TWI849785B

TWI849785B - 電路裝置

Info

Publication number: TWI849785B
Application number: TW112108591A
Authority: TW
Inventors: 侯君岳; 莊皓安; 陳錫宏
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2023-03-08
Filing date: 2023-03-08
Publication date: 2024-07-21
Also published as: US20240306294A1; US12477652B2; CN116997074A; TW202437220A

Abstract

一種電路裝置包括電路基板、保護層以及側面走線。電路基板具有第一面、相反於第一面的第二面以及側面。第一面與側面之間具有第一轉折區。第二面與側面之間具有第二轉折區。電路基板包括載板以及第一電路結構。第一電路結構位於載板上，且包括位於電路基板的第一面的接墊。保護層至少部分覆蓋第一轉折區與第二轉折區。保護層的材料包括固化的銀漿、環氧樹脂或壓克力系絕緣材料。側面走線位於保護層上，且從接墊上跨過電路基板的側面而延伸至電路基板的第二面。

Description

電路裝置

本發明是有關於一種電路裝置。

為了因應市場的需求，越來越多廠商致力於發展窄邊框甚至無邊框的顯示面板。一般而言，為了減小顯示面板之邊框區的面積，會將晶片或薄膜覆晶封裝結構設置於顯示面板的背面或側面。舉例來說，透過軟性電路板連接位於顯示面板的正面之接墊，接著再將軟性電路板彎折至顯示面板的背面。然而，由於軟性電路板本身的厚度較厚，且軟性電路板難以完全貼合顯示面板的側面，導致顯示面板的邊框區的面積難以進一步縮小。

本發明提供一種電路裝置，藉由保護層的設置，可以提升側面走線的良率。

本發明的至少一實施例提供一種電路裝置。電路裝置包括電路基板、保護層以及側面走線。電路基板具有第一面、相反於第一面的第二面以及側面。第一面與側面之間具有第一轉折區。第二面與側面之間具有第二轉折區。電路基板包括載板以及第一電路結構。第一電路結構位於載板上，且包括位於電路基板的第一面的接墊。保護層至少部分覆蓋第一轉折區與第二轉折區。保護層的材料包括固化的銀漿、環氧樹脂或壓克力系絕緣材料。側面走線位於保護層上，且從接墊上跨過電路基板的側面而延伸至電路基板的第二面。

圖1A、圖2A、圖3A、圖4A、圖5A以及圖6A是依照本發明的一實施例的一種電路裝置的製造方法的剖面示意圖。圖1B、圖2B、圖3B、圖4B、圖5B以及圖6B分別是圖1A、圖2A、圖3A、圖4A、圖5A以及圖6A電路裝置的製造方法的側視示意圖。圖1C、圖2C、圖3C、圖4C、圖5C以及圖6C分別是圖1A、圖2A、圖3A、圖4A、圖5A以及圖6A電路裝置的製造方法的上視示意圖。

請參考圖1A、圖1B以及圖1C，提供電路基板10。電路基板10具有第一面10a、相反於第一面10a的第二面10b以及側面10c。第一面10a與側面10c之間具有第一轉折區TR1，且第二面10b與側面10c之間具有第二轉折區TR2。在本實施例中，第一轉折區TR1以及第二轉折區TR2包括圓角，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一轉折區TR1以及第二轉折區TR2包括直角或斜面。在一些實施例中，電路基板10的側面10c、第一轉折區TR1以及第二轉折區TR2是透過研磨製程形成。藉由前述研磨製程可以減小電路基板10的邊框區大小，進而縮小裝置的尺寸。在一些實施例中，前述研磨製程使電路基板10的側面10c（也可以說是載板100的側面）產生微裂縫，使載板100的側面比載板100的正面以及背面更粗糙。

電路基板10包括載板100、第一電路結構200以及第二電路結構300。第一電路結構200位於載板100的正面上，且第二電路結構300位於載板100的背面上。在一些實施例中，載板100之材質可為玻璃、石英、有機聚合物或不透光/反射材料（例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷或其他可適用的材料）或是其他可適用的材料。若使用導電材料或金屬時，則在載板100上覆蓋一層絕緣層（未繪示），以避免短路問題。

第一電路結構200包括訊號線210、接墊220以及絕緣結構230。接墊220位於電路基板10的第一面10a，且電性連接至訊號線210。接墊220包括單層或多層結構。舉例來說，接墊220包括依序堆疊的第一導電層222以及第二導電層224。在本實施例中，第一電路結構200包括多個訊號線210以及多個接墊220，且每個接墊220電性連接至對應的一個訊號線210。

在本實施例中，絕緣結構230環繞接墊220，且絕緣結構230具有重疊於接墊220的開口230H。絕緣結構230包括單層或多層結構，且覆蓋訊號線210。在一些實施例中，絕緣結構230包括多層結構，且部分絕緣結構230延伸進第一導電層222以及第二導電層224之間。在本實施例中，多個接墊220在第一方向D1上排列，且多個開口230H在第一方向D1上排列。

在本實施例中，在執行形成側面10c、第一轉折區TR1以及第二轉折區TR2的研磨製程時，部分絕緣結構230可能會受損，並產生破損面230B。破損面230B位於接墊220與電路基板10的側面10c之間。在一些實施例中，破損面230B非平面。在一些實施例中，破損面230B為不規則面。

第二電路結構300包括訊號線310以及絕緣結構330。部分訊號線310位於電路基板10的第二面10b。絕緣結構330覆蓋訊號線310，且具有重疊於訊號線310的開口330H。在本實施例中，第二電路結構300包括多個訊號線310。在本實施例中，多個訊號線310在第一方向D1上排列，且多個開口330H在第一方向D1上排列。在一些實施例中，在執行形成側面10c、第一轉折區TR1以及第二轉折區TR2的研磨製程時，部分絕緣結構330也可能會受損，並產生破損面（未繪出）。

在一些實施例中，絕緣結構230以及絕緣結構330的材料包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氧化鉿、氧化鋯或前述材料的組合。在一些實施例中，訊號線210、接墊220以及訊號線310的材料包括金屬、金屬氧化物、金屬氮化物或其他導電材料。

在一些實施例中，電路基板10還包括多個發光元件400。發光元件400設置於第一電路結構200上。在一些實施例中，發光元件400電性連接至接墊220。在一些實施例中，發光元件400包括迷你發光二極體、微型發光二極體或其他類型的發光元件。

請參考圖2A、圖2B與圖2C，形成保護層20於電路基板10上。在本實施例中，形成保護層20於電路基板10上。保護層20至少部分覆蓋第一轉折區TR1與第二轉折區TR2。在本實施例中，多個保護層20在第一方向D1上排列。

在本實施例中，多個保護層20彼此分離，且每個保護層20包括互相分離的第一部分21以及第二部分22。第一部分21覆蓋第一轉折區TR1，且第二部分22覆蓋第二轉折區TR2。在一些實施例中，形成保護層20的方法包括轉印、塗佈或其他合適的方法。在一些實施例中，保護層20的材料不同於絕緣結構230以及絕緣結構330的材料，且保護層20的材料包括固化的銀漿、環氧樹脂或壓克力系絕緣材料。

在一些實施例中，保護層20覆蓋部分第一電路結構200以及部分第二電路結構300。在本實施例中，保護層20不填入開口230H及開口330H。在其他實施例中，保護層20填入對應的開口230H及/或對應的開口330H，並接觸對應的接墊220及/或對應的訊號線310。舉例來說，保護層20的第一部分21填入對應的開口230H，並接觸對應的接墊220；且保護層20的第二部分22填入對應的開口330H，並接觸對應的訊號線310。

在本實施例中，保護層20覆蓋絕緣結構230的破損面230B，藉此減少破損面230B對後續製程所造成的不良影響。在一些實施例中，保護層20填滿絕緣結構230對應於破損面230B處的缺口。在一些實施例中，保護層20從絕緣結構230的上表面沿著破損面230B延伸至載板100，且保護層20接觸載板100。

請參考圖3A、圖3B與圖3C，形成導電材料30’於電路基板10的側面10c上。導電材料30’從電路基板10的第一面10a跨過電路基板10的側面10c而延伸至電路基板10的第二面10b。導電材料30’覆蓋保護層20的第一部分21與第二部分22。導電材料30’至少部分填入絕緣結構230的開口230H以及絕緣結構330的開口330H。導電材料30’接觸接墊220以及訊號線310。

在一些實施例中，形成導電材料30’的方法包括濺鍍製程。在一些實施例中，導電材料30’的材料包括銅、鉬、銀、金、鋁、鈦、鎳、鉻等其他合適的金屬或前述材料的組合。在一些實施例中，導電材料30’包括單層或多層結構。

由於保護層20覆蓋絕緣結構230的破損面230B，因此可以避免破損面230B對導電材料30’造成的不良影響。在一些實施例中，導電材料30’與保護層20之間的附著力（adhesion）大於導電材料30’與絕緣結構230之間的附著力以及導電材料30’與絕緣結構330之間的附著力，因此，藉由保護層20的設置，可以減少導電材料30’剝離的機率。在一些實施例中，對載板100（例如為玻璃）、絕緣結構230（例如為氮化矽）、保護層20（例如為酚醛樹酯、環氧樹脂、壓克力系材料等）以及導電材料30’（例如為鉬、銅以及鉬的疊層）的堆疊結構進行百格測試，可以得到導電材料30’的附著力為5B。

請參考圖4A、圖4B與圖4C，形成第一覆蓋層40於導電材料30’上，第一覆蓋層40從電路基板10的第一面10a跨過電路基板10的側面10c而延伸至電路基板10的第二面10b。每個第一覆蓋層40重疊於對應的開口230H以及對應的開口330H。在本實施例中，形成多個第一覆蓋層40，且第一覆蓋層40在第一方向D1上排列。

在一些實例中，形成第一覆蓋層40的方法包括轉印、塗佈或其他合適的方法。在一些實施例中，第一覆蓋層40的材料包括環氧樹脂、酚醛樹酯、壓克力系絕緣材料或其他合適的絕緣材料。

請參考圖5A、圖5B與圖5C，以第一覆蓋層40為罩幕，蝕刻導電材料30’，以形成側面走線30。在一些實施例中，多個側面走線30在第一方向D1上排列。

在一些實施例中，蝕刻導電材料30’的方法包括濕蝕刻製程。舉例來說，藉由蝕刻液蝕刻導電材料30’以形成側面走線30。在一些實施例中，第一覆蓋層40與保護層20對前述蝕刻液的抗性大於側面走線30對前述蝕刻液的抗性，因此第一覆蓋層40與保護層20能在前述濕蝕刻製程中保護側面走線30。

每個第一覆蓋層40覆蓋對應的側面走線30。各側面走線30位於對應的一個保護層20上，且從接墊220上跨過電路基板10的側面10c而延伸至電路基板10的第二面10b。側面走線30至少部分填入開口230H以接觸接墊220，且側面走線30至少部分填入開口330H以接觸訊號線310。換句話說，接墊220透過側面走線30而電性連接至訊號線310。

請參考圖6A、圖6B與圖6C，形成多個第二覆蓋層50於第一覆蓋層40上。每個第二覆蓋層50覆蓋對應的第一覆蓋層40。

在一些實例中，形成第二覆蓋層50的方法包括轉印、塗佈或其他合適的方法。在一些實例中，第二覆蓋層50的材料包括黑色樹脂或其他壓克力系材料。

至此，電路裝置1大致完成。電路裝置1包括電路基板10、保護層20、側面走線30、第一覆蓋層40以及第二覆蓋層50。

圖7A以及圖8A是依照本發明的一實施例的一種電路裝置的製造方法的剖面示意圖。圖7B以及圖8B分別是圖7A以及圖8A電路裝置的製造方法的側視示意圖。在此必須說明的是，圖7A至圖8B的實施例沿用圖1A至圖6C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖7A與圖8A，形成保護層20A於電路基板10上。在本實施例中，形成保護層20A於電路基板10上。保護層20A至少部分覆蓋第一轉折區TR1與第二轉折區TR2。在本實施例中，多個保護層20A在第一方向D1上排列。

在本實施例中，多個保護層20A彼此分離，且每個保護層20A從第一轉折區TR1沿著電路基板10的側面10c而連續地延伸至第二轉折區TR2。在一些實施例中，保護層20A的材料不同於絕緣結構230與絕緣結構330的材料，且保護層20A的材料包括固化的銀漿、環氧樹脂或壓克力系絕緣材料。

在一些實施例中，保護層20A覆蓋部分第一電路結構200以及部分第二電路結構300。在本實施例中，保護層20A填入對應的開口230H及/或對應的開口330H，並接觸對應的接墊220及/或對應的訊號線310。在其他實施例中，保護層20A不填入開口230H及開口330H。

在本實施例中，保護層20A覆蓋絕緣結構230的破損面（請參考圖1C），藉此減少破損面對後續製程所造成的不良影響。在一些實施例中，保護層20A填滿絕緣結構230對應於破損面處的缺口。在一些實施例中，保護層20A從絕緣結構230的上表面沿著破損面延伸至載板100，且保護層20A接觸載板100。

在一些實施例中，電路基板10的側面10c、第一轉折區TR1以及第二轉折區TR2是透過研磨製程形成。藉由前述研磨製程可以減小電路基板10的邊框區大小，進而縮小裝置的尺寸。在一些實施例中，前述研磨製程使電路基板10的側面10c（也可以說是載板100的側面）產生微裂縫，使載板100的側面比載板100的正面以及背面更粗糙。在本實施例中，保護層20A覆蓋位於電路基板10的側面10c的微裂縫，藉此避免前述微裂縫對後續製程所造成的不良影響。

接著請參考圖8A與圖8B，執行類似於圖3A至圖6C的製程，以形成側面走線30、第一覆蓋層40以及第二覆蓋層50。側面走線30位於保護層20A上，且從接墊220上跨過電路基板10的側面10c而延伸至電路基板10的第二面10b。

至此，電路裝置2大致完成。電路裝置2包括電路基板10、保護層20A、側面走線30、第一覆蓋層40以及第二覆蓋層50。

圖9至圖11B是依照本發明一些比較例的掃描式電子顯微鏡照片。在此必須說明的是，圖9至圖11B的比較例沿用圖1A至圖6C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

圖9是依照本發明的一第一比較例的一種電路裝置的掃描式電子顯微鏡照片。請參考圖9，在第一比較例中，側面走線30與絕緣結構230之間不包括保護層。在第一比較例中，側面走線30的材料包括銅，且絕緣結構230的材料包括氮化矽，由於銅與氮化矽之間的接著力不佳，因此側面走線30容易出現剝離的問題。

圖10是依照本發明的一第二比較例的一種電路裝置的掃描式電子顯微鏡照片。請參考圖9，在第二比較例中，側面走線30與絕緣結構230之間不包括保護層。絕緣結構230具有破損面230B，且側面走線30直接位於破損面230B上。側面走線30容易因為破損面230B處的斷差而導致斷線。

圖11A與圖11B是依照本發明的一第三比較例的一種電路裝置的掃描式電子顯微鏡照片。請參考圖11A與圖11B，在第三比較例中，側面走線30與電路基板的側面10c（或載板100的側面）之間不包括保護層。側面10c包括多個微裂縫10ck，而這些微裂縫10ck可能會影響側面走線30的良率。

圖12是依照本發明的一實施例的一種電路裝置的掃描式電子顯微鏡照片。在此必須說明的是，圖12的實施例例沿用圖1A至圖6C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。請參考圖12，側面走線30位於保護層20上。由於側面走線30與保護層20之間的附著力較佳，因此能改善側面走線30的剝離問題。

綜上所述，本發明的電路裝置中，側面走線位於保護層上，且保護層包括固化的銀漿、環氧樹脂或壓克力系絕緣材料。藉由保護層的設置，可以提升側面走線的良率。

1, 2:電路裝置 10:電路基板 10a:第一面 10b:第二面 10c:側面 10ck:微裂縫 20, 20A:保護層 21:第一部分 22:第二部分 30:側面走線 30’:導電材料 40:第一覆蓋層 50:第二覆蓋層 100:載板 200:第一電路結構 210, 310:訊號線 220:接墊 222:第一導電層 224:第二導電層 230, 330:絕緣結構 230B:破損面 230H, 330H:開口 300:第二電路結構 400:發光元件 D1:第一方向 TR1:第一轉折區 TR2:第二轉折區

圖1A、圖2A、圖3A、圖4A、圖5A以及圖6A是依照本發明的一實施例的一種電路裝置的製造方法的剖面示意圖。圖1B、圖2B、圖3B、圖4B、圖5B以及圖6B分別是圖1A、圖2A、圖3A、圖4A、圖5A以及圖6A電路裝置的製造方法的側視示意圖。圖1C、圖2C、圖3C、圖4C、圖5C以及圖6C分別是圖1A、圖2A、圖3A、圖4A、圖5A以及圖6A電路裝置的製造方法的上視示意圖。圖7A以及圖8A是依照本發明的一實施例的一種電路裝置的製造方法的剖面示意圖。圖7B以及圖8B分別是圖7A以及圖8A電路裝置的製造方法的側視示意圖。圖9是依照本發明的一第一比較例的一種電路裝置的掃描式電子顯微鏡照片。圖10是依照本發明的一第二比較例的一種電路裝置的掃描式電子顯微鏡照片。圖11A與圖11B是依照本發明的一第三比較例的一種電路裝置的掃描式電子顯微鏡照片。圖12是依照本發明的一實施例的一種電路裝置的掃描式電子顯微鏡照片。

1:電路裝置

10:電路基板

10a:第一面

10b:第二面

10c:側面

20:保護層

21:第一部分

22:第二部分

30:側面走線

40:第一覆蓋層

50:第二覆蓋層

100:載板

200:第一電路結構

210,310:訊號線

220:接墊

222:第一導電層

224:第二導電層

230,330:絕緣結構

230H,330H:開口

300:第二電路結構

400:發光元件

D1:第一方向

TR1:第一轉折區

TR2:第二轉折區

Claims

一種電路裝置，包括：一電路基板，具有一第一面、相反於該第一面的一第二面以及一側面，其中該第一面與該側面之間具有一第一轉折區，且該第二面與該側面之間具有一第二轉折區，其中該電路基板包括：一載板；一第一電路結構，位於該載板上，且包括位於該電路基板的該第一面的一接墊；以及多個發光元件，設置於該第一電路結構上；一保護層，至少部分覆蓋該第一轉折區與該第二轉折區，且該保護層不覆蓋該些發光元件，其中該保護層的材料包括固化的銀漿、環氧樹脂或壓克力系絕緣材料；以及一側面走線，位於該保護層上，且從該接墊上跨過該電路基板的該側面而延伸至該電路基板的該第二面。
如請求項1所述的電路裝置，其中該第一電路結構包括：一絕緣結構，環繞該接墊，其中該絕緣結構具有重疊於該接墊的開口以及位於該接墊與該電路基板的該側面之間的破損面，其中該側面走線至少部分填入該開口以接觸該接墊，且該保護層覆蓋該破損面。
如請求項2所述的電路裝置，其中該保護層從該絕緣結構的上表面沿著該破損面延伸至該載板，且該保護層接觸該載板。
如請求項2所述的電路裝置，其中該保護層與該絕緣結構包括不同的材料。
如請求項1所述的電路裝置，其中該保護層從該第一轉折區沿著該電路基板的該側面而連續地延伸至該第二轉折區。
如請求項5所述的電路裝置，其中該電路基板的該側面具有微裂縫，且該保護層覆蓋該微裂縫。
如請求項1所述的電路裝置，其中該保護層包括互相分離的一第一部分以及一第二部分，其中該第一部分覆蓋該第一轉折區，且該第二部分覆蓋該第二轉折區。
如請求項1所述的電路裝置，其中該保護層覆蓋部分該第一電路結構。
如請求項1所述的電路裝置，更包括：一第一覆蓋層，覆蓋該側面走線，且該第一覆蓋層與該保護層對一蝕刻液的抗性大於該側面走線對該蝕刻液的抗性，且該蝕刻液適用於蝕刻該側面走線；以及一第二覆蓋層，覆蓋該第一覆蓋層。
如請求項1所述的電路裝置，包括：多個保護層，至少部分覆蓋該第一轉折區與該第二轉折區，其中該些保護層的材料包括固化的銀漿、環氧樹脂或壓克力系絕緣材料，且該些保護層彼此分離；以及多個側面走線，各該側面走線位於對應的一個保護層上，且該些側面走線從該第一電路結構的多個接墊上跨過該電路基板的該側面而延伸至該電路基板的該第二面。