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TWI861491B - 表面處理劑 - Google Patents

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TWI861491B
TWI861491B TW111115058A TW111115058A TWI861491B TW I861491 B TWI861491 B TW I861491B TW 111115058 A TW111115058 A TW 111115058A TW 111115058 A TW111115058 A TW 111115058A TW I861491 B TWI861491 B TW I861491B
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organic group
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渡邊裕介
小澤香織
三橋尚志
山下恒雄
後藤章広
久保田大貴
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日商大金工業股份有限公司
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Abstract

本發明之課題在於提供一種表面處理劑，其可形成耐磨損性更高的表面處理層。

用於解決本發明之手段為一種表面處理劑，其係包含下述式(1)所示之含氟聚醚基之矽烷化合物(A)、及下述式(2)所示之含氟聚醚基之矽烷化合物(B)[式中，各符號係如說明書中所記載]。

RF1 α-XA-RS1 β (1)

RS2 γ-XB-RF2-XB-RS2 γ (2)

Description

表面處理劑
本揭示係關於表面處理劑。
已知某種含氟矽烷化合物使用於基材之表面處理，則能夠提供優異的撥水性、撥油性、防污性等。從包含含氟矽烷化合物之表面處理劑而得的層(以下亦稱為「表面處理層」)，作為所謂的機能性薄膜而實施於例如，玻璃、塑料、纖維、衛生用品、建築材料等各種各樣的基材(專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1 日本特開2014-218639號公報
專利文獻1所述之含氟矽烷化合物雖可賦予具有優異的機能之表面處理層，惟要求具有更高耐磨損性的表面處理層。
本揭示之目的在於提供一種可形成更高耐磨損性之表面處理層的表面處理劑。
本揭示包含以下態樣。
[1]一種表面處理劑，其係包含：
下述式(1)所示之含氟聚醚基之矽烷化合物(A)，
RF1 α-XA-RS1 β (1)[式中：
RF1在每次出現時各自獨立地為Rf1-RFA-Oq-；
Rf1在每次出現時各自獨立地為可經1個以上之氟原子取代的C1-16烷基；
RFA在每次出現時各自獨立地為具有分支構造的氟聚醚基；
q在每次出現時各自獨立地為0或1；
RS1在每次出現時各自獨立地為包含具有羥基或水解性基之Si原子之基；
XA各自獨立地為單鍵或2至10價之有機基；
α為1至9之整數；
β為1至9之整數]，及
下述式(2)所示之含氟聚醚基之矽烷化合物(B)
RS2 γ-XB-RF2-XB-RS2 γ (2)[式中：
RF2係-Rf2 p-RFB-Oq-；
Rf2係可經1個以上之氟原子取代的C1-6伸烷基；
RFB在每次出現時各自獨立地為直鏈之氟聚醚基；
p為0或1；
q在每次出現時各自獨立地為0或1；
RS2在每次出現時各自獨立地為包含具有羥基或水解性基之Si原子之基；
XB各自獨立地為單鍵或2至10價之有機基；
γ各自獨立地為1至9之整數]。
[2]如上述[1]所述之表面處理劑，其中，RFA在每次出現時各自獨立地為下述式所示之基，且為至少具有1個分支構造之基，-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3XF 6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-[式中，
a、b、c、d、e及f各自獨立地為0以上200以下之整數，a、b、c、d、e及f之和至少為1，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意，
XF在每次出現時各自獨立地為氫原子、氟原子或氯原子]；
RFB在每次出現時各自獨立地為下述式所示之基，且為直鏈基，-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3XF 6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-[式中，
a、b、c、d、e及f各自獨立地為0以上200以下之整數，a、b、c、d、e及f之和至少為1，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意，
XF在每次出現時各自獨立地為氫原子、氟原子或氯原子]。
[3]如上述[1]或[2]所述之表面處理劑，其中，RFA在每次出現時各自獨立地為下述式(f1)、(f2)、(f3)、(f4)、(f5)或(f6)所示之基，且為至少具有1個分支構造之基，
-(OC3F6)d-(OC2F4)e- (f1)[式中，d為1至200之整數，e為0或1]、
-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f2)[式中，c及d各自獨立地為0至30之整數；
e及f各自獨立地為為1至200之整數；
c、d、e及f之和為10至200之整數；
標註c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]、
-(R6-R7)g- (f3)[式中，R6係OCF2或OC2F4；
R7係選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基，或者，係選自該等基之2或3個基的組合；
g為2至100之整數]、
-(R6-R7)g-Rr-(R7’-R6’)g’- (f4)[式中，R6係OCF2或OC2F4、
R7係選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基，或者，係獨立地選自該等基之2或3個基的組合、
R6’係OCF2或OC2F4、
R7’係選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基，或者，係獨立地選自該等基之2或3個基的組合、
g為2至100之整數、
g’為2至100之整數、
Rr為
Figure 111115058-A0202-12-0005-2
 (式中，＊表示鍵結位置)]；
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f5)[式中，e為1以上200以下之整數，a、b、c、d及f各自獨立地為0以上200以下之整數，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f6)[式中，f為1以上200以下之整數，a、b、c、d及e各自獨立地為0以上200以下之整數，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]。
[4]如上述[1]至[3]中任一項所述之表面處理劑，其中，RFB在每次出現時各自獨立地為下述式(f1)、(f2)、(f3)、(f4)、(f5)或(f6)所示之基，且為直鏈基，
-(OC3F6)d-(OC2F4)e- (f1)[式中，d為1至200之整數，e為0或1]、
-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f2)[式中，c及d各自獨立地為0至30之整數；
e及f各自獨立地為為1至200之整數；
c、d、e及f之和為10至200之整數；
標註c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。]、
-(R6-R7)g- (f3)[式中，R6係OCF2或OC2F4；
R7係選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基，或者，係選自該等基之2或3個基的組合；
g為2至100之整數。]、
-(R6-R7)g-Rr-(R7’-R6’)g’- (f4)[式中，R6係OCF2或OC2F4、
R7係選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基，或者，係獨立地選自該等基之2或3個基的組合、
R6’係OCF2或OC2F4、
R7’係選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基，或者，係獨立地選自該等基之2或3個基的組合、
g為2至100之整數、
g’為2至100之整數、
Rr為
Figure 111115058-A0202-12-0007-3
 (式中，＊表示鍵結位置)]；
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f5)[式中，e為1以上200以下之整數，a、b、c、d及f各自獨立地為0以上200以下之整數，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f6)[式中，f為1以上200以下之整數，a、b、c、d及e各自獨立地為0以上200以下之整數，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]。
[5]如上述[1]至[4]中任一項所述之表面處理劑，其中，RFA在每次出現時各自獨立地為下述式(f1a)所示之基：
-(OCF(CF3)CF2)d-(OCF(CF3))e- (f1a)[式中，d為1至200之整數，e為0或1]。
[6]如上述[1]至[5]中任一項所述之表面處理劑，其中，RFB在每次出現時各自獨立地為下述式(f2b)所示之基：
-(OCF2CF2CF2CF2)c-(OCF2CF2CF2)d-(OCF2CF2)e-(OCF2)f- (f2b)[式中，c及d各自獨立地為0至30之整數；
e及f各自獨立地為為1至200之整數；
c、d、e及f之和為10至200之整數；
標註c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]。
[7]如上述[1]至[6]中任一項所述之表面處理劑，其中，RS1及RS2在每次出現時各自獨立地為下述式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)或(S5)所示之基，
Figure 111115058-A0202-12-0008-4
-SiR11 n1R12 3-n1 (S2)
-SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1 (S3)
-CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2 (S4)
-NRg1Rh1 (S5)[式中：
R11在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
R12在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
n1在每個(SiR11 n1R12 3-n1)單元各自獨立地為0至3之整數；
X11在每次出現時各自獨立地為單鍵或2價有機基；
R13在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
R14在每次出現時各自獨立地為氫原子、鹵素原子或-X11-SiR11 n1R12 3-n1；
R15在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子、碳數1至6之伸烷基或碳數1至6之伸烷基氧基；
t在每次出現時各自獨立地為2以上之整數；
Ra1在每次出現時各自獨立地為-Z1-SiR21 p1R22 q1R23 r1；
Z1在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；
R21在每次出現時各自獨立地為-Z1’-SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’；
R22在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
R23在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
p1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
q1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
r1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
p1、q1、及r1之合計在SiR21 p1R22 q1R23 r1單元中為3；
Z1’在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；
R21’在每次出現時各自獨立地為-Z1”-SiR22” q1”R23” r1”；
R22’在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
R23’在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
p1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
q1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
r1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
p1’、q1’、及r1’之合計在SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’單元中為3；
Z1”在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；
R22”在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
R23”在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
q1”在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
r1”在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
q1”及r1”之合計在SiR22” q1”R23” r1”單元中為3；
Rb1在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
Rc1在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
k1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
l1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
m1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
k1、l1及m1之合計在SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1單元中為3；
Rd1在每次出現時各自獨立地為-Z2-CR31 p2R32 q2R33 r2；
Z2在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
R31在每次出現時各自獨立地為-Z2’-CR32’ q2’R33’ r2’；
R32在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；
R33在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
p2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
q2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
r2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
p2、q2、及r2之合計在SiR31 p2R32 q2R33 r2單元中為3；
Z2’在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
R32’在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；
R33’在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
q2’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
r2’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
q2’、及r2’之合計在SiR32’ q2’R33’ r2’單元中為3；
Z3在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
R34在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
R35在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
n2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
Re1在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；
Rf1在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
k2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
l2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
m2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
k2、l2及m2之合計在CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2單元中為3；
Rg1及Rh1在每次出現時各自獨立地為-Z4-SiR11 n1R12 3-n1、-Z4-SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1、或-Z4-CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2；
Z4在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
惟，式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)及(S5)中，至少存在1個鍵結有羥基或水解性基的Si原子]。
[8]如上述[1]至[7]中任一項所述之表面處理劑，其中，RS1及RS2在每次出現時各自獨立地為下述式(S1)、(S3)、(S4)或(S5)所示之基，
Figure 111115058-A0202-12-0012-5
-SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1 (S3)
-CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2 (S4)
-NRg1Rh1 (S5)[式中：
R11在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
R12在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
n1在每個(SiR11 n1R12 3-n1)單元各自獨立地為0至3之整數；
X11在每次出現時各自獨立地為單鍵或2價有機基；
R13在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
R14在每次出現時各自獨立地為氫原子、鹵素原子或-X11-SiR11 n1R12 3-n1；
R15在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子、碳數1至6之伸烷基或碳數1至6之伸烷基氧基；
t在每次出現時各自獨立地為2以上之整數；
Ra1在每次出現時各自獨立地為-Z1-SiR21 p1R22 q1R23 r1；
Z1在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；
R21在每次出現時各自獨立地為-Z1’-SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’；
R22在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
R23在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
p1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
q1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
r1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
p1、q1、及r1之合計在SiR21 p1R22 q1R23 r1單元中為3；
Z1’在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；
R21’在每次出現時各自獨立地為-Z1”-SiR22” q1”R23” r1”；
R22’在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
R23’在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
p1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
q1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
r1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
p1’、q1’、及r1’之合計在SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’單元中為3；
Z1”在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；
R22”在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
R23”在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
q1”在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
r1”在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
q1”及r1”之合計在SiR22” q1”R23” r1”單元中為3；
Rb1在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
Rc1在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
k1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
l1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
m1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
k1、l1及m1之合計在SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1單元中為3；
Rd1在每次出現時各自獨立地為-Z2-CR31 p2R32 q2R33 r2；
Z2在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
R31在每次出現時各自獨立地為-Z2’-CR32’ q2’R33’ r2’；
R32在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；
R33在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
p2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
q2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
r2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
p2、q2、及r2之合計在SiR31 p2R32 q2R33 r2單元中為3；
Z2’在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
R32’在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；
R33’在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
q2’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
r2’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
q2’、及r2’之合計在SiR32’ q2’R33’ r2’單元中為3；
Z3在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
R34在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
R35在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
n2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
Re1在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；
Rf1在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
k2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
l2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
m2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
k2、l2及m2之合計在CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2單元中為3；
Rg1及Rh1在每次出現時各自獨立地為-Z4-SiR11 n1R12 3-n1、-Z4-SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1、或-Z4-CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2；
Z4在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
惟，式(S1)、(S3)、(S4)及(S5)中，至少存在2個鍵結有羥基或水解性基的Si原子]。
[9]如上述[1]至[8]中任一項所述之表面處理劑，其中，α、β、及γ為1。
[10]如上述[1]至[9]中任一項所述之表面處理劑，其中，XA及XB各自獨立地為單鍵或下述式所示之基：
-(R51)p5-(X51)q5-[式中：
R51為單鍵、-(CH2)s5-或鄰、間或對伸苯基、
s5為1至20之整數、
X51係-(X52)l5-、
X52在每次出現時各自獨立地為選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-CO-、-C(O)O-、-Si(R53)2-、-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、-CONR54-、-O-CONR54-、-NR54-及-(CH2)n5-所成群組中之基、
R53在每次出現時各自獨立地為1價有機基、
R54在每次出現時各自獨立地為氫原子、或1價有機基、
m5在每次出現時各自獨立地為1至100之整數、
n5在每次出現時各自獨立地為1至20之整數、
l5為1至10之整數、
p5為0或1、
q5為0或1、
於此，p5及q5之至少一者為1，標註p5或q5並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]。
[11]如上述[1]至[10]中任一項所述之表面處理劑，其中，相對於前述含氟聚醚基之矽烷化合物(A)與前述含氟聚醚基之矽烷化合物(B)之合計，前述含氟聚醚基之矽烷化合物(A)之含量為50mol%以上。
[12]如上述[1]至[11]中任一項所述之表面處理劑，其係使用作為防污性塗佈劑或防水性塗佈劑。
[13]如上述[1]至[12]中任一項所述之表面處理劑，其係濕潤覆蓋用。
[14]一種物品，其係包含基材、以及藉由上述[1]至[13]中任一項所述之表面處理劑形成在該基材上的層。
[15]如上述[14]所述之物品，其為光學構件。
依據本揭示係提供一種表面處理劑，其可形成具有更高耐磨損性的表面處理層。
使用於本說明書中之情況下，「1價有機基」意指含有碳之1價基。作為1價有機基，並無特別限定，惟可為烴基或其衍生物。烴基之衍生物意指在烴基之末端或分子鏈中，具有1個以上之N、O、S、Si、醯胺基、磺醯基、矽氧烷、羰基、羰氧基等之基。尚且，單獨顯示「有機基」之情況下，意指1價有機基。此外，「2至10價有機基」意指含有碳之2至10價基。作為該2至10價有機基，並無特別限定，惟可列舉進一步使1至9個之氫原子從有機基脫離的2至10價基。例如，作為2價有機基，並無特別限定者，惟可列舉進一步使1個氫原子從有機基脫離的2價基。
使用於本說明書中之情況下，「烴基」意指包含碳及氫之基，且從使1個氫原子從烴基脫離的基。作為該烴基，並無特別限定者，惟可為經1個以上之取代基取代的C1-20烴基，可列舉例如：脂肪族烴基、芳香族烴基等。上述「脂肪族烴基」可為直鏈狀、分支鏈狀或環狀之任一者，可為飽和或不飽和之任一者。此外，烴基可包含1個以上之環構造。
使用於本說明書中之情況下，作為「烴基」之取代基，並無特別限定，惟可列舉例如：鹵素原子、可經1個以上之鹵素原子取代之選自C1-6烷基、C2-6烯基、C2-6炔基、C3-10環烷基、C3-10不飽和環烷基、5至10員之雜環基、5至10員之不飽和雜環基、C6-10芳基及5至10員之雜芳基的1個以上之基。
使用於本說明書中之情況下，「水解性基」意指能夠進行水解反應之基，亦即，藉由水解反應，可從化合物之主骨架脫離之基。作為水解性基之例，可列舉如：-ORh、-OCORh、-O-N=CRh 2、-NRh 2、-NHRh、鹵素(該等式中，Rh表示取代或未取代之C1-4烷基)等。
本揭示之表面處理劑包含具有分支構造之含有氟聚醚基的矽烷化合物(A)、及含有直鏈之氟聚醚基的矽烷化合物(B)。
[含氟聚醚基之矽烷化合物(A)]
含氟聚醚基之矽烷化合物(A)係下述式(1)所示：
RF1 α-XA-RS1 β (1)[式中：
RF1在每次出現時各自獨立地為Rf1-RFA-Oq-；
Rf1在每次出現時各自獨立地為可經1個以上之氟原子取代的C1-16烷基；
RFA在每次出現時各自獨立地為具有分支構造的氟聚醚基；
q在每次出現時各自獨立地為0或1；
RS1在每次出現時各自獨立地為包含具有烴基或水解性基之Si原子之基；
XA各自獨立地為單鍵或2至10價之有機基；
α為1至9之整數；
β為1至9之整數]。
RF1較佳係在每次出現時各自獨立地為Rf1-RFA-Oq-。
上述式中，Rf1在每次出現時各自獨立地為可經1個以上之氟原子取代的C1-16烷基。
可經上述1個以上之氟原子取代的C1-16烷基中之「C1-16烷基」可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈或分支鏈之C1-6烷基，特別為C1-3烷基，更佳為直鏈之C1-6烷基，特別為C1-3烷基。
Rf1較佳為可經1個以上之氟原子取代的C1-16烷基，更佳為CF2H-C1-15全氟伸烷基，又更佳為C1-16全氟烷基。
上述C1-16全氟烷基可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈或分支鏈之C1-6全氟烷基，特別為C1-3全氟烷基，更佳為直鏈之C1-6全氟烷基，特別為C1-3全氟烷基，具體而言，係-CF3、-CF2CF3、或-CF2CF2CF3。
q在每次出現時各自獨立地為0或1。一態樣中，q為0。其它態樣中，q為1。
上述式中，RFA在每次出現時各自獨立地為具有分支構造的氟聚醚基。
本說明書中，氟聚醚基，通常為下述式(f0)所示：
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3XF 6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f0)[式中，
a、b、c、d、e及f各自獨立地為0以上200以下之整數，a、b、c、d、e及f之和至少為1，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意，
XF在每次出現時各自獨立地為氫原子、氟原子或氯原子]。
式(f0)中，XF較佳為氫原子或氟原子，更佳為氟原子。
式(f0)中，a、b、c、d、e及f較佳係可分別獨立地為0至100之整數。
式(f0)中，a、b、c、d、e及f之和較佳為5以上，更佳為10以上，例如，可為15以上或20以上。a、b、c、d、e及f之和較佳為200以下，更佳為100以下，又更佳為60以下，例如可為50以下或30以下。
式(f0)中，上述重複單元可為直鏈狀或分支鏈狀，亦可包含環構造。例如，-(OC6F12)-可為-(OCF2CF2CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF2CF(CF3))-等。-(OC5F10)-可為-(OCF2CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF(CF3))-等。-(OC4F8)-可為-(OCF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3))-、-(OC(CF3)2CF2)-、-(OCF2C(CF3)2)-、-(OCF(CF3)CF(CF3))-、-(OCF(C2F5)CF2)-及-(OCF2CF(C2F5))之任一者。-(OC3F6)-(亦即，上述式中，RFa係氟原子)可為-(OCF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2)-及-(OCF2CF(CF3))-之任一者。-(OC2F4)-可為-(OCF2CF2)-及-(OCF(CF3))-之任一者。
上述環構造可為下述三員環、四員環、五員環、或六員環。
Figure 111115058-A0202-12-0021-6
 [式中，＊表示鍵結位置。]
上述環構造較佳可為四員環、五員環、或六員環，更佳可為四員環、或六員環。
具有環構造之重複單元較佳可為下述單元。
Figure 111115058-A0202-12-0022-7
 [式中，＊表示鍵結位置]
一態樣中，式(f0)係下述式(f1)至(f6)之任一者所示。
-(OC3F6)d-(OC2F4)e- (f1)[式中，d為1至200之整數，e為0或1，較佳為1]
-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f2)[式中，c及d各自獨立地為0以上30以下之整數，e及f各自獨立地為1以上200以下之整數，
c、d、e及f之和為2以上，
標註c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]；
-(R6-R7)g- (f3)[式中，R6係OCF2或OC2F4、
R7係選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基，或者，係獨立地選自該等基之2或3個基的組合、
g為2至100之整數]；
-(R6-R7)g-Rr-(R7’-R6’)g’- (f4)[式中，R6係OCF2或OC2F4、
R7係選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基，或者，係獨立地選自該等基之2或3個基的組合、
R6’係OCF2或OC2F4、
R7’係選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基，或者，係獨立地選自該等基之2或3個基的組合、
g為2至100之整數、
g’為2至100之整數、
Rr為
Figure 111115058-A0202-12-0023-8
 (式中，＊表示鍵結位置)]；
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f5)[式中，e為1以上200以下之整數，a、b、c、d及f各自獨立地為0以上200以下之整數，此外，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f6)[式中，f為1以上200以下之整數，a、b、c、d及e各自獨立地為0以上200以下之整數，此外，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]
上述式(f1)中，d較佳為5至200，更佳為10至100，又更佳為15至50，例如25至35之整數。一態樣中，e為0。其它態樣中，e為1。
上述式(f2)中，e及f各自獨立地較佳為5至200，更佳為10至200之整數。此外，c、d、e及f之和較佳為5以上，更佳為10以上，例如，可為15以上或20以上。
上述式(f3)中，R6較佳為OC2F4。上述(f3)中，R7較佳為選自OC2F4、OC3F6及OC4F8之基，或者，係獨立地選自該等基之2或3個基的組合，更佳為選自由OC3F6及OC4F8之基。獨立地選自由OC2F4、OC3F6及OC4F8之2或3個基的組合並無特別限定，惟可列舉例如：-OC2F4OC3F6-、-OC2F4OC4F8-、-OC3F6OC2F4-、-OC3F6OC3F6-、-OC3F6OC4F8-、-OC4F8OC4F8-、-OC4F8OC3F6-、-OC4F8OC2F4-、-OC2F4OC2F4OC3F6-、-OC2F4OC2F4OC4F8-、-OC2F4OC3F6OC2F4-、-OC2F4OC3F6OC3F6-、-OC2F4OC4F8OC2F4-、-OC3F6OC2F4OC2F4-、-OC3F6OC2F4OC3F6-、-OC3F6OC3F6OC2F4-、及-OC4F8OC2F4OC2F4-等。上述式(f3)中，g較佳為3以上，更佳為5以上之整數。上述g較佳為50以下之整數。上 述式(f3)中，OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12可為直鏈或分支鏈。此態樣中，上述式(f3)較佳為-(OC2F4-OC3F6)g-或-(OC2F4-OC4F8)g-。
上述式(f4)中，R6、R7及g係與上述式(f3)之記載同義，並具有同樣的態樣。R6’、R7’及g’分別與上述式(f3)所述之R6、R7及g同義，並具有同樣的態樣。Rr較佳為
Figure 111115058-A0202-12-0025-9
 [式中，＊表示鍵結位置]
更佳為
Figure 111115058-A0202-12-0025-10
 [式中，＊表示鍵結位置]。
上述式(f5)中，e較佳為1以上100以下，更佳為5以上100以下之整數。a、b、c、d、e及f之和較佳為5以上，更佳為10以上，例如為10以上100以下。
上述式(f6)中，f較佳為1以上100以下，更佳為5以上100以下之整數。a、b、c、d、e及f之和較佳為5以上，更佳為10以上，例如為10以上100以下。
上述式(f0)、(f2)、(f3)、(f4)、(f5)及(f6)中，f及e為1以上之情況下，e對於f之比(以下稱為「e/f比」)為0.1至10，較佳為0.2至5，更佳為0.2至2，又更佳為0.2至1.5，再更佳為0.2至0.85。藉由將e/f比設為10以下，則更提升從此化合物獲得的表面處理層之潤滑性、耐磨損性及耐化學性(例如，相對於人工汗之耐久性)。e/f比愈小，則愈提升表面處理層之潤滑性及耐磨損性。另一方面，藉由將e/f比設為0.1以上，則可更提高化合物之穩定性。e/f比愈大，則愈提升化合物之穩定性。
上述氟聚醚基之數量平均分子量，並無特別限定者，例如可為500至30,000，較佳為1,500至30,000，更佳為2,000至10,000。本說明書中，氟聚醚基之數量平均分子量係藉由19F-NMR所測定之值。
上述式(1)中，RFA在每次出現時各自獨立地較佳為式(f0)所示之基，且至少具有1個分支構造之基。
一態樣中，RFA在每次出現時各自獨立地為全部重複單元具有分支構造之式(f0)所示之基。
作為上述分支構造中之分支鏈，可列舉例如：CF3、CF2CF3、CF2CF2CF3等，較佳為CF3。
作為具有上述分支構造之重複單元，例如作為-(OC6F12)，可列舉如：-(OCF(CF3)CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF(CF3)CF2)-、- (OCF2CF2CF2CF2CF(CF3))-等。作為-(OC5F10)-，可列舉如：-(OCF(CF3)CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF(CF3))-等。作為-(OC4F8)-，可列舉如：-(OCF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3))-、-(OC(CF3)2CF2)-、-(OCF2C(CF3)2)-、-(OCF(CF3)CF(CF3))-、-(OCF(C2F5)CF2)-及-(OCF2CF(C2F5))-。作為-(OC3F6)-(亦即，上述式(f0)中，XF為氟原子)，可列舉如：-(OCF(CF3)CF2)-及-(OCF2CF(CF3))-。作為-(OC2F4)-，可列舉如：-(OCF(CF3))-。
RFA係除了具有分支構造之重複單元以外，可包含直鏈狀之重複單元。作為直鏈狀之重複單元，可列舉如：-(OCF2CF2CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF2)-、-(OCF2CF2)-。
RFA中具有分支構造的重複單元之數，較佳係至少為5，更佳係至少為10，又更佳係至少為20。
RFA中，相對於重複單元之合計數(例如，上述a、b、c、d、e及f之和)100，具有分支構造之重複單元之數，較佳為40以上，更佳為60以上，又更佳為80以上。RFA中，相對於重複單元數之合計數100，具有分支構造之重複單元之數，可為100以下，例如可為90以下。
RFA中，相對於重複單元之合計數100，具有分支構造之重複單元之數，較佳為40至100，更佳為60至100，又更佳為80至100。
較佳態樣中，RFA在每次出現時各自獨立地為上述式(f1)、(f2)、(f3)、(f4)、(f5)或(f6)所示之基，且係至少具有1個分支構造之基。
較佳態樣中，RFA在每次出現時各自獨立地為下述式(f1a)所示之基：
-(OCF(CF3)CF2)d-(OCF(CF3))e- (f1a)[式中，d為1至200之整數，e為0或1]。
RS1在每次出現時各自獨立地為包含具有羥基或水解性基之Si原子的基(以下有時亦將該基單稱為「水解性矽烷基」)。
RS1較佳係在每次出現時各自獨立地為下述式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)或(S5)所示之基：
Figure 111115058-A0202-12-0028-11
-SiR11 n1R12 3-n1 (S2)
-SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1 (S3)
-CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2 (S4)
-NRg1Rh1 (S5)[式中：
R11在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
R12在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
n1在每個(SiR11 n1R12 3-n1)單元各自獨立地為0至3之整數；
X11在每次出現時各自獨立地為單鍵或2價有機基；
R13在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
R14在每次出現時各自獨立地為氫原子、鹵素原子或-X11-SiR11 n1R12 3-n1；
R15在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子、碳數1至6之伸烷基或碳數1至6之伸烷基氧基；
t在每次出現時各自獨立地為2以上之整數；
Ra1在每次出現時各自獨立地為-Z1-SiR21 p1R22 q1R23 r1；
Z1在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；
R21在每次出現時各自獨立地為-Z1’-SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’；
R22在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
R23在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
p1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
q1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
r1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
Z1’在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；
R21’在每次出現時各自獨立地為-Z1”-SiR22” q1”R23” r1”；
R22’在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
R23’在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
p1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
q1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
r1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
Z1”在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；
R22”在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
R23”在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
q1”在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
r1”在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
Rb1在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
Rc1在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
k1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
l1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
m1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
Rd1在每次出現時各自獨立地為-Z2-CR31 p2R32 p2R33 r2；
Z2在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
R31在每次出現時各自獨立地為-Z2’-CR32’ q2’R33’ r2’；
R32在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；
R33在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
p2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
q2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
r2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
Z2’在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
R32’在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；
R33’在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
q2’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
r2’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
Z3在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
R34在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；
R35在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；
n2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
Re1在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；
Rf1在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
k2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
l2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
m2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；
Rg1及Rh1在每次出現時各自獨立地為-Z4-SiR11 n1R12 3-n1、-Z4-SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1、或-Z4-CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2；
Z4在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
惟，式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)及(S5)中，至少存在1個鍵結有羥基或水解性基的Si原子]。
上述式中，R11在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基。
R11較佳係在每次出現時各自獨立地為水解性基。
R11較佳係在每次出現時各自獨立地為-ORh、-OCORh、-O-N=CRh 2、-NRh 2、-NHRh、或鹵素(該等式中，Rh表示取代或未取代之C1-4烷基)，更佳為-ORh(亦即，烷氧基)。作為Rh，可列舉如：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。該等之中，烷基，特別係未取代烷基為佳，甲基或乙基更佳。一態樣中，Rh為甲基，其它態樣中，Rh為乙基。
上述式中，R12在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基係除了上述水解性基以外之1價有機基。
R12中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述式中，n1在每個(SiR11 n1R12 3-n1)單元各自獨立地為0至3之整數。惟，式(S1)中，至少存在1個n1為1至3之(SiR11 n1R12 3-n1)單元。亦即，式(S1)中，全部的n1不同時為0。換言之，式(S1)中，至少存在1個鍵結有羥基或水解性基之Si原子。
n1在每個(SiR11 n1R12 3-n1)單元分別獨立地較佳為1至3之整數，更佳為2至3，又更佳為3。
上述式中，X11在每次出現時各自獨立地為單鍵或2價有機基。該2價有機基較佳為-R28-Ox-R29-(式中，R28及R29在每次出現時各自獨立地為單鍵或C1-20伸烷基，x為0或1)。該C1-20伸烷基可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈。該C1-20伸烷基較佳為C1-10伸烷基，更佳為C1-6伸烷基，又更佳為C1-3伸烷基。
一態樣中，X11在每次出現時各自獨立地為-C1-6伸烷基-O-C1-6伸烷基-或-O-C1-6伸烷基-。
較佳態樣中，X11在每次出現時各自獨立地為單鍵或直鏈之C1-6伸烷基，較佳為單鍵或直鏈之C1-3伸烷基，更佳為單鍵或直鏈之C1-2伸烷基，又更佳為直鏈之C1-2伸烷基。
上述式中，R13在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基較佳為C1-20烷基。
較佳態樣中，R13在每次出現時各自獨立地為氫原子或直鏈之C1-6烷基，較佳為氫原子或直鏈之C1-3烷基，較佳為氫原子或甲基。
上述式中，t在每次出現時各自獨立地為2以上之整數。
較佳態樣中，t在每次出現時各自獨立地為2至10之整數，較佳為2至6之整數。
上述式中，R14在每次出現時各自獨立地為氫原子、鹵素原子或-X11-SiR11 n1R12 3-n1。該鹵素原子較佳為碘原子、氯原子或氟原子，更佳為氟原子。較佳態樣中，R14為氫原子。
上述式中，R15在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子、碳數1至6之伸烷基或碳數1至6之伸烷基氧基。
一態樣中，R15在每次出現時各自獨立地為氧原子、碳數1至6之伸烷基或碳數1至6之伸烷基氧基。
較佳態樣中，R15為單鍵。
一態樣中，式(S1)係下述式(S1-a)。
Figure 111115058-A0202-12-0033-12
 [式中，
R11、R12、R13、X11、及n1係與上述式(S1)之記載同義；
t1及t2在每次出現時各自獨立地為1以上之整數，較佳為1至10之整數，更佳為2至10之整數，例如1至5之整數或2至5之整數；
標註t1及t2並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]
較佳態樣中，式(S1)係下述式(S1-b)。
Figure 111115058-A0202-12-0033-13
 [式中，R11、R12、R13、X11、n1及t係與上述式(S1)之記載同義]
上述式中，Ra1在每次出現時各自獨立地為-Z1-SiR21 p1R22 q1R23 r1。
上述Z1在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基。尚且，作為以下Z1所記載的構造，右側鍵結於(SiR21 p1R22 q1R23 r1)。
較佳態樣中，Z1為2價有機基。
較佳態樣中，Z1係不含鍵結有Z1之Si原子與矽氧烷鍵所形成者。較佳為在式(S3)中，(Si-Z1-Si)不含矽氧烷鍵。
上述Z1，較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z1-O-(CH2)z2-(式中，z1為0至6之整數，例如1至6之整數，z2為0至6之整數，例如1至6之整數)或、-(CH2)z3-伸苯基-(CH2)z4-(式中，z3為0至6之整數，例如1至6之整數，z4為0至6之整數，例如1至6之整數)。該C1-6伸烷基可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈。該等基可經例如選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個以上之取代基取代，惟較佳為未取代。
較佳態樣中，Z1為C1-6伸烷基或-(CH2)z3-伸苯基-(CH2)z4-，較佳為-伸苯基-(CH2)z4-。Z1為該基之情況下，則獲得耐光性，特別係更高的紫外線耐性。
其它較佳態樣中，上述Z1為C1-3伸烷基。一態樣中，Z1可為-CH2CH2CH2-。其它態樣中，Z1可為-CH2CH2-。
上述R21在每次出現時各自獨立地為-Z1’-SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’。
上述Z1’在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基。尚且，作為以下Z1’所記載的構造，右側鍵結於(SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’)。
較佳態樣中，Z1’為2價有機基。
較佳態樣中，Z1’不含鍵結有Z1’之Si原子與矽氧烷鍵所形成者。較佳為式(S3)中，(Si-Z1’-Si)不含矽氧烷鍵。
上述Z1’較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z1’-O-(CH2)z2’-(式中，z1’為0至6之整數，例如1至6之整數，z2’為0至6之整數，例如1至6之整數)或、-(CH2)z3’-伸苯基-(CH2)z4’-(式中，z3’為0至6之整數，例如1至6之整數，z4’為0至6之整數，例如1至6之整數)。該C1-6伸烷基可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈。該等基可經例如選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個以上之取代基取代，惟較佳為未取代。
較佳態樣中，Z1’為C1-6伸烷基或-(CH2)z3’-伸苯基-(CH2)z4’-，較佳為-伸苯基-(CH2)z4’-。Z1’為該基之情況下，則獲得耐光性，特別係更高的紫外線耐性。
其它較佳態樣中，上述Z1’為C1-3伸烷基。一態樣中，Z1’可為-CH2CH2CH2-。其它態樣中，Z1’可為-CH2CH2-。
上述R21’在每次出現時各自獨立地為-Z1”-SiR22” q1”R23” r1”。
上述Z1”在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基。尚且，作為以下Z1”所記載之構造，右側鍵結於(SiR22” q1”R23” r1”)。
較佳態樣中，Z1”為2價有機基。
較佳態樣中，Z1”不含鍵結有Z1”之Si原子與矽氧烷鍵所形成者。較佳為式(S3)中，(Si-Z1”-Si)不含矽氧烷鍵。
上述Z1”較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z1”-O-(CH2)z2”-(式中，z1”為0至6之整數，例如1至6之整數，z2”為0至6之整數，例如1至6之整數)或、-(CH2)z3”-伸苯基-(CH2)z4”-(式中，z3”為0至6之整數，例如1至6之整數，z4”為0至6之整數，例如1至6之整數)。該C1-6伸烷基可為直鏈或分支鏈， 較佳為直鏈。該等基可經例如選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個以上之取代基取代，惟較佳為未取代。
較佳態樣中，Z1”為C1-6伸烷基或-(CH2)z3”-伸苯基-(CH2)z4”-，較佳為-伸苯基-(CH2)z4”-。Z1”為該基之情況下，則獲得耐光性，特別是更高的紫外線耐性。
其它較佳態樣中，上述Z1”為C1-3伸烷基。一態樣中，Z1”可為-CH2CH2CH2-。其它態樣中，Z1”可為-CH2CH2-。
上述R22”在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基。
上述R22”較佳係在每次出現時各自獨立地為水解性基。
上述R22”較佳係在每次出現時各自獨立地為-ORh、-OCORh、-O-N=CRh 2、-NRh 2、-NHRh、或鹵素(該等式中，Rh表示取代或未取代之C1-4烷基)，更佳為-ORh(亦即，烷氧基)。作為Rh，可列舉如：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。該等之中，以烷基，特別係未取代烷基為佳，甲基或乙基更佳。一態樣中，Rh為甲基，其它態樣中，Rh為乙基。
上述R23”在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基係除了上述水解性基以外之1價有機基。
上述R23”中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述q1”在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，上述r1”在每次出現時各自獨立地為0至3之整數。尚且，q1”與r1”之合計在(SiR22” q1”R23” r1”)單元中為3。
上述q1”在每(SiR22” q1”R23” r1”)單元分別獨立地較佳為1至3之整數，更佳為2至3，又更佳為3。
上述R22’在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基。
R22’較佳係在每次出現時各自獨立地為水解性基。
R22’較佳係在每次出現時各自獨立地為-ORh、-OCORh、-O-N=CRh 2、-NRh 2、-NHRh、或鹵素(該等式中，Rh表示取代或未取代之C1-4烷基)，更佳為-ORh(亦即，烷氧基)。作為Rh，可列舉如：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。該等之中，以烷基，特別係未取代烷基為佳，甲基或乙基更佳。一態樣中，Rh為甲基，其它態樣中，Rh為乙基。
上述R23’在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基係除了上述水解性基以外之1價有機基。
R23’中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述p1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，q1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，r1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數。尚且，p’、q1’與r1’之合計在(SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’)單元中為3。
一態樣中，p1’為0。
一態樣中，p1’在每(SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’)單元分別獨立地可為1至3之整數、2至3之整數、或3。較佳態樣中，p1’為3。
一態樣中，q1’在每(SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’)單元各自獨立地為1至3之整數，較佳為2至3之整數，更佳為3。
一態樣中，p1’為0，q1’在每(SiR21’p1’R22’ q1’R23’ r1’)單元各自獨立地為1至3之整數，較佳為2至3之整數，更佳為3。
上述R22在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基。
R22較佳係在每次出現時各自獨立地為水解性基。
R22較佳係在每次出現時各自獨立地為-ORh、-OCORh、-O-N=CRh 2、-NRh 2、-NHRh、或鹵素(該等式中，Rh表示取代或未取代之C1-4烷基)，更佳為-ORh(亦即，烷氧基)。作為Rh，可列舉如：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。該等之中，以烷基，特別係未取代烷基為佳，甲基或乙基更佳。一態樣中，Rh係甲基，其它態樣中，Rh係乙基。
上述R23在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基係除了上述水解性基以外之1價有機基。
R23中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述p1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，q1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，r1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數。尚且，p1、q1與r1之合計在(SiR21 p1R22 q1R23 r1)單元中為3。
一態樣中，p1為0。
一態樣中，p1在每(SiR21 p1R22 q1R23 r1)單元分別獨立地可為1至3之整數、2至3之整數、或3。較佳態樣中，p1為3。
一態樣中，q1在每(SiR21 p1R22 q1R23 r1)單元各自獨立地為1至3之整數，較佳為2至3之整數，更佳為3。
一態樣中，p1為0，q1在每(SiR21 p1R22 q1R23 r1)單元各自獨立地為1至3之整數，較佳為2至3之整數，更佳為3。
上述式中，Rb1在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基。
上述Rb1較佳係在每次出現時各自獨立地為水解性基。
上述Rb1較佳係在每次出現時各自獨立地為-ORh、-OCORh、-O-N=CRh 2、-NRh 2、-NHRh、或鹵素(該等式中，Rh表示取代或未取代之C1-4烷基)，更佳為-ORh(亦即，烷氧基)。作為Rh，可列舉如：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。該等之中，以烷基，特別係未取代烷基為佳，甲基或乙基更佳。一態樣中，Rh係甲基，其它態樣中，Rh係乙基。
上述式中，Rc1在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基係除了上述水解性基以外之1價有機基。
上述Rc1中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述k1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，l1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，m1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數。尚且，k1、l1與m1之合計在(SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1)單元中為3。
一態樣中，k1在每(SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1)單元各自獨立地為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3。較佳態樣中，k1為3。
較佳態樣中，式(S3)中，至少存在2個鍵結有羥基或水解性基的Si原子。
較佳態樣中，式(S3)之末端部分中，至少存在2個鍵結有羥基或水解性基的Si原子。
較佳態樣中，式(S3)所示之基係具有-Z1-SiR22 q1R23 r1(式中，q1為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3，r1為0至2之整數)、-Z1’-SiR22’ q1’R23’ r1’(式中，q1’為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3，r1’為0至2之整數)、或-Z1”-SiR22” q1”R23” r1”(式中，q1”為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3，r1”為0至2之整數)中之任1者。Z1、Z1’、Z1”、R22、R23、R22’、R23’、R22”、及R23”係與上述同義。
較佳態樣中，式(S3)中，存在有R21’之情況下，至少1者較佳係在全部的R21’中，q1”為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3。
較佳態樣中，式(S3)中，存在有R21之情況下，至少1者較佳係在全部的R21中，p1’為0，q1’為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3。
較佳態樣中，式(S3)中，存在有Ra1之情況下，至少1者較佳係在全部的Ra1中，p1為0，q1為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3。
較佳態樣中，式(S3)中，k1為2或3，較佳為3，p1為0，q1為2或3，較佳為3。
Rd1在每次出現時各自獨立地為-Z2-CR31 p2R32 q2R33 r2。
Z2在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基。尚且，作為以下Z2所記載之構造，右側鍵結於(CR31 p2R32 q2R33 r2)。
較佳態樣中，Z2為2價有機基。
上述Z2較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z5-O-(CH2)z6-(式中，z5為0至6之整數，例如1至6之整數，z6為0至6之整數，例如1至6之整數)或、- (CH2)z7-伸苯基-(CH2)z8-(式中，z7為0至6之整數，例如1至6之整數，z8為0至6之整數，例如1至6之整數)。該C1-6伸烷基可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈。該等基可經例如選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個以上之取代基取代，惟較佳為未取代。
較佳態樣中，Z2為C1-6伸烷基或-(CH2)z7-伸苯基-(CH2)z8-，較佳為-伸苯基-(CH2)z8-。Z2為該基之情況下，則獲得耐光性，特別係更高的紫外線耐性。
其它較佳態樣中，上述Z2為C1-3伸烷基。一態樣中，Z2可為-CH2CH2CH2-。其它態樣中，Z2可為-CH2CH2-。
R31在每次出現時各自獨立地為-Z2’-CR32’ q2’R33’ r2’。
Z2’在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基。尚且，作為以下Z2’所記載之構造，右側鍵結於(CR32’ q2’R33’ r2’)。
上述Z2’較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z5’-O-(CH2)z6’-(式中，z5’為0至6之整數，例如1至6之整數，z6’為0至6之整數，例如1至6之整數)或、-(CH2)z7’-伸苯基-(CH2)z8’-(式中，z7’為0至6之整數，例如1至6之整數，z8’為0至6之整數，例如1至6之整數)。該C1-6伸烷基可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈。該等基可經例如選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個以上之取代基取代，惟較佳為未取代。
較佳態樣中，Z2’為C1-6伸烷基或-(CH2)z7’-伸苯基-(CH2)z8’-，較佳為-伸苯基-(CH2)z8’-。Z2’為該基之情況下，則獲得耐光性，特別係更高的紫外線耐性。
其它較佳態樣中，上述Z2’為C1-3伸烷基。一態樣中，Z2’可為-CH2CH2CH2-。其它態樣中，Z2’可為-CH2CH2-。
上述R32’在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2。
上述Z3在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基。尚且，作為以下Z3所記載之構造，右側鍵結於(SiR34 n2R35 3-n2)。
一態樣中，Z3為氧原子。
一態樣中，Z3為2價有機基。
上述Z3較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z5”-O-(CH2)z6”-(式中，z5”為0至6之整數，例如1至6之整數，z6”為0至6之整數，例如1至6之整數)或、-(CH2)z7”-伸苯基-(CH2)z8”-(式中，z7”為0至6之整數，例如1至6之整數，z8”為0至6之整數，例如1至6之整數)。該C1-6伸烷基可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈。該等基可經例如選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個以上之取代基取代，惟較佳為未取代。
較佳態樣中，Z3為C1-6伸烷基或-(CH2)z7”-伸苯基-(CH2)z8”-，較佳為-伸苯基-(CH2)z8”-。Z3為該基之情況下，則獲得耐光性，特別係更高的紫外線耐性。
其它較佳態樣中，上述Z3為C1-3伸烷基。一態樣中，Z3可為-CH2CH2CH2-。其它態樣中，Z3可為-CH2CH2-。
上述R34在每次出現時各自獨立地為羥或水解性基。
R34較佳係在每次出現時各自獨立地為水解性基。
R34較佳係在每次出現時各自獨立地為-ORh、-OCORh、-O-N=CRh 2、-NRh 2、-NHRh、或鹵素(該等式中，Rh表示取代或未取代之C1-4烷基)，更 佳為-ORh(亦即，烷氧基)。作為Rh，可列舉如：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。該等之中，以烷基，特別係未取代烷基為佳，甲基或乙基更佳。一態樣中，Rh為甲基，其它態樣中，Rh為乙基。
上述R35在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基係除了上述水解性基以外之1價有機基。
上述R35中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述式中，n2在每(SiR34 n2R35 3-n2)單元各自獨立地為0至3之整數。惟，式(S4)之末端部分中，至少存在1個n2為1至3之(SiR34 n2R35 3-n2)單元。亦即，該末端部分中，全部之n2不同時為0。換言之，式(S4)之末端部分中，至少存在1個鍵結有羥基或水解性基之Si原子。
n2在每(SiR34 n2R35 3-n2)單元分別獨立地較佳為1至3之整數，更佳為2至3，又更佳為3。
上述R33’在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基。該1價有機基係除了上述水解性基以外之1價有機基。
上述R33’中，1價有機基較佳為C1-20烷基或-(CsH2s)t1-(O-CsH2s)t2(式中，s為1至6之整數，較佳為2至4之整數，t1為1或0，較佳為0，t2為1至20之整數，較佳為2至10之整數，更佳為2至6之整數)，更佳為C1-20烷基，又更佳為C1-6烷基，特佳為甲基。
一態樣中，R33’為羥基。
其它態樣中，R33’為1價有機基，較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基。
上述q2’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，上述r2’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數。尚且，q2’與r2’之合計在(CR32’ q2’R33’ r2’)單元中為3。
q2’在每(CR32’ q2’R33’ r2’)單元分別獨立地較佳為1至3之整數，更佳為2至3，又更佳為3。
R32在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2。該-Z3-SiR34 n2R35 3-n2係與上述R32’中之記載同義。
上述R33在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基。該1價有機基係除了上述水解性基以外之1價有機基。
上述R33中，1價有機基較佳為C1-20烷基或-(CsH2s)t1-(O-CsH2s)t2(式中，s為1至6之整數，較佳為2至4之整數，t1為1或0，較佳為0，t2為1至20之整數，較佳為2至10之整數，更佳為2至6之整數)，更佳為C1-20烷基，又更佳為C1-6烷基，特佳為甲基。
一態樣中，R33為羥基。
其它態樣中，R33為1價有機基，較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基。
上述p2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，q2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，r2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數。尚且，p2、q2及r2之合計在(CR31 p2R32 q2R33 r2)單元中為3。
一態樣中，p2為0。
一態樣中，p2在每(CR31 p2R32 q2R33 r2)單元分別獨立地可為1至3之整數、2至3之整數、或3。較佳態樣中，p2為3。
一態樣中，q2在每(CR31 p2R32 q2R33 r2)單元各自獨立地為1至3之整數，較佳為2至3之整數，更佳為3。
一態樣中，p2為0，q2在每(CR31 p2R32 q2R33 r2)單元各自獨立地為1至3之整數，較佳為2至3之整數，更佳為3。
上述Re1在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2。該-Z3-SiR34 n2R35 3-n2係與上述R32’中之記載同義。
上述Rf1在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基。該1價有機基係除了上述水解性基以外之1價有機基。
上述Rf1中，1價有機基較佳為C1-20烷基或-(CsH2s)t1-(O-CsH2s)t2(式中，s為1至6之整數，較佳為2至4之整數，t1為1或0，較佳為0，t2為1至20之整數，較佳為2至10之整數，更佳為2至6之整數)，更佳為C1-20烷基，又更佳為C1-6烷基，特佳為甲基。
一態樣中，Rf1為羥基。
其它態樣中，Rf1為1價有機基，較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基。
上述k2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，l2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數，m2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數。尚且，k2、l2及m2之合計在(CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2)單元中為3。
一態樣中，式(S4)中，n2為1至3、較佳為2或3、更佳為3的(SiR34 n2R35 3-n2)單元，係在式(S4)之各末端部分中，存在2個以上，例如2至27個，較佳為2至9個，更佳為2至6個，又更佳為2至3個，特佳為3個。
較佳態樣中，式(S4)中存在R32’之情況下，至少1者較佳係在全部之R32’中，n2為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3。
較佳態樣中，式(S4)中存在R32之情況下，至少1者較佳係在全部之R32中，n2為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3。
較佳態樣中，式(S4)中存在Re1之情況下，至少1者較佳係在全部之Ra1中，n2為1至3之整數，較佳為2或3，更佳為3。
較佳態樣中，式(S4)中，k2為0，l2為2或3，較佳為3，n2為2或3，較佳為3。
上述Rg1及Rh1在每次出現時各自獨立地為-Z4-SiR11 n1R12 3-n1、-Z4-SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1、-Z4-CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2。於此，R11、R12、Ra1、Rb2、Rc1、Rd1、Re1、Rf1、n1、k1、l1、m1、k2、l2、及m2係與上述同義。
較佳態樣中，Rg1及Rh1各自獨立地為-Z4-SiR11 n1R12 3-n1。
上述Z4在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基。尚且，作為以下Z4所記載之構造，右側鍵結於(SiR11 n1R12 3-n1)。
一態樣中，Z4為氧原子。
一態樣中，Z4為2價有機基。
上述Z4較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z5”-O-(CH2)z6”-(式中，z5”為0至6之整數，例如1至6之整數，z6”為0至6之整數，例如1至6之整數)或、-(CH2)z7”-伸苯基-(CH2)z8”-(式中，z7”為0至6之整數，例如1至6之整數， z8”為0至6之整數，例如1至6之整數)。該C1-6伸烷基可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈。該等基可經例如選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基、及C2-6炔基之1個以上之取代基取代，惟較佳為未取代。
較佳態樣中，Z4為C1-6伸烷基或-(CH2)z7”-伸苯基-(CH2)z8”-，較佳為-伸苯基-(CH2)z8”-。Z3為該基之情況下，則獲得耐光性，特別係更高的紫外線耐性。
其它較佳態樣中，上述Z4為C1-3伸烷基。一態樣中，Z4可為-CH2CH2CH2-。其它態樣中，Z4可為-CH2CH2-。
一態樣中，RS1係式(S1)、(S3)、(S4)或(S5)所示之基。該等化合物可形成具有高耐磨損性之表面處理層。
一態樣中，RS1係式(S3)、(S4)或(S5)所示之基。該等化合物可形成具有高耐磨損性之表面處理層。
一態樣中，RS1係式(S3)或(S4)所示之基。由於該等化合物可在一末端具有從一個Si原子或C原子所分支出的複數個水解性基，因此可進一步形成具有高耐磨損性之表面處理層。
一態樣中，RS1係式(S1)所示之基。較佳態樣中，式(S1)係式(S1-b)所示之基。較佳態樣中，式中，R13為氫原子，X11為單鍵、或-R28-Ox-R29-(式中，R28及R29在每次出現時各自獨立地為單鍵或C1-20伸烷基，x為0或1)，n1為1至3，較佳為2至3，更佳為3。
一態樣中，RS1係式(S2)所示之基。較佳態樣中，式中，n1為1至3，較佳為2至3，更佳為3。
一態樣中，RS1係式(S3)所示之基。較佳態樣中，式(S3)係-SiRa1 2Rc1、或-SiRa1 3，Ra1係-Z1-SiR22 q1R23 r1，Z1為C1-6伸烷基、-(CH2)z1-O-(CH2)z2-(式中，z1為0至6之整數，例如1至6之整數，z2為0至6之整數，例如1至6之整數)、或、-(CH2)z3-伸苯基-(CH2)z4-(式中，z3為0至6之整數，例如1至6之整數，z4為0至6之整數，例如1至6之整數)，較佳為C1-6伸烷基，q1為1至3，較佳為2至3，更佳為3。
一態樣中，RS1係式(S4)所示之基。較佳態樣中，式(S4)係-CRe1 2Rf1、或-CRe1 3，Re1係-Z3-SiR34 n2R35 3-n2，Z3為C1-6伸烷基、-(CH2)z5”-O-(CH2)z6”-(式中，z5”為0至6之整數，例如1至6之整數，z6”為0至6之整數，例如1至6之整數)或、-(CH2)z7”-伸苯基-(CH2)z8”-(式中，z7”為0至6之整數，例如1至6之整數，z8”為0至6之整數，例如1至6之整數)，較佳為C1-6伸烷基，n2為1至3，較佳為2至3，更佳為3。
一態樣中，RS1係式(S5)所示之基。較佳態樣中，Rg1及Rh1係-Z4-SiR11 n1R12 3-n1，Z4為C1-6伸烷基、-(CH2)z5”-O-(CH2)z6”-(式中，z5”為0至6之整數，例如1至6之整數，z6”為0至6之整數，例如1至6之整數)或、-(CH2)z7”-伸苯基-(CH2)z8”-(式中，z7”為0至6之整數，例如1至6之整數，z8”為0至6之整數，例如1至6之整數)，較佳為C1-6伸烷基，n1為1至3，較佳為2至3，更佳為3。
XA被解釋為主要連接提供撥水性及表面潤滑性等之氟聚醚部分(RF1)及提供與基材之鍵結能的部分(RS1)的連結件(linker)。據此，式(1)所示之化合物只要係可穩定地存在者，該XA可為單鍵或任意基。
上述式(1)中，α為1至9之整數，β為1至9之整數。該等α及β可因應XA之價數變化。α及β之和係與XA之價數相同。例如，XA屬於10價有機基之情況下，α及β之和為10，可成為例如：α為9且β為1、α為5且β為5、或α為1且β為9。此外，XA為2價有機基之情況下，α及β為1。
XA各自獨立地為單鍵或2至10價之有機基；
上述XA中之2至10價有機基較佳為2至8價有機基。一態樣中，該2至10價有機基較佳為2至4價有機基，更佳為2價有機基。其它態樣中，該2至10價有機基較佳為3至8價有機基，更佳為3至6價有機基。
一態樣中，XA為單鍵或2價有機基，α為1，β為1。
一態樣中，XA為3至6價有機基，α為1，β為2至5。
一態樣中，XA為3價有機基，α為1，β為2。
XA為單鍵或2價有機基之情況下，式(1)係下述式(1’)所示。
RF1-XA-RS1 (1’)
一態樣中，XA為單鍵。
其它態樣中，XA為2價有機基。
一態樣中，作為XA，可列舉例如：單鍵或下述式所示之2價有機基：
-(R51)p5-(X51)q5-[式中：
R51為單鍵、-(CH2)s5-或鄰、間或對伸苯基，較佳為-(CH2)s5-，
s5為1至20之整數，較佳為1至6之整數，更佳為1至3之整數、又更佳為1或2，
X51係-(X52)l5-，
X52在每次時各自獨立地為選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-CO-、-C(O)O-、-Si(R53)2-、-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、-CONR54-、-O-CONR54-、-NR54-及-(CH2)n5-所成群組中之基，
R53在每次出現時各自獨立地為1價有機基，較佳為苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，更佳為苯基或C1-6烷基，又更佳為甲基，
R54在每次出現時各自獨立地為氫原子、或1價有機基，較佳為氫原子、苯基、C1-6烷基(較佳為甲基)或碳數1至10之含氧基伸烷基之基，
m5在每次出現時各自獨立地為1至100之整數，較佳為1至20之整數，
n5在每次出現時各自獨立地為1至20之整數，較佳為1至6之整數，更佳為1至3之整數，
l5為1至10之整數，較佳為1至5之整數，更佳為1至3之整數，
p5為0或1，
q5為0或1。
於此，p5及q5之至少一者為1，標註p5或q5並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]。於此，XA(通常為XA之氫原子)可經選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基之1個以上之取代基取代。較佳態樣中，XA係不經該等基所取代。
上述碳數1至10之含氧基伸烷基之基係包含-O-C1-10伸烷基-之基，例如，-R55-(-O-C1-10伸烷基)n-R56(式中，R55為單鍵或2價有機基，較佳為C1-6伸烷基，n係任意之整數，較佳為2至10之整數，R56為氫原子或1價有機基，較佳為C1-6烷基)。上述伸烷基可為直鏈或分支鏈。
較佳態樣中，上述XA各自獨立地為-(R51)p5-(X51)q5-R52-。R52為單鍵、-(CH2)t5-或鄰、間或對伸苯基，較佳為-(CH2)t5-。t5為1至20之整數，較佳為2至6之整數，更佳為2至3之整數。於此，R52(通常為R52之氫原子)可經選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基之1個以上之取代基取代。較佳態樣中，R56係不經該等基所取代。
較佳係上述XA各自獨立地可為單鍵、C1-20伸烷基、或-R51-X53-R52-[式中，R51及R52係與上述同義，
X53係-O-、-S-、-CO-、-C(O)O-、-CONR54-、-O-CONR54-、-O-(CH2)u5-CONR54-、-O-(CH2)u5-CO-、-Si(R53)2-、-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、-O-(CH2)u5-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、 -O-(CH2)u5-Si(R53)2-O-Si(R53)2-CH2CH2-Si(R53)2-O-Si(R53)2-、-O-(CH2)u5-Si(OCH3)2OSi(OCH3)2-、-CONR54-(CH2)u5-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、-CONR54-(CH2)u5-N(R54)-、或-CONR54-(鄰、間或對伸苯基)-Si(R53)2-(式中，R53、R54及m5係與上述同義，
u5為1至20之整數，較佳為2至6之整數，更佳為2至3之整數)]。
更佳係上述XA各自獨立地為單鍵、C1-20伸烷基、-(CH2)s5-X53-、-X53-(CH2)t5-、或-(CH2)s5-X53-(CH2)t5-[式中，X53、s5及t5係與上述同義]。
較佳態樣中，上述XA各自獨立地可為單鍵C1-20伸烷基、-(CH2)s5-X53-、-X53-(CH2)t5-或-(CH2)s5-X53-(CH2)t5-[式中，
X53係-O-、-CO-、-CONR54-、-O-CONR54-、-O-(CH2)u5-CONR54-、或-O-(CH2)u5-CO-，
R54在每次出現時各自獨立地為氫原子、苯基、C1-6烷基(較佳為甲基)或碳數1至10之含氧基伸烷基之基，
s5為1至20之整數，
t5為1至20之整數，
u5為1至20之整數]。
較佳態樣中，上述XA各自獨立地可為-(CH2)s5-O-(CH2)t5-、-CONR54-(CH2)t5-、-(CH2)s5-O-(CH2)u5-CO-、或-(CH2)s5-O-(CH2)u5-CONR54-(CH2)t5-[式中，
R54在每次出現時各自獨立地為氫原子、苯基、C1-6烷基(較佳為甲基)或碳數1至10之含氧基伸烷基之基，
s5為1至20之整數，
t5為1至20之整數，
u5為1至20之整數]。
上述XA各自獨立地可經選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基(較佳為C1-3全氟烷基)之1個以上之取代基取代。一態樣中，XA係未取代。
尚且，上述XA係各式之左側與RF1鍵結，右側與RS1鍵結。
一態樣中，XA各自獨立地可為-O-C1-6伸烷基、C1-6伸烷基-O-C1-6伸烷基以外之基。
其它態樣中，作為XA，可列舉例如：下述之基：
Figure 111115058-A0202-12-0054-14
Figure 111115058-A0202-12-0055-15
 [式中，R41各自獨立地為氫原子、苯基、碳數1至6之烷基、或C1-6烷氧基，較佳為甲基；
D係選自下述之基：-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CF2O(CH2)3-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph意指苯基)、及
Figure 111115058-A0202-12-0056-16
 (式中，R42各自獨立地表示氫原子、C1-6之烷基或C1-6之烷氧基，較佳係表示甲基或甲氧基，更佳係表示甲基)，
E係-(CH2)n-(n為2至6之整數)，
D與分子主鏈之RF1鍵結，E與RS1鍵結]。
作為上述XA之具體例，可列舉例如：單鍵、-CH2OCH2-、-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CH2O(CH2)4-、-CH2O(CH2)5-、-CH2O(CH2)6-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2-、 -CH2OCF2CHFOCF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2-C(O)NH-CH2-、-CH2OCH2(CH2)7CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)3-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)3-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)2-、-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2-、 -CH2-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-(CH2)5-、-(CH2)6-、-CO-、-CONH-、-CONH-CH2-、-CONH-(CH2)2-、-CONH-(CH2)3-、-CONH-(CH2)4-、-CONH-(CH2)5-、-CONH-(CH2)6-、-CON(CH3)-CH2-、-CON(CH3)-(CH2)2-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)4-、-CON(CH3)-(CH2)5-、-CON(CH3)-(CH2)6-、-CON(Ph)-CH2-(式中，Ph意指苯基)、-CON(Ph)-(CH2)2-(式中，Ph意指苯基)、 -CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph意指苯基)、-CON(Ph)-(CH2)4-(式中，Ph意指苯基)、-CON(Ph)-(CH2)5-(式中，Ph意指苯基)、-CON(Ph)-(CH2)6-(式中，Ph意指苯基)、-CONH-(CH2)2NH(CH2)3-、-CONH-(CH2)6NH(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)6-、-CH2OCH2-CONH-CH2-、-CH2OCH2-CONH-(CH2)2-、-CH2OCH2-CONH-(CH2)3-、-CH2OCH2-CONH-(CH2)4-、-CH2OCH2-CONH-(CH2)5-、-CH2OCH2-CONH-(CH2)6-、-CH2OCH2-CO-、-S-(CH2)3-、-(CH2)2S(CH2)3-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、 -CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2-、-C(O)O-(CH2)3-、-C(O)O-(CH2)6-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)3-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-CH2-、-OCH2-、-O(CH2)3-、-OCFHCF2-、
Figure 111115058-A0202-12-0060-17
 等。
又其它態樣中，XA各自獨立地為式：-(R16)x1-(CFR17)y1-(CH2)z1-所示之基。式中，x1、y1及z1各自獨立地為0至10之整數，x1、y1及z1之和為1以上，以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。
上述式中，R16在每次出現時各自獨立地為氧原子、伸苯基、伸咔唑基、-NR18-(式中，R18表示氫原子或有機基)或2價有權基。較佳係R18為氧原子或2價之極性基。
作為上述「2價之極性基」，並無特別限定，惟可列舉-C(O)-、-C(=NR19)-、及-C(O)NR19-(該等之式中，R19表示氫原子或低級烷基)。該「低級烷基」例如為碳數1至6之烷基，例如甲基、乙基、正丙基，該等可經1個以上之氟原子取代。
上述式中，R17在每次出現時各自獨立地為氫原子、氟原子或低級氟烷基，較佳為氟原子。該「低級氟烷基」例如為碳數1至6，較佳為碳數1至3之氟烷基，較佳為碳數1至3之全氟烷基，更佳為三氟甲基、五氟乙基，又更佳為三氟甲基。
又其它態樣中，作為XA之例，可列舉如：下述之基：
Figure 111115058-A0202-12-0061-18
 [式中，
R41各自獨立地為氫原子、苯基、碳數1至6之烷基、或C1-6烷氧基，較佳為甲基；
各XA基中，T之中任一個係與分子主鏈之RF1或RF2鍵結之以下之基：-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CF2O(CH2)3-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph意指苯基)、或
Figure 111115058-A0202-12-0062-19
 [式中，R42各自獨立地表示氫原子、C1-6之烷基或C1-6之烷氧基，較佳係表示甲基或甲氧基，更佳係表示甲基]，
其它幾個T係與分子主鏈之RSi鍵結，如存在之情況下，其餘T各自獨立地為甲基、苯基、C1-6烷氧基或自由基捕捉基或紫外線吸收基。
自由基捕捉基只要係可捕捉藉由光照射而產生的自由基者則無特別限定，惟可列舉例如：二苯基酮類、苯并三唑類、苯甲酸酯類、水楊酸苯酯類、巴豆酸類、丙二酸酯類、有機丙烯酸酯類、受阻胺類、受阻酚類、或三
Figure 111115058-A0202-12-0062-32
類之殘基。
紫外線吸收基只要係可吸收紫外線者則無特別限定，惟列舉例如：苯并三唑類、羥基二苯基酮類、取代及未取代苯甲酸或者水楊酸化合物之酯類、丙烯酸酯或肉桂酸烷氧酯類、草醯胺類、草醯苯胺類、苯并
Figure 111115058-A0202-12-0063-33
酮類、苯并
Figure 111115058-A0202-12-0063-34
唑類之殘基。
較佳態樣中，作為較佳之自由基捕捉基或紫外線吸收基，可列舉如：
Figure 111115058-A0202-12-0063-20
此態樣中，XA各自獨立地可為3至10價有機基。
又其它態樣中，作為XA之例，可列舉如：下述基：
Figure 111115058-A0202-12-0063-21
 [式中，R25、R26及R27各自獨立地為2至6價有機基，
R25係與至少1個RF1鍵結，R26及R27g各自與至少1個RSi鍵結]
一態樣中，上述R25為單鍵、C1-20伸烷基、C3-20伸環烷基、C5-20伸芳基、-R57-X58-R59-、-X58-R59-、或-R57-X58-。上述R57及R59各自獨立地為單鍵、C1-20伸烷基、C3-20伸環烷基、或C5-20伸芳基。上述X58係-O-、-S-、-CO-、-O-CO-或-COO-。
一態樣中，上述R26及R27各自獨立地為烴、或在烴之端或主鏈中具有選自N、O及S之至少1個原子之基，較佳係可列舉如：C1-6烷基、-R36- R37-R36-、-R36-CHR38 2-等。於此，R36各自獨立地為單鍵或碳數1至6之烷基，較佳為碳數1至6之烷基。R37係N、O或S，較佳為N或O。R38係-R45-R46-R45-、-R46-R45-或-R45-R46-。於此，R45各自獨立地為碳數1至6之烷基。R46係N、O或S，較佳為O。
此態樣中，XA各自獨立地可為3至10價有機基。
上述式(1)所示之含氟聚醚基之化合物並無特別限定者，惟可具有5×102至1×105之數量平均分子量。該範圍之中，就耐磨損性之觀點而言，較佳為具有1,000至30,000，更佳為具有1,500至10,000之數量平均分子量。又，該「數量平均分子量」係藉由19F-NMR所測定的值。
上述含氟聚醚基之矽烷化合物(A)可藉由習知方法進行合成。
[含氟聚醚基之矽烷化合物(B)]
含氟聚醚基之矽烷化合物(B)係下述式(2)所示：
RS2 γ-XB-RF2-XB-RS2 γ (2)[式中：
RF2係-Rf2 p-RFB-Oq-；
Rf2係可經1個以上之氟原子取代之C1-6伸烷基；
RFB在每次出現時各自獨立地為直鏈之氟聚醚基；
p為0或1；
q在每次出現時各自獨立地為0或1；
RS2在每次出現時各自獨立地為包含具有羥基或水解性基之Si原子之基；
XB各自獨立地為單鍵或2至10價有機基；
γ各自獨立地為1至9之整數]。
RF2係-Rf2 p-RFB-Oq-。
上述式中，Rf2係可經1個以上之氟原子取代之C1-6伸烷基。
上述可經1個以上之氟原子取代之C1-6伸烷基中之「C1-6伸烷基」可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈或分支鏈之C1-3伸烷基，更佳為直鏈之C1-3伸烷基。
上述Rf2較佳為可經1個以上之氟原子取代之C1-6伸烷基，更佳為C1-6全氟伸烷基，又更佳為C1-3全氟伸烷基。
上述C1-6全氟伸烷基可為直鏈或分支鏈，較佳為直鏈或分支鏈之C1-3全氟伸烷基，更佳為直鏈之C1-3全氟烷基，具體而言，係-CF2-、-CF2CF2-、或-CF2CF2CF2-。
上述式中，p為0或1。一態樣中，p為0。其它態樣中，p為1。
上述式中，q在每次出現時各自獨立地為0或1。一態樣中，q為0。其它態樣中，q為1。
上述式中，RFB係直鏈之氟聚醚基。
上述氟聚醚基，通常為上述式(f0)所示之基。
上述式(2)中，RFB在每次出現時各自獨立地較佳為式(f0)所示之基，且全部重複單元為直鏈基。
較佳態樣中，RFB在每次出現時各自獨立地為上述式(f1)、(f2)、(f3)、(f4)、(f5)或(f6)所示之基，且為直鏈基。
較佳態樣中，RFB在每次出現時各自獨立地為下述式(f2b)所示之基：
-(OCF2CF2CF2CF2)c-(OCF2CF2CF2)d-(OCF2CF2)e-(OCF2)f- (f2b)[式中，c及d各自獨立地為0至30之整數；
e及f各自獨立地為1至200之整數；
c、d、e及f之和為10至200之整數；
標註c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]。
RS2在每次出現時各自獨立地為包含具有羥基或水解性基之Si原子之基。RS2可與上述RS1所記載之基同義，並包含同樣態樣。
較佳態樣中，RS2較佳係在每次出現時各自獨立地為上述式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)或(S5)所示之基。
一態樣中，RS2係式(S1)、(S3)、(S4)或(S5)所示之基。該等化合物可形成具有高耐磨損性之表面處理層。
一態樣中，RS2係式(S3)、(S4)或(S5)所示之基。該等化合物可形成具有高耐磨損性之表面處理層。
一態樣中，RS2係式(S3)或(S4)所示之基。該等化合物由於可在一末端具有從一個Si原子或C原子分支出的複數個水解性基，因此可進一步形成具有高耐磨損性之表面處理層。
一態樣中，RS2係式(S1)所示之基。較佳態樣中，式(S1)係式(S1-b)所示之基。較佳態樣中，式中，R13為氫原子，X11為單鍵、或-R28-Ox-R29-(式中，R28及R29在每次出現時各自獨立地為單鍵或C1-20伸烷基，x為0或1)，n1為1至3，較佳為2至3，更佳為3。
一態樣中，RS2係式(S2)所示之基。較佳態樣中，式中，n1為1至3，較佳為2至3，更佳為3。
一態樣中，RS2係式(S3)所示之基。較佳態樣中，式(S3)係-SiRa1 2Rc1、或-SiRa1 3，Ra1係-Z1-SiR22 q1R23 r1，Z1為C1-6伸烷基、-(CH2)z1-O-(CH2)z2-(式中，z1為0至6之整數，例如1至6之整數，z2為0至6之整數，例如1至6之整數)、或、-(CH2)z3-伸苯基-(CH2)z4-(式中，z3為0至6之整數，例如1至6之整數，z4為0至6之整數，例如1至6之整數)，較佳為C1-6伸烷基，q1為1至3，較佳為2至3，更佳為3。
一態樣中，RS2係式(S4)所示之基。較佳態樣中，式(S4)係-CRe1 2Rf1、或-CRe1 3，Re1係-Z3-SiR34 n2R35 3-n2，Z3為C1-6伸烷基、-(CH2)z5”-O-(CH2)z6”-(式中，z5”為0至6之整數，例如1至6之整數，z6”為0至6之整數，例如1至6之整數)或、-(CH2)z7”-伸苯基-(CH2)z8”-(式中，z7”為0至6之整數，例如1至6之整數，z8”為0至6之整數，例如1至6之整數)，較佳為C1-6伸烷基，n2為1至3，較佳為2至3，更佳為3。
一態樣中，RS2係式(S5)所示之基。較佳態樣中，Rg1及Rh1係-Z4-SiR11 n1R12 3-n1，Z4為C1-6伸烷基、-(CH2)z5”-O-(CH2)z6”-(式中，z5”為0至6之整數，例如1至6之整數，z6”為0至6之整數，例如1至6之整數)或、-(CH2)z7”-伸苯基-(CH2)z8”-(式中，z7”為0至6之整數，例如1至6之整數，z8”為0至6之整數，例如1至6之整數)，較佳為C1-6伸烷基，n1為1至3，較佳為2至3，更佳為3。
XB被解釋為主要連接提供撥水性及表面潤滑性等之氟聚醚部分(RF2)及提供與基材之鍵結能之部分(RS2)連結的連結件。據此，式(2)所示之化合物只要可穩定地存在者，該XB可為單鍵或任意基。
上述式(2)中，γ為1至9之整數。γ可因應XB之價數變化。亦即，γ係從XB之價數減1而得之值。
XB各自獨立地為單鍵或2至10價有機基。
上述XB中之2至10價有機基較佳為2至8價有機基。一態樣中，該2至10價有機基較佳為2至4價有機基，更佳為2價有機基。其它態樣中，該2至10價有機基較佳為3至8價有機基，更佳為3至6價有機基。
一態樣中，XB為單鍵或2價有機基，α為1，β為1。
一態樣中，XB為單鍵或2價有機基，γ為1。
一態樣中，XB為3至6價有機基，γ為2至5。
一態樣中，XB為3價有機基，γ為2。
XB為單鍵或2價有機基之情況下，式(2)係下述式(2’)所示。
RS2-XB-RF2-XB-RS2 (2’)
XB可與XA所述之基同義，並包含同樣的態樣。又，作為XB所記載之各基，左側與式(2)之RF2鍵結，右側與式(2)之RS2鍵結於。
一態樣中，XB為單鍵。
其它態樣中，XB為2價有機基。
一態樣中，作為XB，可列舉例如：單鍵或下述式所示之2價有機基：
-(R51)p5-(X51)q5-[式中：
R51為單鍵、-(CH2)s5-或鄰、間或對伸苯基，較佳為-(CH2)s5-，
s5為1至20之整數，較佳為1至6之整數，更佳為1至3之整數，又更佳為1或2，
X51係-(X52)l5-，
X52在每次出現時各自獨立地為選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-CO-、-C(O)O-、-Si(R53)2-、-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、-CONR54-、-O-CONR54-、-NR54-及-(CH2)n5-所成群組中之基，
R53在每次出現時各自獨立地為1價有機基，較佳為苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，更佳為苯基或C1-6烷基，又更佳為甲基，
R54在每次出現時各自獨立地為氫原子、或1價有機基，較佳為氫原子、苯基、C1-6烷基(較佳為甲基)或碳數1至10之含氧基伸烷基之基，
m5在每次出現時各自獨立地為1至100之整數，較佳為1至20之整數，
n5在每次出現時各自獨立地為1至20之整數，較佳為1至6之整數，更佳為1至3之整數，
l5為1至10之整數，較佳為1至5之整數，更佳為1至3之整數，
p5為0或1、
q5為0或1、
於此，p5及q5之至少一者為1，標註p5或q5並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意]。於此，XB(通常為XB之氫原子)可經選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基之1個以上之取代基取代。較佳態樣中，XB係不經該等基取代。
上述碳數1至10之含氧基伸烷基之基係包含-O-C1-10伸烷基之基，例如，-R55-(-O-C1-10伸烷基)n-R56(式中，R55為單鍵或2價有機基，較佳為C1- 6伸烷基，n係任意之整數，較佳為2至10之整數，R56為1價有機基，較佳為C1-6烷基)。上述伸烷基可為直鏈或分支鏈。
較佳態樣中，上述XB各自獨立地為-(R51)p5-(X51)q5-R52-。R52為單鍵、-(CH2)t5-或鄰、間或對伸苯基，較佳為-(CH2)t5-。t5為1至20之整數，較佳為2至6之整數，更佳為2至3之整數。於此，R52(通常為R52之氫原子)可經選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基之1個以上之取代基取代。較佳態樣中，R56係不經該等基取代。
較佳係上述XB各自獨立地可為單鍵、C1-20伸烷基、-R51-X53-R52-、或[式中，R51及R52係與上述同義、
X53係-O-、-S-、-CO-、-C(O)O-、-CONR54-、-O-CONR54-、-O-(CH2)u5-CONR54-、-O-(CH2)u5-CO-、-Si(R53)2-、 -(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、-O-(CH2)u5-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、-O-(CH2)u5-Si(R53)2-O-Si(R53)2-CH2CH2-Si(R53)2-O-Si(R53)2-、-O-(CH2)u5-Si(OCH3)2OSi(OCH3)2-、-CONR54-(CH2)u5-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、-CONR54-(CH2)u5-N(R54)-、或-CONR54-(鄰、間或對伸苯基)-Si(R53)2-(式中，R53、R54及m5係與上述同義、
u5為1至20之整數，較佳為2至6之整數，更佳為2至3之整數)]。
更佳係上述XB各自獨立地為單鍵、C1-20伸烷基、-(CH2)s5-X53-、-X53-(CH2)t5-、或-(CH2)s5-X53-(CH2)t5-[式中，X53、s5及t5係與上述同義]。
較佳態樣中，上述XB各自獨立地可為單鍵、C1-20伸烷基、-(CH2)s5-X53-、-X53-(CH2)t5-或-(CH2)s5-X53-(CH2)t5- [式中，
X53係-O-、-CO-、-CONR54-、-O-CONR54-、-O-(CH2)u5-CONR54-、或-O-(CH2)u5-CO-，
R54在每次出現時各自獨立地為氫原子、苯基、C1-6烷基(較佳為甲基)或碳數1至10之含氧基伸烷基之基，
s5為1至20之整數，
t5為1至20之整數，
u5為1至20之整數]。
較佳態樣中，上述XB分別獨立地可為-(CH2)s5-O-(CH2)t5-、-CONR54-(CH2)t5-、-(CH2)s5-O-(CH2)u5-CO-、或-(CH2)s5-O-(CH2)u5-CONR54-(CH2)t5-[式中，
R54在每次出現時各自獨立地為氫原子、苯基、C1-6烷基(較佳為甲基)或碳數1至10之含氧基伸烷基之基，
s5為1至20之整數，
t5為1至20之整數，
u5為1至20之整數]。
上述XB各自獨立地可經選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基(較佳為C1-3全氟烷基)之1個以上之取代基取代。一態樣中，XB係未取代。
尚且，上述XB係各式之左側與RF1鍵結，右側與RS1鍵結。
一態樣中，XB各自獨立地可為-O-C1-6伸烷基、C1-6伸烷基-O-C1-6伸烷基以外之基。
作為上述XB之具體例，可列舉例如：單鍵、-CH2OCH2-、-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CH2O(CH2)4-、-CH2O(CH2)5-、-CH2O(CH2)6-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2OCF2CHEOCF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2CF2-、 -CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2-C(O)NH-CH2-、-CH2OCH2(CH2)7CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)3-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)3-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)2-、-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2-、-CH2-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-(CH2)5-、-(CH2)6-、 -CO-、-CONH-、-CONH-CH2-、-CONH-(CH2)2-、-CONH-(CH2)3-、-CONH-(CH2)4-、-CONH-(CH2)5-、-CONH-(CH2)6-、-CON(CH3)-CH2-、-CON(CH3)-(CH2)2-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)4-、-CON(CH3)-(CH2)5-、-CON(CH3)-(CH2)6-、-CON(Ph)-CH2-(式中，Ph意指苯基)、-CON(Ph)-(CH2)2-(式中，Ph意指苯基)、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph意指苯基)、-CON(Ph)-(CH2)4-(式中，Ph意指苯基)、-CON(Ph)-(CH2)5-(式中，Ph意指苯基)、-CON(Ph)-(CH2)6-(式中，Ph意指苯基)、-CONH-(CH2)2NH(CH2)3-、-CONH-(CH2)6NH(CH2)3-、 -CH2O-CONH-(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)6-、-CH2OCH2-CONH-CH2-、-CH2OCH2-CONH-(CH2)2-、-CH2OCH2-CONH-(CH2)3-、-CH2OCH2-CONH-(CH2)4-、-CH2OCH2-CONH-(CH2)5-、-CH2OCH2-CONH-(CH2)6-、-CH2OCH2-CO-、-S-(CH2)3-、-(CH2)2S(CH2)3-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2-、-C(O)O-(CH2)3-、-C(O)O-(CH2)6-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)3-、 -CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-CH2-、-OCH2-、-O(CH2)3-、-OCFHCF2-、
Figure 111115058-A0202-12-0077-22
 等。
上述式(2)所示之含氟聚醚基之化合物並無特別限定者，惟可具有5×102至1×105之數量平均分子量。該範圍之中，就耐磨損性之觀點而言，較佳為具有1,000至30,000，更佳為具有1,500至10,000之數量平均分子量。又，該「數量平均分子量」係藉由19F-NMR所測定之值。
上述含氟聚醚基之矽烷化合物(B)可藉由習知方法進行合成。
較佳態樣中，含氟聚醚基之矽烷化合物(A)中，RFA係式(f1a)所示之基，含氟聚醚基之矽烷化合物(B)中，RFB係式(f2b)所示之基。含氟聚醚基之矽烷化合物(A)及含氟聚醚基之矽烷化合物(B)，藉由具有上述氟聚醚基，則所形成之表面處理層之耐磨損性與紫外線耐性提高。
更佳態樣中，含氟聚醚基之矽烷化合物(A)中，RFA係式(f1a)所示之基，RS1係式(S3)、(S4)或(S5)所示之基，含氟聚醚基之矽烷化合物(B)中，RFB係式(f2b)所示之基，RS2係式(S3)、(S4)或(S5)所示之基。含氟聚醚基之矽烷化合 物(A)及含氟聚醚基之矽烷化合物(B)，藉由具有上述氟聚醚基及水解性矽烷基，則所形成之表面處理層之耐磨損性與紫外線耐性提高。
本揭示之表面處理劑中，相對於含氟聚醚基之矽烷化合物(A)與含氟聚醚基之矽烷化合物(B)之合計，含氟聚醚基之矽烷化合物(A)之含量，較佳為50mol%以上，更佳為60mol%以上，又更佳為70mol%以上。藉由將含氟聚醚基之矽烷化合物(A)之含量設為50mol%以上，則所形成之表面處理層之紫外線耐性提高。
本揭示之表面處理劑中，相對於含氟聚醚基之矽烷化合物(A)與含氟聚醚基之矽烷化合物(B)之合計，含氟聚醚基之矽烷化合物(A)之含量，較佳為95mol%以下，更佳為90mol%以下，例如80mol%以上。藉由將含氟聚醚基之矽烷化合物(A)之含量的上限設為上述範圍，則所形成之表面處理層之耐磨損性提高。
較佳態樣中，相對於含氟聚醚基之矽烷化合物(A)與含氟聚醚基之矽烷化合物(B)之合計，含氟聚醚基之矽烷化合物(A)之含量較佳為50至95mol%，更佳為60至90mol%，又更佳為70至90mol%。
上述表面處理劑，除了含氟聚醚基之矽烷化合物(A)及含氟聚醚基之矽烷化合物(B)(以下，亦總稱為「本揭示之含氟聚醚基之矽烷化合物」)以外，亦可包含其它成分。作為該其它成分，並無特別限定者，惟可列舉例如：作為含氟油可被理解為(非反應性之)氟聚醚化合物，較佳為全氟(聚)醚化合物(以下，稱為「含氟油」)、作為矽油可被理解為(非反應性之)矽化合物(以下，稱為「矽油」)、觸媒、低級醇、過渡金屬、鹵化物離子、分子構造內包含具有非共享電子對之原子的化合物等。
作為上述含氟油，並無特別限定者，惟可列舉例如：以下通式(1)所示之化合物(全氟(聚)醚化合物)。
Rf5-(OC4F8)a’-(OC3F6)b’-(OC2F4)c’-(OCF2)d’-Rf6‧‧‧(1)
式中，Rf5表示可經1個以上之氟原子取代之碳數1至16烷基(較佳為C1-16之全氟烷基)，Rf6表示可經1個以上之氟原子取代之碳數1至16烷基(較佳為C1-16全氟烷基)、氟原子或氫原子，Rf5及Rf6更佳係各自獨立地為C1-3全氟烷基。
a’、b’、c’及d’各自表示構成聚合物之主骨架的全氟(聚)醚之4種的重複單元數，彼此獨立地為0以上300以下之整數，a’、b’、c’及d’之和至少為1，較佳為1至300，更佳為20至300。標註a’、b’、c’或d’並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。上述重複單元中具有至少1個分支構造。亦即，上述重複單元具有至少1個CF3末端(具體而言，-CF3、-C2F5等，更具體而言，-CF3)。在具有分支構造之重複單元方面，作為-(OC4F8)-，可列舉如：-(OCF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3))-、-(OC(CF3)2CF2)-、-(OCF2C(CF3)2)-、-(OCF(CF3)CF(CF3))-、-(OCF(C2F5)CF2)-及-(OCF2CF(C2F5))-；作為-(OC3F6)-，可列舉如：-(OCF(CF3)CF2)-及-(OCF2CF(CF3))-；作為-(OC2F4)-，可列舉如：-(OCF(CF3))-。
作為上述通式(1)所示之全氟(聚)醚化合物之例，可列舉如：以下通式(1a)及(1b)之任一者所示之化合物(可為1種或2種以上之混合物)。
Rf5-(OCF(CF3)CF2)b”-Rf6‧‧‧(1a)
Rf5-(OC4F8)a”-(OC3F6)b”-(OCF(CF3))c”-(OCF2)d”-Rf6‧‧‧(1b)
該等式中，Rf5及Rf6係如上所述；式(1a)中，b”為1以上100以下之整數；式(1b)中，a”及b”各自獨立地為1以上30以下之整數，c”及d”各自獨立地為1 以上300以下之整數。標註a”、b”、c”、d”並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。-(OC4F8)-、-(OC3F6)-具有分支構造。
上述含氟油可具有1,000至30,000之數量平均分子量。特別係式(1a)所示之化合物的數量平均分子量較佳為2,000至8,000。藉由具有該數量平均分子量，可獲得良好的摩擦耐久性。一態樣中，式(1b)所示之化合物的數量平均分子量為3,000至8,000。其它態樣中，式(1b)所示之化合物的數量平均分子量為8,000至30,000。
上述表面處理劑中，相對於上述含氟聚醚基之矽烷化合物100質量份，含氟油可含例如0至500質量份，較佳為0至100質量份，更佳為1至50質量份，又更佳為1至5質量份。
上述表面處理劑中，相對於含氟聚醚基之矽烷化合物及含氟油的合計量，含氟油可含例如0至30莫耳%，較佳為0至20莫耳%，更佳為0至10莫耳%。
此外，就其它觀點而言，含氟油可為通式Rf’-F(式中，Rf’為C5-16全氟烷基)所示之化合物。此外，可為三氟氯乙烯低聚物。就可獲得與Rf為C1-16全氟烷基之上述含全氟(聚)醚基之矽烷化合物的高親和性之點而言，較佳為Rf’-F所示之化合物及三氟氯乙烯低聚物。
含氟油有助於使表面處理層之耐磨損性提升。
作為上述矽油，例如可使用矽氧烷鍵結為2,000以下之直鏈狀或環狀的矽油。直鏈狀之矽油，可為所謂的直鏈矽油及改質矽油。作為直鏈矽油，可列舉如：二甲基矽油、甲基苯基矽油、甲基氫矽油。作為改質矽油，可列舉如： 直鏈矽油經烷基、芳烷基、聚醚、高級脂肪酸酯、氟烷基、胺基、環氧基、羧基、醇等改質者。環狀之矽油，可列舉例如：環狀二甲基矽氧烷油等。
上述表面處理劑中，相對於上述含氟聚醚基之矽烷化合物100質量份(2種以上之情況下，該等之合計在以下亦同)，該矽油可含例如0至50質量份，較佳為0至5質量份。
矽油有助於使表面處理層之耐磨損性提升。
作為上述觸媒，可列舉如：酸(例如：乙酸、三氟乙酸等)、鹼(例如：氨、三乙胺、二乙胺等)、過渡金屬(例如：Ti、Ni、Sn等)等。
觸媒係促進上述含氟矽烷化合物之水解及脫水縮合，並促進表面處理層之形成。
作為上述其它成分之低級醇，可列舉如：碳數1至6之醇化合物。
作為上述過渡金屬，可列舉如：鉑、釕、銠等。
作為上述鹵化物離子，可列舉如：氯化物離子等。
作為在上述分子構造內包含具有非共享電子對之原子的化合物，可列舉如：二乙胺、三乙胺、苯胺、吡啶、六甲基磷醯胺、N,N-二乙基乙醯胺、N,N-二乙基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮、四甲基脲、二甲基亞碸(DMSO)、四亞甲基亞碸、甲基苯基亞碸、二苯基亞碸等。該等化合物之中，較佳為使用二甲基亞碸、或四亞甲基亞碸。
作為其它成分，除了上述以外，亦可列舉例如：四乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、甲基三乙醯氧基矽烷等。
一態樣中，上述表面處理劑不含屬於上述其它成分之含氟油、矽油、觸媒、低級醇、過渡金屬、鹵化物離子、分子構造內包含具有非共享電子對之原子的化合物。
本態樣之組成物(例如，表面處理劑)係可賦予形成摩擦耐久性良好的硬化層。更且，使用本態樣之組成物所形成的硬化層之摩擦耐久性變得良好，硬化層之表面中之潤滑性變得良好。此外，本態樣之組成物中，RF部分之二次構造傾向於具有螺旋構造，每單位面積的聚合物密度及矽烷偶合劑之交聯密度增加，因此認為硬化層之強度增加。
一態樣中，本揭示之表面處理劑包含本揭示之含氟聚醚基之矽烷化合物、及含氟油。
一態樣中，本揭示之表面處理劑包含本揭示之含氟聚醚基之矽烷化合物，且不含屬於上述其它成分之含氟油(例如：相對於表面處理劑100質量份，含氟油之含量為1質量份以下，更具體而言，為0質量份)。
本揭示之表面處理劑中，因應需要，可進一步添加水解縮合觸媒，例如，有機錫化合物(二甲氧基二丁基錫、二月桂酸二丁基錫等)、有機鈦化合物(鈦酸四正丁酯等)、有機酸(乙酸、甲磺酸、氟改質羧酸等)、無機酸(鹽酸、硫酸等)。該等之中，特別以乙酸、鈦酸四正丁酯、二月桂酸二丁基錫、氟改質羧酸等為佳。
上述水解縮合觸媒之添加量係觸媒量，通常相對於含氟聚醚基之矽烷化合物及/或其部分(水解)縮合物100質量份，為0.01至5質量份，特別為0.1至1質量份。
本揭示之表面處理劑可藉由使多孔質物質，例如多孔質之陶瓷材料、金屬纖維例如鋼絲絨浸漬於棉狀的固化物而製成顆粒。該顆粒可使用於例如真空蒸鍍。
本揭示之表面處理劑係使用作為防污性塗佈劑或防水性塗佈劑。
上述塗佈劑(以下亦稱為「本揭示之塗佈劑」)包含本揭示之組成物與液狀介質。本揭示之塗佈劑可為液狀、溶液或分散液。
本揭示之塗佈劑可包含本揭示之組成物，亦可包含在化合物(A)、化合物(B)等之製造步驟中所產生的副產物等之不純物。
本揭示之組成物濃度，在本揭示之塗佈劑中，以0.001至50質量%為佳、以0.05至30質量%更佳、以0.05至10質量%又更佳、以0.1至1質量%為特佳。
作為液狀介質，較佳為有機溶劑。有機溶劑可為氟系有機溶劑、非氟系有機溶劑、或包含兩種溶劑。
作為氟系有機溶劑，可列舉如：氟烷烴、氟化芳香族化合物、氟烷基醚、氟烷基胺、氟醇等。
作為氟烷烴，較佳為碳數4至8之化合物。作為市售品，可列舉例如：C6F13H(旭硝子公司製，ASAHIKLIN(註冊商標)AC-2000)、C6F13C2H5(旭硝子公司製，ASAHIKLIN(註冊商標)AC-6000)、C2F5CHFCHFCF3(Chemours公司製，Vertrel(註冊商標)XF)等。
作為氟化芳香族化合物，可列舉例如：六氟苯、三氟甲基苯、全氟甲苯、雙(三氟甲基)苯等。
作為氟烷基醚，較佳為碳數4至12之化合物。作為市售品，可列舉例如：CF3CH2OCF2CF2H(旭硝子公司製、ASAHIKLIN(註冊商標)AE-3000)、C4F9OCH3(3M公司製、Novec(註冊商標)7100)、C4F9OC2H5(3M公司製、Novec(註冊商標)7200)、C2F5CF(OCH3)C3F7(3M公司製、Novec(註冊商標)7300)等。
作為氟烷基胺，可列舉例如：全氟三丙胺、全氟三丁胺等。
作為氟醇，可列舉例如：2,2,3,3-四氟丙醇、2,2,2-三氟乙醇、六氟異丙醇等。
作為非氟系有機溶劑，較佳為僅由氫原子及碳原子所構成之化合物、與僅由氫原子、碳原子及氧原子所構成之化合物，可列舉如：烴系有機溶劑、醇系有機溶劑、酮系有機溶劑、醚系有機溶劑、酯系有機溶劑。
本揭示之塗佈劑，係以包含50至99.999質量%之液狀介質為佳、以包含70至99.5質量%更佳、以包含90至99.5質量%又更佳、以包含99至99.9質量%為特佳。
除了本揭示之組成物及介質以外，本揭示之塗佈劑在不損及本發明之效果的範圍內可包含其它成分。
作為其它成分，可列舉例如：促進水解性矽基之水解與縮合反應的酸觸媒及鹼性觸媒等習知添加劑。
本揭示之塗佈劑中之其它成分之含量，係以10質量%以下為佳、以1質量%以下為特佳。
本揭示之塗佈劑之固形分濃度，係以0.001至50質量%為佳、以0.05至30質量%更佳、以0.05至10質量%又更佳、以0.01至1質量%為特佳。
塗佈劑之固形分濃度係從加熱前之塗佈劑的質量與在120℃之對流式乾燥機中加熱4小時後之質量算出的值。
本揭示之組成物的濃度能夠從固形分濃度與本揭示之組成物及溶劑等之饋入量算出。
本揭示之表面處理劑，尤其可使用於觸控面板等之顯示輸入裝置之塗層；透明的玻璃製或透明的塑料製構件之表面保護塗層、廚房用防污塗層；電子機器、熱交換器、電池等之撥水防濕塗層及防污塗層；洗護用防污塗層；對導電的同時需要防液性構件的塗層；熱交換器之撥水-防水-滑水塗層；振動篩及筒體內部等之表面低摩擦塗層等。作為更具體的使用例，可列舉如：顯示器之前面保護板、抗反射板、偏光板、防眩光板、或者在該等之表面實施抗反射膜處理者、行動電話(例如，智慧型手機)、行動訊息終端、遊戲機、遙控器等之機器的觸控面板片及觸控面板顯示器等之以人的手指或手掌在屏幕上進行操作之具有顯示輸入裝置的各種機器之塗層(例如：在顯示部等使用的玻璃或膜之塗層，以及在顯示部以外之外裝部分使用的玻璃、膜或金屬之塗層)、廁所、浴室、洗手間、廚房等之水周邊的裝飾建材之塗層、電路板用防水塗層、熱交換器之撥水-防水-滑水塗層、太陽能電池之撥水塗層、印刷電路板之防水-撥水塗層、電子機器外殼及電子零件用之防水-撥水塗層、傳輸線之絕緣性提升塗層、各種過濾器之防水-撥水塗層、電波吸收材及吸音器之防水性塗層、浴室、厨房機器、養護用防污塗層、振動篩及筒體內部等之表面低摩擦塗層、機械零件、真空機器零件、軸承零件、汽車等之輸送機器用零件、工具等之表面保護塗層等。
以下針對本揭示之物品進行說明。
本揭示之物品包含基材、與在該基材表面藉由本揭示之表面處理劑所形成的層(表面處理層)。
本揭示中能夠使用的基材，可由例如：玻璃、樹脂(天然或合成樹脂，例如可為一般的塑膠材料)、金屬、陶瓷、半導體(矽、鍺等)、纖維(織物、不織布等)、毛皮、皮革、木材、陶磁器、石材等、建築構件等、衛生用品、任意適合的材料所構成。
例如，在要被製造的物品屬於光學構件之情況下，構成基材之表面的材料，可為光學構件用材料，例如玻璃或透明塑膠等。此外，在要被製造的物品屬於光學構件之情況下，可在基材之表面(最外層)形成任何層(或膜)，例如硬塗層及抗反射層等。抗反射層中，可使用單層抗反射層及多層抗反射層之任一者。作為能夠在抗反射層使用的無機物之例，可列舉如：SiO2、SiO、ZrO2、TiO2、TiO、Ti2O3、Ti2O5、Al2O3、Ta2O5、Ta3O5，Nb2O5、HfO2、Si3N4、CeO2、MgO、Y2O3、SnO2、MgF2、WO3等。該等無機物可單獨、或組合該等之2種以上(例如作為混合物)使用。在設為多層抗反射層之情況下，在其最外層中，較佳為使用SiO2及/或SiO。在要被製造的物品屬於觸控面板用之光學玻璃零件之情況下，在基材(玻璃)之表面之一部分可具有例如：使用有氧化銦錫(ITO)及氧化銦鋅等之透明電極的薄膜。此外，基材，因應其具體規格等，可具有絕緣層、黏著層、保護層、裝飾框層(I-CON)、霧化膜層、硬塗膜層、偏光膜、相位差膜、及液晶顯示模組等。
上述基材之形狀並無特別限定，可為例如：板狀、膜、其它形態。此外，應形成表面處理層之基材的表面區域，可為基材表面之至少一部分，可因應要被製造的物品之用途及具體的規格等而適當地決定。
一態樣中，作為該基材，可為至少其表面部分係由原先具有羥基之材料所成者。作為該材料係列舉玻璃，此外，可列舉如：在表面形成有自然氧化膜或熱氧化膜之金屬(特別係卑金屬)、陶瓷、半導體等。或者，在如樹脂等即使具羥基卻不充分之情況、及原先不具羥基之情況下，藉由在基材實施任何前處理，並在基材之表面導入羥基，則可使其增加。作為該前處理之例，可列舉如：電漿處理(例如電暈放電)、及離子束照射。電漿處理可在基材表面使羥基導入或增加的同時，亦可適用於清潔基材表面(除去異物等)。此外，作為該前處理之其它例，可列舉如：將具有碳-碳不飽和鍵結基之界面吸附劑藉由LB法(朗謬-布羅吉法)或化學吸附法等，在基材表面預先形成單分子膜之形態，其後，在包含氧或氮等之環境下裂解不飽和鍵之方法。
其它態樣中，作為該基材，可為至少其表面部分係由其它反應性基，例如，具有1個以上Si-H基之矽化合物、及包含烷氧基矽烷之材料所成者。
較佳態樣中，上述基材係玻璃。作為該玻璃，係以藍寶石玻璃、鹼石灰玻璃、鹼鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸玻璃、無鹼玻璃、水晶玻璃、石英玻璃為佳，並以經化學強化的鹼石灰玻璃、經化學強化的鹼鋁矽酸鹽玻璃、及經化學鍵結的硼矽酸玻璃為特佳。
本揭示之物品，在上述基材之表面形成上述本揭示之表面處理劑的層，並因應需要將此層進行後處理，藉此可藉由從本揭示之表面處理劑形成層而製造。
本揭示之表面處理劑的層形成，可藉由將上述表面處理劑相對於基材表面，將該表面以覆蓋的方式應用而實施。覆蓋方法並無特別限定。例如，可使用濕潤覆蓋法及乾燥覆蓋法，較佳為使用濕潤覆蓋法。
作為濕潤覆蓋法之例，可列舉如：浸漬塗佈、旋轉塗佈、流動塗佈、噴霧塗佈、輥塗佈、凹版塗佈及類似之方法。
作為乾燥覆蓋法之例，可列舉如：蒸鍍(通常為真空蒸鍍)、濺射、CVD及類似之方法。作為蒸鍍法(通常為真空蒸鍍法)之具體例，可列舉如：電阻加熱、電子束、微波等之高頻加熱、離子束及類似之方法。作為CVD方法之具體例，可列舉如：電漿-CVD、光學CVD、熱CVD及類似之方法。
更且亦能夠藉由常壓電漿法覆蓋。
表面處理劑之層形成較佳為以使本揭示之表面處理劑與用於水解及脫水縮合之觸媒一起存在於層中的方式而實施。為方便起見，藉由濕潤覆蓋法之情況下，在將本揭示之表面處理劑以溶劑稀釋後且即將應用於基材表面前，將觸媒添加於本揭示之表面處理劑的稀釋液。藉由乾燥覆蓋法之情況下，可將已添加觸媒的本揭示之表面處理劑直接進行蒸鍍(通常為真空蒸鍍)處理，或者在鐵或銅等金屬多孔體使用浸漬有已添加觸媒的本揭示之表面處理劑的顆粒狀物質進行蒸鍍(通常為真空蒸鍍)處理。
觸媒中可使用任意合適的酸或鹼。作為酸觸媒，可使用例如：乙酸、甲酸、三氟乙酸等。此外，作為鹼觸媒，可使用例如：氨、有機胺類等。
使用本揭示之表面處理劑所形成的表面處理層，實質上不含本揭示之表面處理劑中含有的含氟聚醚基之化合物。
據此，本揭示係提供一種物品，其係包含基材、與形成於該基材上之表面處理層的物品，前述表面處理層係由含氟聚醚基之矽烷化合物所形成且實質上不含含氟聚醚基之化合物。
本揭示之物品中含有的表面處理層具有高耐磨損性。此外，上述表面處理層，除了高耐磨損性以外，取決於欲使用之表面處理劑之組成，亦能夠具有撥水性、撥油性、防污性(例如防指紋等之污垢附著)、防水性(防止在電子零件等之水的浸入)、表面潤滑性(或潤滑性，例如指紋等之污垢擦拭性、及對手指之優異觸感)、耐化學性等，且能夠適當地利用作為機能性薄膜。
據此，本揭示亦進一步關於在最外層具有上述表面處理層的光學材料。
作為光學材料，除了關於後述所例示般的顯示器等之光學材料以外，較佳可列舉各式各樣的光學材料：例如，陰極線管(CRT；例如，電腦顯示器)、液晶顯示器、電漿顯示器、有機EL顯示器、無機薄膜EL點矩陣顯示器、背投型顯示器、真空螢光顯示器(VFD)、場發射顯示器(FED；Field Emission Display)等顯示器或該等顯示器的保護板、或在該等之表面實施抗反射膜處理者。
本揭示之物品並無特別限定者，可為光學構件。光學構件之例中，可列舉如下述者：眼鏡等鏡片；PDP、LCD等顯示器的前面保護板、抗反射板、偏光板、防眩光板；行動電話、行動訊息終端等機器的觸控面板片；藍光(Blu-ray(註冊商標))光碟、DVD光碟、CD-R、MO等光碟之光碟面；光纖；鐘錶之顯示面等。
此外，本揭示之物品可為醫療機器或醫療材料。
上述層之厚度並無特別限定。在光學構件之情況下，就光學性能、耐磨損性及防污性之點而言，上述層之厚度為1至50nm、較佳為1至30nm，更佳為1至15nm之範圍。
以上針對本揭示之物品及其製造方法進行詳述。又，本揭示之物品及物品的製造方法等並非限定於上述所例示者。
[實施例]
以下針對本揭示在實施例中進行說明，惟本揭示並不限於以下實施例者。又，本實施例中，以下所示之化學式表示全部的平均組成。此外，構成全氟聚醚之重複單元的存在順序為任意。
作為含氟聚醚基之矽烷化合物(A)，係準備下述化合物(a1)及(a2)。
‧化合物(a1)及(a2)
CF3CF2CF2O[CF(CF3)CF2O]nCF(CF3)CONHCH2C[CH2CH2CH2Si(OCH3)3]3(化合物(a1)：n=12；化合物(a2)：n=24)
作為含氟聚醚基之矽烷化合物(B)，係準備下述化合物(b1)至(b4)。
‧化合物(b1)
[(CH3O)3SiCH2CH2CH2]3CCH2NHCOCF2O(CF2CF2O)m(CF2O)nCF2CONHCH2C[CH2CH2CH2Si(OCH3)3]3(m=18、n=29)
‧化合物(b2)
[(CH3O)3SiCH2CH2CH2]2NCOCF2O(CF2CF2O)m(CF2O)nCF2CON[CH2CH2CH2Si(OCH3)3]2(m=18、n=29)
‧化合物(b3)
[(CH3O)3SiCH2CH2CH2]2NCOCH2OCH2CF2O(CF2CF2O)m(CF2O)nCF2CH2OCH2CON[CH2CH2CH2Si(OCH3)3]2 (m=18、n=29)
‧化合物(b4)
[(CH3O)3SiCH2CH2CH2]3CCH2NHCOCH2OCH2CF2O(CF2CF2O)m(CF2O)nCF2CH2OCH2CONHCH2C[CH2CH2CH2Si(OCH3)3]3(m=18、n=29)
更且，作為含氟聚醚基之矽烷化合物(B)，係合成下述化合物(b5)。
(合成例1)
分別加入HOOCCF2-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-CF2COOH(m≒20、n≒33)2.0g、甲苯15g、間六氟二甲苯15g、N,N-二甲基甲醯胺0.23mL後，饋入亞硫醯氯0.65mL，在60℃加熱並攪拌5小時。其後，在減壓下餾除揮發物，加入碘化鋰4.0g，在220℃加熱並攪拌12小時。其後，藉由進行純化而獲得下述含聚醚基之化合物(b5’)10.5g。
含聚醚基之化合物(b5’)
Figure 111115058-A0202-12-0091-23
 (m≒20、n≒33)
(合成例2)
分別加入合成例1中獲得的含聚醚基之化合物(b5’)ICF2-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-CF2I(m≒20、n≒33)5.0g、間六氟二甲苯5.0g、三氯乙烯基矽烷1.3mL、過氧化三級丁基0.40mL後，在130℃加熱並攪拌10小時。其後，在減壓下餾除揮發物，加入鋅0.8g及十四氟己烷5.0g，在冰浴冷卻且加入甲醇6.3mL後，在45℃攪拌8小時。其後，藉由純化而獲得下述含聚醚基之化合物(b5)3.6g。
含聚醚基之化合物(b5)
Figure 111115058-A0202-12-0092-24
 (m≒20、n≒33、k≒3)
作為對照化合物，係準備下述化合物(c1)。
‧化合物(c1)
CF3O(CF2CF2O)m(CF2O)nCF2CONHCH2C[CH2CH2CH2Si(OCH3)3]3(m=18、n=29)
[表面處理層之形成]
組合上述化合物並使其溶解於Novec7200(3M公司製)，且以合計濃度成為20wt%之方式調製表面處理劑。將所調製的表面處理劑在化學強化玻璃(康寧公司製，「Gorilla」玻璃、厚度0.7mm)上進行真空蒸鍍。真空蒸鍍法之條件係電阻加熱式蒸鍍機(Shincron製)、腔室尺寸1,900mm
Figure 111115058-A0202-12-0092-35
、真空度5.0E-05、電流值240A、電壓10V、基材溫度40℃。其次，將經蒸鍍的化學強化玻璃在溫度150℃之環境下靜置30分鐘，其後冷卻至室溫，並在玻璃基材上形成表面處理層。化合物之組合與其組成係下述表所示。又，化合物(a1)與(b2)、化合物(a2)與(b2)、化合物(a1)與(b1)、化合物(a1)與(b3)、化合物(a1)與(b4)、及化合物(a1)與(b5)之組合為實施例，化合物(c1)與(b2)之組合為比較例。
[評定]
(靜態接觸角之測定)
靜態接觸角係藉由將2μL水從微量注射器滴到水平放置的基板上並在滴下1秒後藉由使用視頻顯微鏡拍攝靜止圖像而求出。測定係使用全自動接觸角計DropMaster700(協和界面科學公司製)進行。
(初期評定)
首先，作為初期評定，在形成表面處理層後，在其表面仍未接觸任何東西之狀態下，測定水的靜態接觸角。
(橡皮擦耐久性試驗)
針對上述所形成的表面處理層，使用摩擦測試儀(新東科學公司製)在下述條件於來回次數1000次後測定水的靜態接觸角。
橡皮擦：Raber Eraser(Minoan公司製)
接地面積：6mm
Figure 111115058-A0202-12-0093-36
移動距離(單程)：40mm
移動速度：3,600mm/分鐘
荷重：1kg/6mm
Figure 111115058-A0202-12-0093-37
溫度：25℃
濕度：40%RH
(UV耐久性試驗)
針對上述所形成的表面處理層，測定48小時UV照射後之水的靜態接觸角。UV照射係使用UVB-313燈(Q-Lab公司製，310nm中之放射照度0.63W/m2)，基材之黑板溫度設為63度，燈與表面處理層之距離設為5cm而進行。
表1
Figure 111115058-A0202-12-0094-25
表2
Figure 111115058-A0202-12-0095-26
從上述結果，確認出藉由組合含氟聚醚基之矽烷化合物(A)及含氟聚醚基之矽烷化合物(B)，可形成耐磨損性及UV耐久性高的表面處理層。
[產業利用性]
本揭示之表面處理劑可適合利用於各式各樣的用途。
Figure 111115058-A0202-11-0002-1

Claims (13)

  1. 一種表面處理劑，其係包含：下述式(1)所示之含氟聚醚基之矽烷化合物(A)，RF1 α-XA-RS1 β (1)式中：RF1在每次出現時各自獨立地為Rf1-RFA-Oq-；Rf1在每次出現時各自獨立地為可經1個以上之氟原子取代的C1-16烷基；RFA在每次出現時各自獨立地為具有分支構造的氟聚醚基；q在每次出現時各自獨立地為0或1；RS1在每次出現時各自獨立地為下述式(S1)、(S3)、(S4)或(S5)所示之基；
    Figure 111115058-A0305-02-0099-1
     -SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1 (S3) -CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2 (S4) -NRg1Rh1 (S5)式中：R11在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；R12在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；n1在每個(SiR11 n1R12 3-n1)單元各自獨立地為0至3之整數；X11在每次出現時各自獨立地為單鍵或2價有機基； R13在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；R14在每次出現時各自獨立地為氫原子、鹵素原子或-X11-SiR11 n1R12 3-n1；R15在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子、碳數1至6之伸烷基或碳數1至6之伸烷基氧基；t在每次出現時各自獨立地為2以上之整數；Ra1在每次出現時各自獨立地為-Z1-SiR21 p1R22 q1R23 r1；Z1在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；R21在每次出現時各自獨立地為-Z1’-SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’；R22在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；R23在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；p1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；q1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；r1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；p1、q1、及r1之合計在SiR21 p1R22 q1R23 r1單元中為3；Z1’在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；R21’在每次出現時各自獨立地為-Z1”-SiR22” q1”R23” r1”；R22’在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；R23’在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；p1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；q1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；r1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；p1’、q1’、及r1’之合計在SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’單元中為3； Z1”在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；R22”在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；R23”在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；q1”在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；r1”在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；q1”及r1”之合計在SiR22” q1”R23” r1”單元中為3；Rb1在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；Rc1在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；k1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；l1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；m1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；k1、l1及m1之合計在SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1單元中為3；Rd1在每次出現時各自獨立地為-Z2-CR31 p2R32 q2R33 r2；Z2在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；R31在每次出現時各自獨立地為-Z2’-CR32’ q2’R33’ r2’；R32在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；R33在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；p2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；q2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；r2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；p2、q2、及r2之合計在SiR31 p2R32 q2R33 r2單元中為3；Z2’在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基； R32’在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；R33’在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；q2’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；r2’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；q2’、及r2’之合計在SiR32’ q2’R33’ r2’單元中為3；Z3在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；R34在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；R35在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；n2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；Re1在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；Rf1在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；k2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；l2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；m2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；k2、l2及m2之合計在CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2單元中為3；Rg1及Rh1在每次出現時各自獨立地為-Z4-SiR11 n1R12 3-n1、-Z4-SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1、或-Z4-CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2；Z4在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；惟，式(S1)、(S3)、(S4)及(S5)中，至少存在2個鍵結有羥基或水解性基的Si原子；XA各自獨立地為單鍵或2至10價之有機基；α為1至9之整數； β為1至9之整數；以及下述式(2)所示之含氟聚醚基之矽烷化合物(B)，RS2 γ-XB-RF2-XB-RS2 γ (2)式中：RF2係-Rf2 p-RFB-Oq-；Rf2係可經1個以上之氟原子取代的C1-6伸烷基；RFB在每次出現時各自獨立地為直鏈之氟聚醚基；p為0或1；q在每次出現時各自獨立地為0或1；RS2在每次出現時各自獨立地為下述式(S2)、(S3)、(S4)或(S5)所示之基；-SiR11 n1R12 3-n1 (S2) -SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1 (S3) -CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2 (S4) -NRg1Rh1 (S5)式中：R11在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；R12在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；n1在每個(SiR11 n1R12 3-n1)單元各自獨立地為0至3之整數；Ra1在每次出現時各自獨立地為-Z1-SiR21 p1R22 q1R23 r1； Z1在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；R21在每次出現時各自獨立地為-Z1’-SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’；R22在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；R23在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；p1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；q1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；r1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；p1、q1、及r1之合計在SiR21 p1R22 q1R23 r1單元中為3；Z1’在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；R21’在每次出現時各自獨立地為-Z1”-SiR22” q1”R23” r1”；R22’在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；R23’在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；p1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；q1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；r1’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；p1’、q1’、及r1’之合計在SiR21’ p1’R22’ q1’R23’ r1’單元中為3；Z1”在每次出現時各自獨立地為氧原子或2價有機基；R22”在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；R23”在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；q1”在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；r1”在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；q1”及r1”之合計在SiR22” q1”R23” r1”單元中為3； Rb1在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；Rc1在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；k1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；l1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；m1在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；k1、l1及m1之合計在SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1單元中為3；Rd1在每次出現時各自獨立地為-Z2-CR31 p2R32 q2R33 r2；Z2在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；R31在每次出現時各自獨立地為-Z2’-CR32’ q2’R33’ r2’；R32在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；R33在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；p2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；q2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；r2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；p2、q2、及r2之合計在SiR31 p2R32 q2R33 r2單元中為3；Z2’在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；R32’在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；R33’在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；q2’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；r2’在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；q2’、及r2’之合計在SiR32’ q2’R33’ r2’單元中為3；Z3在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基； R34在每次出現時各自獨立地為羥基或水解性基；R35在每次出現時各自獨立地為氫原子或1價有機基；n2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；Re1在每次出現時各自獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；Rf1在每次出現時各自獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；k2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；l2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；m2在每次出現時各自獨立地為0至3之整數；k2、l2及m2之合計在CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2單元中為3；Rg1及Rh1在每次出現時各自獨立地為-Z4-SiR11 n1R12 3-n1、-Z4-SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1、或-Z4-CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2；Z4在每次出現時各自獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；惟，式(S2)、(S3)、(S4)及(S5)中，至少存在1個鍵結有羥基或水解性基的Si原子；XB各自獨立地為單鍵或2至10價之有機基；γ各自獨立地為1至9之整數。
  2. 如請求項1所述之表面處理劑，其中，RFA在每次出現時各自獨立地為下述式所示之基，且為至少具有1個分支構造之基，-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3XF 6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-式中， a、b、c、d、e及f各自獨立地為0以上200以下之整數，a、b、c、d、e及f之和至少為1，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意，XF在每次出現時各自獨立地為氫原子、氟原子或氯原子；RFB在每次出現時各自獨立地為下述式所示之基，且為直鏈基；-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3XF 6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-式中，a、b、c、d、e及f各自獨立地為0以上200以下之整數，a、b、c、d、e及f之和至少為1，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意，XF在每次出現時各自獨立地為氫原子、氟原子或氯原子。
  3. 如請求項1所述之表面處理劑，其中，RFA在每次出現時各自獨立地為下述式(f1)、(f2)、(f3)、(f4)、(f5)或(f6)所示之基，且為至少具有1個分支構造之基，-(OC3F6)d-(OC2F4)e- (f1)式中，d為1至200之整數，e為0或1，-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f2)式中，c及d各自獨立地為0至30之整數；e及f各自獨立地為1至200之整數；c、d、e及f之和為10至200之整數；標註c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意，-(R6-R7)g- (f3) 式中，R6係OCF2或OC2F4；R7係選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基，或者，係選自該等基之2或3個基的組合；g為2至100之整數，-(R6-R7)g-Rr-(R7’-R6’)g’- (f4)式中，R6係OCF2或OC2F4、R7係選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基，或者，係獨立地選自該等基之2或3個基的組合、R6’係OCF2或OC2F4、R7’係選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基，或者，係獨立地選自該等基之2或3個基的組合、g為2至100之整數、g’為2至100之整數、Rr為
    Figure 111115058-A0305-02-0109-3
     式中，＊表示鍵結位置；-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f5)式中，e為1以上200以下之整數，a、b、c、d及f各自獨立地為0以上200以下之整數，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意，-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f6)式中，f為1以上200以下之整數，a、b、c、d及e各自獨立地為0以上200以下之整數，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。
  4. 如請求項1所述之表面處理劑，其中，RFB在每次出現時各自獨立地為下述式(f1)、(f2)、(f3)、(f4)、(f5)或(f6)所示之基，且為直鏈基，-(OC3F6)d-(OC2F4)e- (f1) 式中，d為1至200之整數，e為0或1，-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f2)式中，c及d各自獨立地為0至30之整數；e及f各自獨立地為1至200之整數；c、d、e及f之和為10至200之整數；標註c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意，-(R6-R7)g- (f3)式中，R6係OCF2或OC2F4；R7係選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基，或者，係選自該等基之2或3個基的組合；g為2至100之整數，-(R6-R7)g-Rr-(R7’-R6’)g’- (f4)式中，R6係OCF2或OC2F4、R7係選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基，或者，係獨立地選自該等基之2或3個基的組合、R6’係OCF2或OC2F4、R7’係選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基，或者，係獨立地選自該等基之2或3個基的組合、g為2至100之整數、g’為2至100之整數、Rr為
    Figure 111115058-A0305-02-0111-4
     式中，＊表示鍵結位置；-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f5)式中，e為1以上200以下之整數，a、b、c、d及f各自獨立地為0以上200以下之整數，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意，-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f6)式中，f為1以上200以下之整數，a、b、c、d及e各自獨立地為0以上200以下之整數，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。
  5. 如請求項1所述之表面處理劑，其中，RFA在每次出現時各自獨立地為下述式(f1a)所示之基， -(OCF(CF3)CF2)d-(OCF(CF3))e- (f1a)式中，d為1至200之整數，e為0或1。
  6. 如請求項1所述之表面處理劑，其中，RFB在每次出現時各自獨立地為下述式(f2b)所示之基，-(OCF2CF2CF2CF2)c-(OCF2CF2CF2)d-(OCF2CF2)e-(OCF2)f- (f2b)式中，c及d各自獨立地為0至30之整數；e及f各自獨立地為1至200之整數；c、d、e及f之和為10至200之整數；標註c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。
  7. 如請求項1所述之表面處理劑，其中，α、β、及γ為1。
  8. 如請求項1所述之表面處理劑，其中，XA及XB各自獨立地為單鍵或下述式所示之基，-(R51)p5-(X51)q5-式中：R51為單鍵、-(CH2)s5-或鄰、間或對伸苯基、s5為1至20之整數、X51係-(X52)l5-、X52在每次出現時各自獨立地為選自由-O-、-S-、鄰、間或對伸苯基、-CO-、-C(O)O-、-Si(R53)2-、-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、-CONR54-、-O-CONR54-、-NR54-及-(CH2)n5-所成群組中之基、R53在每次出現時各自獨立地為1價有機基、R54在每次出現時各自獨立地為氫原子、或1價有機基、 m5在每次出現時各自獨立地為1至100之整數、n5在每次出現時各自獨立地為1至20之整數、l5為1至10之整數、p5為0或1、q5為0或1、於此，p5及q5之至少一者為1，標註p5或q5並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。
  9. 如請求項1所述之表面處理劑，其中，相對於前述含氟聚醚基之矽烷化合物(A)與前述含氟聚醚基之矽烷化合物(B)之合計，前述含氟聚醚基之矽烷化合物(A)之含量為50mol%以上。
  10. 如請求項1所述之表面處理劑，其係使用作為防污性塗佈劑或防水性塗佈劑。
  11. 如請求項1所述之表面處理劑，其係濕潤覆蓋用。
  12. 一種附表面處理層的物品，其係包含基材、以及藉由請求項1至11中任一項所述之表面處理劑形成在該基材上的表面處理層。
  13. 如請求項12所述之附表面處理層的物品，其為光學構件。
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