TWI861440B - 損傷層深度和損傷層內的缺陷濃度的測定方法及執行該方法的系統 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種決定在基板背面形成的損傷層深度的方法，該方法可以包括：向該損傷層照射第一光和第二光的步驟；檢測出被該損傷層內的缺陷反射或散射的該第一光和該第二光的步驟；基於該第一光的第一波長和該第二光的第二波長，決定該第一光的第一穿透深度和該第二光的第二穿透深度的步驟；以及利用該檢測出的第一穿透深度和該第二穿透深度決定該損傷層深度的步驟。

Description

損傷層深度和損傷層內的缺陷濃度的測定方法及執行該方法的系統

本申請涉及一種損傷層深度和損傷層內的缺陷濃度的測定方法及執行該方法的系統。

根據半導體封裝的小型化、輕量化的趨勢，藉由研磨(grinding)晶圓(Wafer)的背面來減小晶圓的厚度。

然而，隨著晶圓厚度的減小，類似於銅(Cu)的金屬離子等異物會滲入晶圓背面，為防止異物滲入，在晶圓背面形成損傷層。

然而，目前為了判斷損傷層是否形成到合適的深度(厚度)，利用TEM(Transmission Electron Microscopy)方式，但TEM方式是破壞性檢查方式，存在為了測定需要單獨的試片的問題。

本申請所要解決的技術問題是，提供一種利用根據照射到損傷層的光的波長的缺陷濃度，決定損傷層深度的方法。

然而，本申請所要解決的技術問題並不限於以上所提到的，本領域的通常知識者，可以透過以下記載清楚地理解未提及的其他所要解決的技術問題。

根據本申請的一實施例的決定在基板背面形成的損傷層深度的方法可以包括，向該損傷層照射第一光和第二光的步驟；檢測出被該損傷層內的缺陷反射或散射的該第一光和該第二光的步驟；基於該第一光的第一波長和該第二光的第二波長，決定該第一光的第一穿透深度和該第二光的第二穿透深度的步驟；以及利用該檢測出的第一穿透深度和該第二穿透深度決定該損傷層深度的步驟。

當該第一波長比該第二波長更長時，該第一穿透深度可以比該第二穿透深度更深。

決定該損傷層深度的步驟，當該檢測出的第一光示出的第一信息與該檢測出的第二光示出的第二信息相同時，可以決定該第二穿透深度作為該損傷層深度。

決定該損傷層深度的步驟，當有關該第一穿透深度的缺陷的數量或濃度與有關該第二穿透深度的缺陷的數量或濃度相同時，可以決定該第二穿透深度作為損傷層深度。

該方法還可以包括，利用該檢測出的第一光，決定在對應於該第一穿透深度的第一區域中存在的缺陷的數量或濃度的步驟；利用該檢測出的第二光，決定在對應於該第二穿透深度的第二區域中存在的缺陷的數量或濃度的步驟；以及利用該第一區域中存在的缺陷的數量或濃度和該第二區域中存在的缺陷的數量和濃度，決定在該第一區域中不包括在該第二區域中的第三區域中存在的缺陷的數量或濃度的步驟。

該方法還可以包括，利用該第一區域中存在的缺陷的數量或濃度決定該第一區域中的缺陷濃度的步驟；利用該第二區域中存在的缺陷的數量或濃度決定該第二區域中的缺陷濃度的步驟；以及利用該第三區域中存在的缺陷的數量或濃度決定該第三區域中的缺陷濃度的步驟。

照射該第一光和第二光的步驟，向該損傷層同時照射該第一光和該第二光，該第一光和該第二光可以屬於從白色光分散的光。

照射該第一光和第二光的步驟，可以依次照射該第一光和該第二光。

該基板可以為矽基板。

根據本申請的另一實施例的決定在基板背面形成的損傷層深度的測定系統可以包括，向該損傷層照射第一光和波長不同於該第一光的第二光的光照射器；檢測出被該損傷層內的缺陷反射或散射的該第一光和該第二光的光檢測器；以及從該光檢測器接收有關該第一光的信息和有關該第二光的信息的決定裝置，該決定裝置，基於該第一光的第一波長和該第二光的第二波長，決定該第一光的第一穿透深度和該第二穿透深度，利用該第一穿透深度和該第二穿透深度，可以決定該損傷層深度。

本發明的有益效果：根據本申請的實施例，藉由利用跟隨照射到損傷層的光的波長的缺陷濃度來決定損傷層深度，以非破壞性的方式獲得損傷層深度。

10:測定系統

10’:測定系統

110:基板

111:上面

112:背面

120:損傷層

121:缺陷

200:光照射器

200’:光照射器

300:光檢測器

400:決定裝置

410:缺陷數量決定部

420:穿透深度決定部

430:缺陷濃度決定部

440:損傷層深度決定部

t:損傷層深度

B:光

A1:第一區域

A2:第二區域

A3:第三區域

B_B:藍色光

B_G:綠色光

B_R:紅色光

PD_B:藍色光的穿透深度

PD_G:綠色光的穿透深度

PD_R:紅色光的穿透深度

S410:缺陷數量決定部

S420:滲透深度決定部

S430:缺陷濃度決定部

S440:損傷層深度決定部

S700:向損傷層照射光

S710:檢測出因損傷層包含的缺陷被反射的光

S720:根據光的波長決定缺陷的數量

S730:根據光的波長決定滲透深度

S740:決定損傷層內的缺陷濃度

S750:決定損傷層的深度

圖1示出根據本申請的一實施例，測定損傷層深度和損傷層內的缺陷濃度的測定系統；圖2根據本申請的一實施例，概念性地示出決定損傷層深度和損傷層內的缺陷濃度的決定裝置的功能的結構圖；圖3示出決定損傷層深度和損傷層內的缺陷濃度的一例子；圖4示出根據本申請的一實施例，決定損傷層深度的方法；圖5示出根據本申請的一實施例，當光照射器照射具有不同波長的多個光時，測定損傷層深度和損傷層內的缺陷濃度的方法。

圖6示出根據本申請的一實施例，當光照射器照射具有不同波長的一種光時，測定損傷層深度和損傷層內的缺陷濃度的方法。

圖7示出根據本申請的一實施例，測定損傷層深度和損傷層內的缺陷濃度的方法的流程圖。

本申請的優點和特徵以及其實現方法，參照附圖和下文詳細描述的實施例會變得明確。然而，本申請並不限於以下公開的實施例，而是可以以多種不同的形態來實現，本實施例僅僅是為了使本申請的公開完整，為了完整地告訴本申請所屬於技術領域的普通技術人員發明範疇而提供的，本申請僅僅是根據請求項的範疇定義的。

簡要說明本說明書中所使用的術語，並對本申請進行詳細說明。

本申請所使用的術語在考慮本申請的功能的情況下，雖然盡可能地選擇為當前廣泛使用的一般的術語，但其可以根據本領域的通常知識者的 意圖或先例、新技術的出現等而變化。而且，在特定情況下，有申請人任意選擇的術語，在這種情況下，其含義將在相應發明的說明書中進行詳細說明。因此，本申請中使用的術語不是單純的術語的名稱，而是根據該術語所具有的含義和貫穿本申請的內容來定義的。

當整個說明書的某一部分“包括”某個構成要素時，除非另有與其相反的記載，這意味著可以進一步包括其他構成要素，而不是排除其他構成要素。

在下文中，為了便於本申請所屬技術領域的通常知識者能夠容易地實施，將參考附圖詳細地說明本申請的實施例。在參照附圖描述本申請的實施例時，若判斷為公知常識或構成的詳細描述可能不必要地混淆本申請的要旨，則將省略其詳細說明。此外，後述的術語作為是考慮到本申請實施例中的功能而定義的術語，可以根據使用者、運營者的意圖或慣例而變化。因此，其定義應以貫穿本說明書的內容來定義。

圖1示出了根據本申請的一實施例，測定損傷層深度和損傷層內的缺陷濃度的測定系統。

參見圖1，測定系統10可以包括基板110、損傷層(damage layer)120、光照射器200以及光檢測器300。

基板110可以是為了讓各種類型的配置能夠封裝而準備的組成。

根據實施例，基板110可以是矽基板。紅外線光可以完全穿透矽基板，矽基板波長越短，光吸收率提高，具有穿透深度減小的特性。因此，可見光線附近的光在矽基板的薄膜(大約是損傷層深度或晶圓的Si的厚度)中部分被吸收，部分可以穿透到一定深度。

基板110可以包括可封裝/附著電子器件(圖中未示出)的上面111和相反於上面111的表面背面112。

損傷層120是為防止/緩解外部的異物(尤其是，諸如銅等的金屬離子)

滲入到基板110的構成，損傷層120可以透過研磨(grinding)從基板110的背面112形成在其內部。

根據實施例，損傷層120深度(depth)(t)可以是1微米(micron)以上，30微米以下。

光照射器200，為了測定損傷層120深度和損傷層120內的缺陷121各個深度的分佈程度(即，各深度的濃度)，可以向損傷層120的背面照射光B。本說明書中缺陷121可以包括點缺陷、線缺陷和面缺陷。

光照射器200照射的光B雖然包括白色光(white light)、LED、藍色雷射、綠色雷射、紅色雷射等，但不限於此。即，光照射器200照射的光B可以是適用於測定損傷層120深度和損傷層內的缺陷濃度的類型的光。

另外，本說明書中，為了方便說明，僅描述了紅色光、綠色光、藍色光等的可見光線，但不限於此。即，本說明書中的光B不僅是可見光線，還可以包括近紅外線和近紫外線波長的光。

若從光照射器200照射的光B因損傷層120內的缺陷121等，在損傷層120的表面被反射或在損傷層120內部被散射，光檢測器300可以檢測出被反射或散射的光。

光檢測器300為了檢測出被反射或散射的光可以包括光電管(phototube)。根據實施例，為了檢測出各種波長(或是波長的範圍，以下為代表“波長”)的光，光檢測器300可以包括多個光電管，或者測定系統10可以包括一個或多個具有一個或多個光電管的光檢測器300。

由於光B在損傷層120的表面反射或被損傷層120內的缺陷121散射，光檢測器300檢測的光B可以包括，損傷層120內的缺陷121的數量，損傷層120深度和/或有關光B穿透損傷層120深度的信息。

因此，決定裝置(圖2的400)分析檢測出的光B，可以決定根據光B的穿透深度缺陷121濃度和損傷層120深度。其中，穿透深度是指光B穿透的深度，可以以損傷層120的表面(與基板110對接的表面相對反的表面)為基準計算。

光B的吸收深度(absorption depth)可以因不同光B的波長而不同，更具體地，光B的波長越長，光B的吸收深度可以更深。例如，具有630-780nm的波長的紅色光的吸收深度為350~1000um，具有495-570nm的波長的綠色光的吸收深度為90~200um，具有450~495nm的波長的藍色光的吸收深度可以為40~90um，但不限於此。

其中，吸收深度是指因光照射器200照射的光B穿透特徵深度的損傷層120從而被損傷層120吸收，光B的強度可以指達到最初的強度36%(即1/e)時的深度。此時，以與吸收深度相同程度穿透的光B，被損傷層120內的缺陷121反射或散射並被光檢測器300檢測時，光檢測器130檢測到的光B的強度可以為最初的強度13%(=36%＊36%)。

在本說明書中，為了方便說明，雖然將光檢測器300中可檢測的最大深度以1吸收深度為基準說明，但不限於此。即，根據實施例，光檢測器300中可檢測的最大深度可以具有除1吸收深度以外的其他值。

決定裝置(圖2的400)可以分析具有不同波長的多個光以決定針對損傷層120的各個深度的缺陷121的分佈程度。

圖2是根據本申請的一實施例，概念性的示出決定損傷層深度和損傷層內的缺陷濃度的決定裝置的功能的結構圖。

參見圖1和圖2，決定裝置400可以包括缺陷數量決定部410，穿透深度決定部420，缺陷濃度決定部430以及損傷層深度決定部440。

圖2所示的缺陷數量決定部410、穿透深度決定部420、缺陷濃度決定部430以及損傷層深度決定部440是為了便於容易地說明決定裝置400的功能，概念性的劃分了裝置400所執行的功能，但不限於此。根據實施例，缺陷數量決定部410、穿透深度決定部420、缺陷濃度決定部430以及損傷層深度決定部440的功能可以合併/分離，並且可以實現為包含在一個程序中的一系列命令語。

缺陷數量決定部410，利用從光檢測器接收的有關光B的信息，可以決定在光B照射的預定的位置和範圍R中檢測到的損傷層120內的缺陷的數量或濃度。

由於光B的穿透深度根據光B的波長而變化，損傷層120內的缺陷的數量或濃度可以根據光B的波長而決定。即，即使在同一位置和範圍內照射光B，當照射的光B的波長不同時，檢測出的缺陷的數量或濃度可以彼此不同。

穿透深度決定部420基於光B的波長，可以決定預定的位置和範圍中光B的穿透深度。

缺陷濃度決定部430利用關於具有不同波長的多個光的信息，決定預定的位置，範圍以及深度中的損傷層120內的缺陷濃度。

損傷層深度決定部440利用根據光穿透深度的缺陷分佈程度數，決定損傷層120深度。

參見圖4，可以將缺陷濃度決定部430中決定的損傷層120的缺陷濃度，示為有關損傷層120深度的曲線圖。根據實施例，當有關缺陷濃度和深度的曲線圖示出正規分佈曲線時，損傷層深度決定部440可以根據曲線圖的變化趨勢決定損傷層120深度。即，損傷層深度決定部440基於有關缺陷濃度和損 傷層120深度的曲線圖，透過缺陷121濃度可以推測損傷層120深度。這時，當缺陷濃度決定部430中決定的缺陷濃度為小於或等於預設下限值時，該值被判斷為雜訊，不能利用於推測損傷層120深度。

而且，當光照射器200照射對波長更細分化的更多數量的光時，可以更精確地製作有關缺陷濃度和損傷層120深度的曲線圖，因此，損傷層120推測的準確度可以變高。

或者，根據其他實施例，損傷層深度決定部，根據缺陷濃度決定部430的決定，決定直至發現缺陷的深度為損傷層。

圖3示出決定損傷層深度和損傷層內的缺陷濃度的一例子。

參見圖1和圖3，圖3的(a)示出從側面觀察損傷層120時的截面圖，圖3的(b)示出從上面觀察損傷層120時的截面圖。

當光照射器200在預定的範圍R中波長以不同的紅色光B_R，綠色光B_G以及藍色光B_B同時或異時照射損傷層120，光照射器300可以檢測出被損傷層120內的缺陷反射或散射的紅色光B_R，綠色光B_G及藍色光B_B。

本說明書中，為了方便說明，雖然光照射器200照射光的預定的範圍R被表示為圓，但是不限於此。即，光照射的預定範圍R可以根據實施例而各種各樣。而且，光照射的範圍R可以根據實施例改變。

當根據光檢測器300檢測出的紅色光B_R，傳送照射在預定的範圍R的有關藍色光B_B的信息時，缺陷數量決定部410可以決定有關藍色光B_B的穿透深度PD_B的缺陷121的數量(例如，1個)。

相同的，當光檢測器300傳送照射在預定的範圍R的有關綠色光B_G的信息時，缺陷數量決定部410決定有關綠色光B_G的穿透深度PD_G的缺陷121的數量(例如，3個)。當光檢測器300傳送照射在預定的範圍R的有關紅色光 B_R的信息時，缺陷數量決定部410可以決定有關紅色光B_R的穿透深度PD_R的缺陷121的數量(例如，6個)。

此時，由於波長依次為紅色光B_R、綠色光B_G、藍色光B_B的順序，紅色光B_R的穿透深度PD_R比綠色光B_G的穿透深度PD_G更深，綠色光B_G的穿透深度PD_G可以比藍色光B_B的穿透深度PD_B更深。

因此，綠色光B_G的穿透深度PD_G中的缺陷121的數量(例如，三個)包括藍色光B_B的透射深度PD_B中的缺陷121的數量(例如，一個)，綠色光B_G的穿透深度PD_G中的缺陷121的數量(例如，三個)中減去藍色光B_B的穿透深度PD_B中的缺陷121的數量(例如，一個)的值(例如，兩個)決定第二區域A2中缺陷的數量或濃度，第一區域A1中缺陷的數量或濃度(例如，一個)可以決定為具有對應於第一區域A1的穿透深度PD_B的藍色光B_B的缺陷121的數量(例如，一個)。

相同的，紅色光B_R的穿透深度PD_R中的缺陷121的數量(例如，六個)包括綠色光B_G的穿透深度PD_G中的缺陷121的數量(例如，三個)，在紅色光B_R的穿透深度PD_R中的缺陷121的數量(例如，六個)中減去綠色光B_G的穿透深度PD_G中的缺陷121的數量(例如，三個)的值(例如，三個)可以是決定為第三區域A3中缺陷的數量或濃度。

經由上述過程，可以分別在第一區域A1，第二區域A2以及第三區域A3中決定缺陷121的數量，可以根據各區域的體積和缺陷121的數量的相關關係決定各區域中的缺陷濃度。

而且，穿透深度額外向損傷層120照射另一個或多個光，可以知道更細分化的區域中缺陷的數量或濃度，當移動光照射器200照射光的位置(x,y)的同時執行相同的過程時，可以知道有關整個損傷層120的缺陷121的數量、缺陷濃度以及損傷層深度。

圖5示出根據本申請的一實施例，當光照射器照射具有不同波長的多個光時，測定損傷層深度和損傷層內的缺陷濃度的方法。

參見圖1，圖2及圖5，光照射器200向損傷層120照射分別具有不同波長的光，光檢測器300可以檢測出被損傷層120的表面或內部缺陷121反射或散射的光。

光照射器200可以將具有不同波長的光依次照射到損傷層120。例如，光照射器200可以向第一視覺照射藍色光B_B，在第一視覺之後可以在第二視覺照射紅色光B_R。本說明書中，雖然被圖示為一個光照射器200依次照射具有不同波長的光，但不限於此。即，根據實施例，兩個或更多個光照射器200可以分別照射具有不同波長的光。

光檢測器300可以依次檢測被缺陷121反射或散射的藍色光B_B和紅色光B_R。在本說明書中，雖然被圖示為兩個光檢測器300分別檢測藍色光B_B和紅色光B_R，但不限於此。即，根據實施例，包括一個或多個光電管的一個光檢測器300可以將藍色光B_B和紅色光B_R都檢測出來。

當光檢測器300依次傳輸有關藍色光B_B的信息和有關紅色光B_R的信息時，如圖2所示，決定裝置400利用所接收的有關藍色光B_B的信息和有關紅色光B_R的信息，可以決定損傷層120內的缺陷的數量，缺陷濃度以及損傷層120深度。

圖6示出根據本申請的一實施例，當光照射器照射具有不同波長的一種光時，測定損傷層深度和損傷層內的缺陷濃度的方法。

參見圖1，圖2及圖6，光照射器200’將可被分散成具有多種不同波長的多個光的一種光(例如，白色光)照射到損傷層120上，光檢測器300可以檢測被損傷層120的表面或內部的缺陷121反射或散射的光。

光檢測器300可以檢測被缺陷121反射或散射的藍色光B_B和紅色光B_R。在本說明書中，本說明書中包括多個光電管的一個光檢測器300被圖示為可以檢測藍色光B_B、綠色光B_G以及紅色光B_R，但不限於此。即，根據實施例，測定系統10’包括多個光檢測器300，多個光檢測器300分別可以檢測出一個光。

當光檢測器300傳送有關藍色光B_B的信息和有關紅色光B_R的信息時，如圖2所示，決定裝置400利用所接收的有關藍色光B_B的信息和有關紅色光B_R的信息，可以決定損傷層120內的缺陷的數量，缺陷濃度以及損傷層120深度。

圖7示出根據本申請的一實施例，測定損傷層深度和損傷層內的缺陷濃度的方法的流程圖。

參見圖1，圖2及圖7，當光照射器200將光B照射到損傷層120上(S700)，光檢測器300可以檢測出被損傷層120的表面或內部的缺陷121反射或散射的光(S710)。

當決定裝置400從光檢測器300接收到有關光B的信息時，缺陷數量決定部410利用有關光B的信息，可以決定照射光B的預定的位置和範圍中檢測出的損傷層120內的缺陷的數量或濃度(S720)。

穿透深度決定部420可以基於光B的波長決定光B的穿透深度(S730)。

缺陷濃度決定部430利用具有不同波長的多個光，可以決定預定的位置、範圍以及深度中損傷層120內的缺陷濃度(S740)。

損傷層深度決定部440利用由缺陷濃度決定部430決定的根據損傷層120深度的缺陷濃度，可以決定損傷層120深度(S750)。

本文中附加的結構圖的各結構和流程圖的各步驟的組合可以由電腦程序指令來執行。這些電腦程序指令可以搭載在通用電腦、特殊用電腦或其他可編程數據處理設備的編碼處理器上，經由電腦或其他可編程數據處理設備的編碼處理器執行的指令生成結構圖的每個結構或流程圖的各步驟中執行已說明功能的手段。這些電腦程序指令為了以特定方法實現功能，也可以將可以志向電腦或其他可編程數據處理設備的電腦使用功能或電腦可讀取功能儲存在儲存器中，這些儲存在電腦可使用或電腦可讀取功能儲存器中的指令，也可以生產可執行結構圖的各結構或流程圖的各步驟中說明的功能的含有指令手段的製造品。電腦程序指令可以搭載在電腦或其他可編程數據處理設備上，也可以在電腦或其他可編程數據處理設備上，執行一系列操作步驟生成由電腦執行的進程，執行電腦或其他可編程數據處理設備的指令也可以提供為執行結構圖的各結構和流程圖的各步驟中執行已說明功能的步驟。

而且，各結構或各步驟，包括為執行特定的邏輯性功能的一個或多個的可執行指令的模塊，它可以代表一段或代碼的一部分。再者，還應該注意的是，在一些替代實施例中，結構或步驟中提及的功能，也可以脫離順序發生。例如，一個接一個地示出的兩個結構或步驟實際上可以基本上同時執行，或者有時可以根據相應的功能以逆順序執行這些結構或步驟。

以上的說明僅是舉例地對本發明技術思想的說明，本發明所屬領域的通常知識者在不脫離本發明本質的範圍內，可以進行各種修改和變化。因此，本發明所公開的實施例並非用於限制本發明的技術思想，而是用於說明，本發明的技術思想的範圍不受這些實施例的限制。本發明的保護範圍應以所附請求項為准，凡在與其等同的範圍內的技術思想，均應理解為包含在本發明的保護範圍內。

10:測定系統

110:基板

111:上面

112:背面

120:損傷層

121:缺陷

200:光照射器

300:光檢測器

t:損傷層深度

B:光

Claims (8)

1. 一種決定損傷層深度的方法，其中該方法是決定在一基板背面形成的一損傷層的深度的方法，包括：向該損傷層照射一第一光和波長不同於該第一光的一第二光的步驟；檢測出被該損傷層內的缺陷反射或散射的該第一光和該第二光的步驟；基於該第一光的一第一波長和該第二光的一第二波長，決定該第一光的一第一穿透深度和該第二光的一第二穿透深度的步驟；利用該檢測出的第一光，決定在對應於該第一穿透深度的一第一區域中存在的缺陷的數量或濃度的步驟；利用該檢測出的第二光，決定在對應於該第二穿透深度的一第二區域中存在的缺陷的數量或濃度的步驟；利用該第一區域中存在的缺陷的數量或濃度和該第二區域中存在的缺陷的數量和濃度，決定在該第一區域中不包括在該第二區域中的一第三區域中存在的缺陷的數量或濃度的步驟；利用該第一區域中存在的缺陷的數量或濃度，決定該第一區域中的缺陷濃度的步驟；利用該第二區域中存在的缺陷的數量或濃度，決定該第二區域中的缺陷濃度的步驟；利用該第三區域中存在的缺陷的數量或濃度，決定該第三區域中的缺陷濃度的步驟；以及基於有關缺陷濃度和損傷層的深度的正規分佈曲線圖以及分別存在於該第一區域、該第二區域和該第三區域的缺陷濃度，決定該損傷層的深度的步驟。
2. 根據請求項1所述之決定損傷層深度的方法，其中當該第一波長比該第二波長更長時，該第一穿透深度比該第二穿透深度更深。
3. 根據請求項2所述之決定損傷層深度的方法，其中決定該損傷層的深度的步驟為：當該檢測出的第一光示出的一第一信息與該檢測出的第二光示出的一第二信息相同時，決定該第二穿透深度作為該損傷層的深度。
4. 根據請求項2所述之決定損傷層深度的方法，其中決定該損傷層的深度的步驟為：當有關該第一穿透深度的缺陷的數量或濃度與有關該第二穿透深度的缺陷的數量或濃度相同時，決定該第二穿透深度作為該損傷層的深度。
5. 如請求項1所述之決定損傷層深度的方法，其中照射該第一光和該第二光的步驟為：向該損傷層同時照射該第一光和該第二光；該第一光和該第二光屬於從白色光分散的光。
6. 如請求項1所述之決定損傷層深度的方法，其中照射該第一光和該第二光的步驟為：依次照射該第一光和該第二光。
7. 如請求項1所述之決定損傷層深度的方法，其中該基板為矽基板。
8. 一種測定系統，其中該測定系統是決定在一基板背面形成的一損傷層的深度的測定系統，包括：一光照射器，向該損傷層照射一第一光和波長不同於該第一光的一第二光；一光檢測器，檢測出被該損傷層內的缺陷反射或散射的該第一光和該第二光；以及 一決定裝置，從該光檢測器接收有關該第一光的信息和有關該第二光的信息；該決定裝置，基於該第一光的一第一波長和該第二光的一第二波長，決定該第一光的一第一穿透深度和該第二光的一第二穿透深度；利用該檢測出的第一光，決定在對應於該第一穿透深度的一第一區域中存在的缺陷的數量或濃度；利用該檢測出的第二光，決定在對應於該第二穿透深度的一第二區域中存在的缺陷的數量或濃度；利用該第一區域中存在的缺陷的數量或濃度和該第二區域中存在的缺陷的數量或濃度，決定在該第一區域中不包括在該第二區域中的一第三區域中存在的缺陷的數量或濃度；利用該第一區域中存在的缺陷的數量或濃度，決定該第一區域中的缺陷濃度的步驟；利用該第二區域中存在的缺陷的數量或濃度，決定該第二區域中的缺陷濃度的步驟；利用該第三區域中存在的缺陷的數量或濃度，決定該第三區域中的缺陷濃度的步驟；以及基於有關缺陷濃度和損傷層的深度的正規分佈曲線圖以及分別存在於該第一區域、該第二區域和該第三區域的缺陷濃度，決定該損傷層的深度。