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TWI840735B - 多孔塞接合 - Google Patents

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TWI840735B
TWI840735B TW111101232A TW111101232A TWI840735B TW I840735 B TWI840735 B TW I840735B TW 111101232 A TW111101232 A TW 111101232A TW 111101232 A TW111101232 A TW 111101232A TW I840735 B TWI840735 B TW I840735B
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維傑Ｄ 帕克
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美商應用材料股份有限公司
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Abstract

本文所述之實施例一般係關於用於基板支撐基座的具有密封層的多孔塞及其形成方法。在一個或多個實施例中，可以藉由將含氟彈性體化合物施加到多孔塞和靜電吸盤的凹孔的壁中的至少一個來原位形成密封層。可以原位固化含氟彈性體化合物以在多孔塞和凹孔的壁之間形成密封層。多孔塞定位於凹孔內，以控制通過氣流通道的氣流。密封層定位於多孔塞附近並且能夠在多孔塞與凹孔的壁之間形成徑向密封及在多孔塞與冷卻基部之間形成軸向密封中的一個或多個。

Description

多孔塞接合
本文所描述的實施一般係關於基板支撐基座，且更具體地係關於具有接合的多孔塞的基板支撐基座以及將多孔塞與基板支撐基座接合的方法。
基板支撐基座被廣泛用於在處理期間在半導體處理系統內支撐基板。一種特定類型的基板支撐基座包括安裝在冷卻基部上的陶瓷靜電吸盤。靜電吸盤通常在處理期間將基板保持在一靜止位置。靜電吸盤包含在陶瓷體內的一個或多個嵌入式電極。當在電極和設置在陶瓷體上的基板之間施加電勢時，產生靜電吸引力，將基板固持抵靠陶瓷體的支撐表面。由於基板和電極之間的電勢差，所產生的力可能具有電容效應，或者在由具有相對低電阻率的半導體材料構成的陶瓷體的情況下，這允許陶瓷體內的電荷遷移到接近基板的表面（Johnsen-Rahbeck效應）。利用電容和Johnsen-Rahbeck吸引力的靜電吸盤可從多個來源商購獲得。
為了在處理期間控制基板溫度，在陶瓷體的支撐表面和基板之間提供背部氣體。通常，背部氣體填充陶瓷體和基板之間的間隙區域，從而提供提高基板和基板支撐件之間的傳熱速率的傳熱介質。
接合層將靜電吸盤固定到冷卻基部。接合層易受通過接合層的處理氣體的侵蝕。此外，被侵蝕的接合層可被點燃、賦能（energized）或以其他方式促進在背部氣體通道的穿過暴露於接合層的基板支撐基座的部分中產生電弧。至少由於三個原因，接合層的侵蝕是有問題的。第一，自接合層侵蝕的材料是一種處理污染物，其會產生缺陷並降低產品產量。第二，隨著背部氣體通過的接合層中的孔尺寸增大，靜電吸盤和冷卻基部之間的局部傳熱速率會隨著接合材料被間隙替換而發生變化，從而產生不必要的溫度不均勻性和製程漂移。第三，被侵蝕的接合層可以提供從基板到地電勢沿著側壁的路徑。
因此，需要改良的基板支撐基座及其製造方法。
本文所描述的實施一般係關於基板支撐基座，且更具體地係關於具有接合的多孔塞的基板支撐基座以及將多孔塞與基板支撐基座接合的方法。
在一個態樣中，提供了一種製造吸盤主體的方法。該方法包括以下步驟：用包含含氟彈性體（fluoroelastomer）化合物的一塗層來塗覆一多孔塞。該方法進一步包括以下步驟：將具有在其上形成該塗層的該多孔塞插入吸盤主體中形成的一壁所界定的一凹孔中。該方法進一步包括以下步驟：固化該塗層以在該多孔塞和該凹孔的該壁之間形成一密封層。
實施可包括以下各者中的一個或多個。該塗層具有約25微米至約1,000微米的一厚度。在插入該多孔塞之前，部分地固化該塗層以在該多孔塞上形成一部分固化的含氟彈性體層。該密封層在該多孔塞和該凹孔的該壁之間形成一徑向密封。該密封層進一步在多孔塞和接合於吸盤主體的冷卻基部之間形成一軸向密封。密封層進一步在多孔塞的頂表面和凹孔的第二壁之間形成一軸向密封。多孔塞具有圓柱形或T形。該含氟彈性體化合物為具有約50cP至約5,000cP的一黏滯性的一膠體形式。該含氟彈性體化合物包括至少一個全氟聚合物。該含氟彈性體化合物進一步包括以下各者中的至少一個：固化劑、黏合促進劑、增稠劑、溶劑和填料。
在另一個態樣中，提供了一種製造吸盤主體的方法。該方法包括以下步驟：用包含含氟彈性體化合物的一塗層來塗覆一吸盤主體中形成的一凹孔的一壁。該方法進一步包括以下步驟：將一多孔塞插入具有的該凹孔中。該方法進一步包括以下步驟：固化該塗層以在該多孔塞和該凹孔的該壁之間形成一密封層。
實施可包括以下各者中的一個或多個。該塗層具有約25微米至約1,000微米的一厚度。在插入該多孔塞之前，部分地固化該塗層以在該凹孔的該壁上形成一部分固化的含氟彈性體層。該密封層在該多孔塞和該凹孔的該壁之間形成一徑向密封。該密封層進一步在多孔塞和接合於吸盤主體的冷卻基部之間形成一軸向密封。密封層進一步在多孔塞的頂表面和凹孔的第二壁之間形成一軸向密封。多孔塞具有圓柱形或T形。該含氟彈性體化合物為具有約50cP至約5,000cP的一黏滯性的一膠體形式。該含氟彈性體化合物包括至少一個全氟聚合物。該含氟彈性體化合物進一步包括以下各者中的至少一個：固化劑、黏合促進劑、增稠劑、溶劑和填料。
在又另一個態樣中，提供了一種製造吸盤主體的方法。該方法包括以下步驟：用包含含氟彈性體化合物的第一塗層來塗覆一多孔塞。該方法進一步包括以下步驟：用包含該含氟彈性體化合物的一第二塗層來塗覆一吸盤主體中形成的一凹孔的一壁。該方法進一步包括以下步驟：將具有在其上形成該第一塗層的該多孔塞插入具有在其上形成該第二塗層的該凹孔中。該方法進一步包括以下步驟：固化該第一塗層與該第二塗層以在該多孔塞和該凹孔的該壁之間形成一密封層。
實施可包括以下各者中的一個或多個。在插入該多孔塞之前，部分地固化該第一塗層和該第二塗層中的至少一個以在該多孔塞和該凹孔的該壁中的至少一個上形成一部分固化的含氟彈性體層。第一塗層和第二塗層中的至少一個具有約25微米至約1,000微米的厚度。該密封層在該多孔塞和該凹孔的該壁之間形成一徑向密封。該密封層進一步在多孔塞和接合於吸盤主體的冷卻基部之間形成一軸向密封。密封層進一步在多孔塞的頂表面和凹孔的第二壁之間形成一軸向密封。多孔塞具有圓柱形或T形。該含氟彈性體化合物為具有約50cP至約5,000cP的一黏滯性的一膠體形式。該含氟彈性體化合物包括至少一個全氟聚合物。該含氟彈性體化合物進一步包括以下各者中的至少一個：固化劑、黏合促進劑、增稠劑、溶劑和填料。
在另一個態樣中，提供了一種製造吸盤主體的方法。該方法包括以下步驟：用包含含氟彈性體化合物的塗層來塗覆一多孔塞。該方法進一步包括以下步驟：固化該塗層以在該多孔塞上形成一密封層。該方法進一步包括以下步驟：將其上形成有密封層的多孔塞插入具有一壁的吸盤主體的凹孔中，其中該密封層壓縮以在凹孔的壁和多孔塞之間形成密封。
實施可包括以下各者中的一個或多個。該塗層具有約25微米至約1,000微米的一厚度。該密封層在該多孔塞和該凹孔的該壁之間形成一徑向密封。該密封層進一步在多孔塞和接合於吸盤主體的冷卻基部之間形成一軸向密封。密封層進一步在多孔塞的頂表面和凹孔的第二壁之間形成一軸向密封。多孔塞具有圓柱形或T形。該含氟彈性體化合物為具有約50cP至約5,000cP的一黏滯性的一膠體形式。該含氟彈性體化合物包括至少一個全氟聚合物。該含氟彈性體化合物進一步包括以下各者中的至少一個：固化劑、黏合促進劑、增稠劑、溶劑和填料。
在又另一個態樣中，提供了一種製造吸盤主體的方法。該方法包括以下步驟：用包含含氟彈性體化合物的一第一塗層來塗覆一吸盤主體中形成的一凹孔的一壁。該方法進一步包括以下步驟：固化該塗層以在該凹孔的該壁上形成一密封層。該方法進一步包括以下步驟：將多孔塞插入具有在其上形成密封層的的凹孔中，其中該密封層壓縮以在凹孔的壁和多孔塞之間形成密封。
實施可以包括以下潛在優點中的一個或多個。該塗層具有約25微米至約1,000微米的一厚度。該密封層在該多孔塞和該凹孔的該壁之間形成一徑向密封。該密封層進一步在多孔塞和接合於吸盤主體的冷卻基部之間形成一軸向密封。密封層進一步在多孔塞的頂表面和凹孔的第二壁之間形成一軸向密封。多孔塞具有圓柱形或T形。該含氟彈性體化合物為具有約50cP至約5,000cP的一黏滯性的一膠體形式。該含氟彈性體化合物包括至少一個全氟聚合物。該含氟彈性體化合物進一步包括以下各者中的至少一個：固化劑、黏合促進劑、增稠劑、溶劑和填料。
在又另一個態樣中，提供了一種製造吸盤主體的方法。該方法包括以下步驟：用包含含氟彈性體化合物的第一塗層來塗覆一多孔塞。該方法進一步包括以下步驟：部分地固化該第一塗層以在該多孔塞上形成一第一部分固化的密封層。該方法進一步包括以下步驟：用包含該含氟彈性體化合物的一第二塗層來塗覆一吸盤主體中形成的一凹孔的一壁。該方法進一步包括以下步驟：將具有在其上形成該第一部分固化的密封層之該多孔塞插入具有在其上形成該第二塗層的該凹孔中。該方法進一步包括以下步驟：固化該第一部分固化的密封層與該第二塗層以在該多孔塞和該凹孔的該壁之間形成一密封層。
實施可以包括以下潛在優點中的一個或多個。第一塗層和第二塗層中的至少一個具有約25微米至約1,000微米的厚度。該密封層在該多孔塞和該凹孔的該壁之間形成一徑向密封。該密封層進一步在多孔塞和接合於吸盤主體的冷卻基部之間形成一軸向密封。密封層進一步在多孔塞的頂表面和凹孔的第二壁之間形成一軸向密封。多孔塞具有圓柱形或T形。該含氟彈性體化合物為具有約50cP至約5,000cP的一黏滯性的一膠體形式。該含氟彈性體化合物包括至少一個全氟聚合物。該含氟彈性體化合物進一步包括以下各者中的至少一個：固化劑、黏合促進劑、增稠劑、溶劑和填料。
在又另一態樣中，一種非暫態電腦可讀媒體具有儲存在其上的指令，當處理器執行該等指令時，該等指令使該處理施行設備和/或方法的操作。
以下揭露描述了接合的多孔塞和形成接合的多孔塞的方法。在以下實施方式和圖1-9C中闡述了某些細節，以提供對本揭示案的各種實施的完整理解。在下面的揭示中沒有闡述描述通常與接合的多孔塞形成和彈性體聚合物相關聯的習知的結構和系統的其他細節，以避免不必要地混淆各種實施的說明。此外，本說明書所述之設備說明是示例性的，不應被理解或解釋為限制本說明書所述實施之範圍。
圖中所示的許多細節、尺寸、角度和其他特徵僅是說明特定實施。因此，在不背離本揭示案的精神或範圍的情況下，其他實施可以具有其他細節、部件、尺寸、角度和特徵。此外，可以在沒有以下所述的若干細節的情況下，實踐本揭示案的其他實施。
多孔塞與靜電吸盤一起使用，以允許背部氣體到達並冷卻位於靜電吸盤上的基板，同時防止處理氣體向下流過靜電吸盤。將多孔塞接合於靜電吸盤的一種方法包括使用矽樹脂（silicone）將多孔塞接合於靜電吸盤。然而，使用矽樹脂的一個潛在問題是它與來自氟處理氣體中的氟形成鍵結（bond）。這個氟可能經由氟污染的接合層使得從基板到地不必要的產生電弧。因此，具有用於多孔塞的接合材料和接合多孔塞的方法將有其優勢，其減少或防止不必要的產生電弧。
本案討論的系統和方法採用具有冷卻基部和靜電吸盤的基板支撐基座，該冷卻基部和該靜電吸盤經由接合層接合在一起。多孔塞定位於氣流通道中，該氣流通道形成在冷卻基部和靜電吸盤中。使用由含氟彈性體化合物形成的密封層將多孔塞接合於靜電吸盤。密封層與多孔塞的結合保護接合層免受基板處理期間中使用的處理氣體的影響。有利地，以下實施討論用於將多孔塞固定在氣流通道內以藉由利用密封層來防止接合層降解的改良技術，該密封層實質防止氣體在多孔塞周圍流動。另外，該密封層由耐氟材料構成。這是對用於將多孔塞接合到靜電吸盤的矽樹脂材料的改良。這些矽樹脂材料容易受到來自處理氣體的氟污染，這會經由氟污染的矽樹脂材料使得從半導體基板到地產生電弧。此外，含氟彈性體化合物可以作為黏滯性調節液體應用。此外，由含氟彈性體化合物形成的密封層可以承受比矽樹脂化合物更高的溫度。
如本文所用的「含氟彈性體化合物（fluoroelastomer composition）」是指包含可固化含氟聚合物的聚合性化合物。含氟聚合物可藉由聚合兩種或更多種單體來形成，優選地其中一種是氟化或全氟化的，且其中至少一種是固化位點單體（cure site monomer）以允許固化，例如至少一種含氟聚合物固化位點單體來形成。如本文所述之含氟彈性體化合物可包括能夠經固化以形成含氟彈性體或全氟彈性體的任何合適的可固化的含氟彈性體含氟聚合物(FKM)或全氟彈性體含氟聚合物(FFKM)，以及如本文所述之一個或多個固化劑。
如本文所用的全氟彈性體（perfluoroelastomer）可以是藉由固化具有至少一個交聯基團以允許由至少一個固化位點單體提供的固化之全氟聚合物(如本文所定義)而衍生的任何實質固化的彈性體材料。如本文所用的全氟聚合物（perfluoropolymer）相對於全氟聚合物主鏈上的碳原子係實質氟化的，且優選地是完全氟化的。應當理解的是，由於在某些類型的全氟彈性體配方中的官能交聯基團中使用氫，一些殘餘氫可能存在於交聯內的全氟彈性體中。
如本文所用的含氟彈性體化合物和全氟彈性體化合物（也稱為碳氟彈性體）可以是固化的或未固化的（可固化的）。當用術語「未固化的（uncured）」或「可固化的（curable）」修飾時，含氟彈性體或全氟彈性體化合物是指含有含氟聚合物或全氟聚合物的化合物，但其中此類交聯尚未實質發生，因此該材料尚不適合預期應用。
本文所述之含氟彈性體化合物可包含如下文詳細描述的各種排列的幾種不同成分，如一個或多個含氟聚合物、具有各種固化位點中的一個或多個的全氟聚合物、固化劑、黏合促進劑、增稠劑、溶劑和許多其他可選的填料和添加物。
在一些實施中，可固化彈性體全氟聚合物可以包括各種全氟共聚物中的兩種或更多種，其中至少一種是含氟烯系未飽和式單體，例如四氟乙烯(TFE)、全氟烯烴（如六氟丙烯(HFP））和全氟烷基乙烯基醚 (PAVE)，其包括直鏈或支練的烷基並包括一個或多個醚鍵聯，如全氟 (甲基乙烯基醚)、全氟 (乙基乙烯基醚)、全氟 (丙基乙烯基醚) 和類似化合物。PAVE的合適實例包括全氟(甲基乙烯基)醚(PMVE)和全氟(丙基乙烯基)醚(PPVE)。在一個實例中，PAVE具有化學式CF 2=CFO(CF 2CFXO) nR f，其中X是F或CF 3，n是0-5，且R f是1-6個碳原子的全氟烷基。合適的全氟聚合物可以是滿足工業上接受的在ASTM D-1418中列為FFKM的全氟彈性體定義的那些，且可以是TFE、PAVE的三元聚合物或四元聚合物，並且具有一個全氟固化位點單體，該全氟固化位點單體結合一個官能團以允許三元聚合物的交聯，其中至少一個是能夠被本揭示案實踐中使用的固化系統所固化的固化位點。這些單體可以與促進交聯的共聚單體一起使用。也可以使用小濃度的未全氟化的單體。通常，使用這種單體以獲得所需的交聯特性並且可以以高達約3莫耳％的濃度存在。這種類似的例子包括溴四氟丁烯、溴三氟乙烯、偏二氟乙烯和包含腈基的單體。
在其未固化或可固化狀態下，本揭示案的含氟彈性體化合物可以包括至少一種固化劑，其對應於(如能夠促進其交聯)存在於含氟聚合物上的至少一個固化位點單體之一。可使用任何固化劑或固化劑的組合。例如，可以使用可過氧化物固化的系統或可氰基固化的系統，這取決於終端產品和含氟彈性體化合物所需的物理特性。不管採用何種固化系統或系統組合，含氟聚合物可包含至少一個固化位點單體，儘管可能需要適當地存在約2至約20個固化位點（相同或不同的）。固化劑可以以提供充分固化所需的量存在。
含氟彈性體化合物可包含丙烯酸酯化合物，例如本領域習知或開發的任何包括一個或多個丙烯酸酯官能團的化合物。丙烯酸酯化合物可以是金屬丙烯酸酯或不同丙烯酸酯化合物和/或金屬丙烯酸酯的組合。實例可包括二丙烯酸酯、丙烯酸酯、二甲基丙烯酸酯、三丙烯酸酯和/或四丙烯酸酯化合物。更具體地，合適的實例可包括鋅或銅的二丙烯酸酯和丙烯酸酯。已知此類化合物可從例如美國賓夕法尼亞州埃克斯頓的沙多瑪（Sartomer）商購獲得（商品名，例如SARET® SR633和SARET® SR634）。亦包括全氟彈性體、含氟彈性體、彈性體或其他在其結構中結合丙烯酸酯基團的樹脂。
含氟彈性體化合物還可包含一個或多個額外的添加物，如填料、塑化劑、聚合物摻合物和著色劑。如果需要，其他添加物可包括例如炭黑、玻璃纖維、玻璃球、矽酸鹽、玻璃纖維、硫酸鈣、石棉、硼纖維、陶瓷纖維、氫氧化鋁、硫酸鋇、碳酸鈣、氟石墨、碳酸鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼砂、珍珠岩、對苯二甲酸鋅、碳化矽片、矽灰石、對苯二甲酸鈣、富勒烯管、鋰蒙脫石、滑石、雲母、碳奈米管和碳化矽晶鬚。
上述含氟彈性體化合物可以以任何比例、比例或排列包含任何或所有上述各種成分。本發明所屬領域中通常知識者將認識到，這些成分和相對比例可根據終端產品的所需特性而改變和變化，而這又由接合部件將用於其中的應用來得知。
一旦固化，含氟彈性體化合物形成密封層，該密封層還將多孔塞與靜電吸盤接合。
在本揭示案的一些實施中，藉由使可固化的全氟彈性體化合物（如本文所述）與多孔塞和/或靜電吸盤接觸以及經由任何本領域已知或已開發的固化製程將其固化來將含氟彈性體化合物接合於多孔塞和/或靜電吸盤。在本揭示案的一些實施中，藉由使可固化的全氟彈性體化合物與多孔塞和/或靜電吸盤接觸以及部分地固化或半固化（semi-curing）（如可發生某些交聯，但不針對所需的範圍）來將含氟彈性體化合物接合於多孔塞和/或靜電吸盤。可以將塗覆有半固化的含氟彈性體化合物的多孔塞和/或靜電吸盤與另一惰性基板接觸並原位固化以在多孔塞和靜電吸盤之間形成最終的含氟彈性體密封層。
任何方法中的固化或部分固化（如半固化）可藉由本發明所屬領域中已知的或將要開發的任何方法來完成，其包括熱固化、藉由施加高能量的固化、熱固化、加壓固化、蒸汽固化、壓力固化、電子束固化或藉由以上各者的任何組合固化。如果需要，也可施加固化後處置（Post-cure treatment）。
在一些實施中，含氟彈性體化合物作為膠體應用。如本文所用的「膠體（paste）」是指黏滯性為約1厘泊(cP)至約10,000cP的非均相化合物。「異質化合物」是指具有多於一種賦形劑或成份的化合物。如本文所用的「膠體（paste）」還可以指凝膠、乳膏、膠水、接合劑和任何其他黏性液體或半固體。在一些實施中，與本揭示案一起使用的膠體具有可調節的黏滯性和/或可藉由一個或多個外部條件控制的黏滯性。
在一些實施中，含氟彈性體化合物為具有約1cP至約10,000cP黏滯性的膠體形式。在一些實施中，含氟彈性體化合物是具有約1cP、約2cP、約5cP、約10cP、約15cP、約20cP、約25cP、約30cP、約40cP、約50cP、約60cP、約75cP、約100cP、約125cP、約150cP、約175cP、約200cP、約250cP、約300cP、約400cP、約500cP、約750cP、約1,000cP、約1,250cP、約1,500cP或約2,000cP的最小黏滯性的膠體形式。在一些實施中，含氟彈性體化合物為具有約10,000cP、約9,500cP、約9,000cP、約8,500cP、約8,000cP、約7,500cP、約7,000cP、約6,500cP、約6,000cP、約5,500cP、約5,000cP、約4,000cP、約3,000cP、約2,000cP、約1,000cP、約500cP、約250cP、約100cP或約50cP的最大黏滯性的膠體形式。
在一些實施中，含氟彈性體化合物為具有約50cP至約5,000cP、約50cP至約4,000cP、約50cP至約3,000cP、約50cP至約2,000cP、約50cP至約1,000cP、約80cP至約500cP、約80cP至約450cP、約80cP至約400cP、約80cP至約300cP、約80cP至約250cP、約80cP至約200cP、約80cP至約150cP、約100cP至約1,000cP、約100cP至約900cP、約100cP至約800cP、約100cP至約700cP、約100cP至約600cP、約100cP至約500cP、約100cP至約400cP、約100cP至約300cP、約100cP至約250cP、約200cP至約500cP、約200cP至約400cP、約250cP至約500cP、約300cP至約500cP、或約400cP至約500cP的黏滯性的膠體形式。
通常，控制含氟彈性體化合物的黏滯性。在一些實施中，含氟彈性體化合物的黏滯性基於在多孔塞中形成的孔隙的孔隙尺寸作調整。例如，調整含氟彈性體化合物的黏滯性以使含氟彈性體化合物塗覆多孔塞202的表面但不填充多孔塞202的內部孔隙。可以控制含氟彈性體化合物黏滯性的參數包括但不限於共聚物的平均長度、分子量和/或交聯度；以及溶劑的存在和溶劑的濃度；增稠劑（即黏滯性調節成份）的存在和增稠劑的濃度；膠體中存在的成份的顆粒尺寸；膠體中存在的成份的自由體積（即孔隙率）；膠體中存在的成份的膨潤度；膠體中存在的帶相反電荷和/或部分帶電物質之間的離子相互作用（如溶劑-增稠劑相互作用）；或以上各者之組合。
在需要調整含氟彈性體化合物的黏滯性的一些實施中，含氟彈性體化合物進一步包括溶劑和增稠劑中的至少一者。在一些實施中，可以選擇溶劑和增稠劑的組合來調整膠體的黏滯性。
適用於本揭示案的含氟彈性體化合物的增稠劑包括但不限於羧烷基纖維素衍生物的金屬鹽(如羧甲基纖維素鈉)、烷基纖維素衍生物(如甲基纖維素和乙基纖維素)、部分氧化的烷基纖維素衍生物(如羥乙基纖維素、羥丙基纖維素和羥丙基甲基纖維素）、澱粉、聚丙烯醯胺凝膠、聚-N-乙烯基吡咯烷酮的均聚物、聚（烷基醚）（如聚環氧乙烷和乙二醇氧化物）、瓊脂、瓊脂糖、黃原膠、明膠、樹枝狀大分子、膠體二氧化矽及其組合。在一些實施中，增稠劑以膠體按重量計的約0.1%至約50%、約0.5%至約25%、約1%至約20%或約5%至約15%的濃度存在於含氟彈性體化合物中。
在一些實施中，含氟彈性體化合物進一步包括溶劑。適用於本揭示案的含氟彈性體化合物的溶劑包括但不限於水、C 1-C 8醇（如甲醇、乙醇、丙醇和丁醇）、C 6-C 12直鏈、支鏈和環狀烴（如己烷和環己烷）、C 6-C 14芳基和芳烷基烴（如苯和溶劑）、C 3-C 10烷基酮（如丙酮）、C 3-C 10酯類（如乙酸乙酯）、C 4-C 10烷基醚或其組合。在一些實施中，溶劑以按重量計約10％至約99％的濃度存在於膠體中。在一些實施中，溶劑以膠體按重量計的約99%、約98%、約97%、約95%、約90%、約 80%、約70%、約60%、約50%、約40%或約30%的最大濃度存在於含氟彈性體化合物中。在一些實施中，溶劑以重量計存在於含氟彈性體化合物的約15%、約20%、約25%、約30%、約40%、約50%、約60%、約70%或約80%的最小濃度中。
在一些實施中，為了控制形成的塗層中的孔隙率，在固化之前對應用材料以及塗層元件施行真空脫氣。
圖1繪示根據本揭示案的一個或多個實施的包括基板支撐基座110的處理腔室100的示意圖。基板支撐基座110包括如本文所述之接合的多孔塞。處理腔室100包括腔室主體102，腔室主體102界定處理空間104。基板支撐基座110定位在處理空間104內。腔室主體102包括頂板106、底壁107和一個或多個腔室壁108。頂板106可由介電材料構成。
基板支撐基座110包括設置在冷卻基部114上的靜電吸盤112。靜電吸盤112包括如圖2和圖3所示的接合的多孔塞200。多孔塞202根據本文所述之方法接合於靜電吸盤。基板支撐基座110通常由耦接到冷卻基部114的軸116而被支撐在處理腔室100的底壁107上方。基板支撐基座110緊固於軸116，使得基板支撐基座110可以從軸116上移除、整修（refurbished）並重新緊固於軸116。軸116密封至（sealed to）冷卻基部114，以將設置在其中的各種導管和電導線與處理腔室100內的處理環境隔離。或者，靜電吸盤112和冷卻基部114可設置在附接於接地板或機架（chassis）的絕緣板上。此外，接地板可以附接於以下各者中的一個或多個：頂板106、底壁107和一個或多個腔室壁108。
靜電吸盤112包括支撐表面120，支撐表面120用於支撐基板（例如基板122，如半導體基板）。藉由穩定靜電吸盤112的溫度來控制基板122的溫度。例如，背部氣體（如氦氣或其他氣體）可由氣源124提供到基板122和靜電吸盤112的支撐表面120之間所界定的氣室。背部氣體用於促進基板122和基板支撐基座110之間的熱傳遞，以在處理期間控制基板122的溫度。靜電吸盤112可包括一個或多個加熱器。例如，加熱器可以是電加熱器或類似物。靜電吸盤112可包括一個或多個電極，其可耦接到電源供應125。
處理腔室100進一步包括至少一個感應線圈天線段130A和導電線圈天線段130B，兩者都位於頂板106的外部。感應線圈天線段130A和導電線圈天線段130B分別耦接到產生RF信號的射頻（RF）源132。RF源132透過匹配網路134耦接到感應線圈天線段130A以及耦接到導電線圈天線段130B。基板支撐基座110也耦接到產生RF信號的RF源136。RF源136透過匹配網路138耦接到基板支撐基座110。一個或多個腔室壁108可以是導電的並且連接到電接地140。
使用位於處理腔室100與真空泵144之間的節流閥142控制處理腔室100的處理空間104內的壓力。使用位於處理腔室100的一個或多個腔室壁108中的含液體的導管(未圖示)來控制一個或多個腔室壁108的表面處的溫度。
系統控制器150耦接至處理腔室100的各種部件，以利於對基板處理製程的控制。系統控制器150包括記憶體152、中央處理單元(CPU)154和支援電路(或I/O)156。軟體指令可以經編碼並儲存在用於對CPU下指令的記憶體內。系統控制器150可以經由例如系統總線(bus)與處理腔室100的一個或多個部件通訊。系統控制器150可讀的程式(或電腦指令)決定哪些任務可在基板上施行。在一些態樣中，該程式是系統控制器150可讀的軟體。儘管所示為單一系統控制器150，但是應當理解，多個系統控制器可以與本案描述的態樣一起使用。
在操作中，將基板122放置在基板支撐基座110的支撐表面120上，並且將氣態成分從氣體面板160透過入口埠162供應到處理腔室100，以在處理腔室100的處理空間104中形成氣態混合物。藉由將來自RF源132、136的RF功率分別施加到感應線圈天線段130A、導電線圈天線段130B以及施加到基板支撐基座110，使處理空間104中的氣態混合物點燃成(ignite)電漿。此外，化學反應離子從電漿中釋放出來並撞擊(strike)基板122；從而從基板的表面去除暴露的材料。
圖2是根據本揭示案的一個或多個實施的具有接合的多孔塞200的基板支撐基座110的局部截面圖。接合的多孔塞200包括多孔塞202和密封層204。如上所述，基板支撐基座110包括藉由接合層210固定於靜電吸盤112的冷卻基部114。
接合層210包括一種或多種材料，如丙烯酸或矽基黏合劑、環氧樹脂、氯丁橡膠基接合劑、光學透明黏合劑（如透明丙烯酸黏合劑）或其他合適的黏合材料。
冷卻基部114通常由金屬材料製成，如不銹鋼、鋁、鋁合金以及其他合適的材料。此外，冷卻基部114包括設置在其中的一個或多個冷卻通道212，冷卻通道212使傳熱流體循環以維持對基板支撐基座110和基板122的熱控制。
靜電吸盤112的形狀通常是圓形的，但是可以替代地包括其他幾何形狀以容納非圓形基板。例如，當用於處理顯示器玻璃（如用於平板顯示器的玻璃）時，靜電吸盤112可包括正方形或矩形基板。靜電吸盤112通常包括吸盤主體214，吸盤主體214包含一個或多個電極216。電極216由導電材料（如銅、石墨、鎢、鉬及類似物）組成。電極結構的各種實例包括但不限於一對共面D形電極、共面叉指（interdigital）電極、複數個同軸環形電極、單數、圓形電極或其他結構。電極216透過設置在基板支撐基座110中的饋通218耦接到電源供應125。電源供應125可用正或負電壓驅動電極216。例如，電源供應125可用約-1000伏特的電壓或約2500伏特的電壓驅動電極216。或者，可利用其他負電壓或其他正電壓。
靜電吸盤112的吸盤主體214可以由陶瓷材料製成。例如，靜電吸盤112的吸盤主體214可由低電阻率的陶瓷材料（如具有在約1xE 9至約1xE 11ohm-cm之間的電阻率的材料）製成。低電阻率材料的實例包括陶瓷，如摻雜有氧化鈦或氧化鉻的氧化鋁、摻雜的氧化鋁、摻雜的氮化硼及類似物。也可使用電阻率相當的其他材料，例如氮化鋁。當將功率施加到電極216時，這種具有相對低電阻率的陶瓷材料通常會促進基板和靜電吸盤112之間的Johnsen-Rahbek吸引力。或者，也可使用包括陶瓷材料的吸盤主體214，該陶瓷材料的電阻率等於或大於1xE 11ohms-cm。此外，靜電吸盤112的吸盤主體214可由氧化鋁製成。氧化鋁可以具有高電阻率並以庫侖模式（Coulombic mode）使用。
在操作期間，藉由驅動電極216所產生的電場藉由夾持力（clamping force）將基板122固持在支撐表面120上。
藉由氣體源124將背部氣體（如氦、氮或氬）引入一個或多個氣流通道230中，以在基板122被靜電吸盤112固持時，幫助控制基板122的溫度。氣流通道230從吸盤主體214的支撐表面120延伸到冷卻基部114的底表面232。氣流通道230包括形成在靜電吸盤112中的複數個氣體通道234、形成在冷卻基部114中的開口236、及形成在靜電吸盤112的吸盤主體214中的凹孔240。凹孔240由至少一個側壁242和在吸盤主體214中形成的一頂壁244界定。側壁242具有直徑246。凹孔240可具有一截面積（如直徑），其大於至少開口236的截面積。儘管描述為圓柱形，但凹腔240可以具有其他合適的形狀。此外，雖然在圖2中圖示了單個氣流通道230，但是基板支撐基座110可包括多個氣流通道。
複數個氣體通道234從支撐表面120延伸，穿過吸盤主體214到凹孔240的頂壁244，並且界定在靜電吸盤112的支撐表面120和凹孔240的頂壁244之間。在一些實施中，複數個氣體通道234被替換為單個氣體供應導管，該氣體供應導管從支撐表面120延伸穿過吸盤主體214到凹孔240的頂壁244。此外，複數個氣體通道234內的背部氣體在靜電吸盤112和基板122之間提供傳熱介質。在操作中，背部氣體由氣體源124供應，背部氣體移動穿過開口236穿過多孔塞202並進入複數個氣體通道234。此外，每個氣流通道230終止於穿過吸盤主體214的支撐表面120形成的對應的複數個氣體通道234。
多孔塞202通常設置在氣流通道230內(在凹孔240內)，使得它形成氣流通道230的一部分。多孔塞202為加壓氣體提供一路徑，以在不同電位的兩個表面之間流動。多孔塞202可以具有開孔結構，這意味著多孔結構中的孔隙相互連接，而允許流體流過多孔塞202。在一些實施中，開孔結構中超過一半的單元相互連接。例如，多孔塞202為加壓氣體提供一路徑，以在靜電吸盤112的第一表面和第二表面之間以及在靜電吸盤112的第一表面和冷卻基部114的第一表面之間流動。此外，多孔塞202包括複數個小的通路（passage way）和/或孔隙，與不包括多孔塞202的設計相比，其減少了電漿在靜電吸盤112與冷卻基部114之間界定的間隙260中點燃的可能性。多孔塞202通常由陶瓷材料（如氧化鋁或氮化鋁）構成。或者，多孔塞202可由其他多孔材料構成。此外，多孔塞202可具有約30％至約80％的孔隙率。或者，多孔塞可具有小於30％或大於80％的孔隙率。
多孔塞202可以是任何合適的形狀。在一些實施中，多孔塞202具有圓柱形形狀。其他合適的形狀包括T形、錐形和矩形。如圖2所示，多孔塞202包括頂表面250、側壁252和底表面254。側壁252具有直徑256。多孔塞202的側壁252的直徑256小於由凹孔240的至少一個側壁242界定的直徑246。頂表面250面向凹孔240的頂壁244。多孔塞202的側壁252面向凹孔240的至少一個側壁242。多孔塞202的底表面254面向間隙260。間隙260由多孔塞的底表面254、接合層210和冷卻基部114界定。間隙260形成在接合層210中並且是氣體流動通道230的一部分。在一些實施中，接合層210進一步延伸到間隙260中。例如，接合層210可以延伸到間隙260中以接觸密封層204或密封層204和多孔塞202的底表面254兩者。在一些實施中，可使用各種技術（如壓入配合、滑動配合、間隙配合、釘扎（pinning）和接合等）將多孔塞202定位在凹孔240內。例如，多孔塞202可以定位在凹孔240內，使得多孔塞202的頂表面250與凹孔240的頂壁244接觸。
密封層204鄰近多孔塞202形成。密封層204在多孔塞202的側壁252和凹孔240的至少一個側壁242之間形成一密封或徑向密封。密封層204可在多孔塞202和凹孔240之間形成至少一徑向密封。此外，密封層204將多孔塞202固定在凹孔240內。例如，密封層204可耦接到多孔塞202和凹孔240的至少一個側壁242中的至少一者。密封層204可將多孔塞202機械地固定到凹孔240的至少一個側壁242。
如本文所述，密封層204可以是彈性聚合材料（如彈性體）構成。此外，密封構件204可由含氟彈性體材料（如FKM）與全氟彈性體材料（如FFKM）中的一者或多者構成。另外，密封層204可由對處理氣體具有耐蝕性的材料構成。例如，在處理氣體存在的情況下，耐侵蝕材料不會侵蝕。或者或甚者，選擇密封層204的材料，使得該材料不穿透多孔塞202。密封層204可以是O形環、圓柱形墊片或其他環形密封件。此外，密封層204可由實質非黏性的材料構成。密封層204由以液體、糊劑和/或凝膠中的一種應用並且將狀態改變成實質固體或凝膠形式的材料形成。
密封層204通常具有足以密封多孔塞的表面和界定凹孔240的壁的表面之間的間隙之厚度。在一些實施中，密封層204具有約25微米至約2,000微米的厚度。在一些實施中，密封層204具有約25微米、約50微米、約100微米、約150微米、約200微米、約250微米、約300微米、約400微米、約500微米、約600微米、約750微米、約1000微米、約1,250微米、約1,500微米、約1,750微米、約1,850微米、或約1,950微米的最小厚度。在一些實施中，密封層204具有約2,000微米、約1,950微米、約1,850微米、約1,750微米、約1,500微米、約1,250微米、約1,000微米、約750微米、約600微米、約500微米、約400微米、約300微米、約250微米、約200微米、約150微米、約100微米、或約50微米的最大厚度。
接合層210將吸盤主體214固定到冷卻基部114。由於通常構成接合層210的材料或多種材料在基板處理期間所使用的處理氣體的存在下容易受到侵蝕，因此已經探索了各種保護接合層210免受處理氣體影響的方法。有利地，藉由採用對處理氣體具有高度抗侵蝕性的密封層(如密封層204)，可防止處理氣體穿過多孔塞202。因此，增加了接合層210的使用壽命。此外，增加了基板支撐基座110的使用壽命。
圖3是根據本揭示案的一個或多個實施的具有接合的多孔塞300的基板支撐基座110的部分201的局部截面圖。接合的多孔塞300類似於接合的多孔塞200，除了接合的多孔塞300的頂表面250和底表面254中的至少一個部分地塗覆有額外的密封層302a、302b(統稱為302)。額外的密封層302提供針對處理氣體的額外保護並且進一步減少了接合層210的侵蝕。頂部密封層302a形成在凹孔240的頂壁244和多孔塞202的頂表面250之間。頂部密封層302a在凹孔240的頂壁244和多孔塞202的頂表面250之間形成一軸向密封。間隙304由頂部密封層302a界定。間隙304是氣體流動通道230的部分並且允許空氣流過多孔塞202到達複數個氣體通道234和基板122的背部。頂部密封層302a可以是墊圈的形狀。底部密封層302b形成在多孔塞的底表面254、接合層210和冷卻基部114之間。間隙260進一步由底部密封層302b界定。間隙260允許空氣到達並流過多孔塞202及到達複數個氣體通道234和基板122的背部。底部密封層302b可以是墊圈的形狀。在一些實施中，密封層204、頂部密封層302a和底部密封層302b是分開的（separate）層。在其他實施中，密封層204、頂部密封層302a和底部密封層302b形成一整體的（integral）層。
圖4是根據本揭示案的一個或多個實施的形成具有接合的多孔塞的基板基座的方法400的一個實例的流程圖。接合的多孔塞包括多孔塞和密封層。密封層可以由含氟彈性體(FKM)、全氟彈性體(FFKM)或它們的組合構成。密封層可以由本文所述之含氟彈性體化合物形成。方法400可以用於生產分別如圖2和圖3所示的接合的多孔塞200、300。儘管參考圖2和圖3進行了討論，但應當理解，方法400可以與其他多孔塞和基板基座設計一起使用。
在操作410，用含氟彈性體化合物塗覆多孔塞以在多孔塞上形成第一塗層。可以調整含氟彈性體化合物的黏滯性以易於將含氟彈性體化合物施加到多孔塞上。參考圖2和圖3，可以將含氟彈性體化合物施加到多孔塞202的頂表面250、底表面254和側壁252中的至少一個上。在一個實例中，含氟彈性體化合物僅施加於側壁252。在另一個實例中，將含氟彈性體化合物施加到多孔塞202的側壁252、底表面254和頂表面250。在又另一個實例中，將含氟彈性體化合物施加到多孔塞202的側壁252以及底表面254或頂表面250之一（either）。第一塗層可具有約25微米至約1,000微米的厚度，如約50微米至約100微米。
可選地，在操作420，塗覆在多孔塞上的含氟彈性體化合物被部分固化或半固化。可以使用任何合適的部分固化或半固化製程。
在操作430，吸盤主體的凹孔塗覆有含氟彈性體化合物以形成第二塗層。可以調整含氟彈性體化合物的黏滯性以易於將含氟彈性體化合物施加到吸盤主體的凹孔。參考圖2和圖3，可以將含氟彈性體化合物施加到至少一個側壁242與頂壁244中的至少一者，該至少一個側壁242與該頂壁244界定靜電吸盤112的吸盤主體214中形成的凹孔240。第二塗層可具有約25微米至約1,000微米的厚度，如約50微米至約100微米。
可選地，在操作440，塗覆在界定凹孔的凹孔壁上的含氟彈性體化合物被部分固化或半固化。可以使用任何合適的部分固化或半固化製程。
在操作450，具有沉積在其上的（未固化或部分固化的）含氟彈性體化合物的多孔塞插入具有沉積在界定凹孔的壁上的（未固化或部分固化的）含氟彈性體化合物的凹孔中，使得塗覆在界定凹孔的壁上的含氟彈性體化合物接觸塗覆在多孔塞上的含氟彈性體化合物。在一些實施中，可使用各種技術（如壓入配合、滑動配合、間隙配合、釘扎（pinning）和接合等）將多孔塞202定位在凹孔240內。
在操作460，在多孔塞和界定凹孔的壁之間形成的含氟彈性體化合物被固化，以在多孔塞和界定凹孔的壁之間形成密封層。
圖5是根據本揭示案的一個或多個實施的形成具有接合的多孔塞的基板基座的方法500的另一實例的流程圖。接合的多孔塞包括多孔塞和密封層。密封層可以由含氟彈性體(FKM)、全氟彈性體(FFKM)或它們的組合構成。密封層可以由本文所述之含氟彈性體化合物形成。方法500可以用於生產分別如圖2和圖3所示的接合的多孔塞200、300。儘管參考圖2和圖3進行了討論，但應當理解，方法500可以與其他多孔塞和基板基座設計一起使用。
在操作510，用含氟彈性體化合物塗覆多孔塞。可以調整含氟彈性體化合物的黏滯性以易於將含氟彈性體化合物施加到多孔塞上。參考圖2和圖3，可以將含氟彈性體化合物施加到多孔塞202的頂表面250、底表面254和側壁252中的至少一個上。在一個實例中，含氟彈性體化合物僅施加於側壁252。在另一個實例中，將含氟彈性體化合物施加到多孔塞202的側壁252、底表面254和頂表面250。在又另一個實例中，將含氟彈性體化合物施加到多孔塞202的側壁252以及底表面254或頂表面250之一（either）。
可選地，在操作520，塗覆在多孔塞上的含氟彈性體化合物被部分固化或半固化。可以使用任何合適的部分固化或半固化製程。
在操作530，將具有沉積在其上的（未固化或部分固化的）含氟彈性體化合物的多孔塞插入凹孔中，使得塗覆在多孔塞上的含氟彈性體化合物接觸界定凹孔的壁。在一些實施中，可使用各種技術（如壓入配合、滑動配合、間隙配合、釘扎（pinning）和接合等）將多孔塞202定位在凹孔240內。
在操作540，在多孔塞和界定凹孔的壁之間形成的含氟彈性體化合物被固化，以在多孔塞和界定凹孔的壁之間形成密封層。
圖6是根據本揭示案的一個或多個實施的形成具有接合的多孔塞的基板基座的方法600的又另一實例的流程圖。接合的多孔塞包括多孔塞和密封層。密封層可以由含氟彈性體(FKM)、全氟彈性體(FFKM)或它們的組合構成。密封層可以由本文所述之含氟彈性體化合物形成。方法600可以用於生產分別如圖2和圖3所示的接合的多孔塞200、300。儘管參考圖2和圖3進行了討論，但應當理解，方法500可以與其他多孔塞和基板基座設計一起使用。
在操作610，吸盤主體的凹孔壁塗覆有含氟彈性體化合物。可以調整含氟彈性體化合物的黏滯性以易於將含氟彈性體化合物施加到吸盤主體的凹孔。參考圖2和圖3，可以將含氟彈性體化合物施加到至少一個側壁242與頂壁244中的至少一者，該至少一個側壁242與該頂壁244界定靜電吸盤112的吸盤主體214中形成的凹孔240。
可選地，在操作620，塗覆在界定凹孔的凹孔壁上的含氟彈性體化合物被部分固化或半固化。可以使用任何合適的部分固化或半固化製程。
在操作630，將多孔塞插入凹孔中，使得多孔塞接觸在界定凹孔的壁上形成的含氟彈性體化合物。在一些實施中，可使用各種技術（如壓入配合、滑動配合、間隙配合、釘扎（pinning）和接合等）將多孔塞202定位在凹孔240內。
在操作640，在界定凹孔的壁上形成的含氟彈性體化合物被固化，以在多孔塞和界定凹孔的壁之間形成密封層。
圖7是根據本揭示案的一個或多個實施的形成具有接合的多孔塞的基板基座的方法700的又另一實例的流程圖。接合的多孔塞包括多孔塞和密封層。密封層可以由含氟彈性體(FKM)、全氟彈性體(FFKM)或它們的組合構成。密封層可以由本文所述之含氟彈性體化合物形成。方法700可以用於生產分別如圖2和圖3所示的接合的多孔塞200、300。儘管參考圖2和圖3進行了討論，但應當理解，方法700可以與其他多孔塞和基板基座設計一起使用。
在操作710，用含氟彈性體化合物塗覆多孔塞。可以調整含氟彈性體化合物的黏滯性以易於將含氟彈性體化合物施加到多孔塞。參考圖2和圖3，可以將含氟彈性體化合物施加到多孔塞202的頂表面250、底表面254和側壁252中的至少一個上。在一個實例中，含氟彈性體化合物僅施加於側壁252。在另一個實例中，將含氟彈性體化合物施加到多孔塞202的側壁252、底表面254和頂表面250。在又另一個實例中，將含氟彈性體化合物施加到多孔塞202的側壁252以及底表面254或頂表面250之一（either）。
在操作720，在多孔塞上形成的含氟彈性體化合物被固化以在多孔塞上形成密封層。在密封層204形成在側壁252上且底部密封層302b形成在底表面254上和頂部密封層302a形成在多孔塞202的頂表面250上中的至少一者的一些實例中，可以去除頂部密封層302a的部分以形成間隙304，以及可以去除底部密封層302b的部分以形成間隙260，如此允許氣體流過多孔塞。可以在形成密封層的含氟彈性體化合物半固化和/或固化之前或半固化或固化之後去除頂部密封層302a和底部密封層302b的部分。
在操作730，將具有在其上形成密封層的多孔塞插入凹孔中，使得密封層接觸界定凹孔的壁。在一些實施中，可使用各種技術（如壓入配合、滑動配合、間隙配合、釘扎和接合等）將具有密封層的多孔塞202定位在凹孔240內。
圖8是根據本揭示案的一個或多個實施的形成具有接合的多孔塞的基板基座的方法800的又另一實例的流程圖。圖9A至9C繪示根據本揭示案的一個或多個實施的形成具有接合的多孔塞的基板基座的示意截面圖。接合的多孔塞包括多孔塞和密封層。密封層可以由含氟彈性體(FKM)、全氟彈性體(FFKM)或它們的組合構成。密封層可以由本文所述之含氟彈性體化合物形成。方法800可以用於生產分別如圖2和圖3所示的接合的多孔塞200、300。儘管參考圖2、圖3和圖9A-9C進行了討論，但應當理解，方法800可以與其他多孔塞和基板基座設計一起使用。
在操作810，吸盤主體214的凹孔的壁塗覆有含氟彈性體化合物904，如本文所述之含氟彈性體化合物。可以調整含氟彈性體化合物904的黏滯性以易於將含氟彈性體化合物施加到吸盤主體214的凹孔240的壁。參考圖9，可以將含氟彈性體化合物904施加到至少一個側壁242與頂壁244中的至少一者，該至少一個側壁242與該頂壁244界定如圖9A所示的靜電吸盤112的吸盤主體214中形成的凹孔240。
可選地，在操作820，塗覆在界定凹孔240的壁上的含氟彈性體化合物904可以被部分固化或完全固化。可以使用任何合適的部分固化或固化製程。
可選地，在操作830，可以用如本文先前所述之含氟彈性體化合物904塗覆多孔塞。
可選地，在操作840，塗覆在多孔塞202上的含氟彈性體化合物904可以被部分固化或完全固化。可以使用任何合適的部分固化或固化製程。
在操作850，將多孔塞202插入凹孔240中，使得多孔塞202接觸在界定凹孔240的壁上形成的含氟彈性體化合物904。圖9C繪示圖9B的一部分的放大局部截面圖。如圖9C所示，調整含氟彈性體化合物904的黏滯性，使得含氟彈性體化合物904填充或部分地填充沿多孔塞202的外表面或側壁定位的表面孔隙910，而基本上不填充多孔塞202的內部孔隙920。含氟彈性體化合物904將多孔塞202接合到凹孔240的壁，或藉由接合材料的彈性性質將壓縮力施加到多孔塞202和/或凹孔240的側壁的各個表面上來固持多孔塞202。
在操作860，在界定凹孔的壁上形成的含氟彈性體化合物904被固化，以在多孔塞202和界定凹孔240的壁之間形成密封層（如圖2與圖3所示的密封層204）。
本文所述之密封構件和多孔塞適用於基板支撐基座，以保護將冷卻基部與靜電吸盤接合的接合層不受處理氣體的影響。有利的是，保護接合層不受處理氣體的影響，減少了接合層的侵蝕，並在基板上維持實質均勻的溫度。例如，可以使用對處理氣體具有抗侵蝕性的密封構件來在靜電吸盤的多孔塞之間形成徑向密封和/或垂直密封。這種密封構件防止處理氣體流入靜電吸盤和冷卻基部之間的間隙，並減少接合層的侵蝕。因此，維持了冷卻基部和靜電吸盤之間的實質均勻的熱傳遞以及基板上的均勻的溫度。
本說明書中描述的實施和所有功能性操作可以在數位電子電路中或在電腦軟體、韌體或硬體中實施，其包括在本說明書中揭露的結構構件及其等效結構、或其組合。本案描述的實施可以作為一個或多個非暫態電腦程式產品來實現，即，有形地體現在非暫態電腦可讀儲存裝置中的一個或多個電腦程式，用於由資料處理設備（如可程式化處理器、電腦、或多個處理器或電腦）執行或控制資料處理設備的操作。
本說明書中描述的處理和邏輯流程可以由執行一個或多個電腦程式的一個或多個可程式化處理器施行以藉由在輸入資料上操作或產生輸出來施行功能。處理和邏輯流程也可以由專用邏輯電路（如FPGA（場可程式閘陣列）或ASIC（特殊應用積體電路））施行，且設備也可以作為專用邏輯電路實現。
術語「資料處理設備」涵蓋用於處理資料的所有設備、裝置和機器，以示例性的方式包括可程式化的處理器、電腦或多個處理器或電腦。除了硬體之外，設備還可以包括針對所討論的電腦程式產生執行環境的程式碼，如構成處理器韌體、協定堆疊、資料庫管理系統、操作系統或其中的一或多個的組合之程式碼。例如，適合於執行電腦程式的處理器包括通用和專用微處理器，以及任何種類的數位電腦的任何一個或多個處理器。
適用於儲存電腦程式指令和資料的電腦可讀媒體包括所有形式的非揮發性記憶體、媒體和記憶裝置，包括例如半導體記憶裝置（如EPROM、EEPROM和快閃記憶體裝置）；磁碟（如內部硬碟或可拆卸式磁碟）；磁光碟；及CD ROM和DVD-ROM碟。處理器和記憶體可以由專用邏輯電路輔助或併入專用邏輯電路中。
本揭示案的實施例進一步關於以下實例1-20中的任一個或多個：
1. 一種製造吸盤主體的方法，包括以下步驟：用包含含氟彈性體（fluoroelastomer）化合物的一塗層來塗覆一多孔塞；將具有在其上形成該塗層的該多孔塞插入一吸盤主體中形成的一凹孔中；及固化該塗層以在該多孔塞和該凹孔的一壁之間形成一密封層。
2. 如實例1所述之方法，其中該塗層具有約25微米至約1,000微米的一厚度。
3. 如實例1或2所述之方法，進一步包括以下步驟：在插入該多孔塞之前，部分地固化該塗層以在該多孔塞上形成一部分固化的含氟彈性體層。
4. 如實例1-3中任一項所述之方法，其中該密封層在該多孔塞和該凹孔的該壁之間形成一徑向密封。
5. 如實例1-4中任一項所述之方法，其中該密封層進一步形成以下各者中的至少一個：該多孔塞與接合於該吸盤主體的一冷卻基部之間的一第一軸向密封，及該多孔塞的一頂表面與該凹孔的一第二壁之間的一第二軸向密封。
6. 如實例1-5中任一項所述之方法，其中該含氟彈性體化合物為具有約50cP至約5,000cP的一黏滯性的一膠體形式。
7. 如實例1-6中任一項所述之方法，其中該含氟彈性體化合物包括至少一個全氟聚合物。
8. 如實例1-7中任一項所述之方法，其中該含氟彈性體化合物進一步包括以下各者中的至少一個：固化劑、黏合促進劑、增稠劑、溶劑和填料。
9. 一種製造一吸盤主體的方法，包括以下步驟：用包含含氟彈性體化合物的一塗層來塗覆一吸盤主體中形成的一凹孔的一壁；將一多孔塞插入具有的該凹孔中；及固化該塗層以在該多孔塞和該凹孔的該壁之間形成一密封層。
10. 如實例9所述之方法，進一步包括以下步驟：在插入該多孔塞之前，部分地固化該塗層以在該凹孔的該壁上形成一部分固化的含氟彈性體層。
11. 如實例9或10所述之方法，其中該密封層在該多孔塞和該凹孔的該壁之間形成一徑向密封。
12. 如實例9-11中任一項所述之方法，其中該密封層進一步形成以下各者中的至少一個：該多孔塞與接合於該吸盤主體的一冷卻基部之間的一第一軸向密封，及該多孔塞的一頂表面與該凹孔的一第二壁之間的一第二軸向密封。
13. 如實例9-12中任一項所述之方法，其中該含氟彈性體化合物為具有約50cP至約5,000cP的一黏滯性的一膠體形式。
14. 如實例9-13中任一項所述之方法，其中該含氟彈性體化合物包括至少一個全氟聚合物。
15. 如實例9-14中任一項所述之方法，其中該含氟彈性體化合物進一步包括以下各者中的至少一個：固化劑、黏合促進劑、增稠劑、溶劑和填料。
16. 一種製造一吸盤主體的方法，包括以下步驟：用包含含氟彈性體化合物的一第一塗層來塗覆一多孔塞；用包含該含氟彈性體化合物的一第二塗層來塗覆一吸盤主體中形成的一凹孔的一壁；將具有在其上形成該第一塗層的該多孔塞插入具有在其上形成該第二塗層的該凹孔中；及固化該第一塗層與該第二塗層以在該多孔塞和該凹孔的該壁之間形成一密封層。
17. 如實例16所述之方法，進一步包括以下步驟：在插入該多孔塞之前，部分地固化該第一塗層和該第二塗層中的至少一個以在該多孔塞和該凹孔的該壁中的至少一個上形成一部分固化的含氟彈性體層。
18. 如實例16或17所述之方法，其中該密封層在該多孔塞和該凹孔的該壁之間形成一徑向密封。
19. 如實例16-18中任一項所述之方法，其中該密封層進一步形成以下各者中的至少一個：該多孔塞與接合於該吸盤主體的一冷卻基部之間的一第一軸向密封，及該多孔塞的一頂表面與該凹孔的一第二壁之間的一第二軸向密封。
20. 如實例16-19中任一項所述之方法，其中該含氟彈性體化合物為具有約50cP至約5,000cP的一黏滯性的一膠體形式，及該含氟彈性體化合物包括至少一個全氟聚合物且可選地包括以下各者中的至少一個：固化劑、黏合促進劑、增稠劑、溶劑和填料。
雖然前面所述係針對本揭示案的實施例，但在不背離本揭示案的基本範圍及以下專利申請範圍所界定之範圍下，可設計其他與進一步的實施例。本文所述之所有文件均藉由引用併入本文，包括與本文不矛盾的任何優先權文件和/或測試程序。從總體描述和具體實施例中可以明顯看出，雖然已經說明和描述了本揭示案的形式，但是可以在不背離本揭示案的精神和範圍的情況下作各種修改。因此，本揭示案並非旨在在受此限制。類似地，就美國法律而言，術語「包括」被認為與術語「包含」同義。類似地，在化合物、元素或元素組前面帶有過渡片語「包括」的情況時，應當理解為，考慮到相同的化合物或元素組，具有過渡片語「基本上由……組成」、「由……組成」、「從由……組成的群組中選擇」或「是」在該化合物、元素或多個元素的敘述之前，反之亦然。如本文所用，術語「約」是指與標稱值相差+/-10％的變化。應當理解，這種變化可以包含在本文提供的任何值中。
已經使用一組數值最小值和一組數值最大值描述某些實施例和特徵。應當理解，包括任意兩個值的組合之範圍，除非另有說明，否則應當考慮為例如任意最小值與任意最大值的組合、任意兩個最小值的組合和/或任意兩個最大值的組合。某些最小值、最大值和範圍出現在以下一項或多項申請專利範圍中。
100:處理腔室 102:腔室主體 104:處理空間 106:頂板 107:底壁 108:腔室壁 110:基板支撐基座 112:靜電吸盤 114:冷卻基部 116:軸 120:支撐表面 122:基板 124:氣體源 125:電源供應 130A:感應線圈天線段 130B:導電線圈天線段 132:RF源 134:匹配網路 136:RF源 138:匹配網路 140:電接地 142:節流閥 144:真空泵 150:系統控制器 152:記憶體 154:CPU 156:支援電路 160:氣體面板 162:入口埠 200:接合的多孔塞 201:部分 202:多孔塞 204:密封層 210:接合層 212:冷卻通道 214:吸盤主體 216:電極 218:饋通 230:氣流通道 232:底表面 234:氣體通道 236:開口 240:凹孔 242:側壁 244:頂壁 246:直徑 250:頂表面 252:側壁 254:底表面 256:直徑 260:間隙 300:接合的多孔塞 302:密封層 302a:頂部密封層 302b:底部密封層 304:間隙 400:方法 410:操作 420:操作 430:操作 440:操作 450:操作 460:操作 500:方法 510:操作 520:操作 530:操作 540:操作 600:方法 610:操作 620:操作 630:操作 640:操作 700:方法 710:操作 720:操作 730:操作 800:方法 810:操作 820:操作 830:操作 840:操作 850:操作 860:操作 904:含氟彈性體化合物 910:表面孔隙 920:內部孔隙
本揭示案之特徵已簡要概述於前，並在以下有更詳盡之討論，可以藉由參考所附圖式中繪示之本案實施以作瞭解。然而，應注意的是，所附圖式僅繪示本揭示案的典型實施，且因此不應認為是對其範圍的限制，因為本揭示案可允許其他同等有效的實施。
圖1是根據本揭示案的一個或多個實施的包括具有接合的多孔塞的基板支撐基座的處理腔室的示意圖。
圖2是根據本揭示案的一個或多個實施的具有接合的多孔塞的基板支撐基座的局部截面圖。
圖3是根據本揭示案的一個或多個實施的具有接合的多孔塞的基板支撐基座的局部截面圖。
圖4是根據本揭示案的一個或多個實施的形成具有接合的多孔塞的基板基座的方法的一個實例的流程圖。
圖5是根據本揭示案的一個或多個實施的形成具有接合的多孔塞的基板基座的方法的另一實例的流程圖。
圖6是根據本揭示案的一個或多個實施的形成具有接合的多孔塞的基板基座的方法的又另一實例的流程圖。
圖7是根據本揭示案的一個或多個實施的形成具有接合的多孔塞的基板基座的方法的又另一實例的流程圖。
圖8是根據本揭示案的一個或多個實施的形成具有接合的多孔塞的基板基座的方法的又另一實例的流程圖。
圖9A至9C繪示根據本揭示案的一個或多個實施的形成具有接合的多孔塞的基板基座的示意截面圖。
為便於理解，在可能的情況下，使用相同的數字編號代表圖示中相同的元件。可以預期的是，一個實施中的元件與特徵可有利地用於其他實施中而無需贅述。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
110:基板支撐基座
112:靜電吸盤
114:冷卻基部
122:基板
124:氣體源
125:電源供應
200:接合的多孔塞
201:部分
202:多孔塞
204:密封層
210:接合層
212:冷卻通道
214:吸盤主體
216:電極
218:饋通
230:氣流通道
232:底表面
234:氣體通道
236:開口
240:凹孔
242:側壁
244:頂壁
246:直徑
250:頂表面
252:側壁
254:底表面
256:直徑
260:間隙

Claims (20)

  1. 一種製造一吸盤主體的方法，包括以下步驟：用包含含氟彈性體(fluoroelastomer)化合物的一塗層來塗覆一多孔塞；將具有在其上形成該塗層的該多孔塞插入一吸盤主體中形成的一凹孔中；及固化該塗層以在該多孔塞和該凹孔的一壁之間形成一密封層。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該塗層具有約25微米至約1,000微米的一厚度。
  3. 如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟：在插入該多孔塞之前，部分地固化該塗層以在該多孔塞上形成一部分固化的含氟彈性體層。
  4. 如請求項1所述之方法，其中該密封層在該多孔塞和該凹孔的該壁之間形成一徑向密封。
  5. 如請求項4所述之方法，其中該密封層進一步形成以下各者中的至少一個：該多孔塞與接合於該吸盤主體的一冷卻基部之間的一第一軸向密封，及該多孔塞的一頂表面與該凹孔的一第二壁之間的一第二軸向密封。
  6. 如請求項1所述之方法，其中該含氟彈性體化合物為具有約50cP至約5,000cP的一黏滯性的一膠體形式。
  7. 如請求項6所述之方法，其中該含氟彈性體化合物包括至少一個全氟聚合物。
  8. 如請求項7所述之方法，其中該含氟彈性體化合物進一步包括以下各者中的至少一個：固化劑、黏合促進劑、增稠劑(thickening agent)、溶劑和填料。
  9. 一種製造一吸盤主體的方法，包括以下步驟：用包含含氟彈性體化合物的一塗層來塗覆一吸盤主體中形成的一凹孔的一壁；將一多孔塞插入該凹孔中；及固化該塗層以在該多孔塞和該凹孔的該壁之間形成一密封層。
  10. 如請求項9所述之方法，進一步包括以下步驟：在插入該多孔塞之前，部分地固化該塗層以在該凹孔的該壁上形成一部分固化的含氟彈性體層。
  11. 如請求項9所述之方法，其中該密封層在該多孔塞和該凹孔的該壁之間形成一徑向密封。
  12. 如請求項9所述之方法，其中該密封層進一步形成以下各者中的至少一個：該多孔塞與接合於該吸盤主體的一冷卻基部之間的一第一軸向密封，及該多孔塞的一頂表面與該凹孔的一第二壁之間的一第二軸向密封。
  13. 如請求項9所述之方法，其中該含氟彈性體 化合物為具有約50cP至約5,000cP的一黏滯性的一膠體形式。
  14. 如請求項13所述之方法，其中該含氟彈性體化合物包括至少一個全氟聚合物。
  15. 如請求項14所述之方法，其中該含氟彈性體化合物進一步包括以下各者中的至少一個：固化劑、黏合促進劑、增稠劑、溶劑和填料。
  16. 一種製造一吸盤主體的方法，包括以下步驟：用包含含氟彈性體化合物的一第一塗層來塗覆一多孔塞；用包含該含氟彈性體化合物的一第二塗層來塗覆一吸盤主體中形成的一凹孔的一壁；將具有在其上形成該第一塗層的該多孔塞插入具有在其上形成該第二塗層的該凹孔中；及固化該第一塗層與該第二塗層以在該多孔塞和該凹孔的該壁之間形成一密封層。
  17. 如請求項16所述之方法，進一步包括以下步驟：在插入該多孔塞之前，部分地固化該第一塗層和該第二塗層中的至少一個以在該多孔塞和該凹孔的該壁中的至少一個上形成一部分固化的含氟彈性體層。
  18. 如請求項16所述之方法，其中該密封層在該多孔塞和該凹孔的該壁之間形成一徑向密封。
  19. 如請求項18所述之方法，其中該密封層進 一步形成以下各者中的至少一個：該多孔塞與接合於該吸盤主體的一冷卻基部之間的一第一軸向密封，及該多孔塞的一頂表面與該凹孔的一第二壁之間的一第二軸向密封。
  20. 如請求項18所述之方法，其中該含氟彈性體化合物為具有約50cP至約5,000cP的一黏滯性的一膠體形式，及該含氟彈性體化合物包括至少一個全氟聚合物且可選地包括以下各者中的至少一個：固化劑、黏合促進劑、增稠劑、溶劑和填料。
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