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TWI846032B - 氣泡量測單元、包含其的基板處理設備及氣泡量測方法 - Google Patents

氣泡量測單元、包含其的基板處理設備及氣泡量測方法 Download PDF

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TWI846032B
TWI846032B TW111132537A TW111132537A TWI846032B TW I846032 B TWI846032 B TW I846032B TW 111132537 A TW111132537 A TW 111132537A TW 111132537 A TW111132537 A TW 111132537A TW I846032 B TWI846032 B TW I846032B
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高定奭
趙妿羅
朴炯旼
朴林峰
李柱範
李政鎭
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南韓商細美事有限公司
首爾大學校產學協力團
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Abstract

本發明構思係關於一種用於處理基板的設備。前述設備包含將液體供應至基板的液體供應單元、由透光材料形成且安裝於設置在前述液體供應單元中的組件上且提供檢查區域的蓋、及檢查在設置於前述檢查區域中的前述組件中流動的前述液體中所含有的氣泡的檢查單元。前述檢查單元包含自前述蓋外部朝向前述檢查區域施加光的光源、位於前述蓋外部且接收穿過前述檢查區域的前述光的光接收零件、及自由前述光接收零件接收到的前述光中檢查前述氣泡的檢查零件。

Description

氣泡量測單元、包含其的基板處理設備及氣泡量測方法
本文中所描述的發明構思的實施例係關於一種氣泡量測單元、包含其的基板處理設備及氣泡量測方法，且更特定言之，係關於一種用於量測流動液體中所含有的氣泡的氣泡量測單元、包含氣泡量測單元的基板處理設備及氣泡量測方法。
執行諸如清潔、沈積、光微影術、蝕刻及離子植入的各種製程來製造半導體裝置。在此等製程中，光微影術製程包含用諸如光阻的感光液體塗佈基板的表面以形成膜的塗佈製程、將電路圖案轉印至形成於基板上的膜的曝光製程及自曝光區或未曝光區選擇性地移除形成於基板上的膜的顯影製程。
在諸如清潔、沈積、光微影術、蝕刻及離子植入的各種製程中，在構成液體供應設備的組件中流動的液體中可形成氣泡。當將含有氣泡的液體供應至基板上時，形成於基板上的液體的厚度的均勻性劣化。此導致基板的產率降低的問題。
因此，必須偵測在組件中流動的氣泡的數目及大小，且必須自在組件中流動的液體移除氣泡。為此，必須準確地量測在組件中流動的液體中所含有的氣泡的數目及大小。構成液體供應設備的組件中的每一者可具有垂直於其縱向方向的彎曲橫截面。當組件具有彎曲橫截面時，可反射或折射朝向組件的邊界施加的光。由於光的反射或折射，在組件中流動的氣泡的形狀可變形。因此，難以藉由朝向組件施加光來偵測在組件中流動的液體中所含有的氣泡。此妨礙了在組件中流動的氣泡的數目及大小的準確量測。當在組件中流動的氣泡具有10微米或更小的極小尺寸時，此問題進一步惡化。
本發明構思的實施例提供一種用於量測在液體供應單元中流動的液體中所含有的氣泡的氣泡量測單元、包含氣泡量測單元的基板處理設備及氣泡量測方法。
此外，本發明構思的實施例提供一種用於使入射光在設置於液體供應單元中的組件的邊界處的折射最小化的氣泡量測單元、包含氣泡量測單元的基板處理設備及氣泡量測方法。
此外，本發明構思的實施例提供一種用於在不考慮設置於液體供應單元中的組件的橫截面形狀的情況下獲得恆定氣泡影像的氣泡量測單元、包含氣泡量測單元的基板處理設備及氣泡量測方法。
本發明構思要解決的技術問題不限於前述問題，且本發明構思所屬領域的技術人員將根據以下描述清楚地理解本文中未提及的任何其他技術問題。
根據實施例，一種用於處理基板的設備包含將液體供應至基板的液體供應單元、由透光材料形成且安裝於設置在液體供應單元中的組件上且提供檢查區域的蓋、及檢查在設置於檢查區域中的組件中流動的液體中所含有的氣泡的檢查單元。檢查單元包含自蓋外部朝向檢查區域施加光的光源、位於蓋外部且接收穿過檢查區域的光的光接收零件、及自由光接收零件接收到的光中檢查氣泡的檢查零件。
根據實施例，蓋可包圍組件，使得一空間設置於蓋與組件之間，且前述空間可填充有具有與設置於檢查區域中的組件的材料相同的折射率的材料。
根據實施例，蓋可由具有比前述空間所填充的材料的折射率更大的折射率的材料形成。
根據實施例，前述空間所填充的材料可為液體。
根據實施例，組件可具有垂直於其縱向方向的彎曲橫截面，蓋的面向光源的第一表面可為平坦的，且光源可在垂直於第一表面的方向上施加光。
根據實施例，蓋的面向第一表面的第二表面可平行於第一表面。
根據實施例，檢查單元可進一步包含擴散板，前述擴散板位於光源與第一表面之間且擴散由光源施加的光。
根據實施例，液體供應單元可包含將液體分配至基板上的液體供應噴嘴、在其中儲存有液體的槽、向供應至液體供應噴嘴的液體提供流動壓的泵、及液體供應線路，經由前述液體供應線路將液體自槽供應至液體供應噴嘴。
根據實施例，蓋可安裝於液體供應線路上。
根據實施例，蓋可安裝於槽上。
根據實施例，蓋可安裝於液體供應噴嘴上。
根據實施例，蓋可安裝於泵上。
根據實施例，用於量測在組件中流動的液體中所含有的氣泡的氣泡量測單元包含：由透光材料形成且安裝於組件上且提供檢查區域的蓋、及檢查在設置於檢查區域中的組件中流動的液體中所含有的氣泡的檢查單元。檢查單元包含自蓋外部朝向檢查區域施加光的光源、位於蓋外部且接收穿過檢查區域的光的光接收零件、及自由光接收零件接收到的光中檢查氣泡的檢查零件。
根據實施例，蓋可包圍組件，使得一空間設置於蓋與組件之間，且前述空間可填充有具有與設置於檢查區域中的組件的材料相同的折射率的材料。
根據實施例，蓋可由具有比前述空間所填充的材料的折射率更大的折射率的材料形成。
根據實施例，組件可具有垂直於其縱向方向的彎曲橫截面。蓋的面向光源的第一表面可為平坦的，且蓋的面向第一表面的第二表面可平行於第一表面。光源可在垂直於第一表面的方向上施加光。
根據實施例，提供一種用於量測儲存於組件中或在組件中流動的液體中所含有的氣泡的氣泡量測方法。在氣泡量測方法中，組件的檢查區域被蓋包圍，自蓋外部朝向檢查區域施加光，儲存於組件中或在組件中流動的液體中所含有的氣泡的影像藉由接收穿過檢查區域的光來獲得，且自影像檢查形成於組件中的氣泡。
根據實施例，蓋與組件之間的空間可填充有具有與組件的材料相同的折射率的材料。
根據實施例，蓋可由具有比前述空間所填充的材料的折射率更大的折射率的材料形成。
根據實施例，組件可具有垂直於其縱向方向的彎曲橫截面。蓋的面向施加光的光源的第一表面可為平坦的，且蓋的面向第一表面的第二表面可平行於第一表面。光源可在垂直於第一表面的方向上施加光。
在下文中，將參考隨附圖式更詳細地描述本發明構思的實施例。可對本發明構思的實施例進行各種修改及變化，且本發明構思的範疇不應被解釋為限於本文中所闡述的實施例。提供此等實施例以使得本發明將為徹底且完整的，且將本發明構思的範疇充分傳達給熟習此項技術者。因此，在圖式中，為清楚說明起見誇示了組件的形狀。
在下文中，將參考圖1至圖12詳細地描述本發明構思的實施例。在以下實施例中，用於執行用光阻塗佈基板且在曝光之後使基板顯影的製程的設備將被描述為基板處理設備的實例。然而，在不限於此的情況下，本發明構思適用於藉由將液體供應至旋轉基板來處理基板的各種類型的設備。舉例而言，基板處理設備可為用於執行藉由將清潔溶液供應至基板來移除基板上的異物的製程或藉由將化學溶液供應至基板來移除基板上的薄膜的製程的設備。
圖1係說明根據本發明構思的實施例的基板處理設備的示意性透視圖。圖2係圖1的基板處理設備的正視圖。圖3係圖1的基板處理設備的平面圖。
參考圖1至圖3，基板處理設備1包含分度模組10、處理模組20及介面模組50。根據實施例，分度模組10、處理模組20及介面模組50按順序配置成列。在下文中，配置分度模組10、處理模組20及介面模組50的方向被稱為第一方向2，在自上方觀察時垂直於第一方向2的方向被稱為第二方向4，且垂直於包含第一方向2及第二方向4兩者的平面的方向被稱為第三方向6。
分度模組10將基板W自其中收納有基板W的載體F轉移至處理基板W的處理模組20。分度模組10將在處理模組20中徹底處理的基板W置放於載體F中。分度模組10安置成使得其縱向方向平行於第二方向4。分度模組10具有裝載埠120及分度框架140。
其中收納有基板W的載體F安設於裝載埠120上。裝載埠120相對於分度框架140位於與處理模組20相對的一側。裝載埠120可在第二方向4上安置成列。裝載埠120的數目可根據處理模組20的製程效率及覆蓋區條件而增加或減少。
載體F中的每一者在其中形成有複數個狹槽(未圖示)，基板W在相對於地面水平安置的狀態下收納於複數個狹槽中。諸如前開式晶圓傳送盒(front open unified pod；FOUP)的氣密載體可用作載體F。載體F可藉由諸如架空轉移器、架空輸送機或自動導引車的轉移單元(未圖示)或藉由操作員置放於裝載埠120上。
分度軌142及分度機器人144設置於分度框架140中。分度軌142安置於分度框架140中，使得其縱向方向平行於第二方向4。分度機器人144可轉移基板W。分度機器人144可在分度模組10與下面將要描述的緩衝腔室140之間轉移基板W。分度機器人144可包含分度手。基板W可置放於分度手上。分度手的組態與下面將要描述的轉移手2240的組態相同或相似。分度手可在第二方向4上在分度軌142上移動。因此，分度手可沿著分度軌142前後移動。此外，分度手可圍繞面朝第三方向6的軸線旋轉且可在第三方向6上移動。
處理模組20接收容納於載體F中的基板W且對基板W執行塗佈製程及顯影製程。處理模組20具有塗佈塊20a及顯影塊20b。塗佈塊20a對基板W執行塗佈製程。顯影塊20b對基板W執行顯影製程。塗佈塊20a彼此疊置。顯影塊20b彼此疊置。根據圖1的實施例，提供兩個塗佈塊20a及兩個顯影塊20b。塗佈塊20a可安置於顯影塊20b下方。根據實施例，兩個塗佈塊20a可執行相同製程且可具有相同結構。此外，兩個顯影塊20b可執行相同製程且可具有相同結構。
參考圖3，塗佈塊20a中的每一者具有轉移腔室220、緩衝腔室140、熱處理腔室260及液體處理腔室280。轉移腔室220提供用於在緩衝腔室240與熱處理腔室260之間、在緩衝腔室140與液體處理腔室280之間及在熱處理腔室260與液體處理腔室280之間轉移基板W的空間。緩衝腔室140提供搬進塗佈塊20a的基板W及待搬出塗佈塊20a的基板W暫時停留的空間。熱處理腔室260對基板W執行熱處理製程。熱處理製程可包含冷卻製程及加熱製程。液體處理腔室280藉由將液體供應至基板W上來在基板W上形成液膜。液膜可為光阻膜或抗反射膜。
轉移腔室220可安置成使得其縱向方向平行於第一方向2。導軌222及轉移機器人224設置於轉移腔室220中。導軌222安置於轉移腔室220中，使得其縱向方向平行於第一方向2。轉移機器人224可在第一方向2上在導軌222上線性移動。轉移機器人224在緩衝腔室140與熱處理腔室260之間、在緩衝腔室140與液體處理腔室280之間及在熱處理腔室260與液體處理腔室280之間轉移基板W。
根據實施例，轉移機器人224具有轉移手2240，基板W置放於前述轉移手上。轉移手2240可前後移動，圍繞面朝第三方向6的軸線旋轉且可在第三方向6上移動。
圖4係說明設置於圖3的轉移腔室中的轉移手的一個實施例的視圖。參考圖4，轉移手2240具有基座2242及支撐突起部2244。基座2242可具有圓周的一部分彎曲的孔環形狀。基座2242可具有圓周的部分彎曲成彼此對稱的環形形狀。基座2242具有大於基板W的直徑的內徑。支撐突起部2244自基座2242向內延伸。支撐突起部2244支撐基板W的邊緣區。根據實施例，四個支撐突起部2244可按相等間隔設置。
再次參考圖2及圖3，提供複數個緩衝腔室140。一些緩衝腔室140安置於分度模組10與轉移腔室220之間。在下文中，此等緩衝腔室被定義為前緩衝器242。前緩衝器242彼此豎直疊置。其他緩衝腔室140安置於轉移腔室220與介面模組50之間。在下文中，此等緩衝腔室被定義為後緩衝器244。後緩衝器244彼此豎直疊置。前緩衝器242及後緩衝器244暫時儲存複數個基板W。儲存於前緩衝器242中的基板W由分度機器人144及轉移機器人224裝載或卸載。儲存於後緩衝器244中的基板W由轉移機器人224及下面將要描述的第一機器人5820裝載或卸載。
緩衝機器人(2420及2440)可設置於緩衝腔室140的一側。緩衝機器人(2420及2440)可包含前緩衝機器人2420及後緩衝機器人2440。前緩衝機器人2420可設置於前緩衝器242的一側。後緩衝機器人2440可設置於後緩衝器244的一側。在不限於此的情況下，緩衝機器人(2420及2440)可設置於緩衝腔室140的相對側。
前緩衝機器人2420可在前緩衝器242之間轉移基板W。前緩衝機器人2420可包含前緩衝手。前緩衝手可在第三方向6上豎直移動。前緩衝手可旋轉。前緩衝手可轉移基板W。後緩衝機器人2440可在後緩衝器244之間轉移基板W。後緩衝機器人2440可包含後緩衝手。後緩衝手的組態與前緩衝手的組態相同或相似。因此，將省略對後緩衝手的描述。
圖5係說明圖3的熱處理腔室的一個實施例的示意性平面圖，且圖6係圖5的熱處理腔室的平面圖。參考圖5及圖6，提供複數個熱處理腔室260。熱處理腔室260在第一方向2上配置。熱處理腔室260位於轉移腔室220的一側。熱處理腔室260中的每一者包含外殼2620、冷卻單元2640、加熱單元2660及轉移板2680。
外殼2620具有實質上長方體的形狀。外殼2620在其中具有空間。外殼2620在其側壁中具有進入/退出開口(未圖示)，基板W經由進入/退出開口進入及退出外殼2620。進入/退出開口可保持打開。可提供門(未圖示)以選擇性地打開或關閉進入/退出開口。
冷卻單元2640、加熱單元2660及轉移板2680設置於外殼2620的內部空間中。冷卻單元2640及加熱單元2660在第二方向4上並排設置。根據實施例，冷卻單元2640可比加熱單元2660更靠近轉移腔室220定位。冷卻單元2640包含冷卻板2642。在自上方觀察時，冷卻板2642可具有實質上圓形的形狀。冷卻構件2644設置於冷卻板2642內部。根據實施例，冷卻構件2644可形成於冷卻板2642內部且可充當冷卻流體流過的流體通道。
設置於一些熱處理腔室260中的加熱單元2660可藉由在加熱基板W的同時供應氣體來提高光阻對基板W的黏附性。根據實施例，氣體可為六甲基二矽烷氣體。
加熱單元2660中的每一者包含加熱板2661、加熱器2663、蓋2665及致動器2667。在自上方觀察時，加熱板2661具有實質上圓形的形狀。加熱板2661具有比基板W更大的直徑。加熱器2663安裝於加熱板2661內部。加熱器2663可利用將電流施加至的電阻加熱元件來實現。
加熱板2661包含可在第三方向6上豎直移動的升降銷2669。升降銷2669自加熱單元2660外部的轉移單元接收基板W且將基板W置於加熱板2661上，或將基板W抬離加熱板2661且將基板W轉移至加熱單元2660外部的轉移單元。根據實施例，可提供三個升降銷2669。
蓋2665在其中具有底部敞開的空間。蓋2665位於加熱板2661上方且由致動器2667豎直移動。蓋2665移動以與加熱板2661一起形成的空間充當加熱基板W的加熱空間。
轉移板2680具有實質上圓板的形狀且具有與基板W的直徑對應的直徑。轉移板2680具有形成於其邊緣處的凹口2682。提供與形成於轉移機器人224的轉移手2240上的支撐突起部2244一樣多的凹口2682。凹口2682形成於與支撐突起部2244對應的位置中。當彼此豎直對準的轉移手2240及轉移板2680的豎直位置改變時，在轉移手2240與轉移板2680之間轉移基板W。轉移板2680可安裝於導軌2692上且可由致動器(未圖示)沿著導軌2692移動。
轉移板2680包含具有狹縫形狀的複數個引導槽2684。引導槽2684自轉移板2680的邊緣向內延伸。引導槽2684的縱向方向平行於第二方向4，且引導槽2684在第一方向2上彼此間隔開。當在轉移板2680與加熱單元2660之間轉移基板W時，引導槽2684防止轉移板2680與升降銷2669之間的干擾。
在使其上置放有基板W的轉移板2680與冷卻板2642接觸的狀態下冷卻基板W。為了在冷卻板2642與基板W之間進行高效熱轉移，轉移板2680由具有高導熱率的材料形成。根據實施例，轉移板2680可由金屬材料形成。
再次參考圖2及圖3，提供複數個液體處理腔室280。一些液體處理腔室280可彼此疊置。液體處理腔室280安置於轉移腔室220的相對側。液體處理腔室280在第一方向2上並排配置。一些液體處理腔室280與分度模組10相鄰地定位。在下文中，此等液體處理腔室280被定義為前液體處理腔室。其他液體處理腔室280與介面模組50相鄰地定位。在下文中，此等液體處理腔室280被定義為後液體處理腔室。
前液體處理腔室中的每一者將第一液體施加至基板W，且後液體處理腔室中的每一者將第二液體施加至基板W。第一液體及第二液體可為不同類型的液體。根據實施例，第一液體為抗反射膜，且第二液體為光阻。可將光阻施加至塗佈有抗反射膜的基板W。選擇性地，第一液體可為光阻，且第二液體可為抗反射膜。在此情況下，可將抗反射膜施加至塗佈有光阻的基板W。選擇性地，第一液體及第二液體可屬相同類型。第一液體及第二液體兩者可為光阻。
圖7係說明圖3的液體處理腔室的一個實施例的示意圖。參考圖7，液體處理腔室280包含外殼2810、處理容器2820及支撐單元2830。
外殼2810在其中具有空間。外殼2810具有實質上長方體的形狀。開口(未圖示)可形成於外殼2810的側壁中。開口充當進入/退出開口，基板W經由進入/退出開口進入及退出外殼2810的內部空間。此外，門(未圖示)可設置於與開口相鄰的區中以選擇性地打開或關閉開口。在對置放於內部空間中的基板W執行製程時，門可阻擋開口以密封內部空間。處理容器2820及支撐單元2830安置於外殼2810中。
處理容器2820可具有頂部敞開的處理形狀。處理容器2820可為具有處理形狀的碗狀物。內部空間可包圍處理空間。處理容器2820可具有頂部敞開的杯形形狀。處理容器2820的處理空間可為下面將要描述的支撐單元2830支撐及旋轉基板W的空間。處理空間可為下面將要描述的液體供應單元3000供應液體以處理基板W的空間。
根據實施例，處理容器2820可包含內杯2822及外杯2824。外杯2824可包圍支撐單元2830，且內杯2822可位於外杯2824內部。在自上方觀察時，內杯2822及外杯2824可各自具有孔環形狀。內杯2822與外杯2824之間的空間可被設置為回收路徑，沿著前述回收路徑回收引入處理空間中的液體。
在自上方觀察時，內杯2822可具有包圍下面將要描述的支撐單元2830的支撐軸2832的形狀。舉例而言，在自上方觀察時，內杯2822可具有包圍支撐軸2832的圓板形狀。在自上方觀察時，內杯2822可定位成與耦接至外殼2810的排氣線路2870重疊。
內杯2822可具有內件及外件。內件的上表面及外件的上表面可相對於虛擬水平線具有不同角度。舉例而言，在自上方觀察時，內件可定位成與下面將要描述的支撐單元2830的主體2831重疊。內件可定位成面向支撐軸2832。內件的上表面可在遠離支撐軸2832的同時向上傾斜，且外件可自內件向外延伸。外件的上表面可在遠離支撐軸2832的同時向下傾斜。內件的上端可與基板W的橫向端部部分豎直對準。在實施例中，外件與內件彼此相接的點可位於比內件的上端更低的位置中。內件與外件彼此相接的點可為圓形的。外件可與外杯2824組合以形成回收路徑，沿著前述回收路徑回收處理媒介。
外杯2824可具有包圍支撐單元2830及內杯2822的杯形形狀。外杯2824可包含底部部分2824a、側部部分2824b及傾斜部分2824c。
底部部分2824a可具有帶空的空間的圓板形狀。回收線路2870可連接至底部部分2824a。回收線路2870可用於回收供應至基板W上的處理媒介。由回收線路2870回收的處理媒介可由外部再生系統(未圖示)重用。
側部部分2824b可具有包圍支撐單元2830的孔環形狀。側部部分2824b可自底部部分2824a的橫向端豎直地延伸。側部部分2824b可自底部部分2824a向上延伸。
傾斜部分2824c可在朝向外杯2824的中心軸線的方向上自側部部分2824b的上端延伸。傾斜部分2824c的內表面可向上傾斜，以便靠近支撐單元2830。傾斜部分2824c可具有環形形狀。當對基板W執行處理製程時，傾斜部分2824c的上端可位於比支撐在支撐單元2830上的基板W更高的位置中。
支撐單元2830支撐及旋轉處理空間中的基板W。支撐單元2830可為支撐及旋轉基板W的卡盤。支撐單元2830可包含主體2831、支撐軸2832及致動器2836。主體2831可具有安設基板W的上表面。在自上方觀察時，主體2831的上表面可具有實質上圓形的形狀。主體2831的上表面可具有比基板W更小的直徑。抽吸孔(未圖示)可形成於主體2831中，且主體2831可藉由真空壓力夾持基板W。選擇性地，主體2831可利用靜電板(未圖示)來實現且可藉由靜電引力夾持基板W。選擇性地，主體2831可包含支撐基板W的支撐銷，且支撐銷可與基板W實體接觸以夾持基板W。
支撐軸2832與主體2831耦接。支撐軸2832與主體2831的下表面耦接。支撐軸2832可安置成使得其縱向方向平行於上/下方向。支撐軸2832可藉由自致動器2836傳輸的動力旋轉。支撐軸2832藉由致動器2836的旋轉而旋轉以旋轉主體2831。致動器2836可調整支撐軸2832的旋轉速度。致動器2836可為提供驅動力的電動機。然而，在不限於此的情況下，致動器2836可利用提供驅動力的額各種熟知裝置來實現。
升降單元(2842、2844)安置於外殼2810中。升降單元(2842、2844)調整處理容器2820相對於支撐單元2830的高度。升降單元(2842、2844)在第三方向6上線性移動處理容器2820。升降單元(2842、2844)可包含內升降構件2842及外升降構件2844。內升降構件2842可豎直地移動內杯2822。外升降構件2844可豎直地移動外杯2824。
排氣線路2870可設置於液體處理腔室280外部。減壓單元(未圖示)連接至排氣線路2870。排氣線路2870藉由減壓單元排出處理空間中的大氣。排氣線路2870可與處理容器2820耦接。選擇性地，排氣線路2870可耦接至外杯2824的底部部分2824a。排氣線路2870可定位成在自上方觀察時與內杯2822重疊。
氣流供應單元2860將氣流供應至外殼2810的內部空間中。氣流供應單元2860可將向下的氣流供應至內部空間中。氣流供應單元2860可將調整了溫度及/或濕度的氣流供應至內部空間中。氣流供應單元2860可安裝於外殼2810上。氣流供應單元2860可設置於處理容器2820及支撐單元2830上方。
圖8係說明用於將液體供應至圖7的液體處理腔室中的液體供應單元的示意圖。在下文中，將參考圖8詳細地描述根據本發明構思的實施例的液體供應單元。
液體供應單元3000可將液體供應至位於液體處理腔室280中的基板W。液體供應單元3000可將液體供應至支撐於支撐單元2830上的基板W。液體供應單元3000供應至基板W的液體可為塗佈溶液。舉例而言，塗佈溶液可為感光液體，諸如光阻(photoresist；PR)。此外，液體供應單元3000可將預濕液體供應至支撐於支撐單元2830上的基板W。由液體供應單元3000供應至基板W的預濕液體可為可改變基板W的表面特性的液體。舉例而言，預濕液體可為可將基板W的表面特性改變為疏水特性的液體。舉例而言，預濕液體可為較稀的。在下文中，為了便於描述，將例示由液體供應單元供應的液體為光阻。
液體供應單元3000可包含主槽3100、捕集槽3200、泵3300、過濾器3400、液體供應噴嘴3500、液體供應線路(3610、3620、3630)及廢液槽3700。主槽3100可形成密封的內部空間。主槽3100在其內部空間中儲存有液體。舉例而言，主槽3100可在其中儲存有光阻。下面將要描述的第一惰性氣體供應線路3110及第一供應線路3610可連接至主槽3100。
第一惰性氣體供應線路3110可將惰性氣體供應至主槽3100的內部空間中。調節器3120、氣體過濾器3130及氣動閥3140可與第一惰性氣體供應線路3110成一直線按順序安置。惰性氣體可經由調節器3120供應。舉例而言，惰性氣體可為氦氣或氮氣。當將惰性氣體供應至主槽3100中時，儲存於主槽3100中的光阻可由於相對壓力差而移動至捕集槽3200中。氣體過濾器3130可過濾流過第一惰性氣體供應線路3110的惰性氣體。舉例而言，氣體過濾器3130可自惰性氣體中過濾雜質。氣動閥3140可打開或關閉第一惰性氣體供應線路3110。舉例而言，氣動閥3140可僅在替換主槽3100時關閉第一惰性氣體供應線路3110。
捕集槽3200可形成密封的內部空間。捕集槽3200在其內部空間中儲存有液體。舉例而言，捕集槽3200可在其中儲存有光阻。經由第一供應線路3610提供的光阻可儲存於捕集槽3200中。液位感測器3220可安裝於捕集槽3200的一側。液位感測器3220可感測儲存於捕集槽3200中的光阻的液位且可允許光阻連續地儲存於捕集槽3200中達至適當液位。
第二惰性氣體供應線路3210、第一供應線路3610、下面將要描述的第二供應線路3620及第一排放線路3710可連接至捕集槽3200。第二惰性氣體供應線路3210可連接至捕集槽3200的上端。第二惰性氣體供應線路3210可將惰性氣體供應至捕集槽3200的內部空間中。第二惰性氣體供應線路3210與上述第一惰性氣體供應線路3110相似。因此，為了避免重複描述，將省略對第二惰性氣體供應線路3210的描述。
第一供應線路3610及第一排放線路3710可連接至捕集槽3200的上端。第一供應線路3610可將光阻自主槽3100供應至捕集槽3200。第一排放線路3710可連接至下面將要描述的廢液槽3700。第二供應線路3620可連接至捕集槽3200的下端。第二供應線路3620可與下面將要描述的泵3300連接且可將光阻自捕集槽3200供應至泵3300。
泵3300將儲存於捕集槽3200中的液體供應至液體供應噴嘴3500。舉例而言，泵3300可將儲存於捕集槽3200中的光阻供應至液體供應噴嘴3500。泵3300可按所需量供應儲存於捕集槽3200中的光阻。舉例而言，泵3300可為波紋管驅動的管式隔膜泵，其藉由抽吸及排放操作所產生的流動壓將儲存於捕集槽3200中的光阻供應至液體供應噴嘴3500。舉例而言，泵3300可自捕集槽3200抽吸可供應至基板W上的1劑量的光阻，且可在對基板W執行塗佈製程時以恆定壓力及流速將光阻排放至液體供應噴嘴3500。然而，在不限於此的情況下，泵3300可利用可提供流動壓的各種熟知泵來實現。
第二供應線路3620、第三供應線路3630及第二排放線路3720可連接至泵3300。舉例而言，第二供應線路3620可連接至泵3300的下端。止回閥(未圖示)可與第二供應線路3620成一直線安置。光阻可經由第二供應線路3620自捕集槽3200供應至泵3300。
舉例而言，第三供應線路3630可連接至泵3300的上端。第三供應線路3630的一端可連接至泵3300，且第三供應線路3630的相對端可連接至下面將要描述的過濾器3400。下面將要描述的止回閥(未圖示)、回吸閥3632、斷流閥3634及過濾器3400可與第三供應線路3630成一直線安置。光阻可經由第三供應線路3630自泵3300供應至下面將要描述的液體供應噴嘴3500。舉例而言，第二排放線路3720可連接至泵3300的上端。第二排放線路3720的一端可連接至泵3300，且第二排放線路3720的相對端可連接至下面將要描述的廢液槽3700。
過濾器3400可過濾自泵3300供應至液體供應噴嘴3500的液體。舉例而言，過濾器3400可過濾自泵3300供應至液體供應噴嘴3500的光阻。過濾器3400可自光阻中過濾雜質。過濾器3400可與第三供應線路3630成一直線安置。
液體供應噴嘴3500可將液體供應至基板W。舉例而言，液體供應噴嘴3500可將光阻供應至支撐於支撐單元2830上的基板W。液體供應噴嘴3500可由致動器(未圖示)移動。
液體供應線路(3610、3620、3630)可包含第一供應線路3610、第二供應線路3620及第三供應線路3630。第一供應線路3610連接主槽3100及捕集槽3200。第一供應線路3610的一端可連接至主槽3100，且第一供應線路3610的相對端可連接至捕集槽3200。第二供應線路3620連接捕集槽3200及泵3300。第二供應線路3620的一端可連接至捕集槽3200，且第二供應線路3620的相對端可連接至泵3300。第三供應線路3630連接至泵3300及液體供應噴嘴3500。第三供應線路3630的一端可連接至泵3300，且第三供應線路3630的相對端可連接至液體供應噴嘴3500。
廢液槽3700可連接至第一排放線路3710及第二排放線路3720。第一排放線路3710可連接捕集槽3200及廢液槽3700。第一排放線路3710的一端可連接至捕集槽3200，且第一排放線路3710的相對端可連接至廢液槽3700。第一排放線路3710可移除收集於捕集槽3200的上端部分中的氣泡，或可回應於光阻的特性的變化而將光阻被動地排放至廢液槽3700。
第二排放線路3720可連接泵3300及廢液槽3700。第二排放線路3720的一端可連接至泵3300，且第二排放線路3720的相對端可連接至廢液槽3700。氣動閥3722可與第二排放線路3720成一直線安置。第二排放線路3720可移除收集於泵3300的上端部分中的氣泡，或可回應於光阻的特性的變化而將光阻被動地排放至廢液槽3700。
圖9係說明設置於圖8的液體供應單元中的氣泡量測單元的示意性透視圖。圖10係圖9的蓋的俯視圖。圖11係圖9的氣泡量測單元的正視圖。在下文中，將參考圖8至圖11詳細地描述根據本發明構思的實施例的氣泡量測單元。
氣泡量測單元4000可量測在設置於液體供應單元3000中的組件中流動的液體中所含有的氣泡。氣泡量測單元4000可量測在設置於液體供應單元3000中的組件中流動的光阻中所含有的氣泡。氣泡量測單元4000可安裝於設置在液體供應單元3000中的組件上。
設置於液體供應單元3000中的組件被定義為包含液體供應單元3000中所包含的各種組件的構思。舉例而言，設置於液體供應單元3000中的組件可為主槽3100、捕集槽3200、泵3300、過濾器3400、液體供應噴嘴3500或液體供應線路(3610、3620、3630)。舉例而言，設置於液體供應單元3000中的組件可包含第一供應線路3610、第二供應線路3620或第三供應線路3630。舉例而言，組件可具有垂直於其縱向方向的彎曲橫截面。在本發明構思的實施例中，為了便於描述，將例示氣泡量測單元4000安置於第三供應線路3630上。
氣泡量測單元4000可包含蓋4200及檢查單元4400。蓋4200可具有實質上長方體的形狀。然而，本發明構思不限於此。蓋4200的設置於面向下面將要描述的光源4420的位置中的第一表面及蓋4200的設置於面向下面將要描述的光接收零件4460的位置中的第二表面可為平坦的。第一表面與第二表面可彼此平行。
蓋4200可安裝於組件上。安裝於組件上的蓋4200可提供檢查區域。安裝於組件上的蓋4200的區域可被設置為用於偵測組件中存在的氣泡的檢查區域。舉例而言，蓋4200可安裝於第三供應線路3630上且可提供用於偵測在第三供應線路3630中流動的光阻中存在的氣泡的檢查區域。
蓋4200可由透光材料形成。蓋4200的材料A可具有比下面將要描述的材料B的折射率及組件的材料C的折射率更大的折射率。舉例而言，蓋4200的材料A可為丙烯酸的。蓋4200可包圍組件。因此，空間可設置於蓋4200與組件之間。形成於蓋4200與組件之間的空間可填充有具有與組件的材料C相同的折射率的材料B。舉例而言，填充空間的材料B可為液體。然而，在不限於此的情況下，填充空間的材料B可具有帶有與組件的材料C相同的折射率的各種相。舉例而言，填充空間的材料B可具有與第三供應線路3630的管道的材料C相同的折射率。當材料B具有與第三供應線路3630的管道的材料C相同的折射率時，此可意謂材料B及C的折射率不完全相同，而係在相似範圍內。
檢查單元4400在安裝蓋4200的組件的檢查區域中檢查在組件中流動的液體中所含有的氣泡。舉例而言，檢查單元4400可在安裝蓋4200的第三供應線路3630的檢查區域中檢查在第三供應線路3630中流動的光阻中所含有的氣泡。檢查單元4400可包含光源4420、擴散板4440、光接收零件4460及檢查零件(未圖示)。
光源4420可位於蓋4200外部。舉例而言，在蓋420外部，光源4420可設置於面向蓋4200的第一表面的位置中。蓋4200的第一表面可被設置為照射表面。照射表面可為平坦的。光源4420可朝向檢查區域施加光。由光源4420施加的光可在垂直於其的方向上入射於第一表面上。舉例而言，光源4420可利用發光二極體(light emitting diode；LED)來實現。選擇性地，光源4420可利用鹵素燈來實現。
擴散板4440可擴散由光源4420施加的光。擴散板4440可將由光源4420施加的光均勻地擴散於廣闊區域。擴散板4440可將由光源4420施加的光輸入至整個檢查區域。擴散板4440可位於光源4420與蓋4200之間。舉例而言，擴散板4440可位於光源4420與蓋4200的第一表面之間。
光接收零件4460可位於蓋4200外部。舉例而言，在蓋420外部，光接收零件4460可設置於面向蓋4200的第二表面的位置中，前述第二表面面向蓋4200的第一表面。第二表面可為平坦的。第二表面可平行於第一表面。由光源4420施加的光可在垂直於其的方向上入射於第二表面上。光接收零件4460可接收穿過檢查區域的光。
檢查零件(未圖示)可自接收到的光獲得氣泡影像。檢查零件(未圖示)可自由光接收零件4460接收到的光中檢查組件中存在的氣泡。檢查零件(未圖示)可根據自光接收零件4460獲得的氣泡影像檢查是否存在氣泡以及氣泡的數目及大小。舉例而言，根據自光接收零件4460獲得的氣泡影像，檢查零件(未圖示)可檢查在針對第三供應線路3630提供的檢查區域中是否存在氣泡以及氣泡的數目及大小。
參考圖11，由光源4420施加的光可按順序穿過擴散板4440、蓋4200的第一表面、填充蓋4200與組件之間的空間的材料B、設置於液體供應單元中的組件及蓋4200的第二表面，且可由光接收零件4460接收。舉例而言，由光源4420施加的光可按順序穿過擴散板4440、蓋4200的第一表面、填充蓋4200與第三供應線路3630之間的空間的材料B、第三供應線路3630及蓋4200的第二表面，且可由光接收零件4460接收。
因為蓋4200與第三供應線路3630之間的空間填充有具有與第三供應線路3630的管道的材料C相同的折射率的材料B，所以可不在第三供應線路3630的管道與材料B之間的介面處折射由光源4420施加的光。因此，入射於檢查區域的在第三供應線路3630中不存在氣泡的部分區上的光未被折射且由光接收零件4460接收。
在氣泡的邊界處折射入射於檢查區域的在第三供應線路3630中存在氣泡的部分區上的光。因此，在連接光源4420、蓋4200及光接收零件4460的虛擬直線上，在與存在氣泡的區對應的線上沒有接收到光。陰影形成於存在氣泡的區中。檢查零件(未圖示)可將在檢查區域中存在陰影的影像偵測為氣泡影像。此外，檢查零件(未圖示)可將檢查區域的存在陰影的區偵測為形成氣泡的區。檢查零件(未圖示)可獲得檢查區域的未接收到由光源4420施加的光以使得沒有自光接收零件4460接收到光的區(亦即，陰影形成於第三供應線路3630中的區)的氣泡影像。檢查零件(未圖示)可自接收自光接收零件4460的光獲得氣泡影像，且可檢查在檢查區域中是否存在氣泡以及氣泡的數目及大小。
組件可具有垂直於其縱向方向的彎曲橫截面。可反射或折射朝向具有彎曲橫截面的組件的邊界施加的光。由於光的反射或折射，在組件中流動的氣泡的形狀可變形。因此，難以藉由朝向組件施加光來偵測在組件中流動的液體中所含有的氣泡。此妨礙了在組件中流動的氣泡的數目及大小的準確量測。當在組件中流動的氣泡具有極小大小時，此問題進一步惡化。
根據本發明構思的上述實施例，藉由用具有與組件的材料C相同的折射率的材料B填充蓋4200與組件之間的空間，可在組件的邊界處使朝向組件入射的光的散射或折射最小化。在組件中流動的液體中所含有的氣泡具有曲率。即使朝向組件施加光，亦僅在氣泡的邊界處反射或折射所施加的光。陰影可僅形成於檢查區域的存在氣泡的部分區中。因此，可準確地獲得在組件中流動的氣泡的影像。
根據本發明構思的上述實施例，蓋4200的第一表面為平坦的，使得由光源4420施加的光在垂直於蓋4200的第一表面的方向上入射。因此，即使組件具有垂直於其縱向方向的彎曲橫截面，亦可使所施加的光在組件的邊界處的折射最小化。因此，可使不存在氣泡的區的變形最小化。
在本發明構思的上述實施例中，氣泡量測單元4000已被描述為安裝於設置在液體供應單元3000中的組件上。然而，在不限於此的情況下，複數個蓋4200可安裝於設置在液體供應單元3000中的組件上。在此情況下，氣泡量測單元4000可偵測液體中所含有的氣泡的影像，前述液體在設置於蓋4200中的每一者中的檢查區域中流動，同時在未經說明的軌上移動。
在本發明構思的上述實施例中，氣泡量測單元4000已被描述為安裝於液體供應單元中所包含的組件上，前述液體供應單元將塗佈溶液或顯影溶液供應至基板W上。然而，在不限於此的情況下，可類似地針對供應各種液體的半導體設備提供氣泡量測單元4000，前述半導體設備諸如將清潔溶液供應至基板W上的液體供應設備、用於處理用於製造平板顯示器的基板的設備或類似者。
再次參考圖1至圖3，顯影塊20b中的每一者具有轉移腔室220、緩衝腔室140、熱處理腔室260及液體處理腔室280。顯影塊20b的轉移腔室220、緩衝腔室140、熱處理腔室260及液體處理腔室280以與塗佈塊20a的轉移腔室220、緩衝腔室140、熱處理腔室260及液體處理腔室280的結構及配置相似的結構及配置提供，因此將省略對其的描述。然而，顯影塊20b的所有液體處理腔室280藉由以相同方式供應顯影溶液來執行使基板W顯影的顯影製程。
介面模組50連接處理模組20及外部曝光設備60。介面模組50包含介面框架520、附加製程腔室540、介面緩衝器560及轉移構件580。
介面框架520在其中具有空間。用於在內部空間中形成向下氣流的風扇過濾器單元可設置於介面框架520的上端處。附加製程腔室540、介面緩衝器560及轉移構件580設置於介面框架520的內部空間中。
附加製程腔室540可在將在塗佈塊20a中處理的基板W轉移至曝光設備60之前執行預定附加製程。選擇性地，附加製程腔室540可在將在曝光設備60中處理的基板W轉移至顯影塊20b之前執行預定附加製程。根據實施例，附加製程可為使基板W的邊緣區曝光的邊緣曝光製程、清潔基板W的頂面的頂面清潔製程或清潔基板W的背面的背面清潔製程。可提供複數個附加製程腔室540。附加製程腔室540可彼此疊置。附加製程腔室540可全部執行相同製程。選擇性地，一些附加製程腔室540可執行不同製程。
介面緩衝器560提供在塗佈塊20a、附加製程腔室540、曝光設備60與顯影塊20b之間轉移的基板W在被轉移時暫時停留的空間。可提供複數個介面緩衝器560。介面緩衝器560可彼此疊置。根據實施例，附加製程腔室540可安置於延長線的面向轉移腔室220的縱向方向的一側，且介面緩衝器560可安置於延長線的相對側。
轉移構件580在塗佈塊20a、附加製程腔室540、曝光設備60與顯影塊20b之間轉移基板W。轉移構件580可利用一或多個機器人來實現。根據實施例，轉移構件580包含第一機器人5820、第二機器人5840及第三機器人(未圖示)。第一機器人5820在塗佈塊20a、附加製程腔室540與介面緩衝器560之間轉移基板W。第二機器人5840在介面緩衝器560與曝光設備60之間轉移基板W。第三機器人(未圖示)在介面緩衝器560與顯影塊20b之間轉移基板W。
第一機器人5820、第二機器人5840及第三機器人(未圖示)中的每一者包含置放基板W的手。手可前後移動，可圍繞面朝第三方向6的軸線旋轉且可在第三方向6上移動。第一機器人5820、第二機器人5840及第三機器人(未圖示)的手可全部具有與轉移機器人224的轉移手2240的形狀相同的形狀或相似的形狀。選擇性地，將基板W與每一熱處理腔室的冷卻板2642直接交換的機器人的手可具有與轉移機器人224的轉移手2240的形狀相同的形狀或相似的形狀，且其餘機器人的手可具有與轉移機器人224的轉移手2240不同的形狀。
在下文中，將描述圖7的支撐單元的其他實施例。在本發明構思的上述實施例中的除支撐單元2830的主體2831之外的組件類似地提供於本發明構思的其他實施例中。因此，為了避免重複描述，將省略對類似提供的組件的描述。
圖12係說明根據本發明構思的實施例的氣泡量測方法的流程圖。在下文中，將參考圖12描述根據本發明構思的實施例的氣泡量測方法。
氣泡量測方法可用於量測儲存於組件中或在組件中流動的液體中所含有的氣泡。舉例而言，氣泡量測方法可用於量測儲存於設置在液體供應單元3000中的組件中或在液體供應單元3000中流動的液體中所含有的氣泡。氣泡量測方法可包含提供蓋的步驟S10、施加光的步驟S20、獲得影像的步驟S30及偵測氣泡的步驟S40。
提供蓋的步驟S10係安裝蓋4200的步驟。蓋4200設置成包圍組件。被蓋4200包圍的組件的區域被設置為檢查區域。檢查區域係用於偵測在組件中流動的氣泡的區域。複數個蓋4200可分別安裝於複數個組件上。
在提供蓋的步驟S10中，蓋4200與組件之間的空間填充有具有與組件的材料C相同的折射率的材料B。此外，蓋4200的材料可具有比材料B的折射率及組件的材料C的折射率更大的折射率。當材料B具有與管道的材料C相同的折射率時，此可意謂材料B及C的折射率不完全相同，而係在相似範圍內。
施加光的步驟S20係藉由光源4420將光施加至檢查區域的步驟。光源4420位於蓋4200外部。光源4420可設置於面向蓋4200的第一表面的位置中，以便與蓋4200的第一表面間隔開。光源4420朝向蓋4200的第一表面施加光。朝向第一表面施加的光垂直於第一表面入射。舉例而言，由光源4420施加的光可經由擴散板4440朝向第一表面均勻地擴散且可垂直於第一表面入射。
獲得影像的步驟S30係藉由光接收零件4460接收由光源4420施加的光且藉由檢查零件(未圖示)自接收到的光獲得影像的步驟。光接收零件4460位於蓋4200外部。光接收零件4460可設置於面向第二表面的位置中，前述第二表面面向蓋4200的第一表面，以便與蓋4200的第二表面間隔開。第一表面與第二表面彼此平行。因此，自光源4420施加至檢查區域的光可垂直於第一表面及第二表面入射。自光源4420施加至檢查區域的光按順序穿過擴散板4440、第一表面(蓋的材料A)、填充蓋4200與組件之間的空間的材料B、組件的材料C及第二表面(蓋的材料A)且由光接收零件4460接收。自光源4420朝向檢查區域施加的光由光接收零件4460接收。
因為蓋4200與組件之間的空間填充有具有與組件的材料C相同的折射率的材料B，所以可不在組件的邊界處折射由光源4420施加的光。因此，入射於檢查區域的在組件中不存在氣泡的部分區上的光未被折射且由光接收零件4460接收。在氣泡的邊界處折射入射於檢查區域的在第三供應線路3630中存在氣泡的部分區上的光。因此，在連接光源4420、蓋4200及光接收零件4460的虛擬直線上，在與存在氣泡的區對應的線上沒有接收到光。因此，當在組件中存在氣泡時，檢查零件(未圖示)可獲得形成陰影的影像及未形成陰影的影像。
偵測氣泡的步驟S40係針對藉由檢查零件(未圖示)在獲得影像的步驟S30中自光接收零件4460獲得的影像分析氣泡影像的步驟。如上所述，沒有自至光接收零件4460的存在氣泡的區接收到光，因此形成陰影。檢查零件(未圖示)可將在檢查區域中存在陰影的區偵測為形成氣泡的區域。因此，在偵測氣泡的步驟S40中，可根據在獲得影像的步驟S30中獲得的影像偵測儲存於組件中或在組件中流動的液體中所含有的氣泡。檢查零件(未圖示)可根據自光接收零件4460獲得的氣泡影像檢查是否存在氣泡以及氣泡的數目及大小。
根據本發明構思的上述實施例，藉由用具有與組件的材料C相同的折射率的材料B填充蓋4200與組件之間的空間，可在組件的邊界處使朝向組件入射的光的散射或折射最小化。在組件中流動的液體中所含有的氣泡具有曲率。即使朝向組件施加光，亦僅在氣泡的邊界處反射或折射所施加的光。陰影可僅形成於檢查區域的存在氣泡的部分區中。因此，可準確地獲得在組件中流動的氣泡的影像。
此外，根據本發明構思的上述實施例，蓋4200的第一表面為平坦的，使得由光源4420施加的光在垂直於蓋4200的第一表面的方向上入射。因此，即使組件具有垂直於其縱向方向的彎曲橫截面，亦可使所施加的光在組件的邊界處的折射最小化。因此，可使不存在氣泡的區的變形最小化。
根據本發明構思的實施例，可量測在液體供應單元中流動的液體中所含有的氣泡。
此外，根據本發明構思的實施例，可使入射光在設置於液體供應單元中的組件的邊界處的折射最小化。
此外，根據本發明構思的實施例，可在不考慮設置於液體供應單元中的組件的橫截面形狀的情況下獲得恆定氣泡影像。
本發明構思的效應不限於上述效應，且本發明構思所屬領域的技術人員可根據本說明書及隨附圖式清楚地理解本文中未提及的任何其他效應。
以上描述例示了本發明構思。此外，上面提及的內容描述了本發明構思的實施例，且本發明構思可在各種其他組合、變化及環境中使用。亦即，在不脫離說明書中所揭示的本發明構思的範疇、書面揭示內容的等同範疇及/或熟習此項技術者的技術或知識範疇的情況下，可對本發明構思進行變化或修改。書面實施例描述了實現本發明構思的技術精神的最佳狀態，且可進行在本發明構思的具體應用及目的中所需的各種改變。因此，本發明構思的詳細描述不意欲將本發明構思限制於所揭示實施例狀態。此外，應理解，所附申請專利範圍包含其他實施例。
雖然已經參考實施例描述了本發明構思，但對於熟習此項技術者而言將顯而易見，在不脫離本發明構思的精神及範疇的情況下可進行各種改變及修改。因此，應理解，以上實施例並非限制性的，而係說明性的。
1:基板處理設備 2:第一方向 4:第二方向 6:第三方向 10:分度模組 20:處理模組 20a:塗佈塊 20b:顯影塊 50:介面模組 60:曝光設備 120:裝載埠 140:分度框架 142:分度軌 144:分度機器人 220:轉移腔室 222,2692:導軌 224:轉移機器人 140:緩衝腔室 242:前緩衝器 244:後緩衝器 260:熱處理腔室 280:液體處理腔室 520:介面框架 540:附加製程腔室 560:介面緩衝器 580:轉移構件 1442:分度基座 1444:分度支架 2240:轉移手 2242:基座 2244:支撐突起部 2420:前緩衝機器人 2440:後緩衝機器人 2482:支撐板 2486:銷 2620,2810:外殼 2640:冷卻單元 2642:冷卻板 2644:冷卻構件 2660:加熱單元 2661:加熱板 2663:加熱器 2665,4200:蓋 2667,2836:致動器 2669:升降銷 2680:轉移板 2682:凹口 2684:引導槽 2820:處理容器 2822:內杯 2824:外杯 2824a:底部部分 2824b:側部部分 2824c:傾斜部分 2830:支撐單元 2831:主體 2832:支撐軸 2842:內升降構件 2844:外升降構件 2870:排氣線路/回收線路 2860:氣流供應單元 3400:過濾器 3000:液體供應單元 3100:主槽 3110:第一惰性氣體供應線路 3120:調節器 3130:氣體過濾器 3140,3722:氣動閥 3200:捕集槽 3210:第二惰性氣體供應線路 3220:液位感測器 3300:泵 3500:液體供應噴嘴 3610:第一供應線路 3620:第二供應線路 3630:第三供應線路 3632:回吸閥 3634:斷流閥 3700:廢液槽 3710:第一排放線路 3720:第二排放線路 4000:氣泡量測單元 4400:檢查單元 4420:光源 4440:擴散板 4460:光接收零件 5820:第一機器人 5840:第二機器人 A,B,C:材料 F:載體 S10,S20,S30,S40:步驟 W:基板
以上及其他目標及特徵將根據下面參考以下各圖的描述而變得顯而易見，其中除非另有規定，否則相同附圖標記在各圖中係指相同零件。
圖1係說明根據本發明構思的實施例的基板處理設備的示意性透視圖。
圖2係說明圖1的基板處理設備的塗佈塊及顯影塊的示意性正視圖。
圖3係說明圖1的基板處理設備的示意性平面圖。
圖4係說明設置於圖3的轉移腔室中的手的一個實例的視圖。
圖5係說明圖3的熱處理腔室的一個實例的示意性平面圖。
圖6係圖5的熱處理腔室的正視圖。
圖7係說明圖3的液體處理腔室的一個實例的示意圖。
圖8係說明用於將液體供應至圖7的液體處理腔室中的液體供應單元的示意圖。
圖9係說明設置於圖8的液體供應單元中的氣泡量測單元的示意性透視圖。
圖10係圖9的蓋的俯視圖。
圖11係圖9的氣泡量測單元的正視圖。
圖12係說明根據本發明構思的實施例的氣泡量測方法的流程圖。
1:基板處理設備
2:第一方向
4:第二方向
6:第三方向
10:分度模組
20:處理模組
20a:塗佈塊
20b:顯影塊
50:介面模組
60:曝光設備
120:裝載埠
140:分度框架

Claims (20)

  1. 一種用於處理基板的設備，前述設備包括：液體供應單元，其經組態以將液體供應至基板；蓋，其由透光材料形成且安裝於設置在前述液體供應單元中的組件上，前述蓋經組態以提供檢查區域；以及檢查單元，其經組態以檢查在設置於前述檢查區域中的前述組件中流動的前述液體中所含有的氣泡，其中前述檢查單元包含：光源，其經組態以自前述蓋外部朝向前述檢查區域施加光；光接收零件，其位於前述蓋外部且經組態以接收穿過前述檢查區域的前述光；以及檢查零件，其經組態以自由前述光接收零件接收到的前述光中檢查前述氣泡。
  2. 如請求項1所述之用於處理基板的設備，其中前述蓋包圍前述組件，使得一空間設置於前述蓋與前述組件之間，且其中前述空間填充有具有與設置於前述檢查區域中的前述組件的材料相同的折射率的材料。
  3. 如請求項2所述之用於處理基板的設備，其中前述蓋由具有比前述空間所填充的前述材料的折射率更大的折射率的材料形成。
  4. 如請求項3所述之用於處理基板的設備，其中前述空間所填充的前述材料為液體。
  5. 如請求項1所述之用於處理基板的設備，其中前述組件具有垂直於其縱向方向的彎曲橫截面，其中前述蓋的經組態以面向前述光源的第一表面為平坦的，且其中前述光源在垂直於前述第一表面的方向上施加前述光。
  6. 如請求項5所述之用於處理基板的設備，其中前述蓋的經組態以面向前述第一表面的第二表面平行於前述第一表面。
  7. 如請求項6所述之用於處理基板的設備，其中前述檢查單元進一步包含擴散板，前述擴散板位於前述光源與前述第一表面之間且經組態以擴散由前述光源施加的前述光。
  8. 如請求項1至7中任一項所述之用於處理基板的設備，其中前述液體供應單元包含：液體供應噴嘴，其經組態以將前述液體分配至前述基板上；槽，其中儲存有前述液體；泵，其經組態以向供應至前述液體供應噴嘴的前述液體提供流動壓；以及液體供應線路，經由前述液體供應線路將前述液體自前述槽供應至前述液體供應噴嘴。
  9. 如請求項8所述之用於處理基板的設備，其中前述蓋安裝於前述液體供應線路上。
  10. 如請求項8所述之用於處理基板的設備，其中前述蓋安裝於前述槽上。
  11. 如請求項8所述之用於處理基板的設備，其中前述蓋安裝於前述液體供應噴嘴上。
  12. 如請求項8所述之用於處理基板的設備，其中前述蓋安裝於前述泵上。
  13. 一種用於量測在組件中流動的液體中所含有的氣泡的氣泡量測單元，前述氣泡量測單元包括：蓋，其由透光材料形成且安裝於前述組件上，前述蓋經組態以提供檢查區域；以及檢查單元，其經組態以檢查在設置於前述檢查區域中的前述組件中流動的 前述液體中所含有的前述氣泡，其中前述檢查單元包含：光源，其經組態以自前述蓋外部朝向前述檢查區域施加光；光接收零件，其位於前述蓋外部且經組態以接收穿過前述檢查區域的前述光；以及檢查零件，其經組態以自由前述光接收零件接收到的前述光中檢查前述氣泡，其中前述蓋包圍前述組件，使得一空間設置於前述蓋與前述組件之間。
  14. 如請求項13所述之氣泡量測單元，其中前述空間填充有具有與設置於前述檢查區域中的前述組件的材料相同的折射率的材料。
  15. 如請求項14所述之氣泡量測單元，其中前述蓋由具有比前述空間所填充的前述材料的折射率更大的折射率的材料形成。
  16. 如請求項13所述之氣泡量測單元，其中前述組件具有垂直於其縱向方向的彎曲橫截面，其中前述蓋的經組態以面向前述光源的第一表面為平坦的，其中前述蓋的經組態以面向前述第一表面的第二表面平行於前述第一表面，且其中前述光源在垂直於前述第一表面的方向上施加前述光。
  17. 一種用於量測儲存於組件中或在前述組件中流動的液體中所含有的氣泡的氣泡量測方法，其中前述組件的檢查區域被蓋包圍，自前述蓋外部朝向前述檢查區域施加光，儲存於前述組件中或在前述組件中流動的前述液體中所含有的前述氣泡的影像藉由接收穿過前述檢查區域的前述光來獲得，及自前述影像檢查形成於前述組件中的前述氣泡。
  18. 如請求項17所述之氣泡量測方法，其中前述蓋與前述組件之間的一空間填充有具有與前述組件的材料相同的折射率的材料。
  19. 如請求項18所述之氣泡量測方法，其中前述蓋由具有比前述空間所填充的前述材料的折射率更大的折射率的材料形成。
  20. 如請求項17至19中任一項所述之氣泡量測方法，其中前述組件具有垂直於其縱向方向的彎曲橫截面，其中前述蓋的經組態以面向光源的第一表面為平坦的，前述光源經組態以施加前述光，其中前述蓋的經組態以面向前述第一表面的第二表面平行於前述第一表面，且其中前述光源在垂直於前述第一表面的方向上施加前述光。
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