TWI728302B

TWI728302B - 電磁波屏蔽膜

Info

Publication number: TWI728302B
Application number: TW108102260A
Authority: TW
Inventors: 渡邊正博; 竹下茂樹
Original assignee: 日商拓自達電線股份有限公司
Priority date: 2018-01-30
Filing date: 2019-01-21
Publication date: 2021-05-21
Also published as: JP6511550B1; US20210120709A1; WO2019150969A1; CN111630942A; KR20200111767A; TW201934319A; CN111630942B; KR102339942B1; US11388847B2; JP2019134024A

Abstract

本發明之目的為實現一種電磁波屏蔽膜，係具有容易確認與絕緣保護層之密著性及確認存在的剝離膜。

本發明係提供一種電磁波屏蔽膜101，係具備絕緣保護層112與覆蓋絕緣保護層112表面之剝離膜115。剝離膜115對波長535nm之光的透光率為20%以上80%以下，以下式1所示密著確認性指數Ia為11以上，以下式2所示存在視覺確認性指數Iv為11以上。

Ia=(△L*₁ ²+△a*₁ ²+△b*₁ ²)^0.5......(式1)

Iv=(△L*₂ ²+△a*₂ ²+△b*₂ ²)^0.5......(式2)

Description

電磁波屏蔽膜

本發明係關於電磁波屏蔽膜。

在印刷配線基板表面貼附有用以遮蔽電磁雜訊之電磁波屏蔽膜。一般電磁波屏蔽膜係積層有導電性接著劑層及絕緣保護層。為了使輸送時絕緣保護層不受到傷害，絕緣保護層表面設置有剝離膜。在電磁波屏蔽膜接著於印刷配線基板後剝離剝離膜(例如參照專利文獻1)。

專利文獻1：日本特開2004-095566號公報

另一方面，有時會將已接著電磁波屏蔽膜之印刷配線基板浸漬於化學溶液中。此時要求剝離膜在化學溶液處理中可作為保護膜使用。但若剝離膜與絕緣保護層未密著，則液體會侵入剝離膜與絕緣保護層之間。因此，浸漬於化學溶液前需要確認剝離膜與絕緣保護層是否密著。

提高剝離膜之透明度則容易確認密著性。但若使用透明度高之剝離膜，則難以確認剝離膜之存在，有浸漬步驟後忘記剝離剝離膜之虞。若在未剝離剝離膜下進行回流焊，則會造成剝離膜熔融並產生不良品、或是傷到回流焊爐。

本發明之目的係實現一種電磁波屏蔽膜，係具有剝離膜，容易確認該剝離膜與絕緣保護層之密著性及該剝離膜之存在。

本發明之電磁波屏蔽膜之一樣態係具備絕緣保護層、覆蓋絕緣保護層表面之剝離膜。剝離膜對波長535nm之光的透光率為20%以上80%以下，以下式1所示剝離膜的密著確認性指數Ia為11以上，以下式2所示剝離膜的存在視覺確認性指數Iv為11以上。

Ia=(△L*₁ ²+△a*₁ ²+△b*₁ ²)^0.5......(式1)

Iv=(△L*₂ ²+△a*₂ ²+△b*₂ ²)^0.5......(式2)

其中，△L*₁為剝離前剝離膜表面之L*值與剝離後剝離膜表面之L*值的差，△a*₁為剝離前剝離膜表面之a*值與剝離後剝離膜表面之a*值的差，△b*₁為剝離前剝離膜表面之b*值與剝離後剝離膜表面之b*值的差。△L*₂為剝離前剝離膜表面之L*值與剝離膜剝離後絕緣保護層表面之L*值的差，△a*₂為剝離前剝離膜表面之a*值與剝離膜剝離後絕緣保護層表面之a*值的差，△b*₂為剝離前剝離膜表面之b*值與剝離膜剝離後絕緣保護層表面之b*值的差。又，剝離後之剝離膜表面是指與絕緣保護層相接面相反側之面。

電磁波屏蔽膜之一樣態中可進一步具備接著劑層，該接著劑層係設置於絕緣保護層之與剝離膜相反側。

於此情形，可進一步具備設置於絕緣保護層與接著劑層之間的屏蔽膜。

本發明之屏蔽配線基板之一樣態具備具有接地電路之印刷配線基板、及以使接著劑層與接地電路連接之方式接著於印刷配線基板表面之本發明之電磁波屏蔽膜。

根據本發明之電磁波屏蔽膜可確認剝離膜與絕緣保護層之密著性，且不易忘記剝離，故可提高屏蔽配線基板之生產性。

101:電磁波屏蔽膜

102:印刷配線基板

103:屏蔽配線基板

111:接著劑層

112:絕緣保護層

113:屏蔽層

115:剝離膜

121:絕緣膜

122:基底部件

123:絕緣性接著劑層

125:接地電路

128:開口部

圖1之剖面圖係表示一實施形態之電磁波屏蔽膜。

圖2之剖面圖係表示電磁波屏蔽膜之變形例。

圖3之剖面圖係表示使用一實施形態之電磁波屏蔽膜的屏蔽配線基板。

圖4之剖面圖係表示將電磁波屏蔽膜接著於印刷配線基板之步驟。

如圖1所示，本實施形態之電磁波屏蔽膜101具備絕緣保護層112、覆蓋絕緣保護層112表面之剝離膜115、及設置於絕緣保護層112之與剝離膜115相反側之接著劑層111。圖1中絕緣保護層112與接著劑層111相接，但可如圖2所示在絕緣保護層112與接著劑層111之間設置屏蔽層113。

本實施形態中，剝離膜115對波長535nm之光的透光率為20%以上80%以下。又，剝離膜115之以式1表示之密著確認性指數Ia為11以上，剝離膜115之以式2表示之存在視覺確認性指數Iv為11以上。

Ia=(△L*₁ ²+△a*₁ ²+△b*₁ ²)^0.5......(式1)

Iv=(△L*₂ ²+△a*₂ ²+△b*₂ ²)^0.5......(式2)

其中，△L*₁為剝離前剝離膜表面之L*值與剝離後剝離膜表面之L*值的差，△a*₁為剝離前剝離膜表面之a*值與剝離後剝離膜表面之a*值的差，△b*₁為剝離前剝離膜表面之b*值與剝離後剝離膜表面之b*值的差。△L*₂為剝離前剝離膜表面之L*值與剝離膜剝離後絕緣保護層表面之L*值的差，△a*₂為剝離前剝離膜表面之a*值與剝離膜剝離後絕緣保護層表面之a*值的差，△b*₂為剝離前剝離膜表面之b*值與剝離膜剝離後絕緣保護層表面之b*值的差。又，剝離後之剝離膜表面為與絕緣保護層相接面相反側之面。

因此，密著性確認指數Ia為剝離前剝離膜表面與剝離後剝離膜表面的色差△E，存在視覺確認性指數Iv為剝離前剝離膜表面與剝離後絕緣保護層表面的色差△E。

又，剝離膜115之透光率之L*值、a*值、及b*值、以及絕緣保護層112之L*值、a*值、及b*值可藉由實施例所說明方法測量。

藉由使用滿足如此條件之剝離膜115而可容易地確認剝離膜115與絕緣保護層112的密著性。又，可容易地確認剝離膜115存在於絕緣保護層112表面，而不易忘記剝離剝離膜。

又，以提高密著確認性之觀點而言，波長535nm的透過率為20%以上，較佳為30%以上，以提高視覺確認性而言，為80%以下，較佳為70%以下。以提高密著確認性之觀點而言，Ia之值為11以上，以提高視覺確認性之觀點而言，Iv之值為11以上，較佳為20以上。Ia及Iv之值越高越好，但現實上色差之最大值為50左右。

剝離膜115之材質並無特別限定，可使用聚酯、聚烯烴、聚醯亞胺、聚萘二甲酸乙二酯或聚苯硫醚等。可藉由於膜表面形成凹凸、或於膜添加添加劑調整對波長535nm之光的透過率。同時可藉由該等方法調整剝離膜115之L*a*b*座標。剝離膜115之L*a*b*座標係因應絕緣保護層112之L*a*b*座標而調整使其滿足式1及式2。

又，於膜添加之添加劑可使用有機系或無機系之顏料，以提高密著確認性及視覺確認性之觀點而言，較佳為無機系白色顏料。無機系白色顏料可使用例如碳酸鈣、鉛白、氧化鋅、硫酸鋇、硫酸鈣、及氧化鈦等公知白色顏料。

又，並非是藉由添加顏料之材料而形成膜，而是於膜表面塗布顏料或染料而可調整透過率及L*a*b*座標。可在膜單面或兩面塗布顏料或染料。又，可藉由2片膜夾住已塗布有顏料或染料之層。

可在剝離膜115與絕緣保護層112之間形成脫模劑層。可將矽系或非矽系之脫模劑塗布於剝離膜115之絕緣保護層112側表面，藉此形成脫模劑層。形成脫模劑層時，其厚度可為100nm~20μm左右。若為如此厚度則幾乎不會影響剝離膜115之光透過率及L*a*b*座標。

本實施形態中，絕緣保護層112具有充分的絕緣性，只要可保護接著劑層111及視需要之屏蔽層113，則並無特別限定，但例如可使用熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂、或活性能量線硬化性樹脂等而形成。

熱塑性樹脂並無特別限定，可使用苯乙烯系樹脂、乙酸乙烯酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂、醯亞胺系樹脂、或丙烯酸系樹脂等。熱硬化性樹脂並無特別限定，可使用苯酚系樹脂、環氧系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂、聚醯胺系樹脂或醇酸系樹脂等。活性能量線硬化性樹脂並無特別限定，例如可使用分子中至少具有2個(甲基)丙烯醯氧基之聚合性化合物等。保護層可藉由一種材料形成，也可由2種以上材料形成。

為了調整L*值、a*值、及b*值，絕緣保護層中可添加著色劑。其中較佳為添加可使L*值較小之黑色系著色劑。黑色系著色劑可為黑色顏料、或減色混合複數顏料並經黑色化之混合顏料等。黑色顏料例如可為碳黑、科琴黑、碳奈米管(CNT)、苝黑、鈦黑、鐵黑、及苯胺黑等任一者或該等組合。混合顏料例如可混合使用紅色、緣色、藍色、黃色、紫色、青藍及洋紅等顏料。

以減少L*值之觀點而言，於絕緣保護層112之黑色系著色劑添加量較佳為0.5質量%以上，更佳為1質量%以上。但可視需要添加或不添加黑色系著色劑。具體而言，較佳為使L*值30未滿，更佳為29未滿，又更佳為23以下。

絕緣保護層112中，不限於著色劑而可視需要含有硬化促進劑、黏著性賦予劑、抗氧化劑、塑化劑、紫外線吸收劑、消泡劑、調平劑、充填劑、阻燃劑、黏度調節劑、及抗結塊劑等之1種以上。

絕緣保護層112可為材質或硬度或彈性模數等物性相異之2層以上的積層體。例如若為硬度低之外層與硬度高之內層的積層體，則外層具有緩衝效果，故在將電磁波屏蔽膜101加熱加壓於印刷配線基板102之步驟中，可緩和施加於屏蔽層113之壓力。因此可抑制因設置於印刷配線基板102之高低差而使屏蔽層113被破壞。絕緣保護層112為2層以上的積層體時，L*a*b*座標之調整可對與剝離膜115接觸之層進行。

絕緣保護層112例如可藉由於剝離膜115表面塗布絕緣保護層用組成物而形成。例如可於絕緣保護層用樹脂添加適量溶媒而調製出絕緣保護層用組成物。但不限於如此方法，例如可在以不同方法形成之絕緣保護層112表面貼附剝離膜115。貼合剝離膜115與絕緣保護層112時，可於剝離膜115或絕緣保護層112表面形成微黏著層。

絕緣保護層112之厚度為並無特別限定，可視需要適宜設定，但較佳為1μm以上，更佳為4μm以上，且較佳為20μm以下，更佳為10μm以下，又更佳為5μm以下。藉由使絕緣保護層112之厚度為1μm以上而可充分保護接著劑層111及屏蔽層113。藉由使絕緣保護層112之厚度為20μm以下，而容易賦予電磁波屏蔽膜101特定值之彈性模數及破裂延伸率。

設定屏蔽層113時，屏蔽層113可藉由金屬箔、蒸鍍膜及導電性填料等而形成。

金屬箔並無特別限定，可為鎳、銅、銀、錫、金、鈀、鋁、鉻、鈦、及鋅等任一者構成的箔、或含有兩種以上之合金構成的箔。

金屬箔之厚度為並無特別限定，較佳為0.5μm以上，更佳為1.0μm以上。若金屬箔之厚度為0.5μm以上，則對屏蔽印刷配線基板傳送10MHz~100GHz之高頻訊號時，可抑制高頻訊號之衰減量。又，金屬箔之厚度較佳為12μm以下，更佳為10μm以下，又更佳為7μm以下。若金屬層之厚度為12μm以下，則可抑制原材料成本並可使屏蔽膜之破裂延伸率更良好。

蒸鍍膜並無特別限定，可蒸鍍鎳、銅、銀、錫、金、鈀、鋁、鉻、鈦、及鋅等而形成。蒸鍍可使用電解電鍍法、無電解電鍍法、濺鍍法、電子束蒸鍍法、真空蒸鍍法、化學氣相沈積 (CVD)法、或有機金屬化學沈積(MOCVD)法等。

蒸鍍膜之厚度為並無特別限定，較佳為0.05μm以上，更佳為0.1μm以上。若金屬蒸鍍膜之厚度為0.05μm以上，則屏蔽印刷配線基板中電磁波屏蔽膜屏蔽電磁波之特性優異。又，金屬蒸鍍膜之厚度較佳為未滿0.5μm，更佳為未滿0.3μm。若金屬蒸鍍膜之厚度未滿0.5μm，則電磁波屏蔽膜之耐彎曲性優異，可抑制因設置於印刷配線基板之高低差而使屏蔽層被破壞。

於使用導電性填料之情形，將摻配有導電性填料之溶劑塗布於絕緣保護層112表面並乾燥，藉此可形成屏蔽層113。導電性填料可使用金屬填料、被覆金屬之樹脂填料、碳填料及該等之混合物。金屬填料可使用銅粉、銀粉、鎳粉、覆銀銅粉、覆金銅粉、覆銀鎳粉、及覆金鎳粉等。該等金屬粉可藉由電解法、霧化法、還元法而製作。金屬粉之形狀可舉出球狀、薄片狀、纖維狀、樹枝狀等。

本實施形態中，屏蔽層113之厚度可因應所求電磁屏蔽效果及重複彎曲、滑動耐性而適宜選擇，但金屬箔之情形中，以確保破裂延伸率之觀點而言較佳為12μm以下。

本實施形態中，可將接著劑層111設置於絕緣保護層之與剝離膜相反側。接著劑層111係含有熱塑性樹脂及熱硬化性樹脂等中之至少一樹脂成分。接著劑層111可為含有導電性填料之導電性接著劑層。

接著劑層111含有熱塑性樹脂時，熱塑性樹脂例如可使用苯乙烯系樹脂、乙酸乙烯酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂、醯亞胺系樹脂、及丙烯酸系樹脂等。該等樹脂可單獨使用1種或併用2種以上。

接著劑層111含有熱硬化性樹脂時，熱硬化性樹脂例如可使用苯酚系樹脂、環氧系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂、聚醯胺系樹脂及醇酸系樹脂等。活性能量線硬化性組成物並無特別限定，例如可使用分子中具有至少2個(甲基)丙烯醯氧基之聚合性化合物等。該等組成物可單獨使用1種或併用2種以上。

熱硬化性樹脂例如含有具有反應性之第一官能基之第一樹脂成分、及與第一官能基反應之第二樹脂成分。第一官能基例如可為環氧基、醯胺基、或羥基等。第二官能基可因應第一官能基而選擇，例如第一官能基為環氧基時可為羥基、羧基、環氧基及胺基等。具體而言，例如第一樹脂成分為環氧樹脂時，第二樹脂成分可使用環氧基改質聚酯樹脂、環氧基改質聚醯胺樹脂、環氧基改質丙烯酸樹脂、環氧基改質聚胺甲酸乙酯聚尿素樹脂、羧基改質聚酯樹脂、羧基改質聚醯胺樹脂、羧基改質丙烯酸樹脂、羧基改質聚胺甲酸乙酯聚尿素樹脂、及胺甲酸乙酯改質聚酯樹脂等。該等中較佳為羧基改質聚酯樹脂、羧基改質聚醯胺樹脂、羧基改質聚胺甲酸乙酯聚尿素樹脂、及胺甲酸乙酯改質聚酯樹脂。又，第一樹脂成分為羥基時，第二樹脂成分可使用環氧基改質聚酯樹脂、環氧基改質聚醯胺樹脂、環氧基改質丙烯酸樹脂、環氧基改質聚胺甲酸乙酯聚尿素樹脂、羧基改質聚酯樹脂、羧基改質聚醯胺樹脂、羧基改質丙烯酸樹脂、羧基改質聚胺甲酸乙酯聚尿素樹脂、及胺甲酸乙酯改質聚酯樹脂等。該等中較佳為羧基改質聚酯樹脂、羧基改質聚醯胺樹脂、羧基改質聚胺甲酸乙酯聚尿素樹脂、及胺甲酸乙酯改質聚酯樹脂。

熱硬化性樹脂可含有促進熱硬化反應之硬化劑。熱硬化性樹脂具有第一官能基及第二官能基時，硬化劑可因應第一官能基及第二官能基之種類而適宜選擇。第一官能基為環氧基且第二官能基為羥基時，可使用咪唑系硬化劑、苯酚系硬化劑、及陽離子系硬化劑等。該等可單獨使用1種，亦可併用2種以上。又，可併用作為任意成分之消泡劑、抗氧化劑、黏度調整劑、稀釋劑、沉降防止劑、調平劑、偶合劑、著色劑、及阻燃劑等。

導電性填料並無特別限定，例如可使用金屬填料、被覆金屬之樹脂填料、碳填料及該等之混合物。金屬填料可舉出銅粉、銀粉、鎳粉、覆銀銅粉、覆金銅粉、覆銀鎳粉、及覆金鎳粉等。該等金屬粉可藉由電解法、霧化法、或還元法等而製作。其中較佳為銀粉、覆銀銅粉及銅粉之任一者。

以填料彼此接觸之觀點而言，導電性填料之平均粒徑較佳為1μm以上，更佳為3μm以上，較佳為50μm以下，更佳為40μm以下。導電性填料之形狀並無特別限定，可為球狀、薄片狀、樹枝狀、或纖維狀等。

導電性填料之含有量可因應用途適宜選擇，但在全固體含量中較佳為5質量%以上，更佳為10質量%以上，較佳為95質量%以下，更佳為90質量%以下。以埋入性之觀點而言，較佳為70質量%以下，更佳為60質量%以下。又，要實現異向導電性時，較佳為40質量%以下，更佳為35質量%以下。

例如可在形成於絕緣保護層112或絕緣保護層112上之屏蔽層113上塗布接著劑層用組成物，藉此形成接著劑層111。於接著劑層用之樹脂及填料添加適量溶劑而製備出接著劑層用組成物。

以控制埋入性之觀點而言，接著劑層111之厚度較佳為1μm~50μm。

又，視需要可於接著劑層111表面貼合可剝離之保護用膜。

如圖3所示，本實施形態之電磁波屏蔽膜101可與印刷配線基板102組合並形成屏蔽配線基板103。電磁波屏蔽膜101可為具有屏蔽層113者。

印刷配線基板102例如具有基底部件122、及形成於基底部件122上且含有接地電路125之印刷電路。在基底部件122上藉由絕緣性接著劑層123而接著絕緣膜121。絕緣膜121設置有讓接地電路125露出之開口部。可在接地電路125之露出部分形成鍍金層層等表面層。又，印刷配線基板102可為可撓性基板或剛性基板。

將電磁波屏蔽膜101接著於印刷配線基板102時，如圖4所示，以接著劑層111位於開口部128上之方式將電磁波屏蔽膜101配置於印刷配線基板102上。接著，藉由加熱至特定溫度(例如120℃)之2片加熱板(未圖示)由上下方向夾住電磁波屏蔽膜101及印刷配線基板102，並以特定壓力(例如0.5MPa)(例如5秒)擠壓很短一段時間。藉此電磁波屏蔽膜101會暫時固定於印刷配線基板102。

接著，使2片加熱板之溫度成為較上述暫時固定時更高之特定溫度(例如170℃)，並以特定壓力(例如3MPa)加壓特定時間(例如30分鐘)。藉此可將電磁波屏蔽膜101固定於印刷配線基板102。加壓時，使接著劑層111充分埋入開口部128，藉此可實現電磁波屏蔽膜101所需要具有的強度及導電性。

在剝離膜115貼附於絕緣保護層112表面之狀態下，可對所得屏蔽配線基板103進行清洗基板表面之脫脂處理、去除銅電路部之氧化皮膜的酸洗處理等化學溶液處理。進行化學溶液處理後，可將剝離膜115加以剝離並進行回流焊。在進行化學溶液處理時可將剝離膜作為保護絕緣保護層之保護膜使用，故本實施形態之電磁波屏蔽膜之生產性優異。

(實施例)

以下，以實施例進一步詳細說明本發明之電磁波屏蔽膜。以下實施例僅為例示，本發明之保護範圍不限定於此。

<電磁波屏蔽膜之製作>

於特定剝離膜表面塗布非矽系脫模劑並形成脫模劑層。接著使用鋼絲棒(wire bar)塗布絕緣保護層用組成物，加熱乾燥並形成絕緣保護層。接著，於絕緣保護層上以線棒塗布特定導電性接著劑層用組成物後，進行100℃×3分鐘之乾燥，而得電磁波屏蔽膜。

絕緣保護層組成物為熱硬化型環氧系樹脂，係含有作為黑色顏料之1次粒徑為30nm之碳黑20wt%。

導電性接著劑層用組成物為熱硬化型環氧系樹脂，係含有作為填料之平均粒徑15μm之覆銀銅粉15wt%。

<透光率之測量>

使用裝設有積分球之紫外線可視光光譜儀(島津製作所製，UV-2600)測量波長535nm之光的透光率。

<L*a*b*座標之測量>

使用可攜式積分球分光測色儀(X-Rite公司製，Ci64)進行測量。光源為D65光源。

<Ia及Iv之計算>

按照以下式1及以下式2且由所得測量結果計算密著性確認指數Ia及存在視覺確認性指數Iv。

Ia=(△L*₁ ²+△a*₁ ²+△b*₁ ²)^0.5......(式1)

Iv=(△L*₂ ²+△a*₂ ²+△b*₂ ²)^0.5......(式2)

其中，△L*₁為剝離前剝離膜表面之L*值與剝離後剝離膜表面之L*值的差，△a*₁為剝離前剝離膜表面之a*值與剝離後剝離膜表面之a*值的差，△b*₁為剝離前剝離膜表面之b*值與剝離後剝離膜表面之b*值的差。△L*₂為剝離前剝離膜表面之L*值與剝離膜剝離後絕緣保護層表面之L*值的差，△a*₂為剝離前剝離膜表面之a*值與剝離膜剝離後絕緣保護層表面之a*值的差，△b*₂為剝離前剝離膜表面之b*值與剝離膜剝離後絕緣保護層表面之b*值的差。又，剝離前之剝離膜係對具有剝離膜之電磁波屏蔽膜之剝離膜表面進行了測量；剝離後之剝離膜係對與絕緣保護層相接面相反側之面進行了測量

<密著確認性及存在視覺確認性之評價>

藉由目視確認所得電磁波屏蔽膜的外觀是否有差異，外觀上的差異是由於在絕緣保護層表面發生反射之光在剝離膜與絕緣保護層間之間隙空間發生折射、散射而造成的。當藉由目視確認出外觀有差異時，則剝離膜之密著確認性為良好。又，確認是否可藉由目視判別於絕緣保護層表面均一密著之剝離膜的存在，可判別時則剝離膜之存在視覺確認性為良好。

(實施例1)

剝離膜使用對波長535nm之光的透光率為51.0%之聚對苯二甲酸乙二酯膜。Ia為15.1，Iv為38.4，剝離膜之密著確認性及存在視覺確認性皆良好。

(實施例2)

剝離膜使用對波長535nm之光的透過率為47.6%之聚對苯二甲酸乙二酯膜。Ia為11.7，Iv為42.8，剝離膜之密著確認性及存在視覺確認性皆良好。

(實施例3)

剝離膜使用對波長535nm之光的透過率為68.1%之聚對苯二甲酸乙二酯膜。Ia為18.9，Iv為24.7，剝離膜之密著確認性及存在視覺確認性皆良好。

(實施例4)

剝離膜使用對波長535nm之光的透過率為56.7%之聚對苯二甲酸乙二酯膜。Ia為11.9，Iv為38.8，剝離膜之密著確認性及存在視覺確認性皆良好。

(實施例5)

剝離膜使用對波長535nm之光的透過率為50.1%之聚對苯二甲酸乙二酯膜。Ia為12.4，Iv為39.0，剝離膜之密著確認性及存在視覺確認性皆良好。

(實施例6)

剝離膜使用對波長535nm之光的透過率為50.0%之聚對苯二甲酸乙二酯膜。Ia為14.2，Iv為37.6，剝離膜之密著確認性及存在視覺確認性皆良好。

(比較例1)

剝離膜使用對波長535nm之光的透過率為61.8%之聚對苯二甲酸乙二酯膜。Ia為10.2，Iv為39.2，剝離膜之密著確認性不良但存在視覺確認性良好。

(比較例2)

剝離膜使用對波長535nm之光的透過率為90.8%之聚對苯二甲酸乙二酯膜。Ia為27.7，Iv為8.8，剝離膜之密著確認性良好但存在視覺確認性不良。

(比較例3)

剝離膜使用對波長535nm之光的透過率為89.2%之聚對苯二甲酸乙二酯膜。Ia為30.4，Iv為9.1，剝離膜之密著確認性良好但存在視覺確認性不良。

(比較例4)

剝離膜使用對波長535nm之光的透過率為87.5%之聚對苯二甲酸乙二酯膜。Ia為22.0，Iv為7.5，剝離膜之密著確認性良好但存在視覺確認性不良。

(比較例5)

剝離膜使用對波長535nm之光的透過率為10.7%之聚對苯二甲酸乙二酯膜。Ia為0.7，Iv為69.3，剝離膜之密著確認性不良但存在視覺確認性良好。

各實施例及比較例之評價結果整合表示於表1。

-產業可利用性-

利用本發明之電磁波屏蔽膜，易於確認剝離膜之密著性及剝離膜之存在視覺確認性，製造屏蔽配線基板等時本發明之電磁波屏蔽膜很有用。

101‧‧‧電磁波屏蔽膜

111‧‧‧接著劑層

112‧‧‧絕緣保護層

115‧‧‧剝離膜

Claims

一種電磁波屏蔽膜，係具備絕緣保護層、與係覆蓋前述絕緣保護層表面之剝離膜；前述剝離膜對波長535nm之光的透光率為20%以上80%以下，以下式1所示密著確認性指數Ia為11以上，以下式2所示存在視覺確認性指數Iv為11以上；Ia=(△L*₁ ²+△a*₁ ²+△b*₁ ²)^0.5......(式1) Iv=(△L*₂ ²+△a*₂ ²+△b*₂ ²)^0.5......(式2)其中，△L*₁為剝離前剝離膜表面之L*值與剝離後剝離膜表面之L*值的差，△a*₁為剝離前剝離膜表面之a*值與剝離後剝離膜表面之a*值的差，△b*₁為剝離前剝離膜表面之b*值與剝離後剝離膜表面之b*值的差，△L*₂為剝離前剝離膜表面之L*值與剝離膜剝離後絕緣保護層表面之L*值的差，△a*₂為剝離前剝離膜表面之a*值與剝離膜剝離後絕緣保護層表面之a*值的差，△b*₂為剝離前剝離膜表面之b*值與剝離膜剝離後絕緣保護層表面之b*值的差，剝離後之剝離膜表面是指與絕緣保護層相接面相反側之面。
如請求項1之電磁波屏蔽膜，其中進一步具備接著劑層，前述接著劑層係設置於前述絕緣保護層之與前述剝離膜相反側。
如請求項2之電磁波屏蔽膜，其中進一步具備屏蔽層，前述屏蔽層係設置於前述絕緣保護層與前述接著劑層之間。
一種屏蔽配線基板，係具備：印刷配線基板，係具有接地電路；以及請求項2或3之電磁波屏蔽膜，係以使前述接著劑層與前述接地電路連接之方式接著於前述印刷配線基板表面。