[go: up one dir, main page]

TWI734983B - 度量衡方法、裝置及電腦程式 - Google Patents

度量衡方法、裝置及電腦程式 Download PDF

Info

Publication number
TWI734983B
TWI734983B TW108116850A TW108116850A TWI734983B TW I734983 B TWI734983 B TW I734983B TW 108116850 A TW108116850 A TW 108116850A TW 108116850 A TW108116850 A TW 108116850A TW I734983 B TWI734983 B TW I734983B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
target
sensitivity coefficient
representative
targets
determining
Prior art date
Application number
TW108116850A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202004360A (zh
Inventor
科思塔 愛莎法歐 艾柏特 達
莫哈瑪德瑞薩 哈吉阿瑪迪
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Publication of TW202004360A publication Critical patent/TW202004360A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI734983B publication Critical patent/TWI734983B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
    • G01B11/27—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes
    • G01B11/272—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes using photoelectric detection means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/14—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring distance or clearance between spaced objects or spaced apertures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G03F7/706—Aberration measurement
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
    • G06N20/00—Machine learning
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B2210/00—Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
    • G01B2210/56—Measuring geometric parameters of semiconductor structures, e.g. profile, critical dimensions or trench depth

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Data Mining & Analysis (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Artificial Intelligence (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本發明揭示一種用於判定一基板上之一目標之一特性的方法及其相關聯之度量衡裝置。該方法包含：獲得複數個強度不對稱性量測，各強度不對稱性量測與該基板上所形成之一目標相關；及根據該複數個強度不對稱性量測來判定對應於各目標之一敏感度係數。使用此等敏感度係數來判定用於該複數個目標或大於其中一者之一子集的一代表性敏感度係數。接著可使用該代表性敏感度係數來判定該目標之該特性。

Description

度量衡方法、裝置及電腦程式
本發明係關於用於可用於(例如)藉由微影技術製造器件之度量衡的方法及裝置，且係關於使用微影技術製造器件之方法。
微影裝置為將所要圖案塗覆至基板上(通常塗覆至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化裝置(其替代地稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至設置於基板上之輻射敏感性材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單個基板應含有依次圖案化之鄰近目標部分之網狀物。在微影程序中，需要頻繁對例如為程序控制及校驗所創建之結構進行量測。用於進行此等量測之各種工具為吾人所知，包括常常用以量測臨界尺寸(CD)之掃描電子顯微鏡，及用以量測疊對(量測器件中之兩個層的對準精確度)之特殊化工具。可就兩個層之間的未對準程度而言描述疊對，例如，參考1 nm之經量測疊對可描述兩個層未對準1 nm之情形。
最近，已開發用於微影領域中的各種形式之散射計。此等器件將輻射光束導向至目標上且量測散射輻射之一或多個屬性(例如，隨波長而變的在單一反射角下之強度；隨反射角而變的在一或多個波長下之強度；或隨反射角而變的偏振)以獲得可自其判定目標之所關注屬性之「光譜(spectrum)」。可藉由以下各種技術來執行所關注屬性之判定：例如，藉由諸如嚴格耦合波分析或有限元素法之迭代方法的目標重建；程式庫檢索；及主成分分析。
由習知散射計使用之目標為相對大(例如，40 μm乘40 μm)光柵，且量測光束產生小於光柵之光點(亦即，光柵填充不足)。此簡化了目標之數學重構，此係因為目標可視為無限的。然而，為了減小目標之大小，例如減小至10 μm乘10 μm或更小，例如因此該等目標可定位於產品特徵當中而非切割道中，已提出使光柵小於量測光點(亦即光柵填充過度)之度量衡。通常使用暗場散射量測來量測此等目標，其中阻擋零階繞射(對應於鏡面反射)，且僅處理高階。可在國際專利申請案WO 2009/078708及WO 2009/106279中找到暗場度量衡之實例，該等申請案之文件特此以全文引用之方式併入。專利公開案US20110027704A、US20110043791A及US20120242970A中已描述技術之進一步開發。所有此等申請案之內容亦以引用之方式併入本文中。使用繞射階之暗場偵測的以繞射為基礎之疊對實現對較小目標之疊對量測。此等目標可小於照明光點且可由晶圓上之產品結構環繞。目標可包含可在一個影像中量測之多個光柵。
在已知度量衡技術中，藉由在某些條件下量測疊對目標兩次，同時旋轉疊對目標或改變照明模式或成像模式以分別地獲得-1繞射階強度及+1繞射階強度來獲得疊對量測結果。關於給定疊對目標之強度不對稱性(此等繞射階強度之比較)提供目標不對稱性(亦即，目標中之不對稱性)之量測。疊對目標中之此不對稱性可用作疊對(兩個層之不當未對準)之指示符。
疊對可根據疊對與強度不對稱性之間的所採用線性關係由目標判定，亦即，基於關係式或敏感度常數K 判定。然而，此關係式僅對完美目標為線性，用於該關係式之僅有目標不對稱性為經量測疊對及任一既定偏壓。對於實際目標，包含實體缺陷導致附加不對稱性，此敏感度常數K 可在目標及目標之間變化。
將期望能夠根據升高之精確性執行疊對度量衡。
在一第一態樣中，本發明提供一種判定基板上之目標之特性的方法，其包含：獲得複數個強度不對稱性量測，各強度不對稱性量測與基板上所形成之目標相關；根據複數個強度不對稱性量測來判定對應於各目標之敏感度係數；根據在前一步驟中判定之敏感度係數來判定用於該複數個目標或大於其中一者之子集之代表性敏感度係數；以及使用該代表性敏感度係數來判定目標之該特徵。
在一第二態樣中，本發明提供一種度量衡裝置，其包含：照明系統，其經組態以用輻射照射目標；偵測系統，其經組態以偵測由目標之照射引起的散射輻射；其中該度量衡裝置可操作以執行第一態樣之方法。
本發明進一步提供一種包含處理器可讀指令之電腦程式，該等處理器可讀指令在執行於適合之處理器控制裝置上時，使得處理器控制裝置執行第一態樣之方法，且使電腦程式載體包含此類電腦程式。
下文參考隨附圖式來詳細地描述本發明之其他特徵及優勢，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之具體實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此類實施例。基於本文中所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將為顯而易見的。
在詳細地描述本發明之實施例之前，呈現可實施本發明之實施例之實例環境係具指導性的。
圖1示意性地描繪微影裝置LA。該裝置包括：照明光學系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如UV輻射或DUV輻射)、圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台) MT，該圖案化器件支撐件或支撐結構經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩) MA並連接至經組態以根據特定參數精確地定位圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W並連接至經組態以根據特定參數精確地定位基板之第二定位器PW；以及投影光學系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包括一或多個晶粒)上。
照明光學系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學或非光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之組件，或其任何組合。
圖案化器件支撐件以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及諸如圖案化器件是否固持於真空環境中之其他條件之方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。圖案化裝置支撐件可為(例如)框架或工作台，其可視需要經固定或可移動。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置處。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用與更一般術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應廣泛地解釋為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化裝置可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中為人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射性光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如光罩與投影系統之間的空間。用於增大投影系統之數值孔徑的浸潤技術在此項技術中為吾人所熟知。如本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參考圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當該源為準分子雷射時，源及微影裝置可為分離之實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且輻射光束係藉由包括(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體部件。源SO及照明器IL連同(若需要)光束傳遞系統BD可稱作輻明系統。
照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈之至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱作σ外部及σ內部)。另外，照明系統IL可包括各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用於調節輻射光束，以在其橫截面中具有所需均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於經固持於圖案化器件支撐件(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩) MA上，並由該圖案化器件圖案化。在已橫穿圖案化器件(例如，光罩) MA之情況下，輻射光束B穿過投影光學系統PS，該投影光學系統將光束聚焦至基板W之目標部分C上，藉此將圖案之影像投影在目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉量測器件、線性編碼器、2D編碼器或電容式感測器)，可精確地移動基板台WT，例如，以便將不同目標部分C定位在輻射光束B之路徑中。相似地，可使用第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確描繪)以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間參照輻射光束B之路徑來精確定位圖案化裝置(例如，光罩) MA。
可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩) MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記稱為切割道對準標記)。相似地，在將多於一個晶粒設置於圖案化器件(例如，光罩) MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。小對準標記物亦可包括於器件特徵當中之晶粒內，在此狀況下，需要使標記物儘可能地小且無需與鄰近特徵不同的任何成像或程序條件。下文進一步描述偵測對準標記之對準系統。
此實例中之微影裝置LA屬於所謂的雙載物台類型，其具有兩個基板台WTa、WTb及兩個站(曝光站及量測站)，在該兩個站之間可交換基板台。在曝光站處曝光一個基板台上之一個基板同時，可在量測站處將另一基板裝載至另一基板台上並進行各種預備步驟。該等預備步驟可包括使用位階感測器LS來映射基板之表面控制，及使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記物之位置。此實現裝置之產出率之巨大增加。
所描繪裝置可用於包括(例如)步進模式或掃描模式的多種模式中。微影裝置之構造及操作為熟習此項技術者所熟知，且無需為理解本發明對其進行進一步描述。
如圖2中所展示，微影裝置LA形成微影系統之部分，其稱作微影單元(lithographic cell/lithocell) LC或叢集。微影單元LC亦可包括用以對基板執行曝光前及曝光後製程之裝置。通常，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板，在不同程序裝置之間移動基板，並將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常集體地稱作塗佈顯影系統之此等裝置係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，該塗佈顯影系統控制單元自身受到監督控制系統SCS控制，該監督控制系統亦經由微影控制單元LACU來控制微影裝置。因此，可操作不同裝置以最大化產出率及處理效率。
圖3(a)中展示度量衡裝置。圖3(b)中更詳細地說明目標T及用以照射該目標之量測輻射之繞射射線。所說明之度量衡裝置屬於稱為暗場度量衡裝置之類型。此處所描繪之度量衡裝置僅為例示性的，以提供對暗場度量衡之解釋。度量衡裝置可為單機器件，或併入於例如量測站處之微影裝置LA中或併入於微影單元LC中。貫穿裝置具有若干分支之光軸由點線O表示。在此裝置中，由源11 (例如氙氣燈)發射之光由包含透鏡12、14及物鏡16之光學系統經由光束分裂器15導向至基板W上。此等透鏡係以4F配置之雙重序列而配置。可使用不同透鏡配置，其限制條件為：該透鏡配置仍將基板影像提供至偵測器上，且同時地允許接近中間光瞳平面以用於空間頻率濾光。因此，可藉由在呈現基板平面之空間光譜之平面(此處稱作(共軛)光瞳平面)中界定空間強度分佈來選擇輻射入射於基板上之角度範圍。詳言之，可藉由在為物鏡光瞳平面之背向投影影像之平面中在透鏡12與透鏡14之間插入適合形式之孔徑板13來進行此選擇。在所說明實例中，孔徑板13具有不同形式，標註為13N及13S，從而允許選擇不同照明模式。在本實例中，照明系統形成離軸照明模式。在第一照明模式中，孔徑板13N根據特指方向提供離軸，僅出於描述起見，此稱為「北」。在第二照明模式中，孔徑板13S用於提供類似照射，但類似照射來自標註為「南」之相對方向。藉由使用不同孔隙，其他照明模式係可能的。光瞳平面之其餘部分理想地暗，此係因為所要照明模式以外之任何不必要光將會干擾所要量測信號。
如圖3(b)中所展示，目標T經置放成基板W垂直於物鏡16之光軸O。基板W可由支撐件(圖中未展示)支撐。與光軸O成一角度而照射於目標T上之量測輻射射線I產生一個零階射線(實線0)及兩個一階射線(點鏈線+1及雙點鏈點線-1)。應記住，在運用填充過度之小目標的情況下，此等射線僅僅為覆蓋包括度量衡目標T及其他特徵之基板區域的許多平行射線中之一者。因為孔徑板13中之孔徑具有有限寬度(為接納有用量之光所必要)，所以入射射線I實際上將佔據一角度範圍，且繞射射線0及+1/-1將稍微散開。根據小目標之點散佈函數(point spread function)，每一階+1及-1將遍及一角度範圍進一步散佈，而非如所展示之單一理想射線。應注意，目標之光柵間距及照射角度可設計或調整成使得進入物鏡之一階射線與中心光軸緊密對準。圖3(a)及3(b)中所說明之射線展示略微離軸，純粹以使其能夠在圖中較易區分。
由基板W上之目標T繞射之至少0階及+1階由物鏡16收集，並經引導返回並通過光束分裂器15。返回至圖3(a)，由指定標註為北(N)及南(S)之完全相對孔徑說明第一照明模式及第二照明模式兩者。在量測輻射之入射射線I來自光軸之北側時，亦即，在使用孔徑板13N來應用第一照明模式時，標記為+1(N)之+1繞射射線進入物鏡16。與此對比，當使用孔徑板13S來應用第二照明模式時，-1繞射射線(標註為-1(S))為進入物鏡16之繞射射線。
第二光束分裂器17將繞射光束劃分成兩個量測分支。在第一量測分支中，光學系統18使用零階繞射光束及一階繞射光束而在第一感測器19 (例如，CCD或CMOS感測器)上形成目標之繞射光譜(光瞳平面影像)。每一繞射階射中感測器上之一不同點，使得影像處理可比較及對比若干階。由感測器19捕捉之光瞳平面影像可用於聚焦度量衡裝置及/或歸一化一階光束之強度量測。亦可出於諸如重構之許多量測目的來使用光瞳平面影像。
在第二量測分支中，光學系統20、22在感測器23 (例如CCD或CMOS感測器)上形成目標T之影像。在第二量測分支中，在與光瞳平面共軛之平面中提供第二孔徑光闌21。孔徑光闌21用以阻擋零階繞射光束，使得形成於感測器23上之目標之影像僅由-1或+1一階光束形成。由感測器19及23捕捉之影像經輸出至處理影像之處理器PU，該處理器之功能將取決於執行中量測之特定類型。應注意，在廣泛意義上使用術語「影像」。由此，若僅存在-1階及+1階中之一者，則將不形成光柵線之影像。
圖3中所展示之孔徑板13及場光闌21之特定形式僅僅為實例。在本發明之另一實施例中，使用目標之同軸照射，且使用具有離軸孔徑之孔徑光闌實質上僅將一個一階繞射光傳遞至感測器。在其他實例中，可使用兩象限孔徑。此可使得能夠同步偵測加階及減階，其中偵測分支中之光楔(或其他合適元件)用以分離該等階以用於成像。在其他實施例中，代替一階光束或除一階光束以外，二階光束、三階光束及高階光束(圖3中未展示)亦可用於量測中。
為使量測輻射可適應於此等不同類型之量測，孔徑板13可包含圍繞圓盤而形成之數個孔徑圖案，該圓盤旋轉以使所要圖案處於適當位置。應注意，孔徑板13N或13S可僅用於量測在一個方向(取決於設定而為X或Y)上定向之光柵。為了量測正交光柵，可實施達90°及270°之目標旋轉。圖3(c)及(d)中展示不同孔徑板。上文所提及之先前已公開申請案中描述此等孔徑板之使用以及裝置之眾多其他變化及應用。
圖4描繪根據已知實務形成於基板上之疊對目標或複合疊對目標。此實例中之疊對目標包含四個子目標(例如光柵) 32至35，該等子目標接近地定位在一起使得其將皆在由度量衡裝置之度量衡輻射照明光束形成的量測光點31內。因此，所有該等四個子疊對目標同步照射並同步成像於感測器23上。在致力於疊對量測之一實例中，子目標32至35自身為由在形成於基板W上之半導體器件之不同層中圖案化之上覆光柵形成的複合結構。子目標32至35可具有經不同偏置之疊對偏移，以便促進經形成有複合子目標之不同部分之層之間的疊對之量測。下文中將參看圖7來解釋疊對偏置之涵義。子目標32至35亦可在其定向方面不同(如所展示)，以便使入射輻射在X方向及Y方向上繞射。在一個實例中，子目標32及34為分別具有+d、-d之偏置的X方向子目標。子目標33及35為分別具有偏移+d及-d之Y方向子目標。可在由感測器23捕捉之影像中識別此等子目標之單獨影像。此僅為疊對目標之一個實例。疊對目標可包含多於或少於4個子目標。
圖5展示在使用來自圖3(d)之孔徑板13NW或13SE的情況下在圖3之裝置中使用圖4之疊對目標的可形成於感測器23上且由該感測器偵測的影像之實例。雖然光瞳平面影像感測器19無法解析不同個別子目標32至35，但影像感測器23可進行此解析。陰影區域40表示感測器上之影像之場，在該場內，基板上之經照明光點31成像至對應圓形區域41中。在此區域內，矩形區域42至45表示小疊對目標子目標32至35之影像。若疊對目標位於產品區域中，則在此影像場之邊緣中亦可見產品特徵。影像處理器及控制器PU使用圖案辨識來處理此等影像以識別子目標32至35之單獨影像42至45。以此方式，影像並不必須在感測器框架內之特定部位處極精確地對準，此情形極大地改良量測裝置整體上之產出率。
一旦已識別疊對目標之單獨影像，就可(例如)藉由平均或求和識別區域中之選定像素強度值來量測彼等個別影像之強度。可將該等影像之強度及/或其他屬性彼此進行比較。可組合此等結果以量測微影製程之不同參數。疊對效能係此參數之重要實例。
圖6說明如何使用(例如)申請案WO 2011/012624中所描述之方法來量測含有子目標32至35之兩個層之間的疊對誤差(亦即，不當且非故意之疊對未對準)。此方法可稱作以微繞射為基礎之疊對(micro diffraction based overlay；μDBO)。經由如藉由比較疊對目標在+1階及-1階暗場影像中之強度(可比較其他對應較高階之強度，例如，+2階與-2階)以獲得強度不對稱性之量度而揭露的疊對目標不對稱性來進行此量測。在步驟S1處，經由微影裝置(諸如圖2之微影單元)處理基板(例如，半導體晶圓)一或多次，以產生包括子目標32至35之疊對目標。在S2處，在使用圖3之度量衡裝置的情況下，使用一階繞射光束中之僅一者(比如-1)來獲得子目標32至35之影像。在步驟S3處，無論藉由改變照明模式或改變成像模式，抑或藉由在度量衡裝置之視場中使基板W旋轉達180º，皆可使用另一一階繞射光束(+1)來獲得疊對目標之第二影像。因此，在第二影像中捕捉+1繞射輻射。
應注意，藉由在每一影像中包括一階繞射輻射之僅一半，此處所提及之「影像」不為習知暗場顯微法影像。疊對目標之個別疊對目標線將不解析。每一疊對目標將簡單地由具有某一強度位準之區域表示。在步驟S4中，在每一組件疊對目標之影像內識別所關注區(ROI)，將自該所關注區量測強度位準。
在已識別用於每一個別疊對目標之ROI且已量測其強度的情況下，可接著判定疊對目標之不對稱性且因此判定疊對誤差。在步驟S5中(例如，藉由處理器PU)比較針對每一子目標32至35之+1階及-1階所獲得之強度值以識別其強度不對稱性(例如，其強度之任何差)來進行此判定。該術語「差」不意欲係僅指減法。可以比率形式計算差。在步驟S6中，使用用於數個疊對目標之經量測強度不對稱性，連同彼等疊對目標之任何已知經強加疊對偏置之知識，以計算疊對目標T附近之微影程序之一或多個效能參數。
當前疊對計算方法依賴於如圖4中所說明之該兩種子目標(或兩種襯墊)目標(例如每個方向)，且疊對OV經由以下等式判定：
Figure 02_image001
Figure 02_image003
(等式1) 其中：
Figure 02_image005
係來自正偏置目標(例如強度值)之+1繞射階；
Figure 02_image007
係來自正偏置目標之-1繞射階；
Figure 02_image009
係來自負偏置目標之+1繞射階；
Figure 02_image011
係來自負偏置目標之-1繞射階；
Figure 02_image013
;(例如在自正偏置目標之該+1及-1強度中之不對稱性)；以及
Figure 02_image015
,(例如在自負偏置目標之該+1及-1強度中之不對稱性)。
等式1可就敏感度係數K 而言重新調配，該係數K 為具有經疊對獨立(呈現完美目標)之具體特性之堆疊相依參數：
Figure 02_image017
(等式2) 其中：
Figure 02_image019
(等式3)
然而，該完美目標假設由於實際目標不完美而導致在該疊對計算中之錯誤。除該經強加偏置(亦即在各層中之光柵設計成用於結構上對稱)以外，目標典型地設計成用於結構對稱。然而，每一目標應始終包含一些結構不對稱性而非該強加偏置。舉例而言，目標結構之最低或底部光柵中之不對稱性(例如由於設計外產生之層傾角、側壁角度或高度不同)為結構不對稱性之常見形態。結構不對稱性可在(例如)在最初形成底部光柵之後所執行的晶圓處理步驟(諸如化學機械拋光(CMP))中產生。
諸如結構不對稱性之目標缺陷產生之結果為受影響之該敏感度係數K ，且因而跨越基板在目標至目標之間變化。然而，已提出此處應存在有非目標相依之代表性敏感度係數K* 。從而提出一種用於判定該等代表性敏感度係數K* 之方法，其中任一者用於基板之所有目標，或其子集(大於一個)。更具體言之，代表性敏感度係數K* 之判定可包含代表性敏感度係數函數K*(λ) 之判定，通常稱作搖擺曲線。
圖7為敏感度係數K 相對於用於基板上之所有目標之波長λ之曲線圖(亦即各曲線為相關於具體目標之獨立搖擺曲線)。缺乏目標缺陷的情況下，將僅存在單個搖擺曲線，其將對所有目標相同。然而，可見在各目標中結構不對稱性之效應為搖擺曲線K(λ) 在目標到目標之間變化。此意謂對於給出波長，該敏感度係數K 對於一個目標與另一個目標相較而言可有較大差異。儘管如此，亦應為清楚的係在波長範圍內存在目標至目標之清晰趨向。本文提出基於此趨向而判定代表性敏感度係數函數K*(λ) 。以此為基礎，敏感度係數K 之估算可藉由使用更加不受目標缺陷影響之代表性敏感度係數K* 改進，並用於疊對計算中，因而使得改進疊對精確性。可判定用於基板之所有目標或用於其子目標之代表性敏感度係數函數K*(λ) ；例如，每個區(例如，外(邊緣)基板區及內基板區，可伸展以包括一或多個中間區)。
提出用於判定代表性敏感度係數K* 之多種不同方法。在一個實施例中，此可包含採用如經判定用於量測域(例如每個區或基板)內之所有目標的該量測敏感度係數K 之中位值。在複數個波長可供使用之情況下，可按通過每個波長經判定之此等中位值的回歸來判定代表性敏感度係數函數K*(λ) 。視需要的，此類方法可藉由減弱在該代表性敏感度係數K* 中存在最大目標至目標差異之波長(例如僅包括具有基本K 差異或低於臨限差異量測值之差異的彼等波長)而改進。
圖8說明可使用機器學習技術以聚類或分類如每個目標經判定之該代表性敏感度係數函數K*(λ) 之另一個方法。其展示與圖7 (左)相同之聚類為三個叢集之曲線圖。接著可每個叢集地判定，或僅為一個叢集地判定並全域應用代表性敏感度係數函數K*(λ) 。可使用中位值判定用於如已描述之該叢集的該代表性敏感度係數函數K*(λ) 。該機器學習技術可包含k均值或高斯(Gaussian)混合建模技術。可在程序相依基礎上判定選定之叢集的數目，或可選擇任意數目個(諸如在2與5之間的任一數目)。諸如主成分分析(PCA)之降維技術亦可用於判定叢集之理想數目，其接著可供叢集演算法使用。
可基於針對特定叢集判定之該敏感度係數函數K*(λ) 來判定全域地用於整個基板之代表性敏感度係數函數K*(λ) 。由於在基板中心區處目標缺陷不大可能為一問題，因此此特定叢集可為(例如)表示基板中心區之目標之叢集(已觀察到，叢集技術往往會產生根據目標區聚類之群組)。若該聚類導致徑向對稱聚類(例如基於中心區對外部區(及若叢集數目超過2之一或多個中間環)之聚類)，則每個基板僅使用單個代表性敏感度係數函數K*(λ) 可為較佳的。若該聚類並不展示此類傾向，則隨後每個叢集之代表性敏感度係數函數K*(λ) 之判定及應用可為較佳的。
一旦判定代表性敏感度係數K* ，可隨後使用通過
Figure 02_image021
相對於代表性敏感度係數K* 之曲線圖之波長相依點(例如n個波長λ1 至λn )之線性回歸來估算疊對；例如，根據公式2，在矩陣表示中，其變為：
Figure 02_image023
(等式4) 其可藉由下式求解疊對OV：
Figure 02_image025
(等式5) 其
Figure 02_image027
為X 之轉置。
儘管以上方法之優勢中之一者為其利用來自兩個子目標之所有資料，該方法可擴展至僅具有單個子目標(例如每個方向)之目標之量測。此類方法可包含根據適於
Figure 02_image029
或
Figure 02_image031
(例如取決於該單個子目標之偏置)相對於該代表性敏感度係數K* 之曲線圖的線性之斜度判定。因而，將稍微改善公式4使得矩陣Y中每一列僅具有單個項
Figure 02_image033
或
Figure 02_image035
。
圖9為使用本文中所描述之技術來量測疊對之例示性方法的流程圖。在步驟S11中，經由微影裝置(諸如圖2中之該微影單元)處理基板(例如，半導體晶圓)一或多次，以產生(例如根據取樣方案而策略性定位的)跨該基板之複數個疊對目標。在S12處，在使用例如圖3(a)之度量衡裝置的情況下，使用僅包含一階/高階繞射光束(例如，+1)中之一者的第一(多波長)輻射來獲得疊對目標之第一(正常)影像。在步驟S13處，使用包含另一一階/高階繞射光束(例如，-1)的第二(多波長)輻射來獲得疊對目標之第二(補充)影像。可同時執行步驟S12及S13 (例如藉由使用光楔來分離該等繞射階)。步驟S11至S13對應於圖6之步驟S1至S3。
在步驟S14處，根據在步驟S12及S13量測處獲得之影像之強度值用來判定用於該等目標中之每一者的搖擺曲線或敏感度係數函數K(λ) 。
在步驟S15中，至少一個代表性搖擺曲線或敏感度係數函數K*(λ) 係根據步驟S14之搖擺曲線判定。代表性搖擺曲線可經判定用於整個基板或僅用於目標之子集(例如每個區域)。此步驟可使用聚類或其他機器學習技術，及/或判定通過中位值的回歸，如上文所描述。
在步驟S16處，使用(至少一個)代表性搖擺曲線或敏感度係數函數K*(λ) 來判定疊對。在一實施例中，可根據公式4/公式5判定來疊對。
雖然以上所描述之目標為出於量測之目的而特定設計且形成之度量衡目標，但在其他實施例中，可在作為形成於基板上之器件之功能性部分的目標上量測屬性。許多器件具有規則的光柵類結構。如本文中所使用之術語「目標光柵」及「目標」並不需要已特定針對正執行之量測來提供結構。此外，度量衡目標之間距P接近於散射計之光學系統之解析度極限，但可比藉由微影程序在目標部分C中製造之典型產品特徵之尺寸大得多。實務上，可將目標內之疊對光柵之線及/或空間製造為包括尺寸上與產品特徵相似之較小結構。
與如實現於基板及圖案化器件上之目標之實體光柵結構相關聯地，一實施例可包括電腦程式，該電腦程式含有機器可讀指令之一或多個序列，該等機器可讀指令描述量測基板上之目標之方法及/或分析量測以獲得關於微影程序之資訊。可(例如)在圖3之裝置中之單元PU內及/或圖2之控制單元LACU內執行此電腦程式。亦可提供一種在其中儲存有此電腦程式之資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)。在屬於(例如)圖3所展示之類型之現有度量衡裝置已在生產中及/或在使用中之情況下，可藉由提供經更新電腦程式產品來實施本發明，該等更新之電腦程式產品用於使處理器執行步驟S14至S16並因此計算疊對誤差。
程式可視情況經配置以控制光學系統、基板支撐件及其類似者以執行步驟S12至S15以用於量測關於合適複數個目標之不對稱性。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但將瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入至供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後將圖案化元移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
在以下編號條項中描述根據本發明之其他實施例： 1、一種判定基板上之目標之特性的方法，其包含： 獲得複數個強度不對稱性量測，各強度不對稱性量測與基板上所形成之目標相關； 根據複數個強度不對稱性量測來判定對應於各目標之敏感度係數； 根據在前一步驟中已判定之敏感度係數來判定用於複數個目標或大於其中一者之子集的代表性敏感度係數；以及 使用代表性敏感度係數來判定該目標之特徵。 2、如技術方案1之方法，其中目標之特性包含疊對。 3、如技術方案1或2之方法，其中敏感度係數描述使疊對與強度不對稱性相關之比例常數。 4、如技術方案1、2或3之方法，其包含使用各目標之代表性敏感度係數來判定用於複數個目標之特徵。 5、如技術方案1、2或3之方法，其包含使用用於子集中之各目標之代表性敏感度係數來判定用於複數個目標之子集的特徵。 6、如前述技術方案中任一項之方法，其中判定代表性敏感度係數包含判定複數個目標之敏感度係數之中位值。 7、如前述技術方案中任一項之方法，其中使用具有複數個不同照明特性之輻射來執行複數個強度不對稱性量測。 8、如技術方案7之方法，其中複數個不同照明特性包含複數個不同波長及/或偏振。 9、如技術方案7或8之方法，其中判定對應於各目標之敏感度係數包含判定用於各目標之照明特性相依敏感度係數函數；以及 該判定代表性敏感係數包含判定代表性照明特性相依敏感度係數函數。 10、如技術方案9之方法，其包含執行機器學習過程，以將照明特性相依敏感度係數函數分類成群組。 11、如技術方案10之方法，其中機器學習過程係一聚類過程。 12、如技術方案10或11之方法，其包含自群組中之單個者中判定單個代表性照明特性相依敏感度係數函數，以用於判定用於所有該複數個目標之目標特性。 13、如技術方案10或11之方法，其包含判定用於群組中之每一者之群組代表性照明特性相依敏感度係數函數。 14、如技術方案9至13之方法，其中判定用於該複數個目標及/或該等群組中之一或多者之代表性照明特性相依敏感度係數函數包含在各照明特性下通過對應於複數個目標或適當群組之敏感度係數之中位值的回歸。 15、如前述任一技術方案之方法，其中，該目標包含具有第一偏置之第一子目標及具有第二偏置之第二子目標，且判定目標之特徵之步驟包含使用來自第一子目標及第二子目標兩者之不對稱性量測之組合。 16、如技術方案1至14中任一項之方法，其中該目標包含單個子目標。 17、一種度量衡裝置，其包含： 照明系統，其經組態以用輻射照射目標；以及 偵測系統，其經組態以偵測由目標照射產生之散射輻射； 其中，該度量衡裝置可操作以執行如技術方案1至16中任一項之方法。 18、一種電腦程序，其包含處理器可讀指令，當在適當之處理器控制裝置上運行該等處理器可讀指令時，使處理器控制裝置執行如技術方案1至16中任一項之方法。 19、一種電腦程序載體，其包含如技術方案18之電腦程序。
本文所用術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型的電磁輻射，其包括紫外(UV)輻射(例如波長為或約為365、355、248、193、157或126 nm)及極紫外(EUV)輻射(例如波長在5至20 nm範圍內)以及粒子束，例如離子束或電子束。
在本文內容允許之情況下，術語「透鏡」可係指任一種或不同組件之組合，該等組件包括折射、反射、磁性、電磁及靜電組件。
上述對具體實施例之描述將充分揭露本申請案之一般性質，以便其他人可以經由在此項技術範圍內應用知識，在不偏離本申請案之一般概念之情況下，輕易修改及/或適應該等具體實施例之各種應用。因此，基於本文呈現之教學及指導，該等調整及修改旨在於所揭示實施例之等效含義及範圍內。應理解，本文中之術語或措詞係為了舉例說明之目的，而非為了限制，以便本說明書中之術語或措詞將由熟習此項技術者根據教學及指導進行解釋。
本申請案之寬度及範圍不應受到上述任何例示性實施例之限制，而應僅根據以下申請項及其等效物定義。
11‧‧‧源 12‧‧‧透鏡 13‧‧‧孔徑板 13N‧‧‧孔徑板 13NW‧‧‧孔徑板 13S‧‧‧孔徑板 13SE‧‧‧孔徑板 14‧‧‧透鏡 15‧‧‧光束分裂器 16‧‧‧物鏡 17‧‧‧第二光束分裂器 18‧‧‧光學系統 19‧‧‧第一感測器 20‧‧‧光學系統 21‧‧‧孔徑光闌 22‧‧‧光學系統 23‧‧‧感測器 31‧‧‧量測光點 32‧‧‧子目標 33‧‧‧子目標 34‧‧‧子目標 35‧‧‧子目標 40‧‧‧陰影區域 41‧‧‧圓形區域 42‧‧‧矩形區域 43‧‧‧矩形區域 44‧‧‧矩形區域 45‧‧‧矩形區域 AD‧‧‧調整器 AS‧‧‧對準感測器 B‧‧‧輻射光束 BD‧‧‧光束傳遞系統 BK‧‧‧烘烤板 C‧‧‧目標部分 CH‧‧‧冷卻板 CO‧‧‧聚光器 DE‧‧‧顯影器 I‧‧‧ 輻射射線 I/O1‧‧‧輸入/輸出埠 I/O2‧‧‧輸入/輸出埠 IF‧‧‧位置感測器 IL‧‧‧照明器 IN‧‧‧積光器 LA‧‧‧微影設備裝置 LACU‧‧‧微影控制單元 LB‧‧‧裝載匣 LC‧‧‧微影單元 LS‧‧‧位階感測器 M1‧‧‧光罩對準標記 M2‧‧‧光罩對準標記 MA‧‧‧圖案化器件 MT‧‧‧支撐結構 O‧‧‧光軸 P1‧‧‧基板對準標記 P2‧‧‧基板對準標記 PM‧‧‧第一定位器 PS‧‧‧投影光學系統 PU‧‧‧處理器 PW‧‧‧第二定位器 RO‧‧‧機器人 S1‧‧‧步驟 S2‧‧‧步驟 S3‧‧‧步驟 S4‧‧‧步驟 S5‧‧‧步驟 S6‧‧‧步驟 S11‧‧‧步驟 S12‧‧‧步驟 S13‧‧‧步驟 S14‧‧‧步驟 S15‧‧‧步驟 S16‧‧‧步驟 SC‧‧‧旋塗器 SCS‧‧‧監督控制系統 SO‧‧‧輻射源 T‧‧‧目標 TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元 W‧‧‧基板 WT‧‧‧基板台 WTa‧‧‧基板台 WTb‧‧‧基板台
現在將參看隨附圖式僅藉助於實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中： 圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置； 圖2描繪根據本發明之一實施例之微影單元或叢集； 圖3包含：(a)用於使用第一對照明孔徑來量測目標之暗場散射計之示意圖，(b)用於照射之給定方向的目標光柵之繞射光譜細節，(c)在使用散射計以用於以繞射為基礎之疊對量測時提供其他照明模式之第二對照明孔徑，及(d)組合第一對孔徑與第二對孔徑之第三對照明孔徑； 圖4描繪基板上之多個光柵目標之已知形式及量測光點之輪廓； 圖5描繪在圖3之散射計中獲得的圖4之目標的影像； 圖6為展示使用圖3之散射計之疊對量測方法之步驟的流程圖； 圖7為K相對於用於基板中之複數個目標之波長的搖擺曲線圖； 圖8說明聚類圖7中所展示之搖擺曲線之步驟；以及 圖9為描述根據本發明之一實施例之判定疊對之方法的流程圖。

Claims (19)

  1. 一種判定一微影製程之一效能參數的方法，其包含：獲得強度不對稱性量測，各強度不對稱性量測與在一基板上所形成之複數個目標中之一目標相關；基於該等強度不對稱性量測來判定對應於各目標之敏感度係數(sensitivity coefficients)；以及自該等敏感度係數來判定用於該複數個目標或大於其中一者之一子集的一代表性敏感度係數，其中判定該效能參數係基於該代表性敏感度係數，且其中判定該代表性敏感度係數包含執行一機器學習過程以聚類(cluster)或分類(categorize)各目標之該等敏感度係數。
  2. 如請求項1之方法，其中判定該效能參數包含判定疊對。
  3. 如請求項1之方法，其中該敏感度係數包含使疊對與強度不對稱性相關之一比例常數。
  4. 如請求項1之方法，其進一步包含使用各目標之該代表性敏感度係數來判定該效能參數。
  5. 如請求項1之方法，其進一步包含使用用於該子集之各目標之該代表性敏感度係數來判定用於該複數個目標之一子集的該效能參數。
  6. 如請求項1之方法，其中判定該代表性敏感度係數包含判定該複數個目標之該等敏感度係數之一中位值。
  7. 如請求項1之方法，其中使用具有複數個不同照明特性之輻射來執行該複數個強度不對稱性量測。
  8. 如請求項7之方法，其中該複數個不同照明特性包含使用複數個不同波長及/或偏振。
  9. 如請求項7之方法，其中：判定對應於各目標之該等敏感度係數包含判定用於各目標之一照明特性相依敏感度係數函數；以及判定該代表性敏感度係數包含判定一代表性照明特性相依敏感度係數函數。
  10. 如請求項9之方法，其中執行該機器學習過程包含將該照明特性相依敏感度係數函數分類成群組。
  11. 如請求項10之方法，其中執行該機器學習過程包含一聚類過程。
  12. 如請求項10之方法，其進一步包含自該等群組中之一單個者中判定一單個代表性照明特性相依敏感度係數函數，以用於判定用於所有該複數 個目標之效能參數。
  13. 如請求項10之方法，其進一步包含判定用於該等群組中之每一者之一群組代表性照明特性相依敏感度係數函數。
  14. 如請求項9之方法，其中判定用於該複數個目標及/或該等群組中之一或多者之該代表性照明特性相依敏感度係數函數包含在各照明特性下通過對應於該複數個目標或適當群組之該等敏感度係數之中位值的回歸。
  15. 如請求項1之方法，其中：該目標包含具有一第一偏置之一第一子目標及具有一第二偏置之一第二子目標，且判定該目標之該特徵包含使用來自該第一子目標及第二子目標兩者之一不對稱性量測組合。
  16. 如請求項1之方法，其中該目標包含一單個子目標。
  17. 一種度量衡裝置，其包含：一照明系統，其經組態以用輻射照射目標；以及一偵測系統，其經組態以偵測由該目標之該照射所產生之散射輻射，其中該度量衡裝置經組態以：獲得強度不對稱性量測，各強度不對稱性量測與在一基板上所 形成之複數個目標中之一目標相關；基於該等強度不對稱性量測來判定對應於各目標之敏感度係數；以及自該等敏感度係數來判定用於該複數個目標或大於其中一者之一子集的一代表性敏感度係數，其中判定該效能參數係基於該代表性敏感度係數，且其中經判定之該代表性敏感度係數係基於自一機器學習過程中各目標之該等敏感度係數之一聚類或一分類。
  18. 一種用於判定一微影製程之一效能參數的電腦程式產品，該電腦程式產品包含：一或多個非暫時性電腦可讀儲存裝置，其上儲存電腦可執行指令，當該等電腦可執行指令執行時可致使至少一處理器執行：獲得強度不對稱性量測，各強度不對稱性量測與在一基板上所形成之複數個目標中之一目標相關；基於該等強度不對稱性量測來判定對應於各目標之敏感度係數；以及自該等敏感度係數來判定用於該複數個目標或大於其中一者之一子集的一代表性敏感度係數，其中判定該效能參數係基於該代表性敏感度係數，且其中經判定之該代表性敏感度係數係基於自一機器學習過程中各目標之該等敏感度係數之一聚類或一分類。
  19. 一種電腦程式載體，其包含如請求項18之電腦程式產品。
TW108116850A 2018-05-29 2019-05-16 度量衡方法、裝置及電腦程式 TWI734983B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP18174831.0 2018-05-29
EP18174831.0A EP3575874A1 (en) 2018-05-29 2018-05-29 Metrology method, apparatus and computer program

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202004360A TW202004360A (zh) 2020-01-16
TWI734983B true TWI734983B (zh) 2021-08-01

Family

ID=62486462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108116850A TWI734983B (zh) 2018-05-29 2019-05-16 度量衡方法、裝置及電腦程式

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11009345B2 (zh)
EP (1) EP3575874A1 (zh)
JP (1) JP7098756B2 (zh)
KR (1) KR102525482B1 (zh)
CN (1) CN112352202B (zh)
TW (1) TWI734983B (zh)
WO (1) WO2019228738A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10964566B2 (en) 2018-06-29 2021-03-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Go., Ltd. Machine learning on overlay virtual metrology
CN111307073B (zh) * 2020-03-16 2022-12-06 湖南米艾西测控技术有限公司 一种测量旋变定子与转子同轴度偏差的装置
JP7391806B2 (ja) * 2020-09-16 2023-12-05 キオクシア株式会社 インプリント装置、情報処理装置、及びインプリント方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016083076A1 (en) * 2014-11-26 2016-06-02 Asml Netherlands B.V. Metrology method, computer product and system
WO2016169901A1 (en) * 2015-04-21 2016-10-27 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, computer program and lithographic system
WO2017055072A1 (en) * 2015-10-02 2017-04-06 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, computer program and lithographic system
EP3293574A1 (en) * 2016-09-09 2018-03-14 ASML Netherlands B.V. Metrology method, apparatus and computer program
TW201809903A (zh) * 2014-08-29 2018-03-16 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 度量衡方法、標的及基板
US20180088470A1 (en) * 2016-09-27 2018-03-29 Asml Netherlands B.V. Metrology recipe selection

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2570168B2 (ja) * 1994-04-07 1997-01-08 日本電気株式会社 ろ過装置
US7804994B2 (en) * 2002-02-15 2010-09-28 Kla-Tencor Technologies Corporation Overlay metrology and control method
JP4985191B2 (ja) * 2006-08-15 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 バッファタンク、中間貯留装置、液処理装置及び処理液の供給方法
US7619737B2 (en) * 2007-01-22 2009-11-17 Asml Netherlands B.V Method of measurement, an inspection apparatus and a lithographic apparatus
NL1036245A1 (nl) 2007-12-17 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology.
NL1036597A1 (nl) 2008-02-29 2009-09-01 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
CN102498441B (zh) 2009-07-31 2015-09-16 Asml荷兰有限公司 量测方法和设备、光刻系统以及光刻处理单元
SG178368A1 (en) 2009-08-24 2012-04-27 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and substrate comprising metrology targets
NL2007425A (en) 2010-11-12 2012-05-15 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, and device manufacturing method.
NL2011000A (en) * 2012-07-23 2014-01-27 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method.
US10242290B2 (en) * 2012-11-09 2019-03-26 Kla-Tencor Corporation Method, system, and user interface for metrology target characterization
JP6510521B2 (ja) * 2013-11-26 2019-05-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィメトロロジのための方法、装置及び基板
US10430719B2 (en) * 2014-11-25 2019-10-01 Stream Mosaic, Inc. Process control techniques for semiconductor manufacturing processes
JP6510658B2 (ja) * 2015-02-04 2019-05-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジの方法及び装置、コンピュータプログラム、並びにリソグラフィシステム
WO2016177548A1 (en) * 2015-05-07 2016-11-10 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, computer program and lithographic system
NL2017271A (en) * 2015-08-20 2017-02-22 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, substrates for use in such methods, lithographic system and device manufacturing method
NL2017300A (en) * 2015-08-27 2017-03-01 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for measuring a parameter of a lithographic process, substrate and patterning devices for use in the method
TWI780741B (zh) * 2016-02-24 2022-10-11 美商克萊譚克公司 光學計量之準確度提升
WO2017182235A1 (en) * 2016-04-22 2017-10-26 Asml Netherlands B.V. Determination of stack difference and correction using stack difference
CN110140087B (zh) * 2016-11-10 2021-08-13 Asml荷兰有限公司 使用叠层差异的设计和校正
EP3333633A1 (en) * 2016-12-09 2018-06-13 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for predicting performance of a measurement method, measurement method and apparatus
EP3358413A1 (en) * 2017-02-02 2018-08-08 ASML Netherlands B.V. Metrology method, apparatus and computer program
US10656535B2 (en) * 2017-03-31 2020-05-19 Imec Vzw Metrology method for a semiconductor manufacturing process
US11248905B2 (en) * 2017-08-16 2022-02-15 Kla-Tencor Corporation Machine learning in metrology measurements
IL272780B2 (en) * 2017-09-22 2023-11-01 Asml Netherlands Bv A method for determining a parameter for building processes

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201809903A (zh) * 2014-08-29 2018-03-16 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 度量衡方法、標的及基板
WO2016083076A1 (en) * 2014-11-26 2016-06-02 Asml Netherlands B.V. Metrology method, computer product and system
WO2016169901A1 (en) * 2015-04-21 2016-10-27 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, computer program and lithographic system
WO2017055072A1 (en) * 2015-10-02 2017-04-06 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, computer program and lithographic system
EP3293574A1 (en) * 2016-09-09 2018-03-14 ASML Netherlands B.V. Metrology method, apparatus and computer program
US20180088470A1 (en) * 2016-09-27 2018-03-29 Asml Netherlands B.V. Metrology recipe selection

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019228738A1 (en) 2019-12-05
JP2021525900A (ja) 2021-09-27
JP7098756B2 (ja) 2022-07-11
KR102525482B1 (ko) 2023-04-24
CN112352202A (zh) 2021-02-09
TW202004360A (zh) 2020-01-16
EP3575874A1 (en) 2019-12-04
US11009345B2 (en) 2021-05-18
CN112352202B (zh) 2024-04-09
US20190368867A1 (en) 2019-12-05
KR20210003248A (ko) 2021-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6577086B2 (ja) メトロロジ方法および装置、リソグラフィシステムならびにデバイス製造方法
JP6251386B2 (ja) クリティカルディメンション関連特性を決定する方法、検査装置およびデバイス製造方法
TWI725525B (zh) 度量衡方法及裝置及相關電腦產品
TWI712772B (zh) 度量衡方法、裝置及電腦程式
US9879988B2 (en) Metrology method and apparatus, computer program and lithographic system
TWI723285B (zh) 用於判定圖案化製程參數的方法和系統、度量衡設備、及非暫時性電腦程式產品
TWI711894B (zh) 度量衡方法、圖案化裝置、設備及電腦程式
KR20200014829A (ko) 계측 파라미터 결정 및 계측 레시피 선택
TWI793593B (zh) 包含目標配置之基板及相關聯之至少一個圖案化裝置、微影方法及度量衡方法
TWI664504B (zh) 度量衡方法及裝置、基板、微影方法及相關之電腦產品
TW202032283A (zh) 測量圖案化製程之參數的方法、度量衡裝置與目標
TWI734284B (zh) 用於判定微影製程之效能參數之目標
TWI734983B (zh) 度量衡方法、裝置及電腦程式
TW201910923A (zh) 量測所關注參數之方法、器件製造方法、度量衡設備及微影系統
US12242203B2 (en) Target for measuring a parameter of a lithographic process
TW201921137A (zh) 度量衡方法、裝置及電腦程式