TWI845905B

TWI845905B - 電子裝置

Info

Publication number: TWI845905B
Application number: TW111110091A
Authority: TW
Inventors: 黃晉嘉; 陳潔瑩; 林佳慧; 許妗黛; 黃子建; 蔡馥聲
Original assignee: 群創光電股份有限公司
Priority date: 2021-05-13
Filing date: 2022-03-18
Publication date: 2024-06-21
Also published as: CN115346970A; US20220364687A1; US11927312B2; TW202244576A

Abstract

本揭露提供一種電子裝置包括電路板、多個半導體元件、第一光反射結構以及第二光反射結構。電路板包括基板，且基板可具有第一表面以及至少一側面。多個半導體元件設置於第一表面上。第一光反射結構設置於第一表面上。第二光反射結構設置於第一表面以及至少一側面上。

Description

電子裝置

本發明是有關於一種電子裝置。

電子裝置的應用領域越來廣及普及。在不同應用下，電子裝置的面積與體積不盡相同。因此，可靈活調整尺寸的設計是一個重要的發展方向。

根據本揭露的實施例，一種電子裝置包括電路板、多個半導體元件、第一光反射結構以及第二光反射結構。電路板包括基板，且基板可具有第一表面以及至少一側面。多個半導體元件設置於第一表面上。第一光反射結構設置於第一表面上。第二光反射結構設置於第一表面以及至少一側面上。

根據本揭露的實施例，一種電子裝置包括多個電路板。電路板各自包括基板、設置於基板上的多個半導體元件以及設置於基板上的第一光反射結構。電子裝置還包括第二光反射結構。第二光反射結構延伸至相鄰兩個電路板之間的間隙。

100、200、300:電子裝置

110:電路板

112:基板

112T:第一表面

112B:第二表面

112S:側面

114:接墊

120:半導體元件

130:第一光反射結構

130P:開口

130S:側面

140、340:第二光反射結構

D:最小距離

G:間隙

H120、H140、H340:最大高度

R140、R340:輪廓面

S:最大延伸寬度

T130、T140:厚度

X、Y、Z:軸

圖1為本揭露一些實施例的電子裝置的局部示意圖。

圖2為圖1的電子裝置沿線I-I的剖面示意圖。

圖3為本揭露一些實施例的電子裝置的示意圖。

圖4為圖3的電子裝置沿線II-II的剖面示意圖。

圖5為本揭露一些實施例的電子裝置的局部示意圖。

圖6為圖5的電子裝置沿線III-III的剖面示意圖。

通過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及為了附圖的簡潔，本揭露中的多張附圖只繪出電子裝置的一部分，且附圖中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。

本揭露通篇說明書與所附的請求項中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子設備製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。

在下文說明書與請求項中，「含有」與「包括」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為...」之意。

應瞭解到，當元件或膜層被稱為「設置在」另一個元件或膜層「上」或「連接到」另一個元件或膜層時，它可以直接在此另一元件或膜層上或直接連接到此另一元件或膜層，或者兩者之間存在有插入的元件或膜層(非直接情況)。相反地，當元件被稱為「直接」在另一個元件或膜層「上」或「直接連接到」另一個元件或膜層時，兩者之間不存在有插入的元件或膜層。當元件或膜層被稱為「電連接」到另一個元件或膜層時，其可解讀為直接電連接或非直接電連接。

術語「大約」、「等於」、「相等」或「相同」、「實質上」或「大致上」一般解釋為在所給定的值的正負20%範圍以內，或解釋為在所給定的值的正負10%、正負5%、正負3%、正負2%、正負1%或正負0.5%的範圍以內。

雖然術語「第一」、「第二」、「第三」...可用以描述多種組成元件，但組成元件並不以此術語為限。此術語僅用於區別說明書內單一組成元件與其他組成元件。請求項中可不使用相同術語，而依照請求項中元件宣告的順序以第一、第二、第三...取代。因此，在下文說明書中，第一組成元件在請求項中可能為第二組成元件。

本揭露中所敘述之電性連接或耦接，皆可以指直接連接或間接連接，於直接連接的情况下，兩電路上元件的端點直接連接或以一導體線段互相連接，而於間接連接的情况下，兩電路上元件的端點之間可具有開關、二極體、電容、電感、電阻、其他適合的元件、或上述元件的組合，但不限於此。

在本揭露中，長度、寬度、厚度、高度或面積、或元件之間的距離或間距的量測方式可以是採用光學顯微鏡(optical microscopy，OM)、掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope，SEM)、薄膜厚度輪廓測量儀(α-step)、橢圓測厚儀、或其它合適的方式量測而得，詳細而言，根據一些實施例，可使用掃描式電子顯微鏡取得包括欲量測的元件的剖面結構影像，並量測各元件的寬度、厚度、高度或面積、或元件之間的距離或間距，但不以此為限。另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。

另外，本揭露中所提到的術語“等於”、“相等”、“相同”、“實質上”、“約”或“大致上”通常代表落在給定數值或範圍的10%之內、5%之內、3%之內、2%之內、1%之內、或0.5%之內的範圍。此外，用語“給定範圍為第一數值至第二數值”、“給定範圍落在第一數值至第二數值的範圍內”表示所述給定範圍包括第一數值、第二數值以及它們之間的其它數值。若第一方向垂直於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於80度至100度之間；若第一方向平行於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於0度至10度之間。

除非另外定義，在此使用的全部用語(包含技術及科學用語)可具有與本揭露所屬技術領域的技術人員通常理解的相同涵義。能理解的是，這些用語例如在通常使用的字典中定義用語，應被解讀成可具有與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本揭露實施例有特別定義。

在本揭露中，電子裝置可包括顯示裝置、感測裝置或拼接裝置，但不以此為限。電子裝置可為可彎折或可撓式電子裝置。顯示裝置可為非自發光型顯示裝置或自發光型顯示裝置。感測裝置可為感測電容、光線、熱能或超聲波的感測裝置，但不以此為限。在本揭露中，電子元件可包括被動元件與主動元件，例如電容、電阻、電感、二極體、電晶體等。二極體可包括發光二極體或光電二極體。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot LED)，但不以此為限。在本揭露中，顯示面板可包括自發光或非自發光面板。自發光面板例如包括有機發光二極體(OLED)、次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(QD LED)，但不以此為限。非自發光面板例如包括液晶、或其他合適材料。需注意的是，電子裝置可為前述之任意排列組合，但不以此為限。下文將以拼接裝置來說明本揭露內容，但本揭露不以此為限。

須說明的是，下文中不同實施例所提供的技術方案可相互替換、組合或混合使用，以在未違反本揭露精神的情况下構成另一實施例。

圖1為本揭露一實施例的電子裝置的示意圖。圖2為圖1 的電子裝置沿線I-I的剖面示意圖。如圖1與圖2所示，電子裝置100包括電路板110、多個半導體元件120、第一光反射結構130與第二光反射結構140。電路板110包括基板112。基板112可例如包括可撓基板或不可撓基板。基板112的材料可例如包括玻璃(glass)、陶瓷(ceramic)、石英(quartz)、藍寶石(sapphire)、壓克力(acrylic)、聚醯亞胺(polyimide,PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、其他合適的材料或上述的組合，但不以此為限。

具體而言，基板112可具有第一表面112T、第二表面112B以及至少一側面112S，其中第一表面112T與第二表面112B彼此相對而側面112S連接於第一表面112T與第二表面112B之間。在一些實施例中，第一表面112T與第二表面112B可以平行於X軸與Y軸構成的平面，而側面112S可以沿Z軸(基板的法線方向)延伸，但不以此為限。多個半導體元件120設置於基板112上，且具體的設置於基板112的第一表面112T上。第一光反射結構130也設置於基板112的第一表面112T上。第二光反射結構140則設置於基板112的第一表面112T以及側面112S上。如圖1及圖2所示，基板112的四周(四個側邊)於第一表面112T上可設置第一光反射結構130及第二光反射結構140，於側面112S可設置第二光反射結構140。在一些實施例中，第二光反射結構140可以位於基板112的至少一側邊，且可包括第一表面112T的至少一部分與側面112S。在一些實施例中，基板112的第一表面112T的至少一部分上以及側面112S可被反射結構覆蓋。在一些實施例中，半導體元件120可具有發光功能時，半導體元件120發出的光線可以被第一光反射結構130與第二光反射結構140反射而更有效的被利用。因此，電子裝置100可以具備良好的光利用效率。電路板110的基板112在一些實施例中可包括多層導電線路層(未示出)與多層絕緣層(未示出)。舉例而言，電路板110可以為多層電路板，但不以此為限。導電線路層用於傳遞電力和/或對應電訊號給半導體元件120以驅動半導體元件120，例如讓半導體元件120發光，但不以此為限。絕緣層則用於分隔不同導電線路層以避免不要的短路。另外，電路板110可具有用於與半導體元件120接合的接墊114，且接墊114位於基板112的第一表面112T上。在一些實施例中，第一光反射結構130的光反射率例如大於第二光反射結構140的光反射率。在一些實施例中，第一光反射結構130的光反射率例如為70%至99%。在一些實施例中，第二光反射結構140的光反射率例如為63%至98%。

半導體元件120可通過覆晶接合、打線接合或是其他可替代的接合方式接合至接墊114。如此，半導體元件120可電性連接電路板110中的導電線路層。在一些實施例中，半導體元件120可包括半導體晶片，例如發光二極體晶片，但不以此為限。在一些實施例中，還可包含反射牆(未圖示)，其中反射牆設置於半導體元件120的兩側邊可反射半導體元件120兩側邊的光，但不以此為限。在另一些實施例中，半導體元件120可以包括封裝元件，其包括半導體晶片以及包封半導體晶片的封裝材料。半導體元件120在本實施例中例如為發光元件。半導體元件120的發光色彩可以由半導體晶片的發光特性決定或是半導體晶片與光轉換材料(或是彩色濾光材料)的光特性決定。半導體元件120的發光色彩例如包括紅色、藍色、綠色、黃色、青色、白色等。另外，電路板110上的多個半導體元件120可以具有不同發光色彩或是相同發光色彩。如此，電子裝置100可以為發光裝置、顯示裝置或是其他具備發光作用的裝置。在一些實施例中，半導體元件120除了半導體晶片外，還可包括二極體、薄膜電晶體等，但不以此為限。在一些實施例中，還可包含驅動晶片(未圖示)以及半導體元件120，其中驅動晶片電連接至半導體元件120。

如圖1及圖2所示，第一光反射結構130設置於第一表面112T上且可沿著第一表面112T分布於半導體元件120之間。第一光反射結構130可以至少部分的不重疊半導體元件120。在一些實施例中，第一光反射結構130可以覆蓋第一表面112T的大部分面積，且可具有多個開口130P。開口130P可以露出基板112上的接墊114，且半導體元件120則對應的設置於開口130P中並與接墊114連接。第一光反射結構130的材質包括壓克力類的樹脂材料，例如無溶劑白色樹脂，但不以此為限。在一些實施例中，第一光反射結構130可覆蓋半導體元件120的至少兩側(例如：左右和或/前後兩側等側邊)，但不以此為限。第一光反射結構130例如為白色，且可具有良好的光反射性質，可將半導體元件120發出的光線反射出去，可有助於提高電子裝置100的光利用率。在一些實施例中，第一光反射結構130可理解為白漆、白膠或類似材料。第一光反射結構130的光反射率例如約為70%至99%。在一些實施例中，第一光反射結構130可具有高遮蔽性(例如可具有高的光學密度)。在一些實施例中，第一光反射結構130可採用塗布、印刷等方式形成於基板112的第一表面112T上。在一些實施例中，第一光反射結構130可進一步以光或熱等方式乾燥及固化。

在一些實施例中，電路板110可以由大尺寸的母電路板(未示出)切割而成。舉例而言，電路板110的製作方式可包括先以塗佈或是印刷等方式將第一光反射結構130形成於母電路板上，再切割母電路板以獲得需要尺寸的電路板110。如此，第一光反射結構130的側面130S可以大致與基板112的側面112S對齊。在一些實施例中，電路板110與第一光反射結構130可以採用其他可替代的方式製作。在一些實施例中，第一光反射結構130的側面130S可以相對基板112的側面112S內縮，而局部的露出基板112的第一表面112T的周邊部分。在一些實施例中，第一光反射結構130可以由基板112的第一表面112T延伸至側面112S而局部的覆蓋側面112S。另外，在一些實施例中，將第一光反射結構130形成於母電路板上之後可以先將半導體元件120接合至電路板110上再由母電路板切割出獨立的電路板110。在一些實施例中，半導體元件120的接合可在母電路板的切割之後進行。

第二光反射結構140設置於第一表面112T以及側面112S 上。第二光反射結構140大致沿著電路板110的周邊設置，而圍繞電路板110，如圖1所示，但不以此為限。在電路板110可具有多邊形形狀時，第二光反射結構140可選擇性的沿著電路板110的其中一邊緣、其中數個邊緣、或所有的邊緣而設置。在一些實施例中，第二光反射結構140可選擇性的沿著其中一邊緣的部份區段設置。舉例而言，電路板110的其中一邊緣可包括被第二光反射結構140覆蓋的區段以及不被第二光反射結構140覆蓋的區段。由圖2可知，第二光反射結構140可以重疊第一光反射結構130並且由第一光反射結構130上向外延伸至電路板110的未被第一光反射結構130覆蓋的部分。舉例而言，第一光反射結構130未覆蓋電路板110的側面112S，而第二光反射結構140覆蓋電路板110的側面112S。在一些實施例中，第二光反射結構140可甚至延伸至基板112的第二表面112B，而將側面112S完全包覆，但不以此為限。

在本實施例中，第二光反射結構140的製作方式可以是沿著電路板110的周邊塗布或是印刷光反射材料。第二光反射結構140的材質包括壓克力類的樹脂材料，例如無溶劑白色樹脂，但不以此為限。第二光反射結構140例如為白色，且可具有良好的光反射性質。在一些實施例中，第二光反射結構140可理解為白漆、白膠或類似材料。在一些實施例中，第一光反射結構130與第二光反射結構140可包括相同材料。在一些實施例中，第一光反射結構130與第二光反射結構140可包括不同材料。第二光反射結構140的光反射率例如約為63%至98%，但不以此為限。

在一些實施例中，第一光反射結構130的光反射率可大於第二光反射結構140的光反射率，但不以此為限。在一些實施例中，第一光反射結構130與第二光反射結構140的光反射率的差值小於等於20%(例如：20%、18%、15%、10%、8%、5%、3%等)。舉例而言，以R表示光反射率時，第一光反射結構130與第二光反射結構140的光反射率可符合以下關係：(R第一光反射結構-R第二光反射結構)

20%。在一些實施例中，第一光反射結構130的光反射率約為70%至80%，且第二光反射結構140的光反射率約為63%至78%。在一些實施例中，第一光反射結構130的光反射率為81%至90%，且第二光反射結構140的光反射率約為75%至88%。在一些實施例中，第一光反射結構130的光反射率約為91%至99%，且第二光反射結構140的光反射率約為85%至98%。在一些實施例中，第一光反射結構130的光反射率約為70%至99%，且第二光反射結構140的光反射率約為63%至98%。

光反射率可使用高性能分光色差儀(ColorQuest XE)來量測，但不以此為限。高性能分光色差儀(ColorQuest XE)的量測可符合：CIE 15：2004、ISO 7724/1、ASTM E1164、DIN 5033 Teil 7和JIS Z 8722條件C等標準。在一些實施例中，第一光反射結構130的光反射率可以使用高性能分光色差儀量測第一表面112T上的三至五個點並求取這些量測點的平均值而獲得，但不以此為限。第二光反射結構140的光反射率的量測方式可以先將多個電子裝置100疊置，使多個電子裝置100的第二光反射結構140並排而構成足够的量測面積，再使用高性能分光色差儀測量量測面積上的三至五個點再求取這些量測點的平均值而獲得，但不以此為限。不過，光反射率的量測方式及量測儀器不以上述方式為限。

第二光反射結構140在圖2的剖面結構中可以具有輪廓面R140，且輪廓面R140為弧狀，但不以此為限。輪廓面R140與基板112之間的最大距離可視為第二光反射結構140的厚度T140。在一些實施例中，第二光反射結構140的厚度T140大於第一光反射結構130的厚度T130。另外，第二光反射結構140在基板112的側面112S的部分(例如T140)可比在基板112的第一表面112T的部分(例如H140)更厚，但不以此為限。在一些實施例中，第二光反射結構140可以不重疊半導體元件120，其中第二光反射結構140在第一表面112T上自基板112的側面112S朝半導體元件120延伸的最大延伸寬度S，可不超過半導體元件120與基板112的側面112S之間在第一表面112T上的最小距離D。在一些實施例中，最大延伸寬度S與最小距離D可符合以下關係：0.01mm

S

D-0.1mm。另外，第二光反射結構140在第一表面112T上沿Z軸遠離基板112凸出的最大高度H140可不大於半導體元件120在第一表面112T上沿Z軸遠離基板112凸出的最大高度H120(也就是說，H140

H120)。如圖2所示，第二光反射結構140可以在第一表面112T上覆蓋第一光反射結構130且可以覆蓋第一光反射結構130的側面130S。由於第一光反射結構130覆蓋第一表面 112T的大部分面積，而第二光反射結構140覆蓋第一表面112T的周邊以及側面112S，第一光反射結構130與第二光反射結構140可反射半導體元件120發出的光線，可達到良好的光線利用率。在一些實施例中，第二光反射結構140可進一步以光或熱等方式乾燥及固化。

圖3為本揭露一實施例的電子裝置的示意圖，而圖4為圖3的電子裝置沿線II-II的剖面示意圖。在圖3與圖4中，電子裝置200包括多個電路板110，且各電路板110與另一電路板110在側向方向，例如X軸或Y軸的方向上彼此拼接。如圖4所示，各個電路板110上設置了多個半導體元件120、第一光反射結構130與第二光反射結構140。具體而言，電子裝置200可以是由多個上述的電子裝置100拼接而成。在此，電路板110、半導體元件120、第一光反射結構130與第二光反射結構140的配置關係、結構、材質及製作方式可參照上述圖1與圖2的相關說明，而不另重述。在本實施例中，相鄰兩個電路板110之間有間隙G，且設置於各電路板110的第二光反射結構140位於間隙G中。相鄰兩個電路板110上的第二光反射結構140彼此接觸，但不以此為限。在各電路板110邊緣，第二光反射結構140的輪廓面R140為弧狀。因此，相鄰兩個第二光反射結構140可以構成圖4中呈現的雙弧型輪廓面，但不以此為限。在一些實施例中，相鄰兩個第二光反射結構140可完全填滿間隙G，但不以此為限。在一些實施例中，相鄰兩個第二光反射結構140在間隙G中的沿著X軸量測的寬度(也就是從各電路板110向相鄰電路板110凸出的寬度)可以相同或是不同。在一些實施例中，有複數個間隙G其中間隙G的沿著X軸方向量測的寬度或沿著Y軸方向量測的寬度可以相同或是不同。

半導體元件120例如是發光元件，當其發出光線時，第二光反射結構140可在相鄰兩個電路板110之間的間隙G處反射光線。因此，電子裝置200在間隙G處不容易有暗紋，可提供均勻的發光效果。當各電路板110為多邊形時，第二光反射結構140可選擇性的僅沿著電路板110的部份邊緣設置或是沿著電路板110的所有邊緣設置。在一些實施例中，第二光反射結構140可選擇性的僅沿著各電路板110與其他電路板110相鄰的邊緣設置，而各電路板110不與其他電路板110相鄰的邊緣可省略第二光反射結構140，但不以此為限。另外，電子裝置200可具有的電路板110的數量可依據使用需求而調整。

圖5為本揭露一實施例的電子裝置的局部示意圖，而圖6為圖5的電子裝置沿線III-III的剖面示意圖。在圖5與圖6中電子裝置300包括多個電路板110，且相鄰兩個電路板110在側向方向，例如X軸或Y軸的方向，彼此拼接。如圖6所示，各個電路板110上設置了多個半導體元件120與第一光反射結構130。在此，電路板110、半導體元件120與第一光反射結構130的配置關係、結構、材質及製作方式可參照上述圖1與圖2的相關說明，而不另重述。在本實施例中，相鄰兩個電路板110之間存在間隙 G，且電子裝置300包括延伸至間隙G的第二光反射結構340。

在本實施例中，電子裝置300的製作方法可包括將電路板110彼此並排且固定住，使相鄰兩個電路板110之間可具有間隙G，再於間隙G設置第二光反射結構340。第二光反射結構340的材質可類似於前述實施例的第二光反射結構140，例如壓克力系的樹脂材料。在一些實施例中，第二光反射結構340的光反射率例如約為63%至98%。在一些實施例中，第一光反射結構130的光反射率約為70%至99%。在一些實施例中，第一光反射結構130的光反射率可以大於第二光反射結構340的光反射率。在一些實施例中，第一光反射結構130的光反射率約為70%至80%，且第二光反射結構340的光反射率約為63%至78%。在一些實施例中，第一光反射結構130的光反射率約為81%至90%，且第二光反射結構340的光反射率約為75%至88%。在一些實施例中，第一光反射結構130的光反射率約為91%至99%，且第二光反射結構340的光反射率約為85%至98%。在一些實施例中，第一光反射結構130的光反射率約為70%至99%，且第二光反射結構340的光反射率約為63%至98%。

如圖6所示，第二光反射結構340可以局部覆蓋對應的電路板110的基板112的第一表面112T上的第一光反射結構130。第二光反射結構340可以延伸至相鄰兩個電路板110的間隙G中且接觸對應基板112的側面112S。第二光反射結構340可以可具有輪廓面R340，且輪廓面R340為弧狀，但不以此為限。輪廓面R340可以是與相鄰兩個電路板110接觸的弧面，但不以此為限。第二光反射結構340在第一表面112T上沿Z軸遠離電路板110的基板112凸出的最大高度H340可不大於半導體元件120在第一表面112T上沿Z軸遠離基板112凸出的最大高度H120(也就是說，H340

H120)。在一些實施例中，第二光反射結構340可以更延伸到基板112的第二表面112B。半導體元件120例如是發光元件，當其發出光線時，第二光反射結構340可在相鄰兩個電路板110之間的間隙G處反射光線，可避免間隙G處相對較暗而產生暗紋的情形。因此，本揭露的電子裝置300可具有均勻的發光效果。另外，電子裝置300可具有的電路板110的數量可依據使用需求而調整。

在一些實施例中，數個電路板110可以由大尺寸的母電路板(未示出)切割而成，且舉例而言，母電路板上可先塗有第一光反射結構130再切割出對應的電路板110。在一些實施例中，電路板110的基板112的側面112S以及第一光反射結構130的側面130S可以彼此切齊。在一些實施例中，由母電路板切割出個別電路板110之前或之後可以將半導體元件120接合至對應的電路板110上。接著，將切割完成的電路板110拼接在一起。在一些實施例中，可以將數個電路板110分別固定於背板或是框架上，使得電路板110彼此並排可相隔有間隙G。之後，沿著間隙G設置第二光反射結構340。第二光反射結構340的形成方式可包括塗佈、印刷等。第二光反射結構340可以重疊相鄰兩個電路板110且延伸到間隙G中。第二光反射結構340可進一步以光或熱等方式乾燥及固化。當電路板110為多邊形時，第二光反射結構340可選擇性的僅沿著電路板110的部份邊緣設置或是沿著電路板110的所有邊緣設置。在一些實施例中，第二光反射結構340可選擇性的僅沿著各電路板110與其他電路板110相鄰的邊緣設置，而各電路板110不與其他電路板110相鄰的邊緣可省略第二光反射結構340，但不以此為限。

綜上所述，本揭露實施例的電子裝置將第一光反射結構設置於電路板的第一表面且將第二光反射結構設置於電路板的第一表面及側面。如此一來，設置於電路板第一表面的半導體元件所發出的光線可以在第一表面以及側面被反射。當電子裝置以多個電路板拼接而成時，相鄰電路板之間的間隙中設置有第二光反射結構，而不容易在間隙處産生局部暗區(或是暗紋)。本揭露的電子裝置可利用拼接多個電路板的方式來實現不同尺寸的設計需求，而可具有均勻的發光效果。舉例而言，拼接多個電路板時，電路板之間的拼接間隙處可因為第二光反射結構的設置而不易有暗紋產生。