TWI849037B - 電漿處理裝置及電漿處理方法 - Google Patents
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Abstract
本發明之例示性實施形態之電漿處理裝置具備腔室、基板支持器、上部電極、高頻電源、及直流電源裝置。基板支持器包含下部電極。下部電極設置於腔室內。上部電極設置於基板支持器之上方。高頻電源於腔室內生成電漿。直流電源裝置電性連接於上部電極。直流電源裝置以週期性地產生脈衝狀之負極性之直流電壓之方式構成。直流電源裝置之輸出電壓於負極性之直流電壓與零伏特之間交替地切換。
Description
本發明之例示性實施形態係關於一種電漿處理裝置及電漿處理方法者。
電子器件之製造使用電漿處理裝置。作為電漿處理裝置之一種，已知有電容耦合型電漿處理裝置。電容耦合型電漿處理裝置包含腔室、上部電極、及下部電極。下部電極構成載置台之一部分，設置於腔室內。上部電極設置於下部電極之上方。電容耦合型電漿處理裝置中，藉由向上部電極或下部電極供給高頻電力，激發腔室內之氣體，生成電漿。藉由來自所生成之電漿之化學物種對載置台上之基板進行處理。
電容耦合型電漿處理裝置有時構成為具備直流電源，當於腔室內生成電漿時向上部電極施加來自直流電源之負極性之直流電壓。此種具備直流電源之電漿處理裝置中，需要於腔室內設置經由腔室內之電漿空間接受供給至上部電極之直流電流之接地塊。具備接地塊之電漿處理裝置記載於日本專利特開2006-270019號公報中。
本發明提供一種於以向上部電極施加負極性之直流電壓之方式構成之電漿處理裝置中抑制製程之變動之技術。
一例示性實施形態中，提供一種電漿處理裝置。電漿處理裝置具備腔室、基板支持器、上部電極、高頻電源、及直流電源裝置。基板支持器包含下部電極。下部電極設置於腔室內。上部電極設置於基板支持器之上方。高頻電源於腔室內生成電漿。直流電源裝置電性連接於上部電極。直流電源裝置以週期性地產生脈衝狀之負極性之直流電壓之方式構成。直流電源裝置之輸出電壓於反覆之各週期中之第1期間內係脈衝狀之負極性之直流電壓。直流電源裝置之輸出電壓於各週期中之其餘之第2期間內係零伏特。
根據上述例示性實施形態，可抑制以向上部電極施加負極性之直流電壓之方式構成之電漿處理裝置中之製程之變動。
以下，對各種例示性實施形態進行說明。
一例示性實施形態中，提供一種電漿處理裝置。電漿處理裝置具備腔室、基板支持器、上部電極、高頻電源、及直流電源裝置。基板支持器包含下部電極。下部電極設置於腔室內。上部電極設置於基板支持器之上方。高頻電源於腔室內生成電漿。直流電源裝置電性連接於上部電極。直流電源裝置以週期性地產生脈衝狀之負極性之直流電壓之方式構成。直流電源裝置之輸出電壓於反覆之各週期中之第1期間內係脈衝狀之負極性之直流電壓。直流電源裝置之輸出電壓於各週期中之其餘之第2期間內係零伏特。
上述實施形態中，施加於上部電極之直流電壓於負極性之直流電壓與零伏特之間變化。即，來自直流電源裝置之能量藉由電容耦合而非直流耦合進行傳遞。因此，電漿處理裝置之零件之電特性對來自直流電源裝置之能量傳遞之影響得到抑制。正因如此，可抑制以向上部電極施加負極性之直流電壓之方式構成之電漿處理裝置中之製程之變動。
一例示性實施形態中，作為上述週期之倒數之頻率亦可為400 kHz以上。一例示性實施形態中，頻率亦可為1 MHz以下。一例示性實施形態中，第1期間於週期內所占之比率亦可為20%以上、60%以下。
一例示性實施形態中，傳遞來自直流電源裝置之能量之電路之接地電極亦可僅為腔室之導電性之壁部。
另一例示性實施形態中，提供一種電漿處理方法。該電漿處理方法係使用上述各種例示性實施形態之任一者之電漿處理裝置執行。電漿處理方法包括為了自腔室內之氣體形成電漿，自高頻電源供給高頻電力的步驟。電漿處理方法包括於生成電漿過程中，自直流電源裝置週期性地對上部電極施加脈衝狀之負極性之直流電壓的步驟。直流電源裝置之輸出電壓於反覆之各週期中之第1期間內係脈衝狀之負極性之直流電壓，於各週期中之其餘之第2期間內係零伏特。
以下，參照圖式，對各種例示性實施形態詳細地進行說明。再者，各圖式中，對於同一或相當之部分標註同一符號。
圖1係概略性地表示一例示性實施形態之電漿處理裝置之圖。圖1所示之電漿處理裝置1係電容耦合型電漿處理裝置。電漿處理裝置1具備腔室10。腔室10於其中提供內部空間10s。
腔室10包含腔室本體12。腔室本體12具有大致圓筒形狀。於腔室本體12之內側提供內部空間10s。腔室本體12由鋁等導體形成。腔室本體12接地。於腔室本體12之內壁面實施有具有耐腐蝕性之膜。具有耐腐蝕性之膜可為由氧化鋁、氧化釔等陶瓷所形成之膜。
於腔室本體12之側壁形成有通路12p。基板W於內部空間10s與腔室10之外部之間搬送時，通過通路12p。通路12p可藉由閘閥12g開啟及關閉。閘閥12g沿著腔室本體12之側壁設置。
於腔室本體12之底部上設置有支持部13。支持部13由絕緣材料形成。支持部13具有大致圓筒形狀。支持部13於內部空間10s之中，自腔室本體12之底部向上方延伸。支持部13支持基板支持器14。基板支持器14以於腔室10內、即內部空間10s之中支持基板W之方式構成。
基板支持器14具有下部電極18及靜電吸盤20。下部電極18及靜電吸盤20設置於腔室10內。基板支持器14可進而具有電極板16。電極板16例如由鋁等導體形成，具有大致圓盤形狀。下部電極18設置於電極板16上。下部電極18例如由鋁等導體形成，具有大致圓盤形狀。下部電極18電性連接於電極板16。
靜電吸盤20設置於下部電極18上。於靜電吸盤20之上表面之上載置基板W。靜電吸盤20具有本體及電極。靜電吸盤20之本體由介電體形成。靜電吸盤20之電極係膜狀電極，設置於靜電吸盤20之本體內。靜電吸盤20之電極經由開關20s連接於直流電源20p。當向靜電吸盤20之電極施加來自直流電源20p之電壓時，於靜電吸盤20與基板W之間產生靜電引力。藉由產生之靜電引力，使得基板W被靜電吸盤20吸引，由靜電吸盤20保持。
於基板支持器14上配置有邊緣環FR。邊緣環FR並無限定，可由矽、碳化矽、或石英所形成。在於腔室10內進行基板W之處理時，基板W配置於靜電吸盤20上、且被邊緣環FR包圍之區域內。
於下部電極18之內部設置有流路18f。自冷卻器單元22經由配管22a向流路18f供給熱交換介質(例如冷媒)。冷卻器單元22設置於腔室10之外部。供給至流路18f之熱交換介質經由配管22b返回冷卻器單元22。電漿處理裝置1中，載置於靜電吸盤20上之基板W之溫度藉由熱交換介質與下部電極18之熱交換進行調整。
電漿處理裝置1可進而具備氣體供給線24。氣體供給線24將傳熱氣體(例如He氣體)供給至靜電吸盤20之上表面與基板W之背面之間之間隙。傳熱氣體係自傳熱氣體供給機構供給至氣體供給線24。
電漿處理裝置1進而具備上部電極30。上部電極30設置於基板支持器14之上方。上部電極30經由構件32，支持於腔室本體12之上部。構件32由具有絕緣性之材料形成。上部電極30與構件32使腔室本體12之上部開口關閉。
上部電極30可包含頂板34及支持體36。頂板34之下表面係內部空間10s之側之下表面，劃分形成內部空間10s。頂板34由含矽材料形成。頂板34例如由矽或碳化矽形成。於頂板34形成有複數個噴氣孔34a。複數個噴氣孔34a於板厚方向上貫通頂板34。
支持體36裝卸自如地支持頂板34。支持體36由鋁等導電性材料所形成。於支持體36之內部設置有氣體擴散室36a。於支持體36形成有複數個氣孔36b。複數個氣孔36b自氣體擴散室36a向下方延伸。複數個氣孔36b分別連通於複數個噴氣孔34a。於支持體36形成有氣體導入口36c。氣體導入口36c連接於氣體擴散室36a。於氣體導入口36c連接有氣體供給管38。
於氣體供給管38，經由閥群41、流量控制器群42及閥群43連接有氣體源群40。氣體源群40、閥群41、流量控制器群42、及閥群43構成氣體供給部GS。氣體源群40包含複數個氣體源。氣體源群40之複數個氣體源包含複數個氣體之來源。閥群41及閥群43之各者包含複數個開閉閥。流量控制器群42包含複數個流量控制器。流量控制器群42之複數個流量控制器之各者係質量流量控制器或壓力控制式流量控制器。氣體源群40之複數個氣體源之各者經由閥群41之對應之開閉閥、流量控制器群42之對應之流量控制器、及閥群43之對應之開閉閥，連接於氣體供給管38。
電漿處理裝置1中，沿著腔室本體12之內壁面，裝卸自如地設置有遮罩46。遮罩46亦設置於支持部13之外周。遮罩46防止電漿處理之副產物附著於腔室本體12。遮罩46例如藉由於由鋁形成之構件之表面形成具有耐腐蝕性之膜而構成。具有耐腐蝕性之膜可為由氧化釔等陶瓷所形成之膜。
於支持部13與腔室本體12之側壁之間設置有檔板48。檔板48例如藉由於由鋁形成之構件之表面形成具有耐腐蝕性之膜而構成。具有耐腐蝕性之膜可為由氧化釔等陶瓷所形成之膜。於檔板48形成有複數個貫通孔。於檔板48之下方、且腔室本體12之底部設置有排氣口12e。於排氣口12e經由排氣管52連接有排氣裝置50。排氣裝置50具有壓力調整閥及渦輪分子泵等真空泵。
電漿處理裝置1進而具備第1高頻電源62及第2高頻電源64。第1高頻電源62係產生第1高頻電力之電源。一例中，第1高頻電力，具有適於生成電漿之頻率。第1高頻電力之頻率例如為27 MHz～100 MHz之範圍內之頻率。第1高頻電源62經由整合器66連接於上部電極30。整合器66具有用於使第1高頻電源62之輸出阻抗與負載側(上部電極30側)之阻抗整合之電路。再者，第1高頻電源62亦可經由整合器66連接於下部電極18。
第2高頻電源64係產生第2高頻電力之電源。第2高頻電力具有低於第1高頻電力之頻率之頻率。第2高頻電力可用作用於向基板W牽引離子之偏壓用高頻電力。第2高頻電力之頻率例如為400 kHz～40 MHz之範圍內之頻率。第2高頻電源64經由整合器68及電極板16連接於下部電極18。整合器68具有用於使第2高頻電源64之輸出阻抗與負載側(下部電極18側)之阻抗整合之電路。
電漿處理裝置1進而具備直流電源裝置70。直流電源裝置70電性連接於上部電極30。直流電源裝置70以週期性地產生脈衝狀之負極性之直流電壓之方式構成。圖2係表示圖1所示之電漿處理裝置之直流電源裝置之構成之一例之圖。圖3係使用一例示性實施形態之電漿處理裝置執行之電漿處理之時序圖。圖3中，橫軸表示時間。圖3中，縱軸表示向腔室10內供給之氣體之流量、高頻電力(第1高頻電力及/或第2高頻電力)之供給、及直流電壓。圖3中，高頻電力為高位準係表示供給有高頻電力。圖3中，高頻電力為低位準係表示未供給高頻電力。以下，一併參照圖1、圖2及圖3。
一實施形態中，直流電源裝置70具有可變直流電源70a及切換元件70b。可變直流電源70a以連續產生負極性之直流電壓之方式構成。可變直流電源70a輸出之負極性之直流電壓之位準可藉由後述控制部80控制。切換元件70b藉由切換其導通狀態，切換可變直流電源70a與上部電極30之間之連接及阻斷。切換元件70b之導通狀態之切換亦可藉由控制部80進行控制。
如上所述，直流電源裝置70之輸出電壓於反覆之各週期PT中之第1期間P1內係脈衝狀之負極性之直流電壓。一實施形態中，週期PT中之第1期間P1內，以使可變直流電源70a與上部電極30相互連接之方式對切換元件70b之導通狀態進行切換。直流電源裝置70之輸出電壓於各週期PT中之其餘之第2期間P2內係零伏特。一實施形態中，於週期PT中之第2期間P2內，以將可變直流電源70a與上部電極30相互阻斷之方式對切換元件70b之導通狀態進行切換。
一實施形態中，作為週期PT之倒數之頻率f可為400 kHz以上。一實施形態中，頻率f可為1 MHz以下。於頻率f為1 MHz以下之情形時，腔室10內之離子之舉動對於自由基之生成之獨立控制性變高。一實施形態中，第1期間P1於週期PT中所占之比率(即脈衝狀之負極性之直流電壓之工作比)可為20%以上、60%以下。
電漿處理裝置1進而具備控制部80。控制部80可為具備處理器、記憶體等記憶部、輸入裝置、顯示裝置、信號之輸入輸出界面等之電腦。控制部80控制電漿處理裝置1之各部。控制部80中，操作者為了管理電漿處理裝置1，可使用輸入裝置進行指令之輸入操作等。又，控制部80中，可藉由顯示裝置可視化地顯示電漿處理裝置1之運轉狀況。進而，控制部80之記憶部中儲存有控制程式及製程配方資料。為了利用電漿處理裝置1執行各種處理，藉由控制部80之處理器執行控制程式。控制部80之處理器執行控制程式，依據製程配方資料控制電漿處理裝置1之各部，藉此利用電漿處理裝置1執行後述實施形態之電漿處理方法。
電漿處理裝置1中，施加於上部電極30之直流電壓於負極性之直流電壓與零伏特之間變化。即，來自直流電源裝置70之能量藉由電容耦合而非直流耦合傳遞。因此，電漿處理裝置1之零件之電特性對來自直流電源裝置70之能量傳遞之影響得到抑制。正因如此，變得可抑制以向上部電極30施加負極性之直流電壓之方式構成之電漿處理裝置中之製程之變動。
以下，參照圖4對另一例示性實施形態之電漿處理裝置進行說明。圖4係概略性地表示另一例示性實施形態之電漿處理裝置之圖。圖4所示之電漿處理裝置1B除具備與電漿處理裝置1之構成要素相同之構成要素以外，還具備接地電極72。接地電極72設置於腔室10內並接地。電漿處理裝置1B中，傳遞來自直流電源裝置70之能量之電路包含上部電極30、內部空間10s中形成之電漿、及接地電極72。另一方面，電漿處理裝置1中，傳遞來自直流電源裝置70之能量之電路包含上部電極30、內部空間10s之電漿PL(參照圖2)、及腔室10之導電性之壁部(即腔室本體12)。即，電漿處理裝置1中，傳遞來自直流電源裝置70之能量之電路之接地電極僅為腔室10之導電性之壁部(即腔室本體12)。
一實施形態中，接地電極72以於上部電極30之周圍與構件32之下表面相接之方式設置。或者，接地電極72以於上部電極30之周圍與遮罩46相接之方式設置。接地電極72例如可具有環狀。
如上所述，來自直流電源裝置70之能量藉由電容耦合而非直流耦合進行傳遞。因此，電漿處理裝置1之零件之電特性對於來自直流電源裝置70之能量傳遞之影響得到抑制。正因如此，無論有無接地電極72，均能獲得可抑制以向上部電極30施加負極性之直流電壓之方式構成之電漿處理裝置中之製程之變動之效果。
以下，一併參照圖3與圖5，對一例示性實施形態之電漿處理方法進行說明。圖5係一例示性實施形態之電漿處理方法之流程圖。以下，以使用電漿處理裝置1或電漿處理裝置1B執行該方法之情形作為例，對圖5所示之電漿處理方法(以下，稱為「方法MT」)進行說明。
方法MT係於在腔室10內藉由靜電吸盤20保持應處理之基板W之狀態下執行。如圖3所示，方法MT中，開始向腔室10內導入氣體。為了向腔室10內供給氣體，控制部80控制氣體供給部GS。又，以將腔室10內之壓力設定為指定壓力之方式，藉由控制部80控制排氣裝置50。
並且，如圖3及圖5所示，於開始氣體之供給後，執行步驟ST1。步驟ST1中，開始供給高頻電力、即第1高頻電力及/或第2高頻電力。為了執行步驟ST1，控制部80控制第1高頻電源62及/或第2高頻電源64。
其後之步驟ST2中，藉由直流電源裝置70，週期性地向上部電極30施加脈衝狀之負極性之直流電壓。如上所述，直流電源裝置70之輸出電壓於反覆之各週期PT中之第1期間P1內係脈衝狀之負極性之直流電壓。直流電源裝置70之輸出電壓於各週期PT中之其餘之第2期間P2內係零伏特。為了執行步驟ST2，可藉由控制部80控制直流電源裝置70。
以上，對各種例示性實施形態進行了說明，但亦可施加各種追加、省略、置換、及變更而不受上述例示性實施形態限定。又，可組合不同實施形態中之要素形成其他實施形態。
以下，對用於電漿處理裝置1及電漿處理裝置1B之評價而進行之實驗進行說明。再者，本發明並不受以下所說明之實驗限定。
(第1實驗及第2實驗)
第1實驗及第2實驗中，準備具有矽氧化膜之樣品。樣品具有直徑300 mm之圓盤形狀。第1實驗中，使用電漿處理裝置1進行樣品之矽氧化膜之電漿蝕刻。第2實驗中，使用電漿處理裝置1B進行樣品之矽氧化膜之電漿蝕刻。以下示出第1實驗及第2實驗之條件。
＜第1實驗及第2實驗之條件＞
・腔室10內之壓力：13.3 Pa
・CF4
氣體之流量：50 sccm
・Ar氣體之流量：600 sccm
・第1高頻電力：60 MHz、1000 W
・第2高頻電力：40 MHz、550 W
・脈衝狀之負極性之直流電壓之頻率f：400 kHz
・脈衝狀之負極性之直流電壓之工作比：50%
・脈衝狀之負極性之直流電壓：-900 V
第1實驗及第2實驗之各者中，於樣品之直徑上之複數個測定位置求出矽氧化膜之蝕刻速率。將其結果示於圖6。圖6中，橫軸表示測定位置。測定位置由距樣品之中心之徑向之距離(mm)表示。負距離所示之測定位置係以樣品之中心為基準，相對於正距離所示之測定位置為相反側之位置。圖6中，縱軸表示蝕刻速率。如圖6所示，使用電漿處理裝置1之第1實驗中之蝕刻速率之分佈與使用電漿處理裝置1B之第2實驗中之蝕刻速率之分佈大致一致。因此，確認了藉由週期性地自直流電源裝置向上部電極施加脈衝狀之負極性之直流電壓，使電漿處理裝置之零件之電特性對來自直流電源裝置之能量傳遞之影響得到抑制。
(第3實驗及第4實驗)
第3實驗及第4實驗中，使用電漿處理裝置1B，交替地執行第1步驟與第2步驟。第1步驟中，以於腔室10之內壁面形成膜之方式藉由電漿支援CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)進行成膜。第2步驟中，於腔室10內生成處理氣體之電漿。再者，第3實驗之第2步驟中，週期性地對上部電極30施加脈衝狀之負極性之直流電壓。第4實驗之第2步驟中，連續對上部電極30施加負極性之直流電壓。以下示出第3實驗及第4實驗中之第1步驟及第2步驟之各者之條件。
＜第3實驗及第4實驗之第1步驟之條件＞
・腔室10內之壓力：2.7 Pa
・SiCl4
氣體之流量：5 sccm
・O2
氣體之流量：50 sccm
・Ar氣體之流量：800 sccm
・第1高頻電力：60 MHz、1000 W
・第2高頻電力：40 MHz、0 W
・處理時間：30秒鐘
＜第3實驗之第2步驟之條件＞
・腔室10內之壓力：6.7 Pa
・H2
氣體之流量：100 sccm
・Ar氣體之流量：800 sccm
・第1高頻電力：60 MHz、300 W
・第2高頻電力：40 MHz、0 W
・脈衝狀之負極性之直流電壓之頻率f：400 kHz
・脈衝狀之負極性之直流電壓之工作比：50%
・脈衝狀之負極性之直流電壓：-900 V
・處理時間：30秒鐘
＜第4實驗之第2步驟之條件＞
・腔室10內之壓力：6.7 Pa
・H2
氣體之流量：100 sccm
・Ar氣體之流量：800 sccm
・第1高頻電力：60 MHz、300 W
・第2高頻電力：40 MHz、0 W
・負極性之直流電壓：-900 V
・處理時間：30秒鐘
第3實驗及第4實驗中，測定執行第1步驟及第2步驟之各者時於上部電極30流通之直流電流。將其結果示於圖7之(a)及圖7之(b)。圖7之(a)中，橫軸表示時間，縱軸表示於第3實驗中在上部電極30流通之直流電流。圖7之(b)中，橫軸表示時間，縱軸表示於第4實驗中在上部電極30流通之直流電流。如圖7之(b)所示，第4實驗中，於第2步驟中連續對上部電極30施加直流電壓，隨著第1步驟與第2步驟之反覆次數增多，第2步驟中於上部電極30流通之直流電流變動較大。另一方面，如圖7之(a)所示，第3實驗中，於第2步驟中週期性地對上部電極30施加脈衝狀之負極性之直流電壓，第2步驟中於上部電極30流通之直流電流穩定，與第1步驟與第2步驟之反覆次數基本無關。因此，確認了藉由自直流電源裝置週期性地對上部電極施加脈衝狀之負極性之直流電壓，使電漿處理裝置之零件之電特性對來自直流電源裝置之能量傳遞之影響得到抑制。
根據以上說明，可理解本發明之各種實施形態係以說明為目的於本說明書中進行說明，可於不脫離本發明之範圍及主旨之情況下進行各種變更。因此，本說明書中所揭示之各種實施形態並非意圖進行限定，本發明真正之範圍與主旨藉由隨附之申請專利範圍表示。
1:電漿處理裝置
1B:電漿處理裝置
10:腔室
10s:內部空間
12:腔室本體
12e:排氣口
12g:閘閥
12p:通路
13:支持部
14:基板支持器
16:電極板
18:下部電極
18f:流路
20:靜電吸盤
20p:直流電源
20s:開關
22:冷卻器單元
22a:配管
22b:配管
24:氣體供給線
30:上部電極
32:構件
34:頂板
34a:噴氣孔
36:支持體
36a:氣體擴散室
36b:氣孔
36c:氣體導入口
38:氣體供給管
40:氣體源群
41:閥群
42:流量控制器群
43:閥群
46:遮罩
48:檔板
50:排氣裝置
52:排氣管
62:第1高頻電源
64:第2高頻電源
66:整合器
68:整合器
70:直流電源裝置
70a:可變直流電源
70b:切換元件
72:接地電極
80:控制部
FR:邊緣環
GS:氣體供給部
PL:電漿
PT:週期
P1:第1期間
P2:第2期間
W:基板
圖1係概略性地表示一例示性實施形態之電漿處理裝置之圖。
圖2係表示圖1所示之電漿處理裝置之直流電源裝置之構成之一例之圖。
圖3係使用一例示性實施形態之電漿處理裝置執行之電漿處理之時序圖。
圖4係概略性地表示另一例示性實施形態之電漿處理裝置之圖。
圖5係一例示性實施形態之電漿處理方法之流程圖。
圖6係表示第1實驗中求出之蝕刻速率之分佈及第2實驗中求出之蝕刻速率之分佈之曲線圖。
圖7之(a)係表示第3實驗中求出之直流電流之曲線圖，圖7之(b)係表示第4實驗中求出之直流電流之曲線圖。
1:電漿處理裝置
10:腔室
10s:內部空間
12:腔室本體
12e:排氣口
12g:閘閥
12p:通路
13:支持部
14:基板支持器
16:電極板
18:下部電極
18f:流路
20:靜電吸盤
20p:直流電源
20s:開關
22:冷卻器單元
22a:配管
22b:配管
24:氣體供給線
30:上部電極
32:構件
34:頂板
34a:噴氣孔
36:支持體
36a:氣體擴散室
36b:氣孔
36c:氣體導入口
38:氣體供給管
40:氣體源群
41:閥群
42:流量控制器群
43:閥群
46:遮罩
48:檔板
50:排氣裝置
52:排氣管
62:第1高頻電源
64:第2高頻電源
66:整合器
68:整合器
70:直流電源裝置
80:控制部
FR:鑲邊
GS:氣體供給部
W:基板
Claims (6)
- 一種電漿處理裝置，其具備：腔室；基板支持器，其包含設置於上述腔室內之下部電極；上部電極，其設置於上述基板支持器之上方；高頻電源，其用以於上述腔室內生成電漿；及直流電源裝置，其電性連接於上述上部電極；且上述直流電源裝置係構成為：於自上述高頻電源連續供給為了生成上述電漿之高頻電力之期間，週期性地產生脈衝狀之負極性之直流電壓，上述直流電源裝置之輸出電壓於反覆之各週期中之第1期間內係上述脈衝狀之負極性之直流電壓，於上述各週期中之其餘之第2期間內係零伏特。
- 如請求項1之電漿處理裝置，其中作為上述週期之倒數之頻率為400kHz以上。
- 如請求項2之電漿處理裝置，其中上述頻率為1MHz以下。
- 如請求項1至3中任一項之電漿處理裝置，其中第1期間於上述週期中所占之比率為20%以上、60%以下。
- 如請求項1至3中任一項之電漿處理裝置，其中傳遞來自上述直流電源裝置之能量之電路之接地電極僅為腔室之導電性之壁部。
- 一種電漿處理方法，其係使用如請求項1至5中任一項之電漿處理裝置者，且包括以下步驟：為了於上述腔室內生成電漿，自上述高頻電源供給高頻電力；及於生成上述電漿之過程中，自上述直流電源裝置週期性地對上述上部電極施加上述脈衝狀之負極性之直流電壓；且上述直流電源裝置之輸出電壓於反覆之各週期中之第1期間內係上述脈衝狀之負極性之直流電壓，於上述各週期中之其餘之第2期間內係零伏特。
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