TWI844001B

TWI844001B - 背光模組

Info

Publication number: TWI844001B
Application number: TW111111739A
Authority: TW
Inventors: 鄭慧君; 郭運濤
Original assignee: 大陸商友達光電(蘇州)有限公司; 友達光電股份有限公司
Priority date: 2022-01-12
Filing date: 2022-03-28
Publication date: 2024-06-01
Also published as: TW202328785A; CN114419994A

Abstract

一種背光模組包括多個光源、擴散板及多個遮光複合層。擴散板位於光源上方。遮光複合層位於擴散板上且分別與光源位置對應。每一遮光複合層的寬度從擴散板往遠離光源的方向逐漸減小。

Description

背光模組

本揭露是有關一種背光模組。

近年來，用於背光模組的光源種類已越來越多元。舉例來說，mini LED可用於顯示裝置的背光模組。為了避免對應光源的區域過亮，一般而言，可於光源上方設置擴散板，以使光線均勻。

雖然擴散板上的油墨圖案(Pattern)可具有遮擋光源的光線的效果，然而，由於目前網版印刷技術，用於形成擴散板之圖案的油墨其厚度多為平的或凹型的，使得通過油墨圖案的光並不均勻，易產生光源正上方亮而邊緣暗的情形。當背光模組點亮時，可能就會看到亮度不均勻所造成瑕疵畫面，如LED mura。

本揭露之一技術態樣為一種背光模組。

根據本揭露之一些實施方式，一種背光模組包括多個光源、擴散板及多個遮光複合層。擴散板位於光源上方。遮光複合層位於擴散板上且分別與光源位置對應。每一遮光複合層的寬度從擴散板往遠離光源的方向逐漸減小。

在一些實施方式中，上述每一遮光複合層包括多個子遮光層。這些子遮光層的最上層的寬度大於對應的光源的寬度。

在一些實施方式中，上述子遮光層具有不同的形狀。

在一些實施方式中，上述子遮光層具有相同的厚度。

在一些實施方式中，上述子遮光層具有不同的穿透率。

在一些實施方式中，上述子遮光層包括下層與在下層上的上層，上層的密度大於下層的密度。

在一些實施方式中，上述光源分別在遮光複合層的正投影輪廓範圍內。

在一些實施方式中，上述光源沿第一方向的相鄰兩者之間的距離小於光源沿第二方向的相鄰兩者之間的距離。

在一些實施方式中，上述每一遮光複合層的長度方向與第一方向相同。

在一些實施方式中，上述每一遮光複合層的寬度方向與第二方向相同。

在本揭露上述實施方式中，由於背光模組具有位於擴散板上且分別與光源位置對應的遮光複合層，且遮光複合層的寬度從擴散板往遠離光源的方向逐漸減小，因此遮光複合層的中央區較厚，邊緣區較薄，使遮光複合層的中央區具有較佳的遮光效果。如此一來，當遮光複合層下方的光源發光時，雖然光源照射遮光複合層的中央區的光線較多，照射遮光複合層的邊緣區的光線較少，但因遮光複合層的寬度變化，使得遮光複合層的中央區可遮擋較多的光線，邊緣區可遮擋較少的光線，達到光線均勻化的效果，可克服因亮度不均勻所造成瑕疵畫面(如LED mura)問題。此外，遮光複合層可經多次印刷而成，方便製作。

以下揭示之實施方式內容提供了用於實施所提供的標的之不同特徵的許多不同實施方式，或實例。下文描述了元件和佈置之特定實例以簡化本案。當然，該等實例僅為實例且並不意欲作為限制。此外，本案可在各個實例中重複元件符號及/或字母。此重複係用於簡便和清晰的目的，且其本身不指定所論述的各個實施方式及/或配置之間的關係。

諸如「在……下方」、「在……之下」、「下部」、「在……之上」、「上部」等等空間相對術語可在本文中為了便於描述之目的而使用，以描述如附圖中所示之一個元件或特徵與另一元件或特徵之關係。空間相對術語意欲涵蓋除了附圖中所示的定向之外的在使用或操作中的裝置的不同定向。裝置可經其他方式定向(旋轉90度或以其他定向)並且本文所使用的空間相對描述詞可同樣相應地解釋。

第1圖繪示根據本揭露一實施方式之背光模組100的剖面圖。第2圖繪示第1圖之遮光複合層130的立體圖。同時參閱第1圖與第2圖，背光模組100包括多個光源110、擴散板120及多個遮光複合層130。光源110可以為點光源，例如LED或Mini LED。擴散板120位於光源110上方。遮光複合層130位於擴散板120上且分別與光源110位置對應。如第1圖所示，遮光複合層130與光源110的數量相同且在垂直方向上對齊。在本實施方式中，背光模組100具有六個遮光複合層130與六個光源110，但並不用以限制本揭露。此外，每一遮光複合層130的寬度從擴散板120往遠離光源110的方向D逐漸減小。這樣的設計，可讓遮光複合層130中央區的厚度大於邊緣區的厚度。在本文中，遮光複合層130的中央區可意指光源110正上方的區域，遮光複合層130的邊緣區可意指光源110圍繞中央區且未與光源110在垂直方向重疊的區域。

遮光複合層130可採多次網版印刷而成，例如兩次網版印刷，以形成如第2圖的結構。遮光複合層130的材料可以為油墨。在本實施方式中，每一遮光複合層130包括多個子遮光層132、134。下層的子遮光層132的寬度W1大於上層的子遮光層134的寬度W2，使得遮光複合層130中央區的厚度大於邊緣區的厚度。舉例來說，子遮光層132、134可具有相同的厚度H。如此一來，遮光複合層130的中央區便可具有厚度H的兩倍，為子遮光層132、134的總厚度2H，例如15至45μm，而遮光複合層130的邊緣區具有厚度H，為下層的子遮光層132的厚度H。

具體而言，由於背光模組100具有位於擴散板120上且分別與光源110位置對應的遮光複合層130，且遮光複合層130的寬度從擴散板120往遠離光源110的方向D逐漸減小，因此遮光複合層130的中央區較厚，邊緣區較薄，使遮光複合層130的中央區具有較佳的遮光效果。如此一來，當遮光複合層130下方的光源110發光時，雖然光源110照射遮光複合層130的中央區的光線較多，照射遮光複合層130的邊緣區的光線較少，但因遮光複合層130的寬度變化，使得遮光複合層130的中央區可遮擋較多的光線，邊緣區可遮擋較少的光線，達到光線均勻化的效果，可克服因亮度不均勻所造成瑕疵畫面(如LED mura)問題。遮光複合層130可經多次印刷而成，方便製作。

在本實施方式中，子遮光層的最上層(即子遮光層134)的寬度W2大於對應的光源110的寬度W3。這樣的設計，可確保光源110往正上方發出的光線除了會經過子遮光層132外，還會經過子遮光層134，以提升光源110正上方的遮光效果。由於具有最小寬度W2的最上層子遮光層134較光源110寬，其他子遮光層132當然也較光源110寬，因此第1圖的光源110可分別在遮光複合層130的正投影輪廓範圍A內。輪廓範圍A為第1圖兩虛線之間的區域。

在本實施方式中，子遮光層132、134可具有相同的形狀，例如圓形，並不以此為限，矩形或其他種類的多邊形亦可。此外，子遮光層132、134可具有相同的密度，而具有相同的穿透率，例如85%至95%的穿透率，但並不用以限制本揭露。在其他實施方式中，子遮光層可具有不同的形狀、密度與穿透率(將於第4圖說明)。

此外，請參見第1圖，背光模組100還可包括基板140、封裝膠150與膠體160。光源110設置於基板140上。基板140可為電路板，以對光源110供電。封裝膠150覆蓋光源110，可提供保護與絕緣效果，並避免水氣進入。膠體160可設於殼體內表面，用於支撐基板140，並提供緩衝效果。

應瞭解到，已敘述過的元件連接關係、材料與功效將不再重複贅述，合先敘明。在以下敘述中，將說明其他型式的遮光複合層。

第3圖繪示根據本揭露另一實施方式之遮光複合層130a的立體圖。遮光複合層130a可採多次網版印刷而成，例如四次網版印刷，以形成如第3圖的結構。本實施方式與第2圖實施方式不同的地方在於，遮光複合層130a包括四層子遮光層132a、134a、136a、138a。其中，子遮光層132a的寬度大於子遮光層134a的寬度，子遮光層134a的寬度大於子遮光層136a的寬度，子遮光層136a的寬度大於子遮光層138a的寬度。也就是說，遮光複合層130a的寬度從子遮光層132a依序往子遮光層134a、子遮光層136a、子遮光層138a漸增，使得遮光複合層130a中央區的厚度大於邊緣區的厚度，達到光線均勻化的效果。

第3圖的遮光複合層130a可應用於第1圖的背光模組100，例如可替代第1圖的遮光複合層130而與光源110位置對應。

第4圖繪示根據本揭露又一實施方式之遮光複合層130b的上視圖。遮光複合層130b可採多次網版印刷而成，例如兩次網版印刷，以形成如第4圖的結構。本實施方式與第2圖實施方式不同的地方在於，遮光複合層130b的子遮光層132b、134b具有不同的形狀，且具有不同的穿透率。在本實施方式中，子遮光層132b為下層，子遮光層134b為在下層上的上層，且上層的密度大於下層的密度。舉例來說，子遮光層132b為點狀油墨形成的圓形，子遮光層134b為面狀油墨形成的八角形(16邊形)，因此子遮光層134b的穿透率小於子遮光層132b的穿透率，對於遮擋光源110(見第1圖)正上方的光線有所助益。

此外，子遮光層132b的寬度大於子遮光層134b的寬度。因此，遮光複合層130b中央區的厚度大於邊緣區的厚度，達到光線均勻化的效果。第4圖的遮光複合層130b可應用於第1圖的背光模組100，例如可替代第1圖的遮光複合層130而與光源110位置對應。

在以下敘述中，將說明遮光複合層130b的形成步驟。

第5圖繪示第4圖之遮光複合層130b的下層(子遮光層132b)形成後、上層(子遮光層134b)形成前的上視圖。同時參閱第4圖與第5圖，擴散板120可先經點狀的網版印刷油墨而形成子遮光層132b。接著，擴散板120可經另一面狀的網版印刷油墨，而形成在子遮光層132b上的子遮光層134b。如此一來，便可得到第4圖之遮光複合層130b。

第6圖繪示根據本揭露再一實施方式之遮光複合層130c的上視圖。遮光複合層130c的外圍輪廓如第6圖所示，其堆疊的子遮光層數量並不用以限制本揭露。遮光複合層130c與光源110位置對應，使得光源110由遮光複合層130c覆蓋。在本實施方式中，光源110沿第一方向D1的相鄰兩者之間的距離d1小於光源110沿第二方向D2的相鄰兩者之間的距離d2，其中第一方向D1與第二方向D2垂直。每一遮光複合層130c的長度方向與第一方向D1相同，且每一遮光複合層130c的寬度方向與第二方向D2相同。

這樣的配置，雖然沿第一方向D1設置的兩光源110之間的距離d1較短而使區域亮度較亮，但因上方配置沿第一方向D1延伸的遮光複合層130c，因此能有效遮擋過多的光線，達到光線均勻化的效果。此外，沿第二方向D2設置的兩光源110之間的距離d2較長而使區域亮度較暗，但因上方配置沿第一方向D1延伸的遮光複合層130c，因此在第二方向D2上僅遮擋少量的光線，達到光線均勻化的效果。第6圖的遮光複合層130c可應用於第1圖的背光模組100，例如可替代第1圖的遮光複合層130而與光源110位置對應。

前述概述了幾個實施方式的特徵，使得本領域技術人員可以更好地理解本揭露的態樣。本領域技術人員應當理解，他們可以容易地將本揭露用作設計或修改其他過程和結構的基礎，以實現與本文介紹的實施方式相同的目的和/或實現相同的優點。本領域技術人員還應該認識到，這樣的等效構造不脫離本揭露的精神和範圍，並且在不脫離本揭露的精神和範圍的情況下，它們可以在這裡進行各種改變，替換和變更。

100:背光模組 110:光源 120:擴散板 130,130a,130b,130c:遮光複合層 132,132a,132b:子遮光層 134,134a,134b:子遮光層 136a,138a:子遮光層 140:基板 150:封裝膠 160:膠體 A:輪廓範圍 D:方向 D1:第一方向 D2:第二方向 d1,d2:距離 H:厚度 W1,W2,W3:寬度

當與隨附圖示一起閱讀時，可由後文實施方式最佳地理解本揭露內容的態樣。注意到根據此行業中之標準實務，各種特徵並未按比例繪製。實際上，為論述的清楚性，可任意增加或減少各種特徵的尺寸。第1圖繪示根據本揭露一實施方式之背光模組的剖面圖。第2圖繪示第1圖之遮光複合層的立體圖。第3圖繪示根據本揭露另一實施方式之遮光複合層的立體圖。第4圖繪示根據本揭露又一實施方式之遮光複合層的上視圖。第5圖繪示第4圖之遮光複合層的下層形成後、上層形成前的上視圖。第6圖繪示根據本揭露再一實施方式之遮光複合層的上視圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

100:背光模組

110:光源

120:擴散板

130:遮光複合層

140:基板

150:封裝膠

160:膠體

A:輪廓範圍

D:方向

W2,W3:寬度

Claims

一種背光模組，包括：多個光源；一擴散板，位於該些光源上方；以及多個遮光複合層，位於該擴散板上且分別與該些光源位置對應，其中每一該些遮光複合層的寬度從該擴散板往遠離該些光源的方向逐漸減小，其中每一該些遮光複合層包括多個子遮光層，該些子遮光層的最上層的寬度大於對應的該光源的寬度。
如請求項1所述之背光模組，其中該些子遮光層具有不同的形狀。
如請求項1所述之背光模組，其中該些子遮光層具有相同的厚度。
如請求項1所述之背光模組，其中該些子遮光層具有不同的穿透率。
如請求項1所述之背光模組，其中該些子遮光層包括一下層與在該下層上的一上層，該上層的密度大於該下層的密度。
如請求項1所述之背光模組，其中該些光源分別在該些遮光複合層的正投影輪廓範圍內。
如請求項1所述之背光模組，其中該些光源沿一第一方向的相鄰兩者之間的距離小於該些光源沿一第二方向的相鄰兩者之間的距離。
如請求項7所述之背光模組，其中每一該些遮光複合層的長度方向與該第一方向相同。
如請求項7所述之背光模組，其中每一該些遮光複合層的寬度方向與該第二方向相同。