TWI848688B - 半穿反液晶顯示面板 - Google Patents
半穿反液晶顯示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI848688B TWI848688B TW112116773A TW112116773A TWI848688B TW I848688 B TWI848688 B TW I848688B TW 112116773 A TW112116773 A TW 112116773A TW 112116773 A TW112116773 A TW 112116773A TW I848688 B TWI848688 B TW I848688B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- liquid crystal
- substrate
- display panel
- crystal display
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 133
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 93
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 15
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 12
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 12
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133357—Planarisation layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133371—Cells with varying thickness of the liquid crystal layer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本揭露提供一種半穿反液晶顯示面板，其包括第一基板、第二基板、平坦層以及反射電極層。第一基板與第二基板對向地設置。平坦層設置於第一基板與第二基板之間，其中平坦層包括開口。反射電極層設置於第一基板與第二基板之間，其中反射電極層在第一基板的法線方向上不與開口重疊。開口的底表面在第一方向上的寬度大於或等於3微米，且靠近開口的反射電極層的邊緣在第一方向上與開口的邊緣之間的間距大於或等於1微米，其中第一方向與第一基板的法線方向正交。
Description
本發明是有關於一種半穿反液晶顯示面板，且特別是有關於一種具有雙重液晶盒間隙的半穿反液晶顯示面板。
具有雙重液晶盒間隙(dual cell gap)的半穿反液晶顯示面板一般會在其中設置圖案化的平坦層，以創造出不同的液晶盒間隙厚度。由於圖案化的平坦層包括具有斜率的側表面，而穿透區在其中的光學表現較差，通常會將反射電極層設置成與平坦層的側表面重疊；然而，此將導致半穿反液晶顯示面板的穿透區的面積下降，且反射電極層也會因須圖案化出較小的圖案而提升製程難度。另外，若僅將反射電極層設置成與平坦層的部分側表面重疊，則反射電極層的邊緣會位於平坦層的側表面上，而導致反射電極層的結構不穩定，進而影響半穿反液晶顯示面板的整體光學表現且降低半穿反液晶顯示面板的良率。
本揭露提供一種半穿反液晶顯示面板，其具有良好的整體光學表現。
根據本揭露的實施例，半穿反液晶顯示面板包括第一基板、第二基板、平坦層以及反射電極層。第一基板與第二基板對向地設置。平坦層設置於第一基板與第二基板之間，其中平坦層包括開口。反射電極層設置於第一基板與第二基板之間，其中反射電極層在第一基板的法線方向上不與開口重疊。開口的底表面在第一方向上的寬度大於或等於3微米，且靠近開口的反射電極層的邊緣在第一方向上與開口的邊緣之間的間距大於或等於1微米，其中第一方向與第一基板的法線方向正交。
在本揭露的一實施例中，開口的底表面在第二方向上的寬度大於或等於3微米，其中第二方向與第一基板的法線方向以及第一方向正交。
在本揭露的一實施例中，半穿反液晶顯示面板還包括第一導電層以及第一絕緣層。第一導電層設置於第一基板上。第一絕緣層設置於第一導電層上，且位於反射電極層與第一導電層之間。靠近開口的第一導電層的邊緣在第一方向上與開口的底表面的邊緣之間的間距大於或等於1微米。
在本揭露的一實施例中，第一導電層在第一基板的法線方向上的投影與平坦層的側表面部分地重疊。
在本揭露的一實施例中，半穿反液晶顯示面板還包括第
二導電層以及第二絕緣層。第二絕緣層設置於第二導電層上，且位於反射電極層與第二導電層之間。靠近開口的第二導電層的邊緣在第二方向上與開口的底表面的邊緣之間的間距大於或等於1微米，其中第二方向與第一基板的法線方向以及第一方向正交。
在本揭露的一實施例中，半穿反液晶顯示面板還包括濾光層。濾光層設置於第二基板上。
在本揭露的一實施例中，半穿反液晶顯示面板還包括第三絕緣層。第三絕緣層設置於濾光層上。
在本揭露的一實施例中，半穿反液晶顯示面板還包括畫素電極層、共用電極層以及液晶層。畫素電極層設置於第一基板上。共用電極層設置於第二基板上。液晶層設置於畫素電極層與共用電極層之間。
在本揭露的一實施例中，畫素電極層進一步設置於開口上。
在本揭露的一實施例中，共用電極層進一步設置於開口上。
基於上述，本揭露實施例的半穿反液晶顯示面板包括的反射電極層的邊緣與平坦層的開口的邊緣之間具有特定間距，因此，本揭露實施例的半穿反液晶顯示面板的穿透區的面積可增加而具有提高的穿透率。再者，本揭露實施例的半穿反液晶顯示面板包括的反射電極層在基板的法線方向上的投影不與平坦層的開口重疊，其可降低反射電極層的製程難度且提升本揭露實施例的
半穿反液晶顯示面板的製程良率。
為讓本揭露的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合附圖作詳細說明如下。
10a、10b、10c:半穿反液晶顯示面板
A1-A1’、A2-A2’、B-B’、C-C’:剖線
CE:共用電極層
CF:濾光層
d1:第一方向
d2:第二方向
G1、G2、G3:間距
IL1、IL2、IL3:絕緣層
LC:液晶層
M1、M2:導電層
n:法線方向
OP:開口
OP_B:開口的底表面
OP_S:開口的側表面
PE:畫素電極層
PL:平坦層
PL_B:平坦層的底表面
PL_S:平坦層的側表面
PL_T:平坦層的頂表面
R1、R2、R3:區域
RE:反射電極層
RR:反射區
SB1、SB2:基板
TR:穿透區
W1、W2:寬度
圖1A為本揭露第一實施例的半穿反液晶顯示面板的局部俯視示意圖。
圖1B為依據圖1A的剖線A1-A1’的一實施例的局部剖面示意圖。
圖1C為依據圖1A的剖線A2-A2’的一實施例的局部剖面示意圖。
圖1D為本揭露第一實施例的半穿反液晶顯示面板中的穿透區的各區域的局部俯視示意圖。
圖1E為本揭露一實施例的各區域之間的比率與半穿反液晶顯示面板的穿透率以及對比度的關係曲線圖。
圖2A為本揭露第二實施例的半穿反液晶顯示面板的局部俯視示意圖。
圖2B為依據圖2A的剖線B-B’的第一實施例的局部剖面示意圖。
圖3A為本揭露第三實施例的半穿反液晶顯示面板的局部俯視示意圖。
圖3B為依據圖3A的剖線C-C’的一實施例的局部剖面示意圖。
圖4A為依據圖2A的剖線B-B’的第二實施例的局部剖面示意圖。
圖4B為依據圖2A的剖線B-B’的第三實施例的局部剖面示意圖。
圖4C為依據圖2A的剖線B-B’的第四實施例的局部剖面示意圖。
透過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及圖式的簡潔，本揭露中的多張圖式只繪出液晶顯示面板的一部分，且圖式中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。
本文中所提到的方向用語，例如：「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本揭露。在附圖中，各圖式繪示的是特定實施例中所使用的方法、結構及/或材料的通常性特徵。然而，這些圖式不應被解釋為界定或限制由這些實施例所涵蓋的範圍或性質。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域及/或結構的相對尺寸、厚度及位置可能縮小或放大。
當相應的構件(例如膜層或區域)被稱為「在另一個構件上」時，它可以直接在另一個構件上，或者兩者之間可存在有其他構件。另一方面，當構件被稱為「直接在另一個構件上」時，則兩者之間不存在任何構件。另外，當一構件被稱為「在另一個構件上」時，兩者在俯視方向上有上下關係，而此構件可在另一個構件的上方或下方，而此上下關係取決於裝置的取向(orientation)。
說明書與申請專利範圍中所使用的序數例如「第一」、「第二」等之用詞用以修飾元件，其本身並不意含及代表該(或該些)元件有任何之前的序數，也不代表某一元件與另一元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚區分。權利要求書與說明書中可不使用相同用詞，據此，說明書中的第一構件在權利要求中可能為第二構件。
須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。各實施例間特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。
圖1A為本揭露第一實施例的半穿反液晶顯示面板的局部俯視示意圖，圖1B為依據圖1A的剖線A1-A1’的一實施例的局部剖面示意圖，且圖1C為依據圖1A的剖線A2-A2’的一實施例的局部剖面示意圖。
請同時參照圖1A至圖1C，在本實施例中，半穿反液晶顯示面板10a包括基板SB1、基板SB2、平坦層PL以及反射電極層RE。半穿反液晶顯示面板10a可例如是包括雙重液晶盒間隙(dual cell gap)的半穿反液晶顯示面板，但本揭露不以此為限。
基板SB1可例如為可撓基板或不可撓基板。基板SB1的材料可例如包括玻璃、塑膠或其組合。舉例而言，基板SB1的材料可包括石英、藍寶石(sapphire)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)或其他適合的材料或上述材料的組合，本揭露不以此為限。
基板SB2例如在基板SB1的法線方向n上與基板SB1對向地設置。基板SB2包括的材料可與基板SB1包括的材料相同或相似，於此不再贅述。
平坦層PL例如設置於基板SB1與基板SB2之間。在本實施例中，平坦層PL設置於基板SB1上，但本揭露不以此為限。平坦層PL的材料可例如是有機材料(例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂)，但本揭露不以此為限。
在本實施例中，平坦層PL包括開口OP，其中開口OP包括底表面OP_B以及側表面OP_S，側表面OP_S與底表面OP_B連接，且底表面OP_B可與基板SB1的法線方向n正交。在一些實施例中，開口OP的側表面OP_S不與基板SB1的法線方向n
正交或平行。即，開口OP的側表面OP_S與基板SB1的法線方向n之間具有非為0度且非為90度的角度。換句話說，開口OP可具有在第一方向d1及/或第二方向d2上的倒梯形輪廓，其中第一方向d1及/或第二方向d2與基板SB1的法線方向n正交，但本揭露不以此為限。考量到半穿反液晶顯示面板10a的穿透率及其製程難易度等因素，平坦層PL的開口OP的底表面OP_B會具有特定的寬度。如圖1A以及圖1B所示出，在一些實施例中，平坦層PL的開口OP的底表面OP_B在第一方向d1上的寬度W1大於或等於3微米。另外，如圖1A以及圖1C所示出，在一些實施例中，平坦層PL的開口OP的底表面OP_B在第二方向d2上的寬度W2大於或等於3微米。
從另一個角度來看，平坦層PL包括頂表面PL_T、側表面PL_S以及底表面PL_B，其中頂表面PL_T與側表面PL_S連接，且側表面PL_S與底表面PL_B連接。在本實施例中，平坦層PL的底表面PL_B面對基板SB1，且平坦層PL的頂表面PL_T面對基板SB2，但本揭露不以此為限。平坦層PL的頂表面PL_T以及底表面PL_B可各自在第一方向d1及/或第二方向d2上具有實質相同的水平高度；相對地，平坦層PL的側表面PL_S則在第一方向d1及/或第二方向d2上具有不同的水平高度。在本實施例中，平坦層PL的側表面PL_S與基板SB1的法線方向n之間具有非為0度且非為90度的角度。在一些實施例中，平坦層PL的側表面PL_S可定義出開口OP的側表面OP_S的輪廓，且平坦層PL可相
對於開口OP而具有在第一方向d1及/或第二方向d2上的正梯形輪廓，但本揭露不以此為限。
反射電極層RE例如設置於基板SB1與基板SB2之間。在本實施例中，反射電極層RE設置於平坦層PL上。在一些實施例中，反射電極層RE的材料可例如包括光反射率高的材料，其例如包括金屬(鉻、金、銀、銅、錫、鉛、鉿、鎢、鉬、釹、鈦、鉭、鋁、鋅或其餘合適金屬)、上述合金、上述金屬氧化物、上述金屬氮化物或上述的組合或者其他導電材料。基於此，反射電極層RE可用以定義出半穿反液晶顯示面板10a的反射區RR以及穿透區TR。舉例而言，在基板SB1的法線方向n上，設置有反射電極層RE的區域為半穿反液晶顯示面板10a的反射區RR，而未設置有反射電極層RE的區域為半穿反液晶顯示面板10a的穿透區TR，但本揭露不以此為限。
在本實施例中，反射電極層RE在基板SB1的法線方向n上不與平坦層PL的開口OP重疊。詳細地說，本實施例的反射電極層RE設置於平坦層PL的頂表面PL_T上，而未設置於平坦層PL的側表面PL_S上。因此，本實施例的反射電極層RE的邊緣與平坦層PL的開口OP的邊緣之間具有特定間距。如圖1A以及圖1B所示出，在一些實施例中，靠近開口OP的反射電極層RE的邊緣在第一方向d1上與平坦層PL的開口OP的邊緣之間的間距G1大於或等於1微米。另外，儘管圖式中未示出，在一些實施例中，靠近開口OP的反射電極層RE的邊緣在第二方向d2上與平
坦層PL的開口OP的邊緣之間的間距也可大於或等於1微米，但本揭露不以此為限。
由於本實施例的反射電極層RE不與平坦層PL的開口OP重疊，且反射電極層RE的邊緣與平坦層PL的開口OP的邊緣之間具有特定間距，本實施例的半穿反液晶顯示面板10a的穿透區TR的面積增加而具有提高的穿透率。再者，本實施例將反射電極層RE設置於平坦層PL的頂表面PL_T上，而未將反射電極層RE設置於平坦層PL的側表面PL_S上，由於平坦層PL的頂表面PL_T相對於平坦層PL的側表面PL_S更為平整，其可降低反射電極層RE的製程難度且提升半穿反液晶顯示面板10a的製程良率。
圖1D為本揭露第一實施例的半穿反液晶顯示面板中的穿透區的各區域的局部俯視示意圖，且圖1E為本揭露一實施例的各區域之間的比率與半穿反液晶顯示面板的穿透率以及對比度的關係曲線圖。
另外，在本實施例中，半穿反液晶顯示面板10a的穿透區TR具有區域R1、區域R2以及區域R3，其中區域R1由平坦層PL的開口OP的底表面OP_B定義，區域R2由平坦層PL的開口OP的側表面OP_S或者平坦層PL的側表面PL_S定義，且區域R3由未與反射電極層RE重疊的平坦層PL的頂表面PL_T定義。根據上述對於區域R1、區域R2以及區域R3的定義，半穿反液晶顯示面板10a的穿透區TR的亮度以及對比度可例如符合以下關係式：
W=AR1*F(R1)+AR2*F(R2)+AR3*F(R3)，K=AR1*F’(R1)+AR2*F’(R2)+AR3*F’(R3)，CR=W/K，其中，AR1為區域R1的面積，AR2為區域R2的面積，AR3為區域R3的面積，F(R1)為區域R1的單位面積的白色畫面的亮度，F(R2)為區域R2的單位面積的白色畫面的亮度，F(R3)為區域R3的單位面積的白色畫面的亮度，F’(R1)為區域R1的單位面積的黑色畫面的亮度，F’(R2)為區域R2的單位面積的黑色畫面的亮度，F’(R3)為區域R3的單位面積的黑色畫面的亮度，W為半穿反液晶顯示面板10a的穿透區TR的白色畫面的亮度，K為半穿反液晶顯示面板10a的穿透區TR的黑色畫面的亮度，且CR為半穿反液晶顯示面板10a的對比度。
對於穿透區TR具有的區域R1、區域R2以及區域R3，若區域R2以及區域R3相對於區域R1的比率越大，則代表反射電極層RE在第一方向d1及/或第二方向d2上越遠離平坦層PL的開口OP，使得半穿反液晶顯示面板10a具有相對高的穿透率但具有相對差的對比度。相對地，若區域R2以及區域R3相對於區域R1的比率越小，則代表反射電極層RE在第一方向d1及/或第二方向d2上越靠近平坦層PL的開口OP，使得半穿反液晶顯示面板10a具有相對低的穿透率但具有相對好的對比度。
基於此，申請人通過調整區域R2以及區域R3相對於區域R1的比率，繪示出如圖1E所示出的關係曲線圖，其中區域R2
以及區域R3相對於區域R1的比率與半穿反液晶顯示面板10a的穿透率或半穿反液晶顯示面板10a的對比度大致呈線性關係。因此，可根據預期得到的半穿反液晶顯示面板10a的穿透率以及對比度，來設計區域R2以及區域R3相對於區域R1的比率，以滿足廠商或使用者的需求。
在一些實施例中，液晶顯示面板10a還可包括濾光層CF、畫素電極層PE、共用電極層CE以及液晶層LC。
濾光層CF例如設置於基板SB2上，但本揭露不以此為限。濾光層CF可例如包括多個彩色濾光圖案(未示出)，以使半穿反液晶顯示面板10a具有彩色的顯示畫面，但本揭露不以此為限。舉例而言，濾光層CF可包括有紅色濾光圖案、綠色濾光圖案及/或藍色濾光圖案；或者包括有其餘顏色的濾光圖案。
畫素電極層PE例如設置於基板SB1面向基板SB2的表面上。在本實施例中，畫素電極層PE設置於平坦層PL上，且進一步設置於平坦層PL的開口OP上，但本揭露不以此為限。詳細地說，畫素電極層PE設置於平坦層PL的頂表面PL_T以及側表面PL_S上，且設置於開口OP的底表面上OP_B。在一些實施例中，畫素電極層PE的材料可包括金屬氧化物(例如氧化銦錫)、碳納米管、石墨烯、其他合適的材料或其組合，本揭露不以此為限。
共用電極層CE例如設置於基板SB2面向基板SB1的表面上。在本實施例中，共用電極層CE設置於濾光層CF上，但本
揭露不以此為限。共用電極層CE的材料可與畫素電極層PE的材料相同或相似，於此不再贅述。在一些實施例中，可通過提供電壓給共用電極層CE與畫素電極層PE以用於驅動後續將介紹的液晶層LC，但本揭露不以此為限。舉例而言，半穿反液晶顯示面板10a還可包括有電壓提供單元(未示出)，其中電壓提供單元與畫素電極層PE以及共用電極層CE電性連接，以通過向畫素電極層PE以及共用電極層CE提供不同的電壓，利用電壓差來驅動液晶層LC，以使本實施例的半穿反液晶顯示面板10a顯示畫面。
液晶層LC例如設置於基板SB1與基板SB2之間。在一些實施例中，液晶層LC中的液晶分子(未示出)可例如通過電壓的改變而排列。舉例而言，在半穿反液晶顯示面板10a未驅動時，液晶分子可根據設置在基板SB1上的配向層(未示出)以及設置在基板SB2上的配向層(未示出)的摩擦方向(例如第一方向d1)而排列。相對地，在半穿反液晶顯示面板10a驅動時，液晶分子可根據畫素電極層PE與共用電極層CE之間的電壓大小而具有相對應的傾斜方向。在一些實施例中，液晶層LC可包括電場控制雙折射型(electrically controlled birefringence；ECB)的液晶分子、垂直配向型(vertical alignment；VA)的液晶分子或其餘合適的液晶分子，但本揭露不以此為限。
圖2A為本揭露第二實施例的半穿反液晶顯示面板的局部俯視示意圖，且圖2B為依據圖2A的剖線B-B’的第一實施例的局部剖面示意圖。須說明的是，圖2A以及圖2B的實施例可各自
沿用圖1A以及圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
本實施例的半穿反液晶顯示面板10b與上述的半穿反液晶顯示面板10a的主要差異在於：半穿反液晶顯示面板10b還包括有導電層M1以及絕緣層IL1。
導電層M1例如設置於基板SB1面對基板SB2的表面上。在本實施例中，導電層M1可與主動元件(未示出)的閘極以及掃描線(未示出)屬於同一層，其中掃描線可例如與主動元件電性連接，以例如用於提供來自閘極驅動器的(未示出)掃描訊號給相應的主動元件使其開啟。導電層M1的材料可例如與反射電極層RE的材料相同或相似，本揭露不以此為限。
在穿透區TR的區域R2中(由平坦層PL的開口OP的側表面OP_B或者平坦層PL的側表面PL_S定義)，液晶層LC在此區域受地形影響的程度較為嚴重，因此，液晶層LC中的液晶分子可能無法呈現如預期設計的倒向，即，液晶層LC中的液晶分子將無法如預期般地控制而可能造成液晶不連續排列(disclination)的現象，使得穿透區TR的區域R2具有相對差的對比度。基於此，在本實施例中，通過導電層M1的設計可改善上述問題。詳細地說，半穿反液晶顯示面板10b的導電層M1在基板SB1的法線方向n上的投影與平坦層PL的側表面PL_S部分地重疊。因此，通過此設計可改善在穿透區TR的區域R2中容易出現的漏光等問
題，以提升穿透區TR的整體對比度。另外，為避免導電層M1的設置影響穿透區TR的穿透率，本實施例的導電層M1與平坦層PL的開口OP的底表面OP_B之間具有特定間距。如圖2A以及圖2B所示出，在一些實施例中，靠近開口OP的導電層M1的邊緣在第一方向d1上與平坦層PL的開口OP的底表面OP_B的邊緣之間的間距G2大於或等於1微米。
絕緣層IL1例如設置於導電層M1上，且位於反射電極層RE與導電層M1之間。因此，絕緣層IL1可例如用以使反射電極層RE與導電層M1彼此電性隔離。絕緣層IL1的材料可例如為無機材料(例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料(例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂)或上述之組合，但本揭露不以此為限。
圖3A為本揭露第三實施例的半穿反液晶顯示面板的局部俯視示意圖，且圖3B為依據圖3A的剖線C-C’的一實施例的局部剖面示意圖。須說明的是，圖3A以及圖3B的實施例可各自沿用圖1A以及圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
本實施例的半穿反液晶顯示面板10c與上述的半穿反液晶顯示面板10a的主要差異在於：半穿反液晶顯示面板10c還包括有導電層M2以及絕緣層IL2。
導電層M2例如設置於基板SB1面對基板SB2的表面
上。在本實施例中，導電層M2可與主動元件(未示出)的源極與汲極以及資料線(未示出)屬於同一層，其中資料線可例如與主動元件電性連接，以例如用於提供來自資料驅動器(未示出)的資料訊號給相應的主動元件使其開啟。導電層M2的材料可例如與反射電極層RE的材料相同或相似，本揭露不以此為限。
在穿透區TR的區域R2中(由平坦層PL的開口OP的側表面OP_B或者平坦層PL的側表面PL_S定義)，液晶層LC在此區域受地形影響的程度較為嚴重，因此，液晶層LC中的液晶分子可能無法呈現如預期設計的倒向，即，液晶層LC中的液晶分子將無法如預期般地控制而可能造成液晶不連續排列的現象，使得穿透區TR的區域R2具有相對差的對比度。基於此，在本實施例中，通過導電層M2的設計可改善上述問題。詳細地說，半穿反液晶顯示面板10c的導電層M2在基板SB1的法線方向n上的投影與平坦層PL的開口OP的側表面OP_S部分地重疊。因此，通過此設計可改善在穿透區TR的區域R2中容易出現的漏光等問題，以提升穿透區TR的整體對比度。另外，為避免導電層M2的設置影響穿透區TR的穿透率，本實施例的導電層M2與平坦層PL的開口OP的底表面OP_B之間具有特定間距。如圖3A以及圖3B所示出，在一些實施例中，靠近開口OP的導電層M2的邊緣在第二方向d2上與平坦層PL的開口OP的底表面OP_B的邊緣之間的間距G3大於或等於1微米。
絕緣層IL2例如設置於導電層M2上，且位於反射電極層
RE與導電層M2之間。因此，絕緣層IL2可例如用以使反射電極層RE與導電層M2彼此電性隔離。絕緣層IL2的材料可例如為無機材料(例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料(例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂)或上述之組合，但本揭露不以此為限。
圖4A為依據圖2A的剖線B-B’的第二實施例的局部剖面示意圖。須說明的是，圖4A的實施例可沿用圖2B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
在本實施例中，半穿反液晶顯示面板10b還包括有絕緣層IL3。絕緣層IL3例如設置於基板SB2上。在本實施例中，絕緣層IL3設置於濾光層CF與共用電極層CE之間。
在一些實施例中，光線在穿過半穿反液晶顯示面板10b的穿透區TR與反射區RR的光程(optical path)不同。詳細地說，光線在反射區RR的光程為入射液晶層LC後再經反射而至液晶層LC出射，因此，若在穿透區TR與反射區RR的液晶層LC具有相同厚度時，在反射區RR的光程約為在穿透區TR的光程的兩倍，而光線在反射區RR的相位延遲亦約為在穿透區TR的兩倍。為了使半穿反液晶顯示面板10b的穿透區TR與反射區RR可顯示相同的灰階畫面，可例如使在穿透區TR中的液晶層LC的厚度(液晶盒間隙)為在反射區RR中的液晶層LC的厚度的兩倍。
基於此，通過絕緣層IL3的設置可例如用於調整半穿反
液晶顯示面板10b的液晶層LC的厚度。詳細地說，絕緣層IL3可配合平坦層PL的厚度及/或平坦層PL的開口OP的深度來設計，使得在穿透區TR中的液晶層LC的厚度為在反射區RR中的液晶層LC的厚度的兩倍，以使半穿反液晶顯示面板10b在穿透區TR與反射區RR的光學表現可最佳化。
值得說明的是，本實施例並未限制在穿透區TR中的液晶層LC的厚度須為在反射區RR中的液晶層LC的厚度的兩倍，其可以是其他的倍數關係。
圖4B為依據圖2A的剖線B-B’的第三實施例的局部剖面示意圖。須說明的是，圖4B的實施例可沿用圖2B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
在本實施例中，平坦層PL設置於基板SB2上。因此，共用電極層CE可例如進一步設置於平坦層PL的開口OP上。
圖4C為依據圖2A的剖線B-B’的第四實施例的局部剖面示意圖。須說明的是，圖4C的實施例可沿用圖4B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
在本實施例中，半穿反液晶顯示面板10b還包括有絕緣層IL3。絕緣層IL3例如設置於基板SB2上。在本實施例中，絕緣層IL3設置於反射電極層RE與導電層M1之間。
如前述實施例所陳述，通過絕緣層IL3的設置可例如用
於調整半穿反液晶顯示面板10b的液晶層LC的厚度。詳細地說，絕緣層IL3可配合平坦層PL的厚度及/或平坦層PL的開口OP的深度來設計，使得在穿透區TR中的液晶層LC的厚度為在反射區RR中的液晶層LC的厚度的兩倍，以使半穿反液晶顯示面板10b在穿透區TR與反射區RR的光學表現可最佳化。
值得說明的是，本實施例亦並未限制使得在穿透區TR中的液晶層LC的厚度須為在反射區RR中的液晶層LC的厚度的兩倍，其可以是其他的倍數關係。
根據上述，本揭露一些實施例的半穿反液晶顯示面板包括的反射電極層的邊緣與平坦層的開口的邊緣之間具有特定間距，因此，本揭露一些實施例的半穿反液晶顯示面板的穿透區的面積可增加而具有提高的穿透率。再者，本揭露一些實施例的半穿反液晶顯示面板包括的反射電極層未設置於平坦層的具有斜率的側表面上，其可降低反射電極層的製程難度且提升本揭露一些實施例的半穿反液晶顯示面板的製程良率。
本揭露另一些實施例的半穿反液晶顯示面板包括的導電層在基板的法線方向上的投影與平坦層具有斜率的側表面部分地重疊，且導電層的邊緣與平坦層的開口的底表面的邊緣之間具有特定間距。因此，通過此設計可改善在穿透區的區域中容易出現的漏光等問題，以提升本揭露另一些實施例的半穿反液晶顯示面板的整體對比度。
本揭露又一些實施例的半穿反液晶顯示面板中的穿透區
包括有前述定義的區域R1、區域R2以及區域R3，可通過選擇適當的區域R2以及區域R3相對於區域R1的比率，而得到預期的穿透率以及對比度，以滿足廠商或使用者的需求。
A1-A1’:剖線
CE:共用電極層
CF:濾光層
d1:第一方向
d2:第二方向
G1:間距
LC:液晶層
n:法線方向
OP:開口
OP_B:開口的底表面
OP_S:開口的側表面
PE:畫素電極層
PL:平坦層
PL_B:平坦層的底表面
PL_S:平坦層的側表面
PL_T:平坦層的頂表面
RE:反射電極層
RR:反射區
SB1、SB2:基板
TR:穿透區
W1:寬度
Claims (9)
- 一種半穿反液晶顯示面板，包括：第一基板以及第二基板，其中所述第一基板與所述第二基板對向地設置；平坦層，設置於所述第一基板與所述第二基板之間，其中所述平坦層包括開口；反射電極層，設置於所述第一基板與所述第二基板之間，其中所述反射電極層在所述第一基板的法線方向上不與所述開口重疊；第一導電層，設置於所述第一基板上；以及第一絕緣層，設置於所述第一導電層上，且位於所述反射電極層與所述第一導電層之間，其中所述開口的底表面在第一方向上的寬度大於或等於3微米，且靠近所述開口的所述反射電極層的邊緣在所述第一方向上與所述開口的邊緣之間的間距大於或等於1微米，其中所述第一方向與所述第一基板的所述法線方向正交，其中靠近所述開口的所述第一導電層的邊緣在所述第一方向上與所述開口的所述底表面的邊緣之間的間距大於或等於1微米。
- 如請求項1所述的半穿反液晶顯示面板，其中所述開口的所述底表面在第二方向上的寬度大於或等於3微米，其中所述第二方向與所述第一基板的所述法線方向以及所述第一方向正交。
- 如請求項1所述的半穿反液晶顯示面板，其中所述第一導電層在所述第一基板的所述法線方向上的投影與所述平坦層的側表面部分地重疊。
- 如請求項1所述的半穿反液晶顯示面板，其還包括：第二導電層，設置於所述第一基板上；以及第二絕緣層，設置於所述第二導電層上，且位於所述反射電極層與所述第二導電層之間，其中靠近所述開口的所述第二導電層的邊緣在第二方向上與所述開口的所述底表面的邊緣之間的間距大於或等於1微米，其中所述第二方向與所述第一基板的所述法線方向以及所述第一方向正交。
- 如請求項1所述的半穿反液晶顯示面板，其還包括濾光層，所述濾光層設置於所述第二基板上。
- 如請求項5所述的半穿反液晶顯示面板，其還包括第三絕緣層，所述第三絕緣層設置於所述濾光層上。
- 如請求項1所述的半穿反液晶顯示面板，其更包括：畫素電極層，設置於所述第一基板上；共用電極層，設置於所述第二基板上；以及液晶層，設置於所述畫素電極層與所述共用電極層之間。
- 如請求項7所述的半穿反液晶顯示面板，其中所述畫素電極層進一步設置於所述開口上。
- 如請求項7所述的半穿反液晶顯示面板，其中所述共用電極層進一步設置於所述開口上。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW112116773A TWI848688B (zh) | 2023-05-05 | 2023-05-05 | 半穿反液晶顯示面板 |
| CN202310801986.1A CN118897420A (zh) | 2023-05-05 | 2023-07-03 | 半穿反液晶显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW112116773A TWI848688B (zh) | 2023-05-05 | 2023-05-05 | 半穿反液晶顯示面板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI848688B true TWI848688B (zh) | 2024-07-11 |
| TW202445236A TW202445236A (zh) | 2024-11-16 |
Family
ID=92929323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW112116773A TWI848688B (zh) | 2023-05-05 | 2023-05-05 | 半穿反液晶顯示面板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN118897420A (zh) |
| TW (1) | TWI848688B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW583487B (en) * | 2001-10-29 | 2004-04-11 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Transflective liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| TW200506444A (en) * | 2003-06-10 | 2005-02-16 | Samsung Electronics Co Ltd | Array substrate, method of manufacturing the same and liquid crystal display apparatus having the same |
| TW200641458A (en) * | 2005-05-18 | 2006-12-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Liquid crystal display |
| US8508699B2 (en) * | 2007-11-08 | 2013-08-13 | Nlt Technologies, Ltd. | Transflective LCD unit |
| CN107357076A (zh) * | 2017-08-16 | 2017-11-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 透反式液晶显示装置及其制作方法 |
-
2023
- 2023-05-05 TW TW112116773A patent/TWI848688B/zh active
- 2023-07-03 CN CN202310801986.1A patent/CN118897420A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW583487B (en) * | 2001-10-29 | 2004-04-11 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Transflective liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| TW200506444A (en) * | 2003-06-10 | 2005-02-16 | Samsung Electronics Co Ltd | Array substrate, method of manufacturing the same and liquid crystal display apparatus having the same |
| TW200641458A (en) * | 2005-05-18 | 2006-12-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Liquid crystal display |
| US8508699B2 (en) * | 2007-11-08 | 2013-08-13 | Nlt Technologies, Ltd. | Transflective LCD unit |
| CN107357076A (zh) * | 2017-08-16 | 2017-11-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 透反式液晶显示装置及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202445236A (zh) | 2024-11-16 |
| CN118897420A (zh) | 2024-11-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101082728B (zh) | 透反式液晶显示设备 | |
| TWI224699B (en) | Liquid crystal display and electronic device | |
| CN1284998C (zh) | 透射－反射型液晶显示器件及其制造方法 | |
| JP4364536B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| CN101236340A (zh) | 边缘场切换模式液晶显示器及其制造方法 | |
| CN1530697A (zh) | 液晶显示装置及电子设备 | |
| CN104520761A (zh) | 液晶显示装置 | |
| US7248316B2 (en) | Transflective liquid crystal display device | |
| CN1746751A (zh) | 液晶显示装置和电子设备 | |
| CN1641424A (zh) | 液晶显示装置和电子设备 | |
| JP3835422B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
| CN1282013C (zh) | 液晶显示装置以及电子设备 | |
| JP2004020907A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP5009362B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| CN100345050C (zh) | 液晶显示装置和电子设备 | |
| US7834968B2 (en) | Liquid crystal device and electronic apparatus | |
| CN1519616A (zh) | 液晶显示装置和电子设备 | |
| JP5945329B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| CN219936253U (zh) | 液晶显示面板 | |
| JP3915792B2 (ja) | 液晶表示装置および電子機器 | |
| JP4196906B2 (ja) | 液晶表示装置及び電子機器 | |
| TWI848688B (zh) | 半穿反液晶顯示面板 | |
| WO2015159943A1 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2007206342A (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
| JP4760223B2 (ja) | 液晶装置および電子機器 |