TWI865879B

TWI865879B - 電子裝置及其製作方法

Info

Publication number: TWI865879B
Application number: TW111121902A
Authority: TW
Inventors: 謝朝樺; 陳逸安
Original assignee: 群創光電股份有限公司
Priority date: 2021-12-15
Filing date: 2022-06-13
Publication date: 2024-12-11
Also published as: US20230187586A1; TW202327116A; CN116267003A

Abstract

一種電子裝置，包括基板、電子元件、阻隔層、吸光層以及濾光層。電子元件設置於基板上。阻隔層設置於基板上且圍繞電子元件的側表面。吸光層設置於阻隔層上。濾光層設置於電子元件上。上述電子裝置的製作方法包括以下步驟：提供基板；設置電子元件於基板上；形成阻隔層於基板上，以使阻隔層圍繞電子元件的側表面；形成吸光層於阻隔層上；以及形成濾光層於電子元件上。

Description

電子裝置及其製作方法

本揭露是有關於一種電子裝置及其製作方法，且特別是有關於一種可增加出光效率或增加環境對比度的電子裝置及其製作方法。

電子裝置或拼接電子裝置已廣泛地應用於通訊、顯示、車用或航空等不同領域中。隨電子裝置蓬勃發展，電子裝置朝向輕薄化開發，因此對於電子裝置的可靠度或品質要求越高。

本揭露提供一種電子裝置及其製作方法，具有可增加出光效率或增加環境對比度的效果。

本揭露的電子裝置包括基板、電子元件、阻隔層、吸光層以及濾光層。電子元件設置於基板上。阻隔層設置於基板上且圍繞電子元件的側表面。吸光層設置於阻隔層上。濾光層設置於電子元件上。

本揭露的電子裝置的製作方法包括以下步驟：提供基板；設置電子元件於基板上；形成阻隔層於基板上，以使阻隔層圍繞電子元件的側表面；形成吸光層於阻隔層上；以及形成濾光層於電子元件上。

為讓本揭露的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

透過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及為了圖式的簡潔，本揭露中的多張圖式只繪出電子裝置的一部分，且圖式中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。

在下文說明書與申請專利範圍中，「含有」與「包括」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。

應了解到，當元件或膜層被稱為在另一個元件或膜層「上」或「連接到」另一個元件或膜層時，它可以直接在此另一元件或膜層上或直接連接到此另一元件或層，或者兩者之間存在有插入的元件或膜層(非直接情況)。相反地，當元件被稱為「直接」在另一個元件或膜層「上」或「直接連接到」另一個元件或膜層時，兩者之間不存在有插入的元件或膜層。

雖然術語「第一」、「第二」、「第三」…可用以描述多種組成元件，但組成元件並不以此術語為限。此術語僅用於區別說明書內單一組成元件與其它組成元件。申請專利範圍中可不使用相同術語，而依照申請專利範圍中元件宣告的順序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文說明書中，第一組成元件在申請專利範圍中可能為第二組成元件。

於文中，「約」、「大約」、「實質上」、「大致上」之用語通常表示在一給定值或範圍的10%內、或5%內、或3%之內、或2%之內、或1%之內、或0.5%之內。在此給定的數量為大約的數量，亦即在沒有特定說明「約」、「大約」、「實質上」、「大致上」的情況下，仍可隱含「約」、「大約」、「實質上」、「大致上」之含義。

在本揭露一些實施例中，關於接合、連接之用語例如「連接」、「互連」等，除非特別定義，否則可指兩個結構係直接接觸，或者亦可指兩個結構並非直接接觸，其中有其它結構設於此兩個結構之間。且此關於接合、連接之用語亦可包括兩個結構都可移動，或者兩個結構都固定之情況。此外，用語「耦接」包含任何直接及間接的電性連接手段。

在本揭露一些實施例中，可使用光學顯微鏡(optical microscopy，OM)、掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope，SEM)、薄膜厚度輪廓測量儀(α-step)、橢圓測厚儀、或其它合適的方式量測各元件的面積、寬度、厚度或高度、或元件之間的距離或間距。詳細而言，根據一些實施例，可使用掃描式電子顯微鏡取得包含欲量測的元件的剖面結構影像，並量測各元件的面積、寬度、厚度或高度、或元件之間的距離或間距。

本揭露的電子裝置可包括顯示裝置、封裝裝置、半導體封裝裝置、背光裝置、天線裝置、感測裝置或拼接裝置，但不以此為限。電子裝置可為可彎折或可撓式電子裝置。顯示裝置可為非自發光型顯示裝置或自發光型顯示裝置。天線裝置可為液晶型態的天線裝置或非液晶型態的天線裝置，感測裝置可為感測電容、光線、熱能或超聲波的感測裝置，但不以此為限。電子元件可包括被動元件與主動元件，例如電容、電阻、電感、二極體、電晶體等。二極體可包括發光二極體或光電二極體。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot LED)，但不以此為限。拼接裝置可例如是顯示器拼接裝置或天線拼接裝置，但不以此為限。需注意的是，電子裝置可為前述之任意排列組合，但不以此為限。下文將以電子裝置說明本揭露內容。

須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、混合以完成其它實施例。各實施例間特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。

現將詳細地參考本揭露的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

圖1A為本揭露一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。圖1B為圖1A的電子裝置沿剖面線Ⅰ-Ⅰ’的剖面示意圖。為了附圖清楚及方便說明，圖1A省略繪示電子裝置100中的若干元件，例如省略繪示了阻隔層130，但不以此為限。

請參照圖1A與圖1B，本實施例的電子裝置100包括基板110、電子元件120、阻隔層130、吸光層140以及濾光層150。電子元件120可設置於基板110上。阻隔層130可設置於基板110上，且可圍繞電子元件120的側表面123。吸光層140可設置於阻隔層130上。濾光層150可設置於電子元件120上。

基板110可包括基板本體和基板本體上的電路層。例如，基板110可包括基板本體、驅動元件(未顯示)以及接合墊112，但不以此為限。驅動元件和接合墊112可設置於基板本體的表面上，且接合墊112可電性連接至驅動元件。例如，驅動元件可包括薄膜電晶體(TFT; thin film transistor)TFT。

在本實施例中，基板本體可包括硬性基板、軟性基板或前述的組合。舉例來說，基板110的材料可包括玻璃、石英、藍寶石(sapphire)、矽晶圓、碳化矽晶圓、陶瓷、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚甲基丙烯酸甲酯、矽氧烷、聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其它合適的基板材料、或前述的組合，但不以此為限。

在本實施例，方向X、方向Y以及方向Z分別為不同的方向。方向X例如是剖面線Ⅰ-Ⅰ’的延伸方向，方向Z例如是基板110的法線方向。其中，方向X大致上垂直於方向Z，且方向X與方向Z則分別大致上垂直於方向Y，但不以此為限。

電子元件120可設置於基板110的表面110a上。依據一些實施例，電子元件120可設置在基板110的接合墊112上，並且，電子元件120可電性連接至接合墊112。電子元件120具有第一表面121、第二表面122以及側表面123。第一表面121面向基板110，第一表面121與第二表面122彼此相對，且側表面123連接第一表面121與第二表面122。電子元件120可包括導電件126。在本實施例中，電子元件120可透過導電件126電性連接至接合墊112。其中，導電件126設置於電子元件120的第一表面121上，且設置於電子元件120與接合墊112之間。導電件126可以為電子元件120的電極、焊球或異方性導電膜( anisotropic conductive film，ACF)，但不以此為限。在本實施例中，電子元件120可以為發光二極體，舉例來說，電子元件120可例如是紅色發光二極體、綠色發光二極體或藍色發光二極體，但不以此為限。

在本實施例中，在電子元件120的第二表面122與基板110的表面110a之間具有距離D1。距離D1可以為電子元件120的第二表面122與基板110的表面110a之間沿著基板110的法線方向(方向Z)進行量測到的距離。距離D1例如是3微米(μm)至5微米，但不以此為限。此外，在本實施例中，於基板110的法線方向(方向Z)上，電子元件120可重疊於接合墊112的一部分1121且暴露出接合墊112的另一部分1122。

阻隔層130設置於基板110的表面110a上。阻隔層130可圍繞電子元件120的側表面123，以提高電子元件120的出光效率(light efficiency)或提高色域(color gamut)。阻隔層130與電子元件120的側表面123之間具有間隙。在本實施例中，阻隔層130具有厚度T1。厚度T1可以為阻隔層130沿著基板110的法線方向(方向Z)進行量測到的厚度。厚度T1可例如是大於或等於距離D1，但不以此為限。厚度T1可例如是1微米至25微米，但不以此為限。阻隔層130的厚度T1，例如可為3微米至15微米，例如可為5微米至10徵米。阻隔層130的厚度T1可依據電子元件120的厚度而做調整。依據一些實施例，電子元件120可為發光元件，阻隔層130的厚度T1可為大於電子元件120的厚度。如此，阻隔層130可遮蔽電子元件120的側向漏光。此外，在本實施例中，阻隔層130可以為單層結構或多層結構。當阻隔層130為單層結構時，阻隔層130的材料可包括白色光阻或灰色光阻。當阻隔層130為多層結構時，阻隔層130的材料可包括透明光阻與金屬層的疊層。依據一些實施例，阻隔層130可為畫素定義層(pixel defining layer)。

吸光層140設置於阻隔層130遠離基板110的表面上，以降低環境光(ambient light)反射，並提高環境對比度(ambient contrast)。依據一些實施例，基板110包括接合墊112，電子元件120電性連接至接合墊112，且吸光層140的一部分141可設置於接合墊112上。例如，吸光層140的一部分141可設置在接合墊112的另一部分1122上，並覆蓋接合墊112的另一部分1122，以進一步地降低環境光反射。吸光層140可接觸阻隔層130。此外，在本實施例中，吸光層140具有厚度T2。厚度T2可以為吸光層140沿著基板110的法線方向(方向Z)進行量測到的厚度。厚度T2可例如是0.1微米至5微米，但不以此為限。吸光層140的厚度T2，例如可為0.3微米至3微米，例如可為0.5微米至2微米。在本實施例中，由於吸光層140的厚度T2可以為0.5微米至2微米，因而使得吸光層140不會因為太厚而不易使用微影製程(photolithography process)來形成，或使得吸光層140不會因為太厚而影響電子元件120的出光效率。

如圖1B所示，在本實施例中，吸光層140是透過微影製程所形成。如此，吸光層140可包括平坦表面。例如，吸光層140遠離阻隔層130的表面142可包括平坦表面。具體來說，吸光層140在方向X上可平均分為三等份，即左邊等分143、中間等分144以及右邊等分145。其中，吸光層140的平坦表面至少可位於中間等分144所對應的表面142。依據一些實施例，吸光層140可包括吸光材料和樹脂。吸光材料可為顏色材料，例如黑色材料、灰色材料、深色材料、或其組合。吸光層140中的吸光材料可為色膏、碳黑、鈦黑、染料黑。此外，在本實施例中，吸光層140可為矩陣形狀，可例如是黑色矩陣(black matrix，BM)或灰色矩陣。依據一些實施例，吸光層140可為顏色光阻。

本實施例的電子裝置100還可包括填充層160。填充層160可設置於電子元件120與阻隔層130之間，且可設置於電子元件120與基板110之間。具體而言，填充層160可設置於電子元件120與阻隔層130之間的間隙，且可設置於電子元件120與基板110之間的間隙，以用來固定電子元件120。

詳細而言，如圖1B所示，填充層160一部分160a可設置於電子元件120與阻隔層130之間的間隙，填充層160的另一部分160b可設置於電子元件120與基板110之間的間隙，以用來固定電子元件120。此外，在本實施例中，填充層160可例如是固晶膠(die attached paste)，但不以此為限。

如圖1B所示，濾光層150可設置於電子元件120的第二表面122上。濾光層150的一部分151可設置於填充層160上。濾光層150可被阻隔層130圍繞。濾光層150可接觸電子元件120的第二表面122以及部分的側表面123，以用來限制特定波長的光透過，以減少電子元件120被環境光反射。在本實施例中，由於濾光層150是透過微影製程所形成，因而使得濾光層150遠離電子元件120的表面152可包括平坦表面。具體來說，濾光層150在方向X上可平均分為三等份，即左邊等分153、中間等分154以及右邊等分155。其中，濾光層150的平坦表面至少可位於中間等分154所對應的表面152。此外，在本實施例中，濾光層150可為顏色光阻，例如是紅色濾光層、綠色濾光層或藍色濾光層，但不以此為限。

在本實施例中，電子裝置100的製作方法可例如是包括但不限於以下步驟：提供基板110；設置電子元件120於所述基板110上；形成阻隔層130於所述基板110上，且使所述阻隔層130圍繞所述電子元件120的側表面123；形成吸光層140於所述阻隔層130上；以及形成濾光層150於所述電子元件120上。

詳細而言，依據一些實施例，電子裝置100的製作方法可例如是包括但不限於以下步驟：首先，提供基板110；接著，設置電子元件120於基板110上；接著，形成阻隔層130於基板110上，以使阻隔層130可圍繞電子元件120的側表面123；接著，形成吸光層140於阻隔層130上；接著，形成填充層160於電子元件120與基板110之間，並形成填充層160於電子元件120與阻隔層130之間；接著，形成濾光層150於電子元件120上。

依據一些實施例，基板110可包括接合墊112，本揭露方法更包括：將吸光層140的一部分141設置於接合墊112上。依據一些實施例，本揭露方法更包括：形成填充層160於電子元件120與基板110之間，並形成填充層160於電子元件120與阻隔層130之間。依據一些實施例，本揭露方法更包括：形成濾光層150的一部分於填充層160上。依據一些實施例，本揭露方法更包括：形成光轉換層170於電子元件120與所述濾光層150之間。

如圖1B所示，在本實施例中，形成吸光層140的步驟可以在形成濾光層150的步驟之前，但不以此為限。在一些實施例中，由於吸光層140與濾光層150皆是透過微影製程所形成，因而使得形成吸光層140的步驟也可以在形成濾光層150的步驟之後。此外，在一些實施例中，吸光層140也可以透過印刷製程所形成，例如噴墨印刷製程(inkjet printing process)所形成(如圖3所示)。濾光層150也可以透過印刷製程所形成，例如透過噴墨印刷製程所形成(如圖2至圖4所示)。至此，已大致上製作完成本實施例的電子裝置100。另外，依據一些實施例，形成光轉換層170的步驟可在形成濾光層150的步驟之前。

以下將列舉其它實施例以作為說明。在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖2為本揭露另一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。請同時參考圖1B與圖2，本實施例的電子裝置100a與圖1B中的電子裝置100相似，惟二者差異之處在於：在本實施例的電子裝置100a中，濾光層150a可包括弧形表面152a。

具體來說，請參照圖2，在本實施例中，濾光層150a是透過噴墨印刷製程所形成。如此，濾光層150a可包括弧形表面152a。例如，如圖2所示，濾光層150a的表面可包括弧形表面152a。其中，濾光層150a的弧形表面152a至少可位於濾光層150a的中間等分154所對應的表面。此外，雖然圖2所繪示的濾光層150a的弧形表面152a可以為凸出的弧形表面，但不以此為限。在一些實施例中，濾光層的弧形表面也可以為凹陷的弧形表面(未繪示)。依據一些實施例，詳細而言，濾光層150a的弧形表面152a可為凸起表面，例如，濾光層150a中間等分154具有凸起表面，朝向遠離基板110的方向而凸起。藉由濾光層150a的凸起表面，可增加出光角度，增加電子裝置100a的視角。

另外，在本實施例中，由於吸光層140與濾光層150a分別是以不同的製作方法所形成，其中吸光層140是透過微影製程所形成，且濾光層150a是透過印刷製程所形成。形成吸光層140的步驟(即微影製程)，可在形成濾光層150a的步驟(即印刷製程)之前。依據一些實施例，如圖2所示，可在形成阻隔層130和吸光層140之後，再將電子元件120設置在基板110上。具體而言，在以微影製程形成阻隔層130和吸光層140，並形成阻隔層130的開口130A之後，再將電子元件120設置於開口130A內。接著，再以噴墨印刷製程形成濾光層150a。

圖3為本揭露另一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。請同時參考圖2與圖3，本實施例的電子裝置100b與圖2中的電子裝置100a相似，惟二者差異之處在於：在本實施例的電子裝置100b中，吸光層140b可包括弧形表面142b，且吸光層140b不會覆蓋接合墊112。

具體來說，請參照圖3，在本實施例中，吸光層140b是透過印刷製程所形成。如此，吸光層140b可包括弧形表面142b，並使得吸光層140b不會設置於接合墊112的另一部分1122上。其中，吸光層140b的弧形表面142b至少可位於吸光層140b中間等分144所對應的表面。此外，雖然圖3所繪示的吸光層140b的弧形表面142b可以為凸出的弧形表面，但不以此為限。在一些實施例中，吸光層的弧形表面也可以為凹陷的弧形表面(未繪示)。依據一些實施例，濾光層150可包括弧形表面152a，例如，弧形表面152a至少可位於中間等分154所對應的表面。

另外，在本實施例中，由於吸光層140b與濾光層150a皆是透過印刷製程所形成，因而使得形成吸光層140b的步驟可以在形成濾光層150a的步驟之前或之後。

圖4為本揭露另一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。請同時參考圖2與圖4，本實施例的電子裝置100c與圖2中的電子裝置100a相似，惟二者差異之處在於：本實施例的電子裝置100c更包括光轉換層170。

具體來說，請參照圖4，光轉換層170可設置於電子元件120與濾光層150a之間。例如，光轉換層170可設置於電子元件120的第二表面122與濾光層150a之間。光轉換層170可被阻隔層130圍繞。光轉換層170可接觸電子元件120的第二表面122以及部分的側表面123。

如圖4所示，在本實施例中，由於光轉換層170是透過印刷製程所形成，因而使得光轉換層170遠離電子元件120的表面172可包括弧形表面。具體來說，光轉換層170在方向X上可平均分為三等份，即左邊等分173、中間等分174以及右邊等分175。其中，光轉換層170的弧形表面至少可位於中間等分174所對應的表面172。此外，在本實施例中，光轉換層170的材料可包括量子點(quantum dot，QD)、螢光(fluorescence)、磷光(phosphor)或前述的組合，但不以此為限。舉例來說，當電子元件120為藍色發光二極體時，光轉換層170可以為紅色量子點(或綠色量子點)，且濾光層150a可以為紅色濾光層(或綠色濾光層)，藉此可使電子裝置100c可發出紅光(或綠光)。如圖4所示，依據一些實施例，濾光層150可包括弧形表面152a，例如，弧形表面152a至少可位於中間等分154所對應的表面。

在本實施例中，由於光轉換層170位於電子元件120的第二表面122與濾光層150a之間，因而使得形成光轉換層170的步驟應要在形成濾光層150a的步驟之前。此外，當形成濾光層150a的步驟在形成光轉換層170的步驟之後，且光轉換層170的材料為對高溫敏感的量子點時，濾光層150a應要具有可在150°C以下的低溫進行固化的特性。

此外，在本實施例中，由於吸光層140與光轉換層170分別是以不同的製作方法所形成，其中吸光層140是透過微影製程所形成，且光轉換層170是透過印刷製程所形成，因而使得形成吸光層140的步驟(即微影製程)應要在形成光轉換層170的步驟(即印刷製程)之前。

另外，在一些實施例中，吸光層140也可以透過印刷製程來形成，且濾光層150a也可以透過微影製程來形成。

綜上所述，在本揭露實施例的電子裝置及其製作方法中，由於阻隔層可圍繞在電子元件的側表面，因而可提高電子元件的出光效率和/或可提高色域。依據一些實施例，由於吸光層可設置於阻隔層遠離基板的表面上，因而可降低環境光反射，並提高環境對比度。依據一些實施例，由於濾光層可設置於電子元件的第二表面上，因而可用來限制特定波長的光透過，進而可減少電子元件被環境光反射。

雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、100a、100b、100c:電子裝置 110:基板 110a、142、152、172:表面 112:接合墊 1121、160a:部分 1122、160b:另一部分 120:電子元件 121:第一表面 122:第二表面 123:側表面 126:導電件 130:阻隔層 130A:開口 140、140b:吸光層 141、151:部分 142b、152a:弧形表面 143、153、173:左邊等分 144、154、174:中間等分 145、155、175:右邊等分 150、150a:濾光層 160:填充層 170:光轉換層 D1:距離 T1、T2:厚度 TFT:電晶體 X、Y、Z:方向

圖1A為本揭露一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。圖1B為圖1A的電子裝置沿剖面線Ⅰ-Ⅰ’的剖面示意圖。圖2為本揭露另一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。圖3為本揭露另一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。圖4為本揭露另一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。

100:電子裝置

110:基板

110a、142、152:表面

112:接合墊

1121、160a:部分

1122、160b:另一部分

120:電子元件

121:第一表面

122:第二表面

123:側表面

126:導電件

130:阻隔層

140:吸光層

141:部分

143、153:左邊等分

144、154:中間等分

145、155:右邊等分

150:濾光層

160:填充層

D1:距離

T1、T2:厚度

TFT:電晶體

X、Y、Z:方向

Claims

一種電子裝置，包括：基板，包括基板本體、驅動元件以及接合墊，其中所述接合墊電性連接至所述驅動元件；電子元件，設置於所述基板上且電性連接至所述接合墊，其中所述電子元件具有第一表面、第二表面以及側表面，所述第一表面面向所述基板，所述第一表面與所述第二表面彼此相對，且所述側表面連接所述第一表面與所述第二表面；阻隔層，設置於所述基板上，且圍繞所述電子元件的所述側表面，其中所述阻隔層具有側表面，所述阻隔層的所述側表面與所述電子元件的所述側表面彼此相對，且所述阻隔層的所述側表面與所述電子元件的所述側表面之間具有間隙；吸光層，設置於所述基板上且包括彼此分離的第一部分與第二部分，其中所述吸光層的所述第一部分設置於所述阻隔層上，且所述吸光層的所述第二部分設置於所述接合墊上且設置於所述間隙內；濾光層，設置於所述電子元件的所述第二表面上，其中所述阻隔層圍繞所述濾光層；以及填充層，設置於所述基板上，所述填充層的至少一部分設置於所述間隙內且設置於所述吸光層的所述第二部分上。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述吸光層的所述第二部分的高度低於所述電子元件的高度。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述填充層的所述至少一部分的側表面接觸所述電子元件的所述側表面，且所述填充層的所述至少一部分的另一側表面接觸所述阻隔層的所述側表面。
如請求項1所述的電子裝置，更包括：導電件，設置於所述電子元件的所述第一表面上，且設置於所述電子元件與所述接合墊之間，所述電子元件透過所述導電件電性連接至所述接合墊，其中所述填充層的另一部分設置於所述電子元件的所述第一表面、所述基板以及所述導電件之間。
如請求項3所述的電子裝置，其中所述濾光層的至少一部分設置在所述間隙內且設置於所述填充層的所述至少一部分上，所述濾光層的所述至少一部分的側表面接觸所述電子元件的所述側表面，且所述濾光層的所述至少一部分的另一側表面接觸所述阻隔層的所述側表面。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述電子元件為發光二極體。
如請求項1所述的電子裝置，更包括：光轉換層，設置於所述電子元件與所述濾光層之間。
一種電子裝置的製作方法，包括：提供基板，其中所述基板包括基板本體、驅動元件以及接合墊，且所述接合墊電性連接至所述驅動元件；設置電子元件於所述基板上，且使所述電子元件電性連接至所述接合墊，其中所述電子元件具有第一表面、第二表面以及側表面，所述第一表面面向所述基板，所述第一表面與所述第二表面彼此相對，且所述側表面連接所述第一表面與所述第二表面；形成阻隔層於所述基板上，且使所述阻隔層圍繞所述電子元件的側表面，其中所述阻隔層具有側表面，所述阻隔層的所述側表面與所述電子元件的所述側表面彼此相對，且所述阻隔層的所述側表面與所述電子元件的所述側表面之間具有間隙；形成吸光層於所述阻隔層上；形成填充層於所述基板上，使得所述填充層的至少一部分設置於所述間隙內，並使得所述填充層的另一部分設置於所述電子元件與所述基板之間；以及形成濾光層於所述電子元件的所述第二表面上，使得所述阻隔層圍繞所述濾光層，且形成所述濾光層的至少一部分於所述填充層的所述至少一部分上。
如請求項8所述的電子裝置的製作方法，更包括：形成所述濾光層的至少一部分於所述間隙內以及所述填充層的所述至少一部分上，使得所述濾光層的所述至少一部分的側表面接觸所述電子元件的所述側表面，且所述濾光層的所述至少一部分的另一側表面接觸所述阻隔層的所述側表面。
如請求項8所述的電子裝置的製作方法，其中形成所述吸光層的步驟是在形成所述濾光層的步驟之前。
如請求項8所述的電子裝置的製作方法，形成所述吸光層於所述阻隔層上的步驟包括：形成吸光層的第一部分於所述阻隔層上，且形成吸光層的第二部分於所述接合墊上且於所述間隙內，而且，在形成所述吸光層之後，形成所述填充層。
如請求項11所述的電子裝置的製作方法，其中形成所述填充層的步驟是在形成所述吸光層的步驟之前。
一種電子裝置，包括：基板，包括基板本體、驅動元件以及接合墊，其中所述接合墊電性連接至所述驅動元件；電子元件，設置於所述基板上且電性連接至所述接合墊，其中所述電子元件具有第一表面、第二表面以及側表面，所述第一表面面向所述基板，所述第一表面與所述第二表面彼此相對，且所述側表面連接所述第一表面與所述第二表面；阻隔層，設置於所述基板上，且圍繞所述電子元件的所述側表面，其中所述阻隔層具有側表面，所述阻隔層的所述側表面與所述電子元件的所述側表面彼此相對，且所述阻隔層的所述側表面與所述電子元件的所述側表面之間具有間隙；吸光層，設置於所述阻隔層上；填充層，設置於所述基板上，所述填充層的至少一部分設置於所述間隙內；以及濾光層，設置於所述電子元件的所述第二表面上與所述填充層的所述至少一部分上，其中所述阻隔層圍繞所述濾光層，其中，在剖面圖中，在一方向上所述吸光層分為左邊等分、中間等分和右邊等分，且所述中間等分包括弧形表面。
如請求項13所述的電子裝置，其中所述填充層的所述至少一部分的側表面接觸所述電子元件的所述側表面，所述填充層的所述至少一部分的另一側表面接觸所述阻隔層的所述側表面。
如請求項13所述的電子裝置，其中所述濾光層的至少一部分設置於所述間隙內且設置於所述填充層的所述至少一部分上，所述濾光層的所述至少一部分的側表面接觸所述電子元件的所述側表面，且所述濾光層的所述至少一部分的另一側表面接觸所述阻隔層的所述側表面，其中，在剖面圖中，在一方向上所述濾光層分為左邊等分、中間等分和右邊等分，且所述濾光層的所述中間等分包括弧形表面。
如請求項13所述的電子裝置，更包括：導電件，設置於所述電子元件的所述第一表面上，且設置於所述電子元件與所述接合墊之間，所述電子元件透過所述導電件電性連接至所述接合墊。
如請求項13所述的電子裝置，其中所述填充層的另一部分設置於所述電子元件的所述第一表面、所述基板以及所述導電件之間。