TWI860464B - 等離子體處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明公開了一種等離子體處理裝置，等離子體處理裝置包括真空反應腔和設於真空反應腔的上電極與下電極，上電極與下電極之間形成一處理區域，上電極與下電極之間產生射頻電場，用以將反應氣體解離為等離子體，真空反應腔內設置一隔離環組件，隔離環組件包括：第一隔離環，環繞設置於上電極外周，包括一內壁表面，第一隔離環可在第一位置和第二位置之間移動，第一隔離環位於第一位置，內壁表面與上電極的外周相對，第一隔離環位於第二位置，內壁表面暴露於上電極和下電極形成的處理區域內；第二隔離環，環繞設置於第一隔離環外周。本申請使得隔離環與電極對應的縫隙處能夠徹底清理，降低了後續對基片處理造成潛在污染的風險。

Description

等離子體處理裝置

本發明涉及半導體領域，尤其涉及一種等離子體處理裝置及處理方法。

電容耦合等離子體蝕刻設備是一種由施加在極板上的射頻電源通過電容耦合的方式在反應腔內產生等離子體並用於蝕刻的設備。其包括真空反應腔，真空反應腔側壁上設置一開口用於容納基片進出。反應腔內的上電極和下電極，上電極和下電極之間形成一反應區域。至少一射頻電源通過匹配網絡施加到上電極或下電極之一，在上電極和下電極之間產生射頻電場，用以將反應氣體解離為等離子體，等離子體中含有大量的電子、離子、激發態的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待處理基片的表面發生多種物理和化學反應，使得基片表面的形貌發生改變，即完成蝕刻過程。腔內通常還設有隔離環，用來約束等離子體的分佈，並將反應腔室的金屬腔壁與等離子體隔開，以保護腔壁不受等離子體的侵蝕。

由於電容耦合等離子體蝕刻工藝過程中會產生一些聚合物，會堆積在腔體零部件上，需要不定期通過特殊的工藝製程清除，通常在從反應腔室內取出完成處理的基片後，向反應腔室引入清洗用的蝕刻氣體並將其解離生成清洗用的等離子體，用來對反應腔室的腔體及內部的各裝置進行等離子體清 洗，以去除附著的聚合物。然而，由於第一電極、第二電極邊緣處的場強會受邊緣條件的影響，導致一部分電場線彎曲，造成電場邊緣部分場強不均勻，使得等離子體受電場控制在反應腔室邊緣的密度較低，目前使用的隔離環是一個整體的，上電極和隔離環之間縫隙較窄，所以隔離環內徑壁上的堆積物不宜清除，殘餘的聚合物會帶來放電擊穿影響，形成顆粒對後續的基片處理造成潛在污染的風險。

並且，為了滿足隔離效果，隔離環的尺寸具有一定的限制，出於成本以及製作難度的考慮，通常只能採用石英等絕緣材料來製作滿足規定尺寸的隔離環，而不能夠在晶圓片外邊緣區域設置其他一些提高蝕刻工藝結果的導體/半導體材料，功能比較單一。

有鑒於此，本發明實施例提供了一種隔離環組件、等離子體處理裝置及處理方法，解決了現有技術中無法有效清除隔離環內堆積的殘餘顆粒的技術問題。

本發明的技術方案是這樣實現的：

本申請提供一種等離子體處理裝置，所述等離子體處理裝置包括真空反應腔和設於真空反應腔的上電極與下電極，所述上電極與所述下電極之間形成一處理區域，所述上電極與下電極之間產生射頻電場，用以將反應氣體解離為等離子體，所述真空反應腔內設置一隔離環組件，所述隔離環組件包括：第一隔離環，環繞設置於所述上電極外周，包括一內壁表面，所述第一隔離環可在第一位置和第二位置之間移動，所述第一隔離環位於所述第 一位置，所述內壁表面與所述上電極的外周相對，所述第一隔離環位於所述第二位置，所述內壁表面暴露於所述上電極和所述下電極形成的處理區域內；第二隔離環，環繞設置於所述第一隔離環外周。

進一步地，所述第一隔離環位於所述第二位置時，所述真空反應腔內的等離子體為清潔等離子體，所述清潔等離子體用於對所述內壁表面進行清潔。

進一步地，所述第一隔離環還能位於第一位置和第二位置之間的第五位置；所述第二隔離環可在第三位置和第四位置之間移動，所述第二隔離環位於所述第三位置，用於實現待處理基片在所述真空反應腔內、外傳輸；所述第二隔離環位於第四位置且第一隔離環位於第五位置時，所述第二隔離環位與所述第一隔離環位匹配貼合形成一個整體隔離環，用於在真空反應腔內進行等離子體處理；所述第二隔離環位於第四位置且第一隔離環位於第二位置時，所述清潔等離子體用於對所述內壁表面進行清潔。

進一步地，還包括：隔離臺階，所述隔離臺階環繞所述下電極設置，所述隔離臺階的上表面與所述第二隔離環的下表面相匹配，當所述第二隔離環位於第四位置時，所述第二隔離環和所述隔離臺階相匹配連接。

進一步地，所述第一隔離環外側設有朝上的第一臺階面，所述第二隔離環內側設有朝下的第二臺階面，所述第一臺階面和所述第二臺階面相匹配。

進一步地，所述第一升降驅動件包括第一驅動源、第一連接件和第一驅動桿，所述第一驅動桿與所述第一隔離環連接，所述第一連接件同時連接第一驅動桿和第一驅動源，用於將第一驅動源的動力傳遞至第一驅動桿； 所述第二升降驅動件包括第二驅動源、第二連接件和第二驅動桿，所述第二驅動桿與所述第二隔離環連接，所述第二連接件同時連接第二驅動桿和第二驅動源，用於將第二驅動源的動力傳遞至第二驅動桿。

進一步地，所述第一驅動源為電機或氣缸；所述第二驅動源為電機或氣缸。

進一步地，所述第一驅動源設於所述第二驅動源的上方且與第二連接件連接。

進一步地，當所述第二隔離環下降至第四位置且所述第一隔離環位於第五位置時，所述第一隔離環的上表面高於所述上電極的下表面。

進一步地，當所述第二隔離環下降至第四位置且所述第一隔離環位於第五位置時，所述第一隔離環最下端距離所述下電極上表面的距離大於第一隔離環的最大厚度。

所述第一隔離環升降至第二位置時，所述第一隔離環的第一位置高於所述下電極的上表面，且所述第一隔離環的最高點低於所述上電極的下表面。

真空反應腔具有用於添加待加工元件的傳片口，所述第二隔離環上升至第三位置時，所述第二隔離環與所述下電極之間具有與傳片口對應的供待加工元件通過的空間。

所述第一隔離環的最大環厚與所述第二隔離環的最大環厚之比範圍為1：5~1：2。

所述第一隔離環的材料為單晶矽、多晶矽或碳化矽材料。

所述第一隔離環與所述第二隔離環貼合匹配時的最大環厚為M，當M大於預設值時，所述第二隔離環的材料為石英材料，當M小於等於預設值時，所述第二隔離環的材料為石英、單晶矽、多晶矽或碳化矽材料。

進一步地，所述預設值為400~600mm。

進一步地，所述第四位置為所述第二隔離環下降的最低位置；所述第二位置為所述第一隔離環下降的最低位置。

另外，本申請還提供一種在等離子體處理裝置進行等離子體處理的方法，所述方法在上述提及的裝置內進行，進一步地，所述方法包括：調節所述第一隔離環位於所述第一位置，所述第二隔離環位於所述第三位置，將待處理基片移入所述真空反應腔內；調節所述第二隔離環向下移動至第四位置，在所述上電極與下電極之間產生射頻電場，並將通入所述真空反應腔的反應氣體解離為等離子體，用於對所述待處理基片進行等離子體處理；調節所述第二隔離環向上移動至所述第三位置，將處理完成的基片移出所述真空反應腔；調節所述第二隔離環向下移動至所述第四位置並調節所述第一隔離環位於第五位置，向所述真空反應腔內通入清潔氣體並解離為清潔等離子體，所述清潔等離子體對所述隔離環組件進行清潔；等離子體清潔過程中，調節所述第一隔離環向下移動到第二位置，所述清潔等離子體對所述第一隔離環環繞所述上電極的內表面進行清潔。

進一步地，方法還包括等離子體清潔完成後，分別控制所述第一隔離環和第二隔離環向上移動至其第一位置和第三位置。

進一步地，方法還包括等離子體清潔完成後，控制所述第一隔離環向上移動並帶動第二隔離環向上同步移動。

另外，本申請還提供一種用於等離子體處理裝置的隔離環組件，所述等離子體處理裝置內設置一上電極，進一步地，所述隔離環組件包括： 第一隔離環，環繞設置在所述上電極的外周，所述第一隔離環可上下移動；第二隔離環，環繞設置在所述第一隔離環的外周，所述第二隔離環可上下移動；所述第一隔離環的外壁和所述第二隔離環的內壁之間設有相互匹配的臺階。

進一步地，所述第一隔離環和第二隔離環的材料相同或不相同。

由於上述技術方案運用，本發明與現有技術相比具有下列優點：

本發明通過將隔離環設置為兩個獨立的隔離環組合而成，並且在第一隔離環和第二隔離環上分別設置驅動機構，使得在保持原有的隔離環功能的同時，還能通過驅動第一隔離環和第二隔離環的相對位置的不同而便於對隔離環與電極之間的縫隙進行徹底清理，降低了後續對基片處理造成潛在污染的風險。

通過設置兩個隔離環，隔離環的材料選擇可以更加多樣化，在外側的隔離環保證隔離效果的同時，內側的隔離環材料，設置其他一些提高蝕刻工藝結果的導體/半導體材料，便於優化蝕刻工藝結果。

1:真空反應腔

10:第一隔離環

11:第一驅動源

12:第一連接件

13:第一驅動桿

14:第一臺階面

15:內壁表面

2:上電極

20:第二隔離環

21:第二驅動源

22:第二連接件

23:第二驅動桿

24:第二臺階面

3:下電極

4:金屬腔壁

5:傳片口

6:隔離臺階

圖1為本發明實施例一第一隔離環和第二隔離環分別位於第一位置和第三位置時的內部剖視圖；圖2為本發明實施例一第二隔離環位於第四位置且第一隔離環位於第五位置時的內部剖視圖；圖3為本發明實施例一第一隔離環和第二隔離環分別位於第二位置和第四位置時的內部剖視圖； 圖4為本發明實施例二第二隔離環位於第三位置時的內部剖視圖；圖5為本發明實施例二第二隔離環位於第四位置且第一隔離環位於第五位置時的內部剖視圖；圖6為本發明實施例二第一隔離環和第二隔離環分別位於第二位置和第四位置時的內部剖視圖。

下面結合附圖對技術方案的實施作進一步的詳細描述。

實施例1

如圖1~3所示，一種等離子體處理裝置，等離子體處理裝置包括真空反應腔1和設於真空反應腔1的上電極2與下電極3，下電極3設置在上電極的正下方，上電極2與下電極3之間形成一處理區域，下電極3與等離子體處理裝置的射頻電源相連接，上電極2與下電極3之間產生射頻電場，用以將反應氣體解離為等離子體，反應氣體由氣體噴頭噴入真空反應腔1中。本實施例中，等離子體處理裝置具體為電容耦合等離子體蝕刻設備，其具體蝕刻原理以及相關元件為本領域所知技術，在此不再贅述，本申請的發明點主要在於：真空反應腔內設置一隔離環組件，隔離環組件用來約束等離子體的分佈，並將反應腔室的金屬腔壁4與等離子體隔開，以保護金屬腔壁4不受等離子體的侵蝕。

具體地，隔離環組件包括：第一隔離環10，其為中空圓環形，環繞設置於上電極2外周，第一隔離環10包括一內壁表面15，第一隔離環10通過第一升降驅動件和第二升降驅動件的配合驅動，可在第一位置和第二位置之間移動，第一隔離環10位於第一位置時，內壁表面15與上電極2的外周相對，第一隔 離環10位於第二位置時，內壁表面15暴露於上電極2和下電極3形成的處理區域內，具體為第一隔離環10升降至第二位置時，第一隔離環10的最低點高於下電極3的上表面。

當第一隔離環10位於第二位置時，可以便於對第一隔離環10的內壁表面15進行清洗，在真空反應腔1內從氣體噴頭輸入具有清潔能力的氣體，具有清潔能力的氣體被電離為等離子體後與暴露在等離子體中的零部件表面上沉積的聚合物發生化學反應，從而清除掉沉積的聚合物並使反應產物隨氣體排出真空反應腔1。

另外，還包括第二隔離環20，環繞設置於第一隔離環10外周，第二隔離環20可通過第二升降驅動件的驅動，在第三位置和第四位置之間移動，其中，第四位置為第二隔離環20下降的最低位置；第二位置為第一隔離環10下降的最低位置。

第二隔離環20位於第三位置，用於實現待處理基片在真空反應腔1內、外傳輸；第二隔離環20位於第四位置，用於對待處理基片進行等離子體處理以及進行等離子體清潔處理。第一隔離環10還可以被驅動至第一位置和第二位置之間的第五位置，當第一隔離環10位於第五位置且第二隔離環20位於第四位置時，兩者形成一個整體隔離環。具體地，第一隔離環10外側設有朝上的第一臺階面14，第二隔離環20內側設有朝下的第二臺階面24，第一臺階面14和第二臺階面24相匹配。第一隔離環10在第一位置時和第二隔離環20在第三位置時第一臺階面14和第二臺階面24匹配貼合，以形成一個整體隔離環；第一隔離環10在第五位置時和第二隔離環20在第四位置時，第一臺階面14和第二臺階面24匹配貼合，以形成一個整體隔離環；整體隔離環的尺寸及外形和現有技術中的隔離環尺寸相對應，可以滿足基本的隔離要求；同時第一隔離環10和第二隔離環20通過分體的設置，可以解決現有技術中因為隔離環尺寸的限制，清潔等離 子體不能有效與隔離環內表面上的殘留物產生反應，從而不能有效清洗隔離環上與上電極對應的內側壁的殘留物的技術問題。而第一隔離環10外側設有朝上的第一臺階面14，第二隔離環20內側設有朝下的第二臺階面24，而不是直接將通過豎直平面匹配，一方面可以使得第一隔離環10和第二隔離環20在特定位置可以很好地貼合，在反應過程中等離子體不會通過兩者的縫隙洩露；另一方面，兩個臺階面也可以很好地將第一隔離環10和第二隔離環20進行互相限位，當第二隔離環20位於第三位置時，第一隔離環10最高位置不會超過第一位置，以防止第一隔離環10上升過頭。同理地，第一隔離環10的外側面和第二隔離環20的內側面也可以設置其他相匹配的異形面以保證密封性和限位性。可選地，為了保持外表面的順滑，第一隔離環10的外側面和第二隔離環20的上下表面的連接處均平滑過渡設置。

為了進一步保障蝕刻反應中真空反應腔的密封性，本實施例中還包括隔離臺階6，隔離臺階6環繞所述下電極3設置，隔離臺階6的上表面與第二隔離環20的下表面相匹配，當第二隔離環20位於第四位置時，第二隔離環20和隔離臺階6相匹配連接。隔離臺階6可以設置於等離子體處理裝置的常用部件上，例如環繞所述下電極3設置的等離子體約束環上表面設置為與第二隔離環20的臺階相匹配的臺階形狀等。

優選地，真空反應腔1具有用於添加待加工元件的傳片口5，第二隔離環20上升至第三位置時，第二隔離環20與下電極3之間具有與傳片口5對應的供待加工元件通過的空間。

當第二隔離環20下降至第四位置且第一隔離環10位於第五位置，其外壁與第二隔離環20的內壁相貼合時，第一隔離環10的上表面高於上電極2的下表面，以使得整個反應空間能夠有效地被隔離；同時，當第二隔離環20下降至第四位置且第一隔離環10的外壁與第二隔離環20的內壁相貼合時，第一 隔離環10最下端距離下電極3上表面的距離大於第一隔離環10的最大厚度。以使得第一隔離環10具有足夠的下降空間，便於對第一隔離環10進行徹底的清洗。

具體地，第一升降驅動件包括第一驅動源11、第一連接件12和第一驅動桿13，第一驅動桿13與第一隔離環10連接，第一連接件12同時連接第一驅動桿13和第一驅動源11，用於將第一驅動源11的動力傳遞至第一驅動桿13；第二升降驅動件包括第二驅動源21、第二連接件22和第二驅動桿23，第二驅動桿23與第二隔離環20連接，第二連接件22同時連接第二驅動桿23和第二驅動源21，用於將第二驅動源21的動力傳遞至第二驅動桿23。可選地，第一驅動源11為電機或氣缸；第二驅動源21為電機或氣缸。

本實施例中，第一驅動源11和第二驅動源21均具有上工位和下工位；第一驅動源11設置在第二連接件22的上方與其固定連接，這樣的設置，第二驅動源21直接控制第二隔離環20的升降位置，且第二驅動源21可以配合第一驅動源11來控制第一隔離環的位置；當第二驅動源21位於上工位時，第二隔離環20位於第三位置，此時若第一驅動源11位於上工位，則第一隔離環10位於第一位置，此時第一隔離環10和第二隔離環20形成一個整體的隔離環，如圖1所示；當第二驅動源21位於下工位且第一驅動源11位於上工位時，此時第一隔離環10和第二隔離環20仍然形成一個整體的隔離環，第一隔離環10位於第五位置，第二隔離環20位於第四位置，如圖2所示，若此時第一驅動源11再變化為下工位，則第一隔離環10被驅動至第二位置，如圖3所示。採用一個驅動源疊加設置在另一個驅動源上的設計，可以使得每個驅動源只需要兩個工位的控制，即可實現第一隔離環三個位置以及第二隔離環兩個位置的驅動控制。

控制第二驅動源21位於下工位使得第二隔離環20下降至第四位置，並控制第一驅動源11位於下工位，此時第一隔離環10位於第二位置，清潔等離子體對第一隔離環10的環繞上電極2的內表面進行清潔。

優選地，第一隔離環10的最大環厚與第二隔離環20的最大環厚之比範圍為1：5~1：2，當第一隔離環10相對於第二隔離環20來說尺寸足夠小，才能夠有更多的材料設置選擇，在同時考慮隔離環材料效果和成本的情況下，第一隔離環10的材料為單晶矽、多晶矽或碳化矽材料，可以有效提高或者調解蝕刻反應效果，而尺寸比較大的第二隔離環20則選用成本相對低且可以大尺寸製作的石英材料，以達到屏蔽效果。

當然，根據實際情況，第二隔離環20在特定尺寸情況下，也可以採用石英、單晶矽、多晶矽或碳化矽材料，例如第一隔離環10與第二隔離環20貼合匹配時的最大環厚為M，當M小於預設值時。優選地，預設值為400~600mm。而當大於預設值時，第二隔離環20的材料還是選擇石英為佳。

本實施例中，具體的操作過程如下：

調節第一隔離環10位於第一位置，第二隔離環20位於第三位置，將待處理基片移入真空反應腔1內；調節第二隔離環20向下移動至第四位置，在上電極2與下電極3之間產生射頻電場，並將通入真空反應腔1的反應氣體解離為等離子體，用於對待處理基片進行等離子體處理；調節第二隔離環20向上移動至第三位置且第一隔離環10位於第一位置時，將處理完成的基片移出真空反應腔1；調節第二隔離環20向下移動至第四位置且第一隔離環10位於第五位置時，向真空反應腔1內通入清潔氣體並解離為清潔等離子體，清潔等離子體對隔離環組件進行清潔；等離子體清潔過程中，調節第一隔離環10向下移動到第二位置，清潔等離子體對第一隔離環10環繞上電極2的內表面進行清潔。

等離子體清潔完成後，控制第一隔離環10向上移動並帶動第二隔離環20向上同步移動至其第一位置和第三位置。

實施例2

與實施例1不同之處在於，如圖4~6所示，本實施例中，第一升降驅動件和第二升降驅動件為分離設置，互不干擾，可以分別通過控制第一升降驅動件和第二升降驅動件的運動來控制第一隔離環10和第二隔離環20的升降。並且在此實施例中，第一個隔離環10位於第一位置且第二隔離環20位於第三位置時，兩者可以貼合也可以不貼合，只要上升至具有供待處理基片移入真空反應腔1內的空間即可。

上述控制升降過程可以通過與第一升降驅動件和第二升降驅動件進行電連接的控制器進行手動控制，也可以通過預設的控制程序使其同步精確地分別控制第一隔離環10和第二隔離環20的升降位置以使得實現不同的功能。

在不衝突的情況下，本文中上述實施例及實施例中的特徵能夠相互結合。

以上所述，僅為本發明的具體實施方式，但本發明的保護範圍並不侷限於此，任何本案所屬技術領域中具有通常知識者在本發明揭露的技術範圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護範圍之內。因此，本發明的保護範圍應以所述申請專利範圍的保護範圍為準。

1:真空反應腔

10:第一隔離環

11:第一驅動源

12:第一連接件

13:第一驅動桿

15:內壁表面

2:上電極

20:第二隔離環

21:第二驅動源

22:第二連接件

23:第二驅動桿

3:下電極

4:金屬腔壁

5:傳片口

6:隔離臺階

Claims (17)

1. 一種等離子體處理裝置，該等離子體處理裝置包括一真空反應腔和設於真空反應腔的一上電極與一下電極，該上電極與該下電極之間形成一處理區域，該上電極與該下電極之間產生射頻電場，用以將反應氣體解離為等離子體，其中，該真空反應腔內設置一隔離環組件，該隔離環組件包括：一第一隔離環，環繞設置於該上電極外周，包括一內壁表面，該第一隔離環可在一第一位置和一第二位置之間移動，該第一隔離環位於該第一位置，該內壁表面與該上電極的外周相對，該第一隔離環位於該第二位置，該內壁表面暴露於該上電極和該下電極形成的處理區域內；以及一第二隔離環，環繞設置於該第一隔離環外周；其中，該第一隔離環可相對於該第二隔離環在豎直方向上運動，當該第一隔離環位於該第二位置時，該第一隔離環與該第二隔離環相互分離。
2. 如請求項1所述的等離子體處理裝置，其中：該第一隔離環位於該第二位置時，該真空反應腔內的等離子體為一清潔等離子體，該清潔等離子體用於對該內壁表面進行清潔。
3. 如請求項2所述的等離子體處理裝置，其中：該第一隔離環還能位於該第一位置和該第二位置之間的一第五位置；該第二隔離環可在一第三位置和一第四位置之間移動，該第二隔離環位於該第三位置，用於實現待處理基片在該真空反應腔內、外傳輸；該第二隔離環位 於第四位置且第一隔離環位於第五位置時，該第二隔離環位與該第一隔離環位匹配貼合形成一個整體隔離環，用於在該真空反應腔內進行等離子體處理；該第二隔離環位於該第四位置且第一隔離環位於該第二位置時，該清潔等離子體用於對該內壁表面進行清潔。
4. 如請求項3所述的等離子體處理裝置，其中，還包括：一隔離臺階，該隔離臺階環繞該下電極設置，該隔離臺階的上表面與該第二隔離環的下表面相匹配，當該第二隔離環位於第四位置時，該第二隔離環和該隔離臺階相匹配連接。
5. 如請求項1所述的等離子體處理裝置，其中，該第一隔離環外側設有朝上的一第一臺階面，該第二隔離環內側設有朝下的一第二臺階面，該第一臺階面和該第二臺階面相匹配。
6. 如請求項3所述的等離子體處理裝置，其中，還包括：一第一升降驅動件和一第二升降驅動件；該第一升降驅動件包括一第一驅動源、一第一連接件和一第一驅動桿，該第一驅動桿與該第一隔離環連接，該第一連接件同時連接該第一驅動桿和該第一驅動源，用於將該第一驅動源的動力傳遞至該第一驅動桿；該第二升降驅動件包括一第二驅動源、一第二連接件和一第二驅動桿，該第二驅動桿與該第二隔離環連接，該第二連接件同時連接該第二驅動桿和該第二驅動源，用於將該第二驅動源的動力傳遞至該第二驅動桿。
7. 如請求項6所述的等離子體處理裝置，其中，該第一驅動源為電機或氣缸；該第二驅動源為電機或氣缸。
8. 如請求項6所述的等離子體處理裝置，其中，該第一驅動源設於該第二驅動源的上方且與該第二連接件連接。
9. 如請求項3所述的等離子體處理裝置，其中，當該第二隔離環下降至該第四位置且該第一隔離環位於該第五位置時，該第一隔離環的上表面高於該上電極的下表面。
10. 如請求項3所述的等離子體處理裝置，其中，當該第二隔離環下降至該第四位置且該第一隔離環位於該第五位置時，該第一隔離環最下端距離該下電極上表面的距離大於第一隔離環的最大厚度。
11. 如請求項1所述的等離子體處理裝置，其中，該第一隔離環升降至該第二位置時，該第一隔離環的最低點高於該下電極的上表面，且該第一隔離環的最高點低於該上電極的下表面。
12. 如請求項3所述的等離子體處理裝置，其中，該真空反應腔具有用於添加待加工元件的一傳片口，該第二隔離環上升至該第三位置時，該第二隔離環與該下電極之間具有與該傳片口對應的供待加工元件通過的空間。
13. 如請求項1所述的等離子體處理裝置，其中，該第一隔離環的最大環厚與該第二隔離環的最大環厚之比範圍為1：5~1：2。
14. 如請求項13所述的等離子體處理裝置，其中，該第一隔離環的材料為單晶矽、多晶矽或碳化矽材料。
15. 如請求項14所述的等離子體處理裝置，其中，該第一隔離環與該第二隔離環貼合匹配時的最大環厚為M，當M大於一預設值時， 該第二隔離環的材料為石英材料，當M小於等於該預設值時，該第二隔離環的材料為石英、單晶矽、多晶矽或碳化矽材料。
16. 如請求項15所述的等離子體處理裝置，其中，該預設值為400~600mm。
17. 如請求項3所述的等離子體處理裝置，其中，該第四位置為該第二隔離環下降的最低位置；該第二位置為該第一隔離環下降的最低位置。