TWI859556B

TWI859556B - 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法

Info

Publication number: TWI859556B
Application number: TW111127513A
Authority: TW
Inventors: 人; 伊藤博明; 伊藤宏晃
Original assignee: 日商捷進科技有限公司
Priority date: 2021-09-15
Filing date: 2022-07-22
Publication date: 2024-10-21
Also published as: TW202314870A; JP7757097B2; KR20230040266A; CN115810560A; JP2023042715A; KR102834860B1

Abstract

本發明的課題是在於提供一種用以根據檢查結果的資料日誌來進行自我診斷的技術。其解決手段，黏晶裝置是具備：在基板上塗佈膏狀黏著劑的塗佈裝置；對被塗佈於基板的膏狀黏著劑進行攝像的攝像裝置；及根據攝像裝置所攝像的膏狀黏著劑的畫像來進行外觀檢查的控制裝置。控制裝置是被構成為：每將膏狀黏著劑塗佈於基板就進行外觀檢查，以從畫像算出的膏狀黏著劑的塗佈面積及膏狀黏著劑的塗佈位置或包含該哪一方的資料作為資料日誌來記錄於記憶裝置，根據在外觀檢查時取得的資料及在比該外觀檢查時更之前記錄於記憶裝置的資料日誌來判斷被塗佈的膏狀黏著劑的狀態為正常或異常。

Description

黏晶裝置及半導體裝置的製造方法

本案是關於黏晶裝置，例如可適用於使用樹脂膏作為黏著劑的黏晶機。

作為黏晶裝置的黏晶機是以樹脂膏(paste)、焊錫、鍍金等作為接合材料，將半導體晶片(以下簡稱晶粒)接合(載置而黏著)於配線基板或導線架(Lead frame)等的基板或已經被接合的晶粒上之裝置。例如，在將晶粒接合於基板的表面之黏晶機中，是利用被安裝於接合頭的前端之被稱為夾頭(collet)的吸附噴嘴來從晶圓吸附晶粒而拾取(pickup)，載置於基板上的預定的位置，賦予推壓力的同時加熱接合材，藉此進行接合的動作(作業)會被重複進行。

例如，使用樹脂作為接合材料時，Ag(銀)環氧樹脂及丙烯酸等的樹脂膏會作為黏著劑(以下稱為膏狀黏著劑)使用。將晶粒黏著於基板的膏狀黏著劑是被封入至注射器(syringe)內，此注射器會對於基板上下移動射出膏狀黏著劑而塗佈。亦即，膏狀黏著劑會藉由封入膏狀黏著劑的注射器來預定量塗佈於預定的位置，晶粒會被壓接・烘烤而黏著於該膏狀黏著劑上。在注射器的附近是安裝有識別攝影機(預成形攝影機(preform camera)，以此識別攝影機來確認被塗佈膏狀黏著劑的位置而進行定位，且確認被塗佈的膏狀黏著劑是否以預定的形狀來僅預定量塗佈於預定位置。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2021-44466號公報

(發明所欲解決的課題)

在膏狀黏著劑的外觀檢查中檢測出異常時，發出錯誤，裝置停止。但，檢查結果是未留在日誌。

本案的課題是在於提供一種用以根據檢查結果的資料日誌(data log)來進行自我診斷的技術。其他的課題及新穎的特徵是可由本說明書的記述及附圖明確得知。 (用以解決課題的手段)

本案之中代表性者的概要若簡單說明則如以下般。亦即，黏晶裝置是具備：在基板上塗佈膏狀黏著劑的塗佈裝置；對被塗佈於基板的膏狀黏著劑進行攝像的攝像裝置；及根據攝像裝置所攝像的膏狀黏著劑的畫像來進行外觀檢查的控制裝置。控制裝置是被構成為：每將膏狀黏著劑塗佈於基板就進行外觀檢查，以從畫像算出的膏狀黏著劑的塗佈面積及膏狀黏著劑的塗佈位置或包含該哪一方的資料作為資料日誌來記錄於記憶裝置，根據在外觀檢查時取得的資料及在比該外觀檢查時更之前記錄於記憶裝置的資料日誌來判斷被塗佈的膏狀黏著劑的狀態為正常或異常。 [發明的效果]

若根據上述黏晶裝置，則可根據檢查結果的資料日誌來進行自我診斷。

以下，利用圖面說明有關實施形態。但，在以下的說明中，有對同一構成要素附上同一符號而省略重複說明的情形。另外，圖面為了更明確說明，而有相較於實際的形態，針對各部的寬度、厚度、形狀等，模式性地表示的情況，但究竟是一例，不是限定本案的解釋者。

利用圖1及圖2說明有關實施形態的黏晶機的構成。圖1是表示實施形態的黏晶機的概略的俯視圖。圖2是在圖1中從箭號A方向看時，說明拾取頭及接合頭的動作的圖。

黏晶機10是大致區分具有：供給安裝於基板S的晶粒D的晶粒供給部1、拾取部2、中間平台部3、預成形(preform)部9、接合部4、搬送部5、基板供給部6、基板搬出部7及監視各部的動作予以控制的控制部8。Y軸方向為黏晶機10的前後方向，X軸方向為左右方向。晶粒供給部1會被配置於黏晶機10的前面側，接合部4會被配置於內部側。在此，基板S是最終成為一封裝之形成有複數的製品區域(以下稱為附件(attachment)區域P)。例如，當基板S為導線架時，附件區域P是具有被載置晶粒D的捲帶式載板(TAB)。

首先，晶粒供給部1是供給安裝於基板S的附件區域P的晶粒D。晶粒供給部1是具有保持晶圓11的晶圓保持台12及從晶圓11頂起晶粒D之點線所示的剝離單元13。晶粒供給部1是藉由未圖示的驅動手段來移動於XY軸方向，使拾取的晶粒D移動至剝離單元13的位置。

拾取部2是具有：拾取頭21、Y驅動部23、使夾頭22昇降、旋轉及X軸方向移動的未圖示的各驅動部及晶圓識別攝影機24。拾取頭21是具有將被頂起的晶粒D吸附保持於前端的夾頭22，從晶粒供給部1拾取晶粒D，載置於中間平台31。Y驅動部23是使拾取頭21移動於Y軸方向。晶圓識別攝影機24是掌握從晶圓11拾取的晶粒D的拾取位置。

中間平台部3是具有暫時性地載置晶粒D的中間平台31及用以識別中間平台31上的晶粒D的平台識別攝影機32。

預成形部9是具有：注射器91與驅動部93、作為攝像裝置(第一攝像裝置)的預成形攝影機94及預成形平台FS。注射器91是在藉由搬送部5來搬送至預成形平台FS的基板S塗佈膏狀黏著劑。驅動部93是使注射器91移動於X軸方向、Y軸方向及上下方向。預成形攝影機94是掌握注射器91的塗佈位置等。預成形平台FS是在將膏狀黏著劑塗佈於基板S時被上昇，從下方支撐基板S。預成形平台FS是具有用以真空吸附基板S的吸附孔(未圖示)，可固定基板S。

接合部4是具有接合頭41、Y驅動部43、作為第二攝像裝置的基板識別攝影機44及接合平台BS。接合頭41是具有和拾取頭21同樣將晶粒D吸附保持於前端的夾頭42。Y驅動部43是使接合頭41移動於Y軸方向。基板識別攝影機44是對基板S的附件區域P的位置識別標記(未圖示)進行攝像，識別接合位置。接合平台BS是晶粒D被載置於基板S時，使上昇，從下方支撐基板S。接合平台BS是具有用以真空吸附基板S的吸附孔(未圖示)，可固定基板S。藉由如此的構成，接合頭41是根據平台識別攝影機32的攝像資料來修正拾取位置・姿勢，從中間平台31拾取晶粒D。然後，接合頭41是根據基板識別攝影機44的攝像資料，將晶粒D接合於被搬送來的基板S的被塗佈了膏狀黏著劑的附件區域P上。

搬送部5是具有：抓住基板S搬送的基板搬送爪51；及作為基板S移動的搬送路的搬送道52。基板S是藉由以沿著搬送道52而設的未圖示的滾珠螺桿來驅動被設在搬送道52的基板搬送爪51的未圖示的螺帽而移動。藉由如此的構成，基板S會從基板供給部6沿著搬送道52而移動至接合位置，接合後，移動至基板搬出部7，將基板S交給基板搬出部7。

其次，利用圖3說明有關晶粒供給部1的構成。圖3是表示圖1所示的晶粒供給部的主要部的概略剖面圖。

晶粒供給部1是具備：移動於水平方向(XY方向)的晶圓保持台12；及移動於上下方向的剝離單元13。晶圓保持台12是具有：保持晶圓環14的擴張環15；及將被固定於晶圓環14的切割膠帶16水平定位的支撐環17。在晶圓11中被切割成網目狀的晶粒D是被黏著固定於切割膠帶16。剝離單元13是被配置於支撐環17的內側。

晶粒供給部1是在晶粒D的頂起時，使保持晶圓環14的擴張環15下降。其結果，被保持於晶圓環14的切割膠帶16會被拉伸，晶粒D的間隔會擴大，藉由剝離單元13來從晶粒D下方頂起切割膠帶16或水平移動，而使晶粒D的拾取性提升。

利用圖4說明有關黏晶機10的控制系。圖4是表示圖1所示的黏晶機的控制系的概略構成的方塊圖。

如圖4所示般，控制系80是具備控制部8、驅動部86、訊號部87及光學系88。控制部8是大致區分主要具有：以CPU(Central Processing Unit)所構成的控制・演算裝置81、記憶裝置82、輸出入裝置83、匯流線84及電源部85。記憶裝置82是具有：以記憶處理程式等的RAM(Random Access Memory)等所構成的主記憶裝置82a；及以記憶控制所必要的控制資料或畫像資料等的HDD (Hard Disk Drive)等所構成的輔助記憶裝置82b。輸出入裝置83是具有：顯示裝置狀態或資訊等的監視器83a、輸入操作員的指示的觸控面板83b、操作監視器的滑鼠83c及取入來自光學系88的畫像資料的畫像取入裝置83d。又，輸出入裝置83是具有：控制晶粒供給部1的XY平台(未圖示)或接合頭平台的ZY驅動軸等的驅動部86、驅動部93之馬達控制裝置83e；及取入或控制各種的感測器訊號或從照明裝置等的開關等的訊號部87取入或控制訊號的I/O訊號控制裝置83f。在光學系88是包含圖1或圖2所示的晶圓識別攝影機24、預成形攝影機94、平台識別攝影機32、基板識別攝影機44。控制・演算裝置81是經由匯流線84來取入必要的資料演算，控制接合頭41等，或將資訊傳送至監視器83a等。

控制部8是經由畫像取入裝置83d來將在光學系88攝像後的畫像資料保存於記憶裝置82。藉由根據保存的畫像資料而程式化的軟體來利用控制・演算裝置81進行晶粒D及基板S的定位、膏狀黏著劑的塗佈圖案的檢查及晶粒D及基板S的表面檢查。根據控制・演算裝置81所算出的晶粒D及基板S的位置，藉由軟體而經由馬達控制裝置83e來作動驅動部86。藉由此製程來進行晶圓11上的晶粒D的定位，在晶粒供給部1及黏晶部4的驅動部使動作，將晶粒D接合於基板S上。在光學系88使用的識別攝影機是灰色標度(gray scale)攝影機、彩色攝影機等，將明亮度(光強度)數值化。

其次，利用圖5說明有關使用了實施形態的黏晶機之半導體裝置的製造方法。圖5是表示使用了圖1所示的黏晶機之半導體裝置的製造方法的流程圖。

(步驟S51：晶圓・基板搬入工序) 將保持了貼附有從晶圓11分割的晶粒D的切割膠帶16之晶圓環14儲存於晶圓盒(未圖示)，搬入至黏晶機10。控制部8是從被充填了晶圓環14的晶圓盒供給晶圓環14至晶粒供給部1。又，準備基板S，搬入至黏晶機10。控制部8是在基板供給部6將基板S安裝於基板搬送爪51。

(步驟S52：拾取工序) 控制部8是藉由晶圓保持台12以能從晶圓環14拾取所望的晶粒D之方式移動晶圓環14，根據藉由晶圓識別攝影機24所攝像的資料來進行定位及表面檢查。控制部8是藉由剝離單元13來從切割膠帶16剝離被定位的晶粒D。與此並行，控制部8是將拾取頭21下降至拾取對象的晶粒D的正上方，藉由拾取頭21的夾頭22來真空吸附從切割膠帶16剝離的晶粒D。然後，控制部8是將拾取頭21進行上昇動作、平行移動動作及下降動作而使晶粒D載置於中間平台31的預定處。此時，控制部8是藉由中間平台31的未圖示的吸附孔來吸附晶粒D，而使從拾取頭21離開。如此一來，從切割膠帶16剝離的晶粒D是被吸附、保持於夾頭22，而被搬送至中間平台31載置。

控制部8是藉由平台識別攝影機32來對中間平台31上的晶粒D進行攝像，進行晶粒D的定位，且進行表面檢查。控制部8是藉由畫像處理來算出離黏晶機的晶粒位置基準點之中間平台31上的晶粒D的偏差量(X、Y、θ方向)。另外，晶粒位置基準點是預先保持中間平台31的預定的位置作為裝置的初期設定。然後，控制部8藉由畫像處理來進行晶粒D的表面檢查。

然後，控制部8是使將晶粒D搬送至中間平台31的拾取頭21返回至晶粒供給部1。按照上述的程序，其次的晶粒D會從切割膠帶16剝離，以後按照同樣的程序從切割膠帶16一個一個剝離晶粒D。

(步驟S53：接合工序) 控制部8是藉由搬送部5來將基板S搬送至預成形平台FS。控制部8是藉由預成形攝影機94來取得塗佈前的基板S的表面的畫像而確認應塗佈膏狀黏著劑的面。若在應塗佈的面無問題，則控制部8確認藉由預成形平台FS所支撐的基板S的被塗佈膏狀黏著劑的位置而定位。定位是和接合頭部同樣地以圖案匹配等來進行。從注射器91塗佈膏狀黏著劑。控制部8是從注射器91的前端的噴嘴射出膏狀黏著劑，按照噴嘴的軌跡來塗佈。控制部8是藉由驅動部93以XYZ軸來將注射器91驅動成想要塗佈的形狀，依據其軌跡來描繪×記號形狀或十字形狀等自由的軌跡而塗佈(描繪)。控制部8是以預成形攝影機94再度確認塗佈後膏狀黏著劑是否被正確地塗佈，檢查被塗佈的膏狀黏著劑。亦即，外觀檢查是確認被塗佈的膏狀黏著劑是否以預定的形狀來僅預定量塗佈於預定位置。檢查內容是例如膏狀黏著劑的有無、塗佈面積、塗佈形狀(不足、擠出)等。檢查是除了以二值化處理將膏狀黏著劑的區域分離後計數像素數的方法之外，根據差分的比較，以比較根據圖案匹配的分數(score)之方法等進行。

若塗佈無問題，則控制部8藉由搬送部5來將基板S搬送至接合平台BS。然後，控制部8藉由基板識別攝影機44來對被載置於接合平台BS上的基板S進行攝像。控制部8是藉由畫像處理來算出離黏晶機的基板位置基準點之基板S的偏差量(X、Y、θ方向)。另外，基板位置基準點是預先保持基板檢查部的預定的位置，作為裝置的初期設定。控制部8是亦可根據藉由基板識別攝影機44所攝像的畫像資料來檢查被塗佈的膏狀黏著劑。

控制部8是由在步驟S52中被算出的晶粒D的偏差量來修正接合頭41的吸附位置而藉由夾頭42來吸附晶粒D。從中間平台31將吸附了晶粒D的接合頭41進行上昇、平行移動及下降而使晶粒D附著(attach)於被接合平台BS支撐的基板S的預定處。然後，控制部8是根據藉由基板識別攝影機44所攝像的畫像資料來進行是否晶粒D被接合於所望的位置等的檢查。

(步驟S54：基板搬出工序) 控制部8是將被接合有晶粒D的基板S搬送至基板搬出部7。控制部8是在基板搬出部7從基板搬送爪51取出被接合有晶粒D的基板S。從黏晶機10搬出基板S。

如上述般，晶粒D是被安裝在基板S上，從黏晶機搬出。然後，在線材接合工序經由Au線等來與基板S的電極電性連接。然後，將基板S搬送至模製工序，以模製樹脂(未圖示)來密封晶粒D及Au線，藉此完成封裝。

利用圖6說明有關預成形部的膏狀黏著劑的塗佈。圖6是表示預成形部的構成例的方塊圖。

如圖6所示般，預成形部9是具備：注射器91、驅動部93、預成形攝影機94、注射器夾具95、分配器(dispenser)96、供給空氣壓的配管97及預成形平台FS。注射器91、驅動部93、注射器夾具95、分配器96及配管97是構成塗佈裝置。

將膏狀黏著劑塗佈於基板S時，在下部的前端有塗佈噴嘴92的注射器91中放入膏狀黏著劑，從空氣脈衝(Air Pulse)方式的分配器96一定的時間將空氣等的加壓氣體從注射器91的上部供給，而使預定量的膏狀黏著劑噴出。在塗佈時，是在使此塗佈噴嘴92接近基板的狀態下，將注射器91二維地一筆掃描(描繪動作)於XY平面內(一般從中心開始返回至中心)。

分配器96是具備：被連接至正壓源的壓縮空氣供給埠96a、被連接至負壓源的真空用排氣埠96b、將被供給至注射器的壓縮空氣排氣的排氣埠96c及空氣控制輸出埠96d。

說明分配器96的動作。從壓縮空氣供給埠96a導入的壓縮空氣是在噴出用調節器(regulator)(未圖示)被調整至適當的壓力而經由閥單元(未圖示)來從空氣控制輸出埠96d送出。在空氣控制輸出埠96d的內部是有用以檢視輸出的壓力感測器96e。被供給至注射器91的壓縮空氣是經由閥單元(未圖示)來從排氣埠96c強制性地排氣。並且，在不噴出時是需要供給微弱的真空，使得滴液不會因為膏狀黏著劑的重量而發生。此真空是經由真空用調節器(未圖示)將來自壓縮空氣供給埠96a的壓縮空氣設為適當的壓力(負壓)而從真空用排氣埠96b排出。此負壓是以閥單元(未圖示)來控制而被連結至空氣控制輸出埠96d。

說明有關膏狀黏著劑的噴出製程。膏狀黏著劑是被收容於注射器91。最初，依據控制部8的指示，驅動部93使注射器夾具95降下，藉此，塗佈噴嘴92的前端是從比較高的位置降下而在噴出開始時機從基板S的上面到達預定的高度(噴嘴高度(Hn))。噴嘴高度(Hn)是例如100～200μm。在此，若壓縮空氣依據控制部8的指示來從分配器96通過配管97而供給，則注射器91內的空氣壓會急速上昇，慢慢地開始噴出。與此同步，開始描繪動作。亦即，具體而言，驅動部93會依據控制部8的指示來使注射器夾具95移動，藉此，塗佈噴嘴92會二維地水平移動。塗佈噴嘴92一般是返回至開頭的位置，在那裏結束描繪動作。與此同步，若來自分配器96的壓縮空氣的供給依據控制部8的指示而被停止，則注射器91內的空氣壓是急速降下，但噴出是慢慢地變弱停止。一旦停止，則幾乎同時，驅動部93會依據控制部8的指示來使塗佈噴嘴92上昇。

利用圖8說明有關膏狀黏著劑的塗佈工序。圖8是表示膏狀黏著劑的塗佈工序的流程圖。

(塗佈：步驟S1) 首先，利用圖7說明有關膏狀黏著劑的塗佈。圖7是表示實施形態的基板的構成例的俯視圖。

控制部8是從格子狀地配列有附件區域P的基板S的右上的第一列第一行的附件區域P依序將膏狀黏著劑藉由注射器91來塗佈至下方向。然後，控制部8是朝右下的第一列第四行的附件區域P之膏狀黏著劑的塗佈後，從自右算起第二列的最上的位置(第一行)依序將膏狀黏著劑PA塗佈至下方向。然後，控制部8是之後同樣地第三列、第四列、･･･、第八列塗佈。

(外觀檢查：步驟S2) 其次，利用圖7說明有關膏狀黏著劑的外觀檢查。控制部8是在基板S的一個的附件區域P每塗佈膏狀黏著劑就使用預成形攝影機94來對被塗佈的膏狀黏著劑進行攝像，根據被攝像的畫像來實施外觀檢查。亦即，控制部8是以基板S內的某列號碼(Column No.)單位，按每個行號碼(Row No.)塗佈膏狀黏著劑之後實施上述的外觀檢查。

(檢查結果的保存：步驟S3) 其次，利用圖9～圖12來說明有關外觀檢查等的檢查結果的保存。圖9是表示膏狀黏著劑的塗佈檢查時的資料日誌例的圖。圖10是表示膏狀黏著劑的黏著前檢查時的資料日誌例的圖。圖11是表示膏狀黏著劑的塗佈檢查時的狀態的俯視圖。圖12是表示膏狀黏著劑的黏著前檢查時的狀態的俯視圖。

(a)預成形部控制部8是按圖9所示般的每個列號碼(列No.)及行號碼(行No.)，與塗佈膏狀黏著劑的日期及時刻一起，將根據藉由預成形攝影機94所攝像的畫像的檢查結果(測定值)及設定條件作為資料日誌記憶於記憶裝置82。

記憶的檢查結果是膏狀黏著劑的塗佈位置(面積的重心位置)的X座標(塗佈位置X)及Y座標(塗佈位置Y)、膏狀黏著劑的面積(塗佈面積)、膏狀黏著劑的第一位置的塗佈寬(塗佈寬1)及第二位置的塗佈寬(塗佈寬2)。又，記憶的檢查結果是膏狀黏著劑的塗佈前的基板S的識別位置的X座標(基板識別位置X)及Y座標(基板識別位置Y)。膏狀黏著劑的塗佈位置及膏狀黏著劑的面積的檢查結果是亦可只記憶該等的哪一方。

上述的檢查結果是控制部8會藉由預成形攝影機94來對圖11所示般的被塗佈的膏狀黏著劑PA或基板S進行攝像而藉由畫像處理算出。膏狀黏著劑PA的塗佈位置是像素的重心位置(C)，膏狀黏著劑PA的塗佈面積(CA)是像素數，塗佈寬1(W1)及塗佈寬2(W2)是像素數。

而且，記憶的設定條件是膏狀黏著劑的塗佈條件，例如噴嘴高度、噴出壓力、噴出時間。而且，其他記憶的測定值等是噴出壓力測定值、噴出時間測定值、驅動部93的平台實動作時間、登錄時的膏狀黏著劑PA的畫像、異常發生時的膏狀黏著劑PA的畫像。在此，所謂登錄時是意指裝置運轉前的調整結束，膏狀黏著劑的塗佈狀態進入至規格的範圍，或與形成與目標值相等，而開始生產的時機。所謂規格的範圍是意指塗佈量為規定範圍內，或在進行晶粒黏著時膏狀黏著劑之自晶粒的擠出量或厚度或形狀符合製程的規格。另外，噴出壓力是依據從分配器96輸出的壓力訊號(PRS)來測定。噴出時間是藉由計測從分配器96輸出的噴出訊號(DSC)來測定。

(b)接合部控制部8是如圖10所示般，按每個列號碼及行號碼，與黏著前檢查日期及黏著前檢查時刻一起，將根據藉由基板識別攝影機44所攝像的畫像的檢查結果(測定值)作為資料日誌記憶於記憶裝置82。在此，所謂黏著前是意指被塗佈了膏狀黏著劑的基板S從預成形平台FS搬送至接合平台BS，即將接合晶粒D之前。

記憶的檢查結果是以基板識別攝影機44來攝像而藉由畫像處理所算出的黏著前的膏狀黏著劑PB的面積(黏著前塗佈面積)、黏著前的膏狀黏著劑PB的第一位置的寬度(黏著前塗佈寬1)及第二位置的塗佈寬(黏著前塗佈寬2)。

上述的檢查結果是控制部8會藉由基板識別攝影機44來對圖12所示般的被塗佈的膏狀黏著劑PB進行攝像而藉由畫像處理來算出。黏著前塗佈面積(CAB)是像素數，黏著前塗佈寬1(WB1)及黏著前塗佈寬2(WB2)是像素數。黏著前塗佈面積(CAB)、黏著前塗佈寬1(WB1)及黏著前塗佈寬2(WB2)是有比圖9所示的塗佈面積(CA)、塗佈寬1(W1)及塗佈寬2(W2)更大的情形。因為被噴砂處理的基板或黏度小的膏狀黏著劑的情況，膏狀黏著劑是隨著經過時間而擴展。

(異常發生判斷：步驟S4) 控制部8是當塗佈面積超過塗佈面積的上限值(CAmax)時或低於塗佈面積的下限值(CAmin)時，判斷成塗佈面積異常。又，控制部8是當塗佈位置超過塗佈位置的上限值(CPmax)時或低於塗佈位置的下限值(CPmin)時，判斷成塗佈位置異常。

(自我診斷：步驟S5) 控制部8是根據資料日誌進行自我診斷。

首先，控制部8是比較外觀檢查時的檢查資料和比該外觀檢查時更之前取得的資料日誌，掌握傾向而判斷異常的種類。

(a)塗佈面積利用圖13說明有關根據塗佈面積的資料日誌的異常檢測。圖13是表示塗佈次數與塗佈面積的推移例的圖。

圖13是在橫軸顯示各行的膏狀黏著劑的塗佈次數，在縱軸顯示塗佈面積的資料之圖表。若連續的使用，則塗佈面積會因為注射器91內的膏狀黏著劑的水頭差而慢慢地減少。又，塗佈面積會因為膏狀黏著劑的歷時變化所致的黏度變化而慢慢地減少。該等的情況，塗佈面積是沿著以圖示的虛線所示的直線ML幾乎一樣地變化(塗佈面積的變化量幾乎一樣)。在此，直線ML是根據至異常發生之前被記錄的資料日誌，藉由最小平方法來算出的近似直線。所謂一樣地變化是在以對於直線ML平行的點線的直線所示的預定範圍上限UL與以點線的直線所示的預定範圍下限LL之間變化。

控制部8是當塗佈面積超過預定範圍上限UL，且超過塗佈面積的上限值(CAmax)時，或塗佈面積低於預定範圍下限LL，且低於塗佈面積的下限值(CAmin)時，判斷成突發性的異常(ERR1)。控制部8是當塗佈面積為預定範圍上限UL以下，且預定範圍下限LL以上，超出塗佈面積的上限值(CAmax)時，或塗佈面積低於預定範圍下限LL時，判斷成歷時性變化所致的異常(ERR2)。

由於塗佈次數第11次的塗佈面積是低於塗佈面積的下限值(CAmin)，因此為異常，由於低於預定範圍下限LL，因此為突發性的異常(ERR1)。由於塗佈次數第33次的塗佈面積是低於塗佈面積的下限值(CAmin)，因此為異常，由於是預定範圍上限UL以下且預定範圍下限LL以上，因此是歷時性變化所致的異常(ERR2)。在此，塗佈面積的上限值(CAmax)是495(pix)，下限值(CAmin)是465(pix)。在此，pix是像素數。

藉由使用如此的資料日誌，可區別一樣地變化而超過塗佈面積的下限值(CAmin)時的異常(ERR2)與突發性地超過塗佈面積的下限值(CAmin)時的異常(ERR1)。

(突發性的異常) 控制部8是當判斷成突發性的異常時，例如根據從後述的資料日誌及檢查結果所作成的矩陣表來推定異常主要原因。控制部8是當判斷成異常主要原因為塗佈裝置的故障時，執行確認設定噴出壓力與測定噴出壓力的差及設定噴出時間與測定噴出時間的差之警告。控制部8是當判斷成異常主要原因為其他異常時，執行確認膏狀黏著劑的更換後的氣泡混入(膏狀黏著劑的更換作業履歴)之警告。

利用圖14說明有關從資料日誌及檢查結果推定異常主要原因的方法。圖14是表示根據塗佈面積的檢查結果及資料日誌的異常主要原因例的圖。

圖14是比較異常(錯誤)發生時的測定資料及設定資料與異常發生前的資料日誌之矩陣表，控制部8是根據此表來推定異常主要原因。

例如圖14的第四行～第六行所示般，控制部8是比較在異常發生時測定塗佈面積時的設定噴出壓力或設定噴出時間或設定噴嘴高度及資料日誌的設定噴出壓力或設定噴出時間或設定噴嘴高度。然後，當其結果大幅度不同(有變化)時，控制部8是判斷成設定間不同(設定變更所致的錯誤)。又，如圖14的第一行或第二行所示般，當異常發生時與資料日誌為相同的設定(無變化)時，控制部8是判斷成分配器96的異常、配管97的零件或注射器91的異常。在此，配管97的零件或注射器91的異常是例如阻塞或洩漏。

如圖14的第三行所示般，當測定噴出時間在異常發生時與資料日誌大幅度不同時，控制部8是判斷成描繪時間有變化，驅動部93的控制異常。亦可不是噴出時間，而是測定驅動部93的XY軸的動作時間，若此動作時間有變化，則判斷成驅動部93的異常。

另外，雖未圖示，但相對於設定噴出時間，若測定噴出時間大幅度變化，則亦可判斷成分配器96的異常。進一步，亦可藉由比較在上述的登錄時被保存的膏狀黏著劑的畫像與在異常發生時被保存的膏狀黏著劑的畫像，更有助於主要原因的推定。

(歷時性變化所致的異常) 控制部8是當判斷成歷時性變化所致的異常時，執行膏狀黏著劑的殘量少或膏狀黏著劑的黏度變化之警告。有關膏狀黏著劑的黏度變化(劣化)的判斷是在以下說明。

從藉由預成形攝影機94所取得的膏狀黏著劑的塗佈寬(塗佈寬1、塗佈寬2)與藉由基板識別攝影機44所取得的膏狀黏著劑的塗佈寬(黏著前塗佈寬1、黏著前塗佈寬2)的不同及搬送經過時間的資料(同搬送時間的資料比較)來掌握膏狀黏著劑的劣化(黏度變化)。即使根據預成形攝影機94之識別的膏狀黏著劑的塗佈寬相同，若根據基板識別攝影機44之識別(同搬送時間的資料)的膏狀黏著劑的塗佈寬不同，則可假想膏狀黏著劑的黏度變化。

例如，比較圖11所示的塗佈寬(W1，W2)與圖12所示的黏著前塗佈寬(WB1，WB2)。然後，其變化率(WB1/W1、WB2/W2)與從作為資料日誌記錄的塗佈寬和黏著前塗佈寬算出的變化率作比較，當大幅度變化時是判斷成膏狀黏著劑的劣化。但，以膏狀黏著劑的塗佈時刻與黏著前的檢查時刻的差為同等者資料日誌作比較。

又，當膏狀黏著劑的塗佈形狀為塗佈寬的測定困難時，是比較塗佈面積(CA)與黏著前塗佈面積(CAB)。然後，其變化率(CAB/CA)與根據資料日誌算出的變化率作比較，當大幅度變化時是判斷成膏狀黏著劑的劣化。

(b)塗佈位置利用圖15說明有關根據塗佈位置的資料日誌的異常檢測。圖15是表示塗佈次數與塗佈位置Y的推移的圖。

圖15是在橫軸顯示各行的塗佈次數，在縱軸顯示塗佈位置Y的資料之圖表。塗佈位置Y是沿著以圖示的一點虛線所示的直線ML幾乎一樣地變化。在此，直線ML是根據至異常發生之前被記錄的資料日誌，藉由最小平方法來算出的近似直線。所謂一樣地變化是在以對於直線ML平行的點線的直線所示的預定範圍上限UL與以點線的直線所示的預定範圍下限LL之間變化。

控制部8是當塗佈位置超過預定範圍上限UL，且超過塗佈位置的上限值(CPmax)時，或塗佈位置低於預定範圍下限LL，且低於塗佈位置的下限值(CPmin)時，判斷成突發性的異常(ERR1)。控制部8是當塗佈位置為預定範圍上限UL以下，且預定範圍下限LL以上，超過塗佈位置的上限值(CPmax)時，或塗佈位置低於預定範圍下限LL時，判斷成歷時性變化所致的異常(ERR2)。

由於塗佈次數第11次的塗佈位置Y是低於塗佈位置Y的下限值(CPmin)，因此為異常，由於低於預定範圍下限LL，因此為突發性的異常(ERR1)。由於塗佈次數第33次的塗佈位置Y是低於塗佈位置Y的下限值(CPmin)，因此為異常，由於是預定範圍上限UL以下且預定範圍下限LL以上，因此為歷時性變化所致的異常(ERR2)。在此，塗佈位置的上限值(CPmax)是755(pix)，下限值(CPmin)是-75(pix)。另外，ERR2是也低於預定範圍下限LL。

控制部8是當判斷成突發性的異常時，判斷成異常主要原因為零件鬆弛等所致的突發性的位置變化，警告其要旨。

控制部8是當判斷成歷時性變化所致的異常時，執行驅動部93的平台的連續運轉所致的延伸造成塗佈位置的變化之警告。

從膏狀黏著劑的塗佈前的基板S的識別位置(基板識別位置X、基板識別位置Y)與塗佈後的塗佈位置(塗佈位置X、塗佈位置Y)的資料的差來判斷驅動部93的平台或搬送部5的基板搬送機構的異常。當基板S的位置是正常，塗佈位置為偏離時，可判斷成驅動部93的平台的動作異常。

另外，利用圖16說明有關和塗佈面積的異常的有無一起推定異常主要原因的方法。圖16是表示根據塗佈位置及塗佈面積的檢查結果的異常主要原因例的圖。

如圖16所示般，雖塗佈面積的檢查結果為正常，但當塗佈位置X或塗佈位置Y大幅度變動時是判斷成注射器91的固定位置變化或驅動部93的平台故障。當塗佈面積的檢查結果為異常，塗佈位置X或塗佈位置Y大幅度變動時，確認塗佈面積的錯誤發生的主要原因。

(修正：步驟S6) 利用圖17說明有關進行根據塗佈面積的資料日誌的設定值的修正之方法。圖17是表示塗佈次數與塗佈面積的推移例及修正噴出壓力的設定值的意象的圖。

將現狀的塗佈面積資料與資料日誌作比較，當塗佈面積資料一樣地變化時，亦可以測定的塗佈面積的變化量會接近0的方式變更(增減)噴出壓力或噴出時間的設定而使得維持規定的塗佈面積。具體而言，例如下述般進行。

將修正計算的取樣(sampling)數設為N。在圖是顯示N=8的情況。

若到達N個的取樣數，則從該等藉由最小平方法等來計算圖的點線所示的近似直線，計算其近似直線的傾斜度(A)。

考慮傾斜度(A)來變更噴出壓力或噴出時間等的設定。當傾斜度(A)超過上限時(A＞Amax)是減少噴出壓力或噴出時間部分，當傾斜度(A)低於下限時(A＜Amin)是增加噴出壓力或噴出時間部分。在此，Amax是傾斜度(A)的上限值，Amin是傾斜度(A)的下限值。圖是A＜Amin的情況，增加噴出壓力而使得增加圖的實線所示的近似直線的傾斜度(A)。

根據塗佈位置的資料日誌之設定值的修正是與根據塗佈面積的資料日誌之設定值的修正同樣地進行。比較現狀的塗佈位置資料，一樣地變化時，是以測定的塗佈位置的變化量會接近0的方式變更塗佈位置的設定而使得維持於規定的塗佈位置。

利用圖18來說明有關根據塗佈面積的資料日誌的設定值的其他的修正方法。圖18是表示塗佈次數與塗佈面積的推移例及修正噴出壓力的設定值的意象的圖。

比較現狀的塗佈面積資料，一樣地變化時，是在上下限值的內側設定修正臨界值，在超過該修正臨界值時變更噴出壓力或噴出時間的設定而使得維持規定的塗佈面積。

根據塗佈面積的資料日誌之設定值的修正方法是以測定的塗佈面積(MCA)與登錄的塗佈面積(RCA)的偏差會為基準範圍內的方式增減噴出壓力或噴出時間來修正設定。此時，塗佈面積的上限值(CAmax)及下限值(CAmin)是分開設置成為開始噴出量修正的判斷基準之塗佈面積的修正上臨界值(CCAmax)及修正下臨界值(CCAmin)。在此，就圖而言，塗佈面積的修正上臨界值(CCAmax)是490(pix)，修正下臨界值(CCAmin)是470(pix)。塗佈面積的上值(CAmax)是495(pix)，下值(CAmin)是465(pix)。

MCA＜CCAmin且CAmin＜MCA時，增加噴出壓力或噴出時間。CCAmax＜MCA且MCA＜CAmax時，減少噴出壓力或噴出時間。噴出壓力或噴出時間等的增減控制是一旦測定的塗佈面積(MCA)到達登錄的塗佈面積(RCA)則結束。圖是在塗佈次數第26次，超過(低於)塗佈面積的修正下臨界值(CCAmin)，因此增加噴出壓力。

根據塗佈位置的資料日誌之設定值的修正是與根據塗佈面積的資料日誌之設定值的修正同樣地進行。比較現狀的塗佈位置資料，一樣地變化時，是在上下限值的內側設定修正臨界值，在超過該修正臨界值時變更塗佈位置的設定而使得維持規定的塗佈位置。以測定的塗佈位置(MCP)與登錄的塗佈位置(RCP)的偏差會為基準範圍內的方式增減塗佈位置的X座標或Y座標。此時，塗佈位置的上限值(CPmax)及下限值(CPmin)是分開設置成為開始塗佈位置的修正的判斷基準之塗佈位置的修正上臨界值(CCPmax)及修正下臨界值(CCPmin)。

MCP＜CCPmin且CPmin＜MCP時，增加塗佈位置的設定。CCPmax＜MCP且MCP＜CPmax時，減少塗佈位置的設定。

若根據本實施形態，則由於以外觀檢查結果(塗佈面積、塗佈位置等)與該時的設定資料作為資料日誌記錄，因此成為比較可能配合其他的條件，所以可自我診斷被塗佈於基板的膏狀黏著劑的塗佈異常(外觀檢查異常)的位置與該時的條件、使用的膏狀黏著劑、塗佈裝置的機構的異常。並且，可從該判斷來進行塗佈量或塗佈位置的設定資料的修正。黏著精度改善及裝置故障低減(預防性維護(Preventive maintenance)時期的判斷)成為可能。

以上，根據實施形態具體說明藉由本案發明者們所研發的發明，但本案不是被限定於上述實施形態者，當然可為各種變更。

例如，進行膏狀黏著劑的噴出量的自動調整時，是亦可從資料日誌掌握用以維持正常狀態的噴出壓力等的設定的推移，判斷使用的膏狀黏著劑的歷時劣化(黏度變化)。

又，在實施形態中，說明了在晶粒供給部1與接合部4之間設置中間平台部3，將在拾取頭21從晶粒供給部1拾取的晶粒D載置於中間平台31，在接合頭41從中間平台31再度拾取晶粒D，接合於被搬送來的基板S之例，但亦可在接合頭41將從晶粒供給部1拾取的晶粒D接合於基板S。

8:控制部 10:黏晶機(黏晶裝置) 41:接合頭 94:預成形攝影機(第一攝像裝置) D:晶粒 FS:預成形平台(第一平台) S:基板

[圖1]是表示實施形態的黏晶機的概略的俯視圖。 [圖2]是說明在圖1中從箭號A方向看時，拾取頭及接合頭的動作的圖。 [圖3]是表示圖1所示的晶粒供給部的主要部的概略剖面圖。 [圖4]是表示圖1所示的黏晶機的控制系的概略構成的方塊圖。 [圖5]是表示使用了圖1所示的黏晶機的半導體裝置的製造方法的流程圖。 [圖6]是表示預成形部的構成例的方塊圖。 [圖7]是表示實施形態的基板的構成例的俯視圖。 [圖8]是表示膏狀黏著劑的塗佈工序的流程圖。 [圖9]是表示膏狀黏著劑的塗佈檢查時的資料日誌例的圖。 [圖10]是表示膏狀黏著劑的黏著前檢查時的資料日誌例的圖。 [圖11]是表示膏狀黏著劑的塗佈檢查時的狀態的俯視圖。 [圖12]是表示膏狀黏著劑的黏著前檢查時的狀態的俯視圖。 [圖13]是表示塗佈次數與塗佈面積的推移例的圖。 [圖14]是表示根據塗佈面積的檢查結果及資料日誌的異常主要原因例的圖。 [圖15]是表示塗佈次數與塗佈位置Y的推移的圖。 [圖16]是表示根據塗佈位置及塗佈面積的檢查結果的異常主要原因例的圖。 [圖17]是表示塗佈次數與塗佈面積的推移例及修正噴出壓力的設定值的意象的圖。 [圖18]是表示塗佈次數與塗佈面積的推移例及修正噴出壓力的設定值的意象的圖。

8:控制部

91:注射器

92:塗佈噴嘴

93:驅動部

94:預成形攝影機(第一攝像裝置)

95:注射器夾具

96:分配器

96a:壓縮空氣供給埠

96b:真空用排氣埠

96c:排氣埠

96d:空氣控制輸出埠

96e:壓力感測器

97:配管

DSC:噴出訊號

FS:預成形平台(第一平台)

Hn:噴嘴高度

PRS:壓力訊號

S:基板

Claims

一種黏晶裝置，其特徵是具備：支撐基板的第一平台；在前述基板上塗佈膏狀黏著劑的塗佈裝置；對前述基板及被塗佈於前述基板的前述膏狀黏著劑進行攝像的第一攝像裝置；在被塗佈了前述膏狀黏著劑的前述基板上搭載晶粒的接合頭；及根據前述第一攝像裝置所攝像的前述膏狀黏著劑的第一畫像來進行第一外觀檢查的控制裝置，前述控制裝置是被構成為：每將膏狀黏著劑塗佈於基板就進行外觀檢查，以從前述第一畫像算出的膏狀黏著劑的塗佈面積及膏狀黏著劑的塗佈位置或包含該哪一方的資料作為資料日誌來記錄於記憶裝置，根據在外觀檢查時取得的前述資料及在比該外觀檢查時更之前記錄於前述記憶裝置的前述資料日誌來計算前述塗佈面積或前述塗佈位置、或者顯示其雙方的推移的近似直線，判斷前述資料相對於前述近似直線是否位於預定範圍內，判斷被塗佈的膏狀黏著劑的狀態為正常或異常。
如請求項1的黏晶裝置，其中，前述控制裝置是被構成為：在前述外觀檢查時取得的前述資料相對於前述近似直線，偏離前述預定範圍內，且偏離正常的範圍時，判斷成突發性的異常。
如請求項2的黏晶裝置，其中，前述塗佈裝置是具備：儲存前述膏狀黏著劑的注射器；及為了從前述注射器噴出前述膏狀黏著劑而供給加壓氣體的分配器，前述控制裝置是被構成為：進一步以前述加壓氣體的噴出壓力的設定值、前述加壓氣體的噴出時間的設定值、前述噴出壓力的測定值及前述噴出時間的測定值作為前述資料日誌來記錄於前述記憶裝置，檢測出前述塗佈面積的突發性的異常，當前述噴出壓力的設定值與前述噴出壓力的測定值不同時，或前述噴出時間的設定值與前述噴出時間的測定值不同時，判斷成前述分配器的異常。
一種黏晶裝置，其特徵是具備：支撐基板的第一平台；在前述基板上塗佈膏狀黏著劑的塗佈裝置；將被塗佈了前述膏狀黏著劑的前述基板搬送至第二平台的搬送裝置；對前述基板及被塗佈於前述基板的前述膏狀黏著劑進行攝像的第一攝像裝置；對被搬送至前述第二平台的前述基板的前述膏狀黏著劑進行攝像的第二攝像裝置；在被塗佈了前述膏狀黏著劑的前述基板上搭載晶粒的接合頭；及根據前述第一攝像裝置所攝像的前述膏狀黏著劑的第一畫像來進行第一外觀檢查的控制裝置，前述控制裝置是被構成為：每將膏狀黏著劑塗佈於基板就進行外觀檢查，以從前述第一畫像算出的膏狀黏著劑的塗佈面積及膏狀黏著劑的塗佈位置或包含該哪一方的資料作為資料日誌來記錄於記憶裝置，根據在外觀檢查時取得的前述資料及在比該外觀檢查時更之前記錄於前述記憶裝置的前述資料日誌來判斷被塗佈的膏狀黏著劑的狀態為正常或異常，進一步根據前述第二攝像裝置所攝像的前述膏狀黏著劑的畫像來進行第二外觀檢查，進一步以從前述第一畫像算出的膏狀黏著劑的塗佈寬及從藉由前述第二攝像裝置所攝像的第二畫像算出的膏狀黏著劑的黏著前塗佈寬作為前述資料日誌來記錄於前述記憶裝置，根據外觀檢查時的前述塗佈寬與前述黏著前塗佈寬的變化率及比該外觀檢查時更之前記錄於前述記憶裝置的作為資料日誌的塗佈寬與登錄前塗佈寬的變化率來判斷膏狀黏著劑是否劣化。
一種黏晶裝置，其特徵是具備：支撐基板的第一平台；在前述基板上塗佈膏狀黏著劑的塗佈裝置；將被塗佈了前述膏狀黏著劑的前述基板搬送至接合平台的搬送裝置；對前述基板及被塗佈於前述基板的前述膏狀黏著劑進行攝像的第一攝像裝置；對被搬送至前述接合平台的前述基板的前述膏狀黏著劑進行攝像的第二攝像裝置；在被塗佈了前述膏狀黏著劑的前述基板上搭載晶粒的接合頭；及根據前述第一攝像裝置所攝像的前述膏狀黏著劑的第一畫像來進行第一外觀檢查的控制裝置，前述控制裝置是被構成為：每將膏狀黏著劑塗佈於基板就進行外觀檢查，以從前述第一畫像算出的膏狀黏著劑的塗佈面積及膏狀黏著劑的塗佈位置或包含該哪一方的資料作為資料日誌來記錄於記憶裝置，根據在外觀檢查時取得的前述資料及在比該外觀檢查時更之前記錄於前述記憶裝置的前述資料日誌來判斷被塗佈的膏狀黏著劑的狀態為正常或異常，進一步根據前述第二攝像裝置所攝像的前述膏狀黏著劑的畫像來進行第二外觀檢查，進一步以從藉由前述第二攝像裝置所攝像的第二畫像算出的膏狀黏著劑的黏著前塗佈面積作為前述資料日誌來記錄於前述記憶裝置，根據外觀檢查時的前述塗佈面積與前述黏著前塗佈面積的變化率及在比該外觀檢查時更之前記錄於前述記憶裝置的作為資料日誌的塗佈面積與登錄前塗佈面積的變化率來判斷膏狀黏著劑是否劣化。
一種黏晶裝置，其特徵是具備：支撐基板的第一平台；在前述基板上塗佈膏狀黏著劑的塗佈裝置；對前述基板及被塗佈於前述基板的前述膏狀黏著劑進行攝像的第一攝像裝置；在被塗佈了前述膏狀黏著劑的前述基板上搭載晶粒的接合頭；及根據前述第一攝像裝置所攝像的前述膏狀黏著劑的第一畫像來進行第一外觀檢查的控制裝置，前述控制裝置是被構成為：每將膏狀黏著劑塗佈於基板就進行外觀檢查，以從前述第一畫像算出的膏狀黏著劑的塗佈面積及膏狀黏著劑的塗佈位置或包含該哪一方的資料作為資料日誌來記錄於記憶裝置，根據在外觀檢查時取得的前述資料及在比該外觀檢查時更之前記錄於前述記憶裝置的前述資料日誌來判斷被塗佈的膏狀黏著劑的狀態為正常或異常，藉由前述第一攝像裝置，在被塗佈前述膏狀黏著劑之前，對前述基板進行攝像而取得第三畫像，以從前述第三畫像算出的基板識別位置作為前述資料日誌來記錄於前述記憶裝置，當判斷成前述膏狀黏著劑的塗佈位置為異常時，根據前述基板識別位置及前述塗佈位置來判斷異常主要原因。
如請求項1的黏晶裝置，其中，前述塗佈裝置是具備：儲存前述膏狀黏著劑的注射器；為了從前述注射器噴出前述膏狀黏著劑而供給加壓氣體的分配器；及移動前述注射器的驅動部，前述控制裝置是被構成為：在前述外觀檢查時取得的前述塗佈面積相對於前述近似直線，位於預定範圍內，且偏離正常的範圍時，警告前述注射器內的膏狀黏著劑的殘量少，或黏度變化，在前述外觀檢查時取得的前述塗佈位置相對於前述近似直線，位於預定範圍內，且偏離正常的範圍時，警告前述驅動部的連續動作所致的延伸造成異常。
如請求項7的黏晶裝置，其中，前述異常是膏黏著劑的塗佈位置偏離。
如請求項1的黏晶裝置，其中，前述塗佈裝置是具備：儲存前述膏狀黏著劑的注射器；為了從前述注射器噴出前述膏狀黏著劑而供給加壓氣體的分配器；及移動前述注射器的驅動部，前述控制裝置是被構成為：進一步以前述加壓氣體的噴出壓力的設定值、前述加壓氣體的噴出時間的設定值及前述塗佈位置的設定值作為資料日誌來記錄於記憶裝置，在前述外觀檢查時取得的前述資料相對於前述近似直線，位於預定範圍內，且位於正常的範圍內時，以變化量會接近0的方式修正噴出壓力的設定值或前述噴出時間的設定值或前述塗佈位置的設定值。
如請求項9的黏晶裝置，其中，前述控制裝置是被構成為：每N次的外觀檢查，就根據前述資料日誌的前述塗佈面積，藉由最小平方法來計算前述近似直線，算出其傾斜度，當前述傾斜度比預定的最大傾斜度更大時，減少噴出壓力的設定值或噴出時間的設定值，當前述傾斜度比預定的最小傾斜度更小時，增大噴出壓力的設定值或噴出時間的設定值。
如請求項9的黏晶裝置，其中，前述控制裝置是被構成為：在前述正常的範圍的上限值及下限值的內側設定修正臨界值，在前述外觀檢查時取得的前述塗佈面積超過前述修正臨界值，且不超過前述下限值時，增加噴出壓力的設定值或噴出時間的設定值，在前述外觀檢查時取得的前述塗佈面積超過前述修正臨界值，且不超過前述上限值時，減少噴出壓力的設定值或噴出時間的設定值。
一種半導體裝置的製造方法，其特徵是包含：在基板上塗佈膏狀黏著劑的塗佈工序；每將膏狀黏著劑塗佈於前述基板就藉由第一攝像裝置來對被塗佈於前述基板的前述膏狀黏著劑進行攝像而取得第一畫像，根據前述第一畫像來進行外觀檢查的檢查工序；將被塗佈了前述膏狀黏著劑的前述基板搬送至第二平台的搬送工序；藉由第二攝像裝置來對被搬送至前述第二平台的前述基板的前述膏狀黏著劑進行攝像而取得第二畫像，根據前述第二畫像來進行第二外觀檢查的第二檢查工序；及在被塗佈了前述膏狀黏著劑的前述基板上接合晶粒的搭載工序，前述檢查工序為：以從前述第一畫像算出的膏狀黏著劑的塗佈面積及膏狀黏著劑的塗佈位置或包含該哪一方的資料作為資料日誌來記錄於記憶裝置，根據在外觀檢查時取得的前述資料及在比該外觀檢查時更之前記錄的前述資料日誌來判斷被塗佈的膏狀黏著劑為正常或異常，前述第二檢查工序為：將從前述第二畫像算出的膏狀黏著劑的塗佈寬及從藉由前述第二攝像裝置所攝像的第二畫像算出的膏狀黏著劑的黏著前塗佈寬記錄於前述記憶裝置，根據外觀檢查時的前述塗佈寬與前述黏著前塗佈寬的變化率及比該外觀檢查時更之前記錄於前述記憶裝置的作為資料日誌的塗佈寬與登錄前塗佈寬的變化率來判斷膏狀黏著劑是否劣化。
一種半導體裝置的製造方法，其特徵是包含：在基板上塗佈膏狀黏著劑的塗佈工序；每將膏狀黏著劑塗佈於前述基板就藉由第一攝像裝置來對被塗佈於前述基板的前述膏狀黏著劑進行攝像而取得第一畫像，根據前述第一畫像來進行外觀檢查的檢查工序；將被塗佈了前述膏狀黏著劑的前述基板搬送至接合平台的搬送工序；藉由第二攝像裝置來對被搬送至前述接合平台的前述基板的前述膏狀黏著劑進行攝像而取得第二畫像，根據前述第二畫像來進行第二外觀檢查的第二檢查工序；及在被塗佈了前述膏狀黏著劑的前述基板上接合晶粒的搭載工序，前述檢查工序為：以從前述第一畫像算出的膏狀黏著劑的塗佈面積及膏狀黏著劑的塗佈位置或包含該哪一方的資料作為資料日誌來記錄於記憶裝置，根據在外觀檢查時取得的前述資料及在比該外觀檢查時更之前記錄的前述資料日誌來判斷被塗佈的膏狀黏著劑為正常或異常，前述第二檢查工序為：將從前述第二畫像算出的膏狀黏著劑的塗佈面積及從藉由前述第二攝像裝置所攝像的第二畫像算出的膏狀黏著劑的黏著前塗佈面積記錄於前述記憶裝置，根據外觀檢查時的前述塗佈面積與前述黏著前塗佈面積的變化率及在比該外觀檢查時更之前記錄於前述記憶裝置的作為資料日誌的塗佈面積與登錄前塗佈面積的變化率來判斷膏狀黏著劑是否劣化。
如請求項12或13的半導體裝置的製造方法，其中，前述檢查工序為：根據前述資料日誌來計算前述塗佈面積或前述塗佈位置，或者顯示該雙方的推移之近似直線，判斷在前述外觀檢查時取得的前述資料相對於前述近似直線是否位於預定範圍內。
如請求項14的半導體裝置的製造方法，其中，前述檢查工序是在前述外觀檢查時取得的前述資料相對於前述近似直線，偏離前述預定範圍內，且偏離正常的範圍時，判斷成突發性的異常。
如請求項14的半導體裝置的製造方法，其中，前述塗佈的工序是藉由具有儲存前述膏狀黏著劑的注射器及為了從前述注射器噴出前述膏狀黏著劑而供給加壓氣體的分配器之塗佈裝置來進行，前述檢查工序為：進一步以前述加壓氣體的噴出壓力的設定值、前述加壓氣體的噴出時間的設定值及前述塗佈位置的設定值作為資料日誌來記錄於記憶裝置，在前述外觀檢查時取得的前述資料相對於前述近似直線，位於預定範圍內，且位於正常的範圍內時，以變化量會接近0的方式修正噴出壓力的設定值或前述噴出時間的設定值或前述塗佈位置的設定值。