TWI853345B

TWI853345B - 攝像系統鏡片組、取像裝置及電子裝置

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Publication number: TWI853345B
Application number: TW111144183A
Authority: TW
Inventors: 林冠博; 湯相岐; 薛鈞哲; 陳奕璇
Original assignee: 大立光電股份有限公司
Priority date: 2022-11-07
Filing date: 2022-11-18
Publication date: 2024-08-21
Also published as: TW202419912A

Abstract

一種攝像系統鏡片組，包含至少四片透鏡。所述至少四片透鏡沿光路由物側至像側依序為第一透鏡、第二透鏡、至少一片後續透鏡以及最靠近成像面的最後透鏡，且所述至少四片透鏡分別具有朝向物側方向的物側表面與朝向像側方向的像側表面。從第二透鏡像側表面至最後透鏡物側表面當中的至少一表面為具有次波長微結構的超穎表面。當滿足特定條件時，攝像系統鏡片組能同時滿足微型化和高成像品質的需求。

Description

攝像系統鏡片組、取像裝置及電子裝置

本揭示係關於一種攝像系統鏡片組、取像裝置及電子裝置，特別是一種適用於電子裝置的攝像系統鏡片組及取像裝置。

隨著半導體製程技術更加精進，使得電子感光元件性能有所提升，畫素可達到更微小的尺寸，因此，具備高成像品質的光學鏡頭儼然成為不可或缺的一環。

而隨著科技日新月異，配備光學鏡頭的電子裝置的應用範圍更加廣泛，對於光學鏡頭的要求也是更加多樣化。往昔之光學鏡頭較不易在成像品質、敏感度、光圈大小、體積或視角等需求間取得平衡，特別是傳統的折射透鏡是透過表面曲率的變化來利用折射光學以控制成像品質，使得厚度縮減的空間受到限制，其缺點包括尺寸過大、製造精度有限，阻礙了光學組件在不同領域的應用範圍。因此，本發明提供了一種光學鏡頭以符合需求。

本揭示提供一種攝像系統鏡片組、取像裝置以及電子裝置。其中，攝像系統鏡片組沿著光路由物側至像側包含依序排列的多片透鏡，這些透鏡當中至少有一個表面為超穎表面。超穎表面(metasurface)可利用製作在基底表面上的次波長尺度微結構所產生的光學特性來控制光束，調整光的相位來改變光的路徑，可以實現光學元件的薄型化，達成緊湊配置的攝像系統鏡片組。並且，當滿足特定條件時，本揭示提供的攝像系統鏡片組能同時滿足微型化和高成像品質的需求。

本揭示提供一種攝像系統鏡片組，包含至少四片透鏡。所述至少四片透鏡沿光路由物側至像側依序為第一透鏡、第二透鏡、至少一片後續透鏡以及最靠近成像面的最後透鏡。所述至少四片透鏡分別具有朝向物側方向的物側表面與朝向像側方向的像側表面。較佳地，從第二透鏡像側表面至最後透鏡物側表面當中的至少一表面為具有次波長微結構的超穎表面。攝像系統鏡片組的焦距為f，攝像系統鏡片組的最大成像高度為ImgH，第一透鏡物側表面的曲率半徑為R1，第一透鏡的焦距為f1，其較佳地滿足下列條件：0.03<f/|R1|<30.00；以及0.05<|ImgH/f1|<10.00；其中，最大視場邊緣光線入射至超穎表面的最大角度為θm，且在最靠近物側的超穎表面之處較佳地滿足下列條件：θm<40.0[度]。

本揭示另提供一種攝像系統鏡片組，包含至少三片透鏡。所述至少三片透鏡分別具有朝向物側方向的物側表面與朝向像側方向的像側表面。較佳地，所述至少三片透鏡當中的至少一片透鏡為純折射透鏡，且所述至少三片透鏡當中的至少另一片透鏡為超穎透鏡(metalens)。較佳地，超穎透鏡其物側表面與其像側表面當中的至少一表面為超穎表面，超穎透鏡包含基底以及形成於基底上的次波長微結構，且超穎表面包含基底之表面以及形成於基底之表面上的次波長微結構。較佳地，基底之表面為平面。較佳地，所述至少三片透鏡至少包含最靠近物側的三片透鏡，且所述三片透鏡沿光路由物側至像側依序為第一透鏡、第二透鏡以及第三透鏡。攝像系統鏡片組當中最靠近物側的超穎表面至成像面於光軸上的距離為ML，第一透鏡物側表面至成像面於光軸上的距離為TL，第二透鏡與第三透鏡於光軸上的間隔距離為T23，第一透鏡物側表面至最靠近成像面之最後透鏡之像側表面於光軸上的距離為TD，攝像系統鏡片組當中所有純折射透鏡材料與所有超穎透鏡之基底材料的阿貝數最小值為Vmin，其較佳地滿足下列條件：0.05<ML/TL<0.98； 0.005<T23/TD<0.80；以及Vmin<30.0；其中，最大視場邊緣光線入射至超穎表面的最大角度為θm，且在最靠近成像面的超穎表面之處較佳地滿足下列條件：θm<32.0[度]。

本揭示再提供一種攝像系統鏡片組，包含多片透鏡。所述透鏡至少包含最靠近物側的第一透鏡以及至少一片後續透鏡。所述透鏡分別具有朝向物側方向的物側表面與朝向像側方向的像側表面。較佳地，第一透鏡為純折射透鏡。較佳地，所述至少一片後續透鏡當中的至少一片透鏡為超穎透鏡。較佳地，超穎透鏡其物側表面與其像側表面當中的至少一表面為超穎表面，超穎透鏡包含基底以及形成於基底上的次波長微結構，且超穎表面包含基底之表面以及形成於基底之表面上的次波長微結構。較佳地，基底之表面為平面。攝像系統鏡片組當中所有純折射透鏡材料與所有超穎透鏡之基底材料的阿貝數最小值為Vmin，攝像系統鏡片組當中最靠近物側的純折射透鏡於光軸上的厚度為CTc1，攝像系統鏡片組當中最靠近成像面的純折射透鏡其像側表面的曲率半徑為RLci，其較佳地滿足下列條件：6.0<Vmin<20.0；以及0.01<CTc1/|RLci|<30.00。

本揭示又提供一種攝像系統鏡片組，包含至少五片透鏡。所述至少五片透鏡沿光路由物側至像側依序為第一透鏡、第二透鏡、至少兩片後續透鏡以及最靠近成像面的最後透鏡。所述至少五片透鏡分別具有朝向物側方向的物側表面與朝向像側方向的像側表面。較佳地，所述至少五片透鏡當中的至少一片透鏡為純折射透鏡，且所述至少五片透鏡當中的至少另一片透鏡為超穎透鏡。較佳地，從第二透鏡像側表面至最後透鏡像側表面當中的至少一表面為具有次波長微結構的超穎表面。較佳地，攝像系統鏡片組當中最靠近成像面的純折射透鏡其像側表面於近光軸處為凹面。攝像系統鏡片組的焦距為f，攝像系統鏡片組當中最靠近物側之純折射透鏡的焦距為fc1，其較佳地滿足下列條件：0.015<f/|fc1|<20.00。

本揭示提供一種取像裝置，其包含前述的攝像系統鏡片組以及一電子感光元件，其中電子感光元件設置於攝像系統鏡片組的成像面上。

本揭示提供一種電子裝置，其包含前述的取像裝置。

當f/|R1|滿足上述條件時，可調整第一透鏡物側表面的曲率半徑，以控制光線進入攝像系統鏡片組的角度，有助於調整視角與物側端的外徑大小。

當|ImgH/f1|滿足上述條件時，可調整第一透鏡的焦距，使攝像系統鏡片組在物側端具有足夠的屈折力以修正像差。

當在最靠近物側的超穎表面之處的θm滿足上述條件時，可調整光線於攝像系統鏡片組的物側端之超穎表面的入射角，有助於避免光線強度於成像過程有過多的損耗。

當在最靠近成像面的超穎表面之處的θm滿足上述條件時，可調整光線於攝像系統鏡片組的像側端之超穎表面的入射角，有助於維持次波長微結構修正像差的能力，以提升成像品質。

當ML/TL滿足上述條件時，可調整超穎表面於攝像系統鏡片組中的位置，有助於修正色差等像差以提升成像品質。

當T23/TD滿足上述條件時，可調整透鏡間距於攝像系統鏡片組中的比例，避免透鏡間距過小而導致透鏡之間產生干涉或透鏡間距過大而導致偏心誤差增加。

當Vmin滿足上述條件時，可調整透鏡的阿貝數，有助於各透鏡相互配合以修正色差。

當CTc1/|RLci|滿足上述條件時，可調整最靠近成像面之純折射透鏡像側表面的曲率半徑，有助於提升所述純折射透鏡修正像彎曲的能力。

當f/|fc1|滿足上述條件時，可調整最靠近物側之純折射透鏡的焦距，使攝像系統鏡片組在物側端具有足夠的屈折力以修正像差。

攝像系統鏡片組包含多片透鏡，並且這些透鏡至少包含最靠近物側的第一透鏡以及至少一片後續透鏡。其中，這些透鏡更可包含第二透鏡，第二透鏡在第一透鏡的像側相鄰於第一透鏡，且第一透鏡與第二透鏡之間無其他透鏡。其中，這些透鏡的數量可為至少三片，所述至少三片透鏡至少包含最靠近物側的三片透鏡，且所述最靠近物側的三片透鏡沿光路由物側至像側可依序為第一透鏡、第二透鏡以及第三透鏡。其中，這些透鏡的數量可為至少四片，且所述至少四片透鏡沿光路由物側至像側可依序為第一透鏡、第二透鏡、至少一片後續透鏡以及最靠近成像面的最後透鏡。其中，這些透鏡的數量可為至少五片，且所述至少五片透鏡沿光路由物側至像側可依序為第一透鏡、第二透鏡、至少兩片後續透鏡以及最靠近成像面的最後透鏡。其中，這些透鏡分別具有朝向物側方向的物側表面與朝向像側方向的像側表面。

攝像系統鏡片組的透鏡可為超穎透鏡(metalens)或純折射透鏡。其中，這些透鏡當中的至少一片透鏡可為超穎透鏡。其中，這些透鏡當中的至少另一片透鏡可為純折射透鏡。藉此，可有效降低生產成本，有助於增加量產能力。其中，攝像系統鏡片組可至少包含兩片純折射透鏡。

在本文中所提到的用語「超穎透鏡」，係指此透鏡在其物側表面與其像側表面當中的至少一表面為具有次波長微結構的超穎表面(metasurface)。或者也可以說，超穎透鏡可包含基底以及次波長微結構，其中基底可等效為純折射透鏡或平板光學元件，次波長微結構設置於基底並且朝向物側和像側當中的至少一者，並且次波長微結構本身以及形成有此次波長微結構的基底之表面可共同作為超穎透鏡的超穎表面。藉此，有助於減少單一透鏡的厚度並改善像差。在本文中所提到的用語「次波長微結構」，係指此結構在至少一維度上的形狀或排列週期小於參考波長。其中，超穎透鏡其物側表面與其像側表面亦可皆為具有次波長微結構的超穎表面。藉此，可使單一透鏡雙面的次波長微結構相互配合，進一步修正攝像系統鏡片組的色差等像差。其中，從第二透鏡像側表面至最後透鏡像側表面當中的至少一表面可為具有次波長微結構的超穎表面。藉此，有助於修正物側端透鏡所產生的像差。其中，從第二透鏡像側表面至最後透鏡物側表面當中的至少一表面可為具有次波長微結構的超穎表面。其中，具有次波長微結構的超穎表面其基底之表面可為平面。藉此，有助於維持次波長微結構的製造良率。其中，超穎表面其基底材料可為玻璃(如二氧化矽(SiO₂)或熔融石英(fused silica)等等)、石英或聚合物(如聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate),PMMA)、SU-8光刻膠(SU-8 photoresist)或塑膠等等)。

次波長微結構可為奈米鰭(nanofin)，且奈米鰭之各單位結構橫截面於透鏡表面的不同位置可具有不同的旋轉角度。其中，奈米鰭可利用改變結構旋轉角度來完成對0~2π的相位控制。或者，次波長微結構亦可為奈米柱(nanopillar)，且奈米柱之各單位結構橫截面於透鏡表面的不同位置可具有不同的尺寸大小。其中，奈米柱可利用改變結構尺寸大小來完成對0~2π的相位控制。藉由透過調整次波長微結構於透鏡表面的幾何結構與分布，有助於控制光線的相位。其中，次波長微結構可以六角週期排列(hexagonal periodic array)於基底之表面上。藉此，可使次波長微結構的週期性結構排列具有良好的對稱性，以提升攝像系統鏡片組的穩定性。其中，次波長微結構可為介電質材質(如Al₂O₃、SiO₂、TiO₂、HfO₂、Si₃N₄等等)。藉此，可調整次波長微結構的材質，並可有效調控電與磁的共振，有助於控制光學特性。其中，次波長微結構的材質亦可為III-V族半導體(如BP、GaN、GaAs等等)或矽等等。請參照圖48與圖49，係分別繪示有依照本揭示之奈米鰭形式之次波長微結構Lm的上視示意圖與奈米鰭形式之次波長微結構Lm之單位結構的立體示意圖。請參照圖50與圖51，係分別繪示有依照本揭示之奈米柱形式之次波長微結構Lm的上視示意圖與奈米柱形式之次波長微結構Lm之單位結構的立體示意圖。在圖48與圖49中，參數θ為奈米鰭之單位結構的結構旋轉角度，參數L、W、H分別為奈米鰭之單位結構的長度、寬度與高度。在圖51中，參數D為奈米柱之單位結構的橫截面直徑，參數H為奈米柱之單位結構的高度。

在本文中所提到的用語「純折射透鏡」，係指此透鏡其物側表面和像側表面皆不具有次波長微結構的光學折射元件。純折射透鏡可為塑膠材質且其物側表面與其像側表面皆可為非球面。藉此，可有效降低生產成本，提升設計自由度，有助於增加量產能力。其中，攝像系統鏡片組當中最靠近物側的透鏡(第一透鏡)可為純折射透鏡(意即，上述至少一片後續透鏡當中的至少一者可為超穎透鏡)。藉此，可使第一透鏡具備足夠的光線偏折能力，有助於透過改變第一透鏡的形狀來設計出各種類型(如廣角鏡頭、主鏡頭、望遠鏡頭)的光學系統。其中，攝像系統鏡片組當中最靠近物側的透鏡(第一透鏡)可為純折射透鏡且具有負屈折力。藉此，可調整攝像系統鏡片組的屈折力配置，有助於增大視角。其中，攝像系統鏡片組當中最靠近成像面的純折射透鏡其像側表面於近光軸處可為凹面。藉此，可輔助平衡攝像系統鏡片組的後焦距，同時修正離軸像差。其中，第二透鏡物側表面於近光軸處可為凸面。其中，第二透鏡像側表面於近光軸處可為凹面。藉此，可調整第二透鏡的面形，有助於修正像散等像差。

攝像系統鏡片組的工作波段可為可見光。其中，在可見光波段內的各視場下於成像面之縱向球差可介於-0.10公釐與0.10公釐之間。藉此，有助於減少可見光波段內的色差。其中，在可見光波段內的各視場下於成像面之縱向球差亦可介於-0.05公釐與0.06公釐之間。所謂的可見光波段，係指人類肉眼可見的波長區段，可以是大約400奈米至700奈米的波長。

攝像系統鏡片組的焦距為f，第一透鏡物側表面的曲率半徑為R1，其可滿足下列條件：0.03<f/|R1|<30.00。藉此，可調整第一透鏡物側表面的曲率半徑，以控制光線進入攝像系統鏡片組的角度，有助於調整視角與物側端的外徑大小。其中，亦可滿足下列條件：0.10<f/|R1|<20.00。

將最大視場邊緣光線入射至超穎表面的最大角度定義為θm。在最靠近物側的超穎表面之處，其可滿足下列條件：θm<40.0[度]。藉此，可調整光線於攝像系統鏡片組的物側端之超穎表面的入射角，有助於避免光線強度於成像過程中有過多的損耗。在最靠近成像面的超穎表面之處，其可滿足下列條件：θm<40.0[度]。藉此，可調整光線於攝像系統鏡片組的像側端之超穎表面的入射角，有助於維持次波長微結構修正像差的能力，以提升成像品質。其中，在最靠近成像面的超穎表面之處，亦可滿足下列條件：θm<32.0[度]。在具有次波長微結構的超穎表面之每一處，其可滿足下列條件：0.0[度]<θm<60.0[度]。藉此，可調整光線於超穎表面的入射角，避免入射角過大造成透鏡的穿透率下降。其中，在具有次波長微結構的超穎表面之每一處，亦可滿足下列條件：0.0[度]<θm<50.0[度]。請參照圖46，係繪示有依照本揭示第一實施例中在作為超穎表面的第三透鏡E3像側表面之處參數θm的示意圖，其中光線1為主光線(Chief ray)，光線2為上邊緣光線(Upper meridional ray)，而光線3為下邊緣光線(Lower meridional ray)；在圖46中，光線2與超穎表面之法線的夾角為13.07°，光線3與超穎表面之法線的夾角為31.65°，因此第一實施例中的最大視場邊緣光線入射至第三透鏡E3像側表面的最大角度θm為31.65°。

攝像系統鏡片組當中最靠近物側的超穎表面至成像面於光軸上的距離為ML，第一透鏡物側表面至成像面於光軸上的距離為TL，其可滿足下列條件：0.05<ML/TL<0.98。藉此，可調整超穎表面於攝像系統鏡片組中的位置，有助於修正色差等像差以提升成像品質。其中，亦可滿足下列條件：0.20<ML/TL<0.90。請參照圖45，係繪示有依照本揭示第一實施例中參數ML和TL的示意圖。

第二透鏡與第三透鏡於光軸上的間隔距離為T23，第一透鏡物側表面至最靠近成像面之最後透鏡之像側表面於光軸上的距離為TD，其可滿足下列條件：0.005<T23/TD<0.80。藉此，可調整透鏡間距於攝像系統鏡片組中的比例，避免透鏡間距過小而導致透鏡之間產生干涉或透鏡間距過大而導致偏心誤差增加。其中，亦可滿足下列條件：0.02<T23/TD<0.60。

攝像系統鏡片組當中所有純折射透鏡材料與所有超穎透鏡之基底材料的阿貝數最小值為Vmin，其可滿足下列條件：Vmin<30.0。藉此，可調整透鏡的阿貝數，有助於各透鏡相互配合以修正色差。其中，亦可滿足下列條件： 6.0<Vmin<20.0。

攝像系統鏡片組的焦距為f，攝像系統鏡片組當中最靠近物側之純折射透鏡的焦距為fc1，其可滿足下列條件：0.015<f/|fc1|<20.00。藉此，可調整最靠近物側之純折射透鏡的焦距，使攝像系統鏡片組在物側端具有足夠的屈折力以修正像差。其中，亦可滿足下列條件：0.10<f/|fc1|<15.00。

攝像系統鏡片組當中所有純折射透鏡材料的阿貝數最小值為Vcmin，其可滿足下列條件：6.0<Vcmin<50.0。藉此，可調整透鏡的阿貝數，有助於各透鏡相互配合以修正色差。其中，亦可滿足下列條件：8.0<Vcmin<30.0。其中，亦可滿足下列條件：10.0<Vcmin<25.0。

次波長微結構垂直於基底之表面的高度為H，參考波長為λ0，其可滿足下列條件：0.40<H/λ0<2.20。藉此，可調整次波長微結構的高度，使其在工作波段內有合適的結構尺寸以維持成像品質。其中，亦可滿足下列條件：0.60<H/λ0<1.60。請參照圖46，係繪示有依照本揭示第一實施例之參數H的示意圖，其中參數H代表次波長微結構Lm垂直於基底Lb之表面(基底表面Ls)之高度。請參照圖49與圖51，係分別繪示有依照本揭示之奈米鰭與奈米柱形式之次波長微結構Lm之參數H的示意圖。

第一透鏡物側表面至成像面於光軸上的距離為TL，攝像系統鏡片組的最大成像高度為ImgH，其可滿足下列條件：1.40<TL/ImgH<15.00。藉此，可在壓縮總長與增大成像面間取得平衡。其中，亦可滿足下列條件：1.65<TL/ImgH<10.00。其中，亦可滿足下列條件：1.80<TL/ImgH<8.00。

當次波長微結構為奈米柱時，次波長微結構垂直於基底之表面的高度為H，奈米柱之橫截面的最小直徑為Dmin，其可滿足下列條件：4.00<H/Dmin<40.00。藉此，可調整奈米柱之橫截面的最小直徑，提供次波長微結構適當的深寬比，同時避免次波長微結構的尺寸過小而增加製造難易度。其中，亦可滿足下列條件：8.00<H/Dmin<25.00。其中，亦可滿足下列條件：10.00<H/Dmin<20.00。

當次波長微結構為奈米柱時，次波長微結構垂直於基底之表面的高度為H，奈米柱之橫截面的最大直徑為Dmax，其可滿足下列條件：1.50<H/Dmax<10.00。藉此，可調整奈米柱之橫截面的最大直徑，避免因次波長微結構的尺寸過大而造成透鏡的穿透率下降。其中，亦可滿足下列條件：2.50<H/Dmax<8.00。其中，亦可滿足下列條件：3.20<H/Dmax<7.50。請參照圖51，係繪示有依照本揭示之奈米柱之參數H和D的示意圖，其中參數D代表奈米柱之橫截面的直徑，其最大值即為Dmax，而其最小值即為Dmin。

攝像系統鏡片組中最大視角的一半為HFOV，其可滿足下列條件：40.0[度]<HFOV<120.0[度]。藉此，可使攝像系統鏡片組具有廣視角的特性，並能避免視角過大而導致影像處理難度過高。其中，亦可滿足下列條件：50.0[度]<HFOV<100.0[度]。

攝像系統鏡片組當中最靠近物側的純折射透鏡其物側表面的曲率半徑為Rc1o，攝像系統鏡片組當中最靠近物側的純折射透鏡其像側表面的曲率半徑為Rc1i，其可滿足下列條件：-30.00<(Rc1o-Rc1i)/(Rc1o+Rc1i)<0.30。藉此，可調整最靠近物側之純折射透鏡的面形，使所述純折射透鏡具備足夠的光線偏折能力，以控制光路走向。

攝像系統鏡片組當中最靠近物側之純折射透鏡的焦距為fc1，攝像系統鏡片組當中第二靠近物側之純折射透鏡的焦距為fc2，其可滿足下列條件：-10.00<fc1/fc2<0.03。藉此，可使物側端之前兩片純折射透鏡相互配合以修正球差等像差。

超穎表面的次波長微結構其材料的折射率為Nm，超穎透鏡的基底其材料的折射率為Ns，攝像系統鏡片組當中具有次波長微結構的超穎表面皆可滿足下列條件：0.50<Nm-Ns<2.50。藉此，可調整次波長微結構與基底的材質，有助於降低光線經過時所造成的能量損耗。

超穎表面的次波長微結構其材料的折射率為Nm，攝像系統鏡片組當中具有次波長微結構的超穎表面皆可滿足下列條件：1.600<Nm<3.500。藉此，可調整次波長微結構的材質，並可有效調控電與磁的共振，有助於控制光學特性。其中，亦可滿足下列條件：2.000<Nm<3.400。其中，亦可滿足下列條件：2.300<Nm<3.300。

攝像系統鏡片組當中具有次波長微結構的超穎表面的最大有效半徑的最大值為Ym_max，攝像系統鏡片組的最大成像高度為ImgH，其可滿足下列條件：0.10<Ym_max/ImgH<0.75。藉此，可調整超穎透鏡的最大有效半徑大小，有助於降低敏感度，同時提升製造良率。

次波長微結構垂直於基底之表面的高度為H，次波長微結構當中兩相鄰週期性結構的中心之間的距離為P，其可滿足下列條件：1.25<H/P<10.00。藉此，可調整次波長微結構高度與間距的比例，有助於在維持超穎透鏡的穿透率與降低製造難易度之間取得平衡。請參照圖48與圖49，係分別繪示有依照本揭示之奈米鰭形式之次波長微結構Lm之參數P和H的示意圖。請參照圖50與圖51，係分別繪示有依照本揭示之奈米柱形式之次波長微結構Lm之參數P和H的示意圖。

次波長微結構當中兩相鄰週期性結構的中心之間的距離為P，參考波長為λ0，其可滿足下列條件：0.05<P/λ0<0.80。藉此，可調整週期性陣列中相鄰次波長微結構的間隔距離，有助於超穎表面在次波長尺度上達成所需的光學特性。

攝像系統鏡片組當中所有純折射透鏡材料的阿貝數最大值為Vcmax，攝像系統鏡片組當中所有純折射透鏡材料的阿貝數最小值為Vcmin，其可滿足下列條件：1.10<Vcmax/Vcmin<5.20。藉此，可調整透鏡的阿貝數，有助於各透鏡相互配合以修正色差。其中，亦可滿足下列條件：1.50<Vcmax/Vcmin<4.50。

攝像系統鏡片組當中具有次波長微結構的超穎表面的最大有效半徑的最大值為Ym_max，其可滿足下列條件：Ym_max<4.00[公釐]。藉此，可調整超穎透鏡的最大有效半徑大小，有助於降低敏感度，同時提升製造良率。其中，亦可滿足下列條件：0.20[公釐]<Ym_max<3.50[公釐]。

上述本揭示所揭露的攝像系統鏡片組中的各技術特徵皆可組合配置，而達到對應之功效。

本揭示所揭露的攝像系統鏡片組中，透鏡的材質(純折射透鏡材質與超穎透鏡之基底材質)可為玻璃或塑膠。若透鏡的材質為玻璃，則可增加攝像系統鏡片組屈折力配置的自由度，並降低外在環境溫度變化對成像的影響，而玻璃透鏡可使用研磨或模造等技術製作而成。若透鏡材質為塑膠，則可以有效降低生產成本。此外，可於鏡面上設置球面(SPH)或非球面(ASP)，其中球面透鏡可減低製造難度，而若於鏡面上設置非球面，則可藉此獲得較多的控制變數，用以消減像差、縮減透鏡數目，並可有效降低本揭示攝像系統鏡片組的總長。進一步地，非球面可以塑膠射出成型或模造玻璃透鏡等方式製作而成。

本揭示所揭露的攝像系統鏡片組中，若透鏡表面為非球面，則表示所述透鏡表面光學有效區全部或其中一部分為非球面。

本揭示所揭露的攝像系統鏡片組中，可選擇性地在任一(以上)透鏡材料中加入添加物，產生光吸收或光干涉效果，以改變透鏡對於特定波段光線的穿透率，進而減少雜散光與色偏。例如：添加物可具備濾除系統中600奈米至800奈米波段光線的功能，以助於減少多餘的紅光或紅外光；或可濾除350奈米至450奈米波段光線，以減少多餘的藍光或紫外光，因此，添加物可避免特定波段光線對成像造成干擾。此外，添加物可均勻混和於塑膠材料中，並以射出成型技術製作成透鏡。此外，添加物亦可配置於透鏡表面上的鍍膜，以提供上述功效。

本揭示所揭露的攝像系統鏡片組中，若透鏡表面係為凸面且未界定所述凸面位置時，則表示所述凸面可位於透鏡表面近光軸處；若透鏡表面係為凹面且未界定所述凹面位置時，則表示所述凹面可位於透鏡表面近光軸處。若透鏡之屈折力或焦距未界定其區域位置時，則表示所述透鏡之屈折力或焦距可為透鏡於近光軸處之屈折力或焦距。

本揭示所揭露的攝像系統鏡片組中，攝像系統鏡片組之成像面依其對應的電子感光元件之不同，可為一平面或有任一曲率之曲面，特別是指凹面朝往物側方向之曲面。

本揭示所揭露的攝像系統鏡片組中，於成像光路上最靠近成像面的透鏡與成像面之間可選擇性配置一片以上的成像修正元件(平場元件等)，以達到修正影像的效果(像彎曲等)。所述成像修正元件的光學性質，比如曲率、厚度、折射率、位置、面形(凸面或凹面、球面或非球面、繞射表面及菲涅爾表面等)可配合取像裝置需求而做調整。一般而言，較佳的成像修正元件配置為將具有朝往物側方向為凹面的薄型平凹元件設置於靠近成像面處。

本揭示所揭露的攝像系統鏡片組中，亦可於成像光路上在被攝物至成像面間選擇性設置至少一具有轉折光路功能的元件，如稜鏡或反射鏡等，其中，所述稜鏡表面或反射鏡面可為平面、球面、非球面或自由曲面等，以提供攝像系統鏡片組較高彈性的空間配置，使電子裝置的輕薄化不受制於攝像系統鏡片組之光學總長度。進一步說明，請參照圖59和圖60，其中圖59係繪示依照本揭示的光路轉折元件在攝像系統鏡片組中的一種配置關係示意圖，且圖60係繪示依照本揭示的光路轉折元件在攝像系統鏡片組中的另一種配置關係示意圖。如圖59及圖60所示，攝像系統鏡片組可沿光路由被攝物(未繪示)至成像面IMG，依序具有第一光軸OA1、光路轉折元件LF與第二光軸OA2，其中光路轉折元件LF可以如圖59所示係設置於被攝物與攝像系統鏡片組的透鏡群LG之間，或者如圖60所示係設置於攝像系統鏡片組的透鏡群LG與成像面IMG之間。此外，請參照圖61，係繪示依照本揭示的二個光路轉折元件在攝像系統鏡片組中的一種配置關係示意圖，如圖61所示，攝像系統鏡片組亦可沿光路由被攝物(未繪示)至成像面IMG，依序具有第一光軸OA1、第一光路轉折元件LF1、第二光軸OA2、第二光路轉折元件LF2與第三光軸OA3，其中第一光路轉折元件LF1係設置於被攝物與攝像系統鏡片組的透鏡群LG之間，第二光路轉折元件LF2係設置於攝像系統鏡片組的透鏡群LG與成像面IMG之間，且光線在第一光軸OA1的行進方向可以如圖61所示係與光線在第三光軸OA3的行進方向為相同方向。攝像系統鏡片組亦可選擇性配置三個以上的光路轉折元件，本揭示不以圖式所揭露之光路轉折元件的種類、數量與位置為限。

本揭示所揭露的攝像系統鏡片組中，可設置有至少一光闌，其可位於第一透鏡之前、各透鏡之間或最後一透鏡之後，所述光闌的種類如耀光光闌(Glare Stop)或視場光闌(Field Stop)等，可用以減少雜散光，有助於提升影像品質。

本揭示所揭露的攝像系統鏡片組中，光圈之配置可為前置光圈或中置光圈。其中前置光圈意即光圈設置於被攝物與第一透鏡間，中置光圈則表示光圈設置於第一透鏡與成像面間。若光圈為前置光圈，可使出射瞳(Exit Pupil) 與成像面產生較長的距離，使其具有遠心(Telecentric)效果，並可增加電子感光元件的CCD或CMOS接收影像的效率；若為中置光圈，係有助於擴大攝像系統鏡片組的視場角。

本揭示可適當設置一可變孔徑元件，所述可變孔徑元件可為機械構件或光線調控元件，其可以電或電訊號控制孔徑的尺寸與形狀。所述機械構件可包含葉片組、屏蔽板等可動件；所述光線調控元件可包含濾光元件、電致變色材料、液晶層等遮蔽材料。所述可變孔徑元件可藉由控制影像的進光量或曝光時間，強化影像調節的能力。此外，所述可變孔徑元件亦可為本揭示之光圈，可藉由改變光圈值以調節影像品質，如景深或曝光速度等。

本揭示可適當設置一個或多個光學元件，藉以限制光線通過攝像系統鏡片組的形式，所述光學元件可為濾光片、偏光片等，但本揭示不以此為限。並且，所述光學元件可為單片元件、複合組件或以薄膜等方式呈現，但本揭示不以此為限。所述光學元件可置於攝像系統鏡片組的物端、像端或鏡片之間，藉以控制特定形式的光線通過，進而符合應用需求。

本揭示所揭露的攝像系統鏡片組中，可包含至少一光學鏡片、光學元件或載體，其至少一表面具有低反射層，所述低反射層可有效減少光線在介面反射產生的雜散光。所述低反射層可設置於所述光學鏡片的物側表面或像側表面的非有效區，或物側表面與像側表面間的連接表面；所述的光學元件可為一種遮光元件、環形間隔元件、鏡筒元件、平板玻璃(Cover glass)、藍玻璃(Blue glass)、濾光元件(Filter、Color filter)、光路轉折元件、稜鏡或面鏡等；所述的載體可為鏡頭組鏡座、設置於感光元件上的微透鏡(Micro lens)、感光元件基板周邊或是用於保護感光元件的玻璃片等。

本揭示所揭露的攝像系統鏡片組中，所述物側和像側係依照光軸方向而定，並且，所述於光軸上的數據係沿光軸計算，且若光軸經由光路轉折元件轉折時，所述於光軸上的數據亦沿光軸計算。

根據上述實施方式，以下提出具體實施例並配合圖式予以詳細說明。

<第一實施例>

請參照圖1至圖2，其中圖1繪示依照本揭示第一實施例的取像裝置示意圖，圖2由左至右依序為第一實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。由圖1可知，取像裝置1包含攝像系統鏡片組(未另標號)與電子感光元件IS。攝像系統鏡片組沿光路由物側至像側依序包含第一透鏡E1、光圈ST、第二透鏡E2、第三透鏡E3、第四透鏡E4、第五透鏡E5、第六透鏡E6、濾光元件(Filter)E9與成像面IMG。其中，電子感光元件IS設置於成像面IMG上。攝像系統鏡片組包含六片透鏡(E1、E2、E3、E4、E5、E6)，並且各透鏡之間無其他內插的透鏡。

第一透鏡E1為具有負屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凹面，其像側表面於近光軸處為凹面，其兩表面皆為非球面。

第二透鏡E2為具有正屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凸面，其兩表面皆為非球面。

第三透鏡E3為具有正屈折力的超穎透鏡，且其基底為玻璃材質，其物側表面於近光軸處為平面，其像側表面於近光軸處為平面，且其像側表面為具有次波長微結構的超穎表面。進一步來說，第三透鏡E3包含基底以及次波長微結構，其中次波長微結構形成於基底朝向像側的基底表面上，且超穎表面包含基底表面以及次波長微結構。

第四透鏡E4為具有正屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凹面，其兩表面皆為非球面。

第五透鏡E5為具有正屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凹面，其像側表面於近光軸處為凸面，其兩表面皆為非球面。

第六透鏡E6為具有負屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凹面，其兩表面皆為非球面。

濾光元件E9的材質為玻璃，其設置於第六透鏡E6及成像面IMG之間，並不影響攝像系統鏡片組的焦距。

上述各透鏡的非球面的曲線方程式表示如下：

X：非球面與光軸的交點至非球面上距離光軸為Y的點平行於光軸的位移；Y：非球面曲線上的點與光軸的垂直距離；R：曲率半徑；k：錐面係數；以及Ai：第i階非球面係數。

上述各超穎透鏡之超穎表面的相位方程式表示如下：

φ(r)：相位輪廓(phase profiles)

d：繞射級(diffraction order)

λ₀：參考波長

r：徑向座標(radial coordinate)

根據上述的相位方程式，第一實施例中作為具有次波長微結構之超穎表面的第三透鏡E3像側表面其相位(單位：弧度rad)與徑向座標(單位：公釐mm)的關係如圖52所示。次波長微結構可由奈米鰭或奈米柱的形式來控制相位。其中，奈米鰭各單位結構之橫截面於透鏡表面(基底表面Ls)的不同位置具有不同的旋轉角度(如前述之θ，可參照圖48的標註)，其結構可如圖53的上視示意圖所示，奈米鰭藉由改變旋轉角度(0°~180°)來完成對0~2π的相位控制；奈米柱各單位結構之橫截面於透鏡表面(基底表面Ls)的不同位置具有不同的尺寸大小(如前述之直徑D，可參照圖51的標註)。其結構可如圖54的上視示意圖所示，奈米柱藉由改變圓柱直徑來完成對0~2π的相位控制。

第一實施例的攝像系統鏡片組中，攝像系統鏡片組的焦距為f，攝像系統鏡片組的光圈值(F-number)為Fno，攝像系統鏡片組中最大視角的一半為HFOV，其數值如下：f=1.78公釐(mm)，Fno=2.40，HFOV=59.9度(deg.)。

攝像系統鏡片組的最大成像高度為ImgH，第一透鏡E1的焦距為f1，其滿足下列條件：|ImgH/f1|=0.54。

第一透鏡E1物側表面至成像面IMG於光軸上的距離為TL，攝像系統鏡片組的最大成像高度為ImgH，其滿足下列條件：TL/ImgH=1.91。

攝像系統鏡片組當中具有次波長微結構的超穎表面的最大有效半徑的最大值為Ym_max，攝像系統鏡片組的最大成像高度為ImgH，其滿足下列條件：Ym_max/ImgH=0.37。在本實施例中，第三透鏡E3像側表面的最大有效半徑為所有具有次波長微結構之超穎表面之最大有效半徑中的最大者，故Ym_max為第三透鏡E3像側表面的最大有效半徑。

攝像系統鏡片組當中具有次波長微結構的超穎表面的最大有效半徑的最大值為Ym_max，其滿足下列條件：Ym_max=0.86[公釐]。

攝像系統鏡片組當中最靠近物側的超穎表面至成像面IMG於光軸上的距離為ML，第一透鏡E1物側表面至成像面IMG於光軸上的距離為TL，其滿足下列條件：ML/TL=0.64。在本實施例中，最靠近物側的超穎表面為第三透鏡E3像側表面，故ML為第三透鏡E3像側表面至成像面IMG於光軸上的距離。

第二透鏡E2與第三透鏡E3於光軸上的間隔距離為T23，第一透鏡E1物側表面至最靠近成像面IMG之最後透鏡之像側表面於光軸上的距離為TD，其滿足下列條件：T23/TD=0.009。在本實施例中，二相鄰透鏡於光軸上之間隔距離，係指二相鄰透鏡的二相鄰鏡面之間於光軸上的間距。在本實施例中，最靠近成像面IMG之最後透鏡為第六透鏡E6，故TD為第一透鏡E1物側表面至第六透鏡E6像側表面於光軸上的距離。

攝像系統鏡片組的焦距為f，攝像系統鏡片組當中最靠近物側之純折射透鏡的焦距為fc1，其滿足下列條件：f/|fc1|=0.42。在本實施例中，最靠近物側之純折射透鏡為第一透鏡E1，故fc1為第一透鏡E1的焦距。

攝像系統鏡片組當中最靠近物側之純折射透鏡的焦距為fc1，攝像系統鏡片組當中第二靠近物側之純折射透鏡的焦距為fc2，其滿足下列條件：fc1/fc2=-1.53。在本實施例中，第二最靠近物側之純折射透鏡為第二透鏡E2，故fc2為第二透鏡E2的焦距。

攝像系統鏡片組的焦距為f，第一透鏡E1物側表面的曲率半徑為R1，其滿足下列條件：f/|R1|=0.23。

攝像系統鏡片組當中最靠近物側的純折射透鏡於光軸上的厚度為CTc1，攝像系統鏡片組當中最靠近成像面IMG的純折射透鏡其像側表面的曲率半徑為RLci，其滿足下列條件：CTc1/|RLci|=0.33。在本實施例中，最靠近成像面IMG的純折射透鏡為第六透鏡E6，故RLci為第六透鏡E6像側表面的曲率半徑。

攝像系統鏡片組當中最靠近物側的純折射透鏡其物側表面的曲率半徑為Rc1o，攝像系統鏡片組當中最靠近物側的純折射透鏡其像側表面的曲率半徑為Rc1i，其滿足下列條件：(Rc1o-Rc1i)/(Rc1o+Rc1i)=2.47。

攝像系統鏡片組當中最靠近成像面IMG的純折射透鏡其像側表面於光軸上的交點至最靠近成像面IMG的純折射透鏡其像側表面的最大有效半徑位置平行於光軸的距離為|SAGLci|，攝像系統鏡片組當中最靠近成像面IMG的純折射透鏡於光軸上的厚度為CTLc，其滿足下列條件：|SAGLci|/CTLc=1.03。

攝像系統鏡片組當中所有純折射透鏡材料與所有超穎透鏡之基底材料的阿貝數最小值為Vmin，其滿足下列條件：Vmin=19.5。在本實施例中，第六透鏡E6的阿貝數為所有純折射透鏡材料與所有超穎透鏡基底材料的阿貝數中的最小者，故Vmin為第六透鏡E6的阿貝數。

攝像系統鏡片組當中所有純折射透鏡材料的阿貝數最小值為Vcmin，其滿足下列條件：Vcmin=19.5。在本實施例中，第六透鏡E6的阿貝數為所有純折射透鏡材料的阿貝數中的最小者，故Vcmin為第六透鏡E6的阿貝數。

攝像系統鏡片組當中所有純折射透鏡材料的阿貝數最大值為Vcmax，攝像系統鏡片組當中所有純折射透鏡材料的阿貝數最小值為Vcmin，其滿足下列條件：Vcmax/Vcmin=2.88。在本實施例中，第一透鏡E1的阿貝數為所有純折射透鏡材料的阿貝數中的最大者，故Vcmax為第一透鏡E1的阿貝數。

在各視場下於成像面IMG之畸變像差絕對值的最大值為|Dist|_max，其滿足下列條件：|Dist|_max=24.99%。

當作為超穎表面的第三透鏡E3像側表面所具有的次波長微結構Lm為奈米鰭時，其結構局部上視圖如圖55所示。並且，在HFOV為0度時，奈米鰭單位結構的旋轉角度(θ)相對於穿透率與相位的模擬結果如圖56所示，其中奈米鰭藉由改變旋轉角度(0°~180°)來完成對0~2π的相位控制。

當作為超穎表面的第三透鏡E3像側表面所具有的次波長微結構為奈米鰭時，奈米鰭的材質為TiO2(折射率=2.947)，奈米鰭單位結構的高度(次波長微結構垂直於基底之表面的高度)為H，奈米鰭單位結構的長度為L，奈米鰭單位結構的寬度為W，奈米鰭(次波長微結構)當中兩相鄰週期性結構的中心之間的距離為P，其滿足下列條件：H=600[奈米]；L=190[奈米]；W=72[奈米]；以及P=320[奈米]。

當作為超穎表面的第三透鏡E3像側表面所具有的次波長微結構Lm為奈米柱時，其結構局部上視圖如圖57的所示。並且，在HFOV為0度時，奈米柱單位結構的圓柱直徑(D)相對於穿透率與相位的模擬結果如圖58所示，其中奈米柱藉由改變圓柱直徑(50奈米~160奈米)來完成對0~2π的相位控制。

當作為超穎表面的第三透鏡E3像側表面所具有的次波長微結構為奈米柱時，奈米柱的材質為TiO2(折射率=2.947)，奈米柱單位結構的高度(次波長微結構垂直於基底之表面的高度)為H，奈米柱單位結構之橫截面的直徑為D，奈米柱(次波長微結構)當中兩相鄰週期性結構的中心之間的距離為P，其滿足下列條件：H=600[奈米]；D=50[奈米]~160[奈米]；以及P=250[奈米]。

次波長微結構垂直於基底之表面的高度為H，參考波長為λ0，奈米鰭滿足下列條件：H/λ0=1.08；奈米柱滿足下列條件：H/λ0=1.08。

次波長微結構當中兩相鄰週期性結構的中心之間的距離為P，參考波長為λ0，奈米鰭滿足下列條件：P/λ0=0.58；奈米柱滿足下列條件：P/λ0=0.45。

次波長微結構垂直於基底之表面的高度為H，次波長微結構當中兩相鄰週期性結構的中心之間的距離為P，奈米鰭滿足下列條件：H/P=1.88；奈米柱滿足下列條件：H/P=2.40。

次波長微結構垂直於基底之表面的高度為H，奈米柱之橫截面的最小直徑為Dmin，奈米柱滿足下列條件：H/Dmin=12.00。

次波長微結構垂直於基底之表面的高度為H，奈米柱之橫截面的最大直徑為Dmax，奈米柱滿足下列條件：H/Dmax=3.75。

超穎表面的次波長微結構其材料的折射率為Nm，奈米鰭滿足下列條件：Nm=2.947；奈米柱滿足下列條件：Nm=2.947。

超穎表面的次波長微結構其材料的折射率為Nm，超穎透鏡的基底其材料的折射率為Ns，奈米鰭滿足下列條件：Nm-Ns=1.43；奈米柱滿足下列條件：Nm-Ns=1.43。

請配合參照下列表1A至表1C。

表1A為圖1第一實施例詳細的結構數據，其中曲率半徑、厚度及焦距的單位為公釐(mm)，且表面0到16依序表示由物側至像側的表面。表1B為第一實施例中的非球面數據，其中，k為非球面曲線方程式中的錐面係數，A4到A20則表示各表面第4到20階非球面係數。表1C為第一實施例中超穎透鏡之超穎表面的相位方程式數據，其中，C1到C7表示超穎透鏡之超穎表面各表面的相位方程式係數。此外，以下各實施例表格乃對應各實施例的示意圖與像差曲線圖，表格中數據的定義皆與第一實施例的表1A、表1B及表1C的定義相同，在此不加以贅述。

<第二實施例>

請參照圖3至圖4，其中圖3繪示依照本揭示第二實施例的取像裝置示意圖，圖4由左至右依序為第二實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。由圖3可知，取像裝置2包含攝像系統鏡片組(未另標號)與電子感光元件IS。攝像系統鏡片組沿光路由物側至像側依序包含第一透鏡E1、光圈ST、第二透鏡E2、第三透鏡E3、第四透鏡E4、第五透鏡E5、第六透鏡E6、濾光元件E9與成像面IMG。其中，電子感光元件IS設置於成像面IMG上。攝像系統鏡片組包含六片透鏡(E1、E2、E3、E4、E5、E6)，並且各透鏡之間無其他內插的透鏡。

第三透鏡E3為具有正屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凹面，其兩表面皆為非球面。

第四透鏡E4為具有正屈折力的超穎透鏡，且其基底為玻璃材質，其物側表面於近光軸處為平面，其像側表面於近光軸處為平面，且其兩表面皆為具有次波長微結構的超穎表面。進一步來說，第四透鏡E4包含基底以及次波長微結構，其中次波長微結構形成於基底朝向物側和像側的基底表面上，且超穎表面包含基底表面以及次波長微結構。

請配合參照下列表2A至表2C。

第二實施例中，非球面的曲線方程式與超穎表面的相位方程式表示如第一實施例的形式。此外，表2D所述的定義皆與第一實施例相同，在此不加以贅述。

<第三實施例>

請參照圖5至圖6，其中圖5繪示依照本揭示第三實施例的取像裝置示意圖，圖6由左至右依序為第三實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。由圖5可知，取像裝置3包含攝像系統鏡片組(未另標號)與電子感光元件IS。攝像系統鏡片組沿光路由物側至像側依序包含第一透鏡E1、光圈ST、第二透鏡E2、第三透鏡E3、第四透鏡E4、第五透鏡E5、第六透鏡E6、濾光元件E9與成像面IMG。其中，電子感光元件IS設置於成像面IMG上。攝像系統鏡片組包含六片透鏡(E1、E2、E3、E4、E5、E6)，並且各透鏡之間無其他內插的透鏡。

第三透鏡E3為具有正屈折力的超穎透鏡，且其基底為玻璃材質，其物側表面於近光軸處為平面，其像側表面於近光軸處為平面，且其兩表面皆為具有次波長微結構的超穎表面。進一步來說，第三透鏡E3包含基底以及次波長微結構，其中次波長微結構形成於基底朝向物側和像側的基底表面上，且超穎表面包含基底表面以及次波長微結構。

請配合參照下列表3A至表3C。

第三實施例中，非球面的曲線方程式與超穎表面的相位方程式表示如第一實施例的形式。此外，表3D所述的定義皆與第一實施例相同，在此不加以贅述。

<第四實施例>

請參照圖7至圖8，其中圖7繪示依照本揭示第四實施例的取像裝置示意圖，圖8由左至右依序為第四實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。由圖7可知，取像裝置4包含攝像系統鏡片組(未另標號)與電子感光元件IS。攝像系統鏡片組沿光路由物側至像側依序包含第一透鏡E1、第二透鏡E2、光圈ST、第三透鏡E3、第四透鏡E4、第五透鏡E5、第六透鏡E6、濾光元件E9與成像面IMG。其中，電子感光元件IS設置於成像面IMG上。攝像系統鏡片組包含六片透鏡(E1、E2、E3、E4、E5、E6)，並且各透鏡之間無其他內插的透鏡。

第二透鏡E2為具有正屈折力的超穎透鏡，且其基底為玻璃材質，其物側表面於近光軸處為平面，其像側表面於近光軸處為平面，且其兩表面皆為具有次波長微結構的超穎表面。進一步來說，第二透鏡E2包含基底以及次波長微結構，其中次波長微結構形成於基底朝向物側和像側的基底表面上，且超穎表面包含基底表面以及次波長微結構。

第三透鏡E3為具有正屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凸面，其兩表面皆為非球面。

第四透鏡E4為具有負屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凹面，其兩表面皆為非球面。

請配合參照下列表4A至表4C。

第四實施例中，非球面的曲線方程式與超穎表面的相位方程式表示如第一實施例的形式。此外，表4D所述的定義皆與第一實施例相同，在此不加以贅述。

<第五實施例>

請參照圖9至圖10，其中圖9繪示依照本揭示第五實施例的取像裝置示意圖，圖10由左至右依序為第五實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。由圖9可知，取像裝置5包含攝像系統鏡片組(未另標號)與電子感光元件IS。攝像系統鏡片組沿光路由物側至像側依序包含第一透鏡E1、第二透鏡E2、光圈ST、第三透鏡E3、第四透鏡E4、第五透鏡E5、第六透鏡E6、濾光元件E9、平板玻璃(Cover Glass)E10與成像面IMG。其中，電子感光元件IS設置於成像面IMG上。攝像系統鏡片組包含六片透鏡(E1、E2、E3、E4、E5、E6)，並且各透鏡之間無其他內插的透鏡。

第一透鏡E1具有負屈折力的純折射透鏡，且為玻璃材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凹面，其兩表面皆為球面。

第二透鏡E2具有正屈折力的純折射透鏡，且為玻璃材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凸面，其兩表面皆為球面。

第三透鏡E3具有正屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凹面，其像側表面於近光軸處為凸面，其兩表面皆為非球面。

第四透鏡E4具有正屈折力的超穎透鏡，且其基底為玻璃材質，其物側表面於近光軸處為平面，其像側表面於近光軸處為凸面，其像側表面為球面，且其物側表面為具有次波長微結構的超穎表面。進一步來說，第四透鏡E4包含基底以及次波長微結構，其中次波長微結構形成於基底朝向物側的基底表面上，且超穎表面包含基底表面以及次波長微結構。

第五透鏡E5具有負屈折力的純折射透鏡，且為玻璃材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凹面，其兩表面皆為球面。

第六透鏡E6具有正屈折力的純折射透鏡，且為玻璃材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凸面，其兩表面皆為球面，且其物側表面與第五透鏡E5像側表面相黏合。

平板玻璃E10的材質為玻璃，其設置於濾光元件E9及成像面IMG之間，並不影響攝像系統鏡片組的焦距。

請配合參照下列表5A至表5C。

第五實施例中，非球面的曲線方程式與超穎表面的相位方程式表示如第一實施例的形式。此外，表5D所述的定義皆與第一實施例相同，在此不加以贅述。

<第六實施例>

請參照圖11至圖12，其中圖11繪示依照本揭示第六實施例的取像裝置示意圖，圖12由左至右依序為第六實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。由圖11可知，取像裝置6包含攝像系統鏡片組(未另標號)與電子感光元件IS。攝像系統鏡片組沿光路由物側至像側依序包含第一透鏡E1、第二透鏡E2、光圈ST、第三透鏡E3、第四透鏡E4、第五透鏡E5、第六透鏡E6、濾光元件E9、平板玻璃E10與成像面IMG。其中，電子感光元件IS設置於成像面IMG上。攝像系統鏡片組包含六片透鏡(E1、E2、E3、E4、E5、E6)，並且各透鏡之間無其他內插的透鏡。

第四透鏡E4具有正屈折力的純折射透鏡，且為玻璃材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凸面，其兩表面皆為球面。

第六透鏡E6具有正屈折力的超穎透鏡，且其基底為玻璃材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為平面，其物側表面為球面，其物側表面與第五透鏡E5像側表面相黏合，且其像側表面為具有次波長微結構的超穎表面。進一步來說，第六透鏡E6包含基底以及次波長微結構，其中次波長微結構形成於基底朝向像側的基底表面上，且超穎表面包含基底表面以及次波長微結構。

請配合參照下列表6A至表6C。

第六實施例中，非球面的曲線方程式與超穎表面的相位方程式表示如第一實施例的形式。此外，表6D所述的定義皆與第一實施例相同，在此不加以贅述。

<第七實施例>

請參照圖13至圖14，其中圖13繪示依照本揭示第七實施例的取像裝置示意圖，圖14由左至右依序為第七實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。由圖13可知，取像裝置7包含攝像系統鏡片組(未另標號)與電子感光元件IS。攝像系統鏡片組沿光路由物側至像側依序包含第一透鏡E1、第二透鏡E2、光圈ST、第三透鏡E3、第四透鏡E4、第五透鏡E5、第六透鏡E6、第七透鏡E7、平板玻璃E10與成像面IMG。其中，電子感光元件IS設置於成像面IMG上。攝像系統鏡片組包含七片透鏡(E1、E2、E3、E4、E5、E6、E7)，並且各透鏡之間無其他內插的透鏡。

第七透鏡E7具有負屈折力的超穎透鏡，且其基底為玻璃材質，其物側表面於近光軸處為平面，其像側表面於近光軸處為平面，其物側表面為具有次波長微結構的超穎表面。進一步來說，第七透鏡E7包含基底以及次波長微結構，其中次波長微結構形成於基底朝向物側的基底表面上，且超穎表面包含基底表面以及次波長微結構。第七透鏡E7具有濾光功能而可作為濾光元件。

平板玻璃E10的材質為玻璃，其設置於第七透鏡E7及成像面IMG之間，並不影響攝像系統鏡片組的焦距。

請配合參照下列表7A至表7C。

第七實施例中，非球面的曲線方程式與超穎表面的相位方程式表示如第一實施例的形式。此外，表7D所述的定義皆與第一實施例相同，在此不加以贅述。

<第八實施例>

請參照圖15至圖16，其中圖15繪示依照本揭示第八實施例的取像裝置示意圖，圖16由左至右依序為第八實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。由圖15可知，取像裝置8包含攝像系統鏡片組(未另標號)與電子感光元件IS。攝像系統鏡片組沿光路由物側至像側依序包含光圈ST、第一透鏡E1、第二透鏡E2、第三透鏡E3、第四透鏡E4、濾光元件E9與成像面IMG。其中，電子感光元件IS設置於成像面IMG上。攝像系統鏡片組包含四片透鏡(E1、E2、E3、E4)，並且各透鏡之間無其他內插的透鏡。

第一透鏡E1具有正屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凹面，其兩表面皆為非球面。

第二透鏡E2具有正屈折力的超穎透鏡，且其基底為玻璃材質，其物側表面於近光軸處為平面，其像側表面於近光軸處為平面，且其兩表面皆為具有次波長微結構的超穎表面。進一步來說，第二透鏡E2包含基底以及次波長微結構，其中次波長微結構形成於基底朝向物側和像側的基底表面上，且超穎表面包含基底表面以及次波長微結構。

第三透鏡E3具有負屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凹面，其像側表面於近光軸處為凸面，其兩表面皆為非球面。

第四透鏡E4具有正屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凹面，其兩表面皆為非球面。

濾光元件E9的材質為玻璃，其設置於第四透鏡E4及成像面IMG之間，並不影響攝像系統鏡片組的焦距。

請配合參照下列表8A至表8C。

第八實施例中，非球面的曲線方程式與超穎表面的相位方程式表示如第一實施例的形式。此外，表8D所述的定義皆與第一實施例相同，在此不加以贅述。

<第九實施例>

請參照圖17至圖18，其中圖17繪示依照本揭示第九實施例的取像裝置示意圖，圖18由左至右依序為第九實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。由圖17可知，取像裝置9包含攝像系統鏡片組(未另標號)與電子感光元件IS。攝像系統鏡片組沿光路由物側至像側依序包含光圈ST、第一透鏡E1、第二透鏡E2、第三透鏡E3、第四透鏡E4、濾光元件E9與成像面IMG。其中，電子感光元件IS設置於成像面IMG上。攝像系統鏡片組包含四片透鏡(E1、E2、E3、E4)，並且各透鏡之間無其他內插的透鏡。

第二透鏡E2具有負屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凹面，其像側表面於近光軸處為凸面，其兩表面皆為非球面。

第三透鏡E3具有正屈折力的超穎透鏡，且其基底為玻璃材質，其物側表面於近光軸處為平面，其像側表面於近光軸處為平面，且其兩表面皆為具有次波長微結構的超穎表面。進一步來說，第三透鏡E3包含基底以及次波長微結構，其中次波長微結構形成於基底朝向物側和像側的基底表面上，且超穎表面包含基底表面以及次波長微結構。

第四透鏡E4具有負屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凹面，其兩表面皆為非球面。

請配合參照下列表9A至表9C。

第九實施例中，非球面的曲線方程式與超穎表面的相位方程式表示如第一實施例的形式。此外，表9D所述的定義皆與第一實施例相同，在此不加以贅述。

<第十實施例>

請參照圖19至圖20，其中圖19繪示依照本揭示第十實施例的取像裝置示意圖，圖20由左至右依序為第十實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。由圖19可知，取像裝置10包含攝像系統鏡片組(未另標號)與電子感光元件IS。攝像系統鏡片組沿光路由物側至像側依序包含光圈ST、第一透鏡E1、第二透鏡E2、第三透鏡E3、第四透鏡E4、濾光元件E9與成像面IMG。其中，電子感光元件IS設置於成像面IMG上。攝像系統鏡片組包含四片透鏡(E1、E2、E3、E4)，並且各透鏡之間無其他內插的透鏡。

第三透鏡E3具有正屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凹面，其兩表面皆為非球面。

第四透鏡E4具有正屈折力的超穎透鏡，且其基底為玻璃材質，其物側表面於近光軸處為平面，其像側表面於近光軸處為平面，且其兩表面皆為具有次波長微結構的超穎表面。進一步來說，第四透鏡E4包含基底以及次波長微結構，其中次波長微結構形成於基底朝向物側和像側的基底表面上，且超穎表面包含基底表面以及次波長微結構。

請配合參照下列表10A至表10C。

第十實施例中，非球面的曲線方程式與超穎表面的相位方程式表示如第一實施例的形式。此外，表10D所述的定義皆與第一實施例相同，在此不加以贅述。

<第十一實施例>

請參照圖21至圖22，其中圖21繪示依照本揭示第十一實施例的取像裝置示意圖，圖22由左至右依序為第十一實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。由圖21可知，取像裝置11包含攝像系統鏡片組(未另標號)與電子感光元件IS。攝像系統鏡片組沿光路由物側至像側依序包含光圈ST、第一透鏡E1、第二透鏡E2、第三透鏡E3、光闌S1、第四透鏡E4、第五透鏡E5、濾光元件E9與成像面IMG。其中，電子感光元件IS設置於成像面IMG上。攝像系統鏡片組包含五片透鏡(E1、E2、E3、E4、E5)，並且各透鏡之間無其他內插的透鏡。

第一透鏡E1具有正屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凸面，其兩表面皆為非球面。

第二透鏡E2具有負屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凹面，其兩表面皆為非球面。

第三透鏡E3具有正屈折力的超穎透鏡，且其基底為玻璃材質，其物側表面於近光軸處為平面，其像側表面於近光軸處為平面，且其像側表面為具有次波長微結構的超穎表面。進一步來說，第三透鏡E3包含基底以及次波長微結構，其中次波長微結構形成於基底朝向像側的基底表面上，且超穎表面包含基底表面以及次波長微結構。

第四透鏡E4具有正屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凹面，其像側表面於近光軸處為凸面，其兩表面皆為非球面。

第五透鏡E5具有負屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凹面，其像側表面於近光軸處為凸面，其兩表面皆為非球面。

濾光元件E9的材質為玻璃，其設置於第五透鏡E5及成像面IMG之間，並不影響攝像系統鏡片組的焦距。

請配合參照下列表11A至表11C。

第十一實施例中，非球面的曲線方程式與超穎表面的相位方程式表示如第一實施例的形式。此外，表11D所述的定義皆與第一實施例相同，在此不加以贅述。

<第十二實施例>

請參照圖23至圖24，其中圖23繪示依照本揭示第十二實施例的取像裝置示意圖，圖24由左至右依序為第十二實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。由圖23可知，取像裝置12包含攝像系統鏡片組(未另標號)與電子感光元件IS。攝像系統鏡片組沿光路由物側至像側依序包含光圈ST、第一透鏡E1、第二透鏡E2、第三透鏡E3、光闌S1、第四透鏡E4、第五透鏡E5、濾光元件E9與成像面IMG。其中，電子感光元件IS設置於成像面IMG上。攝像系統鏡片組包含五片透鏡(E1、E2、E3、E4、E5)，並且各透鏡之間無其他內插的透鏡。

第三透鏡E3具有負屈折力的超穎透鏡，且其基底為玻璃材質，其物側表面於近光軸處為平面，其像側表面於近光軸處為平面，且其兩表面皆為具有次波長微結構的超穎表面。進一步來說，第三透鏡E3包含基底以及次波長微結構，其中次波長微結構形成於基底朝向物側和像側的基底表面上，且超穎表面包含基底表面以及次波長微結構。

請配合參照下列表12A至表12C。

第十二實施例中，非球面的曲線方程式與超穎表面的相位方程式表示如第一實施例的形式。此外，表12D所述的定義皆與第一實施例相同，在此不加以贅述。

<第十三實施例>

請參照圖25至圖26，其中圖25繪示依照本揭示第十三實施例的取像裝置示意圖，圖26由左至右依序為第十三實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。由圖25可知，取像裝置13包含攝像系統鏡片組(未另標號)與電子感光元件IS。攝像系統鏡片組沿光路由物側至像側依序包含光圈ST、第一透鏡E1、第二透鏡E2、第三透鏡E3、光闌S1、第四透鏡E4、第五透鏡E5、濾光元件E9與成像面IMG。其中，電子感光元件IS設置於成像面IMG上。攝像系統鏡片組包含五片透鏡(E1、E2、E3、E4、E5)，並且各透鏡之間無其他內插的透鏡。

第一透鏡E1具有正屈折力的超穎透鏡，且其基底為玻璃材質，其物側表面於近光軸處為平面，其像側表面於近光軸處為平面，且其像側表面為具有次波長微結構的超穎表面。進一步來說，第一透鏡E1包含基底以及次波長微結構，其中次波長微結構形成於基底朝向像側的基底表面上，且超穎表面包含基底表面以及次波長微結構。

第二透鏡E2具有正屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凸面，其兩表面皆為非球面。

第三透鏡E3具有負屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凹面，其像側表面於近光軸處為凹面，其兩表面皆為非球面。

第五透鏡E5具有負屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凹面，其像側表面於近光軸處為凹面，其兩表面皆為非球面。

請配合參照下列表13A至表13C。

第十三實施例中，非球面的曲線方程式與超穎表面的相位方程式表示如第一實施例的形式。此外，表13D所述的定義皆與第一實施例相同，在此不加以贅述。

<第十四實施例>

請參照圖27至圖28，其中圖27繪示依照本揭示第十四實施例的取像裝置示意圖，圖28由左至右依序為第十四實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。由圖27可知，取像裝置14包含攝像系統鏡片組(未另標號)與電子感光元件IS。攝像系統鏡片組沿光路由物側至像側依序包含光圈ST、第一透鏡E1、第二透鏡E2、第三透鏡E3、光闌S1、第四透鏡E4、第五透鏡E5、濾光元件E9與成像面IMG。其中，電子感光元件IS設置於成像面IMG上。攝像系統鏡片組包含五片透鏡(E1、E2、E3、E4、E5)，並且各透鏡之間無其他內插的透鏡。

第二透鏡E2具有負屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凹面，其像側表面於近光軸處為凹面，其兩表面皆為非球面。

第五透鏡E5具有正屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凹面，其像側表面於近光軸處為凸面，其兩表面皆為非球面。

請配合參照下列表14A至表14C。

第十四實施例中，非球面的曲線方程式與超穎表面的相位方程式表示如第一實施例的形式。此外，表14D所述的定義皆與第一實施例相同，在此不加以贅述。

<第十五實施例>

請參照圖29至圖30，其中圖29繪示依照本揭示第十五實施例的取像裝置示意圖，圖30由左至右依序為第十五實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。由圖29可知，取像裝置15包含攝像系統鏡片組(未另標號)與電子感光元件IS。攝像系統鏡片組沿光路由物側至像側依序包含光圈ST、第一透鏡E1、第二透鏡E2、第三透鏡E3、光闌S1、第四透鏡E4、第五透鏡E5、第六透鏡E6、濾光元件E9與成像面IMG。其中，電子感光元件IS設置於成像面IMG上。攝像系統鏡片組包含六片透鏡(E1、E2、E3、E4、E5、E6)，並且各透鏡之間無其他內插的透鏡。

第六透鏡E6具有負屈折力的超穎透鏡，且其基底為玻璃材質，其物側表面於近光軸處為平面，其像側表面於近光軸處為平面，且其兩表面皆為具有次波長微結構的超穎表面。進一步來說，第六透鏡E6包含基底以及次波長微結構，其中次波長微結構形成於基底朝向物側和像側的基底表面上，且超穎表面包含基底表面以及次波長微結構。

請配合參照下列表15A至表15C。

第十五實施例中，非球面的曲線方程式與超穎表面的相位方程式表示如第一實施例的形式。此外，表15D所述的定義皆與第一實施例相同，在此不加以贅述。

<第十六實施例>

請參照圖31至圖32，其中圖31繪示依照本揭示第十六實施例的取像裝置示意圖，圖32由左至右依序為第十六實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。由圖31可知，取像裝置16包含攝像系統鏡片組(未另標號)與電子感光元件IS。攝像系統鏡片組沿光路由物側至像側依序包含第一透鏡E1、光圈ST、第二透鏡E2、第三透鏡E3、光闌S1、第四透鏡E4、第五透鏡E5、第六透鏡E6、濾光元件E9與成像面IMG。其中，電子感光元件IS設置於成像面IMG上。攝像系統鏡片組包含六片透鏡(E1、E2、E3、E4、E5、E6)，並且各透鏡之間無其他內插的透鏡。

第六透鏡E6具有負屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凹面，其像側表面於近光軸處為凹面，其兩表面皆為非球面。

請配合參照下列表16A至表16C。

第十六實施例中，非球面的曲線方程式與超穎表面的相位方程式表示如第一實施例的形式。此外，表16D所述的定義皆與第一實施例相同，在此不加以贅述。

<第十七實施例>

請參照圖33至圖34，其中圖33繪示依照本揭示第十七實施例的取像裝置示意圖，圖34由左至右依序為第十七實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。由圖33可知，取像裝置17包含攝像系統鏡片組(未另標號)與電子感光元件IS。攝像系統鏡片組沿光路由物側至像側依序包含光圈ST、第一透鏡E1、第二透鏡E2、第三透鏡E3、光闌S1、第四透鏡E4、第五透鏡E5、第六透鏡E6、濾光元件E9與成像面IMG。其中，電子感光元件IS設置於成像面IMG上。攝像系統鏡片組包含六片透鏡(E1、E2、E3、E4、E5、E6)，並且各透鏡之間無其他內插的透鏡。

第四透鏡E4具有負屈折力的超穎透鏡，且其基底為玻璃材質，其物側表面於近光軸處為平面，其像側表面於近光軸處為平面，且其兩表面皆為具有次波長微結構的超穎表面。進一步來說，第四透鏡E4包含基底以及次波長微結構，其中次波長微結構形成於基底朝向物側和像側的基底表面上，且超穎表面包含基底表面以及次波長微結構。

濾光元件E9的材質為玻璃，其設置於第六透鏡E6及成像面IMG 之間，並不影響攝像系統鏡片組的焦距。

請配合參照下列表17A至表17C。

第十七實施例中，非球面的曲線方程式與超穎表面的相位方程式表示如第一實施例的形式。此外，表17D所述的定義皆與第一實施例相同，在此不加以贅述。

<第十八實施例>

請參照圖35至圖36，其中圖35繪示依照本揭示第十八實施例的取像裝置示意圖，圖36由左至右依序為第十八實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。由圖35可知，取像裝置18包含攝像系統鏡片組(未另標號)與電子感光元件IS。攝像系統鏡片組沿光路由物側至像側依序包含光圈ST、第一透鏡E1、第二透鏡E2、光闌S1、第三透鏡E3、第四透鏡E4、第五透鏡E5、第六透鏡E6、第七透鏡E7、第八透鏡E8、濾光元件E9與成像面IMG。其中，電子感光元件IS設置於成像面IMG上。攝像系統鏡片組包含八片透鏡(E1、E2、E3、E4、E5、E6、E7、E8)，並且各透鏡之間無其他內插的透鏡。

第三透鏡E3具有負屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凹面，其兩表面皆為非球面。

第五透鏡E5具有正屈折力的超穎透鏡，且其基底為玻璃材質，其物側表面於近光軸處為平面，其像側表面於近光軸處為平面，且其像側表面為具有次波長微結構的超穎表面。進一步來說，第五透鏡E5包含基底以及次波長微結構，其中次波長微結構形成於基底朝向像側的基底表面上，且超穎表面包含基底表面以及次波長微結構。

第六透鏡E6具有負屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凹面，其兩表面皆為非球面。

第七透鏡E7具有正屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凹面，其兩表面皆為非球面。

第八透鏡E8具有負屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凹面，其像側表面於近光軸處為凹面，其兩表面皆為非球面。

濾光元件E9的材質為玻璃，其設置於第八透鏡E8及成像面IMG之間，並不影響攝像系統鏡片組的焦距。

請配合參照下列表18A至表18C。

第十八實施例中，非球面的曲線方程式與超穎表面的相位方程式表示如第一實施例的形式。此外，表18D所述的定義皆與第一實施例相同，在此不加以贅述。

<第十九實施例>

請參照圖37至圖38，其中圖37繪示依照本揭示第十九實施例的取像裝置示意圖，圖38由左至右依序為第十九實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。由圖37可知，取像裝置19包含攝像系統鏡片組(未另標號)與電子感光元件IS。攝像系統鏡片組沿光路由物側至像側依序包含第一透鏡E1、第二透鏡E2、光圈ST、第三透鏡E3、第四透鏡E4、第五透鏡E5、第六透鏡E6、光闌S1、第七透鏡E7、第八透鏡E8、濾光元件E9與成像面IMG。其中，電子感光元件IS設置於成像面IMG上。攝像系統鏡片組包含八片透鏡(E1、E2、E3、E4、E5、E6、E7、E8)，並且各透鏡之間無其他內插的透鏡。

第一透鏡E1具有正屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凹面，其像側表面於近光軸處為凸面，其兩表面皆為非球面。

第二透鏡E2具有正屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凹面，其兩表面皆為非球面。

第四透鏡E4具有正屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凸面，其兩表面皆為非球面。

第六透鏡E6具有負屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凹面，其像側表面於近光軸處為凸面，其兩表面皆為非球面。

第七透鏡E7具有正屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凸面，其兩表面皆為非球面。

第八透鏡E8具有負屈折力的純折射透鏡，且為塑膠材質，其物側表面於近光軸處為凸面，其像側表面於近光軸處為凹面，其兩表面皆為非球面。

請配合參照下列表19A至表19C。

第十九實施例中，非球面的曲線方程式與超穎表面的相位方程式表示如第一實施例的形式。此外，表19D所述的定義皆與第一實施例相同，在此不加以贅述。

<第二十實施例>

請參照圖39，係繪示依照本揭示第二十實施例的一種取像裝置的立體示意圖。在本實施例中，取像裝置100為一相機模組。取像裝置100包含成像鏡頭101、驅動裝置102、電子感光元件103以及影像穩定模組104。成像鏡頭101包含上述第一實施例的攝像系統鏡片組、用於承載攝像系統鏡片組的鏡筒(未另標號)以及支持裝置(Holder Member，未另標號)，成像鏡頭101亦可改為配置上述其他實施例的攝像系統鏡片組，本揭示並不以此為限。取像裝置100利用成像鏡頭101聚光產生影像，並配合驅動裝置102進行影像對焦，最後成像於電子感光元件103並且能作為影像資料輸出。

驅動裝置102可具有自動對焦(Auto-Focus)功能，其驅動方式可使用如音圈馬達(Voice Coil Motor，VCM)、微機電系統(Micro Electro-Mechanical Systems，MEMS)、壓電系統(Piezoelectric)以及記憶金屬(Shape Memory Alloy)等驅動系統。驅動裝置102可讓成像鏡頭101取得較佳的成像位置，可提供被攝物於不同物距的狀態下，皆能拍攝清晰影像。此外，取像裝置100搭載一感光度佳及低雜訊的電子感光元件103(如CMOS、CCD)設置於攝像系統鏡片組的成像面，可真實呈現攝像系統鏡片組的良好成像品質。

影像穩定模組104例如為加速計、陀螺儀或霍爾元件(Hall Effect Sensor)。驅動裝置102可搭配影像穩定模組104而共同作為一光學防手震裝置(Optical Image Stabilization，OIS)，藉由調整成像鏡頭101不同軸向的變化以補償拍攝瞬間因晃動而產生的模糊影像，或利用影像軟體中的影像補償技術，來提供電子防手震功能(Electronic Image Stabilization，EIS)，進一步提升動態以及低照度場景拍攝的成像品質。

<第二十一實施例>

請參照圖40至圖42，其中圖40繪示依照本揭示第二十一實施例的一種電子裝置之一側的立體示意圖，圖41繪示圖40之電子裝置之另一側的立體示意圖，且圖42繪示圖40之電子裝置的系統方塊圖。

在本實施例中，電子裝置200為一智慧型手機。電子裝置200包含第二十實施例之取像裝置100、取像裝置100a、取像裝置100b、取像裝置100c、取像裝置100d、閃光燈模組201、對焦輔助模組202、影像訊號處理器203(Image Signal Processor)、顯示模組204以及影像軟體處理器205。取像裝置100及取像裝置100a係皆配置於電子裝置200的同一側。對焦輔助模組202可採用雷射測距或飛時測距(Time of Flight，ToF)模組，但本揭示並不以此為限。取像裝置100b、取像裝置100c、取像裝置100d及顯示模組204係皆配置於電子裝置200的另一側，並且顯示模組204可為使用者介面，以使取像裝置100b、取像裝置100c及取像裝置100d可作為前置鏡頭以提供自拍功能，但本揭示並不以此為限。並且，取像裝置100a、取像裝置100b、取像裝置100c及取像裝置100d皆可包含本揭示的攝像系統鏡片組且皆可具有與取像裝置100類似的結構配置。詳細來說，取像裝置100a、取像裝置100b、取像裝置100c及取像裝置100d各可包含一成像鏡頭、一驅動裝置、一電子感光元件以及一影像穩定模組。其中，取像裝置100a、取像裝置100b、取像裝置100c及取像裝置100d的成像鏡頭各可包含例如為本揭示之攝像系統鏡片組的一光學鏡組、用於承載光學鏡組的一鏡筒以及一支持裝置。

取像裝置100為一廣角取像裝置，取像裝置100a為一超廣角取像裝置，取像裝置100b為一廣角取像裝置，取像裝置100c為一超廣角取像裝置，且取像裝置100d為一飛時測距取像裝置。本實施例之取像裝置100與取像裝置100a具有相異的視角，使電子裝置200可提供不同的放大倍率，以達到光學變焦的拍攝效果。另外，取像裝置100d係可取得影像的深度資訊。上述電子裝置200以包含多個取像裝置100、100a、100b、100c、100d為例，但取像裝置的數量與配置並非用以限制本揭示。

當使用者拍攝被攝物206時，電子裝置200利用取像裝置100或取像裝置100a聚光取像，啟動閃光燈模組201進行補光，並使用對焦輔助模組202提供的被攝物206之物距資訊進行快速對焦，再加上影像訊號處理器203進行影像最佳化處理，來進一步提升攝像系統鏡片組所產生的影像品質。對焦輔助模組202可採用紅外線或雷射對焦輔助系統來達到快速對焦。此外，電子裝置200亦可利用取像裝置100b、取像裝置100c或取像裝置100d進行拍攝。顯示模組204可採用觸控螢幕，配合影像軟體處理器205的多樣化功能進行影像拍攝以及影像處理(或可利用實體拍攝按鈕進行拍攝)。經由影像軟體處理器205處理後的影像可顯示於顯示模組204。

<第二十二實施例>

請參照圖43，係繪示依照本揭示第二十二實施例的一種電子裝置之一側的立體示意圖。

在本實施例中，電子裝置300為一智慧型手機。電子裝置300包含第二十實施例之取像裝置100、取像裝置100e、取像裝置100f、閃光燈模組301、對焦輔助模組、影像訊號處理器、顯示模組以及影像軟體處理器(未繪示)。取像裝置100、取像裝置100e與取像裝置100f係皆配置於電子裝置300的同一側，而顯示模組則配置於電子裝置300的另一側。並且，取像裝置100e及取像裝置100f皆可包含本揭示的攝像系統鏡片組且皆可具有與取像裝置100類似的結構配置，在此不再加以贅述。

取像裝置100為一廣角取像裝置，取像裝置100e為一望遠取像裝置，且取像裝置100f為一超廣角取像裝置。本實施例之取像裝置100、取像裝置100e與取像裝置100f具有相異的視角，使電子裝置300可提供不同的放大倍率，以達到光學變焦的拍攝效果。此外，取像裝置100e為具有光路轉折元件配置的望遠取像裝置，使取像裝置100e總長不受限於電子裝置300的厚度。其中，取像裝置100e的光路轉折元件配置可例如具有類似圖59至圖61的結構，可參照前述對應圖59至圖61之說明，在此不再加以贅述。上述電子裝置300以包含多個取像裝置100、100e、100f為例，但取像裝置的數量與配置並非用以限制本揭示。當使用者拍攝被攝物時，電子裝置300利用取像裝置100、取像裝置100e或取像裝置100f聚光取像，啟動閃光燈模組301進行補光，並且以類似於前述實施例的方式進行後續處理，在此不再加以贅述。

<第二十三實施例>

請參照圖44，係繪示依照本揭示第二十三實施例的一種電子裝置之一側的立體示意圖。

在本實施例中，電子裝置400為一智慧型手機。電子裝置400包含第二十實施例之取像裝置100、取像裝置100g、取像裝置100h、取像裝置100i、取像裝置100j、取像裝置100k、取像裝置100m、取像裝置100n、取像裝置100p、閃光燈模組401、對焦輔助模組、影像訊號處理器、顯示模組以及影像軟體處理器(未繪示)。取像裝置100、取像裝置100g、取像裝置100h、取像裝置100i、取像裝置100j、取像裝置100k、取像裝置100m、取像裝置100n與取像裝置100p係皆配置於電子裝置400的同一側，而顯示模組則配置於電子裝置400的另一側。並且，取像裝置100g、取像裝置100h、取像裝置100i、取像裝置100j、取像裝置100k、取像裝置100m、取像裝置100n及取像裝置100p皆可包含本揭示的攝像系統鏡片組且皆可具有與取像裝置100類似的結構配置，在此不再加以贅述。

取像裝置100為一廣角取像裝置，取像裝置100g為一望遠取像裝置，取像裝置100h為一望遠取像裝置，取像裝置100i為一廣角取像裝置，取像裝置100j為一超廣角取像裝置，取像裝置100k為一超廣角取像裝置，取像裝置100m為一望遠取像裝置，取像裝置100n為一望遠取像裝置，且取像裝置100p 為一飛時測距取像裝置。本實施例之取像裝置100、取像裝置100g、取像裝置100h、取像裝置100i、取像裝置100j、取像裝置100k、取像裝置100m與取像裝置100n具有相異的視角，使電子裝置400可提供不同的放大倍率，以達到光學變焦的拍攝效果。此外，取像裝置100g與取像裝置100h可為具有光路轉折元件配置的望遠取像裝置。其中，取像裝置100g與取像裝置100h的光路轉折元件配置可例如具有類似圖59至圖61的結構，可參照前述對應圖59至圖61之說明，在此不再加以贅述。另外，取像裝置100p係可取得影像的深度資訊。上述電子裝置400以包含多個取像裝置100、100g、100h、100i、100j、100k、100m、100n、100p為例，但取像裝置的數量與配置並非用以限制本揭示。當使用者拍攝被攝物時，電子裝置400利用取像裝置100、取像裝置100g、取像裝置100h、取像裝置100i、取像裝置100j、取像裝置100k、取像裝置100m、取像裝置100n或取像裝置100p聚光取像，啟動閃光燈模組401進行補光，並且以類似於前述實施例的方式進行後續處理，在此不再加以贅述。

本揭示的取像裝置並不以應用於智慧型手機為限。取像裝置更可視需求應用於移動對焦的系統，並兼具優良像差修正與良好成像品質的特色。舉例來說，取像裝置可多方面應用於三維(3D)影像擷取、數位相機、行動裝置、數位平板、智慧型電視、網路監控設備、行車記錄器、倒車顯影裝置、多鏡頭裝置、辨識系統、體感遊戲機與穿戴式裝置等電子裝置中。前揭電子裝置僅是示範性地說明本揭示的實際運用例子，並非限制本揭示之取像裝置的運用範圍。

雖然本揭示以前述之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭示，任何熟習相像技藝者，在不脫離本揭示之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本揭示之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。

1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、100、100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j、100k、100m、100n、100p:取像裝置

101:成像鏡頭

102:驅動裝置

103:電子感光元件

104:影像穩定模組

200、300、400:電子裝置

201、301、401:閃光燈模組

202:對焦輔助模組

203:影像訊號處理器

204:顯示模組

205:影像軟體處理器

206:被攝物

OA1:第一光軸

OA2:第二光軸

OA3:第三光軸

LF:光路轉折元件

LF1:第一光路轉折元件

LF2:第二光路轉折元件

LG:透鏡群

Lb:基底

Lm:次波長微結構

Ls:基底表面

ST:光圈

S1:光闌

E1:第一透鏡

E2:第二透鏡

E3:第三透鏡

E4:第四透鏡

E5:第五透鏡

E6:第六透鏡

E7:第七透鏡

E8:第八透鏡

E9:濾光元件

E10:平板玻璃

IMG:成像面

IS:電子感光元件

CTc1:攝像系統鏡片組當中最靠近物側的純折射透鏡於光軸上的厚度

CTLc:攝像系統鏡片組當中最靠近成像面的純折射透鏡於光軸上的厚度

D:奈米柱單位結構之橫截面的直徑

|Dist|_max:在各視場下於成像面之畸變像差絕對值的最大值

Dmax:奈米柱之橫截面的最大直徑

Dmin:奈米柱之橫截面的最小直徑

f:攝像系統鏡片組的焦距

f1:第一透鏡的焦距

fc1:攝像系統鏡片組當中最靠近物側之純折射透鏡的焦距

fc2:攝像系統鏡片組當中第二靠近物側之純折射透鏡的焦距

Fno:攝像系統鏡片組的光圈值

H:次波長微結構垂直於基底之表面的高度

HFOV:攝像系統鏡片組中最大視角的一半

ImgH:攝像系統鏡片組的最大成像高度

L:奈米鰭單位結構的長度

ML:攝像系統鏡片組當中最靠近物側的超穎表面至成像面於光軸上的距離

Nm:超穎表面的次波長微結構其材料的折射率

Ns:超穎透鏡的基底其材料的折射率

P:次波長微結構當中兩相鄰週期性結構的中心之間的距離

R1:第一透鏡物側表面的曲率半徑

Rc1i:攝像系統鏡片組當中最靠近物側的純折射透鏡其像側表面的曲率半徑

Rc1o:攝像系統鏡片組當中最靠近物側的純折射透鏡其物側表面的曲率半徑

RLci:攝像系統鏡片組當中最靠近成像面的純折射透鏡其像側表面的曲率半徑

|SAGLci|:攝像系統鏡片組當中最靠近成像面的純折射透鏡其像側表面於光軸上的交點至最靠近成像面的純折射透鏡其像側表面的最大有效半徑位置平行於光軸的距離

T23:第二透鏡與第三透鏡於光軸上的間隔距離

TD:第一透鏡物側表面至最靠近成像面之最後透鏡之像側表面於光軸上的距離

TL:第一透鏡物側表面至成像面於光軸上的距離

Vcmax:攝像系統鏡片組當中所有純折射透鏡材料的阿貝數最大值

Vcmin:攝像系統鏡片組當中所有純折射透鏡材料的阿貝數最小值

Vmin:攝像系統鏡片組當中所有純折射透鏡材料與所有超穎透鏡之基底材料的阿貝數最小值

W:奈米鰭單位結構的寬度

Ym_max:攝像系統鏡片組當中具有次波長微結構的超穎表面的最大有效半徑的最大值

θ:奈米鰭單位結構的結構旋轉角度

θm:最大視場邊緣光線入射至超穎表面的最大角度

λ0:參考波長

圖1繪示依照本揭示第一實施例的取像裝置示意圖。

圖2由左至右依序為第一實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。

圖3繪示依照本揭示第二實施例的取像裝置示意圖。

圖4由左至右依序為第二實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。

圖5繪示依照本揭示第三實施例的取像裝置示意圖。

圖6由左至右依序為第三實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。

圖7繪示依照本揭示第四實施例的取像裝置示意圖。

圖8由左至右依序為第四實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。

圖9繪示依照本揭示第五實施例的取像裝置示意圖。

圖10由左至右依序為第五實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。

圖11繪示依照本揭示第六實施例的取像裝置示意圖。

圖12由左至右依序為第六實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。

圖13繪示依照本揭示第七實施例的取像裝置示意圖。

圖14由左至右依序為第七實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。

圖15繪示依照本揭示第八實施例的取像裝置示意圖。

圖16由左至右依序為第八實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。

圖17繪示依照本揭示第九實施例的取像裝置示意圖。

圖18由左至右依序為第九實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。

圖19繪示依照本揭示第十實施例的取像裝置示意圖。

圖20由左至右依序為第十實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。

圖21繪示依照本揭示第十一實施例的取像裝置示意圖。

圖22由左至右依序為第十一實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。

圖23繪示依照本揭示第十二實施例的取像裝置示意圖。

圖24由左至右依序為第十二實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。

圖25繪示依照本揭示第十三實施例的取像裝置示意圖。

圖26由左至右依序為第十三實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。

圖27繪示依照本揭示第十四實施例的取像裝置示意圖。

圖28由左至右依序為第十四實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。

圖29繪示依照本揭示第十五實施例的取像裝置示意圖。

圖30由左至右依序為第十五實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。

圖31繪示依照本揭示第十六實施例的取像裝置示意圖。

圖32由左至右依序為第十六實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。

圖33繪示依照本揭示第十七實施例的取像裝置示意圖。

圖34由左至右依序為第十七實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。

圖35繪示依照本揭示第十八實施例的取像裝置示意圖。

圖36由左至右依序為第十八實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。

圖37繪示依照本揭示第十九實施例的取像裝置示意圖。

圖38由左至右依序為第十九實施例的球差、像散以及畸變曲線圖。

圖39繪示依照本揭示第二十實施例的一種取像裝置的立體示意圖。

圖40繪示依照本揭示第二十一實施例的一種電子裝置之一側的立體示意圖。

圖41繪示圖40之電子裝置之另一側的立體示意圖。

圖42繪示圖40之電子裝置的系統方塊圖。

圖43繪示依照本揭示第二十二實施例的一種電子裝置之一側的立體示意圖。

圖44繪示依照本揭示第二十三實施例的一種電子裝置之一側的立體示意圖。

圖45繪示依照本揭示第一實施例中參數TL、ML的示意圖。

圖46係圖45之第三透鏡且繪示依照本揭示第一實施例中在作為超穎表面的第三透鏡像側表面之處參數θm的示意圖。

圖47繪示依照本揭示第一實施例中參數|SAGLci|、CTLc的示意圖。

圖48繪示依照本揭示的奈米鰭(nanofin)的上視示意圖。

圖49係圖48之奈米鰭之單位結構的立體示意圖。

圖50繪示依照本揭示的奈米柱(nanopillar)的上視示意圖。

圖51係圖50之奈米柱之單位結構的立體示意圖。

圖52繪示依照本揭示第一實施例中作為超穎表面的第三透鏡物側表面其相位與徑向座標的關係圖。

圖53繪示依照本揭示之一實施例中奈米鰭的上視示意圖。

圖54繪示依照本揭示之再一實施例中奈米柱的上視示意圖。

圖55繪示依照本揭示第一實施例中奈米鰭的局部上視圖。

圖56繪示依照本揭示第一實施例中奈米鰭之單位結構的旋轉角度相對於穿透率與相位的模擬結果圖。

圖57繪示依照本揭示第一實施例中奈米柱的局部上視圖。

圖58繪示依照本揭示第一實施例中奈米柱之單位結構的圓柱直徑相對於穿透率與相位的模擬結果圖。

圖59繪示依照本揭示的光路轉折元件在攝像系統鏡片組中的一種配置關係示意圖。

圖60繪示依照本揭示的光路轉折元件在攝像系統鏡片組中的另一種配置關係示意圖。

圖61繪示依照本揭示的二個光路轉折元件在攝像系統鏡片組中的一種配置關係示意圖。

1:取像裝置 ST:光圈 E1:第一透鏡 E2:第二透鏡 E3:第三透鏡 E4:第四透鏡 E5:第五透鏡 E6:第六透鏡 E9:濾光元件 IMG:成像面 IS:電子感光元件

Claims

一種攝像系統鏡片組，包含至少四片透鏡，該至少四片透鏡沿光路由物側至像側依序為第一透鏡、第二透鏡、至少一片後續透鏡以及最靠近成像面的最後透鏡，且該至少四片透鏡分別具有朝向物側方向的物側表面與朝向像側方向的像側表面；其中，從該第二透鏡像側表面至該最後透鏡物側表面當中的至少一表面為具有次波長微結構的超穎表面(metasurface)；其中，該攝像系統鏡片組的焦距為f，該攝像系統鏡片組當中最靠近該物側之純折射透鏡的焦距為fc1，該攝像系統鏡片組的最大成像高度為ImgH，該第一透鏡物側表面的曲率半徑為R1，該第一透鏡的焦距為f1，其滿足下列條件：0.015<f/|fc1|<20.00；0.03<f/|R1|<30.00；以及0.05<|ImgH/f1|<10.00；其中，最大視場邊緣光線入射至超穎表面的最大角度為θm，且在最靠近該物側的超穎表面之處滿足下列條件：θm<40.0[度]。
如請求項1所述之攝像系統鏡片組，其中該攝像系統鏡片組當中所有純折射透鏡材料的阿貝數最小值為Vcmin，其滿足下列條件：6.0<Vcmin<50.0。
如請求項1所述之攝像系統鏡片組，其中該第二透鏡、該至少一片後續透鏡與該最後透鏡當中的至少一片透鏡為超穎透鏡，該超穎透鏡具有該超穎表面，該超穎透鏡包含基底以及形成於該基底上的該次波長微結構，該超穎表面包含該基底之表面以及形成於該基底之表面上的該次波長微結構，該基底之表面為平面，該次波長微結構垂直於該基底之表面的高度為H，參考波長為λ0，其滿足下列條件：0.40<H/λ0<2.20。
如請求項1所述之攝像系統鏡片組，其中該第二透鏡、該至少一片後續透鏡與該最後透鏡當中的至少一片透鏡為超穎透鏡，該超穎透鏡具有該超穎表面，該超穎透鏡包含基底以及形成於該基底上的該次波長微結構，該超穎表面包含該基底之表面以及形成於該基底之表面上的該次波長微結構，該基底之表面為平面，該至少四片透鏡當中的至少一片透鏡為純折射透鏡，且該至少一純折射透鏡為塑膠材質且其物側表面與其像側表面皆為非球面。
如請求項1所述之攝像系統鏡片組，其中該第一透鏡物側表面至該成像面於光軸上的距離為TL，該攝像系統鏡片組的最大成像高度為ImgH，其滿足下列條件：1.40<TL/ImgH<15.00。
如請求項1所述之攝像系統鏡片組，其中該次波長微結構為奈米鰭(nanofin)，且該奈米鰭之橫截面於透鏡表面的不同位置具有不同的旋轉角度。
如請求項1所述之攝像系統鏡片組，其中該次波長微結構為奈米柱(nanopillar)，且該奈米柱之橫截面於透鏡表面的不同位置具有不同的尺寸大小。
如請求項7所述之攝像系統鏡片組，其中該第二透鏡、該至少一片後續透鏡與該最後透鏡當中的至少一片透鏡為超穎透鏡，該超穎透鏡具有該超穎表面，該超穎透鏡包含基底以及形成於該基底上的該次波長微結構，該超穎表面包含該基底之表面以及形成於該基底之表面上的該次波長微結構，該基底之表面為平面，該次波長微結構垂直於該基底之表面的高度為H，該奈米柱之橫截面的最小直徑為Dmin，其滿足下列條件：4.00<H/Dmin<40.00。
如請求項7所述之攝像系統鏡片組，其中該第二透鏡、該至少一片後續透鏡與該最後透鏡當中的至少一片透鏡為超穎透鏡，該超穎透鏡具有該超穎表面，該超穎透鏡包含基底以及形成於該基底上的該次波長微結構，該超穎表面包含該基底之表面以及形成於該基底之表面上的該次波長微結構，該基底之表面為平面，該次波長微結構垂直於該基底之表面的高度為H，該奈米柱之橫截面的最大直徑為Dmax，其滿足下列條件：1.50<H/Dmax<10.00。
一種取像裝置，包含：如請求項1所述之攝像系統鏡片組；以及一電子感光元件，設置於該攝像系統鏡片組的該成像面上。
一種電子裝置，包含：如請求項10所述之取像裝置。
一種攝像系統鏡片組，包含至少三片透鏡，且該至少三片透鏡分別具有朝向物側方向的物側表面與朝向像側方向的像側表面；其中，該至少三片透鏡當中的至少一片透鏡為純折射透鏡，該至少三片透鏡當中的至少另一片透鏡為超穎透鏡(metalens)，該超穎透鏡其物側表面與其像側表面當中的至少一表面為超穎表面，該超穎透鏡包含基底以及形成於該基底上的該次波長微結構，該超穎表面包含該基底之表面以及形成於該基底之表面上的次波長微結構，且該基底之表面為平面；其中，該至少三片透鏡至少包含最靠近物側的三片透鏡，該三片透鏡沿光路由該物側至像側依序為第一透鏡、第二透鏡以及第三透鏡，該攝像系統鏡片組的焦距為f，該攝像系統鏡片組當中最靠近該物側之純折射透鏡的焦距為fc1，該攝像系統鏡片組當中最靠近該物側的超穎表面至成像面於光軸上的距離為ML，該第一透鏡物側表面至該成像面於光軸上的距離為TL，該第二透鏡與該第三透鏡於光軸上的間隔距離為T23，該第一透鏡物側表面至最靠近該成像面之最後透鏡之像側表面於光軸上的距離為TD，該攝像系統鏡片組當中所有純折射透鏡材料與所有超穎透鏡之該基底材料的阿貝數最小值為Vmin，其滿足下列條件：0.015<f/|fc1|<20.00；0.05<ML/TL<0.98；0.005<T23/TD<0.80；以及Vmin<30.0；其中，最大視場邊緣光線入射至超穎表面的最大角度為θm，且在最靠近該成像面的超穎表面之處滿足下列條件：θm<32.0[度]。
如請求項12所述之攝像系統鏡片組，其中該攝像系統鏡片組當中最靠近該成像面的純折射透鏡其像側表面於光軸上的交點至最靠近該成像面的該純折射透鏡其像側表面的最大有效半徑位置平行於光軸的距離為|SAGLci|，該攝像系統鏡片組當中最靠近該成像面的該純折射透鏡於光軸上的厚度為CTLc，其滿足下列條件：0.05<|SAGLci|/CTLc<7.00。
如請求項12所述之攝像系統鏡片組，其中該攝像系統鏡片組的焦距為f，該攝像系統鏡片組當中最靠近該物側之純折射透鏡的焦距為fc1，其滿足下列條件：0.015<f/|fc1|<15.00。
如請求項14所述之攝像系統鏡片組，其中該攝像系統鏡片組當中最靠近該物側的透鏡為純折射透鏡且具有負屈折力。
如請求項15所述之攝像系統鏡片組，其中該攝像系統鏡片組中最大視角的一半為HFOV，其滿足下列條件：40.0[度]<HFOV<120.0[度]。
如請求項14所述之攝像系統鏡片組，其中該攝像系統鏡片組當中最靠近該物側的純折射透鏡其物側表面的曲率半徑為Rc1o，該攝像系統鏡片組當中最靠近該物側的該純折射透鏡其像側表面的曲率半徑為Rc1i，其滿足下列條件：-30.00<(Rc1o-Rc1i)/(Rc1o+Rc1i)<0.30。
如請求項17所述之攝像系統鏡片組，其中在各視場下於該成像面之畸變像差絕對值的最大值為|Dist|_max，其滿足下列條件： |Dist|_max<10.0%。
如請求項17所述之攝像系統鏡片組，其中作為該超穎透鏡的該至少另一片透鏡當中的至少一片透鏡其物側表面與其像側表面皆為具有次波長微結構的超穎表面。
如請求項12所述之攝像系統鏡片組，其中該攝像系統鏡片組至少包含兩片純折射透鏡；其中，該攝像系統鏡片組當中最靠近該物側之純折射透鏡的焦距為fc1，該攝像系統鏡片組當中第二靠近該物側之純折射透鏡的焦距為fc2，其滿足下列條件：-10.00<fc1/fc2<0.03。
如請求項12所述之攝像系統鏡片組，其中該攝像系統鏡片組的工作波段為可見光。
如請求項12所述之攝像系統鏡片組，其中該攝像系統鏡片組當中最靠近該成像面的純折射透鏡其像側表面於近光軸處為凹面。
如請求項12所述之攝像系統鏡片組，其中該超穎表面的該次波長微結構其材料的折射率為Nm，該超穎透鏡的該基底其材料的折射率為Ns，且該攝像系統鏡片組當中所有超穎表面皆滿足下列條件：0.50<Nm-Ns<2.50。
如請求項12所述之攝像系統鏡片組，其中該次波長微結構以六角週期排列(hexagonal periodic array)於該基底之表面上。
一種攝像系統鏡片組，包含多片透鏡，該些透鏡至少包含最靠近物側的第一透鏡以及至少一片後續透鏡，且該些透鏡分別具有朝向物側方向的物側表面與朝向像側方向的像側表面；其中，該第一透鏡為純折射透鏡，該至少一片後續透鏡當中的至少一片透鏡為超穎透鏡，該超穎透鏡其物側表面與其像側表面當中的至少一表面為超穎表面，該超穎透鏡包含基底以及形成於該基底上的該次波長微結構，該超穎表面包含該基底之表面以及形成於該基底之表面上的次波長微結構，且該基底之表面為平面；其中，該攝像系統鏡片組的焦距為f，該攝像系統鏡片組當中最靠近該物側之純折射透鏡的焦距為fc1，該攝像系統鏡片組當中所有純折射透鏡材料與所有超穎透鏡之該基底材料的阿貝數最小值為Vmin，該攝像系統鏡片組當中最靠近該物側的純折射透鏡於光軸上的厚度為CTc1，該攝像系統鏡片組當中最靠近成像面的純折射透鏡其像側表面的曲率半徑為RLci，其滿足下列條件：0.015<f/|fc1|<20.00；6.0<Vmin<20.0；以及0.01<CTc1/|RLci|<30.00。
如請求項25所述之攝像系統鏡片組，其中該超穎表面的該次波長微結構其材料的折射率為Nm，且該攝像系統鏡片組當中所有超穎表面皆滿足下列條件：1.600<Nm<3.500。
如請求項25所述之攝像系統鏡片組，其中在可見光波段內的各視場下於該成像面之縱向球差介於-0.10公釐與0.10公釐之間。
如請求項25所述之攝像系統鏡片組，其中該攝像系統鏡片組當中具有該次波長微結構的該超穎表面的最大有效半徑的最大值為Ym_max，該攝像系統鏡片組的最大成像高度為ImgH，其滿足下列條件：0.10<Ym_max/ImgH<0.75。
如請求項25所述之攝像系統鏡片組，其中該次波長微結構垂直於該基底之表面的高度為H，該次波長微結構當中兩相鄰週期性結構的中心之間的距離為P，其滿足下列條件：1.25<H/P<10.00。
如請求項25所述之攝像系統鏡片組，其中最大視場邊緣光線入射至超穎表面的最大角度為θm，且在具有該次波長微結構的超穎表面之處皆滿足下列條件：0.0[度]<θm<60.0[度]。
如請求項25所述之攝像系統鏡片組，其中該些透鏡至少包含最靠近該物側的該第一透鏡以及第二透鏡，該第二透鏡在該第一透鏡的像側相鄰於該第一透鏡，該第一透鏡與該第二透鏡之間無其他透鏡，且該第二透鏡像側表面於近光軸處為凹面。
一種攝像系統鏡片組，包含至少五片透鏡，該至少五片透鏡沿光路由物側至像側依序為第一透鏡、第二透鏡、至少兩片後續透鏡以及最靠近成像面的最後透鏡，且該至少五片透鏡分別具有朝向物側方向的物側表面與朝向像側方向的像側表面；其中，該至少五片透鏡當中的至少一片透鏡為純折射透鏡，該至少五片透鏡當中的至少另一片透鏡為超穎透鏡，從該第二透鏡像側表面至該最後透鏡像側表面當中的至少一表面為具有次波長微結構的超穎表面，且該攝像系統鏡片組當中最靠近該成像面的純折射透鏡其像側表面於近光軸處為凹面；其中，該攝像系統鏡片組的焦距為f，該攝像系統鏡片組當中最靠近該物側之純折射透鏡的焦距為fc1，其滿足下列條件：0.015<f/|fc1|<20.00。
如請求項32所述之攝像系統鏡片組，其中該第二透鏡物側表面於近光軸處為凸面。
如請求項32所述之攝像系統鏡片組，其中該次波長微結構當中兩相鄰週期性結構的中心之間的距離為P，參考波長為λ0，其滿足下列條件：0.05<P/λ0<0.80。
如請求項32所述之攝像系統鏡片組，其中該攝像系統鏡片組至少包含兩片純折射透鏡；其中，該攝像系統鏡片組當中所有純折射透鏡材料的阿貝數最大值為Vcmax，該攝像系統鏡片組當中所有純折射透鏡材料的阿貝數最小值為Vcmin，其滿足下列條件：1.10<Vcmax/Vcmin<5.20。
如請求項32所述之攝像系統鏡片組，其中該攝像系統鏡片組當中具有該次波長微結構的該超穎表面的最大有效半徑的最大值為Ym_max，其滿足下列條件：Ym_max<4.00[公釐]。
如請求項32所述之攝像系統鏡片組，其中最大視場邊緣光線入射至超穎表面的最大角度為θm，且在最靠近該成像面的超穎表面之處滿足下列條件：0.0[度]<θm<40.0[度]。
如請求項32所述之攝像系統鏡片組，其中該攝像系統鏡片組當中該超穎表面的該次波長微結構為介電質材質。
一種取像裝置，包含：如請求項32所述之攝像系統鏡片組；以及一電子感光元件，設置於該攝像系統鏡片組的該成像面上。
一種電子裝置，包含：如請求項39所述之取像裝置_。