝載腔室154和卸載腔室156之間移動。機器人152經配置將晶圓101從裝載腔室154中的收容盒透過工廠介面150移送到裝載閘腔室160。機器人152還經配置將晶圓101從裝載閘腔室162透過工廠介面150移送到卸載腔室156中的收容盒。如本發明所屬領域中具有通常知識者將理解的，工廠介面150可以具有多於一個的機器人152。例如，工廠介面150可具有第一機器人與第二機器人，第一機器人在裝載腔室154和裝載閘腔室160之間移送晶圓，第二機器人在裝載閘腔室162和卸載腔室156之間移送晶圓101。

所示的叢集工具100具有第一部分120和第二部分130。第一部分120透過裝載閘腔室160、162連接到工廠介面150。第一部分120包括第一移送腔室121，第一移送腔室121具有定位於其中的至少一個機器人125。機器人125也稱為機器人晶圓輸送機構。第一移送腔室121相對於裝載閘腔室160、162、處理腔室102、104、116、118和緩衝腔室122、124居中設置。一些實施例的機器人125是能夠一次獨立地移動多於一個晶圓的多臂機器人。在一些實施例中，第一移送腔室121包括多於一個的機器人(robotic)晶圓移送機構。第一移送腔室121中的機器人125經配置使晶圓在第一移送腔室121周圍的腔室之間移動。個別晶圓被承載在位於第一機器人機構的遠端處的晶圓輸送葉片上。

在第一部分120中處理晶圓之後，晶圓可以透過透通(pass-through)腔室被送到第二部分130。例如，腔室122、124可以是單向或雙向的透通腔室。透通腔室122、124可以用於例如在第二部分130中進行處理之前對晶圓作低溫冷卻，或者在返回第一部分120之前允許晶圓冷卻或後處理。

系統控制器190與第一機器人125、第二機器人135、第一複數個處理腔室102、104、116、118和第二複數個處理腔室106、110、112、114連通。系統控制器 190可以是可以控制處理腔室和機器人的任何合適的部件。例如，系統控制器190可以是包括中央處理單元、記憶體、合適的電路和儲存裝置的電腦。

製程通常可以作為軟體常用程式(software routine)儲存在系統控制器190的記憶體中，當處理器執行該等軟體常用程式時，該等軟體常用程式使處理腔室施行本揭示案的製程。軟體常用程式亦可由第二CPU(未圖示)儲存及(或)執行，第二CPU位於CPU 312正控制的硬體之遠端。本揭示案的一些或全部方法也可在硬體中施行。如此一來，製程可以以軟體實現且使用電腦系統在硬體中作為如應用專用積體電路或其他類型的硬體實施或者作為軟體與硬體的組合來執行。當處理器執行軟體常用程式時，軟體常用程式將通用電腦轉換為控制腔室操作的專用電腦(控制器)，使得施行該等製程。

本揭示案的一個或多個實施例係針對使叢集工具的單移送腔室刻面能夠容納多個晶圓體積的設備和方法。在一些實施例中，多個晶圓體積用作裝載閘、加熱體積、冷卻體積、這些功能的組合等。無需真空機器人進行額外的Z軸運動即可實現此功能(因為晶圓腔室空間提供了此功能)。

本揭示案的實施例使得能夠修改現有系統，而不必改變真空機器人Z軸、移送腔室體積等。一些實施例提供了對於現有移送腔室刻面數量、現有真空機器人Z軸之晶圓腔室空間數量加倍(double)的能力，且現有的移送腔室通常僅提供兩個裝載閘刻面(各自具有用於真空機器人的單晶圓移送平面)，但是用這種方法，您可以在不改變單晶圓移送平面、Z軸機器人等的情況下使裝載閘刻面的數量增加一倍。

本揭示案的一些實施例提供一種設備，該設備在每個裝載閘刻面處產生三個體積(上部、中間和下部體積)。在一些實施例中，該設備被稱為裝載閘腔室。本發明所屬領域中具有通常知識者將認識到此術語用於描述所要求保護的設備，因為中間體積可以以類似於裝載閘腔室的方式作用。中間體積與移送腔室和上部體積和下部體積相互作用。在一些實施例中，上部體積和下部體積與中間體積相互作用，且中間體積與工廠介面(FI)相互作用。

使用空間上相對的術語，如「在……之下」、「在……下方」、「下方」、「在……上方」、「上方」等可在本說明書中使用，以便於描述圖示中所示的一個元件或特徵與其他元件或特徵的關係。將理解的是，除了圖示中所描示的定向之外，空間上相對的術語還旨在涵蓋裝置在使用或操作中的不同定向。例如，如果圖示中的裝置被翻轉，則描述為在其他元件或特徵「在……下方」或「在……之下」的元件將被定向為在其他元件或特徵「在……上方」。因此，示例性術語「在……下方」可涵蓋在……上方和在……下方兩個定向。可以以其他方式定向裝置(旋轉10度或以其他定向)，並據此解釋此處使用的空間上相對的術語。

在示例性實施例中，晶圓透過上部體積或下部體積從FI移動到主框架中。上部體積或下部體積被抽至所需的真空度。一旦達到真空程度，中間體積與上部體積或下部體積之間的大門就會打開，使得晶圓可以移入中間體積中。一旦晶圓移入中間體積中，移送腔室中的真空機器人可以與晶圓相互作用。當上部體積(透過中間體積)與移送腔室相互作用時，下部體積可以與FI、泵送或排氣、加熱或冷卻等相互作用。可以在與上部體積和中間體積不同的壓力下進行此操作(因為上部體積中間體積之間的門是打開的，所以當時是單體積)。可以調節體積以容納選擇的任何數量的晶圓。

在一些實施例中，加熱站和/或冷卻站被整合到體積中。在一些實施例中，加熱和/或冷卻被整合到上部體積和下部體積中的基板支撐件中。一些實施例具有可變螺距的裝載閘以容納大量晶圓。

圖2至圖5表示裝載閘腔室200的一個或多個實施例。圖2表示裝載閘腔室200的示意性截面圖。圖示中使用的陰影旨在幫助區別部件，且不應被視為限制任何特定的構造材料。

現在參考圖2和圖3，繪示裝載閘腔室200的一個或多個實施例。裝載閘腔室200的中間部分220具有內表面222和外表面224，內表面222和外表面224界定中間部分壁厚度。內表面222含有中間體積226。

外表面224具有第一中間刻面228。如以這種方式使用的，術語「刻面(facet)」是指對象裝置的具有經配置與另一部件的表面相互作用的成形表面的一部分。例如，圖3所示的刻面是平坦的，且如圖1所示，刻面連接到第二中央移送站131外部的平坦表面。第一中間刻面228經配置連接至叢集工具100，且具有狹縫閥開口229，狹縫閥開口229提供通過外表面224與中間部分220的壁進出中間體積226的途徑。

裝載閘腔室200具有軸205，該軸僅出於描述目的而垂直定向。使用垂直定向的描述符(如在……上方、上方、在……下方、下方)所描述的部件沿軸205間隔開。在一些實施例中，軸205被稱為Z軸。在一些實施例中，軸205被稱為沿第一方向延伸。本發明所屬領域中具有通常知識者將認識到，空間上定向語言的使用並非暗示空間中的固定定向。

裝載閘腔室200包括上部分240，上部分240在中間部分220上方且沿著軸205定位。上部分240連接到中間部分220的頂部221。在所示的實施例中，上部分240透過如下面進一步描述的上分隔部分連接到中間部分220的頂部221。在一些實施例中，上部分240直接連接到中間部分220的頂部221，而不需要中介(intervening)部分。

上部分240具有內表面242和外表面244，內表面242和外表面244界定上部分240的壁的厚度。內表面242含有上部體積246。當上部體積246與中間體積226之間沒有物理阻障(physical barrier)時，上部體積246相對於中間體積226的邊界不是具體的(specific)。當物理阻障(如分隔件235)定位於上部體積246和中間體積226之間時，物理阻障界定上部體積246和中間體積226的邊界。

上部分240可藉由上部可移動分隔件235而與中間部分220隔離。換句話說，在一些實施例中，上部體積246可藉由上部可移動分隔件235而與中間體積226隔離。

在一些實施例中，上部可移動分隔件235在裝載閘腔室200的上分隔部分230中。上分隔部分230具有內表面232和外表面234。內表面232含有上分隔體積236。可移動的上分隔件235在上分隔體積236內。

在一些實施例中，上分隔部分230包括上分隔件致動器238。上分隔件致動器238可以是本發明所屬領域中具有通常知識者習知的用於真空處理腔室中的任何合適的致動器/馬達，其經配置移動分隔件235。在一些實施例中，上分隔件致動器238經配置將上分隔件235在中間部分220和上部分240之間從密封位置(如圖2所示)移動到打開位置(如圖6A所示)，其中分隔件235沒有對上部體積246或中間體積226形成邊界。

在一些實施例中，上分隔部分230具有相對於軸205水平延伸的延伸部分237。例如，一些實施例的上分隔部分230的延伸部分237位於垂直於軸205的X-Y平面內。在一些實施例中，上分隔件致動器以相對於腔室軸205 在80º至110º範圍內的角度移動上分隔件235。本發明所屬領域中具有通常知識者將認識到，根據裝載閘腔室200的定向，上分隔件可以在相對於腔室軸205的任一方向上移動。例如，在圖式所示的上分隔件的移動方向可以與鏡像分量(mirror image component)相反。

在一些實施例中，上分隔件致動器238經配置將上分隔件235移動到延伸部分237中。當在延伸部分237中時，上分隔件235處於打開位置。

裝載閘腔室200包括下部分260，下部分260在中間部分220下方且沿著軸205定位。換句話說，在一些實施例中，下部分260沿著腔室軸205且在與上部分240相對的中間部分220的一側上。下部分260連接到中間部分220的底部223。在所示的實施例中，下部分260透過如下面進一步描述的下分隔部分250連接到中間部分220的底部223。在一些實施例中，下部分260直接連接到中間部分220的底部223，而不需要中介部分。

下部分260具有內表面262和外表面264，內表面262和外表面264界定下部分260的壁的厚度。內表面262含有下部體積266。當下部體積266與中間體積226之間沒有物理阻障時，下部體積266相對於中間體積226的邊界不是具體的。當物理阻障(如分隔件255)定位於下部體積266和中間體積226之間時，物理阻障界定下部體積266和中間體積226的邊界。

下部分260可藉由下部可移動分隔件255而與中間部分220隔離。換句話說，在一些實施例中，下部體積266可藉由下部可移動分隔件255而與中間體積226隔離。

在一些實施例中，下部可移動分隔件255在裝載閘腔室200的下分隔部分250中。下分隔部分250具有內表面252和外表面254。內表面252含有下分隔體積256。可移動的下分隔件255在下分隔體積256內。

在一些實施例中，下分隔部分250包括下分隔件致動器258。下分隔件致動器258可以是本發明所屬領域中具有通常知識者習知的用於真空處理腔室中的任何合適的致動器/馬達，其經配置移動分隔件255。在一些實施例中，下分隔件致動器258經配置將下分隔件255在中間部分220和下部分260之間從密封位置(如圖2所示)移動到打開位置(如圖6C所示)，其中分隔件255沒有對下部體積266或中間體積226形成邊界。

在一些實施例中，下分隔部分250具有相對於軸205水平地延伸的延伸部分257。例如，一些實施例的下分隔部分250的延伸部分257位於垂直於軸205的X-Y平面內。在一些實施例中，下分隔件致動器258以相對於腔室軸205在80°至110°範圍內的角度移動下分隔件255。

在一些實施例中，下分隔件致動器258經配置將下分隔件255移動到延伸部分257中。當在延伸部分257中時，下分隔件255處於打開位置。

上基板支撐件270位於上部分240內，且當上分隔件235處於打開位置時上基板支撐件270可移動至中間部分220。在一些實施例中，上馬達272(圖3所示)連接到上部分240。上馬達272經配置使上基板支撐件270沿著腔室軸205在上部分240和中間部分220之間移動。圖3中的上馬達272透過上部活塞274連接至上部分240。上馬達272包括能夠使上基板支撐件270沿腔室軸205移動的馬達、氣動裝置、液壓裝置或其他部件。

下基板支撐件280位於下部分260內，且當下分隔件255處於打開位置時下基板支撐件280可移動至中間部分220。在一些實施例中，下馬達282(如圖3所示)連接到下部分260。下馬達282經配置使下基板支撐件280沿著腔室軸205在下部分260和中間部分220之間移動。圖3中的下馬達282透過下部活塞284連接至下部分260。下馬達282包括能夠使下基板支撐件280沿著腔室軸205移動的馬達、氣動裝置、液壓裝置或其他部件。

參照圖4，裝載閘腔室200的一些實施例包括在中間部分220的外表面224上的第二中間刻面328。第二中間刻面328具有第二狹縫閥開口329，第二狹縫閥開口329提供通過外表面224與中間部分220的壁進出中間體積226的途徑。

在所示的實施例中，第二中間刻面328從第一中間刻面228繞腔室軸205約90°。在一些實施例中，由第二中間刻面328所形成的平面在從第一中間刻面228繞腔室軸205成15°至180°範圍內的一角度處。

在一些實施例中，第二中間刻面328經配置連接至叢集工具的第二刻面。例如，參考圖1，裝載閘腔室200的第二中間刻面328面向處理腔室110的側面以及形成到處理腔室110的連接。在一些實施例中，裝載閘腔室200替代叢集工具100的第一部分120和第二部分130之間的緩衝腔室122和/或緩衝腔室124。在這種類型的一些實施例中，裝載閘腔室200具有連接到第一中央移送站121的第一中間刻面228以及連接到第二中央移送站131的第二中間刻面328。

在一些實施例中，第二中間刻面328經配置用於大氣操作。例如，一些實施例的第二中間刻面328經配置作為中間部分220工廠介面，以允許晶圓移動進出叢集工具100。

在一些實施例中，如圖4所示，上部分240或下部分260中的一個或多個包括用於與其他部件介接的刻面348、368。在一些實施例中，上部分240的外表面244具有上刻面348，該上刻面348具有上狹縫閥開口349，該上狹縫閥開口349提供通過外部表面244與上部分240的壁進出上部體積246的途徑。

在一些實施例中，上刻面348經配置用於大氣操作。在一些實施例中，上刻面348經配置作為上部分240的工廠介面，以允許晶圓移動進出叢集工具100。

在一些實施例中，下部分260的外表面264具有下刻面368，下刻面368具有下狹縫閥開口369，該下狹縫閥開口369提供通過外表面264與下部分260的壁進出下部體積266的途徑。

在一些實施例中，下刻面368經配置用於大氣操作。在一些實施例中，下刻面368經配置作為下部分260工廠介面，以允許晶圓移動進出叢集工具100。

圖5繪示裝載閘腔室200的實施例，裝載閘腔室200具有中間部分220，該中間部分220帶有第一中間刻面228和第二中間刻面328。省略了上部分240和下部分260的壁，以表示連接到活塞274、284的基板支撐件270、280。

上基板支撐件270和下基板支撐件280可以是相同類型的支撐系統或可以是不同的。圖5A表示根據本揭示案的一個或多個實施例的上基板支撐件270。晶圓101以虛線表示，以繪示基板將以該定向被支撐。本發明所屬領域中具有通常知識者將理解，下基板支撐件280可以與圖5A所示的配置相同，且關於上基板支撐件270此處描述的實施例可應用於下基板支撐件280。

在一些實施例中，上基板支撐件270包括繞腔室軸205間隔開一距離的複數個支撐樑(beam)311。每個支撐樑311具有從支撐樑311向內延伸的複數個支撐指狀物(finger)314。複數個支撐指狀物沿著腔室軸205間隔開，使得基板101可以被支撐在每個支撐樑311的支撐指狀物314的支撐表面316上。

在一些實施例中，基板支撐件包括複數個加熱和/或冷卻板318。在圖5A所示的實施例中，僅出於說明目的表示一個加熱板和/或冷卻板318。然而，本發明所屬領域中具有通常知識者將認識到，加熱板和/或冷卻板318可以像支撐指狀物314一樣沿著腔室軸205間隔開。

如圖1所示，叢集工具100的一些實施例包括控制器190，該控制器190經配置施行一個或多個動作以操作裝載閘腔室200。在一些實施例中，控制器190經配置施行以下步驟中的一者或多者：打開和/或關閉該等分隔件235、255，致動馬達272、282以移動基板支撐件270、280、打開和/或關閉一個或多個狹縫閥229、329、349、369，打開和/或關閉一個或多個大氣介面，加熱基板支撐件，冷卻基板支撐件，使氣體個別地流入和/或流出裝載閘腔室200、中間部分220、上部分240和/或下部分260。

圖6A至圖6C繪示使用裝載閘腔室200的方法。在圖6A中，將上分隔件235移動到上分隔延伸部237中，使得中間體積226和上部體積246結合。上基板支撐件270移動到中間部分220中，使得可以透過狹縫閥229進出基板。

在打開上分隔件235之前，在中間部分220(中間體積226)和上部分(上部體積246)中產生處理環境。中間體積226和上部體積246中的處理環境足夠相似，使得打開分隔件235而不會發生意外的氣相反應。

在來自上基板支撐件270的基板完成使用、移除或添加到基板支撐件之後，將上基板支撐件270移動到上部分240的上部體積246。如圖6B所示，可移動的上分隔件235移動到關閉位置以使上部體積246與中間體積226隔離。

在圖6B的配置中，中間部分220、上部分240和下部分260中的各者可以具有相同或不同的處理環境。在一些實施例中，上部分240或下部分260中的一個或多個具有處理條件以處置基板，加熱基板，冷卻基板，與基板上的膜反應，在基板上沉積膜和/或在蝕刻基板上的膜。上部分240和/或下部分260可以用作用於任何合適製程的處理腔室。在一些實施例中，當基板支撐件270、280在中間體積226中時，中間部分220用作如上所述的處理腔室。

在一些實施例中，修改隔離的中間體積226，使得近似在下部分260中產生的處理條件。接著可移動的下分隔件255可以移動到打開位置，如圖6C所示，以及下基板支撐件280可以移動到中間部分220。

一種操作方法的一些實施例包括以下步驟中的一者或多者：在該上部分的一上部體積中產生該處理環境，該上部體積具有連接到一上馬達的一上基板支撐件，該上馬達經配置使該上基板支撐件在該上部體積和該中間體積之間移動；打開上部分以允許上基板支撐件在上部體積與中間體積之間移動；將該上基板支撐件從該上部體積移動到該中間體積或從該中間體積移動到該上部體積；關閉該上分隔件以將該上部體積與該中間體積隔離開；在該下部分的一下部體積中產生該處理環境，該下部體積具有連接到一下馬達的一下基板支撐件，該下馬達經配置使該下基板支撐件在該下部體積和該中間體積之間移動；打開一下分隔件，以允許該下基板支撐件在該下部體積和該中間體積之間移動；將該下基板支撐件從該下部體積移動到該中間體積或從該中間體積移動到該下部體積；關閉該下分隔件以將該下部體積與該中間體積隔離開；打開在該中間部分的一外表面的一刻面中的一狹縫閥，以允許透過該外表面進出該中間體積；透過該外表面中的該狹縫閥中進出該中間體積，以使一基板在該中間體積與該裝載閘腔室外部的一體積之間移動；及/或關閉該中間部分的該外表面的該刻面中的該狹縫閥，以使該中間體積與該外表面隔離開。

本揭示案的一個或多個實施例係針對非暫態電腦可讀取媒體。包括指令的非暫態電腦可讀取媒體，當裝載閘腔室的控制器執行該等指令時，該等指令使該裝載閘腔室施行以下操作：在該裝載閘腔室的一中間體積、一上部體積或一下部體積中的一個或多個中產生一處理環境；打開和/或關閉一上分隔件或下分隔件，以允許該上部體積和/或該下部體積與該中間體積之間的運動及/或防止該上部體積和/或該下部體積與該中間體積之間的運動；在該上部體積和該中間體積之間或在該下部體積和該中間體積之間移動一上基板支撐件或一下基板支撐件中的一個或多個；打開和/或關閉該中間部分、上部分或下部分中的一個或多個的一刻面中的一個或多個狹縫閥；及透過該狹縫閥進出該中間體積、該上部體積或該下部體積中的一個或多個。

「一」及「一個」及「該」的術語的使用及描述本案說明書中所討論的材料和方法的內文中的類似參考詞(特別在以下申請專利範圍的內文中)應被理解為包含單數及複數兩者，除非此處另外指示或與內文明顯牴觸。此處值的範圍的列舉僅意圖供以代表對落入該範圍中各分開的值的個別的一速記方法，除非此處另外指示，且各單獨的值被併入說明書如其個別地在此處被列舉。此處所述的所有方法可以依任何適合的順序施行，除非此處指示或與內文明顯牴觸。此處所提供的任何及所有實例的使用，或示例性詞彙(如，「例如」)，僅意圖更佳地闡明材料與方法，且並非對其設限，除非另外主張。說明書中並無詞彙應被理解為指示任何非主張的元素對本揭露的材料與方法實踐係為重要的。

在整個說明書中對「一個實施例」、「某些實施例」、「一個或多個實施例」或「實施例」的引用意味著結合本揭示案的至少一個實施例中所包含的該實施例描述的特定特徵、結構、材料或特性。因此，整個說明書各處出現的如「在一個或多個實施例中」、「在某些實施例中」、「在一個實施例中」或「在一實施例中」用語不一定指本揭示案的相同實施例。此外，特定的特徵、結構、材料或特性可以以任何合適的方式在一個或多個實施例中組合。

儘管已經參考特定實施例描述了本揭示案，但是本發明所屬領域中具有通常知識者將理解，所描述的實施例僅是本揭示案的原理和應用的說明。對於發明所屬領域中具有通常知識者來說顯而易見的是，在不背離本揭示案的精神和範圍下，可以對本揭示案的方法和設備作作各種修改和變化。因此，本揭示案可以包括在所附申請專利範圍及其等效物的範圍內的修改和變化。