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TWI863910B - 用於測試諸如收集器鏡之面鏡的系統及測試諸如收集器鏡之面鏡的方法 - Google Patents

用於測試諸如收集器鏡之面鏡的系統及測試諸如收集器鏡之面鏡的方法 Download PDF

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Publication number
TWI863910B
TWI863910B TW108114452A TW108114452A TWI863910B TW I863910 B TWI863910 B TW I863910B TW 108114452 A TW108114452 A TW 108114452A TW 108114452 A TW108114452 A TW 108114452A TW I863910 B TWI863910 B TW I863910B
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TW
Taiwan
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radiation
subsystem
mirror
test radiation
test
Prior art date
Application number
TW108114452A
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English (en)
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TW201946499A (zh
Inventor
瓊恩斯 克利斯坦 李奧納德斯 法蘭肯
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Publication of TW201946499A publication Critical patent/TW201946499A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI863910B publication Critical patent/TWI863910B/zh

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    • G01M11/005—Testing of reflective surfaces, e.g. mirrors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • G03F7/70058—Mask illumination systems
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Abstract

本發明揭示一種經組態用於測試具有一第一焦點及一第二焦點之一收集器鏡之系統，該系統包含：一測試輻射子系統，其可操作以將測試輻射自該第二焦點投影至該收集器鏡上；一感測器子系統，其可操作以接收自該收集器鏡反射朝向該第一焦點之測試輻射；及一輻射限制器子系統，其可操作以將如由該感測器所接收之該測試輻射限制至自該收集器鏡之一受限制部分反射之測試輻射；一控制子系統，其可操作以控制該輻射限制器子系統沿著一系列不同位置之一移動，藉此將如由該感測器所接收之該測試輻射限制至自該收集器鏡之一系列各別不同受限制部分反射之測試輻射。

Description

用於測試諸如收集器鏡之面鏡的系統及測試諸如收集器鏡之面鏡的方法
本發明係關於一種用於測試面鏡之系統及方法。作為此類面鏡之實例，可提及收集器鏡，例如在EUV輻射源中所使用之收集器鏡。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上--通常施加至基板之目標部分上--之機器。微影裝置可用於例如積體電路(integrated circuit，IC)之製造中。在彼情況下，被替代地稱作光罩或倍縮光罩之圖案化器件可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如矽晶圓)上之目標部分(例如包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
微影被廣泛地認為是IC及其他器件及/或結構之製造中之一個關鍵步驟。然而，隨著使用微影所製造之特徵之尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使能夠製造小型IC或其他器件及/或結構之更具決定性的因 素。
可藉由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出圖案印刷極限之理論估計，如方程式(1)中所展示：
Figure 108114452-A0305-02-0005-1
其中λ為所使用輻射之波長，NA為用以印刷圖案之投影系統之數值孔徑，k1為程序相依調整因數，亦被稱作瑞立常數，且CD為經印刷特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小之縮減：藉由縮短曝光波長λ，藉由增大數值孔徑NA，或藉由減小k1之值。
為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷大小，已提議使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在5nm至20nm之範圍內之波長的電磁輻射，例如在13nm至14nm之範圍內。已進一步提議可使用具有小於10nm之波長的EUV輻射，例如在5nm至10nm之範圍內，諸如6.7nm或6.8nm。可能的源包括雷射產生電漿(LPP)源，但其他類型之源係可能的。
用於EUV微影之LPP源之開發的當前進展之一實例描述於Benjamin Szu-Min Lin、David Brandt、Nigel Farrar之論文「High power LPP EUV source system development status」中，SPIE會議記錄第7520卷，Lithography Asia 2009，2009年12月(SPIE數位庫參考DOI：10.1117/12.839488)。在微影系統中，源裝置通常將含於其自有真空外殼內，而提供小出口孔徑以將EUV輻射光束耦合至輻射將被使用之光學系統中。
為了適用於微影之高解析度圖案化，當EUV輻射光束到達 倍縮光罩時，必須調節EUV輻射光束以獲得諸如強度分佈及角分佈之均一性的所要參數。照明系統之實例描述於美國專利申請公開案第2005/0274897A1號(Carl Zeiss/ASML)及第2011/0063598A號(Carl Zeiss)中。實例系統包括「蠅眼」照明器，其將EUV源之高度非均一的強度剖面變換成較均一且可控制的源。
為了良好的成像效能，重要的是，如EUV源中所應用之收集器鏡具有足夠高且均一的反射率。歸因於由EUV輻射產生程序產生之碎屑，此類收集器鏡可能會受到污染。因而，可定期地使收集器鏡經受清潔程序，接著是檢測或測試程序，以便評估反射率。
用於判定反射率之已知方法被認為相當耗時且昂貴。如EUV輻射源或微影裝置中所應用之其他面鏡亦可能需要前述檢測及測試。相似地，用於判定此類面鏡之反射率之已知方法亦可能耗時且昂貴。
本發明之實施例之態樣旨在提供一種測試一EUV源之一收集器鏡之替代系統及方法。
根據本發明之一態樣，提供一種經組態用於測試具有一第一焦點及一第二焦點之一收集器鏡之系統，該系統包含：一測試輻射子系統，其可操作以將測試輻射自該第二焦點投影至該收集器鏡上；一感測器子系統，其可操作以接收自該收集器鏡反射朝向該第一焦點之測試輻射；及一輻射限制器子系統，其可操作以將如由該感測器所接收之該測試輻射限制至自該收集器鏡之一受限制部分反射之測試輻射；一控制子系統，其可操作以控制該輻射限制器子系統沿著一系列不同位置之一移動，藉此將如由該感測器所接收之該測試輻射限制至自該收集器鏡之一系列各別不同 受限制部分反射之測試輻射。
根據本發明之另一態樣，提供一種測試具有一第一焦點及一第二焦點之一收集器鏡之方法，該方法包含：將測試輻射自該第二焦點投影至該收集器鏡上；由一感測器接收自該收集器鏡反射朝向該第一焦點之測試輻射；及將如由該感測器所接收之該測試輻射限制至自該收集器鏡之一受限制部分反射之測試輻射；控制輻射限制系統沿著一系列不同位置之一移動，藉此將如由該感測器所接收之該測試輻射限制至自該收集器鏡之一系列各別不同受限制部分反射之測試輻射。
根據本發明之又一態樣，提供一種經組態用於測試一面鏡之系統，該系統包含：一測試輻射子系統，其可操作以將測試輻射投影至該面鏡上；一感測器子系統，其可操作以接收自該面鏡反射之測試輻射；及一輻射限制器子系統，其可操作以將如由該感測器子系統所接收之該測試輻射限制至自該面鏡之一受限制部分反射之測試輻射；一控制子系統，其可操作以控制該輻射限制器子系統沿著一系列不同位置之一移動，藉此將如由該感測器子系統所接收之該測試輻射限制至自該面鏡之一系列各別不同受限制部分反射之測試輻射。
本發明之此等態樣以及其各種選用特徵及實施方案將由熟習此項技術者自以下實例之描述來理解。
20:極紫外線(EUV)輻射光束
21:光束
22:琢面化場面鏡器件
24:琢面化光瞳面鏡器件
26:經圖案化光束
28:反射元件
30:反射元件
100:微影系統
210:極紫外線(EUV)輻射發射電漿
220:圍封結構
221:孔徑
223:雷射
224:雷射能量
226:小滴產生器
228:燃料串流
230:截留器
240:光束遞送系統
242:源控制模組
260:子光束
262:調節及遮蔽模組
266:同步移動
268:同步移動
300:收集器鏡
300.1:面鏡片段
310:第一焦點
320:第二焦點
330:測試輻射子系統
330.1:測試輻射
340:感測器子系統
342:測試輻射
360:第一輻射限制器子系統
360.1:屏蔽部件
360.2:管狀形孔徑
370:控制子系統
370.1:控制信號
370.2:所獲得量測資料
370.3:源量測資料
380:處理單元
390:第二輻射限制器子系統
390.1:屏蔽部件
390.2:孔徑管
410:孔徑
420:輻射源
420.1:所產生輻射之部分
420.2:經反射輻射
420.3:輻射光束
420.4:經準直光束
430:第一面鏡
440:第二面鏡
450:孔徑
460:孔徑管
470:部位
520:輻射源
520.1:所產生輻射之部分
520.2:經反射輻射
520.3:經濾光輻射
530:第一面鏡
540:第二面鏡
550:焦點
620:輻射源
620.1:所產生輻射之部分
620.2:經反射輻射
620.3:經準直光束/測試輻射光束
620.4:輻射
630:第一面鏡
640:第二面鏡
650:源感測器
660:孔徑
700:感測器子系統
700.1:感測器
700.2:主動區域
700.3:輸出
700.4:量測信號
710.1:光束
710.2:光束
750:感測器子系統
750.1:感測器
750.2:感測器
750.3:感測器
760:感測器子系統
760.1:感測器
760.2:主動區域
770:致動器/致動器配置
780:軸線
790:感測器子系統
790.1:感測器
795:孔徑管
800:感測器子系統
800.1:感測器
810:面鏡
820:面鏡
830.1:測試輻射
830.2:經反射輻射
840:孔徑管
850:第一焦點
900:感測器子系統
900.1:感測器
910:面鏡
920:面鏡
930.1:測試輻射
930.2:經反射輻射
940:孔徑管
950:半球狀屏蔽部件
960:孔徑管
970:致動器配置
970.1:第一致動器
970.2:第二致動器
975:中心
1000:測試輻射光束
1100:收集器鏡/系統
1110:面鏡
1110.1:反射表面
1110.2:面鏡片段/受限制部分
1110.3:受限制部分
1120:測試輻射子系統
1120.1:測試輻射
1130:感測器子系統
1140.1:輻射限制器子系統
1140.2:輻射限制器子系統
1141:小部分
1142:測試輻射/經反射輻射
1143:測試輻射
1144:測試輻射
1145:經反射輻射
1150:致動器子系統
1155:致動器子系統
1170:控制單元
1170.1:輻射限制器子系統
1170.2:輻射限制器子系統
1170.3:量測資料
1170.4:控制信號
1180:處理單元
1190:部位
1200:框架
1210:第一真空腔室/容器
1220:框架
1230:外部框架
1240:測試輻射子系統
1240.1:測試輻射
1250:第二焦點
1255:第一焦點
1260:感測器子系統
1260.1:測試輻射
1270:第一輻射限制器子系統
1270.1:屏蔽部件
1270.2:孔徑管
1280:第二輻射限制器子系統
1285:可能位移
1290:第二真空腔室/容器
1300:壁
1300.1:壁部分
1300.2:壁部分
1310:間隙
1320:淨化氣體子系統
1400:收集器鏡部分
1410:光柵
1410.1:邊緣
1420:測試輻射光束
1500:白板
B:輻射光束
C:目標部分
CO:近正入射收集器鏡
HF:發明人
IF:虛擬源/中間焦點
IL:照明系統
M1:光罩對準標記
M2:光罩對準標記
MA:圖案化器件
MT:支撐結構
MO:主雷射/種子雷射
O:光軸
P:週期性
P1:基板對準標記
P2:基板對準標記
Pb:橫截面
PM:第一定位器
PS:投影系統
PS1:位置感測器
PS2:位置感測器
PW:第二定位器
SO:源收集器模組
W:基板
WT:基板台
X:軸線/方向
Y:軸線/方向
Z:軸線/方向
α:角度
α0:角度
現在將參考隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應零件，且在該等圖式中：圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影系統； 圖2為圖1之系統的更詳細視圖，並展示用於EUV輻射源之新穎監測及控制系統；圖3示意性地展示根據本發明之系統之一實施例的橫截面；圖4a至圖4c示意性地展示如可在本發明中所應用之測試輻射子系統的橫截面圖；圖5a至圖5f示意性地展示如可在本發明中所應用之感測器子系統的橫截面圖；圖6示意性地展示根據本發明之系統之另一實施例的橫截面；圖7示意性地展示如可在根據本發明之系統中所應用的輻射限制器子系統；圖8示意性地展示在校準位置中根據本發明之系統的橫截面；圖9示意性地展示根據本發明之系統之又一實施例的橫截面；圖10示意性地展示如可由根據本發明之系統所檢測之收集器鏡之部分。
圖11示意性地展示在白板上根據本發明之系統以及發明人。
圖12示意性地展示用於測試或檢測面鏡之根據本發明之系統之一實施例的橫截面；圖13示意性地展示用於測試或檢測面鏡之根據本發明之系 統之另一實施例的橫截面。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影系統100，微影系統包含微影裝置及EUV輻射源，EUV輻射源經組態用於產生EUV輻射，例如EUV輻射光束。在如所展示之實施例中，EUV輻射源包含源收集器模組SO。在如所展示之實施例中，微影掃描裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如EUV輻射)；支撐結構(例如光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如光罩或倍縮光罩)MA，並連接至經組態以準確地定位圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓)W，並連接至經組態以準確地定位基板之第二定位器PW；及投影系統(例如反射投影系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如包含一或多個晶粒)上。
照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及諸如圖案化器件是否固持於真空環境中之其他條件的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為例如框架或台，其可視需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件例如相對於投影系統處於所要位置。
術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的 任何器件。賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中產生之諸如積體電路之器件中的特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化面鏡陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，並包括諸如二元、交變相移及衰減式相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化面鏡陣列之一實例使用小面鏡之矩陣配置，小面鏡中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡將圖案賦予至由面鏡矩陣反射之輻射光束中。
類似於照明系統，投影系統可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可能需要將真空用於EUV輻射，此係因為其他氣體可能會吸收過多的輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，該裝置屬於反射類型(例如使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台(及/或兩個或多於兩個光罩台)之類型。在此類「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可對一或多個台實行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自EUV輻射源之源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV光之方法包括但未必限於運用EUV範圍內之一或多個發射譜線將材料轉換成具有至少一種元素之電漿狀態，例如氙、鋰或錫。在常常被稱為雷射產生電漿「LPP」之一種此類方法中， 可藉由運用雷射光束來輻照諸如具有所需譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集的燃料而產生所需電漿。源收集器模組SO可為包括圖1中未展示之雷射之EUV輻射系統之部分，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如EUV輻射，該輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射及EUV輻射源可為單獨實體。
在此類狀況下，雷射不被視為形成微影系統之部分，且輻射光束係憑藉包含例如合適導向面鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他狀況下，舉例而言，當源為常常被稱為DPP源之放電產生電漿EUV產生器時，源可為源收集器模組之整體部分。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如琢面化場面鏡器件及琢面化光瞳面鏡器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於固持於支撐結構(例如光罩台)MT上之圖案化器件(例如光罩)MA上，並由圖案化器件圖案化。在自圖案化器件(例如光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如干涉量測器件、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑準確地定 位圖案化器件(例如光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如光罩)MA及基板W。
可在以下模式中之至少一者下使用所描繪裝置：
1.在步進模式下，使支撐結構(例如光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止，同時將賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上(亦即，單次靜態曝光)。接著使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式下，同步地掃描支撐結構(例如光罩台)MT及基板台WT，同時將賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式下，在將賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式下，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間之順次輻射脈衝之間視需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件--諸如上文所提及之類型之可程式化面鏡陣列--之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。待說明之實施例涉及掃描，如在剛才所提及之模式2及3下。
儘管可在本文中特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合式光 學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(liquid-crystal display，LCD)、薄膜磁頭等等。熟習此項技術者應瞭解，在此類替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在例如塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板並顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。在適用的情況下，可將本文中之揭示內容應用於此類及其他基板處理工具。此外，可將基板處理多於一次，例如以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有多個經處理層之基板。
圖2更詳細地展示系統100，其包括包含源收集器模組SO之EUV輻射源，及包含照明系統IL之微影掃描裝置，以及投影系統PS。EUV輻射源之源收集器模組SO經建構及配置使得可在源收集器模組SO之圍封結構220中維持真空環境。系統IL及PS同樣地含於其自有真空環境內。可由雷射產生LPP電漿源形成EUV輻射發射電漿210。源收集器模組SO之功能係自電漿210遞送EUV輻射光束20，使得其聚焦於虛擬源點中。虛擬源點通常被稱作中間焦點(IF)，且源收集器模組經配置使得中間焦點IF位於圍封結構220中之孔徑221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。
自中間焦點IF處之孔徑221，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL在此實例中包括琢面化場面鏡器件22及琢面化光瞳面鏡器件24。此等器件形成所謂的「蠅眼」照明器，其經配置以在圖案化器件MA處提供輻射光束21之所要角分佈，以及在圖案化器件MA處提供輻射強度之所要均一性。在光束21於由支撐結構(光罩台)MT固持之圖案化器件MA處 反射後，就形成經圖案化光束26，且由投影系統PS經由反射元件28、30將經圖案化光束26成像至由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
每一系統IL及PS配置於其自有真空或近真空環境內，該環境係由相似於圍封結構220之圍封結構界定。比所展示元件更多之元件通常可存在於照明系統IL及投影系統PS中。此外，可存在比諸圖中所展示之面鏡更多的面鏡。舉例而言，除了圖2中所展示之反射元件以外，在照明系統IL及/或投影系統PS中亦可存在一至六個額外反射元件。舉例而言，上文所提及之美國專利申請公開案展示照明系統中之三個額外元件。
在更詳細地考慮源收集器模組SO的情況下，包含雷射223之雷射能量源經配置以將雷射能量224沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而產生具有數十eV之電子溫度之高度離子化電漿210。可運用其他燃料材料--例如Tb及Gd--來產生較高能量EUV輻射。在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射係自電漿發射、由近正入射收集器鏡CO收集並聚焦於孔徑221上。電漿210及孔徑221分別位於收集器或收集器鏡CO之第一及第二焦點處。
為了遞送例如為液體錫之燃料，在圍封體220內配置小滴產生器226，小滴產生器226經配置以朝向電漿210之所要部位起動高頻小滴串流228。在操作中，與小滴產生器226之操作同步地遞送雷射能量224，以遞送輻射脈衝以使每一燃料小滴變成電漿210。小滴之遞送頻率可為若干千赫茲，例如50kHz。實務上，在至少兩個脈衝中遞送雷射能量224：預脈衝及主脈衝。預脈衝在其到達電漿部位之前向小滴遞送有限能量，以便例如藉由將小滴塑形為餅狀物或藉由將燃料材料汽化成小雲狀物來調節小滴以用於接收主脈衝。將主脈衝遞送至所要部位處之經調節小 滴，以產生電漿210。截留器230設置於圍封結構220之相對側上，以捕捉不管出於何種原因而未變成電漿之燃料。
在典型微影系統中存在源收集器模組及微影裝置中之眾多額外組件，但此處未繪示。此等組件包括用於縮減或減輕經圍封真空內之污染效應之配置，例如以防止燃料材料之沈積物損害或削弱收集器鏡CO及其他光學件之效能。又，一或多個光譜純度濾光器可包括於源收集器模組SO及/或照明系統IL中。除了想要波長之EUV輻射以外，此等濾光器亦用於儘可能多地消除由雷射及/或電漿210產生之非想要波長之輻射。光譜純度濾光器可定位於虛擬源點附近或定位於收集器鏡CO與虛擬源點之間的任何點處。濾光器可置放於輻射路徑中之其他部位處，例如虛擬源點IF下游。可部署多個濾光器。熟習此項技術者熟悉對此等措施之需要及該等措施可被實施之方式，且出於本發明之目的而不需要其他細節。
更詳細地參看來自圖2之雷射223，所呈現實施例中之雷射屬於主控振盪器功率放大器(Master Oscillator Power Amplifier，MOPA)類型。此類型由在圖解中被標註為MO之「主控」雷射或「種子」雷射、接著是功率放大器(PA)組成。提供光束遞送系統240以將雷射能量224遞送至模組SO中。實務上，雷射能量之預脈衝元素將由圖解中未單獨地展示之單獨雷射遞送。雷射223、燃料源(亦即，小滴產生器226)及其他組件可例如由源控制模組242控制。
一般技術者將知道，可定義參考軸線X、Y及Z來量測及描述微影系統之幾何結構及行為、其各種組件及輻射光束20、21、26。在微影系統之每一部分處，可定義X、Y及Z軸之局域參考座標系。Z軸在系統中之給定點處與光軸O之方向大致地重合，且大體上垂直於圖案化器件 (倍縮光罩)MA之平面及垂直於基板W之平面。在源收集器模組中，X軸與燃料串流(228，下文所描述)之方向大致地重合，而Y軸正交於彼方向，從而自頁面中指出，如圖2中所指示。另一方面，在固持倍縮光罩MA之支撐結構MT附近，X軸大體上橫向於與Y軸對準之掃描方向。出於方便起見，在示意圖圖2之此區域中，X軸自頁面中指出，再次如所標記。此等指定在此項技術中係習知的，並將在本文中出於方便起見而被採用。原則上，可選擇任何參考座標系以描述微影系統及其行為。
稍微更詳細地參看照明系統，琢面化場面鏡器件22包含個別琢面之陣列，使得EUV輻射光束20劃分成數個子光束，該等子光束中之一者在圖解中被標註為260。每一子光束被導向琢面化光瞳面鏡器件24上之個別琢面。光瞳面鏡器件24之琢面經配置以將其個別子光束導向至為圖案化器件MA之縫隙形區域的目標上。當自源收集器模組到達之照明在其角分佈上高度非均一時，劃分成子光束260及組合成單一光束21經設計成遍及縫隙區域產生高度均一照明。亦知道，器件22及/或24之琢面可為可轉向的及/或可遮蔽的，以便實施不同照明模式。
經由調節及遮蔽模組262將經調節EUV輻射光束21遞送至圖案化器件MA。此模組包括亦被稱作倍縮光罩(REMA)之遮蔽單元，其可具有在X方向及Y方向上界定照明縫隙之範圍的可移動葉片。通常，如EUV型微影裝置中所應用之照明縫隙可為彎曲的。
在REMA前方亦可為照明均一性校正模組(UNICOM)。
為了在基板W上曝光目標部分C，在基板台WT上產生輻射脈衝，且經遮蔽台MT執行同步移動266、268以通過照明縫隙掃描圖案化器件MA上之圖案。
包括REMA及UNICOM功能之照明系統之實例描述於美國專利申請公開案第2005/0274897A1號及第2011/0063598A號中。
在源控制器242中應用許多措施。此類措施包括監測以確保虛擬源點IF在源收集器模組SO之出口處與孔徑221對準。在基於LPP源之系統中，通常藉由控制電漿210之部位而非藉由移動收集器鏡CO來達成對準之控制。收集器鏡、出口孔徑221與照明器IL在設置程序期間準確地對準，使得孔徑221位於收集器鏡之第二焦點處。然而，在源光學件之出口處由EUV輻射形成之虛擬源點IF之確切部位取決於電漿210相對於收集器鏡之第一焦點之確切部位。足夠準確地固定此部位以維持充分對準通常需要主動監測及控制。
出於此目的，藉由控制燃料之注入且亦控制例如向來自雷射之脈衝給予能量之時序，源控制模組(控制器)242在此實例中控制電漿210(EUV輻射源)之部位。在典型實例中，以50kHz之速率(週期20μs)並在持續比如20ms至20秒之任何時間之叢發中遞送雷射輻射224之給予能量脈衝。每一主雷射脈衝之持續時間可為約1μs，而所得EUV輻射脈衝可持續約2μs。藉由適當控制，認為EUV輻射光束由收集器鏡CO精確地聚焦於孔徑221上。若未達成此情形，則光束之全部或部分將照射於圍封結構之周圍材料上。
源控制模組242被供應來自一或多個感測器陣列(未展示)之監測資料，該等感測器提供關於電漿之部位之資訊的第一回饋路徑。感測器可屬於各種類型，例如上文所提及之美國專利申請公開案第2005/0274897A1號中所描述。感測器可沿著輻射光束路徑位於多於一個位置處。僅僅出於實例起見，感測器可例如位於場面鏡器件22周圍及/或 後方。剛才所描述之感測器信號可用於控制照明器IL及投影系統PS之光學系統。經由回饋路徑，該等感測器信號亦可用以輔助源收集器模組SO之控制模組242來調整EUV電漿源210之強度及位置。可處理感測器信號例如以判定虛擬源IF之觀測部位，且外推此部位以間接判定EUV源之部位。若虛擬源部位漂移，如由感測器信號所指示，則由控制模組242應用校正以在孔徑221中使光束重新定中心。
額外感測器及回饋路徑通常可設置於源收集器模組SO自身中，而非完全依賴於來自照明器感測器之信號，以實現對輻射源之較快速、直接及/或獨立的控制。此類感測器可包括例如監測電漿之部位的一或多個攝影機。以此方式，在孔徑221中維持部位光束20，且避免對設備之損害並維持輻射之高效使用。
為了確保基板W被提供適當劑量之輻射，重要的是確保收集器或收集器鏡CO充分地反射所產生EUV輻射。詳言之，需要使彼收集器鏡CO具有足夠高之反射率，且需要使反射率儘可能均一。
就此而言，可指出，在如上文所描述之EUV輻射產生期間，可能會歸因於燃料小滴串流228與雷射脈衝之相互作用而產生碎屑。此類碎屑可能會造成收集器鏡CO之污染，因此不利地影響反射率及反射率均一性。又，碎屑之其他源可能會不利地影響收集器鏡CO之反射率及反射率均一性。此類污染之可能源例如包括自EUV源之配置於收集器鏡CO上方之組件下落的小滴或粒子或污染物，或由於諸如輪葉表面或錫捕獲器之表面之噴射而造成的污染。
為了縮減污染之不利效應，可使諸如圖2中所展示之收集器鏡CO的收集器鏡經受清潔程序以移除污染。此類清潔程序可例如包括 二氧化碳雪清潔程序。
為了檢查清潔程序已有效，較佳的是在清潔程序之後使收集器鏡經受檢測，藉以例如在收集器鏡上之複數個部位處評估面鏡之反射率。
本發明提供一種用於執行EUV微影系統之收集器鏡之此類檢測或測試的系統，及一種檢測或測試EUV微影系統之收集器鏡的方法。
更一般而言，本發明提供一種用於執行面鏡之檢測或測試之系統。可使用本發明來檢測或測試各種類型之面鏡。此類面鏡之實例包括諸如EUV輻射源、微影投影系統、如在微影裝置中所使用之照明系統等等中所應用的面鏡。參考圖2，可例如應用本發明來檢測或測試收集器鏡CO、如照明器IL中所應用的諸如場琢面器件22或光瞳面鏡器件24之任一面鏡、如投影系統PS中所應用的諸如反射元件28或30之任一面鏡。
圖3示意性地展示用於測試收集器鏡之根據本發明之系統之一實施例。收集器鏡300具有第一焦點(focus/focal point)310及第二焦點320。焦點310可例如實質上對應於如圖2中所展示之輻射發射電漿210被形成的部位，而焦點320例如對應於如圖2中所展示之中間焦點IF。
根據本發明之系統包含可操作以將測試輻射330.1自第二焦點320投影至收集器鏡300之測試輻射子系統330。在本發明之含義內，測試輻射係指在測試或檢測面鏡--例如所展示之收集器鏡300--期間使用的輻射。
在本發明之一實施例中，如所施加之測試輻射具有基於在收集器鏡之正常操作條件下使用之輻射而選定的波長或波長光譜。詳言之，倘若將在EUV微影系統中使用收集器鏡，則可基於施加於微影裝置中之EUV輻 射而選擇測試輻射之波長或波長光譜。因而，在本發明之一實施例中，測試輻射可包含具有在10nm至20nm之範圍內之波長的輻射。在一實施例中，如所施加之測試輻射可具有13.5nm +/- 1nm之波長光譜，FWHM--半高寬。在一實施例中，如根據本發明之系統中所應用的測試輻射子系統可經組態以施加不同波長或不同波長範圍之輻射來檢測或測試面鏡。在此類實施例中，測試輻射子系統可包含多個輻射源及/或多個濾光器，該等濾光器用以對所產生輻射進行濾光，以便達到所要測試輻射。作為一實例，可能有用的是在不同波長或波長範圍下評估諸如收集器鏡300之面鏡之反射率。可能例如有用的是在13.5nm +/- 1nm之前述光譜下而且在涵蓋或包括紅外線(IR)輻射之光譜下評估收集器鏡之反射率。
在一實施例中，測試輻射子系統經組態以產生跨越角度α0之測試輻射，使得原則上可輻照整個收集器鏡300。請注意，圖3之圖解以二維橫截面表示收集器鏡300，且實務上，通常在三個維度上發射測試輻射。因此，當三維測試輻射圖案投影至具有收集器鏡300之橫截面之二維平面上時，圖3中之角度α0為由該三維測試輻射圖案之對向之角度。在一實施例中，測試輻射子系統經組態以產生跨越小於角度α0之角度之測試輻射。在此類實施例中，仍可例如藉由使測試輻射子系統330或其部分旋轉來掃描或輻照整個收集器鏡300。
根據本發明之系統進一步包含由元件符號340示意性地指示之感測器子系統，感測器子系統可操作以接收自收集器鏡300反射朝向第一焦點310之測試輻射，例如由箭頭342指示之測試輻射。在一實施例中，如下文將更詳細地所論述，感測器子系統340可包含用於量測自面鏡--亦即，收集器鏡300--反射之測試輻射的一或多個感測器或偵測器。
根據本發明，用於測試收集器鏡之系統進一步包含輻射限制器子系統360。輻射限制器子系統360經組態以將如由感測器子系統340所接收之測試輻射限制至自收集器鏡300之受限制部分反射之測試輻射。藉此，由感測器子系統量測或偵測之輻射將僅涉及自收集器鏡300之受限制部分反射之輻射。在如所展示之實施例中，收集器鏡之受限制部分由面鏡片段300.1指示。藉由將如由感測器子系統所接收之測試輻射限制至自收集器鏡之受限制部分反射之測試輻射，吾人可評估收集器鏡之彼特定部分之效能，例如評估彼部分之反射率。
在如所展示之實施例中，輻射限制器子系統360經組態以僅使所產生輻射330.1之小部分傳遞朝向收集器鏡。輻射330.1之小部分對向比角度α0小得多的角度。為了實現彼情形，輻射限制器子系統360包含阻擋測試輻射之屏蔽部件360.1，藉以屏蔽部件360.1包含測試輻射330.1之小部分可傳遞通過的孔徑，例如管狀形孔徑360.2。輻射限制器子系統360因此使僅受限制部分--例如收集器鏡300之部分300.1--能夠由測試輻射子系統330所產生之測試輻射輻照。
根據本發明，該系統進一步包含控制子系統370，其經組態以例如藉由向輻射限制器子系統360提供控制信號370.1來控制輻射限制器子系統360之移動。詳言之，控制子系統370經組態以控制輻射限制器子系統360之位置，使得可改變由測試輻射輻照的收集器鏡之受限制部分。因而，控制子系統可例如經組態以控制輻射限制器子系統沿著一系列不同位置之移動，藉此將如由感測器子系統340所接收之測試輻射限制至自收集器鏡300之一系列各別不同受限制部分反射之測試輻射。藉此，可評估收集器鏡之不同受限制部分之效能，例如評估此等部分之反射率。
在本發明之一實施例中，一組不同受限制部分實質上覆蓋整個收集器鏡300。
在本發明之一實施例中，輻射限制器子系統包含一或多個致動器以使孔徑管360.2例如連同屏蔽部件360.1一起位移，以便改變由測試輻射輻照的收集器鏡300之受限制部分。在此類實施例中，孔徑管360.2可例如圍繞垂直於圖式平面並例如通過第二焦點320之軸線旋轉。藉此，可修改界定測試輻射照射於收集器鏡上之角度的角度α。以相似方式，孔徑管360.2可例如圍繞平行於所指示Z軸並例如通過第二焦點320之軸線旋轉。藉由組合兩種旋轉移動，可由測試輻射選擇性地掃描收集器鏡之整個表面。下文將更詳細地闡釋此實施例。
熟習此項技術者將瞭解，亦可應用諸如線性致動器或馬達的其他類型之致動器以使輻射限制器子系統位移，藉此控制收集器鏡之哪一受限制部分正被輻照。
在本發明之一實施例中，測試輻射子系統330或輻射限制器子系統360經組態以將所產生測試輻射塑形成光束。在此類實施例中，測試輻射子系統330及/或輻射限制器子系統360經組態以將測試輻射作為光束投影至收集器鏡300上。在此類實施例中，控制子系統370可經組態以將光束或光束塑形測試輻射導向至收集器鏡之複數個不同受限制部分上，係一個受限制部分接另一受限制部分進行導向。測試輻射光束在收集器鏡之不同受限制部分上之此類依序投影亦可被稱作運用測試輻射光束來掃描收集器鏡。在藉以掃描收集器鏡300之部分或整個面鏡的此類掃描程序期間，感測器子系統340可產生表示自收集器鏡300之不同受限制部分反射之測試輻射的一組量測資料。可例如經由資料通道將此類量測資料提 供給根據本發明之系統之控制子系統370，如由箭頭370.2所指示。在一實施例中，如所接收之量測資料370.2可例如由控制子系統370之處理單元380處理。此類處理單元可例如被體現為處理器、微處理器、電腦或其類似者。此類處理單元380可例如包含用於儲存量測資料之記憶體單元。
在一實施例中，處理單元380可經組態以處理量測資料以便判定收集器鏡之至少部分之空間反射率分佈。在此類實施例中，可比較表示自收集器鏡300之不同受限制部分反射之測試輻射的量測資料與表示所產生或所發射測試輻射之資料，以判定收集器鏡之不同受限制部分之反射率。反射率之量度之實例為所接收測試輻射之量對所產生或所發射測試輻射之量的比率，及一方面為所產生或所發射測試輻射之量與另一方面為所接收測試輻射之量之間的差。因而，在本發明之一實施例中，自感測器子系統340獲得之量測資料可被補充有源量測資料，源量測資料表示在掃描程序期間發射或產生之測試輻射之量。可例如經由資料通道將此類源量測資料提供給控制子系統370之處理單元380，如由箭頭370.3所指示。在此類實施例中，測試輻射子系統330亦可包含被稱作源感測器之感測器，該感測器經組態以產生表示由測試輻射子系統330投影之測試輻射之源量測信號。藉由組合感測器子系統之量測資料與測試輻射子系統之源量測資料，可較準確地評估橫越收集器鏡300之反射率，此係因為基於源量測資料可考量如在掃描程序期間所產生及發射之測試輻射之任何波動。
作為在測試輻射子系統330中應用源感測器之替代方案，值得提及的是，感測器亦可應用於孔徑管360.2中，以便獲得經發射朝向收集器鏡300之測試輻射之量的量度。以相似方式，可組合此類孔徑感測器之量測資料與自感測器子系統340之感測器獲得之量測資料，以判定收 集器鏡300之至少部分之空間反射率映圖。
較佳地，如上文已指示，例如當收集器鏡用於如圖2中所繪示之微影系統中時，如所施加之測試輻射之波長或波長光譜較佳地對應於如在收集器鏡之正常操作期間所使用之波長或波長光譜。藉此，吾人可針對相關波長或波長光譜較準確地判定收集器鏡之反射率。為了實現此情形，存在不同選項。
在本發明之一實施例中，測試輻射子系統330包含輻射源及多層面鏡總成，多層面鏡總成用於對所產生輻射進行光譜濾光以便達到所需測試輻射，亦即，具有適當波長或波長光譜之測試輻射。如所知，亦被稱作布拉格(Bragg)面鏡之多層面鏡為由具有交替厚度及折射率之多個層構成的一種類型之反射光學元件。厚度經調諧以控管自後續層反射之所要波長之輻射的相長干涉。在一實施例中，測試輻射子系統330之輻射源包含XeEUV源。在此類實施例中，多層面鏡配置可經組態以將輻射濾光成例如13.5nm +/- 1nm之波長光譜，FWHM--半高寬。
圖4示意性地展示用於產生適當測試輻射之三個可能多層面鏡配置，可例如在根據本發明之系統之測試輻射子系統330中施加該測試輻射。
圖4a示意性地展示輻射源420，例如用於產生EUV輻射之輻射源。在如所展示之實施例中，提供孔徑410以允許由箭頭420.1指示之所產生輻射之部分照射於第一面鏡430上，例如多層面鏡上。第一面鏡430經組態以將所接收輻射反射朝向第二面鏡440，例如多層面鏡，如由箭頭420.2所指示。第二面鏡440經組態以將所接收輻射反射朝向孔徑450，如由箭頭420.3所指示。孔徑可例如為孔徑管460之出口，其經組態 以接收自面鏡440反射之輻射420.3。在如所展示之實施例中，面鏡430及440可用來對來自如由源420所產生之輻射之不當波長或波長分量進行濾光。替代地或另外，面鏡430及440可形成用於控制由照射於收集器300上之測試輻射形成之光束之寬度且因此控制該光束之強度的光束擴展器或光束壓縮器。
在本發明之一實施例中，面鏡總成包含面鏡430及440，且孔徑管460可充當如上文所論述之輻射限制器子系統。在此類實施例中，面鏡總成及孔徑管可例如經組態以可相對於輻射源420位移，以便改變自孔徑發射之輻射420.3之定向。藉由適當地對面鏡或面鏡總成定尺寸，自孔徑450發射之輻射光束420.3可為經準直光束420.4，亦即，可照射於收集器鏡之受限制部分上的平行輻射光束。為了使經準直光束420.4自收集器鏡反射朝向面鏡之第一焦點，需要自第二焦點發射經準直光束420.4。此可例如藉由以下方式來實現：對面鏡總成及孔徑管進行配置，使得第二焦點處於孔徑管內，例如部位470處。
圖4b示意性地展示可經應用以對來自輻射源之輻射進行濾光之面鏡總成之另一實施例。圖4b示意性地展示輻射源520，例如用於產生EUV輻射之輻射源。在如所展示之實施例中，輻射源520經組態以發射由箭頭520.1指示之所產生輻射之部分以照射於此處以橫截面展示之第一面鏡530上，例如多層面鏡上。第一面鏡530經組態以將所接收輻射反射朝向第二面鏡540，例如多層面鏡，如由箭頭520.2所指示。第二面鏡540經組態以將所接收輻射反射朝向焦點550。如上文所論述，面鏡530及540可用來對如由輻射源520所產生之輻射進行濾光，以獲得具有適當波長或光譜之測試輻射。自焦點550向前，經濾光輻射520.3可用作用於例如掃描 如上文參考圖3所論述之收集器鏡之測試輻射。在此類實施例中，所產生測試輻射可例如受到輻射限制器360限制，輻射限制器360經組態以限制所產生測試輻射，例如輻射520.3，以照射於收集器鏡之受限制部分上。為了確保所發射測試輻射520.3或其照射於收集器鏡上之部分自收集器鏡--例如收集器鏡300--反射朝向面鏡之第一焦點，需要自收集器鏡之第二焦點發射測試輻射520.3。此可例如藉由以下方式來實現：對面第一面鏡530及第二面鏡540進行配置，使得收集器鏡之第二焦點與焦點550實質上重合。
包括面鏡530及540之面鏡配置被稱為史瓦茲柴德(Schwarzschild)物鏡。
圖4c示意性地展示可經應用以對來自輻射源之輻射進行濾光之面鏡總成之又一實施例，該面鏡總成亦包括包括面鏡630及640之史瓦茲柴德物鏡。圖4c示意性地展示輻射源620，例如用於產生EUV輻射之輻射源。在如所展示之實施例中，輻射源620經組態以發射由箭頭620.1指示之所產生輻射之部分以照射於此處以橫截面展示之第一面鏡630上，例如多層面鏡上。第一面鏡630經組態以將所接收輻射反射朝向第二面鏡640，例如多層面鏡，如由箭頭620.2所指示。第二面鏡640經組態以將所接收輻射作為經準直光束620.3反射通過第一面鏡630之孔徑660。熟習此項技術者將瞭解，藉由適當地對史瓦茲柴德物鏡之面鏡630及640定尺寸及定位，吾人可確保所發射輻射被塑形為經準直光束620.3，而非如圖4b中所展示那樣聚焦至焦點550上。在此類配置中，面鏡配置630、640可因此皆對具有適當波長或波長光譜之所產生測試輻射充當濾光器，並對測試輻射進行塑形以便獲得經組態以照射於經檢測的收集器鏡之受限制部分上的測試輻射光束620.3。因而，面鏡配置可被視為充當輻射限制器，其限 制測試輻射以照射於收集器鏡之受限制部分上。
再次，為了確保輻射自收集器鏡--例如收集器鏡300--反射朝向面鏡之第一焦點，需要自收集器鏡之第二焦點發射測試輻射620.3。此可例如藉由在經檢測的收集器鏡之第二焦點處或附近配置第二面鏡640來實現。
以如上文所論述之相似方式，多層面鏡總成630、640可經組態以可位移以便運用測試輻射620.3掃描收集器鏡之表面之至少部分，以便判定面鏡之反射率。
在本發明之一實施例中，如所應用之測試輻射子系統進一步包含用於感測如由源所發射之輻射的感測器。亦被稱作源感測器之此類感測器可例如經組態以直接接收如由源所發射之輻射。在圖4c中，示意性地展示此類感測器650，感測器650經配置以接收如由源620所發射之輻射620.4。替代地，源感測器650可經配置以接收自如本發明之一實施例中所應用之面鏡配置之面鏡--例如第一面鏡630或第二面鏡640--反射的測試輻射之部分。在此類配置中，源感測器可因此量測與如由收集器鏡所接收之測試輻射具有相同波長或波長光譜的輻射。
在本發明之一實施例中，源感測器，亦即，經組態以產生表示由測試輻射子系統之源發射之輻射或測試輻射之源量測資料的感測器，亦可配置於諸如圖3中所展示之輻射限制器子系統360的輻射限制器子系統中。在此類實施例中，源感測器可配置於輻射限制器子系統360之孔徑管360.2處或附近或中，以便捕捉由測試輻射子系統330輻照的輻射之部分。
如上文已指示，根據本發明之系統包含感測器子系統，例如圖3中所展示之感測器子系統340。圖5中論述如在本發明中所應用之此 類感測器子系統之各種不同實施例。
圖5a示意性地展示如可在根據本發明之系統中所應用之感測器子系統700之第一配置，以及反射率將被檢查之收集器鏡300。感測器子系統700包含具有面對收集器鏡300之主動區域700.2的感測器700.1。在如所展示之實施例中，主動區域700.2被視為位於收集器鏡300之第一焦點處或附近，以便接收自第二焦點發射且接著自面鏡300反射之測試輻射。
在一實施例中，感測器700.1可例如包含EUV光電二極體。感測器子系統700進一步包含用於輸出表示所接收輻射之量測信號700.4的輸出700.3。
在如所展示之配置中，感測器子系統經組態以相對於收集器鏡300保持靜止。因而，取決於所發射輻射之角度，自收集器鏡300反射之測試輻射之入射角可相對於光軸O變化，如由光束710.1及710.2所繪示。藉助於校準，可考量入射角對所接收輻射之影響。
作為一替代方案，如圖5b中示意性地所展示，可應用感測器子系統750，其包含相對於光軸O具有不同定向之複數個感測器750.1、750.2、750.3。藉此，取決於接收輻射之入射角，吾人可選擇最敏感之感測器，亦即，主動區域最佳地面對所接收輻射之感測器。
圖5c示意性地展示又一替代感測器子系統760以及收集器鏡300，感測器子系統760包含具有主動區域760.2之感測器760.1。感測器子系統進一步包含經組態以使感測器760.1相對於光軸O位移之致動器或致動器配置770。詳言之，致動器配置可經組態以使感測器760.1圍繞軸線780且圍繞垂直於圖式並與收集器鏡之第一焦點交叉的軸線旋轉，軸線 780平行於所指示Z方向並與收集器鏡之第一焦點交叉。在此類配置中，感測器760.1，尤其是感測器760.1之主動區域760.2，可經導向以面對經反射朝向第一焦點之測試輻射，例如面對輻射光束710.2之經反射光束。
在一實施例中，如圖5d中示意性地所展示，如在根據本發明之系統中所應用的感測器子系統790之感測器790.1可安裝於管內部，例如孔徑管795內部。在如所展示之實施例中，感測器790.1及孔徑管795可由如上文所論述之致動器或致動器配置770位移，以便面對自收集器鏡反射之測試輻射，例如面對輻射光束710.2之經反射光束。藉由在孔徑管795內部或在孔徑管795之遠端處配置感測器790.1，感測器790.1可僅感測由孔徑管795接收之輻射。藉此，可減輕或避免歸因於雜散輻射之量測擾動。
如圖5a至圖5d中示意性地所展示之感測器子系統經組態以直接接收經反射輻射，亦即，不應用經反射輻射之光譜濾光。如上文所論述，可能較佳的是使用具有與在正常操作期間所施加之波長相同或相似的波長之測試輻射來檢測或測試收集器鏡，此係因為吾人尤其對特性化用於彼特定波長或波長光譜之收集器鏡感興趣。為了使用圖5a至圖5d之感測器子系統來進行此類評估，可能有利的是結合經組態以對測試輻射進行濾光之測試輻射子系統--例如圖4a至圖4c中所繪示之測試輻射子系統--而應用此等系統，其中可運用光譜純度濾光器實施第一面鏡及/或第二面鏡。
不管測試輻射子系統是否應用測試輻射之濾光，吾人皆可以相似方式應用自收集器鏡反射之測試輻射之濾光。圖5e至圖5f中示意性地展示此類實施例。
圖5e示意性地展示如可應用於根據本發明之系統中的感測器子系統800，以及收集器鏡300。如示意性地所展示之感測器子系統800 包含感測器800.1，且多層面鏡總成包含一對面鏡810、820，面鏡810、820經組態以根據所指示箭頭830.2將自收集器鏡300反射之測試輻射830.1反射朝向感測器800.1。在如所展示之實施例中，入射輻射830.1由孔徑管840接收，孔徑管840經配置以接收朝向收集器鏡300之第一焦點850之經反射輻射。在本發明之一實施例中，感測器子系統800可進一步配備有致動器或致動器配置，該致動器或致動器配置用於調整孔徑管、多層面鏡總成及感測器中之至少一者以便接收自收集器鏡之不同受限制部分反射之輻射。
在本發明之一實施例中，如根據本發明之系統中所應用的感測器子系統可使用史瓦茲柴德物鏡來對任何入射輻射--亦即，自收集器鏡300反射之測試輻射--進行光譜濾光。圖5f中示意性地展示此類實施例。圖5f示意性地展示如可應用於根據本發明之系統中的感測器子系統900，以及收集器鏡300。如示意性地所展示之感測器子系統900包含感測器900.1，且多層面鏡總成包含以橫截面展示之一對面鏡910、920，面鏡910、920經組態以根據所指示箭頭930.2將自收集器鏡300反射之測試輻射930.1反射朝向感測器900.1。可看出，面鏡910及920形成史瓦茲柴德物鏡，其經組態以接收自收集器鏡300反射朝向收集器鏡之第一焦點之測試輻射光束930.1。在如所展示之實施例中，收集器鏡之第一焦點可例如經配置以與第一面鏡910實質上重合。在如所展示之實施例中，經由孔徑管940接收入射輻射930.1，孔徑管940經配置以接收朝向收集器鏡300之第一焦點之經反射輻射，亦即，在面鏡910被定位之處接收經反射輻射。在本發明之一實施例中，感測器子系統900可進一步配備有致動器或致動器配置，該致動器或致動器配置用於調整孔徑管、多層面鏡總成及感測器中 之至少一者以便接收自收集器鏡300之不同受限制部分反射之輻射。可指出，面鏡配置910、920可以與如圖4c中所展示之面鏡配置相似的方式被組態，但以相反方式被使用；亦即，在圖4c之實施例中，史瓦茲柴德物鏡用以自輻射源產生經準直光束，而在圖5f之實施例中，史瓦茲柴德物鏡經組態以接收經準直光束930.1並將其投影至感測器上。
在圖5e或圖5f中所展示之感測器子系統之實施例中，使用面鏡配置來對如由感測器所接收之測試輻射進行濾光。當使用此類實施例時，可省略對由源所產生之輻射之濾光。
在如圖3中所展示之配置中，輻射限制器子系統360配置於測試輻射子系統330與收集器鏡300之間的光束路徑中。因而，每次僅輻照收集器鏡300之受限制部分300.1。替代地，輻射限制器子系統可實施於收集器鏡300與感測器子系統340之間的輻射路徑中。在此類實施例中，經發射朝向收集器鏡300之測試輻射無需在空間上限於照射於收集器鏡之僅受限制部分上，此係因為如由感測器所接收之測試輻射之限制受到配置於收集器鏡300與感測器子系統340之間的輻射路徑中之輻射限制器子系統限制。在本發明之一實施例中，輻射限制器子系統包含配置於測試輻射子系統與收集器鏡之間的路徑中之第一輻射限制器子系統，及配置於收集器鏡與感測器子系統之間的路徑中之第二輻射限制器子系統。在此類輻射限制器子系統中，第一輻射限制器子系統可例如包含第一屏蔽部件，在第一屏蔽部件中具有第一孔徑，第一屏蔽部件配置於第二焦點與收集器鏡之間的測試輻射之光學路徑中，而第二輻射限制器子系統可例如包含第二屏蔽部件，在第二屏蔽部件中具有第二孔徑，第二屏蔽部件配置於收集器鏡與第一焦點之間的測試輻射之光學路徑中。應注意，在本發明之含義內， 光學路徑可指由測試輻射沿循之軌跡，即使所施加輻射可能並不可見亦如此。
圖6中示意性地展示此類實施例。圖6示意性地展示與圖3相同的特徵及組件。另外，該實施例包含另一輻射限制器子系統390，另一輻射限制器子系統390經組態以將如由感測器子系統340所接收之測試輻射限制至自收集器鏡300之受限制部分300.1反射之輻射。在如所展示之實施例中，另一輻射限制器子系統390包含由孔徑管390.2突起之屏蔽部件390.1。由於在收集器鏡與第一焦點之間的光學路徑及第二焦點與收集器鏡之間的光學路徑兩者中包括輻射限制器子系統，故可減輕或避免雜散光效應。熟習此項技術者將瞭解，兩個輻射限制器子系統之位移同步，此在於兩個輻射限制器子系統需要被定向朝向同一受限制部分，例如收集器鏡300之部分300.1。
在本發明之一實施例中，輻射限制器子系統包含半球形屏蔽部件及突起通過半球之頂點之孔徑管。圖7中示意性地展示此類實施例。圖7示意性地展示包含半球狀屏蔽部件950及突起通過半球之頂點之孔徑管960的輻射限制器子系統。輻射限制器子系統進一步包含致動器配置970，致動器配置970包含經組態以使屏蔽部件950及孔徑管960圍繞平行於所指示X軸之軸線旋轉的第一致動器970.1，及經組態以使屏蔽部件950及孔徑管960圍繞平行於所指示Z軸之軸線旋轉的第二致動器970.2。如圖7中示意性地所展示之輻射限制器子系統可例如應用為圖6中所展示之輻射限制器子系統360、圖6中所展示之輻射限制器子系統390，或兩者。如示意性地所展示之致動器總成970亦可用以使圖4a至圖4c中所展示之測試輻射子系統中之任一者位移，及/或使圖5c至圖5f中所展示之感測器子 系統中之任一者位移。
在本發明之一實施例中，應用如圖7中示意性地所展示之輻射限制器子系統，使得一部分係由半球形成之球體之中心975實質上對應於第一焦點或第二焦點之位置。
在由根據本發明之系統檢測或測試諸如收集器鏡300之面鏡之前，可能有利的是校準該系統。在本發明之一實施例中，提議一種校準方法，藉以直接朝向感測器子系統發射由測試輻射子系統發射之測試輻射。圖8示意性地展示配置於校準位置中之根據本發明之系統。如示意性地所展示之系統實質上對應於圖6中所展示之系統，該系統包含測試輻射子系統330、感測器子系統340、控制子系統370及輻射限制器子系統，輻射限制器子系統包含第一輻射限制器子系統360及第二或另一輻射限制器子系統390。相比於如圖6中所描繪之情形，如圖8中所展示之輻射限制器子系統360及390經配置--亦即，旋轉--使得孔徑360.2及390.2指向彼此。在亦被稱作校準位置之此類位置中，可經由孔徑360.2直接將測試輻射光束1000發射至孔徑390.2中，以便由感測器子系統340接收，尤其是由感測器子系統340之感測器接收。藉由在校準位置中比較源量測資料--亦即，指示由測試輻射子系統330發射之輻射之量的資料--與自感測器子系統340獲得之量測資料，吾人可校準系統，亦即，在不存在收集器鏡的情況下判定所發射測試輻射與所接收測試輻射之間的關係。在圖8中，元件符號370.2及370.3可分別指示如提供給控制單元370之所獲得量測資料及源量測資料。在本發明之一實施例中，在判定收集器鏡之反射率之量測或測試序列之前，可判定所接收輻射之量對所發射輻射之量的比率，或所接收輻射之量與所發射輻射之量之間的差。
在本發明之一實施例中，在判定收集器鏡之反射率之量測或測試序列之後，可再次判定所接收輻射對所發射輻射之比率，或該差。藉由在量測序列之前及之後判定所提及之比率或差，可偵測及考量測試輻射子系統330或感測器子系統340之任何漂移或退化。
關於如所論述之校準方法，可指出，當省略第一輻射限制器子系統360或第二輻射限制器子系統390時，亦可應用相同方法。
在本發明之一實施例中，在檢測或測試期間在實質上靜止框架處安裝待檢測或測試之面鏡，例如收集器鏡300。
在本發明之一實施例中，在正常操作期間，以實質上對應於待檢測或測試之面鏡之定向的相對於重力之定向在此類框架處安裝該面鏡。圖9中針對收集器鏡1100示意性地展示此類實施例。
圖9示意性地展示根據本發明之一實施例的安裝於系統1200內部之收集器鏡1100。在如所展示之實施例中，該系統包含第一真空腔室或容器1210，在第一真空腔室或容器1210中，收集器鏡1100可配置於例如框架1220上。在如所展示之實施例中，容器1210以某一角度安裝至外部框架1230，該角度例如經選擇使得收集器鏡1100在安裝至框架1220時以與在正常操作期間所應用之角度實質上相同的角度配置。藉此，吾人可假定，收集器鏡1100例如歸因於重力之任何變形將實質上對應於面鏡1100在正常操作期間--亦即，在例如安裝於諸如圖2中所展示之系統之微影系統之EUV源中時--之變形。系統1200進一步包含經配置以自收集器鏡之第二焦點1250發射測試輻射1240.1的測試輻射子系統1240，及經配置以接收自收集器鏡1100反射朝向收集器鏡1100之第一焦點1255之測試輻射1260.1的感測器子系統1260。在如所展示之實施例中，以如圖6 中所展示之相似方式，系統1200進一步包含輻射限制器子系統，輻射限制器子系統包含第一輻射限制器子系統1270及第二或另一輻射限制器子系統1280，輻射限制器子系統經組態以將如由感測器所接收之測試輻射限制至自收集器鏡1100之受限制部分反射之測試輻射。箭頭1285示意性地繪示輻射限制器子系統1270及1280在收集器鏡之測試期間之可能位移。在如所展示之實施例中，第一輻射限制器子系統1270包含屏蔽部件1270.1及孔徑管1270.2。在如所展示之實施例中，測試輻射子系統1240配置於第二真空腔室或容器1290中，第一真空腔室1210及第二真空腔室1290由壁1300分離，該壁包含一對實質上平行壁部分1300.1及1300.2，在壁部分1300.1及1300.2中具有孔徑以允許測試輻射傳遞朝向收集器鏡。在如所展示之實施例中，壁部分1300.1及1300.2被分離達間隙1310，間隙1310經組態以收納第一輻射限制器子系統1270之屏蔽部件1270.1。在如所展示之實施例中，壁1300中之孔徑經組態使得如所發射之測試輻射可到達收集器鏡1100之所有部分。藉由在分離真空腔室1210及1290兩者之壁之兩個壁部分1300.1及1300.2之間配置第一輻射限制器子系統之屏蔽部件1270.1，會產生迷宮(labyrinth)，其會阻擋或阻礙由測試輻射子系統1240產生之任何碎屑傳播至含有收集器鏡之真空腔室1210中。為了進一步阻礙或阻擋真空腔室1210之污染，根據本發明之系統可進一步包含淨化氣體子系統，淨化氣體子系統經組態以朝向第二真空腔室1290引入淨化氣體流，以便阻礙碎屑傳播至第一真空腔室1210。元件符號1320係指此類淨化氣體子系統。亦可指出，淨化氣體子系統可用以淨化本發明之實施例中所應用之孔徑管中之任一者，以便阻止碎屑傳播朝向收集器鏡。
如上文已論述，在本發明之一實施例中，用於檢測或測試 收集器鏡--例如EUV輻射源之收集器鏡--之系統經組態以由測試輻射--例如測試輻射光束--輻照收集器鏡之受限制部分。換言之，如根據本發明之系統中所應用之測試輻射子系統可經組態以在收集器鏡上輻照光點，經輻照光點之大小對應於輻射光束之大小，亦即，如所施加之測試輻射光束之大小。原則上，可隨機地選擇如所施加之光點之大小。熟習此項技術者將理解，光點大小--亦即，對應於每量測的收集器鏡輻照之受限制部分--愈小，則如所獲得之反射率映圖之解析度愈高。又，光點大小愈小，則整個收集器鏡可採取之量測愈長，且量測之信雜比可愈小。
通常，如EUV輻射源中所應用之收集器鏡配備有經配置以縮減反射朝向收集器鏡之第二焦點--例如圖2中所展示之中間焦點IF--之IR輻射的光柵。圖10中示意性地展示此類光柵。圖10示意性地展示收集器鏡之部分1400，包括具有週期性P之光柵1410。圖10進一步展示經組態以照射於收集器鏡部分1400之受限制部分上的測試輻射光束1420。輻射光束1420具有對應於被輻照的收集器鏡之光點或受限制部分之大小的橫截面Pb。
發明人已想到，光柵之邊緣1410.1可能會造成如所執行之量測擾動。為了避免此類擾動，已發現，可能有利的是將由輻射光束1420輻照之光點之大小選擇為光柵之週期性的整數倍數，亦即，選擇Pb=n×P，n為整數。
圖11示意性地展示根據本發明之系統的橫截面圖，如由發明人HF在白板1500上所繪製。
在如上文所描述之根據本發明之系統之實施例中，根據本發明之系統被描述為用於收集器鏡--尤其是具有第一焦點及第二焦點之收 集器鏡--之檢測或測試系統。當待測試之面鏡具有第一焦點及第二焦點時，如上文所描述，有利的是在第一焦點及第二焦點中之一者中配置測試輻射子系統並在第一焦點及第二焦點中之另一者中配置感測器子系統。藉此，可使用自第一焦點發射之輻射將到達第二焦點(或反之亦然)之面鏡屬性，而不管輻射被發射之角度。然而，亦可實施本發明以檢測或測試其他面鏡，亦即，不具有第一焦點及/或第二焦點之面鏡。
在不存在第一焦點及/或第二焦點的情況下，可能需要採取適當措施以確保如由測試輻射子系統所發射並由面鏡反射之測試輻射由根據本發明之系統之感測器子系統捕捉。此類措施可例如包括應用一或多個致動器或馬達，致動器或馬達可使感測器子系統及/或測試輻射子系統及/或輻射限制器子系統及/或正被測試或檢測之面鏡位移。
圖12中示意性地繪示包括此類措施的根據本發明之系統。
圖12示意性繪示根據本發明之系統1100，該系統經組態以檢測面鏡1110，該面鏡1110具有反射表面1110.1。反射表面1110.1通常可具有任意形狀。面鏡1110可例如為實質上平坦面鏡、抛物面鏡或自由形式面鏡。根據本發明之一實施例的系統包含測試輻射子系統1120、感測器子系統1130及輻射限制器子系統，輻射限制器子系統包含第一輻射限制器子系統1140.1及第二輻射限制器子系統1140.2。該等子系統實質上具有與上文所描述之子系統相同的功能性。在如所展示之實施例中，該系統進一步包含經組態以使感測器子系統1130及輻射限制器子系統1140.2位移之致動器子系統1150。詳言之，致動器子系統1150經組態以使感測器子系統1130及輻射限制器子系統1140.2沿著X軸位移。
根據本發明之系統1100包含可操作以將測試輻射1120.1投 影至面鏡1100之測試輻射子系統1120。關於測試輻射之類型，尤其是輻射之波長或波長範圍，如上文所描述之相似考慮適用。在一實施例中，測試輻射子系統1120經組態以產生跨越角度α0之測試輻射，使得原則上可輻照整個面鏡1100。請注意，圖12之圖解以二維橫截面表示收集器鏡300，且實務上，通常在三個維度上發射測試輻射。在一實施例中，測試輻射子系統1120經組態以產生跨越小於角度α0之角度的測試輻射。在此類實施例中，仍可例如藉由使測試輻射子系統1120或其部分旋轉來掃描或輻照整個面鏡1100。
根據本發明之系統1100進一步包含感測器子系統1130，感測器子系統1130可操作以接收自面鏡1100反射朝向感測器子系統1130之測試輻射，例如由箭頭1142指示之測試輻射。在一實施例中，如例如上文所描述，感測器子系統1130可包含用於量測自面鏡1110反射之測試輻射的一或多個感測器或偵測器。
根據本發明，用於測試面鏡1110之系統1100進一步包含輻射限制器子系統，輻射限制器子系統包含第一輻射限制器子系統1140.1及第二輻射限制器子系統1140.2。輻射限制器子系統1140.1、1140.2經組態以將如由感測器子系統1130所接收之測試輻射限制至自面鏡1110之受限制部分反射之測試輻射。藉此，由感測器子系統1130量測或偵測之輻射將僅涉及自面鏡300之受限制部分反射之輻射。在如所展示之實施例中，面鏡之受限制部分由面鏡片段1110.2指示。藉由將如由感測器子系統1130所接收之輻射限制至自面鏡之受限制部分1110.2反射之輻射，吾人可評估面鏡之彼特定部分之效能，例如評估彼部分之反射率。
在如所展示之實施例中，輻射限制器子系統1140.1經組態 以僅使所產生輻射1120.1之小部分1141傳遞朝向面鏡1110。輻射1120.1之小部分1141對向比角度α0小得多的角度。為了實現彼情形，輻射限制器子系統1140.1包含具有孔徑之屏蔽部件，孔徑為例如測試輻射1120.1之小部分可傳遞通過之管狀形孔徑。輻射限制器子系統1140.1因此使僅受限制部分--例如面鏡之部分1110.2--能夠由測試輻射子系統330所產生之測試輻射輻照。以相似方式，輻射限制器子系統1140.2經組態以僅允許感測器子系統自面鏡1110之受限制部分接收測試輻射。應注意，第一輻射限制器子系統1140.1及第二輻射限制器子系統1140.2可因此具有與如圖3及圖6中所描述之輻射限制器子系統實質上相同的功能性及結構。應注意，以如圖3中所描述之相似方式，可省略第一輻射限制器子系統1140.1及第二輻射限制器子系統1140.2中之任一者。
根據本發明，該系統進一步包含控制子系統1170，控制子系統1170經組態以例如藉由向第一輻射限制器子系統1140.1及第二輻射限制器子系統1140.2提供控制信號1170.1及1170.2來控制該等輻射限制器子系統之移動。詳言之，控制子系統1170經組態以控制輻射限制器子系統之位置，使得可改變由測試輻射輻照的面鏡之受限制部分。因而，控制子系統1170可例如經組態以控制輻射限制器子系統沿著一系列不同位置之移動，藉此將如由感測器子系統1130所接收之測試輻射限制至自面鏡1110之一系列各別不同受限制部分反射之測試輻射。藉此，可評估面鏡1110之不同受限制部分之效能，例如評估此等部分之反射率。
在本發明之一實施例中，一組不同受限制部分實質上覆蓋整個面鏡1110。
在本發明之一實施例中，輻射限制器子系統可包含一或多 個致動器，以便改變投影至面鏡1110上之測試輻射1141之定向，及改變如由感測器子系統1130所接收之測試輻射1142之定向。
在一實施例中，控制子系統1170可經組態以將光束或光束塑形測試輻射導向至面鏡1110之複數個不同受限制部分上，係一個受限制部分接另一受限制部分進行導向。測試輻射光束在面鏡1110之不同受限制部分上之此類依序投影亦可被稱作運用測試輻射光束來掃描面鏡。在藉以掃描面鏡1110之部分或整個面鏡的此類掃描程序期間，感測器子系統1130可產生表示自收集器鏡1110之不同受限制部分反射之測試輻射的一組量測資料。可例如經由資料通道將此類量測資料提供給根據本發明之系統之控制子系統1170，如由箭頭1170.3所指示。在一實施例中，如所接收之量測資料1170.3可例如由控制子系統1170之處理單元1180處理。此類處理單元可例如被體現為處理器、微處理器、電腦或其類似者。此類處理單元1180可例如包含用於儲存量測資料之記憶體單元。
在一實施例中，處理單元1180可經組態以處理量測資料以便判定收集器鏡之至少部分之空間反射率分佈。在此類實施例中，可比較表示自面鏡1110之不同受限制部分反射之測試輻射的量測資料與表示所產生或所發射測試輻射之資料，以判定面鏡之不同受限制部分之反射率。反射率之量度之實例為所接收測試輻射之量對所產生或所發射測試輻射之量的比率，及一方面為所產生或所發射測試輻射之量與另一方面為所接收測試輻射之量之間的差。因而，在本發明之一實施例中，自感測器子系統1130獲得之量測資料可被補充有源量測資料，源量測資料表示在掃描程序期間發射或產生之測試輻射之量。可例如經由資料通道將此類源量測資料提供給控制子系統1170之處理單元1180。
如圖12中示意性地所展示的根據本發明之系統之實施例進一步包含經組態以使感測器子系統1130及輻射限制器子系統1140.2位移之致動器子系統1150。此致動器子系統1150之目標係確保由感測器子系統1130捕捉自面鏡反射之測試輻射，例如由元件符號1142指示之輻射。在不存在第一焦點及第二焦點的情況下，熟習此項技術者應清楚，經導向面鏡上之不同部位之測試輻射亦將反射至不同部位。因而，在本發明之一實施例中，藉由提供感測器子系統1130及輻射限制器子系統1140.2之位移來預期經導向面鏡上之不同部位之測試輻射將反射至不同部位的事實。
圖12中示意性地繪示此類所需位移。詳言之，在圖12中，虛線箭頭1143表示經導向面鏡1110之受限制部分1110.3之測試輻射，受限制部分1110.3相比於受限制部分1110.2處於面鏡上之不同部位。虛線箭頭1144表示自受限制部分1110.3反射之測試輻射。可看出，相比於經反射測試輻射1142，經反射測試輻射1144在不同部位處並以不同角度被導向。為了捕捉經反射測試輻射1144，可使感測器子系統1130及輻射限制器子系統1140.2位移至由虛線1190示意性地指示之部位。虛線1190因此示意性地表示感測器子系統1130之部位，及使能夠捕捉測試輻射1144之輻射限制器子系統1140.2之定向。在本發明之一實施例中，控制單元1170可經組態以基於待檢測之面鏡之已知形狀或預定形狀資訊以及測試輻射子系統及面鏡之已知相對位置而對於測試輻射瞄準的面鏡之特定受限制部分判定經反射測試輻射將被導向於何處。基於此所判定方向，控制單元1170可接著經組態以例如藉由向致動器子系統1150提供適當控制信號1170.4而控制致動器子系統1150以使感測器子系統1130及輻射限制器子系統1140.2位移至適當部位來捕捉經反射輻射。
在一實施例中，致動器子系統1150可例如包含用於使感測器子系統1130及輻射限制器子系統1140.2位移之一或多個致動器，諸如電磁致動器或壓電致動器及/或一或多個線性或平面馬達。在一實施例中，致動器子系統1150可經組態以使感測器子系統1130及輻射限制器子系統1140.2在多個自由度上位移。在如所展示之實施例中，致動器子系統1150可例如經組態以使感測器子系統1130及輻射限制器子系統1140.2在X方向及Y方向上位移，Y方向垂直於如所指示之XZ平面。
在如所展示之實施例中，測試輻射子系統1120安裝至框架1200，感測器子系統1130及輻射限制器子系統1140.2可由致動器子系統1150相對於框架1200位移。在此類實施例中，待檢測之測試輻射子系統及面鏡之相對位置可在檢測期間保持固定。
作為由致動器子系統1150使感測器子系統1130及輻射限制器子系統1140.2位移之替代方案，根據本發明之系統亦可包含經組態以使面鏡1110相對於測試輻射子系統1120位移之致動器子系統。
圖13中示意性地描繪此類實施例。除了以下情形以外，如圖13中示意性地所展示之系統1300實質上對應於圖12中所展示之系統1100。在如圖13中所展示之實施例中，測試輻射子系統1120及感測器子系統1130連同輻射限制器子系統一起安裝至共同框架1200。在如所展示之實施例中，測試輻射子系統1120及感測器子系統1130因此被視為具有固定相對位置。為了確保自面鏡1110反射之測試輻射反射朝向感測器子系統1130，該系統具備經組態以使面鏡1110位移之致動器子系統1155。詳言之，致動器子系統1155經組態以使面鏡位移，使得自受限制部分1110.3反射之經反射輻射1145經導向與經反射輻射1142相同的部位。詳言之， 在如所展示之實施例中，致動器子系統1155經組態以使面鏡1110傾斜或旋轉，使得測試輻射1143作為輻射1145反射朝向感測器子系統1130之部位。應注意，為了使感測器子系統1130捕捉經反射輻射1145，可能需要使輻射限制器子系統1140.2旋轉。以如參考圖12所描述之相似方式，控制單元1170可經組態以基於待檢測之面鏡之已知形狀或預定形狀資訊以及測試輻射子系統及面鏡之已知相對位置而對於測試輻射瞄準的面鏡之特定受限制部分判定經反射測試輻射將被導向於何處。基於此所判定方向，控制單元1170可接著經組態以例如藉由向致動器子系統1155提供適當控制信號而控制致動器子系統1155以使面鏡位移至適當部位或位置來將如由面鏡所接收之測試輻射反射至感測器子系統。
由致動器子系統1150使感測器子系統1130及輻射限制器子系統1140.2位移或由致動器子系統1155使面鏡1110相對於測試輻射子系統位移之替代方案係應用用於使測試輻射子系統1120相對於面鏡1110位移之致動器子系統，藉此安排使經反射輻射到達感測器子系統1130，而不管面鏡之哪一部分被輻照。
在如參考圖12及圖13所描述之實施例中，使用致動器子系統以確保在測試輻射子系統與感測器子系統之間建立用於測試輻射之光學路徑。在此類實施例中，因此使用致動器子系統以確保測試輻射子系統、面鏡及感測器子系統處於適當相對位置及定向，使得照射經檢測或測試之面鏡之特定部分並自面鏡反射的測試輻射由感測器子系統捕捉。根據本發明，測試輻射之光學路徑亦將通過輻射限制器子系統或若干輻射限制器子系統。如上文所描述，該等系統亦可由致動器子系統定位或位移。
在本發明之一實施例中，進一步應用致動器子系統以控制 測試輻射入射至面鏡上之角度。在圖12中可看出，測試輻射1141之入射角不同於測試輻射1143之入射角。此可能不良。詳言之，可能需要測試面鏡，例如以判定面鏡之反射率，使得如所施加之測試輻射以實質上相同的方式--亦即，以相同的入射角--照射面鏡，如在面鏡之正常使用期間所發生。對於特定應用，輻射光束可橫越整個面鏡表面以實質上相同的角度照射面鏡。為了測試此類面鏡，可能因此有利的是確保測試輻射以適當角度照射面鏡，而不管面鏡之哪一部分被輻照。可例如藉由控制測試輻射子系統及面鏡之相對位置及/或定向來確保此類配置。可例如藉由應用經組態以控制測試輻射子系統及面鏡之相對位置及/或定向的致動器子系統來建立此類控制。此類致動器子系統可例如由如上文所描述之控制子系統控制，藉以控制子系統經組態以基於經測試或檢測之面鏡之所需入射角資訊產生用於控制致動器子系統之控制信號。
因而，在本發明之一實施例中，如所應用之致動器子系統或若干致動器子系統可用作雙重目的：- 在測試輻射子系統與感測器子系統之間提供用於測試輻射之光學路徑，及- 確保測試輻射照射於以適當或所要入射角測試之面鏡上。
為了滿足兩個要求，可能需要在額外或多個自由度上之移動或位移。
在本發明之一實施例中，致動器次總成可例如包含5或6自由度機器人臂來使測試輻射子系統及/或感測器子系統位移。
可指出，亦可組合根據本發明之系統之上文所提及之實施例。在此類組合實施例中，吾人可例如應用致動器子系統，致動器子系統 經組態以使面鏡及測試輻射子系統兩者位移，或使面鏡及感測器子系統兩者位移，或任何其他組合。
在此類實施例中，可能例如有利的是分佈需要遍及不同組件致動之所需自由度。
參看圖12之實施例，可能例如有利的是對致動器子系統進行配置以便掃描面鏡1110，致動器子系統經組態以使感測器子系統沿著X軸位移並使面鏡沿著Y軸位移。因而，藉由使用兩個線性馬達或致動器，可獲得面鏡表面之二維掃描。
如所提及，如上文參考圖12及圖13所描述之系統使能夠檢測或測試不具有第一及第二焦點之面鏡。可因此應用該等系統以評估任意形狀之面鏡或具有單一焦點之面鏡的反射率。
通常，自上文所給出之實例將顯而易見，吾人將需要應用致動器子系統，接著使能夠在至少兩個自由度上位移或旋轉(應用於系統之同一組件或不同組件)，以便掃描或檢測面鏡之表面。然而，在具有光軸--亦即，存在旋轉對稱性所沿著之軸線--之面鏡的狀況下，可能足夠的是使系統之任一組件--亦即，面鏡或測試輻射子系統或感測器子系統--在僅一個自由度--例如沿著光軸之平移自由度--上位移。為了實現此情形，測試輻射子系統及感測器子系統兩者應配置於光軸上，如例如圖3及圖6中所展示。在此類配置中，吾人可例如使用如圖3及/或圖6中所展示之系統來測試抛物面鏡，其中新增經組態以使感測器子系統沿著光軸平移以確保捕捉經反射輻射之致動器子系統。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。系統之行為可在很大程度上由 含有用於實施如上文所揭示之方法之某些步驟的機器可讀指令之一或多個序列的電腦程式或由儲存有此類電腦程式之資料儲存媒體(例如半導體記憶體、磁碟或光碟)界定。以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
300‧‧‧收集器鏡
310‧‧‧第一焦點
320‧‧‧第二焦點
330‧‧‧測試輻射子系統
330.1‧‧‧測試輻射
340‧‧‧感測器子系統
360‧‧‧第一輻射限制器子系統
360.1‧‧‧屏蔽部件
360.2‧‧‧管狀形孔徑
370‧‧‧控制子系統
370.1‧‧‧控制信號
370.2‧‧‧所獲得量測資料
370.3‧‧‧源量測資料
380‧‧‧處理單元
390‧‧‧第二輻射限制器子系統
390.1‧‧‧屏蔽部件
390.2‧‧‧孔徑管
1000‧‧‧測試輻射光束
1500‧‧‧白板
HF‧‧‧發明人
X‧‧‧軸線/方向
Z‧‧‧軸線/方向

Claims (26)

  1. 一種經組態用於測試具有一第一焦點及一第二焦點之一收集器鏡之系統，該系統包含：一測試輻射子系統，其可操作以將測試輻射自該第二焦點投影至該收集器鏡上；一感測器子系統，其可操作以接收自該收集器鏡反射朝向該第一焦點之測試輻射；及一輻射限制器(radiation limiter)子系統，其可操作以將如由該感測器子系統所接收之該測試輻射限制至自該收集器鏡之一受限制部分反射之測試輻射；一控制子系統，其可操作以控制該輻射限制器子系統沿著一系列不同位置之一移動，藉此將如由該感測器子系統所接收之該測試輻射限制至自該收集器鏡之一系列各別不同受限制部分反射之測試輻射。
  2. 如請求項1之系統，其中該控制子系統包含經組態以進行以下操作之一處理單元：自該感測器子系統接收量測資料，該量測資料表示自該收集器鏡之該系列各別不同受限制部分反射之測試輻射；處理該量測資料以便判定該收集器鏡之至少部分之一空間反射率分佈。
  3. 如請求項1或2之系統，其中該測試輻射包含EUV輻射。
  4. 如請求項3之系統，其中該測試輻射子系統包含用於產生該EUV輻射之一EUV源。
  5. 如請求項3之系統，其中該測試輻射子系統包含用於對該EUV輻射進行濾光之一多層面鏡總成。
  6. 如請求項5之系統，其中該多層面鏡總成包含一對多層面鏡，該對多層面鏡用於對由該測試輻射子系統自該第二焦點投影之該EUV輻射之一光譜進行光譜塑形。
  7. 如請求項6之系統，其中該對多層面鏡經配置為一史瓦茲柴德物鏡。
  8. 如請求項1或2之系統，其中該感測器子系統包含一感測器，該感測器可操作以接收自該收集器鏡反射朝向該第一焦點之該測試輻射，並產生表示如所接收之該測試輻射之一量測信號。
  9. 如請求項8之系統，其中該感測器子系統包含用於對如由該感測器所接收之該測試輻射進行濾光之一多層面鏡總成。
  10. 如請求項8之系統，其中該感測器包含一EUV光電二極體。
  11. 如請求項1或2之系統，其中該測試輻射子系統包含一源感測器，該 源感測器經組態以產生表示由該測試輻射子系統投影之該測試輻射之一源量測信號。
  12. 如請求項1或2之系統，其中該輻射限制器子系統包含一屏蔽部件，在該屏蔽部件中具有一孔徑，該屏蔽部件配置於該測試輻射之一光學路徑中。
  13. 如請求項12之系統，其中該孔徑由該輻射限制器子系統之一孔徑管形成。
  14. 如請求項12之系統，其中該輻射限制器子系統配置於該第二焦點與該收集器鏡之間的該測試輻射之一光學路徑中。
  15. 如請求項12之系統，其中該輻射限制器子系統配置於該第二焦點與該收集器鏡之間的該測試輻射之一光學路徑中。
  16. 如請求項12之系統，其中該輻射限制器子系統包含：一第一屏蔽部件，在該第一屏蔽部件中具有一第一孔徑，該第一屏蔽部件配置於該第二焦點與該收集器鏡之間的該測試輻射之一光學路徑中；一第二屏蔽部件，在該第二屏蔽部件中具有一第二孔徑，該第二屏蔽部件配置於該收集器鏡與該第一焦點之間的該測試輻射之一光學路徑中。
  17. 如請求項16之系統，其中該控制子系統經組態以控制該第一屏蔽部件及該第二屏蔽部件之一移動，以便經由該第一孔徑及該第二孔徑兩者在該第二焦點與該第一焦點之間建立用於該測試輻射之一光學路徑。
  18. 如請求項16之系統，其中該控制子系統經組態以藉由進行以下操作來執行該系統之一校準：沿著通過該第一焦點及該第二焦點之一光軸定位該第一孔徑及該第二孔徑兩者；控制該測試輻射子系統以通過該第一孔徑及該第二孔徑兩者直接朝向該感測器子系統發射測試輻射；接收表示如所接收之該測試輻射的該感測器子系統之一量測信號；接收表示由該測試輻射子系統投影之該測試輻射的該測試輻射子系統之一源量測信號；及基於該量測信號及該源量測信號而校準該系統。
  19. 如請求項1或2之系統，其中該測試輻射子系統包含一Xe、Li或Sn輻射源。
  20. 一種經組態用於測試一面鏡之系統，該系統包含：一測試輻射子系統，其可操作以將測試輻射投影至該面鏡上；一感測器子系統，其可操作以接收自該面鏡反射之測試輻射；及一輻射限制器子系統，其可操作以將如由該感測器所接收之該測試 輻射限制至自該面鏡之一受限制部分反射之測試輻射；一控制子系統，其可操作以控制該輻射限制器子系統沿著一系列不同位置之一移動，藉此將如由該感測器所接收之該測試輻射限制至自該面鏡之一系列各別不同受限制部分反射之測試輻射。
  21. 如請求項20之系統，其進一步包含：一致動器子系統，其經組態以使該測試輻射子系統、該感測器子系統、該輻射限制器子系統及該面鏡中之至少一者位移。
  22. 如請求項21之系統，其中該控制子系統經組態以控制該致動器子系統以便在該測試輻射子系統與該感測器子系統之間建立用於該測試輻射之一光學路徑。
  23. 一種測試具有一第一焦點及一第二焦點之一收集器鏡之方法，該方法包含：將測試輻射自該第二焦點投影至該收集器鏡上；由一感測器接收自該收集器鏡反射朝向該第一焦點之測試輻射；及將如由該感測器所接收之該測試輻射限制至自該收集器鏡之一受限制部分反射之測試輻射；控制一輻射限制子系統沿著一系列不同位置之一移動，藉此將如由該感測器所接收之該測試輻射限制至自該收集器鏡之一系列各別不同受限制部分反射之測試輻射。
  24. 如請求項23之方法，其中限制該測試輻射之步驟包含：在該第二焦點與該收集器鏡之間的該測試輻射之一光學路徑中配置 一第一屏蔽部件，在該第一屏蔽部件中具有一第一孔徑；及在該收集器鏡與該第一焦點之間的該測試輻射之一光學路徑中配置一第二屏蔽部件，在該第二屏蔽部件中具有一第二孔徑。
  25. 如請求項24之方法，其中控制一移動之步驟包含：控制該第一屏蔽部件及該第二屏蔽部件之一移動，以便經由該第一孔徑及該第二孔徑兩者在該第二焦點與該第一焦點之間建立用於該測試輻射之一光學路徑。
  26. 如請求項25之方法，其進一步包含該測試方法之一校準步驟，該校準步驟包含：沿著通過該第一焦點及該第二焦點之一光軸定位該第一孔徑及該第二孔徑兩者；通過該第一孔徑及該第二孔徑兩者控制待直接朝向該第一焦點發射之測試輻射；接收表示如所接收之該測試輻射之一量測信號；接收表示該所發射測試輻射之一源量測信號；及基於該量測信號及該源量測信號而校準該測試方法。
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