TWI852697B - Evaluation device for v-notch of ingot - Google Patents
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Abstract
Description
本發明是關於鑄錠的V缺口評價裝置。The present invention relates to a V-notch evaluation device for ingots.
以往,在矽晶圓的端部處形成有V缺口,做為表示結晶方位的標記。此種矽晶圓的V缺口是藉由對生長的矽單結晶之鑄錠進行外周磨削,然後在鑄錠的縱向方向上藉由磨石等來形成V字型的溝槽,並將鑄錠切削成矽晶圓的厚度而形成。 如果矽晶圓的V缺口發生缺陷,如磨石劣化或破裂等缺陷,無法維持標準的形狀,在後續製程的晶圓加工製程中,可能會從V缺口開始產生晶圓裂縫。 In the past, a V-notch was formed at the end of a silicon wafer as a mark indicating the crystal orientation. This V-notch of a silicon wafer is formed by grinding the outer periphery of a grown silicon single crystal ingot, then forming a V-shaped groove in the longitudinal direction of the ingot using a grindstone, and then cutting the ingot to the thickness of the silicon wafer. If the V-notch of a silicon wafer has defects, such as deterioration or cracking of the grindstone, it cannot maintain a standard shape, and wafer cracks may occur starting from the V-notch in the subsequent wafer processing process.
因此,在專利文獻1中,揭露一種鑄錠的V缺口評價裝置,可量測整個形成於鑄錠之縱向方向上的V缺口的形狀,且可高精度地進行良否判定。
此種鑄錠的V缺口評價裝置包括:光學測定工具,包括發光部及受光部,掃描前述V缺口的形狀;移動工具,在前述鑄錠的縱向方向上相對地移動前述鑄錠及前述光學測定工具;以及資料處理工具,處理藉由前述光學測定工具之掃描而獲得的V缺口形狀資料。前述資料處理工具包括:形狀資料取得部,取得藉前述光學測定工具量測之V缺口形狀資料;評價用資料生成部,進行所取得的V缺口形狀資料之座標變換,生成用於評價前述V缺口形狀的評價用資料;以及良否判定部,基於所生成的評價用資料,判定前述V缺口形狀的良否。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
Therefore, in
〔專利文獻1〕日本專利第7035923號公報[Patent Document 1] Japanese Patent No. 7035923
[發明欲解決的問題][Problem to be solved]
在前述V缺口評價裝置中,舉例來說,如果因為受光部處附著灰塵等原因而使測定精度降低,可能會將正常的V缺口誤判為異常,或可能會將發生缺陷的V缺口誤判為正常。因此,為了維持管理V缺口評價裝置的測定精度,需要在啟動前檢查時能夠簡單地檢查V缺口評價裝置的測定精度。 本發明的目的是提供一種可簡單地檢查測定精度的半導體用單結晶鑄錠的V缺口評價裝置。 [為解決問題的方式] In the aforementioned V-notch evaluation device, for example, if the measurement accuracy is reduced due to dust adhering to the light receiving part, a normal V-notch may be misjudged as abnormal, or a defective V-notch may be misjudged as normal. Therefore, in order to maintain and manage the measurement accuracy of the V-notch evaluation device, it is necessary to be able to simply check the measurement accuracy of the V-notch evaluation device during the pre-startup inspection. The purpose of the present invention is to provide a V-notch evaluation device for semiconductor single crystal ingots that can simply check the measurement accuracy. [Method for solving the problem]
本發明為一種鑄錠的V缺口評價裝置,評價形成於半導體用單結晶鑄錠之縱向方向上的V缺口,包括:光學測定工具,包括發光部以及受光部,掃描前述V缺口的形狀;移動工具,在前述鑄錠的縱向方向上相對地移動前述鑄錠或前述光學測定工具;資料處理工具,處理藉由前述光學測定工具之掃描而獲得的V缺口形狀資料;以及標準樣品移動工具,保持形成有檢查用V缺口的標準樣品,可移動至檢查位置以及保管位置。其特徵在於:前述檢查位置為可用前述光學測定工具測定前述標準樣品之V缺口形狀的位置,且前述保管位置為不與藉前述移動工具移動之鑄錠干涉的位置。The present invention is a V-notch evaluation device for an ingot, which evaluates the V-notch formed in the longitudinal direction of a single crystal ingot for semiconductors, and includes: an optical measuring tool, including a light-emitting part and a light-receiving part, which scans the shape of the V-notch; a moving tool, which relatively moves the ingot or the optical measuring tool in the longitudinal direction of the ingot; a data processing tool, which processes the V-notch shape data obtained by scanning the optical measuring tool; and a standard sample moving tool, which holds a standard sample formed with a V-notch for inspection and can be moved to an inspection position and a storage position. The inspection position is a position where the V-notch shape of the standard sample can be measured by the optical measuring tool, and the storage position is a position that does not interfere with the ingot moved by the moving tool.
在本發明之鑄錠的V缺口評價裝置中,前述標準樣品較佳地形成有複數個V缺口。In the V-notch evaluation device for ingots of the present invention, the standard sample is preferably formed with a plurality of V-notches.
在本發明之鑄錠的V缺口評價裝置中,前述複數個V缺口較佳地包含正常判定用的V缺口及異常判定用的V缺口。In the V-notch evaluation device for ingots of the present invention, the plurality of V-notches preferably include a V-notch for normal determination and a V-notch for abnormal determination.
在本發明之鑄錠的V缺口評價裝置中,前述標準樣品移動工具較佳地構造為包括支柱及轉動框架,轉動框架設置為可相對前述支柱旋轉,可移動至前述檢查位置以及前述保管位置,且保持前述標準樣品。前述轉動框架較佳地構造為在前述檢查位置及前述保管位置分別可固定於前述支柱。In the V-notch evaluation device for cast ingots of the present invention, the standard sample moving tool is preferably constructed to include a support and a rotating frame, and the rotating frame is configured to be rotatable relative to the support, and can be moved to the inspection position and the storage position, and hold the standard sample. The rotating frame is preferably constructed to be fixed to the support at the inspection position and the storage position, respectively.
在本發明之鑄錠的V缺口評價裝置中,前述標準樣品移動工具較佳地構造為包括保持台及移動裝置,保持台保持前述標準樣品,移動裝置將前述保持台滑動至前述檢查位置及前述保管位置。In the V-notch evaluation device for cast ingots of the present invention, the standard sample moving tool is preferably constructed to include a holding table and a moving device, the holding table holds the standard sample, and the moving device slides the holding table to the inspection position and the storage position.
在本發明之鑄錠的V缺口評價裝置中,前述資料處理工具較佳地包括:形狀資料取得部,取得藉前述光學測定工具量測之V缺口形狀資料;評價用資料生成部,進行所取得的V缺口形狀資料之座標變換,生成用於評價前述V缺口形狀的評價用資料;以及良否判定部,基於所生成的評價用資料,判定前述V缺口形狀的良否。In the V-notch evaluation device for cast ingots of the present invention, the aforementioned data processing tool preferably includes: a shape data acquisition unit, which acquires the V-notch shape data measured by the aforementioned optical measurement tool; an evaluation data generation unit, which performs coordinate transformation of the acquired V-notch shape data to generate evaluation data for evaluating the aforementioned V-notch shape; and a quality judgment unit, which judges the quality of the aforementioned V-notch shape based on the generated evaluation data.
在第1圖中,表示根據本發明之實施例的V缺口評價裝置1。使用V缺口評價裝置1的V缺口評價方法係在對生長的半導體用單結晶之鑄錠SI進行外周磨削且完成V缺口VN的加工之後,且在送至作為下一個製程的切削製程之前所實施。作為代表性半導體用單結晶的包括矽單結晶,本發明之V缺口評價裝置1可用於評價形成於矽單結晶之鑄錠SI的V缺口。進一步地,若可用下文所述的光學測定工具來測定,本發明的V缺口評價裝置1亦可用於評價形成於矽單結晶以外的半導體用單結晶之鑄錠的V缺口。
具體而言,如第2圖所示,生長的半導體用單結晶之鑄錠SI係從貯存處2送至研磨器7A至研磨器7D。研磨器7A至研磨器7D進行鑄錠SI的外周磨削以及V缺口VN的加工。
藉由V缺口評價裝置1來評價被施加V缺口VN加工的鑄錠SI。V缺口評價裝置1配置於貯存處2與長站8之間,或者貯存處2與研磨器7C、7D之間。長站8為暫時保管從貯存處2送來的鑄錠SI的地方。
In FIG. 1, a V-
如第1圖所示,鑄錠SI從貯存處2到研磨器7A至研磨器7D及長站8的出庫控制是在出庫工作站3進行。當鑄錠SI的編號輸入至出庫工作站3時,將上述編號輸出至搬出裝置4。
搬出裝置4在將對應於從貯存處2輸入的編號之鑄錠SI載置於保持框架6的狀態下,將其搬出至搬出場。
基於作業系統5的指令,將鑄錠SI從搬出場搬出到研磨器7A至研磨器7D及長站8。
As shown in FIG. 1, the outbound control of the ingot SI from the
V缺口評價裝置1配置於搬出場上,對被加工在被搬出至搬出場的鑄錠SI上的V缺口VN進行評價。V缺口評價裝置1包括雷射位移計11、框架12、送風機構13以及V缺口分析用計算機14。
如第3圖所示,作為光學測定工具的雷射位移計11包括發光部11A、受光部11B以及量測值輸出纜線11C。並且,光學測定工具不限於雷射位移計11,亦可為可以非接觸的方式光學地測定V缺口VN的工具。
The V-
雖然圖式中省略,發光部11A包括雷射振盪器以及圓柱狀鏡片,由雷射振盪器放射的雷射光藉圓柱狀鏡片轉換為帶狀雷射光,寬度隨距離變寬(如第3圖所示),且照射至V缺口VN。
雖然圖式中省略,受光部11B包括集光鏡片組以及CMOS感測器,從發光部11A照射至V缺口VN之雷射光的反射光藉由受光部11B的集光鏡片組集光,在CMOS感測器成像,以量測V缺口VN的形狀。
Although omitted in the figure, the light-emitting
藉由受光部11B量測的V缺口VN之測量資料係透過量測值輸出纜線11C,輸出至V缺口分析用計算機14。本實施例的雷射位移計11可用64 kHz進行V缺口VN的量測。在預定地速度下,相對移動鑄錠SI及雷射位移計11且掃描,藉此可在短時間內在整個長度上多次量測形成於鑄錠SI之縱向方向上的V缺口VN形狀。The measurement data of the V-notch VN measured by the
作為保持工具的框架12係由側面呈倒L字型的金屬材料構成。框架12面向鑄錠SI,其在鑄錠SI之搬出方向的基端側係埋設於搬出場上,搬出方向的前端側懸浮在空中。
雷射位移計11懸掛在框架12前端側的下表面,雷射位移計11可從鑄錠SI的俯瞰狀態,沿著鑄錠SI的縱向方向掃描V缺口VN。並且,藉由雷射位移計11之V缺口VN掃描係藉由來自作業系統5的指令而實行。上述掃描是在將被研磨器7C、研磨器7D加工的鑄錠SI運送至貯存處2時,在與研磨器7C、研磨器7D合併設置的V缺口評價裝置1中進行。此外,與長站8並列的V缺口評價裝置1中,上述掃描是在由研磨器7A、研磨器7B加工後的鑄錠SI回到貯存處2之後,從貯存處2運送至長站8時進行。
亦即,在本實施例中,在貯存處2與長站8之間運送鑄錠SI的機構以及在貯存處2與研磨器7C、研磨器7D之間運送貯存處2的機構係作用為移動工具。並且,不限於此,亦可藉由輸送帶等其他運送機構來構成移動工具,亦可作為可在鑄錠SI之縱向方向上移動雷射位移計11的移動工具。
The
作為異物除去工具的送風機構13設置於雷射位移計11之搬出方向的基端側上,且安裝於框架12的下表面。送風機構13向V缺口VN吹送寬度對應於雷射位移計11之雷射掃描寬度的氣流。藉由在雷射位移計11的前段吹送氣流,可吹走在作為先前製程的外周磨削製程、缺口形成製程中附著於V缺口VN的灰塵及水分,藉此可用雷射位移計11掃描乾淨狀態的V缺口VN表面。The
如第4圖所示,作為資料處理工具的V缺口分析用計算機14取得由雷射位移計11之量測值輸出纜線11C輸出的V缺口VN測量值,用以進行V缺口VN的加工形狀判定。
V缺口分析用計算機14由包含演算處理裝置15以及SD記憶體、硬碟等記憶裝置16的通用計算機而構成。V缺口分析用計算機14包括在演算處理裝置15上執行的形狀資料取得部17、評價用資料生成部18、良否判定部19以及設置於記憶裝置16內的評價結果記錄部20。
As shown in FIG. 4, the V-
形狀資料取得部17透過量測值輸出纜線11C取得從雷射位移計11輸出的V缺口VN量測值(V缺口形狀資料)。具體而言,如第5圖所示,形狀資料取得部17取得V缺口VN的橫向長度位置(V缺口VN的寬度方向位置)以及縱向位置(V缺口VN的深度方向位置)作為量測值。因為雷射位移計11相對移動以取得V缺口VN整個長度的量測值,形狀資料取得部17取得V缺口VN整個長度的橫向位置以及縱向位置作為量測值。所取得的量測值輸出至評價用資料生成部18。The shape
評價用資料生成部18將藉由形狀資料取得部17取得的V缺口VN量測值座標變換成可藉良否判定部19判定的形式。評價用資料生成部18利用放大、縮小、平移、旋轉、傾斜的仿射變換矩陣將所取得的量測值座標變換,且生成評價用資料。
具體而言,如第6圖所示,評價用資料生成部18首先進行旋轉移動,使V缺口VN的加工表面朝向正上方。再來,評價用資料生成部18進行平行移動,使V缺口VN加工表面的底部作為原點,生成評價用資料。所生成的評價用資料輸出至良否判定部19。
The evaluation
並且,在本實施例中,雖然評價用資料生成部18是用仿射變換矩陣來進行座標變換,但本發明不限於此。舉例來說,在雷射位移計11從V缺口VN的斜上方進行掃描的情況下,因為掃描表面變形為具有深度的梯形,亦可用投影變換矩陣來進行座標變換。
此外,如上文所述,本發明的目的在於用鑄錠狀態來判定作為最終產品的半導體用單結晶之晶圓的V缺口形狀之良否。因此,較佳地將評價用資料座標變換為與呈現於後續切削製程中的切削表面上之V缺口形狀相同。
Furthermore, in this embodiment, although the evaluation
良否判定部19基於藉由評價用資料生成部18生成的評價用資料,判定形成於鑄錠SI的V缺口VN之良否。具體而言,良否判定部19將V缺口VN的深度尺寸、V缺口VN的寬度尺寸、V缺口VN的傾斜面角度、V缺口VN的形狀與預設的評價基準值進行比較,藉此判定V缺口VN的良否。並且,良否判定部19不限於藉上述4個項目來判定良否,舉例來說,亦可僅評價V缺口VN的深度尺寸來判定良否。The
在V缺口評價裝置1中,設置有標準樣品30及標準樣品移動工具40。標準樣品30在檢查作業中用於維持管理測定精度。標準樣品移動工具40將上述標準樣品30移動至檢查位置以及保管位置。
如第7圖所示,標準樣品30為從鑄錠SI切出的塊狀部材,鑄錠SI的外周面即圓弧面31上加工有三個V缺口32、V缺口33、V缺口34。在本實施例中,三個V缺口32、V缺口33、V缺口34係依照V缺口VN的深度尺寸標準來加工。中央的V缺口32為標準內的V缺口,加工至V缺口VN的深度尺寸的標準中央值。第7圖左側的V缺口33為標準之外的V缺口,加工至超過V缺口VN的深度尺寸的下限值。右側的V缺口34為標準之外的V缺口,加工至超過V缺口VN的深度尺寸的上限值。
各個V缺口32、V缺口33、V缺口34的深度尺寸設定係對應於產品規格而定,但舉例來說,V缺口VN的深度尺寸的標準值為1.3±0.1毫米,V缺口32的深度尺寸為標準中央值即1.3毫米,V缺口33的深度尺寸為比標準值的下限更小的1.1毫米,V缺口34的深度尺寸為比標準值的上限更大的1.5毫米。
各個V缺口32、V缺口33、V缺口34的間隔係設定為複數個V缺口32、V缺口33、V缺口34不會進入雷射位移計11的測定範圍內之距離。在本實施例的標準樣品30中,各個V缺口32、V缺口33、V缺口34形成有20毫米的間隔。
此外,舉例來說,標準樣品30的大小為寬度80毫米、深度30毫米、高度15毫米。這是可將三個V缺口32、V缺口33、V缺口34以固定間隔形成的最小大小。
In the V-
標準樣品30接著固定至不鏽鋼製的基板35。在基板35處,依據V缺口32、V缺口33、V缺口34的位置形成有定位用的螺孔36、螺孔37、螺孔38。因此,各個螺孔36、螺孔37、螺孔38的間隔與V缺口32、V缺口33、V缺口34相同,形成有20毫米的間隔。The
如第8圖至第11圖所示,標準樣品移動工具40構成為包括固定於框架12的一對支柱41以及可相對支柱41旋轉地安裝的轉動框架45。
支柱41包括角柱狀的支柱本體411、固定於支柱本體411上端的托架412以及固定於支柱本體411下端的支持盤413。支柱41藉由托架412而固定於框架12的下表面。
如第9圖所示,支持盤413包括向下方延伸的第一支持片4131以及向水平方向延伸的第二支持片4132。在第一支持片4131的下端部處形成有第一貫通孔414(請參照第11圖)。在第二支持片4132的前端部處形成有第二貫通孔415。此外,第一貫通孔414的上方位置,且與第二貫通孔415相同高度的位置處,形成有貫通孔416,插入有作為旋轉軸的有肩螺釘42。在上述支持盤413的內表面處,固定有接合盤417。
As shown in FIGS. 8 to 11, the standard
轉動框架45包括可相對支持盤413旋轉地安裝的一對轉動臂451以及配置於轉動臂451之間的保持臂452。
如第9圖及第11圖所示,轉動臂451的前端形成有鎖定表面4511,在轉動框架45於水平方向上轉動時可鎖定接合盤417的下表面。此外,轉動臂451的前端部形成有長孔4512,插入有有肩螺釘42。藉此,轉動框架45以有肩螺釘42作為轉動軸而可旋轉地安裝於支柱41,且藉有肩螺釘42在長孔4512內移動而可滑動地安裝於支柱41。此外,在轉動臂451的中間位置處,形成有兩個孔洞4513、孔洞4514。
The rotating
如第9圖及第10圖所示,在保持臂452形成有保持片4521,可保持基板35的邊緣。保持片4521係藉由彎曲保持臂452的一部分而形成。此外,在保持臂452形成有對應於形成在基板35上的螺孔36、螺孔37、螺孔38的孔洞。
藉此,因為基板35的邊緣插進保持片4521的溝槽,且進一步地將螺絲從保持臂452的孔洞螺鎖至基板35的螺孔36、螺孔37、螺孔38任一者中,標準樣品30可透過基板35固定在保持臂452。此外,標準樣品30可沿保持臂452的縱向方向(第8圖的左右方向)滑動,藉由選擇與形成於保持臂452中央的孔洞在平面圖中重疊的螺孔36、螺孔37、螺孔38,標準樣品30的左右方向的位置可於三種階段之間切換。因此,配置於雷射位移計11之掃描範圍的V缺口不僅限於第8圖所示的V缺口32,藉由將標準樣品30從第8圖所示的狀態往右側或左側移動,可將V缺口33或V缺口34配置於雷射位移計11的掃描範圍內。
As shown in FIG. 9 and FIG. 10, a
標準樣品移動工具40藉由旋轉轉動框架45而移動至檢查位置以及保管位置。換句話說,如第8圖及第9圖所示,將轉動框架45以有肩螺釘42為旋轉軸向下方旋轉,且將轉動框架45向下側滑動,使有肩螺釘42位於長孔4512的上端側,並將固定用的定位銷43插進第一貫通孔414以及上側的孔洞4513,藉此可將轉動框架45移動並固定至可用雷射位移計11測定標準樣品30的檢查位置。
另一方面,將定位銷43從位於檢查位置的轉動框架45拆下,將轉動框架45以有肩螺釘42作為旋轉軸在水平方向上轉動90度。如第10圖及第11圖所示,將轉動框架45向接合盤417側滑動,使鎖定表面4511接合至接合盤417的下表面。移動轉動框架45,使有肩螺釘42位於長孔4512的保持臂452側的端部,且將定位銷43插進第二貫通孔415以及孔洞4514,藉此將轉動框架45移動並固定至標準樣品30以及轉動框架45不與鑄錠SI干涉的保管位置。
The standard
再來,基於第12圖所示的流程圖來說明關於鑄錠SI的V缺口加工方法,包含鑄錠SI的V缺口評價方法的順序。
首先,將藉由半導體用單結晶的生長裝置長出的鑄錠SI運送至研磨器7A至研磨器7D,且藉由研磨器7A至研磨器7D進行鑄錠SI的外周磨削(製程S1)。
在鑄錠SI的外周磨削完成之後,藉由研磨器7A至研磨器7D在鑄錠SI的縱向方向的整個長度上進行V缺口VN加工(製程S2)。
Next, the V-notch processing method of the ingot SI, including the sequence of the V-notch evaluation method of the ingot SI, is explained based on the flowchart shown in FIG. 12.
First, the ingot SI grown by the semiconductor single crystal growth device is transported to the grinder 7A to the
在V缺口VN加工完成之後,將鑄錠SI載置於保持框架6,且搬入且保管於貯存處2(製程S3)。
操作員操作出庫工作站3,將鑄錠SI與保持框架6同時從貯存處2搬出(製程S4),且配置於搬出場。
此時,從出庫工作站3輸出的鑄錠SI之鑄錠編號亦輸出至V缺口分析用計算機14。
After the V-notch VN processing is completed, the ingot SI is placed on the holding
操作員操作作業系統5,開始鑄錠SI的搬出,搬出至長站8(製程S5)。因此,鑄錠SI被配置於與長站8鄰接的V缺口評價裝置1所配置的搬出場。
並且,在由研磨器7C、研磨器7D進行V缺口VN加工的鑄錠SI被載置於保持框架6後,不經由貯存處2,而是直接配置於鄰接的V缺口評價裝置1所配置的搬出場。換句話說,在製程S2之後,不執行製程S3、製程S4,而直接執行製程S5。
在鑄錠SI的搬出開始後,從送風機構13噴出氣流,將殘留在V缺口VN的灰塵、水分等異物除去(製程S6)。
除去異物之後,藉由雷射位移計11掃描V缺口VN的加工表面,實施V缺口VN的量測(製程S7)。
The operator operates the
對V缺口VN整個長度進行V缺口VN加工表面的掃描係(製程S8)。V缺口VN的全長掃描完成後,V缺口分析用計算機14的形狀資料取得部17取得藉雷射位移計11取得的量測值(製程S9)。
評價用資料生成部18基於所取得的量測值,生成評價用資料(製程S10)。
良否判定部19基於所生成的評價用資料,進行鑄錠SI的良否判定(製程S11)。
The V-notch VN processing surface is scanned along the entire length of the V-notch VN (process S8). After the full-length scan of the V-notch VN is completed, the shape
判定鑄錠SI的V缺口VN加工是否在判定用的標準值內(製程S12)。舉例來說,若V缺口VN的深度尺寸的判定標準值為1.3±0.1毫米,則判定所測定的V缺口VN之深度尺寸是否在1.2毫米以上、1.4毫米以下的範圍內。
若在製程S12判定為合格產品,作業系統5將鑄錠SI搬出至作為下一製程的切削製程(製程S13)。
若判定為不合格產品,從V缺口分析用計算機14將上述情況輸出至作業系統5。作業系統5將此鑄錠SI的搬出停止,並將其排除(製程S14)
藉上述,可進行鑄錠SI的外周磨削以及V缺口加工,對加工後的V缺口VN評價,僅將合格產品搬出至下一製程。
Determine whether the V-notch VN processing of the ingot SI is within the standard value for determination (process S12). For example, if the standard value for the depth dimension of the V-notch VN is 1.3±0.1 mm, determine whether the measured depth dimension of the V-notch VN is within the range of 1.2 mm or more and 1.4 mm or less.
If it is determined to be a qualified product in process S12, the
再來,基於第13圖及第14圖所示的流程圖來說明關於檢查V缺口評價裝置1的檢查方法。在檢查V缺口評價裝置1時,是測定標準樣品30以代替鑄錠SI,並直接使用鑄錠SI的V缺口VN測定時所用的V缺口分析用計算機14來處理此測定資料。
第13圖表示正常檢查時的方法,用於檢查V缺口評價裝置1是否可以評價深度尺寸標準之內的V缺口32為正常。通常,在每日啟動前的檢查時執行。
第14圖表示異常檢查時的方法,用於檢查V缺口評價裝置1是否可以正確評價深度尺寸標準之外的V缺口33、V缺口34為異常。在月度或年度等定期檢查時執行。並且,異常檢查與正常檢查相同,亦可在每日啟動前的檢查時執行。
Next, the inspection method of the V-
如第13圖所示的正常檢查開始時,檢查作業員使固定於保管位置的轉動框架45往下方轉動,移動至檢查位置並用定位銷43固定(製程S21)。轉動框架45的保持臂452處安裝有標準樣品30,因此標準樣品30亦移動至檢查位置。
再來,將深度尺寸標準之內的V缺口32設置至可用雷射位移計11掃描的測定位置(製程S22)。具體而言,在保持臂452處,依據基板35的螺孔36、螺孔37、螺孔38,加工三個孔洞。基板35中央的螺孔36配合保持臂452中央的孔洞,從保持臂452的下方透過保持臂452的孔洞將定位用的螺絲鎖入螺孔36,藉此定位標準樣品30。並且,如果V缺口32已設置於測定位置,則在製程S22僅需要確認V缺口32的位置。
At the beginning of the normal inspection as shown in FIG. 13, the inspector rotates the
再來,藉由雷射位移計11實施V缺口32的量測(製程S23)。此時,不需要掃描標準樣品30的V缺口32之整個長度,可掃描對資料處理而言必要的部分即可。
V缺口32的掃描完成之後,V缺口分析用計算機14的形狀資料取得部17取得藉由雷射位移計11所取得的量測值(製程S24)。
評價用資料生成部18基於所取得的量測值,生成評價用資料(製程S25)。
良否判定部19基於所生成的評價用資料,進行標準樣品30之V缺口32的良否判定(製程S26)。V缺口32的深度尺寸因為在標準之內,良否判定部19通常判定為合格。因此,檢查作業員確認良否判定部19是否判定為合格(製程S27)。
Next, the V-
如果在製程S27判定為合格,檢查作業員將V缺口評價裝置1判定為正常(製程S28)。如果在製程S27判定為不合格,檢查作業員將V缺口評價裝置1判定為異常(製程S29)。
然後,檢查作業員將固定轉動框架45的定位銷43拆下,將轉動框架45移動至保管位置且用定位銷43固定,完成檢查(製程S30)。
並且,如果在製程S29判定為異常,檢查作業員確認V缺口評價裝置1的異常原因,例如:若是灰塵附著於受光部11B,則清潔雷射位移計11等。對異常原因採取對策之後,再度進行正常檢查。在確認V缺口評價裝置1為正常之後,可進行鑄錠SI的V缺口VN之評價作業。
If it is determined to be qualified in process S27, the inspection operator determines that the V-
如第14圖所示的異常檢查開始時,檢查作業員將轉動框架45往下方轉動,移動至檢查位置並用定位銷43固定(製程S31)。並且,如果是接續正常檢查執行異常檢查,在正常檢查完成時,可不將轉動框架45返回到保管位置,繼續進行檢查作業即可。
再來,將深度尺寸標準之外的V缺口33設置至雷射位移計11的測定位置(製程S32)。具體而言,基板35左側的螺孔37配合保持臂452中央的孔洞,從保持臂452的下方透過保持臂452的孔洞將定位用的螺絲鎖入螺孔37,藉此定位標準樣品30。
As shown in Figure 14, when the abnormal inspection begins, the inspector rotates the
再來,與正常檢查時的製程S23至製程S26相似地,藉由雷射位移計11實施V缺口33的量測(製程S33)。V缺口33的掃描完成之後,V缺口分析用計算機14的形狀資料取得部17取得藉由雷射位移計11所取得的量測值(製程S34)。評價用資料生成部18基於所取得的量測值,生成評價用資料(製程S35)。
並且,因為各個V缺口32、V缺口33、V缺口34係形成於一個圓弧面31上,中央V缺口32的深度方向是正交於標準樣品30底面的鉛直方向,但左右V缺口33、V缺口34的深度方向相對與標準樣品30底面正交的方向傾斜。因此,量測V缺口33、V缺口34時,與量測V缺口VN時相似地,評價用資料生成部18進行旋轉移動而使V缺口33、V缺口34的加工表面朝向正上方,且進行平行移動而使V缺口33、V缺口34的加工表面底部作為原點,並生成評價用資料。
良否判定部19基於所生成的評價用資料,進行標準樣品30之V缺口33的良否判定(製程S36)。
再來,檢查作業員確認良否判定部19是否判定為合格(製程S37)。V缺口33的深度尺寸因為小於標準而在標準之外,良否判定部19通常判定為不合格。
Next, similar to processes S23 to S26 during normal inspection, the V-
因此,如果在製程S37判定為合格,檢查作業員將V缺口評價裝置1判定為異常(製程S38)。如果在製程S37判定為不合格,檢查作業員將V缺口評價裝置1判定為正常運作(製程S39)。
再來,檢查作業員確認是否完成檢查(製程S40)。在本實施例的標準樣品30中,形成兩個標準之外的V缺口33、V缺口34,因為在V缺口33的檢查之後要進行V缺口34的檢查,在製程S40判定為否,且將深度尺寸標準之外的V缺口34設置至雷射位移計11的檢查位置(製程S32)。具體而言,基板35右側的螺孔38配合保持臂452中央的孔洞,從保持臂452的下方透過保持臂452的孔洞將定位用的螺絲鎖入螺孔38,藉此定位標準樣品30。
Therefore, if it is determined to be qualified in process S37, the inspection operator determines that the V-
然後,再度執行製程S33至製程S36的處理。
再來,檢查作業員確認良否判定部19是否判定為合格(製程S37)。V缺口33的深度尺寸因為大於標準而在標準之外,良否判定部19通常判定為不合格。
因此,如果在製程S37判定為合格,檢查作業員將V缺口評價裝置1判定為異常(製程S38)。如果在製程S37判定為不合格,檢查作業員將V缺口評價裝置1判定為正常運作(製程S39)。
再來,檢查作業員確認是否完成檢查(製程S40)。如果可完成檢查,在製程S40判定為是。檢查作業員將固定轉動框架45的定位銷43拆下,將轉動框架45移動至保管位置且用定位銷43固定(製程S41),完成檢查。
並且,如果在製程S39將標準之外的V缺口33、V缺口34判定為正常,檢查作業員確認V缺口評價裝置1的異常原因,採取對策(如清潔雷射位移計11等)之後,再度進行異常檢查。在確認V缺口評價裝置1正常運作之後,可進行鑄錠SI的V缺口VN之評價作業。
Then, the processing of process S33 to process S36 is executed again.
Next, the inspection operator confirms whether the
根據如上述的本實施例,具有以下的效果。
在本實施例中,準備了從鑄錠SI切出並加工有檢查用的V缺口32、V缺口33、V缺口34的標準樣品30。因為將固定有上述標準樣品30的標準樣品移動工具40設置於V缺口評價裝置1,因為在V缺口評價裝置1檢查時只要將標準樣品移動工具40的轉動框架45轉動至檢查位置且用定位銷43固定即可,可在短時間內簡單地檢查V缺口評價裝置1。
換句話說,亦可考慮另一種檢查方法:在生長的半導體用單結晶之鑄錠SI加工檢查用的V缺口而準備樣品用的鑄錠,此樣品用的鑄錠係從貯存處2搬出至V缺口評價裝置1。但在上述方法中,需要確保樣品用鑄錠的保管場所,因為從貯存處2搬出至用V缺口評價裝置1測定的位置,還需要在檢查後返回貯存處2,如此會增加作業時數。與此相對地,在本實施例中,將標準樣品30最小化至可附接於V缺口評價裝置1的大小,因為固定至標準樣品移動工具40的轉動框架45,將標準樣品30移動至檢查位置的作業時數亦可減為最少,可提升檢查時的作業效率。
According to the present embodiment as described above, the following effects are achieved.
In the present embodiment, a
在本實施例中,在標準樣品30形成有複數個V缺口:深度尺寸在標準之內的正常判定用V缺口32以及深度尺寸在標準之外的異常判定用V缺口33、V缺口34。因此,利用一個標準樣品30即可執行正常檢查及異常檢查,正常檢查係檢查是否可正確地判定正常判定用V缺口32為正常,異常檢查係檢查是否可正確地判定異常判定用V缺口33、V缺口34為異常。可簡單地維持管理V缺口評價裝置1的測定精度。In this embodiment, a plurality of V-notches are formed on the standard sample 30: a normal determination V-
在本實施例中,標準樣品移動工具40構成為包括支柱41及安裝有標準樣品30的轉動框架45。僅需將轉動框架45從保管位置旋轉90度而移動至檢查位置,且用定位銷43固定,即可執行測定精度的檢查作業,因此可用最少的工時開始檢查作業。此外,若將轉動框架45從檢查位置旋轉90度而移動至保管位置,且用定位銷43固定,此後量測鑄錠SI的V缺口VN時可防止標準樣品移動工具40及標準樣品30干涉鑄錠SI,從檢查作業至通常的評價作業的過渡亦可用最少的工時實現。In this embodiment, the standard
在本實施例中,藉由雷射位移計11,沿著鑄錠SI的縱向方向掃描形成於鑄錠SI的V缺口VN,可取得V缺口VN整個長度的V缺口VN加工表面的形狀資料。因此,藉由將所取得的V缺口VN加工表面的形狀資料進行座標變換,生成評價用資料,可進行V缺口VN整體的評價,可以高精度進行V缺口VN的良否判定。
進一步地,檢查時,用雷射位移計11量測標準樣品30的V缺口32、V缺口33、V缺口34的資料係由處理鑄錠SI之V缺口VN的測定資料的形狀資料取得部17、評價用資料生成部18、良否判定部19利用、處理且判定,因此不僅可判定雷射位移計11的缺陷,亦可判定形狀資料取得部17、評價用資料生成部18、良否判定部19的缺陷。因此,當由於系統改良等原因而更新程序時,可透過確認是否可正確地判定標準樣品30的各個V缺口32、V缺口33、V缺口34,檢查程序中的錯誤等。
In this embodiment, the V-notch VN formed in the ingot SI is scanned along the longitudinal direction of the ingot SI by the
因為標準樣品30係由從矽單結晶的鑄錠SI切出的塊材構成,可作為形狀穩定的矽製標準樣品30,且可長期用作標準樣品30。此外,可重現藉由磨石加工的V缺口形狀,可簡單地形成標準之內的深度尺寸之V缺口32及標準之外的深度尺寸之V缺口33、V缺口34。Since the
在本實施例中,藉由鑄錠SI的V缺口評價方法來對被施加V缺口加工的鑄錠SI之V缺口VN進行良否判定,藉此,可排除在V缺口VN具有缺陷的鑄錠。因此,在作為下一製程的切削製程中,可排除由於V缺口VN的缺陷而導致的不良產品,所以可減少切削製程中非必要的加工。
在本實施例中,在雷射位移計11的掃描方向前方設置有送風機構13。因此,在鑄錠SI的V缺口VN加工後,可除去附著於V缺口VN的灰塵及切削液體,因此雷射位移計11可在乾淨的狀態下進行掃描,可提升V缺口形狀的量測精度。
In this embodiment, the V-notch evaluation method of the ingot SI is used to determine the quality of the V-notch VN of the ingot SI subjected to the V-notch processing, thereby eliminating the ingots with defects in the V-notch VN. Therefore, in the cutting process as the next process, defective products caused by the defects of the V-notch VN can be eliminated, so that unnecessary processing in the cutting process can be reduced.
In this embodiment, an
〔變化實施例〕
以上,關於本發明的實施例,雖然已參照圖式詳述,但具體的構造並不限於上述實施例,在不脫離本發明主旨的範圍內,各種改良及設計變更等亦包含於本發明之中。
作為標準樣品,不限於與矽等半導體用單結晶之鑄錠相同的材料,亦可為不銹鋼等金屬製及合成樹脂製的材料,可形成V缺口32、V缺口33、V缺口34,且為能夠用雷射位移計11測定的材料即可。
標準樣品的形狀不限於前述實施例。舉例來說,亦可使用如第15圖所示的標準樣品30B。標準樣品30B形成有與鑄錠SI的外周面相同曲率的三個圓弧面31,各個圓弧面31的頂點處形成有V缺口32、V缺口33、V缺口34。根據此種標準樣品30B,當在保持臂452上滑動而使各個V缺口32、V缺口33、V缺口34移動至雷射位移計11正下方的測定位置時,各個V缺口32、V缺口33、V缺口34的方向可為固定。
[Varied Embodiments]
Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the drawings, the specific structure is not limited to the above-mentioned embodiments, and various improvements and design changes are also included in the present invention without departing from the scope of the present invention.
As a standard sample, it is not limited to the same material as the single crystal ingot for semiconductors such as silicon, but can also be a metal such as stainless steel and a synthetic resin material, which can form V-
形成於標準樣品的V缺口數量不限於三個。舉例來說,在標準樣品中,亦可設置一個標準之內的V缺口,亦可設置二個或四個以上的V缺口。
此外,形成於標準樣品的V缺口的深度尺寸不限於規格之內以及規格之外,可基於評價V缺口的指標而設定。舉例來說,除了深度尺寸以外,如果V缺口VN的寬度尺寸、V缺口VN的傾斜表面之角度、V缺口VN的形狀係作為評價指標,亦可利用形成有各指標的標準之內的V缺口及標準之外的V缺口之標準樣品。在此情況下,可為每個指標準備不同的標準樣品,且更換並安裝至保持臂452。亦可設置複數個轉動框架45,在各個轉動框架45分別安裝不同的標準樣品,複數個轉動框架45可依序移動至檢查位置進行檢查。
The number of V-notches formed in the standard sample is not limited to three. For example, in the standard sample, one V-notch within the standard may be provided, or two or more than four V-notches may be provided.
In addition, the depth dimension of the V-notch formed in the standard sample is not limited to within the specification or outside the specification, and can be set based on the index for evaluating the V-notch. For example, in addition to the depth dimension, if the width dimension of the V-notch VN, the angle of the inclined surface of the V-notch VN, and the shape of the V-notch VN are used as evaluation indexes, standard samples with V-notches within the standard and V-notches outside the standard formed with each index may also be used. In this case, different standard samples may be prepared for each index, and replaced and mounted on the retaining
雖然標準樣品30相對保持臂452在水平方向上移動,但當標準樣品30相對保持臂452在圓弧方向上移動且將各個V缺口33、V缺口34移動至測定位置時,可將V缺口33、V缺口34的開口方向設定成朝向與V缺口32相同的鉛直方向。Although the
標準樣品移動工具不限於前述實施例的構造,舉例來說,亦可由保持標準樣品30的保持台及將前述保持台滑動至檢查位置及保管位置的移動裝置構造而成。The standard sample moving tool is not limited to the structure of the aforementioned embodiment. For example, it can also be composed of a holding table for holding the
1:V缺口評價裝置 2:貯存處 3:出庫工作站 4:搬出裝置 5:作業系統 6:保持框架 7A:研磨器 7B:研磨器 7C:研磨器 7D:研磨器 8:長站 11:雷射位移計 11A:發光部 11B:受光部 11C:量測值輸出纜線 12:框架 13:送風機構 14:V缺口分析用計算機 15:演算處理裝置 16:記憶裝置 17:形狀資料取得部 18:評價用資料生成部 19:良否判定部 20:評價結果記錄部 30:標準樣品 30B:標準樣品 31:圓弧面 32:V缺口 33:V缺口 34:V缺口 35:基板 36:螺孔 37:螺孔 38:螺孔 40:標準樣品移動工具 41:支柱 411:支柱本體 412:托架 413:支持盤 4131:第一支持片 4132:第二支持片 414:第一貫通孔 415:第二貫通孔 416:貫通孔 417:接合盤 42:有肩螺釘 43:定位銷 45:轉動框架 451:轉動臂 4511:鎖定表面 4512:長孔 4513:孔洞 4514:孔洞 452:保持臂 4521:保持片 S1:製程 S2:製程 S3:製程 S4:製程 S5:製程 S6:製程 S7:製程 S8:製程 S9:製程 S10:製程 S11:製程 S12:製程 S13:製程 S14:製程 S21:製程 S22:製程 S23:製程 S24:製程 S25:製程 S26:製程 S27:製程 S28:製程 S29:製程 S30:製程 S31:製程 S32:製程 S33:製程 S34:製程 S35:製程 S36:製程 S37:製程 S38:製程 S39:製程 S40:製程 S41:製程 SI:鑄錠 VN:V缺口 1: V-notch evaluation device 2: Storage area 3: Outgoing workstation 4: Carrying out device 5: Operation system 6: Holding frame 7A: Grinder 7B: Grinder 7C: Grinder 7D: Grinder 8: Long station 11: Laser displacement meter 11A: Light-emitting unit 11B: Light-receiving unit 11C: Measurement value output cable 12: Frame 13: Air supply mechanism 14: V-notch analysis computer 15: Calculation processing device 16: Memory device 17: Shape data acquisition unit 18: Evaluation data generation unit 19: Good or bad judgment unit 20: Evaluation result recording unit 30: Standard sample 30B: Standard sample 31: Arc surface 32: V-notch 33: V-notch 34: V-notch 35: Base plate 36: Screw hole 37: Screw hole 38: Screw hole 40: Standard sample moving tool 41: Pillar 411: Pillar body 412: Bracket 413: Support plate 4131: First support plate 4132: Second support plate 414: First through hole 415: Second through hole 416: Through hole 417: Joint plate 42: Shoulder screw 43: Positioning pin 45: Rotating frame 451: Rotating arm 4511: Locking surface 4512: Long hole 4513: Hole 4514: Hole 452: Holding arm 4521: holding sheet S1: process S2: process S3: process S4: process S5: process S6: process S7: process S8: process S9: process S10: process S11: process S12: process S13: process S14: process S21: process S22: process S23: process S24: process S25: process S26: process S27: process S28: process S29: process S30: process S31: process S32: process S33: process S34: process S35: process S36: process S37: process S38: process S39: process S40: process S41: process SI: Ingot VN: V-notch
第1圖為根據本發明之一實施例,表示半導體用單結晶鑄錠的加工裝置之構造的示意圖,上述加工裝置包含V缺口評價裝置。 第2圖為表示前述V缺口評價裝置以及加工裝置之配置的示意圖。 第3圖為表示前述V缺口評價裝置中,光學測定工具之構造的示意圖。 第4圖為表示前述V缺口評價裝置中,資料處理工具之構造的功能方塊圖。 第5圖為表示藉前述光學測定工具掃描的V缺口之形狀資料的圖表。 第6圖為表示前述V缺口評價裝置中,藉評價用資料生成部生成的評價用資料之圖表。 第7圖為表示設置於前述V缺口評價裝置之標準樣品的圖式,其中(A)為頂視圖,(B)為側視圖。 第8圖為表示前述V缺口評價裝置中,將保持標準樣品的標準樣品移動工具移動至檢查位置之狀態的前視圖。 第9圖為表示前述V缺口評價裝置中,將保持標準樣品的標準樣品移動工具移動至檢查位置之狀態的側視圖。 第10圖為表示將前述標準樣品移動工具移動至保管位置的前視圖。 第11圖為表示將前述標準樣品移動工具移動至保管位置的側視圖。 第12圖為表示前述實施例中,V缺口之加工方法的流程圖。 第13圖為表示前述實施例中,V缺口評價裝置之正常檢查方法的流程圖。 第14圖為表示前述實施例中,V缺口評價裝置之異常檢查方法的流程圖。 第15圖為表示設置於前述V缺口評價裝置之標準樣品的變化實施例的圖式。 FIG. 1 is a schematic diagram showing the structure of a processing device for semiconductor single crystal ingots according to an embodiment of the present invention, wherein the processing device includes a V-notch evaluation device. FIG. 2 is a schematic diagram showing the configuration of the aforementioned V-notch evaluation device and the processing device. FIG. 3 is a schematic diagram showing the structure of an optical measurement tool in the aforementioned V-notch evaluation device. FIG. 4 is a functional block diagram showing the structure of a data processing tool in the aforementioned V-notch evaluation device. FIG. 5 is a graph showing shape data of a V-notch scanned by the aforementioned optical measurement tool. FIG. 6 is a graph showing evaluation data generated by an evaluation data generation unit in the aforementioned V-notch evaluation device. FIG. 7 is a diagram showing a standard sample set in the aforementioned V-notch evaluation device, wherein (A) is a top view and (B) is a side view. FIG. 8 is a front view showing a state in which a standard sample moving tool holding a standard sample is moved to an inspection position in the aforementioned V-notch evaluation device. FIG. 9 is a side view showing a state in which a standard sample moving tool holding a standard sample is moved to an inspection position in the aforementioned V-notch evaluation device. FIG. 10 is a front view showing the aforementioned standard sample moving tool being moved to a storage position. FIG. 11 is a side view showing the aforementioned standard sample moving tool being moved to a storage position. FIG. 12 is a flow chart showing a V-notch processing method in the aforementioned embodiment. FIG. 13 is a flow chart showing a normal inspection method of the V-notch evaluation device in the aforementioned embodiment. FIG. 14 is a flow chart showing an abnormal inspection method of the V-notch evaluation device in the aforementioned embodiment. Figure 15 is a diagram showing a modified embodiment of the standard sample set in the aforementioned V-notch evaluation device.
11:雷射位移計 12:框架 30:標準樣品 32:V缺口 33:V缺口 34:V缺口 35:基板 40:標準樣品移動工具 41:支柱 411:支柱本體 412:托架 413:支持盤 417:接合盤 42:有肩螺釘 43:定位銷 45:轉動框架 451:轉動臂 452:保持臂 4521:保持片 11: Laser displacement meter 12: Frame 30: Standard sample 32: V notch 33: V notch 34: V notch 35: Substrate 40: Standard sample moving tool 41: Pillar 411: Pillar body 412: Bracket 413: Support plate 417: Joint plate 42: Shoulder screw 43: Positioning pin 45: Rotating frame 451: Rotating arm 452: Holding arm 4521: Holding sheet
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