TWI848807B - 電漿約束裝置及其電漿處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明公開了一種電漿約束裝置及其電漿處理裝置，該電漿約束裝置包含多個環繞下電極組件依次排列的間隔件，該間隔件呈環狀，各個間隔件之間形成氣體通道，該間隔件包含一朝向下電極組件設置的內側面和一頂面，至少一個間隔件的頂面包含一朝向下電極組件設置的反射面，該反射面上所有位置到下電極組件的中心軸的距離均大於其內側面上所有位置到下電極組件中心軸的距離。其優點是：該電漿約束裝置有效地降低了電漿湮滅所需的間隔件的高度，其還有效地提升了真空抽取裝置對腔內氣壓的控制精度，實現了各製程條件的協同最優調節。

Description

電漿約束裝置及其電漿處理裝置

本發明涉及半導體設備領域，具體涉及一種電漿約束裝置及其電漿處理裝置。

在半導體元件的製造過程中，常採用電漿蝕刻、物理氣相沉積、化學氣相沉積等製程方式對半導體工藝件或晶圓基板進行微加工。微加工製造的步驟中可以包含電漿輔助製程，這種製程一般在真空反應腔內進行，其中，電漿輔助製程中的電漿蝕刻製程是將晶圓加工成設計圖案的關鍵製程。

真空反應腔內的電漿蝕刻製程的原理為向真空反應腔內通入製程氣體，藉由輸入射頻能量以啟動晶圓上方的製程氣體，來點燃和維持電漿進而產生電漿環境，從而對晶圓進行蝕刻。在電漿處理進程中，為增大電漿的自由徑，通常採用真空抽取裝置使真空反應腔處於真空狀態（例如腔室內的氣壓小於100mTorr），以使電漿充滿至整個腔室。但是電漿具有較強的轟擊能力，若其擴散至非反應區域（如下電極組件的部分零部件所在的區域），可能會造成這些區域的零部件發生腐蝕或侵蝕，造成腔體內部的顆粒玷污或其他金屬污染，縮短零部件的工作壽命，降低腔室的重複使用性能。如果不將電漿約束在一定的工作區域內，帶電粒子將撞擊未被保護的區域，進而導致半導體晶圓表面雜質和污染。

基於上述問題，業界通常在鉛直方向上設置電漿約束組件，將電漿盡可能地限制在上電極組件和下電極組件之間的反應區域，以保護非反應區域內的各零部件。但是隨著工藝製程的進一步發展，對蝕刻設備的真空度提出了更高的要求，同時也對電漿約束組件的電漿約束及氣流調節等能力提出了更高的要求。

可以理解的是，上述陳述僅提供與本發明有關的背景技術，而並不必然地構成習知技術。

本發明的目的在於提供一種電漿約束裝置及其電漿處理裝置，該電漿約束裝置包含多個依次排列的間隔件，至少一個間隔件包含朝向下電極組件的內側面和頂部的反射面，所述反射面上所有位置到所述下電極組件的中心軸的距離均大於其內側面上所有位置到所述中心軸的距離。該電漿約束裝置藉由其間隔件上的反射面有效地降低了電漿湮滅所需要的氣體通道的縫隙深度，極大地降低了在縫隙中的電漿的自由徑，使得該電漿約束裝置在滿足真空抽氣需求的同時，增強了其對電漿的限制能力，可實現各製程條件的協同最優調節，有助於保證晶圓的處理效果。

為了達到上述目的，本發明藉由以下技術方案實現：

一種用於電漿處理裝置的電漿約束裝置，所述電漿處理裝置包括真空反應腔，所述真空反應腔內設置有下電極組件，

所述電漿約束裝置設置於所述真空反應腔的腔體側壁和所述下電極組件之間，所述電漿約束裝置包含多個環繞所述下電極組件依次排列的間隔件，所述間隔件呈環狀，各個間隔件之間形成氣體通道，所述間隔件包含一朝向所述下電極組件設置的內側面和一頂面，至少一個間隔件的頂面包含一朝向所述下電極組件設置的反射面，所述反射面上所有位置到所述下電極組件的中心軸的距離均大於其內側面上所有位置到所述下電極組件中心軸的距離。

可選的，所述間隔件的反射面包含斜切面。

可選的，所述斜切面與鉛直方向的夾角範圍為10°~50°。

可選的，所述間隔件的反射面包含凹型弧段結構。

可選的，所述間隔件的反射面包含多級臺階結構。

可選的，所述多級臺階結構的臺階為斜切面結構或平面結構或凹型弧段結構或凸形弧段結構中的至少一種。

可選的，所述間隔件的反射面包含波浪結構。

可選的，各相鄰間隔件之間的間距相等或不相等。

可選的，靠近腔體側壁處的相鄰間隔件之間的間距大於靠近下電極組件處的相鄰間隔件之間的間距。

可選的，靠近腔體側壁處的相鄰間隔件之間的間距為靠近下電極組件處的相鄰間隔件之間的間距的兩倍。

可選的，靠近下電極組件處的間隔件的斜切面與鉛直方向的夾角大於遠離下電極組件處的間隔件的斜切面與鉛直方向的夾角。

可選的，相鄰間隔件之間的間距範圍為1.5毫米~4.5毫米。

可選的，所述間隔件的高度範圍為15毫米~27毫米。

可選的，所述反射面在鉛直方向的長度為所述間隔件高度的40%~70%。

可選的，所述間隔件的表面設置有耐電漿腐蝕膜層。

可選的，所述耐電漿腐蝕膜層包含鐵氟龍膜層或氧化釔膜層或陽極氧化層中的至少一種。

可選的，各個間隔件之間藉由連接件連接。

可選的，各個間隔件與所述連接件一體成型。

可選的，一種電漿處理裝置，包含：

真空反應腔，所述真空反應腔內設置有下電極組件；

前述的電漿約束裝置，其位於所述真空反應腔內。

本發明與習知技術相比具有以下優點：本發明的一種電漿約束裝置及其電漿處理裝置中，該電漿約束裝置包含多個依次排列的間隔件，至少一個間隔件包含朝向下電極組件的內側面和頂部的反射面，所述反射面上所有位置到所述下電極組件的中心軸的距離均大於其內側面上所有位置到所述中心軸的距離。該電漿約束裝置藉由其間隔件上的反射面有效地降低了電漿湮滅所需要的氣體通道的縫隙深度，極大地降低了縫隙中的電漿的自由徑，使得該電漿約束裝置在滿足真空抽氣需求的同時，增強了其對電漿的限制能力，可實現各製程條件的協同最優調節，有助於保證晶圓的處理效果。

為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例中的圖式，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域中具有通常知識者在沒有做出進步性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。

需要說明的是，在本文中，術語「包括」、「包含」、「具有」或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者終端設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者終端設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句「包括……」或「包含……」限定的要素，並不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者終端設備中還存在另外的要素。

需說明的是，圖式均採用非常簡化的形式且均使用非精準的比率，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。

實施例一

如圖1所示，為本發明的一種電容耦合型電漿處理裝置（CCP），該電漿處理裝置包含：一真空反應腔100，其由反應腔腔體和腔體端蓋101包圍而成，所述反應腔腔體通常由金屬材料製成，其包含腔體側壁102和腔體底壁103。所述腔體側壁102上開設有晶圓傳輸口104，該晶圓傳輸口104用於實現晶圓W在真空反應腔100內外之間傳輸。所述真空反應腔100內包含一下電極組件110，其設置於所述真空反應腔100內底部，所述下電極組件110設置有承載面，傳入所述真空反應腔100內的待處理晶圓W放置於所述承載面上。所述真空反應腔100內還包含與所述下電極組件110相對設置的上電極組件120，所述上電極組件120和所述下電極組件110之間的空間為對晶圓W表面進行處理的處理區域。一氣體輸送裝置130中的製程氣體經由真空反應腔100頂部的氣體分配系統140引入真空反應腔100內部。

至少一射頻電源150藉由匹配網路151將射頻能量施加到所述下電極組件110，藉由電容耦合的方式將製程氣體解離為電漿P，以使所述上電極組件120和所述下電極組件110之間為電漿P環境以便蝕刻，該電漿P環境中含有大量的電子、離子、激發態的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待處理晶圓W的表面發生多種物理和/或化學反應，使得待處理晶圓W的形貌發生改變，從而完成對待處理晶圓W的處理。

進一步的，所述真空反應腔100上開設有排氣口105，具體地，所述排氣口105開設於所述腔體底壁103上，一真空抽取裝置160藉由所述排氣口105將真空反應腔100內部的氣體即反應廢棄產物排至腔外。可選的，所述真空抽取裝置160可以為分子泵或乾泵或真空泵組，當然，所述真空抽取裝置160的結構不僅限於此，其還可以為其他任意可實現相同功能的裝置。

在實際應用中，所述真空抽取裝置160通常設置於真空反應腔100底部，電漿P更易沿鉛直向下的方向擴散逃逸。基於上述，所述電漿處理裝置還設置有電漿約束裝置170（Confinement Ring）（請參見圖1至圖3），所述電漿約束裝置170設置於所述腔體側壁102和所述下電極組件110之間，以將電漿P約束在上電極組件120和下電極組件110之間的反應區域，避免電漿P洩露到非反應區域，造成非反應區域的零部件發生損傷。電漿約束裝置170下方設置一中接地環181，中接地環181用於為電漿約束裝置170提供電場屏蔽；中接地環181下方設置一下接地環182，所述中接地環181和下接地環182保持電連接，以在真空反應腔100內形成一射頻接地迴路。下接地環182和下電極組件110之間設置有屏蔽環190，所述屏蔽環190用於將施加到下電極組件110上的射頻訊號屏蔽在下電極組件110內，實現下電極組件110與下接地環182的電隔離。

進一步的，所述電漿約束裝置170包含多個環繞所述下電極組件110依次排列的間隔件171，所述間隔件171呈環狀，各個間隔件171之間形成氣體通道172以便氣體流通，所述真空抽取裝置160位於所述電漿約束裝置170的下方，真空抽取裝置160驅動電漿P的擴散且驅動反應區域的廢棄產物經由所述氣體通道172和排氣口105排至腔外。如圖3所示，所述間隔件171包含一朝向所述下電極組件110設置的內側面173、朝向所述腔體側壁102設置的外側面177和一頂面174，至少一個間隔件171的頂面174包含一朝向所述下電極組件110設置的反射面175和一平面176，所述反射面175上所有位置到所述下電極組件110的中心軸的距離均大於其內側面173上所有位置到所述下電極組件110的中心軸的距離，即至少兩個相鄰間隔件171之間的氣體通道172的頂部寬度大於其底部寬度。

在工藝進程中，電漿P會與電漿約束裝置170的各個間隔件171成一定角度地射入各個間隔件171之間的氣體通道172中，電漿P中的帶電粒子與各個間隔件171的表面接觸後湮滅，由於間隔件171上鞘層（sheath）的存在，帶電粒子與鞘層的碰撞會對電漿P中的帶電粒子進行反射，每次反射都會降低帶電粒子的能量，一定寬度和深度的氣體通道172可以使得電漿P內的帶電粒子在各個間隔件171之間的氣體通道172中湮滅。假設需要三次反射可以將電漿P的能量充分釋放，使其無法以電漿P的形式進入電漿約束裝置170的下方。由圖3和圖4對比可知，在電漿P入射角度等因素不變的情況下，本發明中間隔件171頂部的反射面175增大了電漿P與間隔件171的接觸面積，可有效地降低電漿P三次反射所需要的氣體通道172的縫隙深度，極大地降低了縫隙中的電漿P的自由徑，降低了對間隔件171高度的要求，即使在高射頻功率的環境下也不會發生電漿P的洩漏；同時該反射面175還在一定程度上拓寬了相鄰間隔件171之間的氣體通道172的氣流通路，有效地提升了對真空抽取裝置160的抽真空能力的利用率，提升其對腔體氣壓的控制精度。該電漿約束裝置170在滿足真空抽氣需求的同時，增大了其對電漿P的限制能力，可實現各製程條件的協同最優調節，有助於保證晶圓W處理效果。

在本實施例中，各個間隔件171之間藉由連接件連接，以便各個間隔件171的安裝與固定。進一步的，各個間隔件171與所述連接件一體成型，以便該電漿約束裝置170的加工製備。當然，各個間隔件171之間不僅限於上述連接方式，在其他實施例中，其還可以為其他連接方式，本發明對此不加以限制。

如圖3所示，在本實施例中，所述間隔件171的反射面175包含斜切面，該斜切面有效地降低了在縫隙中的電漿的自由徑，降低了對間隔件171的高度要求，其結構簡單，加工方便，同時還可以減薄現有間隔件171的厚度，節省所使用的材料，即所述斜切面除了具備上述反射面175的所有功能作用之外，還有效地降低了間隔件171的生產成本。在設置該斜切面的前提下，即使進一步減薄所述間隔件171的厚度，仍能保持該電漿約束裝置170對電漿P的約束限制能力，同時滿足腔室真空抽取的需求。

進一步的，所述斜切面與鉛直方向的夾角範圍為10°~50°。在其他因素（如電漿P的入射方向等）保持不變的情況下，所述斜切面與鉛直方向的夾角越大，該間隔件171對電漿P的反射幅度越大，該電漿P湮滅所需的間隔件171的高度越小，在實際應用中，可根據具體的應用需求設置不同的夾角。當然，兩者的夾角範圍不僅限於上述數據範圍，在其他實施例中，其還可以為其他數據範圍，本發明對此不加以限制。

可選的，所述間隔件171的高度範圍為15毫米~27毫米。進一步的，所述反射面175（斜切面）在鉛直方向的長度為間隔件171高度的40%~70%。由前述可知，所述間隔件171頂部的反射面175有效地降低了電漿P湮滅所需的間隔件171的高度，因此，本發明中間隔件171的高度可遠低於現有的間隔件171的高度，節約材料有助於降低生產成本，同時當其高度很低時所佔用的空間也很小，有助於增加腔室內空間的利用率。可以理解的是，所述間隔件171的高度範圍和反射面175的長度範圍不僅限於上述，在其他實施例中，還可以為其他數值範圍，本發明對此不加以限制。

如圖3所示，在本實施例中，各相鄰間隔件171之間的間距（d1）相等，以便所述電漿約束裝置170的加工與安裝，另一方面，相鄰間隔件171之間形成的各個氣體通道172的寬度也相等，有助於氣體抽取裝置對腔內氣壓的均衡調控，有助於提升其調控精度。可選的，相鄰間隔件171之間的間距範圍為1.5毫米~4.5毫米，在實際應用中，可根據實際需求設置相鄰間隔件171之間的間距，且所述間距的數值範圍不僅限於上述數值。所述間隔件171的斜切面有效地降低了電漿P湮滅所需的高度，即使增加相鄰間隔件171之間的距離，也能保證其對電漿P的約束能力。如圖5所示，在另一實施例中，相鄰間隔件171之間的距離為d2，其中，對d2＞d1，即使拓寬了相鄰間隔件171之間的距離，仍可避免電漿P進入非反應區域。

可以理解的是，各個相鄰間隔件171之間的距離關係不僅限於上述，在其他實施例中，還可以根據實際應用需求和製程環境進行設置，例如在其他實施例中，各個相鄰間隔件171之間的間距不相等。

在實際製程環境中，經由氣體分配系統140進入真空反應腔100的製程氣體大部分擴散分佈在晶圓W上方的區域中，對應的，將製程氣體啟動為電漿P後，所述電漿P大部分位於上電極組件120和下電極組件110之間的反應區域中，部分電漿P從反應區域向腔體側壁102方向擴散，越靠近腔體側壁102，電漿P的濃度逐漸減小，對電漿P的約束需求越小。可選的，靠近腔體側壁102處的相鄰間隔件171之間的間距大於靠近下電極組件110處的相鄰間隔件171之間的間距，即靠近腔體側壁102處的氣體通道172的寬度大於靠近下電極組件110處的氣體通道172的寬度，在實現對電漿P進行約束的同時，增大了氣流通路，保證了真空抽取裝置160對腔內真空度的控制能力。示例的，在某一實施例中，靠近腔體側壁102處的相鄰間隔件171之間的間距為靠近下電極組件110處的相鄰間隔件171之間的間距的兩倍，仍能很好地限制電漿P擴散，湮滅電漿中的帶電粒子，在此條件下，可以極大地增大了真空抽取裝置160對真空反應腔100內真空度的控制能力。

當然，也可採用其他方式來滿足不同區域對電漿P約束能力的不同需求，例如設置不同的斜切面長度等，本發明對此不加以限制。示例的，在一實施例中，靠近下電極組件110處的間隔件171的斜切面與鉛直方向的夾角大於遠離下電極組件110處的間隔件171的斜切面與鉛直方向的夾角，即靠近下電極組件110處的間隔件171對電漿P的反射約束能力強於靠近腔體側壁102的間隔件171對電漿P的反射約束能力。

在本實施例中，所述間隔件171的製備材料包含鋁，其加工難度較低且價格低廉。進一步的，為避免電漿P對所述間隔件171的侵蝕，所述間隔件171的表面設置有耐電漿P腐蝕膜層，以進一步保證所述間隔件171的使用壽命。可選的，所述耐電漿P腐蝕膜層包含鐵氟龍膜層或氧化釔膜層或陽極氧化層中的至少一種。在本實施例中，所述間隔件171的頂面174、外側面177和內側面173均包含鋁基氧化釔鍍層，以防止電漿P的侵蝕。進一步的，所述間隔件171的底面做陽極氧化處理並與中接地環181接觸，陽極氧化鋁接地確保了電漿約束裝置170藉由大電容進行接地，保證電漿約束裝置170底部不因與接地面電勢差過大而產生新的電漿。可以理解的是，所述耐電漿P腐蝕膜層的材料類型不僅限於上述，在其他實施例中，其還可以包含其他材料類型的膜層，本發明對此不加以限制。

實施例二

基於實施例一的電漿處理裝置的結構特性，本實施例對其電漿約束裝置的間隔件271做出了一些改變。

如圖6所示，為本實施例的一種間隔件271示意圖。在本實施例中，所述間隔件271同樣包含內側面273、外側面277和頂面，其頂面包含反射面275，至少一個間隔件271的反射面275上所有位置到所述下電極組件的中心軸的距離均大於其內側面273上所有位置到所述下電極組件的中心軸的距離。與實施例一不同的是，在本實施例中，所述反射面275包含凹型弧段結構，該凹型弧段結構同樣可實現前述的反射面275對電漿的約束限制作用，其所屬的電漿約束裝置對電漿的約束能力遠高於現有的電漿約束裝置，該電漿約束裝置在實現對電漿約束的同時還可以保證真空抽取裝置對腔內氣壓的調控能力和精度，有助於保證晶圓的處理效果。可以理解的是，所述反射面275不僅限於包含上述凹形弧段結構，理論上其還可以包含凸形弧段結構，同樣可實現相同的功能效果。

進一步的，本實施例的其他結構及各組件的連接、作用方式，如上電極組件或下電極組件的設置等均可與實施例一的相似或相同，在此不再加以贅述。

實施例三

基於實施例一的電漿處理裝置的結構特性，本實施例對其電漿約束裝置的間隔件371做出了一些改變。

與實施例一不同的是，本實施例的間隔件371包含內側面373和反射面375，所述反射面375包含多級臺階結構。所述多級臺階結構可調節所述間隔件371對電漿的反射方向，有助於降低電漿的自由徑，降低其湮滅對間隔件371的高度需求。可選的，所述多級臺階結構的臺階為斜切面結構或平面結構或凹型弧段結構或凸形弧段結構中的至少一種。本發明對所述多級臺階結構的每級臺階的形狀結構不做限制，多級臺階可為任意形狀或形狀的組合。示例的，如圖7所示，在一實施例中，所述多級臺階結構包含斜切面結構和平面結構；又如圖8所示，所述多級臺階結構包含凸形弧段結構，上述間隔件371所述的電漿約束裝置均可實現對電漿的良好約束，同時保證真空抽取裝置對腔內壓力的調節能力和精度。

進一步的，本實施例的其他結構及各組件的連接、作用方式，如上電極組件或下電極組件的設置等均可與實施例一的相似或相同，在此不再加以贅述。

需要說明的是，本發明中所述電漿約束裝置170的間隔件171的反射面175不僅限於包含上述斜切面結構或弧段結構，其還可以為其他可降低電漿P自由徑的結構，本發明對此不加以限制，例如在另一實施例中，所述間隔件171的反射面175包含波浪結構。

進一步的，本發明中的電漿約束裝置170不僅限用於上述電容耦合型電漿處理裝置，其也適用於其他類型的電漿處理裝置，如感應耦合型電漿處理裝置（ICP）等，本發明對此不加以限制。

綜上所述，本發明的一種電漿約束裝置170及其電漿處理裝置中，該電漿約束裝置170包含的至少一個間隔件171的頂面174包含一朝向所述下電極組件110設置的反射面175，所述反射面175上所有位置到所述下電極組件110的中心軸的距離均大於其內側面173上所有位置到所述下電極組件110中心軸的距離。該電漿約束裝置170藉由在其間隔件171上設置反射面175，有效地降低了電漿P湮滅所需要的氣體通道172的縫隙深度，極大地降低了縫隙中的電漿P的自由徑，也降低了對間隔件171高度的要求；同時該反射面175還在一定程度上拓寬了相鄰間隔件171之間的氣體通道172的氣流通路，有效地提升了對真空抽取裝置160的抽真空能力的利用率，提升其對腔體氣壓的控制精度。該電漿約束裝置170在滿足真空抽氣需求的同時，增大了其對電漿P的限制能力，可實現各製程條件的協同最優調節，有助於保證晶圓W處理效果。

儘管本發明的內容已經藉由上述優選實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在本領域中具有通常知識者閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的請求項來限定。

100          真空反應腔 101          腔體端蓋 102          腔體側壁 103          腔體底壁 104          晶圓傳輸口 105          排氣口 110          下電極組件 120          上電極組件 130          氣體輸送裝置 140          氣體分配系統 150          射頻電源 151          匹配網路 160          真空抽取裝置 170          電漿約束裝置 171          間隔件 172          氣體通道 173          內側面 174          頂面 175          反射面 176          平面 177          外側面 181          中接地環 182          下接地環 190          屏蔽環 271          間隔件 273          內側面 275          反射面 277          外側面 371          間隔件 373          內側面 375          反射面 P              電漿 W            晶圓

圖1為本發明實施例一中的一種電漿處理裝置示意圖； 圖2為本發明實施例一中的一種電漿約束裝置排列示意圖； 圖3為本發明實施例一中的一種電漿約束裝置的部分間隔件截面示意圖； 圖4為現有的一種電漿約束裝置的部分間隔件截面示意圖； 圖5為本發明實施例一中的另一種電漿約束裝置的部分間隔件截面示意圖； 圖6為本發明實施例二中的一種電漿約束裝置的間隔件截面示意圖； 圖7為本發明實施例三中的一種電漿約束裝置的間隔件截面示意圖； 圖8為本發明實施例三中的又一種電漿約束裝置的間隔件截面示意圖。

171          間隔件 172          氣體通道 173          內側面 174          頂面 175          反射面 176          平面 177          外側面 P              電漿

Claims (19)

1. 一種用於電漿處理裝置的電漿約束裝置，所述電漿處理裝置包括真空反應腔，所述真空反應腔內設置有下電極組件，其特徵在於， 所述電漿約束裝置設置於所述真空反應腔的腔體側壁和所述下電極組件之間，所述電漿約束裝置包含多個環繞所述下電極組件依次排列的間隔件，所述間隔件呈環狀，各個間隔件之間形成氣體通道，所述間隔件包含一朝向所述下電極組件設置的內側面和一頂面，至少一個間隔件的頂面包含一朝向所述下電極組件設置的反射面，所述反射面上所有位置到所述下電極組件的中心軸的距離均大於其內側面上所有位置到所述下電極組件中心軸的距離。
2. 如請求項1所述的電漿約束裝置，其中， 所述間隔件的反射面包含斜切面。
3. 如請求項2所述的電漿約束裝置，其中， 所述斜切面與鉛直方向的夾角範圍為10°~50°。
4. 如請求項1所述的電漿約束裝置，其中， 所述間隔件的反射面包含凹型弧段結構。
5. 如請求項1所述的電漿約束裝置，其中， 所述間隔件的反射面包含多級臺階結構。
6. 如請求項5所述的電漿約束裝置，其中， 所述多級臺階結構的臺階為斜切面結構或平面結構或凹型弧段結構或凸形弧段結構中的至少一種。
7. 如請求項1所述的電漿約束裝置，其中， 所述間隔件的反射面包含波浪結構。
8. 如請求項1所述的電漿約束裝置，其中， 各相鄰間隔件之間的間距相等或不相等。
9. 如請求項1所述的電漿約束裝置，其中， 靠近腔體側壁處的相鄰間隔件之間的間距大於靠近下電極組件處的相鄰間隔件之間的間距。
10. 如請求項1或9所述的電漿約束裝置，其中， 靠近腔體側壁處的相鄰間隔件之間的間距為靠近下電極組件處的相鄰間隔件之間的間距的兩倍。
11. 如請求項2所述的電漿約束裝置，其中， 靠近下電極組件處的間隔件的斜切面與鉛直方向的夾角大於遠離下電極組件處的間隔件的斜切面與鉛直方向的夾角。
12. 如請求項1所述的電漿約束裝置，其中， 相鄰間隔件之間的間距範圍為1.5毫米~4.5毫米。
13. 如請求項1所述的電漿約束裝置，其中， 所述間隔件的高度範圍為15毫米~27毫米。
14. 如請求項1所述的電漿約束裝置，其中， 所述反射面在鉛直方向的長度為所述間隔件高度的40%~70%。
15. 如請求項1所述的電漿約束裝置，其中， 所述間隔件的表面設置有耐電漿腐蝕膜層。
16. 如請求項15所述的電漿約束裝置，其中， 所述耐電漿腐蝕膜層包含鐵氟龍膜層或氧化釔膜層或陽極氧化層中的至少一種。
17. 如請求項1所述的電漿約束裝置，其中， 各個間隔件之間藉由連接件連接。
18. 如請求項17所述的電漿約束裝置，其中， 各個間隔件與所述連接件一體成型。
19. 一種電漿處理裝置，其特徵在於，包含： 真空反應腔，所述真空反應腔內設置有下電極組件； 如請求項1~18中任一項所述的電漿約束裝置，其位於所述真空反應腔內。