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TWI861450B - 具有改良磁特性的ＣｏＺｒＴａ（Ｘ）濺鍍靶材、其製造方法及其在磁控濺鍍方法中之用途 - Google Patents

具有改良磁特性的ＣｏＺｒＴａ（Ｘ）濺鍍靶材、其製造方法及其在磁控濺鍍方法中之用途 Download PDF

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TWI861450B TW110145576A TW110145576A TWI861450B TW I861450 B TWI861450 B TW I861450B TW 110145576 A TW110145576 A TW 110145576A TW 110145576 A TW110145576 A TW 110145576A TW I861450 B TWI861450 B TW I861450B
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Abstract

本發明係關於一種由合金組成之濺鍍靶材，該合金由Co、Zr、Ta及視情況選用的來自Mo、Pd、Ni、Ti、V、W及B之群之一或多種其他元素X組成，該濺鍍靶材之特徵在於該靶材具有60或更低之最大磁導率μmax，及/或該濺鍍靶材之特徵在於該靶材具有0.2或更低、較佳地為0.15或更低且最佳地為0.10或更低之最大通過通量(PTF)變化(FMax-FMin)/FAverage。

Description

具有改良磁特性的CoZrTa(X)濺鍍靶材、其製造方法及其在磁控濺鍍方法中之用途
本發明係關於一種用於用磁控管陰極進行濺鍍之靶材，該靶材係基於具有添加劑之Co合金，該等添加劑包括Zr、Ta及視情況選用的元素Pt、Pd、Ni、Ti、V、W及B中之至少一者。
在磁控管陰極濺鍍之方法中，永久磁體安裝在靶材(陰極)後方以最佳化濺鍍方法。此等磁體被配置成使得磁場形成在靶材前方，亦即形成在放電空間中。此磁場具有使放電電漿局部化之效應。電漿被局部化所遍及的靶材表面之區域經受較主動的濺鍍，因此在彼處形成侵蝕溝槽(或軌道)。
在諸如CoZrTa(X)合金之鐵磁性靶材的狀況下，存在會在此情形下出現之兩個主要問題：
第一，永久磁體之磁通量集中在靶材內，使得僅少量的通量可穿透至放電空間中。此問題因此需要使用極薄的鐵磁性靶材一或極強的磁體組。
第二，當用鐵磁性靶材實行陰極濺鍍時發生的靶材(侵蝕溝槽)之橫截面之局部縮減具有增加侵蝕溝槽正上方之磁通量之效應。因而，濺鍍氣體 之電離局部地增加，且濺鍍速率亦局部地增加。因此，隨著濺鍍的進展，侵蝕溝槽逐漸變窄，且此與極低的靶材材料利用率相關聯。
此外，在不同靶材點處量測之磁通過通量之變化應儘可能低，使得靶材材料利用率儘可能均勻且經沈積膜之厚度儘可能均一。
可藉助於複雜的靶材設計來達成改良磁場幾何形狀及較高磁場穿透率。藉由向靶材提供垂直於磁場之方向的狹槽，可增加靶材之磁阻且可在放電空間中產生較大場(K.Nakamura等人：IEEE Transactions on Magnetics，第MAG-18卷，第1,080至1,082頁，1982年)。
Kukla等人(IEEE Transactions on Magnetics，第MAG-23卷，第137至139頁，1987年)描述一種用於鐵磁性材料之陰極，其由若干個別靶材組成，該等靶材在兩個平面中被配置成一個在另一個上方，以便獲得較強磁場。然而，此等設計較昂貴，且使磁控管陰極濺鍍之操作較困難。
EP 535 314 A1係關於鉑-鈷合金之濺鍍靶材，該鉑-鈷合金基本上由以下各者組成：10重量%至55重量%之鉑；1重量%至15重量%之第一額外元素，其選自由鎳及鉭組成之群；不超過1.5重量%之第二額外元素，其選自由硼、鈦、鑭、鈰、釹、鈹、鈣、鋯及矽組成之群；不超過20重量%之鉻；及餘量的鈷。該靶材具有不大於30之磁導率。
本發明之目標係提供一種基於CoZrTa(X)合金之靶材材料，其在用於磁控管陰極濺鍍時具有改良磁特性，亦即其允許在結合磁控管陰極使用時增強通過靶材材料之磁場穿透率，及/或其具有改良磁均勻性，亦即其展示不同靶材點處之磁通過通量之縮減變化。
本發明係基於以下發現：若在高溫下熱處理CoZrTa(X)合金，使得該合金之磁導率縮減且磁通量之變化亦縮減，則可提供此類濺鍍靶材。
將進一步基於以下實例參考各圖說明本發明，該等圖展示：圖1：非根據本發明之CoZrTa合金之磁滯曲線，圖2：根據本發明之CoZrTa合金之磁滯曲線。
因此，本發明係關於一種由合金組成之濺鍍靶材，該合金由Co、Zr、Ta及視情況選用的來自Mo、Pd、Ni、Ti、V、W及B之群之一或多種其他元素X組成，其中該靶材具有60或更低之最大磁導率μmax，及/或其中該靶材具有0.2或更低、較佳地為0.15或更低且最佳地為0.10或更低之最大通過通量(PTF)變化(FMax-FMin)/FAverage，其中FMax為在靶材上之量測點處量測之最大磁通量密度，FMin為在靶材上之量測點處量測之最小磁通量密度，FAverage為平均磁通量密度，亦即所有量測點處之經量測磁通量密度之總和除以量測點之數目，且其中在靶材之7個等距間隔開的不同量測點處實行量測，如本文中在下文所描述。
本發明之濺鍍靶材具有縮減的磁導率，且因此允許通過靶材之磁通量增加，且亦展示不同靶材點處之磁通量之低變化，使得可避免或至少緩解磁控濺鍍中之上述主要問題，且可達成本發明之目標。
本發明之靶材可被製造成具有增加的厚度，此給使用者提供較長的靶材使用期限，在靶材使用期限內提供較佳的膜均一性及較恆定的濺鍍速率。
較佳地，元素X之以at.%為單位之總量小於以at.%為單位之Ta或Zr兩種添加物中之較大者。
Zr較佳地以自2at.%至8at.%之量、更佳地以自3at.%至7at.%之量存在於該合金中。
Ta較佳地以自2at.%至8at.%之量、更佳地以自3at.%至7at.%之量存在於該合金中。
若在該合金中存在來自Mo、Pd、Ni、Ti、V、W及B之群之一或多種其他視情況選用的元素X，則較佳地，元素X之總量為至多7at.%，更佳地為至多3at.%。
較佳地，若來自Mo、Pd、Ni、Ti、V、W及B之群之其他元素X存在於該合金中，則其為此等元素中之僅一者。
較佳地，在本發明之濺鍍靶材中，Co以至少75at.%之量、更佳地以至少90at.%之量存在於CoZrTa(X)合金中。
CoZrTa(X)合金由Zr、Ta、視情況選用的來自Mo、Pd、Ni、Ti、V、W及B之群之一或多種其他元素X組成，亦即Co構成該合金中之原子之其餘部分。
本發明之濺鍍靶材較佳地具有50、更佳地為40或更低之最大磁導率μmax。
最大磁導率μmax通常不小於10或20。
進一步較佳地，本發明之濺鍍靶材具有0.8 T或更低之飽和 磁化強度Js，其經量測為Js=J(H=60kA/m)。
飽和磁化強度Js通常不小於0.5 T。
較佳地，根據ASTM F2086-01在8mm厚的測試件之中心量測的靶材之磁通過通量(PTF)為20%或更高，更佳地為25%或更高。
本發明進一步關於一種用於產生由合金組成之濺鍍靶材材料之方法，該合金由Co、Zr、Ta及視情況選用的來自Mo、Pd、Ni、Ti、V、W及B之群之一種其他元素X組成，其中該方法涉及將該合金加熱至至少700℃、更佳地為至少750℃且仍更佳地為至少800℃之溫度。
較佳地，加熱至至多1000℃、更佳地為至多900℃之溫度。
通常，藉由將合金引入至經預加熱至所要溫度之烘箱中來進行加熱。
將合金加熱至如上文所規定之溫度較佳地歷時10小時至60小時、更佳地為12小時至48小時之時間。
此外，本發明係關於一種磁控濺鍍方法，其中使用本文中所描述之實施例中之任一者中之濺鍍靶材，且本發明係關於本文中所描述之實施例中之任一者中之濺鍍靶材的用途，其用於磁控濺鍍。
定義/量測方法 a)磁特性之量測
根據ASTM F2086-01方法2在653×133mm大小之8mm厚的測試件之中心量測通過通量(PTF)。
為了測定本發明之靶材上的通過通量之變化，藉由將 650×130mm、4mm+-0.1厚度之4mm厚的經精加工靶材板置放在PTF量測架上而根據ASTM F2086-01方法2量測PTF。在沿著靶材長度之7個不同的等距間隔開的位置處執行量測。因此，自左端(0mm)看，所有量測點係在沿著靶材之寬度(130mm)之中間位置(65mm)處，且係在沿著靶材之長度(650mm)之以下位置處：
點1：50mm
點2：142mm
點3：234mm
點4：325mm
點5：415mm
點6：508mm
點7：600mm。
根據DIN EN 60404-4使用Magnet-Physik之Remagraph C來量測磁化曲線，以比較經軋製材料與經熱處理材料。
實例 實例1：
藉由習知的真空感應熔化及鑄造而產生具有91.5at.% Co、4at.% Zr及4.5at% Ta之CoZrTa合金，接著在1200℃下進行熱軋以獲得具有尺寸653×133×8mm之板。
該板接著經受860℃下之熱處理達26小時，接著進行空氣冷卻，此引起磁通過通量(PTF)顯著地增加：熱處理之前的PTF為10.7%，而熱處理之後的PTF為30.2%。
自圖1可看出，未經處理材料展示約3kA/m之磁場下的約100之最大磁導率，連同960mT之飽和磁化強度。因此，僅至多4mm厚的靶材可在標準陰極上被點燃。
相比之下，自圖2可看出，根據本發明之經熱處理合金展示15kA/m之顯著較高磁場下的約30之3x較低最大磁導率，連同721mT之降低的飽和磁化強度。在同一陰極上點燃6mm靶材係沒有問題的。
實例2：
藉由習知的真空感應熔化及鑄造而產生各自具有91.5at.% Co、4at.% Zr及4.5at% Ta之群合物的四個CoZrTa合金樣品，接著在1200℃下進行熱軋以獲得具有尺寸653×133×8mm之四個板。
該等板接著經受860℃下之熱處理達26小時，接著進行空氣冷卻。
熱處理之後的板之PTF為30.2%。
板之磁化曲線之量測得到了15kA/m之磁場下的約30之最大磁導率及721mT之飽和磁化強度。
具有650×130×4mm之尺寸之靶材A、B、C及D係自四個CoZrTa合金板加工而成。
表1中給出靶材之各個位置處的PTF量測之結果：
Figure 110145576-A0305-02-0009-1
自表1可看出，經測試靶材展示貫穿靶材的PTF之低變化，如由(FMax-FMin)/FAverage之低值所表示。

Claims (6)

  1. 一種鈷合金濺鍍靶材，該合金由Co、Zr、Ta及視情況選用的來自Mo、Pd、Ni、Ti、V、W及B之群之一或多種其他元素X組成，其特徵在於該靶材具有0.2或更低之最大通過通量(PTF)變化(FMax-FMin)/FAverage，其中Ta以自2at.%至8at.%之量存在於該合金中，其中Zr以自2at.%至8at.%之量存在於該合金中，且其中該來自Mo、Pd、Ni、Ti、V、W及B之群之一或多種其他元素X以至多7at.%之總量存在於該合金中。
  2. 如請求項1之濺鍍靶材，其中該靶材具有60或更低之最大磁導率μmax。
  3. 如請求項1或2之濺鍍靶材，其中根據ASTM F2086-01在8mm厚的測試件之中心量測的該靶材之磁通過通量(PTF)為20%或更高。
  4. 一種用於產生鈷合金濺鍍靶材之方法，該合金由Co、Zr、Ta及視情況選用的來自Mo、Pd、Ni、Ti、V、W及B之群之一或多種其他元素X組成，該方法之特徵在於該方法涉及將該合金加熱至700℃至1000℃之範圍內之溫度達12小時至48小時之時間，其中Ta以自2at.%至8at.%之量存在於該合金中，其中Zr以自2at.%至8at.%之量存在於該合金中，且其中該來自Mo、Pd、Ni、Ti、V、W及B之群之一或多種其他元素X 以至多7at.%之總量存在於該合金中。
  5. 一種磁控濺鍍方法，其中使用如請求項1至3中任一項之濺鍍靶材或藉由如請求項4之方法產生之濺鍍靶材。
  6. 一種如請求項1至3中任一項之濺鍍靶材或藉由如請求項4之方法產生之濺鍍靶材的用途，其用於磁控濺鍍。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2025203997A1 (ja) * 2024-03-29 2025-10-02 Ｊｘ金属株式会社 ターゲット及びその製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005320627A (ja) * 2004-04-07 2005-11-17 Hitachi Metals Ltd Ｃｏ合金ターゲット材の製造方法、Ｃｏ合金ターゲット材および垂直磁気記録用軟磁性膜ならびに垂直磁気記録媒体

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5282946A (en) 1991-08-30 1994-02-01 Mitsubishi Materials Corporation Platinum-cobalt alloy sputtering target and method for manufacturing same
JP2806228B2 (ja) * 1993-10-25 1998-09-30 株式会社神戸製鋼所 難加工性Ｃｏ合金の低透磁率化方法
JPH08311642A (ja) * 1995-03-10 1996-11-26 Toshiba Corp マグネトロンスパッタリング法及びスパッタリングターゲット
US6514358B1 (en) * 2000-04-05 2003-02-04 Heraeus, Inc. Stretching of magnetic materials to increase pass-through-flux (PTF)
JP2010189751A (ja) * 2009-02-20 2010-09-02 Hitachi Metals Ltd Ｃｏ−Ｃｒ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法
US20100300876A1 (en) * 2009-05-26 2010-12-02 Solar Applied Materials Technology Corp. Cobalt-iron alloy sputtering target with high pass through flux and method for manufacturing the same
JP5066136B2 (ja) * 2009-06-05 2012-11-07 光洋應用材料科技股▲分▼有限公司 磁場透過率の高いコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材
JP5337331B2 (ja) * 2010-03-30 2013-11-06 山陽特殊製鋼株式会社 スパッタリングターゲット材の製造方法
JP5467641B2 (ja) * 2010-03-31 2014-04-09 山陽特殊製鋼株式会社 スパッタリングターゲット材の製造方法
CN111424245B (zh) * 2020-04-24 2022-07-01 先导薄膜材料（广东）有限公司 一种钴钽锆靶材的制备方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005320627A (ja) * 2004-04-07 2005-11-17 Hitachi Metals Ltd Ｃｏ合金ターゲット材の製造方法、Ｃｏ合金ターゲット材および垂直磁気記録用軟磁性膜ならびに垂直磁気記録媒体

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