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TWI850765B - 用於允許簡單微孔加工之具有載體箔之超薄銅箔、使用其之包銅層壓體、及其製造方法 - Google Patents

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TWI850765B
TWI850765B TW111134554A TW111134554A TWI850765B TW I850765 B TWI850765 B TW I850765B TW 111134554 A TW111134554 A TW 111134554A TW 111134554 A TW111134554 A TW 111134554A TW I850765 B TWI850765 B TW I850765B
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范元辰
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金亨哲
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南韓商樂天能源材料股份有限公司
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Abstract

所揭示者係一種具有一載體箔之超薄銅箔及其製造方法，其中具有一載體箔之該超薄銅箔包括依序層壓之一載體箔、一剝離層、及一超薄銅箔，且該載體箔在其面向該剝離層之一面上包括一表面處理層。

Description

用於允許簡單微孔加工之具有載體箔之超薄銅箔、使用其之包銅層壓體、及其製造方法
本揭露係關於一種具有載體箔之超薄銅箔、及採用其之包銅層壓體。
在具有載體箔之超薄銅箔中，藉由銅電鍍將剝離層及超薄銅箔依序形成在載體箔的一個表面上，且由銅鍍製形成之超薄銅箔的最外表面一般以粗糙表面狀態完成。
使用具有載體箔之超薄銅箔的印刷電路板可如下製造。首先，將具有載體箔之超薄銅箔放置於由樹脂或類似物形成之絕緣基材的表面上，使得超薄銅箔係設置在該表面上，接著加熱並壓製，藉此製造一包銅層壓體。接著，藉由依序進行貫穿孔形成及貫穿孔鍍製在該經製造層壓體中形成鍍製貫穿孔，且接著蝕刻存在於該層壓體之表面上的銅箔，以形成具有所欲線寬及線節距的佈線圖案。最後，進行阻焊劑(solder resist)形成或其他處理。
近來，銅箔的粗糙化表面預先附接至黏著劑樹脂(諸如環氧樹脂)，且在半固化狀態(B階段)中透過使用該黏著劑樹脂作為絕緣樹脂，將該絕緣樹脂層熱壓至一絕緣基材，而具有樹脂的銅箔經使用作為用於表面電路形成的銅箔，藉此製造一印刷電路板(具體地，增層電路板)。此一增層電路板需要高度整合的各種電子組件，且對應地需要高密度的佈線圖案，且因此需要具有由精細的線寬或線節距之佈線形成的佈線圖案(亦即，精細圖案)的印刷電路板。例如，需要具有約20 µm之線寬或線節距的高密度印刷電路板。對於形成該增層板中之通孔，由於高生產率或類似者，主要使用其使用CO 2氣體雷射的雷射成孔法(laser via method)。然而，在CO 2氣體雷射係用於習知具有載體箔之超薄銅箔中之情況中，CO 2氣體雷射無法直接執行通孔加工，此係因為銅箔的表面反射在約10,600 nm(其對應於CO 2氣體雷射的波長)之紅外線區域內大部分的光，且因此使用藉由其藉由蝕刻預先移除銅箔之通孔形成部分的一保形遮罩方法，且接著在一基材上執行通孔加工。然而，保形遮罩方法採用一複雜方式，其中藉由不用抗蝕劑覆蓋超薄銅箔之通孔待形成處的部分，並且用抗蝕刻劑覆蓋其他部分來預先蝕刻超薄銅箔，且接著藉由使用CO 2氣體雷射在基材(樹脂部分)上執行通孔加工。因此，若可能對超薄銅箔及樹脂部分兩者使用CO 2氣體雷射執行通孔加工，則可簡化通孔加工。
因此，已需要具有CO 2氣體雷射之低反射率的具有載體箔之超薄銅箔，且因此當對具有載體箔之超薄銅箔或包括其的包銅層壓體執行貫穿孔或通孔加工時，允許針對超薄銅箔及樹脂兩者的通孔加工。
為了達成此，韓國專利公開案第2013-82320號揭示具有載體箔之超薄銅箔，其中剝離層係由一金屬合金層形成，該金屬合金層含有特定含量之第一金屬、促進第一金屬之鍍製的第二金屬、及第三金屬。然而，即使在通孔加工係藉由使用CO 2雷射而在此一超薄銅箔上執行時，該銅箔的表面仍反射大部分的雷射光，而導致有效通孔加工的限制。 先前技術文件 專利文件
(1)韓國專利公開案第2013-82320號 (2)韓國專利公開案第2014-23744號
已製作本揭露以解決上述問題，且本揭露之態樣係提供一種具有一載體箔之超薄銅箔及其製造方法，具有該載體箔之該超薄銅箔具有允許簡單雷射孔加工的新穎結構。
本揭露之另一態樣係提供一種具有一載體箔之超薄銅箔，其具有針對CO 2雷射之優良穿透加工性。
本揭露之又另一態樣係提供一包銅層壓體，其包括上述之具有一載體箔之超薄銅箔。
根據本揭露之一態樣，所提供者係一種具有一載體箔之超薄銅箔，其中一載體箔、一剝離層、及一超薄銅箔係依序層壓，其中該載體箔在其面向該剝離層之一面上包括一表面處理層。
在本揭露中，該表面處理層可具有一表面結構，其中配置具有10 µm或更小之平均直徑的突出部。該表面處理層可具有一表面結構，其中配置具有2 µm或更小之平均直徑的突出部。
在本揭露中，該等突出部可具有8,000至10,000/mm 2之面密度。
在本揭露中，該等突出部可藉由蝕刻該載體箔之一表面而形成。
在本揭露中，其中可配置具有10 µm或更小之平均直徑的槽的一表面結構係形成在剝離後之該超薄銅箔的一S表面上。
在本揭露中，其中配置具有2 µm或更小之平均直徑的槽的一表面結構可係形成在剝離後之該超薄銅箔的一S表面上。
該表面結構之該等槽可具有8,000至10,000/mm 2之密度。
在本揭露中，剝離後之該超薄銅箔的該S表面含有鎳(Ni)及磷(P)。
具有一載體箔之該超薄銅箔可在該剝離層與該超薄銅箔之間進一步包括一雷射吸收層，該雷射吸收層含有銅(Cu)、且含有選自由鎳(Ni)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鉛(Pb)、及錫(Sn)所組成之群組的至少一金屬或其合金。
本揭露之具有一載體箔之該超薄銅箔可進一步包括在該載體箔與該剝離層之間的一抗擴散層。額外地，本揭露之具有一載體箔之該超薄銅箔可進一步包括在該剝離層與該超薄銅箔之間的一耐熱層。
根據本揭露之另一態樣，所提供者係一種包銅層壓體，其藉由將上述之具有一載體箔之超薄銅箔層壓在一樹脂基材上而形成。
根據本揭露之又另一態樣，所提供者係一種用於藉由包括形成具有一載體箔、一剝離層、及一超薄銅箔的一層壓結構來製造具有一載體箔之一超薄銅箔的方法，其中該層壓結構的該形成包括：提供該載體箔；蝕刻該載體箔的一個表面，以形成一表面處理層；及在該表面處理層上依序形成該剝離層及該超薄銅箔。
在本揭露中，可使用選自由以下所組成之群組的至少一有機劑來形成用於該蝕刻之一蝕刻溶液：硫酸、過氧化氫、含氮有機化合物、及含硫有機化合物。在本揭露中，1,2,3-苯并三唑(1,2,3-benzotriazole)、羧基苯并三唑(carboxybenzotriazole)、或類似者可用作含氮有機化合物，且巰基苯并噻唑(mercaptobenzothiazole)、三聚硫氰酸(thiocyanuric acid)、或類似者可用作含硫有機化合物。
根據本揭露，可提供具有一載體箔之一超薄銅箔，其具有允許簡單雷射孔加工的新穎結構。此外，本揭露可提供具有一載體箔之一超薄銅箔，其具有針對CO 2雷射之精確及優良穿透加工性，且可提供包括其的包銅層壓體。
例示性實施例中所示之組態及本文所述之圖式僅係本揭露之最佳例示性實施例，且不表示本揭露之所有技術發想，且因此應理解可製作可置換此等的各種等效例及變化例。在下文中，將參考隨附圖式更詳細描述本揭露的例示性實施例。
如本文所使用，用語「層壓(lamination)」係指至少兩個層的接合。例如，第一層及第二層的層壓不僅係包括第一層及第二層的直接接觸，亦包括接合中介於第一層與第二層之間的額外第三層。在本揭露的層壓結構中，第三層係存在於第一層與第二層之間的含義包括第三層係與第一層及第二層直接接觸的情況，或者第三層係不與第一層或第二層直接接觸的情況。
圖1a及圖1b分別地各示意性地顯示根據本揭露之實施例的具有載體膜之超薄銅膜的層壓結構。
參考圖1a，具有載體膜之超薄銅膜具有層壓結構，其中一載體箔100、一表面處理層110、一抗擴散層120、一剝離層130、一耐熱層140、及一超薄銅箔150係依序層壓。
載體箔100作用為支撐材料(載體)，直到超薄銅箔接合至絕緣基材。鋁箔、不鏽鋼箔、鈦箔、銅箔、或銅合金箔可用作為載體箔。例如，可使用電解銅箔、電解銅合金箔、軋製銅箔、或軋製銅合金箔。較佳地，載體箔可係電解銅箔，且載體箔之上表面100B可係光澤表面或無光澤表面的之任一者。載體箔之下表面100A可具有粗糙化的處理層。
載體箔可具有1 mm或更小的厚度。例如，載體箔之厚度可係7至70 µm。例如，載體箔之厚度可係12至18 µm。載體箔在具有小於7 µm的厚度時可能難以作用為載體，且該載體箔在具有大於1 mm的厚度時在作用為載體上可能不具有問題，但在連續鍍製以用於形成剝離層、超薄銅箔、及類似者期間，該載體箔之張力在連續鍍製線上需要增強，且需要一大規模設施。
在本揭露中，表面處理層110係添加在載體箔100與抗擴散層120之間，或者添加在載體箔100與抗擴散層120之間的邊界處。在本揭露中，表面處理層110可具有一結構，其中配置具有10 µm或更小、5 µm或更小、2 µm或更小、或1 µm或更小之平均直徑的微突出部。在本揭露中，微突出部之平均直徑較佳地係0.5 µm或更大。
在本揭露中，微突出部之面密度較佳地係8,000至10,000/mm 2。
如此，本揭露中之表面處理層具有等於或小於CO 2雷射之波長（例如，10,600 nm）的微突出部，且如稍後所描述，微槽（其等係在剝離後形成，且對應於該等微突出部）可藉由散射雷射光促進雷射光的吸收。
儘管表面處理層100，表面處理層100可視為低粗糙度平滑表面，且依序形成於其上的超薄箔150亦可具有低粗糙度表面。本揭露中之表面處理層100可較佳地具有0.5至1.5 µm之表面粗糙度。
較佳地，可藉由蝕刻載體箔100之表面來形成表面處理層110。例如，可藉由用含有硫酸、過氧化氫、氫氧化鈉、及至少一種苯并三唑(BTA)之蝕刻溶液之處理來形成表面處理層110。
抗擴散層120及耐熱層140可含有選自由以下所組成之群組的至少一元素：鎳(Ni)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎢(W)、鋁(Al)、及磷(P)。例如，抗擴散層及耐熱層可各自係單一金屬層、二或更多個之合金層、或至少一金屬氧化物層。
用於形成單一金屬層之鍍製的實例可包括鎳鍍、鈷鍍、鐵鍍、鋁鍍、及類似者。用於形成二元合金層之鍍製的實例可包括鎳-鈷鍍、鎳-鐵鍍、鎳-鉻鍍、鎳-鉬鍍、鎳-鎢鍍、鎳-銅鍍、鎳-磷鍍、鈷-鐵鍍、鈷-鉻鍍、鈷-鉬鍍、鈷-鎢鍍、鈷-銅鍍、鈷-磷鍍、及類似者。用於形成三元合金層之鍍製的實例可包括鎳-鈷-鐵鍍、鎳-鈷-鉻鍍、鎳-鈷-鉬鍍、鎳-鈷-鎢鍍、鎳-鈷-銅鍍、鎳-鈷-磷鍍、鎳-鐵-鉻鍍、鎳-鐵-鉬鍍、鎳-鐵-鎢鍍、鎳-鐵-銅鍍、鎳-鐵-磷鍍、鎳-鉻-鉬鍍、鎳-鉻-鎢鍍、鎳-鉻-銅鍍、鎳-鉻-磷鍍、鎳-鉬-鎢鍍、鎳-鉬-銅鍍、鎳-鉬-磷鍍、鎳-鎢-銅鍍、鎳-鎢-磷鍍、鎳-銅-磷鍍、鈷-鐵-鉻鍍、鈷-鐵-鉬鍍、鈷-鐵-鎢鍍、鈷-鐵-銅鍍、鈷-鐵-磷鍍、鈷-鉻-鉬鍍、鈷-鉻-鎢鍍、鈷-鉻-銅鍍、鈷-鉻-磷鍍、鈷-鉬-磷鍍、鈷-鎢-銅鍍、鈷-鎢-磷鍍、鈷-銅-磷鍍、及類似者。
較佳地，抗擴散層120及耐熱層140可含有鎳(Ni)及磷(P)。
當在高溫下具有載體箔之超薄銅箔與一絕緣基材壓製在一起時，抗擴散層120抑制銅擴散至剝離層中。銅擴散至剝離層中可在載體箔與超薄銅箔之間形成金屬鍵結，且在其等之間的強結合強度可使載體箔的剝離困難，且抗擴散層120可抑制此反應。
在具有載體箔之銅箔中，剝離層130係用於在自超薄銅箔剝離載體箔時用於改善剝離性質的層，且剝離層係引入以乾淨且容易地剝離載體箔。剝離層係與載體箔整體移除。
在本揭露中，剝離層130可含有具有剝離性質的金屬或金屬合金。可剝離金屬可包括鉬或鎢。剝離層130可含有鍍製催化劑。例如，剝離層130可含有選自由鐵(Fe)、鈷(Co)、及鎳(Ni)所組成之群組的至少一金屬。
額外地，剝離層可係具有剝離性質之有機剝離層。例如，剝離層可含有選自由基於BTA材料所組成之群組的至少一有機材料。
超薄銅箔150可具有12 µm或更小的厚度。較佳地，該超薄銅箔可具有1.5至5 µm的厚度。
在本揭露中，該超薄銅箔較佳地具有0.5至1.5 µm的表面粗糙度(Rz)。
超薄銅箔可根據用途而具有粗糙化表面及非粗糙化表面。粗糙化表面可透過結核處理形成，且非粗糙化表面可藉由在銅箔形成期間添加光澤劑(glossing agent)及抑制劑來形成。
在本揭露中，超薄銅箔之表面可額外地經受表面處理。例如，可用耐熱性及耐化學性處理、鉻酸鹽處理、及矽烷偶合處理的任一者、或其組合處理該表面，且可根據後續程序適當地選擇待執行之表面處理的類型。
耐熱性及耐化學性處理可例如藉由將薄膜形成在金屬箔上執行，其係透過將鎳、錫、鋅、鉻、鉬、鈷、及類似者的任一者或其合金濺鍍、電鍍、或無電式電鍍。考慮到成本，電鍍係較佳的。
針對鉻酸鹽處理，可使用含有六價或三價鉻離子的水溶液。鉻酸鹽處理可藉由簡單的浸入處理執行，但較佳地係陰極處理。例如，陰極處理較佳地係在以下條件下執行：0.1至70 g/L的重鉻酸鈉，pH 1至13，15至60℃的槽溫度，0.1至5 A/dm 2的電流密度，0.1至100秒的電解時間。額外地，鉻酸鹽處理較佳地係對防鏽處理執行，藉此可進一步改善防潮性及耐熱性。
作為用於矽烷偶合處理的矽烷偶合劑，可使用選自由以下所組成之群組的至少一材料或混合物：環氧基官能性矽烷(諸如3-環氧丙氧丙基三甲氧基矽烷、及2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷)、胺基官能性矽烷、烯烴官能性矽烷、丙烯酸官能性矽烷、甲基丙烯酸官能性矽烷、巰基官能性矽烷、及類似者。例如，該矽烷偶合劑係以0.1至15 g/L之濃度溶解於溶劑(諸如水)中，並在室溫至70℃的溫度下施加至金屬箔，或者藉由電沉積吸附於該金屬箔上。在矽烷偶合處理之後，可藉由加熱、紫外線輻照、或類似者形成穩定的接合。該加熱可在100至200℃的溫度下執行達2至60秒。
以下，將參考圖1b描述本揭露之另一實施例。
圖1b所示之具有載體箔之超薄銅箔進一步包括在剝離層130與耐熱層140之間的一雷射吸收層160，不像圖1a所示之具有載體箔之超薄銅箔。
雷射吸收層160包含具有低光澤及深色之鍍製層。例如，雷射吸收層160可含有銅(Cu)、及選自由鎳(Ni)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鉛(Pb)、及錫(Sn)所組成之群組的至少一金屬或其合金(且例如一種、兩種、或三種金屬、或其合金)。
在本揭露中，雷射吸收層160的厚度較佳地係0.01至1 µm。更佳地，雷射吸收層160的厚度係0.05至0.5 µm。吸收層在具有0.05 µm的厚度時對顏色變化具有極少影響，且該吸收層在具有1 µm或更大的厚度時具有過暗的顏色，這可引起雷射加工中之穿透缺陷。
圖1b所示之具有載體箔之超薄銅箔可藉由添加雷射吸收層160展現較高的雷射吸收速率。
以下，將參考實例詳細描述本揭露。然而，此等實例係以例示方式顯示，且不應解釋為以任何方式限制本揭露。 ＜實例1＞
層壓結構係以以下順序形成。 A.載體箔
具有在其光澤表面上之1.2 µm之表面粗糙度(Rz)及18 µm之厚度的電解銅箔係藉由浸入在於100 g/L硫酸中達5秒而經受漬製(pickle)處理，且接著用純水洗滌。 B.表面處理層
藉由用以下預處理溶液之預處理來活化載體箔之表面。 a. 硫酸：200至300 g/L、過氧化氫：50至150 g/L、選自含氮有機化合物及含硫有機化合物的至少一有機劑 b. 溫度：40℃ c. pH：0.01至0.5 d 浸漬時間：5秒 C.抗擴散層
在以下條件下，藉由在電鍍槽中之鎳-磷(Ni-P)鍍製來形成抗擴散層。 a. 鎳(Ni)濃度：10至20 g/L，磷(P)濃度：5至15 g/L b. pH 4.0，溫度：30℃，電流密度：1.5 A/dm 2，鍍製時間：2秒
所形成之抗擴散層的鍍製量係301 µg/dm 2的鎳(Ni)鍍製量。 D.剝離層
在以下條件下，藉由在電鍍槽中之鉬-鎳-鐵(Mo-Ni-Fe)鍍製來形成剝離層。 a. 鉬(Mo)濃度：10至30 g/L，鎳(Ni)濃度：3至10 g/L，鐵(Fe)濃度：1至7 g/L，檸檬酸鈉：100至200 g/L，及pH 10.2（添加30 ml/L氨水）。 b. 溫度：30℃，電流密度：10 A/dm 2，鍍製時間：7秒
所形成之剝離層的鍍製量係1.01 mg/dm 2，且剝離層之組成物係62.31 wt%的鉬(Mo)、30.8 wt%的鎳(Ni)、及6.89 wt%的鐵(Fe)。 E.耐熱層
在以下條件下，藉由在電鍍槽中之Ni-P鍍製來形成耐熱層。 a. Ni濃度：10至20 g/L，P濃度：5至15 g/L，pH 4.0 b. 溫度：30℃，電流密度：1.5 A/dm 2，鍍製時間：2秒
所形成之耐熱層的鍍製量係301 µg/dm 2的鎳(Ni)鍍製量。 F.超薄銅箔
在以下條件下，在電鍍槽中形成具有2 µm之厚度的銅箔。 a. CuSO 4-5H 2O：300 g/L，H 2SO 4：150 g/L， b. 溫度：35℃，電流密度：20A/dm 2，鍍製時間：30秒 G.額外處理
在超薄銅箔層之表面上額外地執行耐熱性及耐化學性處理、鉻酸鹽處理、及矽烷偶合處理。 ＜實例2＞
藉由如實例1中的相同方法製造具有載體箔之超薄銅箔，除了在剝離層與耐熱層之間添加雷射吸收層。在以下條件下，在電鍍槽中形成雷射吸收層。 a. 銅濃度：1至5 g/L，鎳濃度：1至5 g/L，鈷濃度：1至10 g/L，硫酸銨：10至50 g/L，檸檬酸鈉：30至70 g/L， b. pH 4.5，溫度：30℃，電流密度：20 A/dm 2，鍍製時間：4秒 ＜實例3＞
藉由如實例2中的相同方法製造具有載體箔之超薄銅箔，除了有機剝離層係形成為剝離層。在以下條件下，在電鍍槽中形成有機剝離層。 a. 羧基苯并三唑濃度：1至5 g/L，銅濃度：5至15 g/L，H 2SO 4濃度：150 g/L b. 溫度：40℃，浸漬時間：30秒 ＜比較例1＞
藉由如實例1中的相同方法製造具有載體箔之超薄銅箔，除了省略表面處理層。 ＜比較例2＞
藉由如實例2中的相同方法製造具有載體箔之超薄銅箔，除了省略表面處理層。 ＜測試實例＞
如樣本之具有載體箔之超薄銅箔（在實例1至3及比較例1及2中製造）針對表面粗糙度(Rz)測量。將所製造樣本經受剝離，並在剝離後針對光澤及顏色測量表面（S表面）。表面粗糙度、光澤、及顏色的測量條件如下。 a. 表面粗糙度 測量設備：SURFCOM 1400D (TSK, TOKYO SEIMITSU) 測量標準：根據IPC-TM-650標準測量 b. 光澤 測量設備：Gloss Metal VG 7000, NIPPON DENSHOKU 測量標準：Gs(60°)，JIS Z 871-1997 c. 顏色 測量設備：CM-2500d, KONIKA MINOLTA 測量標準：SCE，L*測量
在實例1至3及比較例1及2中製造之具有載體箔之超薄銅箔的實例針對雷射加工性評定。雷射加工條件如下。 d. 雷射加工性評估
至於超薄銅箔（如樣本），係在以下之後獲得：所製造之具有載體箔之超薄銅箔經受剝離，藉由使用在7 W及5 W之雷射輸出下之用於30-µm孔大小加工的雷射束的二氧化碳氣體雷射通孔加工器透過一次加工在銅箔中形成通孔，且測量通孔大小。使用Hitachi的雷射鑽孔機LC-4K系列作為雷射加工設備。
下表1概述表面粗糙度、光澤、顏色、及雷射加工性之評估結果。 表1
分類 表面粗糙度(Rz) 剝離後之超薄箔的S表面光澤 剝離後之超薄箔的顏色L* CO2雷射 孔大小 (7 w, 30 µm) CO2雷射 孔大小 (5 w, 30 µm)
實例1 1.06 13 62.1 36.03 27.11
實例2 1.04 10 52.6 42.24 30.19
實例3 1.02 9 53.9 41.91 30.81
比較例1 1.00 35 66.4 31.20 22.76
比較例2 1.01 25 64.3 34.43 26.33
如可在表1所示，相較於不具有表面處理層的比較例1，在具有形成在載體箔之表面上的表面處理層的實例1中，剝離後之超薄箔的S表面光澤係較低的且藉由CO 2雷射的孔大小增加。
相較於實例1，在具有表面處理層及雷射吸收層兩者的實例2及3中，光澤度及顏色更顯而易見，且雷射孔大小增加。
圖2a及圖2b係藉由在實例1之製造期間形成表面處理層之前及之後各別觀測載體箔之表面所獲得的電子顯微鏡影像。
可自該等影像看出在表面上藉由表面處理而發展出突出部結構。
圖3a及圖3b係藉由在自比較例1及實例2之樣本剝離後各別觀測超薄銅箔之S表面所獲得的電子顯微鏡影像。
可自該等影像確認，不具有表面處理層之比較例1顯示與載體箔之表面相同的情況，但實例2顯示其中配置具有2 µm或更小之平均直徑的複數個凹入槽的一雕刻結構。可看出，此結構實質上對應於圖2b中之表面壓紋結構。
圖4a顯示藉由在雷射加工實例2及比較例1中製造之樣本之後拍攝貫穿孔所獲得的電子顯微鏡影像。如圖所示，相較於比較例之樣本，在實例之樣本中以相同雷射輸出形成具有較大開口直徑的孔。此等結果指示，在相較於習知技術的較短時間下，具有本發明之層壓結構的具有載體箔之超薄銅箔顯示具有較大直徑的通孔或貫穿孔。
雖然已透過某些實施例來描述本揭露，但應瞭解，對於所屬技術領域中具有通常知識者而言，在不脫離本揭露之範圍的情況下所述實施例之各種排列及修改係可能的。因此，本揭露之範圍不應由所述實施例限定，但應由隨附申請專利範圍及其等效例限定。
100:載體箔 100A:下表面 100B:上表面 110:表面處理層 120:抗擴散層 130:剝離層 140:耐熱層 150:超薄銅箔/超薄箔 160:雷射吸收層
［圖1a］及［圖1b］各示意性地顯示根據本揭露之實施例的具有載體膜之超薄銅膜的層壓結構。 ［圖2a］及［圖2b］係根據本揭露之實施例藉由拍攝載體箔的表面所獲得的電子顯微鏡影像。 ［圖3a］及［圖3b］係藉由在自根據本揭露之實施例製造之如樣本之具有載體箔之超薄銅箔剝離載體箔後觀測超薄銅箔之表面所獲得的電子顯微鏡影像。 ［圖4a］及［圖4b］係藉由在雷射通孔加工之後拍攝根據本揭露之實施例製造之如樣本之具有載體箔之超薄銅箔所獲得的電子顯微鏡影像。
100:載體箔
100A:下表面
100B:上表面
110:表面處理層
120:抗擴散層
130:剝離層
140:耐熱層
150:超薄銅箔/超薄箔

Claims (13)

  1. 一種具有一載體箔之超薄銅箔，其中一載體箔、一剝離層、及一超薄銅箔係依序層壓，其中該載體箔在其面向該剝離層之一面上包含一表面處理層；其中該表面處理層具有一表面結構，其配置具有10μm或更小之平均直徑的突出部；其中該等突出部具有8,000至10,000/mm2的面密度。
  2. 如請求項1之具有一載體箔之超薄銅箔，其中該表面處理層的該表面處理層配置具有2μm或更小之平均直徑的突出部。
  3. 如請求項1或2之具有一載體箔之超薄銅箔，其中該等突出部係藉由蝕刻該載體箔的一表面而形成。
  4. 如請求項1之具有一載體箔之超薄銅箔，其中於其中配置具有10μm或更小之平均直徑的槽的一表面結構係形成在剝離後之該超薄銅箔的一S表面上。
  5. 如請求項1之具有一載體箔之超薄銅箔，其中於其中配置具有2μm或更小之平均直徑的槽的一表面結構係形成在剝離後之該超薄銅箔的一S表面上。
  6. 如請求項4或5之具有一載體箔之超薄銅箔，其中該等槽具有8,000至10,000/mm2的面密度。
  7. 如請求項4或5之具有一載體箔之超薄銅箔，其中剝離後之該超薄銅箔的該S表面含有鎳(Ni)及磷(P)。
  8. 如請求項1之具有一載體箔之超薄銅箔，其在該剝離層與該超薄銅箔之間進一步包含一雷射吸收層，該雷射吸收層含有銅(Cu)、且含有選自 由鎳(Ni)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鉛(Pb)、及錫(Sn)所組成之群組的至少一金屬或其合金。
  9. 如請求項1至2、4至5、及8中任一項之具有一載體箔之超薄銅箔，其進一步包含在該載體箔與該剝離層之間的一抗擴散層。
  10. 如請求項1至2、4至5、及8中任一項之具有一載體箔之超薄銅箔，其進一步包含在該剝離層與該超薄銅箔之間的一耐熱層。
  11. 一種包銅層壓體，其藉由將如請求項1至2、4至5、及8中任一項之具有一載體箔之超薄銅箔層壓在一樹脂基材上而形成。
  12. 一種用於藉由包含形成一載體箔、一剝離層、及一超薄銅箔的一層壓結構來製造具有一載體箔之一超薄銅箔的方法，其中該層壓結構的該形成包含：提供該載體箔；蝕刻該載體箔的一個表面，以形成一表面處理層；及在該表面處理層上依序形成該剝離層及該超薄銅箔；其中該表面處理層具有一表面結構，其配置具有10μm或更小之平均直徑的突出部；其中該等突出部具有8,000至10,000/mm2的面密度。
  13. 如請求項12之方法，其中用於該蝕刻之一蝕刻溶液含有硫酸和過氧化氫，還包含選自由以下所組成之群組的至少一有機劑：含氮有機化合物、及含硫有機化合物。
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