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TWI848169B - 基板處理方法、記憶媒體及基板處理裝置 - Google Patents

基板處理方法、記憶媒體及基板處理裝置 Download PDF

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TWI848169B
TWI848169B TW109128370A TW109128370A TWI848169B TW I848169 B TWI848169 B TW I848169B TW 109128370 A TW109128370 A TW 109128370A TW 109128370 A TW109128370 A TW 109128370A TW I848169 B TWI848169 B TW I848169B
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liquid
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wafer
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TW109128370A
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塩澤崇博
只友浩貴
甲斐亜希子
一之宮博
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

[課題]提供一種對於光阻圖案之圖案倒毀的抑制有效之基板處理方法、記憶媒體及基板處理裝置。 [解決手段]本揭示之一態樣之基板處理方法，係包含：將用以形成光阻圖案的顯像液供給至形成有光阻膜之基板的表面；執行複數次洗淨處理，該洗淨處理，係將包含具有親水基之改質劑的改質液供給至形成有光阻圖案之基板的表面，並將用以去除改質液之沖洗液供給至基板的表面；及在執行複數次洗淨處理後，使基板的表面乾燥。

Description

基板處理方法、記憶媒體及基板處理裝置
本揭示，係關於基板處理方法、記憶媒體及基板處理裝置。
在專利文獻1，係揭示有對基板上之光阻膜進行顯像處理的方法(基板處理方法)。該基板處理方法，係包含：供給顯像液，在基板上形成光阻圖案的工程；將水溶性聚合物的水溶液塗佈於經顯像之基板的工程；及將沖洗液供給至塗佈了上述水溶液之基板，洗淨基板的工程。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2018/116985號
[本發明所欲解決之課題]
本揭示，係提供一種對於光阻圖案之圖案倒毀的抑制有效之基板處理方法、記憶媒體及基板處理裝置。 [用以解決課題之手段]
本揭示之一態樣之基板處理方法，係包含：將用以形成光阻圖案的顯像液供給至形成有光阻膜之基板的表面；執行複數次洗淨處理，該洗淨處理，係將包含具有親水基之改質劑的改質液供給至形成有光阻圖案之基板的表面，並將用以去除改質液之沖洗液供給至基板的表面；及在執行複數次洗淨處理後，使基板的表面乾燥。 [發明之效果]
根據本揭示，提供一種對於光阻圖案之圖案倒毀的抑制有效之基板處理方法、記憶媒體及基板處理裝置。
以下，參閱圖面，說明關於一實施形態。在說明中，對同一要素或具有相同功能的要素標記相同符號，並省略重複的說明。
[基板處理系統] 首先，參閱圖1及圖2，說明基板處理系統1(基板處理裝置)的概略構成。基板處理系統1，係對基板實施感光性被膜之形成、該感光性被膜之曝光及該感光性被膜之顯像的系統。處理對象之基板，係例如半導體的晶圓W。感光性被膜，係例如光阻膜。基板處理系統1，係具備有：塗佈/顯像裝置2；曝光裝置3；及控制裝置100。曝光裝置3，係對晶圓W(基板)上所形成之光阻膜(感光性被膜)進行曝光的裝置。具體而言，曝光裝置3，係藉由浸液曝光等的方法，對光阻膜之曝光對象部分照射曝光用的能量線。塗佈/顯像裝置2，係在由曝光裝置3所進行的曝光處理之前，進行將光阻(藥液)塗佈於晶圓W(基板)之表面而形成光阻膜的處理。又，塗佈/顯像裝置2，係在曝光處理後，進行光阻膜的顯像處理。
(塗佈・顯像裝置) 如圖1及圖2所示般，塗佈/顯像裝置2(基板處理裝置)，係具備有：載體區塊4；處理區塊5；及介面區塊6。
載體區塊4，係進行晶圓W往塗佈・顯像裝置2內之導入及晶圓W從塗佈・顯像裝置2內之導出。例如載體區塊4，係可支撐晶圓W用之複數個載體C，內建有包含收授臂的搬送裝置A1。載體C，係例如收容圓形的複數片晶圓W。搬送裝置A1，係從載體C取出晶圓W而傳遞至處理區塊5，並從處理區塊5接收晶圓W而返回到載體C內。處理區塊5，係具有複數個處理模組11、12、13、14。
處理模組11，係內建有：塗佈單元U1；熱處理單元U2；及搬送裝置A3，將晶圓W搬送至該些單元。處理模組11，係藉由塗佈單元U1及熱處理單元U2，在晶圓W的表面上形成下層膜。塗佈單元U1，係將下層膜形成用之處理液塗佈於晶圓W上。熱處理單元U2，係進行伴隨著下層膜之形成的各種熱處理。作為下層膜，例如可列舉出以SiO2 為主成分的SOG(Spin On Glass)膜及SiARC (Silicon-containing Anti-Reflective Coating：含矽反射防止膜)。
處理模組12，係內建有：塗佈單元U1；熱處理單元U2；及搬送裝置A3，將晶圓W搬送至該些單元。處理模組12，係藉由塗佈單元U1及熱處理單元U2，在下層膜上形成光阻膜。塗佈單元U1，係將作為光阻膜形成用之處理液的光阻塗佈於下層膜上。熱處理單元U2，係進行伴隨著光阻膜之形成的各種熱處理。藉此，在晶圓W之表面形成光阻膜。
處理模組13，係內建有：塗佈單元U1；熱處理單元U2；及搬送裝置A3，將晶圓W搬送至該些單元。處理模組13，係藉由塗佈單元U1及熱處理單元U2，在光阻膜上形成上層膜。塗佈單元U1，係在光阻膜上塗佈上層膜形成用之處理液。熱處理單元U2，係進行伴隨著上層膜之形成的各種熱處理。
處理模組14，係內建有：顯像單元U3；熱處理單元U4；及搬送裝置A3，將晶圓W搬送至該些單元。處理模組14，係藉由顯像單元U3及熱處理單元U4，進行曝光後之光阻膜的顯像處理。顯像單元U3，係將顯像液塗佈於曝光完成之晶圓W的表面上。又，顯像單元U3，係進行藉由沖洗液等來沖洗所塗佈之顯像液的沖洗處理。關於沖洗處理之細節，係如後述。熱處理單元U4，係進行伴隨著顯像處理的各種熱處理。作為伴隨著顯像處理之熱處理的具體例，係可列舉出顯像處理前的加熱處理(PEB：Post Exposure Bake)、顯像處理後的加熱處理(PB：Post Bake)等。
在處理區塊5內之載體區塊4側，係設置有棚架單元U10。棚架單元U10，係被劃分成上下方向並列的複數個格室。在棚架單元U10附近，係設置有包含升降臂的搬送裝置A7。搬送裝置A7，係使晶圓W在棚架單元U10的格室彼此之間升降。
在處理區塊5內之介面區塊6側，係設置有棚架單元U11。棚架單元U11，係被劃分成上下方向並列的複數個格室。
介面區塊6，係在與曝光裝置3之間進行晶圓W的收授。例如介面區塊6，係內建有包含收授臂的搬送裝置A8，且被連接於曝光裝置3。搬送裝置A8，係將被配置於棚架單元U11之晶圓W傳遞至曝光裝置3。搬送裝置A8，係從曝光裝置3接收晶圓W而返回到棚架單元U11。
(顯像單元) 接著，參閱圖3，說明關於顯像單元U3的一例。如圖3所示般，顯像單元U3，係例如具有：旋轉保持部20；顯像液供給部30；改質液供給部50；沖洗液供給部60；及溶液供給部70。
旋轉保持部20，係保持晶圓W並使其旋轉。旋轉保持部20，係例如具有：保持部22；及旋轉驅動部24。保持部22，係支撐使表面Wa朝上而水平配置之晶圓W的中心部，並藉由例如真空吸附等來保持該晶圓W。旋轉驅動部24，係例如將電動馬達等作為動力源的致動器，使保持部22繞垂直軸線Ax旋轉。藉此，保持部22上之晶圓W便進行旋轉。保持部22，係亦可以使晶圓W之中心與軸線Ax大致一致的方式，保持晶圓W。
顯像液供給部30，係將顯像液(以下，稱為「顯像液L1」。)供給至形成有光阻膜R之晶圓W的表面Wa。顯像液L1，係用以形成光阻圖案的溶液。例如，可使用包含有氫氧化四甲基銨(TMAH)的溶液作為顯像液L1。顯像液供給部30，係亦可具有：噴嘴32；供給源34；及噴嘴移動機構36。噴嘴32，係將顯像液L1吐出至晶圓W的表面Wa。例如噴嘴32，係被配置於晶圓W之上方，將顯像液L1吐出至下方。供給源34，係藉由泵等(未圖示)，將顯像液L1供給至噴嘴32。噴嘴移動機構36，係將電動馬達等作為動力源，使噴嘴32在晶圓W之上方的吐出位置與遠離該吐出位置的退避位置之間移動。吐出位置，係例如晶圓W之旋轉中心的垂直上方。藉此，顯像液L1被供給至晶圓W的中心(旋轉中心)。
改質液供給部50，係將改質液(以下，稱為「改質液L2」。)供給至形成有光阻圖案之晶圓W的表面Wa。改質液L2，係用以將光阻圖案之表面改質的溶液。在本說明書中，表面之改質，係意味著使該表面親水化(使接觸角變小)。改質液，係包含具有親水基的改質劑。作為親水基之一例，可列舉出羥基(OH基)。改質劑，係亦可包含水溶性聚合物。作為一例，水溶性聚合物，係包含親水基之單體的同元聚合物抑或共聚合體或具有親水基的聚縮合物等。
作為水溶性聚合物之具體例，可列舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、氟丙烯酸、全氟烷基酸、乙烯醇、乙烯基吡咯烷酮、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、聚乙烯醇(包含部分皂化產物)、聚丙烯酸，聚甲基丙烯酸、聚乙烯基甲基醚、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇、聚乙烯醇縮醛(包含部分縮醛化物)、聚乙烯亞胺、聚環氧乙烷、苯乙烯-馬來酸酐共聚物、聚乙烯胺、聚丙烯胺、含噁唑啉基水溶性樹脂、水溶性三聚氰胺樹脂、水溶性尿素樹脂、醇酸樹脂或磺醯胺及該些所製成的鹽。又，亦可用聚甘油作為水溶性聚合物。亦可單獨使用該些水溶性聚合物，或亦可組合2種以上而使用。改質液L2中之改質劑(水溶性聚合物)的濃度，係亦可未滿10%，或亦可未滿5%。在改質液L2中，係亦可添加界面活性劑。界面活性劑之濃度，係亦可未滿5%。改質液L2，係亦可為酸性，且例如改質液L2之pH亦可為3~6。
改質液供給部50，係亦可具有：噴嘴52(改質液用噴嘴)；供給源54；及噴嘴移動機構56。噴嘴52，係將改質液L2吐出至晶圓W的表面Wa。例如噴嘴52，係被配置於晶圓W之上方，將改質液L2吐出至下方。供給源54，係藉由泵等(未圖示)，將改質液L2供給至噴嘴52。噴嘴移動機構56，係將電動馬達等作為動力源，使噴嘴52在晶圓W之上方的吐出位置與遠離該吐出位置的退避位置之間移動。吐出位置，係例如晶圓W之旋轉中心的垂直上方。藉此，改質液L2被供給至晶圓W的中心(旋轉中心)。
沖洗液供給部60，係亦可將沖洗液(以下，稱為「沖洗液L3」。)供給至供給了顯像液L1之晶圓W的表面Wa。沖洗液供給部60，係將沖洗液L3供給至供給了改質液L2之晶圓W的表面Wa。沖洗液L3，係用以去除表面Wa上之改質液L2(顯像液L1)的溶液。另外，改質液L2(顯像液L1)之去除，係包含：在表面Wa上，將改質液L2(顯像液L1)置換成沖洗液L3。沖洗液L3，係例如水系之洗淨液。作為一例，沖洗液L3係純水，亦可使用DIW (Deionized Water)作為沖洗液L3。
沖洗液供給部60，係亦可具有：噴嘴62(沖洗液用噴嘴)；供給源64；及噴嘴移動機構66。噴嘴62，係將沖洗液L3供給至晶圓W的表面Wa。例如噴嘴62，係被配置於晶圓W之上方，將沖洗液L3吐出至下方。供給源64，係藉由泵等(未圖示)，將沖洗液L3供給至噴嘴62。噴嘴移動機構66，係將電動馬達等作為動力源，使噴嘴移動機構66在晶圓W之上方的吐出位置與遠離該吐出位置的退避位置之間移動。吐出位置，係例如晶圓W之旋轉中心的垂直上方。藉此，沖洗液L3被供給至晶圓W的中心(旋轉中心)。
溶液供給部70，係將包含有界面活性劑之溶液(以下，稱為「溶液L4」。)供給至晶圓W的表面Wa。溶液供給部70，係藉由溶液L4之供給，將表面Wa上的沖洗液L3置換成溶液L4。作為溶液L4所含有之界面活性劑，例如可列舉出去水山梨醇單油酸酯、甘油α-單油酸酯、聚乙二醇去水山梨醣脂肪酯酸、聚乙二醇直鏈烷基醚、聚乙二醇苯基醚直鏈烷基加成型、支鏈烷基加成型、乙炔二醇、陰離子系月桂酸鈉、硬脂酸鈉、油酸鈉、十二烷基硫酸鈉或十二烷基苯磺酸鈉等。該些界面活性劑，係亦可單獨使用，或亦可組合2種以上而使用。溶液L4中之界面活性劑的濃度，係亦可未滿5%。
溶液供給部70，係亦可具有：噴嘴72；供給源74；及噴嘴移動機構76。噴嘴72，係將溶液L4吐出至晶圓W的表面Wa。例如噴嘴72，係被配置於晶圓W之上方，將溶液L4吐出至下方。供給源64，係藉由泵等(未圖示)，將溶液L4供給至噴嘴72。噴嘴移動機構76，係將電動馬達等作為動力源，使噴嘴72在晶圓W之上方的吐出位置與遠離該吐出位置的退避位置之間移動。吐出位置，係例如晶圓W之旋轉中心的垂直上方。藉此，溶液L4被供給至晶圓W的中心(旋轉中心)。
(控制裝置) 接著，例示控制裝置100的具體構成。控制裝置100，係一部分或整體地控制塗佈/顯像裝置2。控制裝置100，係被構成為執行：在使晶圓W保持於保持部22的狀態下，藉由顯像液供給部30，使顯像液L1供給至該晶圓W的表面Wa；執行複數次洗淨處理，該洗淨處理，係在使晶圓W保持於保持部22的狀態下，藉由改質液供給部50，使改質液L2供給至該晶圓W的表面Wa，並藉由沖洗液供給部60，供給沖洗液L3；及在執行複數次洗淨處理後，以使晶圓W之表面Wa乾燥的方式，使保持部22持續保持該晶圓W。
如圖4所示般，控制裝置100，係作為功能上之構成(以下，稱為「功能模組」。)，具有：顯像控制部102；沖洗控制部104；洗淨控制部106；置換控制部108；及乾燥控制部110。
顯像控制部102，係在使形成有光阻膜R之晶圓W保持於保持部22的狀態下，藉由顯像液供給部30，使顯像液L1供給至該晶圓W的表面Wa。例如顯像控制部102，係以將顯像液供給部30之噴嘴32配置於軸線Ax上(吐出位置)的方式，控制噴嘴移動機構36。顯像控制部102，係以藉由旋轉保持部20，一面使晶圓W旋轉，一面從軸線Ax上之噴嘴32朝向光阻膜R吐出顯像液L1的方式，控制顯像液供給部30。顯像控制部102，係以保持被形成於供給了顯像液L1之晶圓W的表面Wa之顯像液L1的液膜的方式，在靜止的狀態下，使該晶圓W保持於保持部22(旋轉保持部20)。
為了去除形成有光阻圖案之晶圓W的表面Wa上之顯像液L1，沖洗控制部104，係亦可藉由沖洗液供給部60，使沖洗液L3供給至該表面Wa。沖洗控制部104，係例如以將沖洗液供給部60之噴嘴62配置於軸線Ax上的方式，控制噴嘴移動機構66。沖洗控制部104，係以藉由旋轉保持部20，一面使晶圓W旋轉，一面將沖洗液L3從軸線Ax上之噴嘴62供給至晶圓W的表面Wa的方式，控制沖洗液供給部60。沖洗控制部104，係以使晶圓W上之顯像液L1置換成沖洗液L3的方式，一面供給沖洗液L3，一面調節晶圓W的旋轉速度。
作為一例，沖洗控制部104，係如圖5所示般，在藉由旋轉保持部20以旋轉速度ω1使晶圓W旋轉的狀態下，藉由沖洗液供給部60，開始沖洗液L3之供給。沖洗控制部104，係在開始供給沖洗液L3後，在使晶圓W之旋轉速度從旋轉速度ω1上升至旋轉速度ω2的狀態下，使沖洗液供給部60持續沖洗液L3之供給。沖洗控制部104，係在供給沖洗液L3的期間，以使晶圓W之旋轉速度從旋轉速度ω2逐漸下降至旋轉速度ω3的方式，控制旋轉保持部20。沖洗控制部104，係在晶圓W之旋轉速度達到了旋轉速度ω3時，使沖洗液供給部60停止沖洗液L3之供給。從沖洗液供給部60所供給之沖洗液L3，係藉由旋轉保持部20所致之晶圓W的旋轉，在晶圓W的表面Wa擴展。
旋轉速度ω1，係在開始供給沖洗液L3之際，被設定為旋轉對到達了表面Wa之液塊的影響小之較低的速度。作為一例，旋轉速度ω1，係20~200rpm左右。旋轉速度ω1，係亦可為50~150rpm左右，且亦可為80~120rpm左右。旋轉速度ω2，係被設定為可將到達了表面Wa之沖洗液L3擴展至晶圓W的周緣之程度的速度。作為一例，旋轉速度ω2，係1000~1400rpm左右。旋轉速度ω2，係亦可為1100~1300rpm左右，且亦可為1150~ 1250rpm左右。旋轉速度ω3，係配合沖洗液L3之供給結束後所進行的處理而設定。旋轉速度ω3，係亦可與旋轉速度ω1相同。
洗淨控制部106，係執行複數次洗淨處理，該洗淨處理，係在使晶圓W保持於保持部22的狀態下，藉由改質液供給部50，使改質液L2供給至該晶圓W的表面Wa，並藉由沖洗液供給部60，供給沖洗液L3。洗淨控制部106，係亦可在複數次洗淨處理之至少1次洗淨處理中，在使改質液L2供給至晶圓W的表面Wa後而供給沖洗液L3之前，以使被供給至表面Wa之改質液L2內的改質劑之濃度上升的方式，控制顯像單元U3。例如洗淨控制部106，係以促進被供給至表面Wa之改質液L2的溶劑之揮發的方式，控制顯像單元U3。
洗淨控制部106，係亦可在複數次洗淨處理中，從同一噴嘴52供給改質液L2，並從同一噴嘴62供給沖洗液L3。在例如執行2次洗淨處理的情況下，洗淨控制部106，係在第1次洗淨處理與第2次洗淨處理中，使用同一噴嘴52(噴嘴62)，使改質液L2(沖洗液L3)供給至晶圓W。又，洗淨控制部106，係在將晶圓W放置於相同位置的狀態下，執行複數次洗淨處理。例如洗淨控制部106，係亦可在使晶圓W保持於顯像單元U3內之同一旋轉保持部20(保持部22)的狀態下，重覆洗淨處理。洗淨控制部106，係例如包含有：改質控制部112；促進控制部114；及去除控制部116。
改質控制部112，係在洗淨處理中，以將改質液供給部50之噴嘴52配置於軸線Ax上的方式，控制噴嘴移動機構56。改質控制部112，係以藉由旋轉保持部20，一面使晶圓W旋轉，一面將改質液L2從軸線Ax上(吐出位置)之噴嘴52供給至晶圓W的表面Wa的方式，控制改質液供給部50。改質控制部112，係以使晶圓W上之沖洗液L3置換成改質液L2的方式，一面供給改質液L2，一面調節晶圓W的旋轉速度。改質控制部112，係如圖5所示般，在藉由旋轉保持部20以旋轉速度ω3使晶圓W旋轉的狀態下，藉由改質液供給部50，開始改質液L2之供給。在開始供給改質液L2後，改質控制部112，係一面使晶圓W之旋轉速度上升至高於旋轉速度ω3的旋轉速度ω4，一面使改質液供給部50持續改質液L2之供給。旋轉速度ω4，係被設定為到達了晶圓W之表面Wa的改質液L2擴展至晶圓W之周緣的程度。旋轉速度ω4，係亦可大於旋轉速度ω2，作為一例，係1300~1700rpm左右。旋轉速度ω4，係亦可為1400~ 1600rpm左右，且亦可為1450~1550rpm左右。
改質控制部112，係亦可在複數次洗淨處理中，以相同流量從噴嘴52供給改質液L2，且亦可以相同供給時間從噴嘴52供給改質液L2。改質控制部112，係亦可在第2次以後之任一洗淨處理中，使流量及供給時間的至少一者改變。例如改質控制部112，係亦可在第2次以後之任一洗淨處理中，使流量及供給時間的至少一者比第1次洗淨處理減小。另外，在顯像單元U3具有不同於噴嘴52的改質液用之噴嘴的情況下，改質控制部112，係亦可在複數次洗淨處理中，從不同的改質液用噴嘴供給改質液L2。
促進控制部114，係在至少1次洗淨處理中，促進表面Wa上之改質液L2內的溶劑之揮發，藉此，使改質液L2內之改質劑的濃度上升。例如促進控制部114，係在該洗淨處理中，在不供給任一溶液的狀態下，藉由旋轉保持部20使晶圓W旋轉，藉此，促進改質液L2之溶劑的揮發。作為一例，雖殘留有改質液L2內之溶劑，但促進控制部114，係促進溶劑的揮發直至改質液L2之濃度上升的程度。為了促進溶劑的揮發，促進控制部114使晶圓W旋轉之時間，係亦可比改質控制部112供給改質液L2的時間更長。
促進控制部114，係例如如圖5所示般，在停止供給改質液L2後，以使晶圓W之旋轉速度從旋轉速度ω4降低至旋轉速度ω5，並進一步使晶圓W之旋轉速度從旋轉速度ω5上升至旋轉速度ω6的方式，控制旋轉保持部20。作為一例，旋轉速度ω5，係300~700rpm左右。旋轉速度ω5，係亦可為400~600rpm左右，且亦可為450~550rpm左右。旋轉速度ω6，係被設定為表面Wa上殘留有改質液L2之溶劑的程度。例如旋轉速度ω6，係亦可與旋轉速度ω2相同。另外，代替晶圓W的旋轉，促進控制部114，係亦可在改質液L2擴展至晶圓W上之大致整面後，進一步將改質劑持續供給至改質液L2，藉此，使改質劑之濃度上升。抑或，促進控制部114，係亦可藉由加熱表面Wa上之改質液L2的方式，使溶劑揮發。
去除控制部116，係在洗淨處理中，以將沖洗液供給部60之噴嘴62配置於軸線Ax上的方式，控制噴嘴移動機構66。去除控制部116，係以藉由旋轉保持部20，一面使晶圓W旋轉，一面將沖洗液L3從軸線Ax上之噴嘴62供給至晶圓W的表面Wa的方式，控制沖洗液供給部60。去除控制部116，係例如在控制旋轉保持部20且將旋轉速度設為零的狀態下(晶圓W靜止的狀態下)，藉由沖洗液供給部60，開始沖洗液L3之供給。去除控制部116，係一面使晶圓W繞通過沖洗液L3之供給位置的軸線Ax旋轉，一面使沖洗液供給部60持續沖洗液L3之供給。去除控制部116供給沖洗液L3之時間，係亦可比促進控制部114促進溶劑之揮發的時間更長。
去除控制部116，係以使晶圓W上之改質液L2置換成沖洗液L3的方式，一面供給沖洗液L3，一面調節晶圓W的旋轉速度。作為一例，在開始供給沖洗液L3後，如圖5所示般，去除控制部116，係使旋轉速度從零逐漸上升至旋轉速度ω7，並在短時間內從旋轉速度ω7上升至旋轉速度ω8。使旋轉速度從零上升至旋轉速度ω7之時間，係亦可比從旋轉速度ω7上升至旋轉速度ω8的時間更長，例如亦可為2倍~20倍左右。旋轉速度ω7，係亦可與旋轉速度ω1(旋轉速度ω3)相同。旋轉速度ω8，係亦可與旋轉速度ω2(旋轉速度ω6)相同。
去除控制部116，係在沖洗液L3的供給結束之前，以使晶圓W之旋轉速度從旋轉速度ω8變更(減少)為旋轉速度ω9的方式，控制旋轉保持部20。去除控制部116，係在晶圓W之旋轉速度達到了旋轉速度ω9時，使沖洗液供給部60停止沖洗液L3之供給。旋轉速度ω9，係配合沖洗液L3之供給結束後的下一個處理而設定。作為一例，旋轉速度ω9，係與旋轉速度ω3相同。在該情況下，去除控制部116，係以使沖洗液L3之供給結束的時點之晶圓W的旋轉速度與下一個洗淨處理中之開始供給改質液L2的時點之晶圓W的旋轉速度一致的方式，藉由旋轉保持部20，在沖洗液L3之供給期間變更晶圓W的旋轉速度。以下，係將在沖洗液L3之供給期間，使晶圓W的旋轉從旋轉速度ω8變更為旋轉速度ω3之控制稱為「旋轉速度的變更控制」。
去除控制部116，係亦可在複數次洗淨處理的各洗淨處理中，在沖洗液L3之供給期間進行旋轉速度的變更控制。抑或，去除控制部116，係亦可在複數次洗淨處理之至少1次洗淨處理中，進行上述旋轉速度的變更控制。另外，在去除控制部116不進行上述旋轉速度之變更控制的情況下，亦可在沖洗液L3之供給結束後的下一個洗淨處理開始之前，改質控制部112藉由旋轉保持部20將晶圓W的旋轉調節成旋轉速度ω1。
另外，在顯像單元U3具有不同於噴嘴62的沖洗液用之噴嘴的情況下，去除控制部116，係亦可在複數次洗淨處理中，從不同的改質液用噴嘴供給改質液L2。在複數次洗淨處理之沖洗液的供給與複數次洗淨處理之前所進行之沖洗液的供給中，控制裝置100，係亦可從不同的沖洗液用之噴嘴(不同的沖洗液供給部)分別供給沖洗液，且亦可供給不同種類的沖洗液。
置換控制部108，係在使施予了複數次洗淨處理之晶圓W的表面Wa乾燥之前，以使該晶圓W之表面Wa上的沖洗液L3置換成包含界面活性劑之溶液L4的方式，控制顯像單元U3。從沖洗液L3置換成溶液L4，係亦包含：晶圓W之表面Wa上的沖洗液L3之至少一部分被去除，沖洗液L3與溶液L4混合存在於表面Wa上。置換控制部108，係例如以將溶液供給部70之噴嘴72配置於軸線Ax上的方式，控制噴嘴移動機構76。置換控制部108，係以藉由旋轉保持部20，一面使晶圓W旋轉，一面將溶液L4從軸線Ax上之噴嘴72供給至晶圓W的表面Wa的方式，控制溶液供給部70。置換控制部108，係以使晶圓W上之沖洗液L3置換成溶液L4的方式，一面供給溶液L4，一面調節晶圓W的旋轉速度。置換控制部108，係例如一面以旋轉速度ω10使晶圓W旋轉，一面持續溶液L4之供給。旋轉速度ω10，係被設定為可將溶液L4擴展至晶圓W之周緣的程度，作為一例，係與旋轉速度ω5相同。
乾燥控制部110，係在洗淨控制部106執行複數次洗淨處理後，以使晶圓W之表面Wa乾燥(去除被填充於光阻圖案之凹部的液體)的方式，在不供給任一溶液的狀態下，使保持部22持續保持晶圓W。乾燥控制部110，係例如藉由旋轉保持部20，一面以旋轉速度ω11使晶圓W旋轉，一面去除晶圓W之表面Wa上的溶液L4。旋轉速度ω11，係被設定為表面Wa上的溶液L4在晶圓W之外周被彈起的程度。作為一例，旋轉速度ω11，係與旋轉速度ω4相同。
控制裝置100，係由一個或複數個控制用電腦所構成。例如控制裝置100，係具有圖6所示的電路120。電路120，係具有：一個或複數個處理器122；記憶體124；儲存器126；及輸出入埠128。儲存器126，係例如具有硬碟等、可藉由電腦讀取的記錄媒體。記憶媒體，係記憶有用以使控制裝置100執行後述基板處理程序(顯像處理程序)的程式。記憶媒體，係亦可為非揮發性之半導體記憶體、磁碟及光碟等的可取出之媒體。記憶體124，係暫時記憶從儲存器126之記憶媒體載入的程式及由處理器122所進行的演算結果。處理器122，係與記憶體124協同地執行上述程式，藉此，構成上述各功能模組。輸出入埠128，係依照來自處理器122之指令，在與控制對象的構件之間進行電信號的輸出入。
在控制裝置100由複數個控制用電腦所構成的情況下，顯像控制部102、沖洗控制部104、洗淨控制部106(改質控制部112、促進控制部114及去除控制部116)、置換控制部108及乾燥控制部110亦可分別藉由個別的控制用電腦來實現。抑或，該些各功能模組亦可分別藉由組合2個以上之控制用電腦來實現。在該些情況下，複數個控制用電腦，係亦可在能相互通信地連接的狀態下，協同後述基板處理程序來執行。另外，控制裝置100之硬體構成，係不一定被限定於藉由程式構成各功能模組者。例如控制裝置100之各功能模組，係亦可由專用之邏輯電路或將其整合而成的ASIC(Application Specific Integrated Circuit)所構成。
[基板處理程序] 接著，說明基板處理系統1中所執行之基板處理程序作為基板處理方法的一例。控制裝置100，係例如以藉由以下程序來執行包含塗佈・顯像處理之基板處理的方式，控制基板處理系統1。首先，控制裝置100，係以將載體C內之晶圓W搬送至棚架單元U10的方式，控制搬送裝置A1，並以將該晶圓W配置於處理模組11用之格室的方式，控制搬送裝置A7。
其次，控制裝置100，係以將棚架單元U10的晶圓W搬送至處理模組11內之塗佈單元U1及熱處理單元U2的方式，控制搬送裝置A3。又，控制裝置100，係以在該晶圓W之表面Wa上形成下層膜的方式，控制塗佈單元U1及熱處理單元U2。其後，控制裝置100，係以使形成有下層膜之晶圓W返回到棚架單元U10的方式，控制搬送裝置A3，並以將該晶圓W配置於處理模組12用之格室的方式，控制搬送裝置A7。
其次，控制裝置100，係以將棚架單元U10的晶圓W搬送至處理模組12內之塗佈單元U1及熱處理單元U2的方式，控制搬送裝置A3。又，控制裝置100，係以在該晶圓W之下層膜上形成光阻膜R的方式，控制塗佈單元U1及熱處理單元U2。其後，控制裝置100，係以使晶圓W返回到棚架單元U10的方式，控制搬送裝置A3，並以將該晶圓W配置於處理模組13用之格室的方式，控制搬送裝置A7。
其次，控制裝置100，係以將棚架單元U10的晶圓W搬送至處理模組13內之各單元的方式，控制搬送裝置A3。又，控制裝置100，係以在該晶圓W之光阻膜R上形成上層膜的方式，控制塗佈單元U1及熱處理單元U2。其後，控制裝置100，係以將晶圓W搬送至棚架單元U11的方式，控制搬送裝置A3。
其次，控制裝置100，係以將棚架單元U11所收容之晶圓W送出至曝光裝置3的方式，控制搬送裝置A8。而且，在曝光裝置3中，對被形成於晶圓W之光阻膜R施予曝光處理。其後，控制裝置100，係以從曝光裝置3承接施予了曝光處理的晶圓W且將該晶圓W配置於棚架單元U11中之處理模組14用之格室的方式，控制搬送裝置A8。
其次，控制裝置100，係以將棚架單元U11的晶圓W搬送至處理模組14之熱處理單元U4的方式，控制搬送裝置A3。而且，控制裝置100，係以執行包含伴隨著顯像處理的熱處理、顯像處理及沖洗處理之處理程序(以下，稱為「顯像處理程序」。)的方式，進行控制。藉此，在晶圓W之表面Wa形成光阻圖案。關於顯像處理程序之詳細內容，係如後述。其後，控制裝置100，係以使施予了顯像處理之晶圓W返回到棚架單元U10的方式，控制搬送裝置A3，並以使該晶圓W返回到載體C內的方式，控制搬送裝置A7及搬送裝置A1。藉由以上，塗佈・顯像處理便結束。
(顯像處理程序) 接著，參閱圖7~圖10(b)，說明關於顯像處理程序的一例。圖7，係表示顯像處理程序之一例的流程圖。首先，控制裝置100，係執行步驟S01。在步驟S01中，例如控制裝置100，係以在預定溫度下對施予了曝光處理的晶圓W施予預定時間之熱處理的方式，控制熱處理單元U4。而且，控制裝置100，係以將施予了顯像前之熱處理的晶圓W搬送至顯像單元U3的方式，控制搬送裝置A3。
其次，控制裝置100，係執行步驟S02。在步驟S02中，例如顯像控制部102，係在使形成有光阻膜R之晶圓W保持於保持部22的狀態下，藉由顯像液供給部30，使顯像液L1供給至該晶圓W的表面Wa。具體而言，顯像控制部102，係以將顯像液供給部30之噴嘴32配置於軸線Ax上的方式，控制噴嘴移動機構36。而且，顯像控制部102，係以藉由旋轉保持部20，一面使晶圓W旋轉，一面從軸線Ax上之噴嘴32朝向形成有光阻膜R的晶圓W之表面Wa吐出顯像液L1的方式，控制顯像液供給部30。顯像控制部102，係亦可在供給顯像液L1後，在使該晶圓W靜止的狀態下，使其保持於旋轉保持部20(保持部22)，藉此，使光阻膜R顯像。藉此，在晶圓W之表面Wa上形成光阻圖案。
其次，控制裝置100，係執行步驟S03。在步驟S03中，例如沖洗控制部104，係以將沖洗液L3供給至形成有光阻圖案之表面Wa的方式，控制沖洗液供給部60。具體而言，沖洗控制部104，係以將沖洗液供給部60之噴嘴62配置於軸線Ax上的方式，控制噴嘴移動機構66。而且，沖洗控制部104，係以藉由旋轉保持部20，一面使晶圓W旋轉，一面將沖洗液L3從軸線Ax上之噴嘴62供給至晶圓W的表面Wa的方式，控制沖洗液供給部60。沖洗控制部104，係亦可以一面供給沖洗液L3，一面使旋轉速度改變的方式，控制旋轉保持部20。沖洗控制部104，係例如以「在開始供給沖洗液L3時以旋轉速度ω1來使晶圓W旋轉，並在開始供給後，使晶圓W之旋轉上升至旋轉速度ω2」的方式，控制旋轉保持部20。而且，沖洗控制部104，係以使晶圓W之旋轉從旋轉速度ω2逐漸減速至旋轉速度ω3的方式，控制旋轉保持部20，且當晶圓W之旋轉速度到達旋轉速度ω3時，使沖洗液供給部60停止沖洗液L3之供給。
其次，控制裝置100，係執行步驟S04、S05。在步驟S04、S05中，例如洗淨控制部106，係執行複數次洗淨處理。關於複數次洗淨處理(洗淨處理程序)之具體例，係如後述。在洗淨控制部106執行複數次洗淨處理後，在晶圓W之表面Wa上(光阻圖案之凹部)，係殘留有沖洗液L3。
在執行預定次數洗淨處理後，控制裝置100，係執行步驟S06。在步驟S06中，例如置換控制部108，係以將施予了複數次洗淨處理的晶圓W之表面Wa上的沖洗液L3置換成包含界面活性劑之溶液L4的方式，控制顯像單元U3。具體而言，置換控制部108，係以將溶液供給部70之噴嘴72配置於軸線Ax上的方式，控制噴嘴移動機構76。而且，置換控制部108，係以藉由旋轉保持部20，一面以旋轉速度ω10使晶圓W旋轉，一面將溶液L4從軸線Ax上之噴嘴72供給至晶圓W的表面Wa的方式，控制溶液供給部70。置換控制部108，係亦可僅以「溶液L4大致均勻地擴展至晶圓W的表面Wa整面」之程度的預定時間持續溶液L4之供給，並在經過預定時間後，使溶液供給部70停止溶液L4之供給。
其次，控制裝置100，係執行步驟S07。在步驟S07中，例如乾燥控制部110，係使被保持於保持部22之晶圓W的表面Wa乾燥(去除被填充於光阻圖案之凹部的液體)。具體而言，乾燥控制部110，係藉由旋轉保持部20，一面以旋轉速度ω11使晶圓W旋轉，一面去除晶圓W之表面Wa上的溶液L4。乾燥控制部110，係亦可僅以「液體(溶液L4)不殘留於表面Wa上」之程度的預定時間持續晶圓W之旋轉，並在經過預定時間後，使旋轉保持部20停止晶圓W之旋轉。
其次，控制裝置100，係執行步驟S08。在步驟S08中，例如控制裝置100，係以在預定溫度下對形成有光阻圖案的晶圓W施予預定時間之熱處理的方式，控制熱處理單元U4。藉此，進行顯像後之熱處理，且顯像處理程序便結束。
(洗淨處理程序) 圖8，係表示洗淨處理程序之一例的流程圖。在該洗淨處理程序中，控制裝置100，係首先，在由旋轉保持部20所進行之晶圓W以旋轉速度ω3持續旋轉的狀態下，執行步驟S41。在步驟S41中，例如改質控制部112，係藉由改質液供給部50，開始對以旋轉速度ω3旋轉之晶圓W的表面Wa供給改質液L2。具體而言，如圖9(a)所示般，改質控制部112，係在以將改質液供給部50之噴嘴52配置於軸線Ax上的方式，控制噴嘴移動機構56後，使改質液供給部50開始改質液L2之供給。
其次，控制裝置100，係執行步驟S42、S43。在步驟S42中，例如改質控制部112，係以使晶圓W之旋轉速度從旋轉速度ω3上升至旋轉速度ω4的方式，控制旋轉保持部20。藉此，如圖9(a)所示般，伴隨著改質液L2之擴展，沖洗液L3逐漸被去除(置換成改質液L2)。在步驟S43中，改質控制部112，係使改質液供給部50停止改質液L2之供給。
其次，控制裝置100，係執行步驟S44、S45。在步驟S44中，例如促進控制部114，係以使晶圓W之旋轉速度從旋轉速度ω4下降至旋轉速度ω5的方式，控制旋轉保持部20。而且，促進控制部114，係以使晶圓W之旋轉速度從旋轉速度ω5上升至旋轉速度ω6的方式，控制旋轉保持部20。其後，如圖9(b)所示般，促進控制部114，係以使晶圓W以旋轉速度ω6持續旋轉的方式，控制旋轉保持部20。具體而言，促進控制部114，係使晶圓W以旋轉速度ω6持續旋轉直至經過預先設定的預定時間為止。預定時間，係例如被設定為改質液L2內之改質劑的濃度上升而改質液L2不固化之程度的時間。預定時間，係例如數秒~數十秒左右。
在經過了預定時間後，控制裝置100，係執行步驟S46、S47。在步驟S46中，去除控制部116，係以停止晶圓W之旋轉的方式(以使旋轉速度成為零的方式)，控制旋轉保持部20。在步驟S47中，例如去除控制部116，係在將晶圓W之旋轉速度設為零的狀態下(晶圓W靜止的狀態下)，藉由沖洗液供給部60，開始沖洗液L3之供給。具體而言，如圖10(a)所示般，去除控制部116，係以將沖洗液供給部60之噴嘴62配置於軸線Ax上的方式，控制噴嘴移動機構66。而且，去除控制部116，係以將沖洗液L3從軸線Ax上之噴嘴62供給至旋轉保持部20所保持的晶圓W之表面Wa的方式，控制沖洗液供給部60。
其次，控制裝置100，係執行步驟S48、S49。在步驟S48中，例如去除控制部116，係以使晶圓W之旋轉再開始，並變更旋轉速度的方式，控制旋轉保持部20。作為一例，首先，去除控制部116，係在使晶圓W之旋轉逐漸加速至旋轉速度ω7後，使晶圓W之旋轉速度在短時間內從旋轉速度ω7上升至旋轉速度ω8。藉此，如圖10(b)所示般，晶圓W之表面Wa上的改質液L2被置換成沖洗液L3(改質液L2被去除)。而且，去除控制部116，係使晶圓W之旋轉從旋轉速度ω8逐漸減速至旋轉速度ω9(旋轉速度ω3)。在步驟S49中，例如去除控制部116，係使沖洗液供給部60停止沖洗液L3之供給。
在結束包含以上步驟S41~S49之處理的1次洗淨處理後，控制裝置100，係重覆步驟S41~S49的處理。另外，促進控制部114，係亦可在複數次洗淨處理的各洗淨處理中，進行促進步驟S44、S45之溶劑的揮發，且亦可在複數次洗淨處理中之一部分進行步驟S44、S45。抑或，控制裝置100，係亦可在各洗淨處理中，省略步驟S44、S45。
[實施形態之效果] 如以上說明般，上述基板處理程序，係包含：將用以形成光阻圖案的顯像液L1供給至形成有光阻膜R之晶圓W的表面Wa；執行複數次洗淨處理，該洗淨處理，係將包含具有親水基之改質劑的改質液L2供給至形成有光阻圖案之晶圓W的表面Wa，並將用以去除改質液L2之沖洗液L3供給至晶圓W的表面Wa；及在執行複數次洗淨處理後，使晶圓W的表面Wa乾燥。
基板處理系統1，係具備有：保持部22，保持晶圓W；顯像液供給部30，將用以形成光阻圖案的顯像液L1供給至形成有光阻膜R之晶圓W的表面Wa；改質液供給部50，將包含具有親水基之改質劑的改質液L2供給至形成有光阻圖案之晶圓W的表面Wa；沖洗液供給部60，將用以去除改質液L2的沖洗液L3供給至晶圓W的表面Wa；顯像控制部102，在使晶圓W保持於保持部22的狀態下，藉由顯像液供給部30，使顯像液L1供給至該晶圓W的表面Wa；洗淨控制部106，執行複數次洗淨處理，該洗淨處理，係在使晶圓W保持於保持部22的狀態下，藉由改質液供給部50，使改質液L2供給至該晶圓W的表面Wa，並藉由沖洗液供給部60供給沖洗液L3；及乾燥控制部110，在洗淨控制部106執行複數次洗淨處理後，以使晶圓W之表面Wa乾燥的方式，在不供給液體的狀態下，使保持部22持續保持該晶圓W。
在使晶圓W的表面Wa乾燥之際，當表面Wa上的液體與光阻圖案之表面的接觸角較大時，則在使液體從表面Wa去除時，可能發生一部分從液體塊被切離的斷液。當發生斷液時，則液體會殘留於光阻圖案之一部分的凹部，導致因該部位中所殘留之液體的表面張力而發生圖案倒毀。在上述方法(上述基板處理系統1)中，係藉由複數次洗淨處理來供給複數次改質液L2，將光阻圖案的表面改質。藉此，在從晶圓W上去除液體之際，發生斷液的可能性便降低。因此，對於光阻圖案之圖案倒毀的抑制有效。又，重覆複數次供給改質液L2且藉由沖洗液L3去除該改質液L2，藉此，對於去除伴隨著顯像產生的溶解生成物亦有用。
圖11(a)及圖11(b)，係示意地表示改質液L2所造成之光阻圖案的表面中之改質的態樣。在圖11(a)，係表示執行第1次洗淨處理後之表面Wa的態樣，在圖11(b)，係表示執行第2次以後的洗淨處理(複數次洗淨處理)後之表面Wa的態樣。如圖11(a)所示般，吾人認為，在第1次洗淨處理中，藉由光阻圖案200之表面與改質液L2中之親水基202產生反應的方式，在光阻圖案200的該反應部分形成改質層204。此時，改質層204，係以稀疏之狀態被形成於光阻圖案200。另外，稀疏之狀態，係指改質層204之表面積相對於光阻圖案200之總表面積較小狀態。在稀疏之狀態中，係於光阻圖案200的表面產生改質層204之不均勻。
在改質層204以稀疏之狀態被形成於光阻圖案200的表面後，當執行第2次以後的洗淨處理時，則如圖11(b)所示般，改質層204以稠密之狀態被形成於光阻圖案200。另外，稠密之狀態，係指改質層204之表面積相對於光阻圖案200之總表面積較大狀態。吾人認為，第2次以後的洗淨處理，係由於在直至前次為止之洗淨處理中，已一部分地形成有改質層204，因此，改質劑會更浸透於反應並未進行的部位，且在該部位亦進行親水基。藉此，改質層204被均勻地形成於光阻圖案200之表面，且改質層204的厚度更為增加。吾人認為，由於包含表面Wa(下層膜)中之光阻圖案200間的露出部分，且改質層204被均勻地形成於光阻圖案200之表面，因此，在從表面Wa上去除液體之際，可抑制斷液的發生。另外，吾人認為，當接觸角在光阻圖案200與下層膜之露出部分不同的情況下，使改質層204均勻更為有用。
上述改質劑，係亦可包含水溶性聚合物。由於在水溶性聚合物，係包含較多的親水基，因此，可有效率地進行光阻圖案之表面的改質。
至少1次洗淨處理，係亦可更包含：在將改質液L2供給至晶圓W之表面Wa後而供給沖洗液L3之前，使改質劑的濃度上升。在該情況下，由於改質劑之濃度上升，故可更確實地進行光阻圖案的表面中之接觸角的改質。因此，對於光阻圖案之圖案倒毀的抑制更有效。
使改質劑之濃度上升，係亦可包含促進改質液L2之溶劑的揮發。在該情況下，可藉由簡單的裝置，使改質液L2中之改質劑的濃度上升。
將沖洗液L3供給至晶圓W之表面Wa，係亦可包含：在晶圓W靜止的狀態下，對晶圓W之表面Wa開始沖洗液L3之供給；及一面使晶圓W旋轉，一面持續沖洗液L3之供給。當在晶圓W旋轉的狀態下開始供給沖洗液L3時，則導致在供給開始時，附著於晶圓W之表面Wa的沖洗液L3之塊伴隨著旋轉而紊亂。因此，導致擴展至晶圓W之周緣的液量在基板之圓周方向不同，從而可能發生改質液L2的去除不均勻。由於在上述方法中，係晶圓W停止且附著於表面Wa之沖洗液L3的塊難以產生紊亂，因此，對於上述去除不均勻的抑制有效。
將改質液L2供給至晶圓W之表面Wa，係亦可包含：一面使晶圓W旋轉，一面供給改質液L2。一面使晶圓W旋轉，一面供給沖洗液L3，係亦可包含：以使沖洗液L3之供給結束的時點之晶圓W的旋轉速度與下一個洗淨處理中之開始供給改質液L2的時點之晶圓W的旋轉速度一致的方式，在沖洗液L3之供給期間變更晶圓W的旋轉速度。在該情況下，在沖洗液L3的供給與下一個洗淨處理之間，無需調節晶圓W之旋轉速度的時間。因此，可兼顧圖案倒毀的抑制與生產率。
上述基板處理程序，係更包含：在使施予了複數次洗淨處理之晶圓W的表面Wa乾燥之前，將該晶圓W之表面Wa上的沖洗液L3置換成包含界面活性劑之溶液L4。由於溶液L4之表面張力小，因此，即便在乾燥時，該溶液L4的一部分殘留於圖案間，亦可抑制圖案倒毀。又，由於在光阻圖案之表面中，係藉由複數次洗淨處理進行改質，因此，可更確實地進行從沖洗液L3置換成溶液L4。因此，對於圖案倒毀的抑制更有用。
上述基板處理程序，係亦可在複數次洗淨處理中，從同一噴嘴52供給改質液L2，並從同一噴嘴62供給沖洗液L3。在該情況下，可簡化供給改質液L2及沖洗液L3的裝置。
上述基板處理程序，係亦可在將晶圓W放置於相同位置的狀態下，執行複數次洗淨處理。在該情況下，在複數次洗淨處理期間，無需搬送晶圓W的時間。因此，可兼顧圖案倒毀的抑制與生產率。
以上，雖說明了關於實施形態，但本揭示並不一定限定於上述實施形態，在不脫離其要旨的範圍下可進行各種變更。處理對象之基板，係不限於半導體晶圓，例如亦可為玻璃基板、遮罩基板、FPD(Flat Panel Display)等。
1:基板處理系統 2:塗佈/顯像裝置 20:旋轉保持部 30:顯像液供給部 50:改質液供給部 52:噴嘴 60:沖洗液供給部 62:噴嘴 70:溶液供給部 100:控制裝置 102:顯像控制部 106:洗淨控制部 108:置換控制部 110:乾燥控制部 W:晶圓 Wa:表面 U3:顯像單元
[圖1]圖1，係例示基板處理系統之概略構成的示意圖。 [圖2]圖2，係例示塗佈顯像裝置之內部構成的示意圖。 [圖3]圖3，係例示顯像單元之構成的示意圖。 [圖4]圖4，係例示控制裝置之功能上之構成的方塊圖。 [圖5]圖5，係表示顯像處理中之旋轉速度的控制之一例的圖表。 [圖6]圖6，係例示控制裝置之硬體構成的方塊圖。 [圖7]圖7，係表示顯像處理程序之一例的流程圖。 [圖8]圖8，係表示洗淨處理程序之一例的流程圖。 [圖9]圖9(a)及圖9(b)，係用以說明洗淨處理程序中之供給改質液的示意圖。 [圖10]圖10(a)及圖10(b)，係用以說明洗淨處理程序中之去除改質液的示意圖。 [圖11]圖11(a)及圖11(b)，係表示改質液所造成之光阻圖案表面的反應之態樣的示意圖。

Claims (11)

  1. 一種基板處理方法，其特徵係，包含：將用以形成光阻圖案的顯像液供給至形成有光阻膜之基板的表面；執行複數次洗淨處理，該洗淨處理，係將包含具有親水基之改質劑的改質液供給至形成有前述光阻圖案之前述基板的表面，並將用以去除前述改質液之沖洗液供給至前述基板的表面；及在執行複數次前述洗淨處理後，使前述基板的表面乾燥，前述改質液，係用以使前述光阻圖案之表面親水化的溶液，在從前述顯像液之供給後至前述洗淨處理的執行開始為止之間，維持不使前述基板之表面乾燥的狀態。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中，前述改質劑，係包含水溶性聚合物。
  3. 如請求項1或2之基板處理方法，其中，至少1次前述洗淨處理，係更包含：在將前述改質液供給至前述基板之表面後而供給前述沖洗液之前，使前述改質劑的濃度上升。
  4. 如請求項3之基板處理方法，其中，使前述改質劑之濃度上升，係包含促進前述改質液之溶劑的揮發。
  5. 如請求項1或2之基板處理方法，其中， 將前述沖洗液供給至前述基板之表面，係包含：在前述基板靜止的狀態下，對前述基板之表面開始前述沖洗液之供給；及一面使前述基板旋轉，一面持續前述沖洗液之供給。
  6. 如請求項5之基板處理方法，其中，將前述改質液供給至前述基板之表面，係包含：一面使前述基板旋轉，一面供給前述改質液，一面使前述基板旋轉，一面供給前述沖洗液，係包含：以使前述沖洗液之供給結束的時點之前述基板的旋轉速度與下一個前述洗淨處理中之開始供給前述改質液的時點之前述基板的旋轉速度一致的方式，在前述沖洗液之供給期間變更前述基板的旋轉速度。
  7. 如請求項1或2之基板處理方法，其中，更包含：在使施予了複數次前述洗淨處理之前述基板的表面乾燥之前，將該基板之表面上的前述沖洗液置換成包含界面活性劑之溶液。
  8. 如請求項1或2之基板處理方法，其中，在複數次前述洗淨處理中，從同一改質液用噴嘴供給前述改質液，並從同一沖洗液用噴嘴供給前述沖洗液。
  9. 如請求項1或2之基板處理方法，其中，在將前述基板放置於相同位置的狀態下，執行複數次前述洗淨處理。
  10. 一種電腦可讀取之記錄媒體，係記錄有用以使裝置執行如請求項1或2之基板處理方法的程式。
  11. 一種基板處理裝置，其特徵係，具備有：保持部，保持基板；顯像液供給部，將用以形成光阻圖案的顯像液供給至形成有光阻膜之前述基板的表面；改質液供給部，將包含具有親水基之改質劑的改質液供給至形成有前述光阻圖案之前述基板的表面；沖洗液供給部，將用以去除前述改質液之沖洗液供給至前述基板的表面；及控制裝置，前述改質液，係用以使前述光阻圖案之表面親水化的溶液，前述控制裝置，係在使前述基板保持於前述保持部的狀態下，藉由前述顯像液供給部，使前述顯像液供給至該基板的表面，執行複數次洗淨處理，該洗淨處理，係在使前述基板保持於前述保持部的狀態下，藉由前述改質液供給部，使前述改質液供給至該基板的表面，並藉由前述沖洗液供給部，供給前述沖洗液，在執行複數次前述洗淨處理後，以使前述基板之表面乾燥的方式，在不供給液體的狀態下，使前述保持部持續保持該基板， 在從由前述顯像液供給部所進行的前述顯像液之供給後至前述洗淨處理的執行開始為止之間，維持不使前述基板之表面乾燥的狀態。
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