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TWI844566B - 真空處理裝置及基板搬送方法 - Google Patents

真空處理裝置及基板搬送方法 Download PDF

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TWI844566B
TWI844566B TW108133751A TW108133751A TWI844566B TW I844566 B TWI844566 B TW I844566B TW 108133751 A TW108133751 A TW 108133751A TW 108133751 A TW108133751 A TW 108133751A TW I844566 B TWI844566 B TW I844566B
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若林真士
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

在真空氛圍下對基板進行處理之真空處理裝置中，防止裝置之設置區域的增加。
在處理模組中於俯視觀察下將基板左右排列配置以總括處理來達成高產率化時，裝載互鎖模組會與處理模組同樣地以於俯視觀察下將基板左右排列配置的方式來加以構成。然後，以從此裝載互鎖模組的左右一邊側來延伸於裝載互鎖模組下方側，而橫跨至左右之另邊側的方式來設置常壓搬送室，以讓常壓搬送室之基板搬送區域與裝載互鎖模組下上重疊。進一步地藉由常壓搬送機構，在裝載互鎖模組左右處，相對於搬出入埠的載具來進行晶圓W之收授。

Description

真空處理裝置及基板搬送方法
本揭露係關於一種基板處理裝置及搬送基板之技術。
在半導體元件之製造工序中進行真空處理的真空處理裝置係具備會切換為常壓氛圍與真空氛圍的裝載互鎖模組，並會透過常壓搬送室來將被收納於搬送容器而被搬送之半導體晶圓(以下稱為「晶圓」。)搬送至裝載互鎖模組。然後，在將裝載互鎖模組從常壓氛圍切換為真空氛圍後，透過真空搬送室來分別將晶圓搬送至例如複數真空處理部。
例如專利文獻1記載有一種在具備有處理水平排列之2片晶圓W的處理模組的真空處理裝置中，將2片基板左右排列而配置在會切換常壓氛圍與真空氛圍之裝載互鎖模組的構成。此真空處理裝置係以可藉由搬送臂而在裝載互鎖模組及處理模組之間總括地收授2片晶圓的方式來加以構成。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2013-171872號公報
本揭露係在此般情況下所完成者，提供一種在真空氛圍下對基板進行處理之真空處理裝置中，防止裝置之設置區域的增加之技術。
本揭露之真空處理裝置，係具備：
裝載互鎖模組，係具備：
框體，係內部可自由切換常壓氛圍與真空氛圍，具備：第1基板搬送口，係分別形成在左右處並可自由開閉；以及第2基板搬送口，係形成於後方，並可自由開閉；以及複數基板保持部，係在該框體內分別於左右處保持基板；
真空氛圍之真空搬送室，係連接於該框體後方，並使該第2基板搬送口呈開口；
處理模組，係連接於該真空搬送室，並用以將該基板真空處理；
真空搬送機構，係在該裝載互鎖模組與該搬送室與該處理模組之間搬送該基板；
常壓氛圍之常壓搬送室，係以使各該第1基板搬送口呈開口之方式來橫跨該框體之上方或下方，而從該框體之左右一邊朝另邊橫跨形成，並具備會重疊於該框體，且為該基板的搬送區域的層積搬送區域；
複數搬出入埠，係分別設置於該常壓搬送室之外側左右處，且會搬出入儲存有該基板之搬送容器；以及
常壓搬送機構，係經由該層積搬送區域來在被搬入至該各搬出入埠之該搬送容器與該各基板保持部之間搬送該基板。
根據本揭露，便可在真空氛圍下對基板進行處理之真空處理裝置中，防止裝置之設置區域的增加。
1:搬出入埠
2:常壓搬送室
3A、3B:裝載互鎖模組
6:處理模組
4A:第1常壓搬送機構
4B:第2常壓搬送機構
38A、38B:晶圓保持部
9:真空搬送室
51:真空搬送機構
20:對位模組
21A、21B:冷卻模組
W:晶圓
圖1係顯示第1實施形態相關之真空處理裝置的俯視圖。
圖2係常壓搬送室一部分的俯視圖。
圖3係常壓搬送室之縱剖面圖。
圖4係裝載互鎖模組之俯視圖。
圖5係顯示裝載互鎖模組之基板載置部的立體圖。
圖6係顯示對位模組之立體圖。
圖7係顯示處理模組之縱剖面圖。
圖8係顯示第1實施形態之作用的說明圖。
圖9係顯示第1實施形態之作用的說明圖。
圖10係顯示第1實施形態之作用的說明圖。
圖11係顯示第1實施形態之作用的說明圖。
圖12係顯示第1實施形態之作用的說明圖。
圖13係顯示第1實施形態之作用的說明圖。
圖14係顯示第2實施形態相關之真空處理裝置的俯視圖。
圖15係常壓搬送室之縱剖面圖。
[第1實施形態]
就一實施形態相關之真空處理裝置來加以說明。如圖1~圖3所示，此真空處理裝置係具備：矩形常壓搬送室2，係藉由清淨空氣(一範例中為乾燥空氣)來使其內部氛圍成為常壓氛圍(在空氣的情況亦可稱為大氣氛圍)，且延伸於左右方向。
又，真空處理裝置係具備會上下層疊的2台裝載互鎖模組3A、3B，常壓搬送室2會橫跨裝載互鎖模組3A、3B的下方而從該裝載互鎖模組3A、3B的左右一邊朝另邊橫跨來加以形成。
又，常壓搬送室2內之裝載互鎖模組3A、3B下方之區域係成為會搬送為基板之晶圓W的搬送區域。與該裝載互鎖模組3A、3B層疊的搬送區域會相當於層疊搬送區域。裝載互鎖模組3A、3B下方之區域係設置有相當於載置部之冷卻模組21A、21B以及對位模組20。
在常壓搬送室2前方側係設置有用以載置載具C(晶圓W之搬送容器)的4台搬出入埠1A~1D。其後便將搬出入埠1A~1D側作為前方，將常壓搬送室2側作為後方來加以說明。搬出入埠1A~1D從前方來觀察時係於裝載互鎖模組3A、3B左右所遠離的位置，分別在左右處各配置有2台，且會從左側朝向右側依1A、1B、1C、1D的順序來進行搬送。又，搬出入埠1A~1D如圖3所示，係以將搬出入埠1A~1D所載置的載具C成為會在裝載互鎖模組3A,3B、冷卻模組21A,21B以及對位模組20之間的高度位置之方式來加以設置。另外，圖1、2中之符號11係會與載具C之蓋部一同開啟的門。
又，如圖3所示，在夾置常壓搬送室2中之冷卻模組21A,21B、對位模組20及裝載互鎖模組3A,3B的左右區域之底部係分別設置有第1常壓搬送機構4A、第2常壓搬送機構4B。從前方觀察下，係分別在左側配置有第1常壓搬送機構4A，在右側配置有第2常壓搬送機構4B。第1常壓搬送機構4A係在搬出入埠1A~1D中專用於搬出入埠1A、1B所搬送之載具C的晶圓W之收授。第2常壓搬送機構4B係在搬出入埠1A~1D中專用於搬出入埠1C、1D所搬送之載具C的晶圓W之收授。
由於第1常壓搬送機構4A及第2常壓搬送機構4B係大致相同之構成，故以第1常壓搬送機構4A為範例來加以說明。第1常壓搬送機構4A係構成為會將透過未圖示之旋轉軸所連接的下段臂部41、上段臂部42連結的關節臂。進一步地，保持晶圓W之叉狀的2根支撐叉部43會透過旋轉軸來連接於上段臂部42前端。2根支撐叉部43會以彼此獨立轉動之方式來加以構成，且可在各前端側保持1片晶圓W。
如圖3所示，第1常壓搬送機構4A係具備被固定在常壓搬送室2底面的基台40。基台40係具備：下段構件40A；中段構件40B，係以從下段構件40A上面出沒的方式來加以設置；以及上段構件40C，係以從中段構件40B上面出沒的方式來加以設置，在上段構件40C上面自由轉動地連接有下段臂部41之基端側。然後，藉由中段構件40B及上段構件40C會分別從下段構件40A及中段構件40B出沒來改變基台40之高度，而可改變支撐叉部43之高度位置。另外，支撐叉部43之高度位置會藉由基台40之伸縮，而可從較能將晶圓W收授至下述對位模組20及冷卻模組21A,21B的高度位置要低之位置改變至能將晶圓W收授至上側裝載互鎖模組3A的高度位置。
接著，便就裝載互鎖模組3A、3B來加以說明。由於裝載互鎖模組3A、3B幾乎構成為相同，故以上側裝載互鎖模組3A為範例來加以說明。裝載互鎖模組3A係具備可將內部自由切換為常壓氛圍與真空氛圍之框體30。如圖1、圖4所示，框體30係形成為扁平矩形狀，框體30之前壁、後壁係形成為會分別大致對齊於常壓搬送室2之前壁、後壁。
框體30內係設置有會以排列於左右2列、前後2列以分別保持2片晶圓W之方式來構成的4個架部38。各架部38如圖5所示，係具備會藉由從框體 30底面突出至上方的3根支撐銷35來從下方支撐晶圓W周緣之下段側的晶圓保持部38B。又，架部38係具備會在藉由從框體30底面所設置之台座部36上面來水平延伸的3根支撐樑37而被保持在下段側之晶圓保持部38B的晶圓W上方處，支撐晶圓W周緣下部之上段側的晶圓保持部38A。各支撐樑37會在其前端支撐晶圓W周緣，並以使支撐樑37前端部對齊於支撐銷35上方的方式來加以配置。
框體30左側面係從前方來觀察時會在被保持於左側架部38的晶圓W所對應的位置形成有使第1常壓搬送機構4A進入之左側搬送路徑31A。又，框體30右側面係從前方來觀察時會在被保持於右側架部38的晶圓W所對應的位置形成有使第2常壓搬送機構4B進入之右側搬送路徑31B。左側搬送路徑31A及右側搬送路徑31B係分別設置有閘閥32A及32B。從而，藉由閘閥32A及32B來分別進行左側搬送路徑31A、右側搬送路徑31B的開閉。左側搬送路徑31A及右側搬送路徑31B係相當於第1基板搬送口。又，框體30後側之側面係形成有會與下述真空搬送室9連結，而使設置於真空搬送室9之真空搬送機構51進入的後側搬送路徑33。後側搬送路徑33係設置有閘閥34。後側搬送路徑33係相當於第2基板搬送口。從而，藉由閘閥34，便可進行後側搬送路徑33之開閉。
以下，在無特別記載的情況，關於左側、右側便是從前方來觀察時的左側、右側。上述晶圓保持部38A、38B中，關於左側之晶圓保持部38A、38B係藉由第1常壓搬送機構4A來進行晶圓W之收授，而關於右側之晶圓保持部38A、38B係藉由第2常壓搬送機構4B來進行晶圓W之收授。藉由讓第1常壓搬送機構4A及第2常壓搬送機構4B之支撐叉部43相對於晶圓保持部38B來升降，便可在支撐叉部43與晶圓保持部38A、晶圓保持部38B之間分別收授晶圓W。如此般，為了在框體30內分別將晶圓W收授至晶圓保持部38A、38B，便會將支撐叉部43 所升降之位置作為晶圓W之收授位置。如圖4所示，3根支撐樑37係以讓支撐叉部43進入至晶圓W之收授位置，而在升降時讓支撐樑37與支撐叉部43彼此不會干擾的方式來加以設置。又，由於支撐銷35係以分別對齊於支撐樑37前端部下方之方式來加以配置，故在晶圓W之收授位置使支撐叉部43升降時，支撐銷35與支撐叉部43便不會互相干擾。另外，由於從真空搬送室9所搬送之晶圓W會先進行成膜處理而有成為粒子產生源之虞，故上段側之晶圓保持部38A會保持從常壓搬送室2所搬送的晶圓W，而下段側之晶圓保持部38B則會保持從下述真空搬送室9所搬送之晶圓W。
進一步地，各裝載互鎖模組3A係在前側之側面具備排氣口300及氣體供給口301。排氣口300係從常壓搬送室2之前側來連接有排氣管302一端，排氣管302另端係連接有用以將框體30內切換為真空氛圍的真空排氣機構303。又，氣體供給口301係從框體30前側來連接有氣體供給管304一端，氣體供給管304另端係連接有用以將氮氣供給至框體30內，而將框體30內切換為常壓氛圍的氮氣供給部305。
接著，就對位模組20來加以說明。對位模組20如圖2所示，係被設置於靠近裝載互鎖模組3B之下後方的位置。如圖6所示，對位模組20係於上下設置有2個會分別將2片晶圓W上下保持並定位的對位機構20A、20B。之後，便將上方側對位機構記載為20A，將下方側對位機構記載為20B。對位機構20A、20B會彼此構成為相同，作為代表便就對位機構20A來加以說明。對位機構20A係具備會在上下分隔出間隔，並以俯視觀察下會互相重疊之方式來設置之晶圓W之載置部111、112。
如圖6所示，載置部111、112會分別透過未圖示之旋轉軸，來被框體119所支撐。框體119係具備垂直部119A以及從垂直部119A來水平延伸出上下2段的水平部119B，載置部111、112會分別被水平部119B的下段、上段所支撐。框體119內係設置有未圖示之滑輪、時規皮帶以及馬達，並構成為透過旋轉軸來使載置部111、112繞垂直軸旋轉。
圖6中121係光檢測部，朝構成該光檢測部121之側邊突出的2個突出片部會以於上下方向夾置分別被載置於載置部111、112的晶圓W周緣部之方式來加以形成。此2個突出片部會互相成對而構成穿透型光感應器，上側突出片部會成為投光部，下側突出片部則會成為感光部，而從投光部朝感光部來將光線照射至垂直下方。
在利用載置部111、112的晶圓W之旋轉中，會進行此光照射以檢測晶圓W位置。會有將該檢測作為定位之情況。在如此般所檢測出之晶圓W的位置係包含有例如形成在晶圓W周緣部之切凹部(凹口)的位置及晶圓W周緣部的位置。此對位機構20A、20B的載置部111、112都會以從第1常壓搬送機構4A、第2常壓搬送機構4B兩者來收授晶圓W之方式來被配置於常壓搬送室2左右處的中心部。就如上述般經位置檢測後的晶圓W，第1常壓搬送機構4A、第2常壓搬送機構4B會以在支撐叉部43上朝向既定方向，並位在既定位置的方式來收取晶圓W(定位)。
又，在常壓搬送室2內之對位模組20前側係左右排列而設置有冷卻模組21A、21B。冷卻模組21A會設置在較常壓搬送室2左右處之中心要靠左側，冷卻模組21B會設置在較常壓搬送室2左右處之中心要靠右側。冷卻模組21A、21B係具備將複數晶圓W載置於上下方向的未圖示的架狀載置部，被載置 於載置部之晶圓W會被暴露於藉由下述FFU23所形成之氣流而冷卻。左側之冷卻模組21A會藉由第1常壓搬送機構4A來進行晶圓W之收授，右側之冷卻模組21B則會藉由第2常壓搬送機構4B來進行晶圓W之收授。
在夾置常壓搬送室2之裝載互鎖模組3A、3B的左右頂面係設置有用以在常壓搬送室2內形成沉降氣流之風扇過濾單元(FFU)22。裝載互鎖模組3B下方區域會有讓設置於常壓搬送室2之頂面的FFU22所致的沉降氣流被裝載互鎖模組3A、3B所遮蔽之虞。因此，在裝載互鎖模組3B下方的常壓搬送室2的頂部係設置有將構成該常壓搬送室2氛圍之氣體供給至下方而形成沉降氣流的FFU23。
如圖1所示，裝載互鎖模組3A、3B後側係連接有使內部成為真空氛圍之真空搬送室9。真空搬送室9會構成為延伸於前後方向的概略矩形，從前方側來觀察時處理模組6會分別於前後方向排列有3台而設置在真空搬送室9之左右處。
又，如圖1所示，真空搬送室9內係設置有為多關節臂之晶圓W的真空搬送機構51。真空搬送機構51係藉由基台52、水平延伸之第1臂部53、水平延伸之第2臂部54以及晶圓支撐部55所構成。基台52係設置在框體41內之底部中於前後側的中央要靠左，並構成為可自由升降。第1臂部53係將基部側設置於基台52上，且會繞該基台52上之垂直旋轉軸來旋轉，第2臂部54係將基部側設置於第1臂部53前端部上，且會繞該第1臂部53前端部上之垂直旋轉軸來旋轉。晶圓支撐部55係具備：2個細長勺狀之支撐部本體56，係彼此平行地水平延伸；以及連接部57，係以相對於支撐部本體56之延伸方向而正交之方式來延伸於水平方向，且將2個支撐部本體56之基端彼此連接。連接部57之長度方向的中央部係被 設置於第2臂部54之前端部上，且會繞該第2臂部54前端部上之垂直旋轉軸來旋轉。
在1個支撐部本體56之前端側與基端側互相分隔有間隔來支撐晶圓W內面。從而，真空搬送機構51之晶圓支撐部55便可將4片晶圓總括地搬送。然後，如圖4所示，讓晶圓W支撐部55進入至裝載互鎖模組3A、3B內，而在晶圓W之收授位置讓晶圓支撐部55升降時，支撐樑37與晶圓支撐部53會以不會互相干擾的方式來加以配置。如上述般，由於支撐銷35會被配置在支撐樑37前端之下方，故晶圓支撐部55與支撐銷53亦會以不會互相干擾的方式來加以配置。
從而，在讓晶圓支撐部55支撐4片晶圓W的狀態下，便藉由讓晶圓支撐部55在晶圓收授位置從較支撐樑37要靠上方的位置下降至下方位置，來總括地將晶圓支撐部55所保持之4片晶圓W收授至上段側之晶圓保持部38A。又，在讓晶圓保持在上端側之晶圓保持部38A的4處之狀態下，便會藉由讓晶圓支撐部55在晶圓收授位置從較支撐樑37要靠下方的位置上升至上方位置，來總括地將上段側之晶圓保持部38A所保持之4片晶圓W收授至晶圓支撐部55。又，在下段側之晶圓保持部38B中亦同樣地於與晶圓支撐部55之間總括地收授4片晶圓W。
接著，便參照圖7之縱剖側視面就處理模組6來加以說明。6個處理模組6係藉由電漿ALD(Atomic Layer Deposition)來對晶圓W進行成膜之成膜模組，6個都會構成為相同，而可在處理模組6之間互相並行來進行晶圓W之處理。處理模組6係具備在俯視觀察下為矩形之真空容器(處理容器)61(參照圖1)，真空容器61側壁係開口出會藉由閘閥G來開閉的晶圓W之搬送口62。圖7中之符號63 係在真空容器61底面呈開口之排氣口，且會透過排氣管64來連接於真空泵65。圖7中之符號66係介設在排氣管64之壓力調整部。
真空容器61內從搬送口62來觀察，係從前方朝向內部來成為一列地依序設置會載置晶圓W之載置部67A、67B，此載置部67A、67B之列從搬送口62來觀察係左右排列設置。俯視觀察下，晶圓W在真空容器61內會被載置為2×2行列狀，共計4片，並會配合於此載置部67A、67B的間隔來設定晶圓支撐部55所支撐的4片晶圓W之間隔。圖7中之符號70係分別埋設於載置部67A、67B的加熱器，會將載置部67A、67B所載置之各晶圓W加熱至300℃~450℃。
圖7中之符號68係貫穿真空容器61底面之中央部的支柱，4個支撐臂69會從該支柱68上端來水平放射狀延伸，而從下方側來支撐載置部67A、67B。支柱68下端側係在真空容器61下方外側連接於升降機構71，藉由該升降機構71，並透過支柱68及支撐臂69來在圖7中實線所示之晶圓W的處理位置與鏈線所示之晶圓W的收授位置間升降載置部67A、67B。另外，圖7中之72係用以將真空容器61內保持氣密的密封構件。
各載置部67A、67B係形成有3個貫穿孔73，各貫穿孔73係設置有為了在與真空搬送機構51之間收授晶圓W而升降的升降銷75，並構成為可藉由升降機構74來升降。升降銷75係以不會與在將晶圓W收授至各載置部67A、67B時之晶圓支撐部55干擾的方式來加以配置。如上述，各載置部67A、67B會對齊晶圓支撐部55所保持的4片晶圓W之位置來加以配置。從而，在讓晶圓支撐部55進入至晶圓W之收授位置，並在晶圓支撐部55與升降銷之協動作用下進行晶圓W的晶圓收授時，便可在晶圓支撐部55與各載置部67A、67B之間總括地收授4片晶圓W。另外，圖7中之76係用以確保真空容器61內之氣密性的波紋管。
在真空容器61之頂部中於載置部67A及67B上方係透過絕緣構件77A來分別設置有氣體噴淋頭77。氣體噴淋頭77下面會對向於載置部67A、67B，該下面係分散配設有多數氣體噴出孔78。氣體噴淋頭7係透過匹配器701來連接有高頻電源702。又，載置台67A、67B內係埋設有未圖示之下部電極，下部電極會連接於接地電位。圖7中之符號79係氣體供給部，會將四氯化鈦(TiCl4)、氫(H2)、氨氣(NH3)、氬氣(Ar)、氮氣(N2)分別獨立供給至氣體噴淋頭77，並分別從氣體噴出口78來噴出該等氣體。
就處理模組6之晶圓W的成膜處理來加以說明，在將晶圓W載置於位在收授位置的2個載置部67A、2個載置部67B後，便會藉由加熱器70來加熱晶圓W，並使載置部67A、67B上升而移動到處理位置。接著，從氣體噴淋頭77來供給作為成膜用氣體之TiCl4氣體，而吸附於晶圓W表面。又，將作為反應氣體之Ar氣體及H2氣體供給至晶圓W。進一步地，藉由從高頻電源702來將高頻電力施加至氣體噴淋頭7與載置台67A、67B內之下部電極之間，並藉由電容耦合來將所供給之反應氣體電漿化。藉此，便會使TiCl4氣體與H2氣體被活化而反應，並在晶圓W表面成膜出Ti(鈦)層。各載置部67A、67B及對應於載置部67A、67B的氣體噴淋頭77會構成基板處理部。
如此般，將TiCl4氣體之吸附、Ar氣體及H2氣體之供給與反應氣體之電漿化一同地依序反覆複數次。藉此來反覆進行上述Ti層之形成，而成膜出具有所欲膜厚之Ti膜。
真空處理裝置如圖1所示，係具備控制部100，係控制：真空處理裝置內之晶圓W的搬送、處理模組6之成膜處理程序、裝載互鎖模組3A、3B之氛圍切換。控制部100係例如由具備未圖示之CPU與記憶體的電腦所構成，此記憶 部係記錄有處理模組6之成膜處理配方及組設有用以在該真空處理裝置中利用常壓搬送機構4A、4B及真空搬送機構51的晶圓W之搬送的步驟(命令)群之程式。此程式係儲存於例如硬碟、光碟、磁光碟、記憶卡等的記憶媒體，而可從該媒體來安裝於電腦。
接著，便就上述實施形態之作用來加以說明。圖8~圖13為了簡化，便將搬出入埠1A~1D中之搬出入埠1A、1C分別顯示在常壓搬送室2之左右處，並將對位模組20及冷卻模組21A、21B上下配置來加以顯示。搬出入埠1B、1D的圖示係為了簡化而省略。進一步地，該等圖8~圖13中，係於裝載互鎖模組3A、3B將晶圓W顯示為最多4層。關於此4層的晶圓W，上兩層之晶圓W係表示被保持在晶圓保持部38A之晶圓W，亦即模組上側的晶圓W，下兩層之晶圓W係表示被保持在晶圓保持部38B之晶圓W，亦即模組下側的晶圓W。又，圖10~13中，係對在處理模組6中進行處理後之晶圓W附上斜線。
如圖8所示，在將收納有未處理晶圓W之載具C載置於搬出入埠1A~1D時，例如從前方來觀察下，被載置於左側之搬出入埠1A、1B的載具C內的4片未處理晶圓W會藉由第1常壓搬送機構4A來取出，而搬送至對位模組20。由於對位模組20係如此般地載置有被搬送至裝載互鎖模組3A、3B的處理前之晶圓W，故相當於處理前載置部。
然後，便在對位模組20進行4片晶圓W之定位。接著，如圖9所示，在被載置於對位模組20之4片晶圓W中，例如藉由第2常壓搬送機構4B來收取被載置於上方側之對位機構20A的2片晶圓W。又，藉由第1常壓搬送機構4A來收取下方側之對位機構20B的2片晶圓W。
進一步地，便會開啟上側之裝載互鎖模組3A左右處的閘閥32A、32B。然後，讓第1常壓搬送機構4A從左側搬送路徑31A來進入至裝載互鎖模組3A，而將2片晶圓W收授至左側列的2個架部38上段側之晶圓保持部38A。讓第2常壓搬送機構4B從右側搬送路徑31B來進入至裝載互鎖模組3A，而將2片晶圓W收授至右側列的2個架部38上段側之晶圓保持部38A。如此般，由於可將進行對位後之4片晶圓W同時分別各2片搬送至第1常壓搬送機構4A與第2常壓搬送機構4B，故可縮短搬送時所耗費的時間。
在將4片晶圓W搬入至上側裝載互鎖模組3A時，第1常壓搬送機構4A及第2常壓搬送機構4B便會從裝載互鎖模組3A退出。進一步地，便關閉裝載互鎖模組3A左右處的閘閥32A、32B，而將裝載互鎖模組3A內切換為真空氛圍。然後，在切換為真空氛圍後，便開啟上側之裝載互鎖模組3A之真空搬送室9側的閘閥34，而讓真空搬送機構51進入至裝載互鎖模組3A。此時，讓真空搬送機構51之晶圓支撐部55進入至被載置於裝載互鎖模組3A之各架部38上段側的晶圓保持部38A的晶圓W下方。進一步地，藉由讓晶圓支撐部55上升，來將被載置於各晶圓保持部38A，共計4片的晶圓W總括地上抬至晶圓支撐部55。
在將連接於真空搬送室9左右處之處理模組6從前方側來分別為前段、中段及後段時，真空搬送機構51便會在收取晶圓W時，在保持有晶圓W的狀態下，進入至處理模組6，例如從前方觀察下為右側後段的處理模組6。被保持在真空搬送機構51之各晶圓W會位在分別所對應之載置部67A、67B上方，而藉由各載置部67A、67B之升降銷75與真空搬送機構51的協動作用，來將4片晶圓W總括地收授至所對應之載置部67A、67B。
又，在常壓搬送室2側，會同樣地將後續晶圓W搬送至對位模組20，且進一步地搬送至下側之裝載互鎖模組3B。然後，同樣地將裝載互鎖模組3B內切換為真空氛圍，而藉由真空搬送機構51來將裝載互鎖模組3B內之4片晶圓W搬送至處理模組6。
如此般，將晶圓W依序搬入至上側及下側的裝載互鎖模組3A、3B，再透過真空搬送室9來將晶圓W搬送至各處理模組6。然後在各處理模組6中如上述般進行晶圓W之處理。
在各處理模組6中進行晶圓W之處理後，便會開啟例如從前方側觀察下為右側後段的處理模組6之閘閥G。然後，藉由真空搬送機構51來總括地收取被載置於4個載置部67A、67B之處理完畢的晶圓W。然後，會開啟例如上側之裝載互鎖模組3A的閘閥34，而讓晶圓支撐部55進入至裝載互鎖模組3A而將4片晶圓W總括地收授至下段側之晶圓保持部38B。之後，便讓晶圓支撐部55退離至真空搬送室9，而關閉閘閥34，並將裝載互鎖模組3A內之氛圍切換為常壓氛圍。同樣地例如將從前方觀察下為左側後段的處理模組6之4片晶圓W收授至下側之裝載互鎖模組3B的下段側之晶圓保持部38B。進一步地，將裝載互鎖模組3B內之氛圍切換為常壓氛圍。
此時，在常壓搬送室2中，會將接著要進行處理之晶圓W從載具C取出，而在例如對位模組20進行對位，並成為待機狀態。
然後，如圖10所示，會與將最初之未處理晶圓W搬送至裝載互鎖模組3A時同樣，分別開啟上側之裝載互鎖模組3A左右處的閘閥32A、32B。進一步地，藉由第1常壓搬送機構4A與第2常壓搬送機構4B來將對位模組20之4片未處理晶圓W收授至裝載互鎖模組3A之上段側的晶圓保持部38A。之後，如圖11所 示，第1常壓搬送機構4A會收取被載置於裝載互鎖模組3A左側列下段側的晶圓保持部38B的2片處理完成之晶圓W。又，第2常壓搬送機構4B會收取裝載互鎖模組3A右側列下段側的晶圓保持部38B的2片處理完成之晶圓W。
然後，第1常壓搬送機構4A會將所保持之處理完成的晶圓W搬送至左側的冷卻模組21A，第2常壓搬送機構4B會將所保持之處理完成的晶圓W搬送至右側的冷卻模組21B。在從上側之裝載互鎖模組3A搬出4片處理完成之晶圓W後，上側之裝載互鎖模組3A便會關閉左右處之閘閥32A、32B，而切換為真空氛圍。之後，裝載互鎖模組3A之4片未處理晶圓W係如上述般藉由真空搬送機構51來取出，而搬送至既定處理模組6。
又，在冷卻模組21A、21B中冷卻晶圓W的期間，未處理晶圓W便會透過對位模組20來被搬送至裝載互鎖模組3B，同樣地，藉由第1常壓搬送機構4A與第2常壓搬送機構4B來將被收納於裝載互鎖模組3B的處理完成之晶圓W搬送至冷卻模組21A、21B。如此般，由於冷卻模組21A、21B會讓從裝載互鎖模組3A、3B所搬出之晶圓待機，故可說是處理後待機部，冷卻模組21A、21B係分別相當於第1處理後待機部、第2處理後待機部。
之後將晶圓W充分冷卻時，如圖12所示，第1常壓搬送機構4A便會從左側之冷卻模組21A來收取冷卻後之晶圓W，而回到搬出入埠1A、1B的載具C。又，第2常壓搬送機構4B會從右側之冷卻模組21B來收取冷卻後之晶圓W，而收授至對位模組20。之後，如圖13所示，被載置於對位模組20的處理完畢之晶圓W便會藉由第1常壓搬送機構4A來回到搬出入埠1A、1B的載具C。此時，第2常壓搬送機構4B便會在例如冷卻模組21B依序將冷卻後之晶圓W搬送至對位模組20。由於對位模組20會載置處理後之晶圓W，故相當於處理後載置部。在此 範例中，對位模組20會兼作為處理前載置部以及處理後載置部。另外，亦可分別將處理前載置部以及處理後載置部各自設置。
如此般，藉由第1常壓搬送機構4A與第2常壓搬送裝置4B，來將未處理晶圓W搬送至裝載互鎖模組3A、3B，並將被搬送至裝載互鎖模組3A、3B的處理完畢之晶圓W取出而搬送至載具C。
又，例如在取出被載置於從前方來觀察為右側之搬出入埠1C、1D的載具C所收納的晶圓W之情況，會藉由第2常壓搬送機構4B來從載具C取出晶圓W，而收授至對位模組20。之後，藉由第1常壓搬送機構4A與第2常壓搬送機構4B來從對位模組20將晶圓W搬送至各裝載互鎖模組3A、3B。又，在處理完畢之晶圓W回到載具C時，便會藉由第1常壓搬送機構4A及第2常壓搬送機構4B來從裝載互鎖模組3A分別將處理完畢之晶圓W搬送至左側及右側的冷卻模組21A、21B。之後，便藉由第1常壓搬送機構4A來將在左側之冷卻模組21A中冷卻後之晶圓W搬送至對位模組20。又，第2常壓搬送機構4B會從右側之冷卻模組21B來讓晶圓W回到被載置於右側之搬出入埠1C、1D的載具C，並讓被搬送至對位模組20之晶圓W回到被載置於右側之搬出入埠1C、1D的載具C。
如此般，藉由第1常壓搬送機構4A及第2常壓搬送機構4B來在載具C、各裝載互鎖模組3A,3B、對位模組20及冷卻模組21A,21B之間搬送晶圓W，而依序進行晶圓W之處理。
另外，如上述，在開啟為真空氛圍之裝載互鎖模組3A的真空搬送室9側之閘閥34，而搬出未處理晶圓W時，於處理模組6中晶圓W之處理結束的情況，便會以將此裝載互鎖模組3A中未處理晶圓W替換為處理完畢之晶圓W的方式來進行搬送。具體闡述此搬送動作，在一個處理模組6中讓真空搬送機構51之晶圓支 撐部55來收取處理完畢之晶圓W，而如上述，將該晶圓W載置於裝載互鎖模組3A之晶圓保持部38A。讓晶圓支撐部55暫時從裝載互鎖模組3A退離，並維持在裝載互鎖模組3A被開放於真空搬送室9下，於真空搬送室9改變晶圓支撐部55之高度。進一步地，再次進入到裝載互鎖模組3A，而從晶圓保持部38B來收取未處理晶圓W，並朝一個處理模組6或其他處理模組6搬送該晶圓W。在朝此處理模組6之搬送中，裝載互鎖模組3A會從真空搬送室9來隔離，並改變為大氣氛圍。雖已以裝載互鎖模組3A為範例來加以說明，但關於裝載互鎖模組3B亦會進行相同的搬送。
根據上述真空處理裝置，在處理模組6中將晶圓W配置為俯視觀察下為2×2行列狀而總括地處理以達成高產率化時，關於裝載互鎖模組3A、3B亦與處理模組6同樣地以將晶圓W配置為俯視觀察下為行列狀之方式來加以構成。然後，以從此裝載互鎖模組3A、3B左右的一邊側來延伸至裝載互鎖模組3A、3B下方側並橫跨於左右之另邊側的方式來設置常壓搬送室2，而使常壓搬送室2中之晶圓W的搬送區域與裝載互鎖模組3A、3B上下重疊。進一步地，可藉由第1常壓搬送室4A與第2常壓搬送室4B來在裝載互鎖模組3A、3B的左右處進行針對搬出入埠1A~1D的載具C之晶圓W的收授。
藉由此般構成，相較於相對於裝載互鎖模組3A、3B而從前方來連接常壓搬送室2般的情況，在俯視觀察時可將常壓搬送室2從設置有裝載互鎖3A、3B之區域突出於前後方向的突出量抑制為較小。藉此，便可抑制裝置整體前後寬度變大，而可抑制裝置之設置區域。進一步地，如此般，可將裝置小型化並確保在常壓搬送室2中搬送晶圓W所需要的空間及對位模組20等的各模組之設置空間。
又，如上述般，真空搬送裝置係設置有第1常壓搬送機構4A、第2常壓搬送機構4B。藉此，由於可並行進行在搬出入埠1A、1B之載具C與裝載互鎖模組3A、3B之間的晶圓W之搬送，以及在搬出入埠1A、1B之載具C與裝載互鎖模組3A、3B之間的晶圓W之搬送，故可得到更高之產率。
另外，由於上述真空搬送裝置中，係在常壓搬送室2之裝載互鎖模組3A、3B下方之搬送路徑設置有各種模組，故可更確實抑制起自常壓搬送室2之裝載互鎖模組3A、3B的左右突出量。又，會透過此模組而在裝載互鎖模組3A、3B右側(左側)與常壓搬送室2左側(右側)之搬出入埠1的載具C之間進行晶圓W之收授。從而，在各搬出入埠1A~1D與裝載互鎖模組3A、3B之間收授晶圓W時，第1常壓搬送機構4A、第2常壓搬送機構4B便無需橫越過裝載互鎖模組3A、3B下側來移動。又，第1常壓搬送機構4A、第2常壓搬送機構4B係無需將臂部延伸至從分別所對應之左側搬送路徑31A、右側搬送路徑31B來觀察為內側之架部38。
從而，便可使第1常壓搬送機構4A及第2常壓搬送機構4B的支撐叉部43及上段臂部42、下段臂部41變短。因此，便可使第1常壓搬送機構44及第2常壓搬送機構44的旋轉半徑變小，而可減少常壓搬送室2之設置區域，從而，便可更確實地抑制裝置整體之設置區域的增加。
又，本實施形態相關之真空處理裝置係將搬出入埠1設置在常壓搬送室2前方之裝載互鎖模組3A、3B之左右方向所遠離的位置。藉此，便會使構成裝載互鎖模組3A、3B的框體30前方側的側壁露出。此側壁如圖4所說明般，係將會進行供氣及排氣之配管302、304連接於框體30，並利用搬送埠1A、1B與1C、1D之間的空間來拉設該等配管。從而更確實地防止裝置之設置區域的增加，且由於無需在常壓搬送室2內拉設配管，故可將裝置構成素簡化。
又，並非一定要設置對位模組20。進一步地，亦可設置能從第1常壓搬送機構4A及第2常壓搬送機構4B之任一者來收授晶圓W的晶圓W之載置部來取代對位模組20。亦即，可設置不會進行晶圓W之定位，而僅單純進行晶圓W之載置的模組。在此般未進行定位的情況，例如關於第1常壓搬送機構4A及第2常壓搬送機構4B的支撐叉部43，便會以具備會將所保持之晶圓W的周緣從周緣側朝中心側按壓的機構之方式來加以構成。藉由此般按壓機構，便可使晶圓W之中心位置位在晶圓W保持部43之既定位置。
又，冷卻模組21A、21B亦非為必須。在此情況，便可以在裝載互鎖模組3A、3B冷卻所載置之晶圓W的方式來加以構成。具體而言，例如可在裝載互鎖模組3A、3B設置會流通有冷媒之台座來取代晶圓W保持架部38，而冷卻被載置於該台座之晶圓W。
另外，由於上述真空搬送裝置中，係在前後觀察時將處理模組6以會與常壓搬送室2重疊之方式來加以設置，故可抑制裝置左右處之寬度。又，由於搬出入埠1A~1D會被設置在常壓搬送室2前方，故可更加抑制裝置左右方向之寬度，藉此便可更加抑制裝置整體之設置區域。其中，亦可將搬出入埠1A~1D設置在常壓搬送室2之左右處。又，搬出入埠1A~1D並不限於在常壓搬送室2左右處分別設置2台之構成，亦可例如分別設置3台以上。
又，第1及第2常壓搬送機構4A、4B係可以沿著延伸於垂直方向的引導軌道而升降之方式來加以構成。在此情況，例如只要將支撐第1常壓搬送機構4A之引導軌道設置於常壓搬送室2之後方側左端，將支撐第2常壓搬送機構4B之引導軌道設置於常壓搬送室2之後方側右端的話即可。然後，只要以讓基台40沿著引導軌道而升降之方式來構成，並將下段臂部41自由旋轉地設置於基台40的話即可。
又，冷卻模組21A、21B係可構成為會藉由讓冷卻水等的冷媒流通於例如載置有晶圓W之載置台來冷卻該晶圓W。又，亦可構成為例如讓冷卻模組為1台而從第1常壓搬送機構4A及第2常壓搬送機構4B的任一者來收授晶圓W。如此般，在將冷卻模組構成為可從第1常壓搬送機構4A及第2常壓搬送機構4B的任一者來收授晶圓W的情況，便可不通過對位模組20而使在冷卻模組中冷卻後之晶圓W回到載具C，而可減少晶圓W之搬送時間。
又，裝載互鎖模組3A、3B亦可構成為將2片晶圓W左右排列配置。進一步地，亦可以從裝載互鎖模組3A、3B左右處一邊側延伸於裝載互鎖模組3A、3B上方側並橫跨左右處另邊側的方式來設置常壓搬送室2。
又，亦可讓從前方觀察下左側的架部38係收授從搬出入埠1A、1B的載具C所取出之晶圓W，從前方觀察下右側的架部38係收授從搬出入埠1C、1D的載具C所取出之晶圓W。
例如藉由第1常壓搬送機構4A來從搬出入埠1A、1B的載具C取出，而搬送至對位模組20。進一步地，藉由第1常壓搬送機構4A來收取搬送至該對位模組20之晶圓W，而收授至從裝載互鎖模組3A前方來觀察為左側的架部38。然後，藉由第2常壓搬送機構4B來從搬出入埠1C、1D之載具C取出，而搬送至對位模組20。進一步地，藉由第2常壓搬送裝置4B來收取搬送至該對位模組20之晶圓W，而收授至從裝載互鎖模組3A前方來觀察為右側的架部38。此般範例亦被包含於本揭露之範圍。
同樣地，可在將從裝載互鎖模組3A、3B左側的架部38所收取的晶圓W搬送至左側冷卻模組21A後，再回到左側搬出入埠1A、1B的載具C。然後，可在將從裝載互鎖模組3A、3B右側的架部38所收取的晶圓W搬送至右側冷卻模 組21B後，再回到右側搬出入埠1C、1D的載具C。亦即，常壓搬送室2中，並不限於進行使晶圓W從裝載互鎖模組3A、3B右側(左側)的搬送路徑來橫跨裝載互鎖模組3A、3B下方之搬送區域而移動至左側(右側)的搬送路徑之搬送。
進一步地，在一個框體30左右處設置閘閥32A、32B時，於開啟左右處之閘閥32A、32B的時點非為同時的情況，便會有在框體30內產生氣流而產生粒子之虞。因此，裝載互鎖模組3A、3B係可使該框體30內部分割為左側配置有晶圓保持部38A、B的空間以及右側配置有晶圓保持部38A、B之空間。然後，可構成為分別依各分割出之空間來切換常壓氛圍與真空氛圍。另外，在該分割出之空間會彼此左右地分離來配置的情況，亦會被包含在使框體30內部分割為左右空間之情況。
又，本揭露之真空搬送機構51係將晶圓支撐部55以2個細長勺狀之支撐部本體56及連接部57來加以構成，該2個細長勺狀之支撐部本體56係彼此平行地水平延伸，該連接部57係以相對於支撐部本體56之延伸方向而正交之方式來延伸於水平方向，且將2個支撐部本體56之基端彼此連接。因此，在將框體30內左右分隔時，亦可讓2個支撐部本體56同時分別進入至在框體30內被分割之右側空間及左側空間。從而，便可在左側晶圓保持部38A、B及右側晶圓保持部38A、B之間總括地進行晶圓W之收授。
又，常壓搬送室2亦可填充氮氣來作為內部氛圍。進一步地，連接於真空搬送室9的處理模組6並不限於成膜裝置，亦可為蝕刻裝置或退火裝置或該等的組合。
[第2實施形態]
又，亦可構成為在常壓搬送室2設置1台常壓搬送機構。圖14、圖15所示之範例中，係將裝載互鎖模組3A、3B設置在靠常壓搬送室2後方。在此範例中，係將常壓搬送機構4C設置於常壓搬送室之裝載互鎖模組3A、3B前側。進一步地詳細說明，構成常壓搬送室2之框體200的前壁會位在較裝載互鎖模組3A、3B前壁要靠前方。然後，該等前壁與前壁之間的空間便會構成為常壓搬送機構4C所移動的移動路徑。
常壓搬送機構4C係與第1及第2常壓搬送機構4A、4B同樣地包含下段構件400A、中段構件400B及上段構件400C，並具備構成為自由伸縮的基台400。基台400之上段構件400C係自由轉動地設置有依序連接著下段臂部401、中段臂部402、上段臂部403以及保持晶圓W之支撐叉部404的多關節臂。
又，雖在此範例中，並未在裝載互鎖模組3A、3B下方設置有對位模組20、冷卻模組21A、22B，但亦可與圖1~3所示之真空處理裝置同樣地構成為具備對位模組20及冷卻模組21A、21B。
在此真空處理裝置中，於將從配置於左側的載具C所取出之晶圓W搬送至裝載互鎖模組3A、3B時而將晶圓W收授至裝載互鎖模組3A、3B左側之架部38時，會讓常壓搬送機構4C從左側之搬送路徑31A來進入至裝載互鎖模組3A、3B，以進行收授。又，從配置於左側之載具C來將晶圓W收授至裝載互鎖模組3A、3B中從前方側來觀察為右側的架部38時，便會讓從載具C收取到晶圓W之常壓搬送機構4C通過裝載互鎖模組3A、3B下方側而移動至裝載互鎖模組3A、3B右側。進一步地，從右側之搬送路徑31B來讓常壓搬送機構4C進入至裝載互鎖模組3A、3B，而收授至右側之架部38。
由於在此般真空處理裝置中，係將晶圓W配置為左右2列、前後2行的裝載互鎖模組3A、3B以與常壓搬送室2之晶圓W的搬送區域上下重疊的方式來加以配置，故可抑制裝置之設置區域。又，由於常壓搬送室2之搬送機構僅設置有常壓搬送機構4C，故可抑制裝置之製造成本。
如上述所探討，本次所揭露之實施形態在所有的點上應都為例示而非為限制。上述實施形態係可不超出添附申請專利範圍及其主旨來以各種形態進行省略、置換、變更。
2:常壓搬送室
3A、3B:裝載互鎖模組
4A:第1常壓搬送機構
4B:第2常壓搬送機構
20:對位模組
21A、21B:冷卻模組
22:風扇過濾單元(FFU)
32A、32B:閘閥
40:基台
40A:下段構件
40B:中段構件
40C:上段構件
41:下段臂部
42:上段臂部
43:支撐叉部

Claims (19)

  1. 一種真空處理裝置，係具備：裝載互鎖模組，係具備：框體，係內部可自由切換常壓氛圍與真空氛圍，具備：第1基板搬送口，係分別形成在左右處並可自由開閉；以及第2基板搬送口，係形成於後方，並可自由開閉；以及複數基板保持部，係在該框體內分別於左右處保持基板；真空氛圍之真空搬送室，係連接於該框體後方，並使該第2基板搬送口呈開口；處理模組，係連接於該真空搬送室，並用以將該基板真空處理；真空搬送機構，係在該裝載互鎖模組與該搬送室與該處理模組之間搬送該基板；常壓氛圍之常壓搬送室，係以使各該第1基板搬送口呈開口之方式來橫跨該框體之上方或下方，而從該框體之左右一邊朝另邊橫跨形成，並具備會重疊於該框體，且為該基板的搬送區域的層積搬送區域；複數搬出入埠，係分別設置於該常壓搬送室之外側左右處，且會搬出入儲存有該基板之搬送容器；以及常壓搬送機構，係經由該層積搬送區域來在被搬入至該各搬出入埠之該搬送容器與該各基板保持部之間搬送該基板。
  2. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置，其中該常壓搬送裝置係在左右一邊的該搬出入埠與左右另邊之該基板保持部之間經由該層積搬送區域來進行該基板之收授。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之真空處理裝置，其中該層積搬送區域係設置有載置該基板之載置部。
  4. 如申請專利範圍第3項之真空處理裝置，其中該載置部係包含會載置被搬送至該裝載互鎖模組之處理前的該基板之處理前載置部。
  5. 如申請專利範圍第4項之真空處理裝置，其中該處理前載置部為了進行該基板與該常壓搬送機構之對位，係具備：對位機構，係包含：旋轉部，係讓從該常壓搬送機構所收取的該基板旋轉；以及檢測部，係讓光線照射至包含旋轉之該基板的周緣部之區域，而接收透過該區域而通過之光線。
  6. 如申請專利範圍第3項之真空處理裝置，其中該載置部係包含：處理後待機部，係使從該裝載互鎖模組所搬出之該基板待機。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之真空處理裝置，其中該裝載互鎖模組係設置為複數而會上下重疊。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之真空處理裝置，其中該基板保持部係以在俯視觀察下會將各該基板保持為該基板之配列方向為沿著前後及左右的2×2之行列狀的方式來設置有4個。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之真空處理裝置，其中該裝載互鎖模組係將該框體之內部分割為左側配置有基板保持部的空間以及右側配置有基板保持部的空間。
  10. 如申請專利範圍第1或2項之真空處理裝置，其中該搬出入埠係相對於該框體而分別設置於左側、右側，且各搬出入埠係設置於常壓搬送室前方。
  11. 如申請專利範圍第1或2項之真空處理裝置，其中該常壓搬送室係橫跨該框體下方而從該框體左右之一邊朝另邊延伸；該層積搬送區域係形成在該框體下方。
  12. 如申請專利範圍第1或2項之真空處理裝置，其中該常壓搬送機構係具備：第1常壓搬送機構，係相對於該框體而設置於左右之一邊，會針對於該複數之基板保持部中左右之一邊的基板保持部而僅進行該基板之收授並相對於該載置部來收授該基板；以及第2常壓搬送機構，係相對於該框體而設置於左右之另邊，會針對於該複數之基板保持部中左右之另邊的基板保持部而僅進行該基板之收授並相對於該載置部來收授該基板。
  13. 如申請專利範圍第12項之真空處理裝置，其中該載置部係具備該處理前載置部；相對於該處理前載置部，該第1常壓搬送機構及該第2常壓搬送機構可收授該基板；藉由該第1常壓搬送機構及該第2常壓搬送機構來依序搬送至該處理前載置部的基板係可藉由各該第1常壓搬送機構及該第2常壓搬送機構來被搬送至該裝載互鎖模組。
  14. 如申請專利範圍第12項之真空處理裝置，其中該載置部係包含：該處理後待機部；以及處理後載置部，係載置從該第1常壓搬送機構及該第2常壓搬送機構所收授之處理完成之該基板； 該處理後待機部係包含：第1處理後待機部，係僅從該第1常壓搬送機構及該第2常壓搬送機構中的第1常壓搬送機構來收授該基板；以及第2處理後待機部，係僅從該第1常壓搬送機構及該第2常壓搬送機構中的第2常壓搬送機構來收授該基板；從該第1處理後待機部及該第2處理後待機部中之一者來將該基板搬送至該處理後載置部，而藉由與該第1常壓搬送機構及第2常壓搬送機構中朝該處理後基板載置部之搬送所使用的常壓搬送機構不同的常壓搬送機構來將該基板搬送至該搬送容器。
  15. 如申請專利範圍第1或2項之真空處理裝置，其中該複數搬出入埠係分別設置在較該框體之左右中心部要靠左側及右側；該常壓搬送機構會共用該各搬出入埠。
  16. 如申請專利範圍第15項之真空處理裝置，其中在該常壓搬送室中，係在該框體之前側形成有該常壓搬送機構之移動路徑。
  17. 如申請專利範圍第1或2項之真空處理裝置，其中該基板保持部會在該框體內之上下設定為複數層。
  18. 如申請專利範圍第17項之真空處理裝置，其中上側及下側之該基板保持部中之一者的基板保持部係保持有從該常壓搬送室所搬送至該裝載互鎖模組之基板；上側及下側之該基板保持部中之另者的基板保持部係保持有從該真空搬送室所搬送至該裝載互鎖模組之基板。
  19. 一種基板搬送方法，係在真空處理裝置中搬送基板之基板搬送方法，該真空處理裝置具備裝載互鎖模組，係具備：框體，係內部可自由切 換常壓氛圍與真空氛圍，並具備：第1基板搬送口，係分別形成在左右處並可自由開閉；以及第2基板搬送口，係形成於後方，並可自由開閉；以及複數基板保持部，係在該框體內分別於左右處保持基板；該方法係具備：將儲存該基板之搬送容器對複數搬出入埠進行搬出入之工序；該複數搬出入埠係分別設置在常壓氛圍之常壓搬送室外側的左右處；該常壓氛圍之常壓搬送室係以使各該第1基板搬送口呈開口之方式來橫跨該框體之上方或下方，而從該框體之左右一邊朝另邊橫跨形成；藉由常壓搬送機構，經由在該常壓搬送室中會重疊於框體且為該基板之搬送區域的層積搬送區域，而在被搬入至各該搬出入埠之該搬送容器與各該基板保持部之間搬送該基板之工序；以及藉由真空搬送機構，而在會連接於該框體後方且使該第2基板搬送口呈開口的真空氛圍之真空搬送室、會連接於該真空搬送室且用以將該基板真空處理之處理模組以及該裝載互鎖模組之間搬送該基板之工序。
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