TWI850116B - Capacitance measurement circuit - Google Patents
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Abstract
Description
本發明係有關於電容量測,且尤指一種電容至數位轉換器(capacitance to digital converter,CDC)以及其中的電荷至電壓轉換器(charge to voltage converter,CVC)。 The present invention relates to capacitance measurement, and in particular to a capacitance to digital converter (CDC) and a charge to voltage converter (CVC) therein.
對於電容量測電路(例如包含有電荷至電壓轉換器以及電壓至數位轉換器(例如類比至數位轉換器(analog to digital converter,ADC))的電容至數位轉換器)來說,電荷至電壓轉換器內的可變電容可用來減少/抵銷待測電容的感測電容值中的寄生電容值,或為後續訊號轉換調整輸入動態範圍,其中待測電容係藉由電容至數位轉換器前端電路的電荷轉換電路所感測。然而,倘若寄生電容值遠大於可變電容的電容值的話,則可能無法透過可變電容來減少/抵銷寄生電容值,在寄生電容值過大而無法減少/抵銷的情況下,電荷至電壓轉換器之輸出電壓的電壓振幅可能會超過類比至數位轉換器的輸入電壓範圍,其導致類比至數位轉換器無法正常操作。 For a capacitance measurement circuit (e.g., a capacitance-to-digital converter including a charge-to-voltage converter and a voltage-to-digital converter (e.g., an analog-to-digital converter (ADC))), a variable capacitor in the charge-to-voltage converter can be used to reduce/offset a parasitic capacitance value in a sensed capacitance value of a capacitance to be measured, or to adjust an input dynamic range for subsequent signal conversion, wherein the capacitance to be measured is sensed by a charge conversion circuit of a front-end circuit of the capacitance-to-digital converter. However, if the parasitic capacitance value is much larger than the capacitance value of the variable capacitor, the parasitic capacitance value may not be reduced/offset by the variable capacitor. If the parasitic capacitance value is too large to be reduced/offset, the voltage amplitude of the output voltage of the charge-to-voltage converter may exceed the input voltage range of the analog-to-digital converter, causing the analog-to-digital converter to not operate normally.
因此,本發明的目的之一在於提供一種可分別產生具有不同電壓振幅的多個激勵訊號至外部電容感測器與至少一內部補償電容的電容量測電路, 以解決上述問題。 Therefore, one of the purposes of the present invention is to provide a capacitance measuring circuit that can generate multiple excitation signals with different voltage amplitudes to an external capacitance sensor and at least one internal compensation capacitor, to solve the above-mentioned problem.
根據本發明之一實施例,提供了一種電容量測電路。電容量測電路可包含有一電荷至電壓轉換器,電荷至電壓轉換器可包含有至少一第一可變電容、一激勵訊號產生電路、一差動放大器、一第一開關電路以及至少一第二可變電容,其中藉由至少一第一可變電容來減少透過一電容感測器所量測的一感測電容值中的一寄生電容值。激勵訊號產生電路可用以產生並連接一第一激勵訊號至電容感測器的一第一端,以及產生並連接一第二激勵訊號至至少一第一可變電容,其中第一激勵訊號與第二激勵訊號為反相,以及第一激勵訊號的一電壓振幅係不同於第二激勵訊號的一電壓振幅。差動放大器具有一反相輸入端、一非反相輸入端、一反相輸出端以及一非反相輸出端,其中反相輸入端係用以自電容感測器的一第二端接收感測電容值,第一開關電路係耦接於差動放大器的反相輸入端以及非反相輸出端之間,以及第一開關電路與至少一第二可變電容係並聯於差動放大器的反相輸入端以及非反相輸出端之間。 According to an embodiment of the present invention, a capacitance measuring circuit is provided. The capacitance measuring circuit may include a charge-to-voltage converter, and the charge-to-voltage converter may include at least one first variable capacitor, an excitation signal generating circuit, a differential amplifier, a first switching circuit, and at least one second variable capacitor, wherein a parasitic capacitance value in a sensed capacitance value measured by a capacitance sensor is reduced by the at least one first variable capacitor. The excitation signal generating circuit may be used to generate and connect a first excitation signal to a first end of the capacitance sensor, and to generate and connect a second excitation signal to the at least one first variable capacitor, wherein the first excitation signal and the second excitation signal are in antiphase, and a voltage amplitude of the first excitation signal is different from a voltage amplitude of the second excitation signal. The differential amplifier has an inverting input terminal, a non-inverting input terminal, an inverting output terminal and a non-inverting output terminal, wherein the inverting input terminal is used to receive a sensed capacitance value from a second terminal of the capacitance sensor, the first switch circuit is coupled between the inverting input terminal and the non-inverting output terminal of the differential amplifier, and the first switch circuit and at least one second variable capacitor are connected in parallel between the inverting input terminal and the non-inverting output terminal of the differential amplifier.
此外,電荷至電壓轉換器可用以根據感測電容值產生一輸出電壓,電容量測電路可以是一電容至數位轉換器,並且另包含有一類比至數位轉換器,其中類比至數位轉換器可用以將輸出電壓轉換為一數位脈衝流。 In addition, the charge-to-voltage converter can be used to generate an output voltage according to the sensed capacitance value, and the capacitance measuring circuit can be a capacitance-to-digital converter and further include an analog-to-digital converter, wherein the analog-to-digital converter can be used to convert the output voltage into a digital pulse current.
本發明的好處之一在於,本發明的電容量測電路(其包含有電荷至電壓轉換器以及類比至數位轉換器)可分別產生具有不同電壓振幅的多個激勵訊號至外部電容感測器與至少一內部補償電容的電容量測電路,在待測電容的感測電容值中的寄生電容值遠大於至少一補償電容的電容值的情況下,本發明的電荷至電壓轉換器可藉由具有不同電壓振幅的激勵訊號來利用該至少一補償 電容以成功地減少/抵銷寄生電容值。如此一來,電荷至電壓轉換器之輸出電壓的電壓振幅不會超過類比至數位轉換器的輸入動態範圍,其可使得類比至數位轉換器正常地操作。 One of the advantages of the present invention is that the capacitance measuring circuit of the present invention (which includes a charge-to-voltage converter and an analog-to-digital converter) can generate a plurality of excitation signals with different voltage amplitudes to an external capacitance sensor and a capacitance measuring circuit of at least one internal compensation capacitor, respectively. In the case that the parasitic capacitance value in the sensed capacitance value of the capacitor to be measured is much larger than the capacitance value of at least one compensation capacitor, the charge-to-voltage converter of the present invention can utilize the at least one compensation capacitor to successfully reduce/offset the parasitic capacitance value by using the excitation signals with different voltage amplitudes. In this way, the voltage amplitude of the output voltage of the charge-to-voltage converter will not exceed the input dynamic range of the analog-to-digital converter, which allows the analog-to-digital converter to operate normally.
100,300,400:電荷至電壓轉換器 100,300,400: Charge to voltage converter
102,200:激勵訊號產生電路 102,200: Excitation signal generating circuit
104:差動放大器 104: Differential amplifier
106,306,308,310,312,406,408:開關電路 106,306,308,310,312,406,408: Switching circuit
108:至少一可變電容 108: At least one variable capacitor
110:至少一補償電容 110: At least one compensation capacitor
112:自校準電容 112: Self-calibration capacitor
114,116,302,304,402,404:驅動電路 114,116,302,304,402,404:Drive circuit
118:迴轉率限制器 118: Slew rate limiter
150:電容感測器 150: Capacitor sensor
ΦR:時脈訊號 Φ R : Clock signal
VOUT+:第一差動輸出電壓 V OUT+ : First differential output voltage
VOUT-:第二差動輸出電壓 V OUT- : Second differential output voltage
CS:感測電容值 C S : Sensing capacitance value
VEXC:激勵電壓訊號 V EXC : Excitation voltage signal
VEXC1:第一激勵訊號 V EXC1 : First excitation signal
VEXC2:第二激勵訊號 V EXC2 : Second excitation signal
VEXC1’:第一限制激勵訊號 V EXC1 ': First limiting excitation signal
VEXC2’:第二限制激勵訊號 V EXC2 ': Second limiting excitation signal
VOUT:輸出電壓 V OUT : Output voltage
202:低壓差穩壓器 202: Low voltage differential regulator
204:縮放電路 204: Scaling circuit
206:P型電晶體 206: P-type transistor
208:放大器 208:Amplifier
210:擇取電路 210: Select circuit
212,214:緩衝器 212,214: Buffer
216,218,503:多工器 216,218,503:Multiplexer
VREF:參考電壓 VREF: reference voltage
GND:接地電壓 GND: Ground voltage
R1,R2:電阻 R1, R2: resistors
V_SCAL_1~V_SCAL_N:縮放電壓 V_SCAL_1~V_SCAL_N: scaling voltage
SEL_S,SEL_S’:擇取訊號 SEL_S,SEL_S’: Select signal
:控制訊號 :Control signal
500:電容量測電路 500: Capacitance measurement circuit
501:溫度感測器 501: Temperature sensor
502:減法電路 502: Subtraction circuit
504:積分器電路 504: Integrator circuit
506:回授電路 506: Feedback circuit
510:類比至數位轉換器 510:Analog to digital converter
第1圖為依據本發明第一實施例之電荷至電壓轉換器的示意圖。 Figure 1 is a schematic diagram of a charge-to-voltage converter according to the first embodiment of the present invention.
第2圖為依據本發明一實施例之激勵訊號產生電路的示意圖。 Figure 2 is a schematic diagram of an excitation signal generating circuit according to an embodiment of the present invention.
第3圖為依據本發明第二實施例之電荷至電壓轉換器的示意圖。 Figure 3 is a schematic diagram of a charge-to-voltage converter according to the second embodiment of the present invention.
第4圖為依據本發明第三實施例之電荷至電壓轉換器的示意圖。 Figure 4 is a schematic diagram of a charge-to-voltage converter according to the third embodiment of the present invention.
第5圖為依據本發明一實施例之電容量測電路的示意圖。 Figure 5 is a schematic diagram of a capacitance measurement circuit according to an embodiment of the present invention.
第1圖為依據本發明第一實施例之電荷至電壓轉換器(charge to voltage converter,CVC)100的示意圖。如第1圖所示,電荷至電壓轉換器100可包含有激勵訊號產生電路102、差動放大器104、開關電路106、至少一可變電容108、至少一補償電容110、自校準電容112、多個驅動電路114與116以及迴轉率(slew rate,SR)限制器118,其中供應電壓VDD可供應至電荷至電壓轉換器100,並且至少一補償電容110可以是至少一可變電容。此外,電容感測器150位於電荷至電壓轉換器100之外部,其中電容感測器150具有兩端連接架構,並且可用以感測一感測電容值CS。電容感測器150可作為一可變元件,並且感測電容值CS的動態範圍可隨著外部環境的變化而改變。電荷至電壓轉換器100可用以根據感測電容值CS來產生輸出電壓VOUT(其係藉由VOUT+與VOUT-所產生的差動輸出),舉例來說,感測電容值CS可包含有一實際待測電容值(為簡潔起見,表示為
“CS’”)以及一寄生電容值CP(亦即CS=CS’+CP),其中至少一補償電容110可用以自感測電容值CS減少/抵銷寄生電容值CP。此外,在電容感測器150沒有耦接於電荷至電壓轉換器100(亦即沒有待測電容)的情況下,電荷至電壓轉換器100可能會有浮接(floating connection)的問題,為解決此問題,自校準電容112可用以為電荷至電壓轉換器100進行一自校準操作。
FIG. 1 is a schematic diagram of a charge to voltage converter (CVC) 100 according to a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1 , the charge to
激勵訊號產生電路102可用以產生一第一激勵訊號VEXC1並透過驅動電路114與迴轉率限制器118來將第一激勵訊號VEXC1連接至電容感測器150的一第一端,以及產生一第二激勵訊號VEXC2並透過驅動電路116與迴轉率限制器118來將第二激勵訊號VEXC2連接至至少一補償電容110,其中第一激勵訊號VEXC1與第二激勵訊號VEXC2係反相(out-of-phase)並不重疊(non-overlapping),以及第一激勵訊號VEXC1的電壓振幅不同於第二激勵訊號VEXC2的電壓振幅,尤其是,第一激勵訊號VEXC1的電壓振幅低於第二激勵訊號VEXC2的電壓振幅。為了更好的理解,第一激勵訊號VEXC1可以是激勵電壓訊號VEXC的K1倍(亦即VEXC1=K1 * VEXC),並且第二激勵訊號VEXC2可以是激勵電壓訊號VEXC的K2倍(亦即VEXC2=K2 * VEXC),舉例來說,在寄生電容值CP遠大於至少一補償電容110之電容值的情況下,可藉由激勵訊號產生電路102來將第一激勵訊號VEXC1的電壓振幅設置為低於第二激勵訊號VEXC2的電壓振幅(亦即K1<K2)。
The excitation
詳細地來說,請參照第2圖,第2圖為依據本發明一實施例之激勵訊號產生電路200的示意圖,其中第1圖所示之激勵訊號產生電路102可藉由激勵訊號產生電路200來實現。如第2圖所示,激勵訊號產生電路200可包含有低壓差穩壓器(low dropout regulator,LDO regulator)202以及縮放電路204,低壓差穩壓器202可用以調節供應電壓VDD來產生激勵電壓訊號VEXC(亦即低壓差穩壓器202
的輸入與輸出分別為供應電壓VDD與激勵電壓訊號VEXC),並可包含有P型電晶體206以及放大器208,其中激勵電壓訊號VEXC可以是具有自32kHz至500kHz的頻率範圍中的一頻率值的一方波(例如具有32kHz的方波),激勵電壓訊號VEXC的高電壓位準(表示為“VEXC+”)係不同於供應電壓VDD,以及激勵電壓訊號VEXC的低電壓位準(表示為“VEXC-”)係不同於一接地電壓GND。P型電晶體206具有耦接於供應電壓VDD的一源極端以及耦接於縮放電路204的一汲極端。放大器208具有一反相輸入端(在第2圖中標記為“-”)、一非反相輸入端(在第2圖中標記為“+”)以及一輸出端,其中非反相輸入端係耦接於一參考電壓VREF,反相輸入端係耦接於縮放電路204,以及輸出端係耦接於P型電晶體206的一閘極端。激勵電壓訊號VEXC係自P型電晶體206的汲極端輸出至縮放電路204。
For details, please refer to FIG. 2 , which is a schematic diagram of an excitation
縮放電路204可用以對激勵電壓訊號VEXC進行多個縮放操作以產生第一激勵訊號VEXC1以及第二激勵訊號VEXC2,具體上來說,縮放電路204可包含有多個電阻R1與R2、擇取電路210以及多個緩衝器212與214,其中第一激勵訊號VEXC1以及第二激勵訊號VEXC2可透過電阻R1、電阻R2與擇取電路210之間的一配置來產生。電阻R1具有耦接於接地電壓GND的一第一端以及耦接於放大器208之反相輸入端的一第二端。電阻R2具有耦接於電阻R1之第二端的一第一端以及耦接於P型電晶體206之汲極端的一第二端。擇取電路210係耦接於電阻R2的第一端。藉由改變電阻R1之電阻值與電阻R2之電阻值之間的比例,可藉由擇取電路210來取得複數個縮放電壓V_SCAL_1~V_SCAL_N(其包含有第一激勵訊號VEXC1以及第二激勵訊號VEXC2),其中N係大於1的整數(亦即N>1)。舉例來說,縮放電壓V_SCAL_1~V_SCAL_N的設置參數可儲存於一暫存器(未顯示於第2圖)中,並且對於第一激勵訊號VEXC1與第二激勵訊號VEXC2中的任一個激勵訊號來說,擇取電路210可用以自該暫存器擇取縮放電壓V_SCAL_1~V_SCAL_N中的
一縮放電壓。
The
擇取電路210可包含有多個N至1多工器(multiplexer,MUX;例如複數個多工器216與218),其中多工器216可用以接收縮放電壓V_SCAL_1~V_SCAL_N並根據一擇取訊號SEL_S來將縮放電壓V_SCAL_1~V_SCAL_N中的一縮放電壓(例如第一激勵訊號VEXC1)輸出至緩衝器212,多工器218可用以接收縮放電壓V_SCAL_1~V_SCAL_N並根據擇取訊號SEL_S來將縮放電壓V_SCAL_1~V_SCAL_N中的一縮放電壓(例如第二激勵訊號VEXC2)輸出至緩衝器214,以及擇取訊號SEL_S可指示第一激勵訊號VEXC1的電壓振幅與第二激勵訊號VEXC2的電壓振幅之間的一比例(例如K1與K2之間的一比例)。舉例來說,在擇取訊號SEL_S指示K1與K2之間的比例係8(例如K2=8 * K1)的情況下,擇取電路210可自縮放電壓V_SCAL_1~V_SCAL_N擇取與K1 * VEXC相等的一縮放電壓並將該縮放電壓輸出至緩衝器212,以及自縮放電壓V_SCAL_1~V_SCAL_N擇取與8 * K1 * VEXC相等的另一縮放電壓並將該另一縮放電壓輸出至緩衝器214。
The
緩衝器212可用以自擇取電路210(尤其是,多工器216)接收第一激勵訊號VEXC1,並透過驅動電路114與迴轉率限制器118來將第一激勵訊號VEXC1連接至電容感測器150的第一端。緩衝器214可用以自擇取電路210(尤其是,多工器218)接收第二激勵訊號VEXC2,並透過驅動電路116與迴轉率限制器118來將第二激勵訊號VEXC2連接至至少一補償電容110。
The
請參照回第1圖,由於縮放後的電壓(例如第一激勵訊號VEXC1與第二激勵訊號VEXC2)可能會有較差的驅動能力,因此驅動電路114可用以自激勵訊
號產生電路102/200(尤其是,緩衝器212)接收第一激勵訊號VEXC1,並根據第一激勵訊號VEXC1來驅動電容感測器150,而驅動電路116可用以自激勵訊號產生電路102/200(尤其是,緩衝器214)接收第二激勵訊號VEXC2,並根據第二激勵訊號VEXC2來驅動至少一補償電容110。在本實施例中,驅動電路114與116中的每一個驅動電路係推輓驅動器(push-pull driver),其中推輓驅動器係由一P型電晶體與一N型電晶體串聯所組成的一數位驅動電路,但是本發明不限於此。在某些實施例中,驅動電路114與116中的每一個驅動電路可包含有多個開關(例如多個傳輸閘(transmission gate))。在某些實施例中,驅動電路114與116可以是推輓驅動器與多個開關的一組合,其中驅動電路114與116中的一驅動電路係推輓驅動器,而驅動電路114與116中的另一驅動電路可包含有多個傳輸閘。
Referring back to FIG. 1 , since the scaled voltage (e.g., the first excitation signal V EXC1 and the second excitation signal V EXC2 ) may have poor driving capability, the driving
在第一激勵訊號VEXC1與第二激勵訊號VEXC2分別直接地自驅動電路114與116連接至電容感測器150與至少一補償電容110的情況下,方波可能會在高電壓位準與低電壓位準之間急劇地上升與下降,其可能會導致電磁干擾(electromagnetic interference,EMI)並干擾附近的電子元件,為解決此問題,迴轉率限制器118可用以分別對第一激勵訊號VEXC1與第二激勵訊號VEXC2進行迴轉率限制操作,以產生並連接一第一限制激勵訊號VEXC1’至電容感測器150的第一端,以及產生並連接一第二限制激勵訊號VEXC2’至至少一補償電容110。
In the case where the first excitation signal V EXC1 and the second excitation signal V EXC2 are directly driven by the
差動放大器104具有一反相輸入端(在第1圖中標記為“-”)、一非反相輸入端(在第1圖中標記為“+”)、一非反相輸出端(亦即輸出一第一差動輸出電壓VOUT+的一端)以及一反相輸出端(亦即輸出一第二差動輸出電壓VOUT-的一端),其中反相輸入端可耦接於至少一補償電容110、自校準電容112以及電容感測器150,並可用以自電容感測器150的一第二端接收感測電容值CS;非反相輸
入端可耦接於一共模(common-mode)電壓(在第1圖中標記為“VCM”);以及輸出電壓VOUT係差動放大器104之反相輸出端與非反相輸出端之間的電壓差(亦即VOUT=VOUT+-VOUT-)。開關電路106可耦接於差動放大器104的反相輸入端與非反相輸出端之間,其中開關電路106係藉由與第一激勵訊號VEXC1同相(in-phase)的一控制訊號(亦即該控制訊號與第二激勵訊號VEXC2反相)所控制。舉例來說,該控制訊號可以是一時脈訊號ΦR,其中時脈訊號ΦR可以是具有自32kHz至500kHz的頻率範圍中的一頻率值的一方波(例如具有32kHz的方波),時脈訊號ΦR的高電壓位準可以是供應電壓VDD,以及時脈訊號ΦR的低電壓位準可以是接地電壓GND。
The
在本實施例中,假設當時脈訊號ΦR位於高電壓位準(例如供應電壓VDD)時開關電路106係關閉的,以及當時脈訊號ΦR位於低電壓位準(例如接地電壓GND)時開關電路106係打開的,此外,開關電路106與至少一可變電容108並聯於差動放大器104的反相輸入端以及非反相輸出端之間。至少一補償電容110可具有多個待擇取的電容值,舉例來說,至少一補償電容110可被配置為與寄生電容值CP相等或相近的某個數值(例如自多個電容值所則取出來的一電容值),以根據第二激勵訊號VEXC2來進行寄生電容減少/抵銷。藉由差動放大器104、開關電路106以及至少一可變電容108之間的配置,輸出電壓VOUT可藉由以下公式來取得:
此外,在第一激勵訊號VEXC1係激勵電壓訊號VEXC的K1倍(亦即VEXC1=K1 * VEXC)以及第二激勵訊號VEXC2係激勵電壓訊號VEXC的K2倍(亦即VEXC2=K2 * VEXC)的情況下,上述公式可簡化如下:
第3圖為依據本發明第二實施例之電荷至電壓轉換器300的示意圖,其中第3圖所示之電荷至電壓轉換器300與第1圖所示之電荷至電壓轉換器100之間的差異在於電荷至電壓轉換器100中的驅動電路114與116被修改以分別藉由電荷至電壓轉換器300的驅動電路302與304來實現。當縮放電壓(例如第一激勵訊號VEXC1)的電壓位準低於P型電晶體及/或N型電晶體的門檻電壓位準時,推輓驅動器中的P型電晶體及/或N型電晶體可能無法正常地運作,其導致推輓驅動器無法正常工作並因此無法具備驅動能力,為解決此問題,不受縮放電壓的電壓位準影響的多個開關(例如多個傳輸閘)可嵌入於電荷至電壓轉換器300之驅動電路302與304中的每一個驅動電路中。
FIG. 3 is a schematic diagram of a charge-to-
具體上來說,驅動電路302可包含有多個開關電路306與308,開關電路306具有一第一端以及一第二端,其中開關電路306的第一端係用以自激勵訊號產生電路102接收第一激勵訊號VEXC1的高電壓位準(表示為“VEXC1+”),並且開
關電路306係被與第一激勵訊號VEXC1同相的一控制訊號(例如時脈訊號ΦR)所控制,以將第一激勵訊號VEXC1的高電壓位準連接至開關電路306的第二端。假設當時脈訊號ΦR位於高電壓位準(亦即第一激勵訊號VEXC1亦位於高電壓位準)時開關電路306係關閉的,以及當時脈訊號ΦR位於低電壓位準(亦即第一激勵訊號VEXC1亦位於低電壓位準)時開關電路306係開啟的。
Specifically, the driving
開關電路308具有一第一端以及一第二端,其中開關電路308的第一端係用以自激勵訊號產生電路102接收第一激勵訊號VEXC1的低電壓位準(表示為“VEXC1-”),並且開關電路308係被與第一激勵訊號VEXC1反相的一控制訊號所控制,以將第一激勵訊號VEXC1的低電壓位準連接至開關電路308的第二端。假設當控制訊號位於高電壓位準(亦即第一激勵訊號VEXC1位於低電壓位準)時開關電路308係關閉的,以及當控制訊號位於低電壓位準(亦即第一激勵訊號VEXC1位於高電壓位準)時開關電路308係開啟的。電容感測器150係透過迴轉率限制器118來耦接於開關電路306的第二端以及開關電路308的第二端。
The
驅動電路304可包含有多個開關電路310與312,開關電路310具有一第一端以及一第二端,其中開關電路310的第一端係用以自激勵訊號產生電路102接收第二激勵訊號VEXC2的高電壓位準(表示為“VEXC2+”),並且開關電路310係被與第一激勵訊號VEXC1反相的控制訊號所控制,以將第二激勵訊號VEXC2的高電壓位準連接至開關電路310的第二端。假設當控制訊號位於高電壓位準(亦即第二激勵訊號VEXC2亦位於高電壓位準)時開關電路310係關閉的,以及當控制訊號位於低電壓位準(亦即第二激勵訊號VEXC2亦位於低電壓位準)時開關電路310係開啟的。
The driving
開關電路312具有一第一端以及一第二端,其中開關電路312的第一端係用以自激勵訊號產生電路102接收第二激勵訊號VEXC2的低電壓位準(表示為“VEXC2-”),並且開關電路312係被與第一激勵訊號VEXC1同相的一控制訊號(例如時脈訊號ΦR)所控制,以將第二激勵訊號VEXC2的低電壓位準連接至開關電路312的第二端。假設當時脈訊號ΦR位於高電壓位準(亦即第二激勵訊號VEXC2位於低電壓位準)時開關電路312係關閉的,以及當時脈訊號ΦR位於低電壓位準(亦即第二激勵訊號VEXC2位於高電壓位準)時開關電路312係開啟的。至少一補償電容110係透過迴轉率限制器118來耦接於開關電路310的第二端以及開關電路312的第二端。
The
第4圖為依據本發明第三實施例之電荷至電壓轉換器400的示意圖,其中第4圖所示之電荷至電壓轉換器400與第1圖所示之電荷至電壓轉換器100之間的差異在於電荷至電壓轉換器100中的驅動電路114與116被修改以分別藉由電荷至電壓轉換器400的驅動電路402與404來實現。在本實施例中,由於對應於第一激勵訊號VEXC1的縮放範圍(例如減少範圍)過小,因此第一激勵訊號VEXC1的電壓位準不夠大來驅動推輓驅動器,而第二激勵訊號VEXC2仍可正常地驅動推輓驅動器,為解決此問題,驅動電路402包含有不受縮放電壓的電壓位準影響的多個開關(例如多個傳輸閘,諸如多個開關電路406與408),並且驅動電路404仍可藉由推輓驅動器來實現。由於本領域具通常知識者可透過上述第1圖所示之電荷至電壓轉換器100以及第3圖所示之電荷至電壓轉換器300的說明書相關段落來熟知電荷至電壓轉換器400的操作,為簡潔起見在此不再重複詳細描述。
FIG. 4 is a schematic diagram of a charge-to-
第5圖為依據本發明一實施例之電容量測電路500的示意圖,其中電容量測電路500係一電容至數位轉換器(capacitance to digital converter,CDC)。如
第5圖所示,電容量測電路500可至少包含有第1圖所示之電荷至電壓轉換器100以及一類比至數位轉換器(analog to digital converter,ADC)510,並另包含有溫度感測器501以及一2至1多工器(例如多工器503),其中類比至數位轉換器510可用以將輸出電壓VOUT轉換為數位脈衝流(digital pulse stream)D_S。在本實施例中,類比至數位轉換器510係一三角積分類比至數位轉換器(sigma-delta ADC),但是本發明不限於此,實際上,類比至數位轉換器510可採用任一種能夠將輸出電壓VOUT轉換為數位脈衝流D_S的類比至數位轉換器架構,該些替代設計皆落入本發明的範疇。
FIG. 5 is a schematic diagram of a
此外,由於感測電容值CS的動態範圍可能會隨著外部環境而改變,因此溫度感測器501可用以感測環境溫度來產生溫度資料TEM_D。多工器503可用以自電荷至電壓轉換器100接收輸出電壓VOUT,自溫度感測器501接收溫度資料TEM_D,並根據一擇取訊號SEL_S’來將輸出電壓VOUT與溫度資料TEM_D的其一輸出至類比至數位轉換器510,其中可藉由類比至數位轉換器510來根據溫度資料TEM_D以微調感測電容值CS。
In addition, since the dynamic range of the sensing capacitance value C S may change with the external environment, the
類比至數位轉換器510可至少包含有減法電路502、積分器電路504以及回授電路506,減法電路502可用以自電荷至電壓轉換器100接收輸出電壓VOUT,並自輸出電壓VOUT減去一回授訊號F_S以產生一處理後訊號P_S,積分器電路504可耦接於減法電路502,並且可用以對處理後訊號P_S進行積分操作以產生數位脈衝流D_S,回授電路506可耦接於減法電路502與積分器電路504,並且可用以自數位脈衝流D_S取得回授訊號F_S,以及將回授訊號F_S傳送至減法電路502。由於三角積分類比至數位轉換器已被該領域者具有通常知識者所熟知,因此為簡潔起見,關於類比至數位轉換器510的詳細內容在此不描述。
The analog-to-
總結來說,本發明的電容量測電路(其包含有電荷至電壓轉換器以及類比至數位轉換器)可分別產生具有不同電壓振幅的多個激勵訊號至外部電容感測器與至少一內部補償電容的電容量測電路,在待測電容的感測電容值中的寄生電容值遠大於至少一補償電容的電容值的情況下,本發明的電荷至電壓轉換器可藉由具有不同電壓振幅的激勵訊號來利用該至少一補償電容以成功地減少/抵銷寄生電容值。如此一來,電荷至電壓轉換器之輸出電壓的電壓振幅不會超過類比至數位轉換器的輸入動態範圍,其可使得類比至數位轉換器正常地操作。 In summary, the capacitance measurement circuit of the present invention (which includes a charge-to-voltage converter and an analog-to-digital converter) can generate multiple excitation signals with different voltage amplitudes to an external capacitance sensor and a capacitance measurement circuit of at least one internal compensation capacitor, respectively. When the parasitic capacitance value in the sensed capacitance value of the capacitor to be measured is much larger than the capacitance value of at least one compensation capacitor, the charge-to-voltage converter of the present invention can utilize the at least one compensation capacitor to successfully reduce/offset the parasitic capacitance value by using the excitation signals with different voltage amplitudes. In this way, the voltage amplitude of the output voltage of the charge-to-voltage converter will not exceed the input dynamic range of the analog-to-digital converter, which allows the analog-to-digital converter to operate normally.
以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範圍。 The above is only the preferred embodiment of the present invention. All equivalent changes and modifications made according to the scope of the patent application of the present invention shall fall within the scope of the present invention.
100,:電荷至電壓轉換器 100,: Charge to voltage converter
102:激勵訊號產生電路 102: Excitation signal generating circuit
104:差動放大器 104: Differential amplifier
106:開關電路 106: Switching circuit
108:至少一可變電容 108: At least one variable capacitor
110:至少一補償電容 110: At least one compensation capacitor
112:自校準電容 112: Self-calibration capacitor
114,116:驅動電路 114,116:Drive circuit
118:迴轉率限制器 118: Slew rate limiter
150:電容感測器 150: Capacitor sensor
ΦR:時脈訊號 Φ R : Clock signal
VOUT+:第一差動輸出電壓 V OUT+ : First differential output voltage
VOUT-:第二差動輸出電壓 V OUT- : Second differential output voltage
CS:感測電容值 C S : Sensing capacitance value
VEXC:激勵電壓訊號 V EXC : Excitation voltage signal
VEXC1:第一激勵訊號 V EXC1 : First excitation signal
VEXC2:第二激勵訊號 V EXC2 : Second excitation signal
VEXC1’:第一限制激勵訊號 V EXC1 ': First limiting excitation signal
VEXC2’:第二限制激勵訊號 V EXC2 ': Second limiting excitation signal
VOUT:輸出電壓 V OUT : Output voltage
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Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| TW201140256A (en) * | 2009-12-31 | 2011-11-16 | Mapper Lithography Ip Bv | Integrated sensor system |
| US20180011125A1 (en) * | 2015-02-17 | 2018-01-11 | Hitachi, Ltd. | Acceleration sensor |
| US10817114B2 (en) * | 2016-12-21 | 2020-10-27 | Alps Alpine Co., Ltd. | Capacitance detection device for detecting capacitance between object proximate to detection electrode and the detection electrode and input device used for inputting information according to proximity of object |
| CN116670529A (en) * | 2021-02-04 | 2023-08-29 | 阿尔卑斯阿尔派株式会社 | Capacitance detection device, capacitance detection method, and input device |
-
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