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TWI849939B - 高頻連接器 - Google Patents

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TWI849939B
TWI849939B TW112120166A TW112120166A TWI849939B TW I849939 B TWI849939 B TW I849939B TW 112120166 A TW112120166 A TW 112120166A TW 112120166 A TW112120166 A TW 112120166A TW I849939 B TWI849939 B TW I849939B
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female
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洪和聰
蔡夢華
李威霆
王信翔
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特崴光波導股份有限公司
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Abstract

一種高頻連接器，包含複數個接合端子組、至少一第一金屬件、複數個第二金屬件以及絕緣殼體。接合端子組之每一者包含公端子以及母端子，公端子與母端子接觸以傳輸訊號，且接合端子組沿著第一方向排列；至少一第一金屬件沿著第一方向延伸；第二金屬件設置於接合端子組之間，且沿著第二方向延伸，其中第二金屬件之每一者包含至少二金屬片，且至少二金屬片彼此之間互不相連；絕緣殼體承載第二金屬件，使至少一第一金屬件與第二金屬件之間互不接觸。

Description

高頻連接器
本揭露是有關於一種用以進行訊號傳輸的連接器，且特別是涉及一種用以進行高頻訊號傳輸的高頻連接器。
隨著通訊產業的蓬勃發展，全球迎來了第五代行動通訊技術(5th generation mobile networks；5G)的世代，因而驅策連接器的技術演進。
在系統或電路中，連接器作為電氣連接或訊號傳輸的關鍵基礎元件，扮演著訊號之間的傳輸媒介。然而，為了能夠支援較高頻段(例如，5G毫米波頻段)的訊號傳輸並維持良好的傳輸品質，連接器的整體性能需要不斷地提升，以因應高頻諧振、阻抗不匹配、電磁干擾(Electromagnetic Interference；EMI)等高頻通訊傳輸所帶來的問題。
一種高頻連接器，包含:複數個接合端子組、至少一第一金屬件、複數個第二金屬件以及絕緣殼體，其中那些接合端子組之每一者包含一公端子以及一母端子，公端子與母端子接觸以傳輸訊號，且那些接合端子組沿著第一方向排列；至少一第一金屬件沿著第一方向延伸；那些第二金屬件設置於那些接合端子組之間，且沿著第二方向延伸，其中那些第二金屬件之每一者包含至少二金屬片，且至少二金屬片彼此之間互不相連；絕緣殼體承載那些第二金屬件，使至少一第一金屬件與那些第二金屬件之間互不接觸。
本發明的另一目的在於提供一種高頻連接器，包含：公座連接器以及母座連接器。公座連接器包含：公絕緣殼體、至少一第一公座金屬體以及複數個第二公座金屬體。公絕緣殼體承載複數個公端子，其中那些公端子沿著一第一方向排列；至少一第一公座金屬體沿著第一方向延伸且設置於那些公端子之間；那些第二公座金屬體沿著第二方向延伸且設置於那些公端子之間，其中那些第二金屬件之每一者皆包含至少二金屬片，且至少二金屬片彼此之間互不相連。母座連接器具有與公座連接器相互對應之接合結構，包含：母絕緣殼體、至少一第一母座金屬體以及複數個第二母座金屬體。母絕緣殼體承載複數個母端子，其中那些母端子沿著第一方向排列；至少一第一母座金屬體沿著第一方向延伸且設置於那些母端子之間設置；複數個第二母座金屬體沿著第二方向延伸且設置於那些母端子之間，其中那些第二金屬件之每一者皆包含至少二金屬片，且至少二金屬片彼此之間互不相連。其中，至少一第一公座金屬體與那些第二公座金屬體之間互不接觸，以及至少一第一母座金屬體與那些第二母座金屬體之間互不接觸。
以下仔細地討論本發明的實施例。然而，可以理解的是，實施例提供許多可應用的概念，其可實施於各式各樣的特定內容中。所討論、揭示之實施例僅供說明，並非用以限定本發明之範圍。
請參照圖1，圖1係繪示出根據本發明實施例之高頻連接器100的示意圖，其係由公座連接器110及母座連接器120相互對應接合後所構成。高頻連接器100適用於進行高頻(例如，毫米波頻段)訊號傳輸，並利用金屬件屏蔽與接地特性來減少傳輸訊號反射或阻抗不匹配所導致的損耗，使得訊號在高頻下能夠更完整地傳輸。如圖1所繪示，高頻連接器100包含複數個接合端子組130、第一金屬件140、複數個第二金屬件150以及絕緣殼體160，其中第一金屬件140及第二金屬件150分別在第一方向D1及第二方向D2上延伸設置，以作為接合端子組130之間的屏蔽並電性接地，藉此改善高頻連接器100的電壓駐波比(voltage standing wave ratio；VSWR)以及接合端子組130在傳輸訊號時對彼此的訊號干擾。在一些實施例中，本發明之高頻連接器100可以與軟性印刷電路板(flexible print circuit；FPC)結合應用，使高頻連接器100更加輕薄化、行動化，亦能夠隨著軟性印刷電路板作一定程度的彎曲，以增加高頻連接器100的可應用性。
請繼續參照圖1，接合端子組130係由公座連接器110的公端子及母座連接器120的母端子接合組成，其中接合端子組130之每一者皆包含一個公端子及一個母端子，且接合端子組130沿著第一方向D1排列設置。在一些實施例中，相較於將接地腳位(ground pin)設置於任意的接合端子組，將接地腳位設置於中間的接合端子組能夠獲得相對少的雜訊干擾。
請繼續參照圖1，第一金屬件140沿著第一方向D1延伸設置，並設置於絕緣殼體160中。在此實施例中，第一金屬件140係埋設/穿設於絕緣殼體160的孔洞中，第一金屬件140的頂部和底部透過絕緣殼體160的孔洞露出，且第一金屬件140的頂部和底部皆電性接地。如此一來，第一金屬件140會與高頻連接器100的公座連接器110及母座連接器120共同接地，使得電流(訊號)的傳輸路徑增加，進而改善高頻連接器100的電壓駐波比。在一些實施例中，第一金屬件140可以具有更多從絕緣殼體160露出且電性接地的部分。在一些實施例中，第一金屬件140的頂部表面和底部表面可與絕緣殼體160的頂部表面和底部表面對準，或者從絕緣殼體160的頂部表面和底部表面稍微內縮或突出，如此第一金屬件140的頂部和底部可內縮於絕緣殼體160的孔洞中，或者突出於絕緣殼體160的孔洞外，本發明並不受限於此。
在本實施例中，第一金屬件140的頂部和底部具有凹凸結構，此凹凸結構之至少二部分突出於絕緣殼體160的孔洞外且電性接地。在一些實施例中，第一金屬件140可以具有不同的形狀以因應不同的連接器結構，例如：第一金屬件140的前端、末端、頂部或底部可以具有凸出或凹入的結構，以供第一金屬件140與連接器相互嵌合，本發明並不以此為限。在一些實施例中，第一金屬件140可以是一體成形的結構，亦可以是由多個部件所組成的構件。除此之外，雖然在圖1中僅繪示出一個第一金屬件140，但實際上可以根據所需設置更多的第一金屬件140。
請繼續參照圖1，第二金屬件150設置於接合端子組130之間，且沿著垂直於第一方向D1的第二方向D2延伸設置，並設置於絕緣殼體160中。在此發明之實施例中，第二金屬件150的頂部和底部透過絕緣殼體160的孔洞(例如，接合端子組130與第一金屬件140之間)和插槽(例如，相鄰的接合端子組130之間)露出，且第二金屬件150的頂部和底部皆電性接地。如此一來，當公座連接器110與母座連接器120相互接合時，第二金屬件150能夠在接合端子組130之間形成屏蔽，進而改善接合端子組130之間的訊號干擾，使訊號能夠更有效地傳輸。第二金屬件150可以具有更多從絕緣殼體160露出且電性接地的部分，本發明並不受限於此。在一些實施例中，第二金屬件150的頂部表面和底部表面可與絕緣殼體160的頂部表面和底部表面對準，或者從絕緣殼體160的頂部表面和底部表面稍微內縮或突出，如此第二金屬件150的頂部和底部可內縮於絕緣殼體160的孔洞/插槽中，或者突出於絕緣殼體160的孔洞/插槽外。除此之外，雖然在圖1中僅繪示出四個第二金屬件150，但實際上可以根據所需設置更多的第二金屬件150。在一些實施例中，第二金屬件150可以具有不同的形狀以因應不同的連接器結構，例如：第二金屬件150的前端、末端、頂部或底部可以具有凸出或凹入的結構，以供第二金屬件150與連接器相互嵌合，本發明並不以此為限。
請繼續參照圖1，在此發明之實施例中，第二金屬件150之每一者皆由金屬片150a及金屬片150b所組成，且金屬片150a及金屬片150b彼此之間互不接觸，其中金屬片150a沿著第二方向D2延伸設置於接合端子組130與第一金屬件140之間，而金屬片150b沿著第二方向D2延伸設置於相鄰的接合端子組130之間。在本發明之實施例中，金屬片150a及金屬片150b之間的間距至少為0.07λ，其中λ為前述高頻訊號之波長，以使得到較佳的頻率響應。例如，當前述高頻訊號之工作頻率為50GHz時，且前述高頻訊號之波長為3.53mm時，則間距至少0.25mm (0.07×3.53mm)。雖然圖1中僅繪示出由兩個金屬片(即金屬片150a及金屬片150b)組成的第二金屬件150，但實際上第二金屬件150可以根據所需而由更多的金屬片來組成，本發明並不受限於此。在一些實施例中，第二金屬件150的金屬片150a及金屬片150b可以是各自一體成形的結構，亦可以是各別由多個部件組成的構件，本發明並不以此為限。
在本發明之實施例中，圖2繪示出在工作頻率為50GHz的情況下，第一金屬件140與第二金屬件150之間的連接關係對於損失(loss)的影響。在圖2中，參考點O 1表示第一金屬件140與第二金屬件150之間相互連接，且第二金屬件150之金屬片150a及金屬片150b之間沒有間距；參考點O 2表示第一金屬件140與第二金屬件150之間不相連，且第二金屬件150之金屬片150a及金屬片150b之間沒有間距；參考點O 3表示第一金屬件140與第二金屬件150不相連，且第二金屬件150之金屬片150a及金屬片150b之間具有間距。由圖2可以發現，相較於參考點O 1和參考點O 2，參考點O 3具有較小的損失。換句話說，當第一金屬件140與第二金屬件150不相連，且第二金屬件150之金屬片150a及金屬片150b之間具有間距時，可以減少損失。
在本發明之實施例中，圖3繪示出在工作頻率為50GHz的情況下，第一金屬件140與第二金屬件150之間的連接關係對於電壓駐波比的影響。在圖3中，參考點O 1表示第一金屬件140與第二金屬件150之間相互連接，且第二金屬件150之金屬片150a及金屬片150b之間沒有間距；參考點O 2表示第一金屬件140與第二金屬件150之間不相連，且第二金屬件150之金屬片150a及金屬片150b之間沒有間距；參考點O 3表示第一金屬件140與第二金屬件150不相連，且第二金屬件150之金屬片150a及金屬片150b之間具有間距。由圖2可以發現，相較於參考點O 1和參考點O 2，參考點O 3電壓駐波比愈接近1。換句話說，當第一金屬件140與第二金屬件150不相連，且第二金屬件150之金屬片150a及金屬片150b之間具有間距時，可以使電壓駐波比愈接近1，代表訊號反射量愈少，阻抗匹配較佳。
在本發明之實施例中，圖4更進一步繪示出在工作頻率為50GHz的情況下，第二金屬件150之金屬片150a及金屬片150b的間距對於損失及電壓駐波比的影響。由圖4中可以發現，當金屬片150a及金屬片150b的間距介於0.25mm至0.62mm時，具有較小的損失以及較接近1的電壓駐波比，會產生較佳的頻率響應。根據上述實驗數據，可以將金屬片150a及金屬片150b之間的間距定義為至少為0.07λ，以使得到較佳的頻率響應。例如，在此實施例中，當工作頻率為50GHz時，波長為3.53mm，則金屬片150a及金屬片150b之間的間距至少為0.25mm (0.07×3.53mm)，即可獲得較佳的頻率響應。
請繼續參照圖1，絕緣殼體160係由公座連接器110的公絕緣殼體及母座連接器120的母絕緣殼體接合組成，且設置以承載接合端子組130。換句話說，公座連接器110的公座絕緣殼體承載多個公端子，母座連接器120的母座絕緣殼體承載多個母端子，並使公端子與母端子相互對應接合以構成接合端子組130。在本實施例中，絕緣殼體160將第一金屬件140與第二金屬件150相互間隔開，使兩者之間互不接觸。
在圖1所繪示之實施例中，高頻連接器100還包含實質覆蓋絕緣殼體160的金屬殼體170，此金屬殼體170係由公座連接器110的金屬殼體與母座連接器120的金屬殼體相互接合構成。
根據上述內容，圖5及圖6分別繪示出根據本發明實施例之公座連接器110及母座連接器120的示意圖。在圖5及圖6所繪示之公座連接器110及母座連接器120可用以實現圖1中所繪示的高頻連接器100，且亦可以在不超出本揭露範圍之內採用其他種可能的變化體。
請參照圖5，圖5左側係繪示根據本發明實施例之公座連接器110之金屬構件的示意圖，其包含多個公端子111及公座金屬殼體113。圖5左側係繪示根據本發明實施例之包含公座絕緣殼體112之公座連接器110，此公座絕緣殼體112用以承載圖5左側所繪示之金屬構件(包含公端子111及公座金屬殼體113)。具體來說，公座絕緣殼體112承載公端子111及公座金屬殼體113，且公座金屬殼體113實質覆蓋公座絕緣殼體112。除此之外，圖5右側所繪示之公座絕緣殼體112具有沿著第一方向D1延伸的孔洞114、凹槽116和凹槽117，以及沿著第二方向D2延伸之複數個孔洞115。在此實施例中，當公座連接器110及母座連接器120相互接合時，孔洞114、凹槽116和凹槽117供予第一金屬件140對應穿設，且孔洞115供予第二金屬件150對應穿設，具體來說，第一金屬件140及第二金屬件150的頂部及底部會從這些孔洞及開槽露出並電性接地。
請參照圖6，圖6右側係繪示根據本發明實施例之母座連接器120之金屬構件的示意圖，其包含多個母端子121、母座金屬殼體123、第一金屬件140以及多個第二金屬件150。圖6右側係繪示根據本發明實施例之包含母座絕緣殼體122之母座連接器120的示意圖，母座絕緣殼體122用以承載圖6右側所繪示之金屬構件(包含母端子121、母座金屬殼體123、第一金屬件140及第二金屬件150)。母座絕緣殼體122承載著母端子121，且母座金屬殼體123實質覆蓋母座絕緣殼體122。在此實施例中，第一金屬件140及第二金屬件150分別設置在第一方向D1及第二方向D2上，以在公座連接器110與母座連接器120相互對應接合時作為接合端子組130之間的屏蔽。
在此實施例中，第一金屬件140及第二金屬件150的頂部及底部皆超出母端子121、母座絕緣殼體122及母座金屬殼體123，並在公座連接器110與母座連接器120相互對應接合時電性接地。應當理解的是，在一些實施例中，第一金屬件140及第二金屬件150的頂部表面和底部表面可與母座絕緣殼體122的頂部表面和底部表面對準，或者從母座絕緣殼體122的頂部表面和底部表面稍微內縮或突出，如此第一金屬件140及第二金屬件150的頂部和底部可內縮於母座絕緣殼體122的孔洞/插槽中，或者突出於母座絕緣殼體122的孔洞/插槽外。
除此之外，雖然在圖5及圖6所繪示之實施例中，第一金屬件140及第二金屬件150皆設置於母座連接器120，但在一些實施例中，第一金屬件140及第二金屬件150可以設置在公座連接器110。在另一些實施例中，第一金屬件140及第二金屬件150之其中一者設置於公座連接器110，而另一者設置於母座連接器120。在又一些實施例中，公座連接器110及母座連接器120皆設置有第一金屬件140及第二金屬件150。應當理解，關於第一金屬件140及第二金屬件150之放置位置的變化與修改皆在本發明的範圍之內。
在圖7及圖8中，分別繪示出根據本發明之另一個實施例的公座連接器210與母座連接器220。其中，在圖1及圖6所繪示之第一金屬件140被分割成第一公座金屬體214及第一母座金屬體224，並分別設置於公座連接器210及母座連接器220，其中第一公座金屬體214及第一母座金屬體224皆電性接地。而在圖1及圖6所繪示之第二金屬件150的每一者皆被分割成複數個第二公座金屬體215及複數個第二母座金屬體225，亦分別設置於公座連接器210及母座連接器220，其中第二公座金屬體215及第二母座金屬體225之每一者皆電性接地。應當理解，圖7及圖8所繪示之公座連接器210及母座連接器220可用以實現圖1中所繪示的高頻連接器100，且亦可以在不超出本揭露範圍之內採用其他種可能的變化體。
請參照圖7，圖7左側係繪示根據本發明另一實施例之公座連接器210之金屬構件的示意圖，其包含多個公端子211、公座金屬殼體213、第一公座金屬體214以及多個第二公座金屬體215，其中第二公座金屬體215之每一者包含金屬片215a和金屬片215b，且金屬片215a和金屬片215b彼此之間互不相連，並具有至少為0.07λ的間隔距離，其中λ為工作頻率之波長，以使得到較佳的頻率響應。例如，當工作頻率為50GHz時，波長為3.53mm，則間距至少0.25mm (0.07×3.53mm)。圖7右側係繪示根據本發明另一實施例之包含公座絕緣殼體212之公座連接器210的示意圖，公座絕緣殼體212承載圖7左側所繪示之金屬構件(包含公端子211、公座金屬殼體213、第一公座金屬體214以及第二公座金屬體215)。
請參照圖8，圖8左側繪示出根據本發明另一實施例之母座連接器220之金屬構件的示意圖，其包含多個母端子221、母座金屬殼體223、第一母座金屬體224以及第二母座金屬體225，其中第二母座金屬體225包含金屬片225a和金屬片225b，且金屬片225a和金屬片225b彼此之間互不相連，並具有至少為0.07λ的間隔距離，其中λ為前述高頻訊號之波長，以使得到較佳的頻率響應。例如，當前述高頻訊號之工作頻率為50GHz，且前述高頻訊號之波長為3.53mm時，則間距至少0.25mm (0.07×3.53mm)。而圖8右側繪示根據本發明另一實施例之包含母座絕緣殼體222之母座連接器220的示意圖，母座絕緣殼體222承載圖8左側所繪示之金屬構件(包含母端子221、母座金屬殼體223、第一母座金屬體224以及第二母座金屬體225)。
在圖7及圖8所繪示之實施例中，當公座連接器210與母座連接器220相互接合時，第一公座金屬體214與第一母座金屬體224相互對應接合以形成圖1所繪示之第一金屬件140，從圖1的絕緣殼體160露出並電性接地，且那些第二公座金屬體215與那些第二母座金屬體225相互對應接合以形成圖1所繪示之多個第二金屬件150，從圖1的絕緣殼體160露出並電性接地，藉此在第一方向D1及第二方向D2上實現接合端子組130之間的屏蔽。總結來說，可以在不脫離本發明的精神和技術範圍內，對第一金屬件140及第二金屬件150的組合方式、位置設置進行變更及修改。
依據本發明之高頻連接器，適於進行高頻(例如，毫米波頻段)的訊號傳輸，其利用金屬件的屏蔽特性與接地來減少傳輸訊號反射、高頻諧振或阻抗不匹配所造成的損失，使得訊號在高頻下亦能夠有效地傳輸。總結來說，本發明之高頻連接器能夠在高頻下進行訊號傳輸，並藉由金屬件的設置以改善連接器在高頻下可能會遇到的高頻諧振、訊號失真及雜訊干擾等問題，使得傳輸品質得以提升。
雖然本發明已以實施方式揭示如上，然其並非用以限定本發明，任何在此技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100:高頻連接器
110:公座連接器
111:公端子
112:公座絕緣殼體
113:公座金屬殼體
114, 115:孔洞
116, 117:凹槽
120:母座連接器
121:母端子
122:母座絕緣殼體
123:母座金屬殼體
130:接合端子組
140:第一金屬件
150:第二金屬件
150a, 150b:金屬片
160:絕緣殼體
170:金屬殼體
210:公座連接器
211:公端子
212:公座絕緣殼體
213:公座金屬殼體
214:第一公座金屬體
215:第二公座金屬體
215a, 215b:金屬片
220:母座連接器
221:母端子
222:母座絕緣殼體
223:母座金屬殼體
224:第一母座金屬體
225:第二母座金屬體
225a, 225b:金屬片
D1:第一方向
D2:第二方向
O1:參考點
O2:參考點
O3:參考點
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更加淺顯易懂，所附圖式之說明如下： 圖1係繪示根據本發明實施例之高頻連接器的示意圖； 圖2係繪示根據本發明實施例之第一金屬件與第二金屬件之間的連接關係對於損失之影響的示意圖； 圖3係繪示根據本發明實施例之第一金屬件與第二金屬件之間的連接關係對於電壓駐波比之影響的示意圖； 圖4係繪示根據本發明實施例之第二金屬件之兩個金屬片的間距對於損失及電壓駐波比之影響的示意圖； 圖5係繪示根據本發明實施例之公座連接器之金屬構件以及包含公座絕緣殼體之公座連接器的示意圖； 圖6係繪示根據本發明實施例之母座連接器之金屬構件以及包含母座絕緣殼體之母座連接器的示意圖； 圖7係繪示根據本發明另一實施例之公座連接器之金屬構件以及包含公座絕緣殼體之公座連接器的示意圖； 圖8係繪示根據本發明另一實施例之母座連接器之金屬構件以及包含母座絕緣殼體之母座連接器的示意圖。
100:高頻連接器
110:公座連接器
120:母座連接器
130:接合端子組
140:第一金屬件
150:第二金屬件
150a,150b:金屬片
160:絕緣殼體
170:金屬殼體
D1:第一方向
D2:第二方向

Claims (10)

  1. 一種高頻連接器，包含：複數個接合端子組，其中該些接合端子組之每一者包含一公端子以及一母端子，該公端子與該母端子接觸以傳輸訊號，且該些接合端子組沿著一第一方向排列；至少一第一金屬件，沿著該第一方向延伸；複數個第二金屬件，設置於該些接合端子組之間，且沿著一第二方向延伸，其中該些第二金屬件之每一者包含至少二金屬片，且該至少二金屬片彼此之間互不相連；以及一絕緣殼體，承載該些第二金屬件，使該至少一第一金屬件與該些第二金屬件之間互不接觸。
  2. 如請求項1所述之高頻連接器，其中該至少一第一金屬件及該些第二金屬件係設置於該絕緣殼體中，且該至少一第一金屬件及該些第二金屬件中的每一者各具有至少二部分露出於該絕緣殼體外，該至少一第一金屬件及該些第二金屬件所露出之該至少二部分皆接地。
  3. 如請求項2所述之高頻連接器，其中該絕緣殼體由一公絕緣殼體及一母絕緣殼體接合，且分別對應該些接合端子組之每一者的該公端子及該母端子。
  4. 如請求項3所述之高頻連接器，其中該至少一第一金屬件及該些第二金屬件之每一者皆由一公座金屬 體及一母座金屬體接合，且分別對應該些接合端子組之每一者的該公端子及該母端子。
  5. 如請求項1所述之高頻連接器，其中該高頻連接器用以傳輸一高頻訊號，每一該些第二金屬件之該至少二金屬片之間的距離至少為0.07λ，其中λ為該高頻訊號之波長。
  6. 如請求項1所述之高頻連接器，其中該至少一第一金屬件及該些第二金屬件之每一者皆接地。
  7. 如請求項1所述之高頻連接器，還包含：一金屬殼體，實質(substantially)覆蓋該絕緣殼體。
  8. 一種高頻連接器，包含：一公座連接器，包含：一公絕緣殼體，承載複數個公端子，其中該些公端子沿著一第一方向排列；至少一第一公座金屬體，沿著該第一方向延伸且設置於該些公端子之間；以及複數個第二公座金屬體，沿著一第二方向延伸且設置於該些公端子之間，其中該些第二公座金屬體之每一者皆包含至少二金屬片，且該至少二金屬片彼此之間互不相連； 一母座連接器，具有與該公座連接器相互對應之接合結構，該母座連接器包含：一母絕緣殼體，承載複數個母端子，其中該些母端子沿著該第一方向排列；至少一第一母座金屬體，沿著該第一方向延伸且設置於該些母端子之間；以及複數個第二母座金屬體，沿著該第二方向延伸且設置於該些母端子之間，其中該些第二母座金屬體之每一者皆包含至少二金屬片，且該至少二金屬片彼此之間互不相連；其中，該些母端子與該些公端子接觸以傳輸訊號；該至少一第一公座金屬體與該些第二公座金屬體之間互不接觸，以及該至少一第一母座金屬體與該些第二母座金屬體之間互不接觸。
  9. 如請求項8所述之高頻連接器，其中當該公座連接器與該母座連接器相互接合時，該至少一公座金屬體與該至少一母座金屬體相互對應接合以形成一第一金屬屏蔽件，以及該些第二公座金屬體與該些第二母座金屬體相互對應接合以形成複數個第二金屬屏蔽件，以及其中該第一金屬屏蔽件及該些第二金屬屏蔽件之每一者皆接地。
  10. 如請求項8所述之高頻連接器，其中該高頻連接器用以傳輸一高頻訊號，該些第二公座金屬體之該至 少二金屬片之間的距離與及該些第二母座金屬體之該至少二金屬片之間的距離相同，至少為0.07λ，其中λ為該高頻訊號之波長。
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