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TWI727273B - 積體晶片與其形成方法 - Google Patents

積體晶片與其形成方法 Download PDF

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TWI727273B
TWI727273B TW108107035A TW108107035A TWI727273B TW I727273 B TWI727273 B TW I727273B TW 108107035 A TW108107035 A TW 108107035A TW 108107035 A TW108107035 A TW 108107035A TW I727273 B TWI727273 B TW I727273B
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陳亭蓉
曾李全
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台灣積體電路製造股份有限公司
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Abstract

本發明的實施例提供一種積體晶片，包含：第一基底；第二基底，上覆於第一基底；以及第三基底，上覆於第二基底。第一基底、第二基底以及第三基底至少部分地定義空腔，且第二基底包含第一基底與第三基底之間的空腔中的可移動塊。吸氣劑結構處於空腔中，且包含吸氣劑層和過濾層。吸氣劑層包括吸氣劑材料。過濾層具有鄰接吸氣劑層的第一側，且進一步具有與第一側相對且面向空腔的第二側。過濾層配置成在阻擋任何雜質時將吸氣劑材料從第一側傳遞到第二側。

Description

積體晶片與其形成方法
本發明的實施例是有關於一種積體晶片與其形成方法。
微機電系統(Microelectromechanical systems；MEMS)是將微型化機械元件和機電元件積體在積體晶片上的技術。通常使用微製造技術製造MEMS器件。近年來，MEMS器件已見到各種應用。舉例來說，MEMS器件可見於手機(例如，加速計、陀螺儀、數位羅盤)、壓力感測器、微流體元件(例如，閥門、泵)、光學開關(例如，反射鏡)等。
本發明的實施例提供一種積體晶片，包括：第一基底；第二基底，上覆於所述第一基底；第三基底，上覆於所述第二基底，其中所述第一基底、所述第二基底以及所述第三基底至少部分地定義空腔，且其中所述第二基底包括位於所述空腔中且位於所述第一基底與所述第三基底之間的可移動塊；以及吸氣劑結 構，位於所述空腔中且包括吸氣劑層和過濾層，其中所述吸氣劑層包括吸氣劑材料，其中所述過濾層具有鄰接所述吸氣劑層的第一側，且進一步具有與所述第一側相對且面向所述空腔的第二側，且其中所述過濾層配置成在阻擋任何雜質時將所述吸氣劑材料從所述第一側傳遞到所述第二側。
本發明的另一種實施例提供一種積體晶片，包括：載體基底；頂蓋基底，上覆於所述載體基底；微機電系統基底，夾在所述載體基底與所述頂蓋基底之間，其中所述載體基底、所述頂蓋基底以及所述微機電系統基底至少部分地定義空腔，且其中所述微機電系統基底包括位於所述空腔中且位於所述載體基底與所述頂蓋基底之間的可移動塊；以及吸氣劑結構，位於所述空腔中且包含吸氣劑層、氧化層以及擴散層，其中所述吸氣劑層包括第一材料，所述氧化層包括所述第一材料的氧化物，且所述擴散層包括第二材料，且其中所述擴散層位於所述吸氣劑層與所述氧化層之間。
本發明的又一種實施例提供一種形成積體晶片的方法，包括：在頂蓋基底上形成多層膜，其中所述多層膜包括含有第一材料的吸收層，且進一步包括含有與所述第一材料不同的第二材料的吸收增強層；在所述多層膜中執行蝕刻製程，以劃定所述多層膜的黏結環部分和所述多層膜的吸氣劑部分；在所述多層膜的所述吸氣劑部分中執行薄化製程，以減小所述吸氣劑部分處的所述吸收增強層的厚度而不減小所述黏結環部分處的所述吸收增強 層的厚度；以及將所述多層膜黏結到微機電系統結構，使得所述吸氣劑部分上覆於所述微機電系統結構中的可移動塊且密封空腔，所述可移動塊處於所述空腔內。
100、300、400、500:積體晶片
102:互補金屬氧化物半導體結構
104:半導體基底
106:電晶體器件
108:金屬內連線層
110:層間介電層
112:鈍化層
113:電極
114:微機電基底
116:柔軟可移動元件
118:空腔
120:頂蓋基底
120a:第一側
122:黏結環結構
124:黏結環吸氣劑
125:頂部黏結環
126:黏結環過濾層
128:黏結介面
130:底部黏結環
132:黏結環氧化層
134:吸氣劑結構
136:吸氣劑層
138:過濾層
138a:第一過濾側
138b:第二過濾側
140:吸氣劑結構氧化層
200a、200b、200c、200d、600、700、800、900、1000、1100、1200:橫截面圖
202:介面區
301:金屬層
302:多晶矽層
304:下部氧化層
402:積體電路晶粒
404:接觸墊
502:自組裝單層
602:反應層
702:非反應層
802:反應過濾層
804:非反應膜
901a:第一開口
901b:第二開口
902:頂部黏結結構
904:多層吸氣劑結構
906:中心非反應結構
908:中心反應過濾層
1300:方法
1302、1304、1306、1308、1310、1312:動作
Tob、Tsw1、Tsw2、Tsw3、Tbr、Tcg:厚度
當結合附圖閱讀時，從以下詳細描述最好地理解本公開的實施例的方面。應注意，根據業界中的標準慣例，各種特徵未按比例繪製。實際上，為了論述清楚起見，可任意增大或減小各種特徵的尺寸。
圖1說明包含具有吸氣劑結構的微機電系統(MEMS)器件的積體晶片的一些實施例的橫截面圖。
圖2A到圖2D說明圖1的吸氣劑結構的一些替代實施例的橫截面圖。
圖3說明其中吸氣劑結構接觸黏結環結構的圖1的積體晶片的一些替代實施例的橫截面圖。
圖4說明其中接觸墊上覆於MEMS基底的圖1的積體晶片的一些替代實施例的橫截面圖。
圖5說明其中自組裝單層(self-assembled monolayer；SAM)包封多個柔軟可移動元件的圖1的積體晶片的一些替代實施例的橫截面圖。
圖6到圖12說明形成包含具有吸氣劑結構的微機電系統(MEMS)器件的積體晶片的一些實施例的橫截面圖。
圖13說明圖6到圖12的方法的一些實施例的流程圖。
本公開的實施例提供用於實施所提供主題的不同特徵的許多不同實施例或實例。下文描述元件和佈置的具體實例以簡化本公開。當然，這些只是實例且並不意欲為限制性的。舉例來說，在以下描述中，第一特徵在第二特徵上方或上的形成可包含第一特徵和第二特徵直接接觸地形成的實施例，且還可包含額外特徵可在第一特徵與第二特徵之間形成使得第一特徵和第二特徵可不直接接觸的實施例。另外，本公開的實施例可在各種實例中重複附圖標號和/或字母。這種重複是出於簡化和清楚的目的，且本身並不指示所論述的各種實施例和/或配置之間的關係。
此外，為易於描述，可在本文中使用空間相對術語，如“在...下方”、“在...下”、“下部”、“在...上方”、“上部”以及類似術語，以描述如圖式中所說明的一個元件或特徵與另一(一些)元件或特徵的關係。除圖式中所描繪的定向以外，空間相對術語意欲涵蓋器件在使用或操作中的不同定向。設備可以其它方式定向(旋轉90度或處於其它定向)，且本文中所使用的空間相對描述詞同樣可相應地進行解釋。
微機電系統(MEMS)器件通常包括鄰接空腔的可移動軟機械結構，所述空腔允許軟機械結構在MEMS器件的操作期間自由地移動。根據用於形成MEMS器件的一些製程，空腔形成於頂 蓋基底中，且然後頂蓋基底黏結到MEMS基底。黏結製程是高溫，且空腔的至少一部分安置於MEMS基底與頂蓋基底之間。此外，在高溫黏結製程前或後，使用另一高溫黏結製程將MEMS基底黏結到CMOS結構(具有一或多個電晶體器件)。
應理解，以上用於形成MEMS器件的製程可存在許多實際困難。舉例來說，頂蓋基底可支持包括反應材料(例如，鈦)的吸氣劑層，以防止釋氣且維持空腔的真空密封。可通過濺鍍製程形成吸氣劑層，所述濺鍍製程導致吸氣劑層內的雜質(例如，吸氣劑層是75%反應材料和25%雜質)。吸氣劑層內的雜質可降低反應材料吸收空腔內的釋氣物質(例如，氧氣(O2)、氫氣(H2)和/或水(H2O))的能力，從而導致低吸氣效率、高吸氣劑活化溫度(例如，300攝氏度)，增大空腔壓力，且降低器件性能。低吸氣效率在低溫條件下(例如，小於高吸氣劑活化溫度的溫度)加劇，因為釋氣物質釋氣而吸氣劑層可能不吸氣。此外，黏結環(bond ring)結構可用於將頂蓋基底與MEMS基底黏結在一起。然而，黏結環結構可包括第二離散層(例如，具有鋁銅)上方的第一離散層(具有鍺)。由於第一離散層與第二離散層之間的不佳黏結介面和/或在操作條件期間的高溫(例如，高達425攝氏度的高溫)，因此離散層可導致黏結環洩漏。此外，用於形成吸氣劑層的製程可導致吸氣劑層的底部表面平坦。MEMS基底內的可移動軟機械結構更可能黏附到吸氣劑層的底部表面且使得器件不穩定。
本申請的各種實施例是關於用於形成具有MEMS器件的 積體晶片的改進型方法。在一些實施例中，改進型方法包含藉由濺鍍製程在頂蓋基底的第一側上形成反應層，和在吸氣劑層上形成非反應層。反應層包括用於吸氣的反應材料(例如，鈦)，且進一步包括雜質。非反應層包括非反應材料(例如，金)。執行退火製程以使吸氣劑層與非反應層之間的介面處的反應材料和非反應材料相互擴散。在反應層、非反應層以及頂蓋基底中執行蝕刻。蝕刻將反應層和非反應層劃分成吸氣劑結構和第一黏結層。吸氣劑結構包括吸氣劑層和過濾層，且第一黏結層包括黏結環吸氣劑和黏結環過濾層。吸氣劑層和黏結環吸氣劑對應於反應層部分，且過濾層和黏結環過濾層對應於非反應層部分。蝕刻進一步形成頂蓋基底中的開口，所述開口分離第一黏結層與吸氣劑結構。薄化製程執行於過濾層上但不執行於黏結環吸氣劑上，且減小過濾層的厚度。提供上覆於且黏結到CMOS基底的MEMS基底。第二黏結層上覆於MEMS基底。頂蓋基底的第一側在第一黏結層與第二黏結層之間的黏結介面處黏結到MEMS基底。在低溫(例如，大致150攝氏度與大致200攝氏度之間)下執行頂蓋基底與MEMS基底的黏結。低溫黏結定義且密封頂蓋基底的第一側與CMOS基底之間的空腔。第一黏結層和第二黏結層在第一黏結層與第二黏結層之間的黏結介面處包括相同材料(例如，金)。
過濾層配置成在阻擋雜質時將反應材料從過濾層的第一側傳遞到過濾層的第二側。過濾層的第二側上的純反應材料吸收釋氣物質而不受雜質影響。因此，相對於過濾層的第一側上的反 應材料，過濾層的第二側上的純反應材料具有較低吸氣劑活化溫度(例如，200攝氏度)和較高吸氣效率。這繼而在器件的形成和/或操作期間促進在低溫下(例如，在200攝氏度而非300攝氏度下)吸收釋氣物質，且進一步減小空腔的壓力。此外，包括金的第一黏結層和第二黏結層減少因低溫黏結製程所致的釋氣。此外，過濾層的第二側是粗糙的且充當防黏滯層，由此可移動軟機械結構不大可能黏附到過濾層的第二側。
圖1說明具有微機電(MEMS)基底114和吸氣劑結構134的積體晶片100的一些實施例的橫截面圖。
積體晶片100包括具有其中安置有一或多個電晶體器件106的半導體基底104的互補金屬氧化物半導體(complementary metal oxide semiconductor；CMOS)結構102。在一些實施例中，可通過CMOS製造製程的方式形成一或多個電晶體器件106。後段製程(back-end-of-the-line；BEOL)金屬堆疊安置於半導體基底104上方。BEOL金屬堆疊包括多個金屬內連線層108。多個金屬內連線層108耦合到一或多個電晶體器件106，所述一或多個電晶體器件安置於包括一或多個介電層的層間介電(inter-layer dielectric；ILD)層110內。通常，多個金屬內連線層108包括金屬層，所述金屬層的大小隨著與半導體基底104的距離增大而增大。
鈍化層112位於CMOS結構102與MEMS基底114之間。MEMS基底114包括空腔118內的多個柔軟可移動元件116。空腔 118定義在頂蓋基底120的第一側120a與ILD層110的頂部表面之間。多個柔軟可移動元件116的至少一部分位於空腔118內的電極113上方。黏結環結構122位於MEMS基底114與頂蓋基底120之間。黏結環結構122包含底部黏結環130、頂部黏結環125、黏結環過濾層126以及黏結環吸氣劑124。底部黏結環130在黏結介面128處直接接觸頂部黏結環125。在一些實施例中，頂部黏結環125和底部黏結環130包括相同材料(例如，金)。包括相同材料的頂部黏結環125和底部黏結環130有助於均勻黏結介面，其減少黏結環洩漏(例如，粒子從黏結環結構122的外部側壁外進入空腔118)。這繼而使得空腔118維持真空密封，且提高積體晶片100的穩定性、耐久性以及性能。在一些實施例中，頂部黏結環125和底部黏結環130是或包括金或一些其它適合的材料，所述材料允許低溫(例如，小於200攝氏度)下的共熔黏結。低溫減少黏結期間的釋氣，且減少釋氣允許空腔118更好地維持真空密封且提高積體晶片100的穩定性、耐久性以及性能。在一些實施例中，黏結環氧化層132形成於黏結環吸氣劑124的內部側壁上。在一些實施例中，黏結環氧化層132包括3個離散寬度。在一些實施例中，黏結環氧化層132的寬度從黏結環吸氣劑124的頂部表面到頂部黏結環125的頂部表面增大。
吸氣劑結構134位於空腔118內的黏結環結構122的內部側壁之間。吸氣劑結構134包含吸氣劑層136、過濾層138以及吸氣劑結構氧化層140。吸氣劑層136(在一些實施例中，稱為吸 收層)包括反應材料(例如，鈦)和雜質。吸氣劑層136吸收空腔118內的釋氣物質。在一些實施例中，釋氣物質可以(例如)是或包括氧氣(O2)、氫氣(H2)和/或水(H2O)，或類似物。因此，吸氣劑層136配置成在積體晶片100的操作和/或形成期間維持空腔118的真空密封。在一些實施例中，釋氣物質由於積體晶片100的形成和/或操作而形成於空腔118內。反應材料與空腔118內的釋氣物質反應以沿吸氣劑層136的外部側壁形成吸氣劑結構氧化層140。吸氣劑層136內的雜質的存在降低吸氣劑層136的吸氣效率(例如，反應材料與釋氣物質反應的能力)。此外，雜質降低吸氣劑層136的吸氣劑溫度(例如，吸氣劑層136的反應材料開始與釋氣物質反應的溫度)。這繼而阻礙釋氣物質的吸收和吸氣劑結構氧化層140的形成。此外，從吸氣劑層136防止/去除雜質是麻煩的，因為在反應材料的形成(例如，濺鍍製程)期間雜質形成於吸氣劑層136內。
過濾層138的第一過濾側138a鄰接於吸氣劑層136。過濾層138的第二過濾側138b鄰接於吸氣劑結構氧化層140。過濾層138(在一些實施例中，稱為吸收增強層)包括反應材料與非反應材料(例如，金)的組合。在一些實施例中，過濾層138內的反應材料的濃度從第一過濾側138a到第二過濾側138b持續地減小。過濾層138配置成在阻擋雜質從吸氣劑層136傳遞到第一過濾側138a時將反應材料從第一過濾側138a傳遞到第二過濾側138b。在一些實施例中，過濾層138將反應材料從過濾層138的 第一過濾側138a傳遞到第二過濾側138b和/或相對的外部側壁。在一些實施例中，反應材料從吸氣劑層136擴散到過濾層138的第二過濾側138b，且與釋氣物質反應，以形成/增加與第二過濾側138b直接接觸的吸氣劑結構氧化層140的厚度。因此，過濾層138使得反應材料在無雜質存在的情況下與釋氣物質反應。因此，過濾層138具有比吸氣劑層136的吸氣效率更高的吸氣效率和比吸氣劑層136的吸氣劑溫度(例如，300攝氏度)更低的吸氣劑溫度(例如，200攝氏度)。
隨著過濾層138的吸氣效率增大，空腔118內的壓力可減小，進而有助於維持空腔118內的真空密封。過濾層138的吸氣劑溫度可(例如)允許反應材料在低於吸氣劑層136的吸氣劑溫度的溫度下與釋氣物質反應。在較低溫度下與釋氣物質反應減小積體晶片100的形成/操作期間/後的空腔118的最終壓力。在一些實施例中，不具有過濾層138的空腔118(未繪示)的第一壓力可(例如)是具有過濾層138的空腔118的第二壓力的至少兩倍。在一些實施例中，過濾層138用作過濾器，所述過濾器配置成傳遞反應材料且阻擋雜質。因此，過濾層138減小空腔118的壓力，這繼而提高積體晶片100的性能、穩定性以及耐久性。
在一些實施例中，過濾層138充當用於反應材料的擴散層，使得反應材料從過濾層138的第一過濾側138a擴散到第二過濾側138b和外部側壁。過濾層138阻擋雜質從第一過濾側138a擴散到第二過濾側138b。在一些實施例中，反應材料的擴散始於 過濾層138的吸氣劑溫度(例如，大致200攝氏度)，且反應材料在過濾層138上的擴散隨溫度而增大。此外，空腔118內的釋氣物質的釋氣將隨溫度而增大，因此空腔118中的壓力將隨溫度而增大。然而，反應材料因溫度升高而增大的擴散可減緩壓力因釋氣增加而增大。這繼而在器件溫度升高時維持空腔118內的真空密封。因此，反應材料隨溫度升高而增大的擴散減小過濾層138的吸氣效率隨溫度升高的波動。
在一些實施例中，黏結環吸氣劑124和吸氣劑層136可以(例如)是或包括反應材料(例如，鈦、釕、鋯或類似物)，和/或可(例如)以大致10奈米到50奈米範圍內的厚度而形成。在一些實施例中，黏結環吸氣劑124配置成以上描述的吸氣劑層136。在一些實施例中，吸氣劑層136和黏結環吸氣劑124可(例如)具有一種組成物，所述組成物具有90%反應材料和10%雜質、80%反應材料和20%雜質或在大致70%到95%反應材料和大致30%到5%雜質範圍內。在一些其它實施例中，雜質可以(例如)是或包括銀、鋁、硼、鉍、鈣、鎘、碳、鉻、銅、鐵、鉀、鋰、鎂、錳、鉬、鈉、鎳、磷、鉛、矽、錫、釷、鈾、釩、鎢、鋅、鋯、鈹、汞、氧、氮、氫、氯、硫或類似物。在一些實施例中，過濾層138可以(例如)是或包括金和鈦、金和釕、金和鋯或類似物的化合物，和/或可(例如)以大致7奈米到20奈米範圍內的厚度而形成。在一些實施例中，黏結環過濾層126可以(例如)是或包括金和鈦、金和釕、金和鋯或類似物的化合物，和/或可(例 如)以大致25奈米到150奈米範圍內的厚度而形成。在一些實施例中，黏結環過濾層126配置成以上描述的過濾層138。在一些實施例中，吸氣劑結構氧化層140可以(例如)是或包括反應材料、釋氣物質、氧化鈦、氧化釕、氧化鋯、氫化鈦、氫化釕、氫化鋯、一些其它適合的材料或前述內容的任何組合，和/或可(例如)包括大致10奈米到100奈米範圍內的厚度。在一些實施例中，吸氣劑結構氧化層140可以是或包括吸氣劑層136包括的材料的氧化物和/或氫化物。在一些實施例中，吸氣劑結構氧化層140的底部表面是粗糙的，這繼而減小柔軟可移動元件116將在積體晶片100的操作/形成期間黏附到吸氣劑結構氧化層140的可能性。在一些實施例中，第二過濾側138b是粗糙的(例如，鋸齒形)，由此第二過濾側138b的表面積大於所述第二過濾側平坦的情況。高表面積增大釋氣物質的吸收率，且因此進一步增大過濾層138的吸氣效率。
在一些實施例中，如果過濾層138不存在，那麼吸氣劑結構134(僅具有吸氣劑層136)配置成在第一溫度(例如，大致300攝氏度)下與釋氣物質反應。在前述實施例中，當過濾層138存在時，吸氣劑結構134(具有吸氣劑層136和過濾層138兩者)配置成在小於第一溫度的第二溫度(例如，大致200攝氏度)下與釋氣物質反應。在另外的實施例中，如果過濾層138不存在，那麼吸氣劑結構134(僅具有吸氣劑層136)具有第一吸氣效率(例如，大致70%到95%)。在前述實施例中，當過濾層138存在時， 吸氣劑結構134(具有吸氣劑層136和過濾層138兩者)具有大於第一吸氣效率的第二吸氣效率(例如，大致95%到100%)
參考圖2A，提供根據圖1的吸氣劑結構134的一些替代實施例的吸氣劑結構134的橫截面圖200a，其中吸氣劑結構氧化層140不存在於沿吸氣劑層136的外部側壁。
吸氣劑層136包括介面區202內的多個突出部，所述突出部直接接觸沿過濾層138的第一過濾側138a定義的多個凹部。可理解圖2A僅是實例且介面區202可具有許多不同輪廓。過濾層138的第二過濾側138b與吸氣劑結構氧化層140的頂部表面直接接觸。吸氣劑結構氧化層140的底部表面是粗糙的，和/或包括多個突出部。吸氣劑結構氧化層140的最高點與吸氣劑結構氧化層140的最底點之間定義的厚度Tob介於大致10奈米到100奈米範圍內。
參考圖2B，提供根據圖1的吸氣劑結構134的一些替代實施例的吸氣劑結構134的橫截面圖200b，其中第二過濾側138b是平坦或大體上平坦的。
吸氣劑層136在平坦或大體上平坦的介面區202處直接接觸過濾層138的第一過濾側138a。可理解圖2A僅是實例且介面區202可具有許多不同輪廓。過濾層138的第二過濾側138b在平坦或大體上平坦的介面處與吸氣劑結構氧化層140的頂部表面直接接觸。吸氣劑結構氧化層140的底部表面是粗糙的，和/或包括多個突出部。吸氣劑結構氧化層140的頂部表面與吸氣劑結構 氧化層140的最底點之間定義的厚度Tob介於大致10奈米到100奈米範圍內。
參考圖2C，提供根據圖1的吸氣劑結構134的一些替代實施例的吸氣劑結構134的橫截面圖200c，其中吸氣劑結構氧化層140包括三個離散厚度。
吸氣劑結構134包含吸氣劑層136、過濾層138以及吸氣劑結構氧化層140。吸氣劑結構氧化層140具有U形且包封吸氣劑層136和過濾層138的外部側壁。吸氣劑結構氧化層140的最底點與第二過濾側138b的最高點之間定義的吸氣劑結構氧化層140的厚度Tob介於大致10奈米到100奈米範圍內。吸氣劑結構氧化層140的厚度Tsw1定義於介面區202下、過濾層138的外部側壁處，且介於大致10奈米到100奈米範圍內。吸氣劑結構氧化層140的厚度Tsw2定義於介面區202處，且介於大致10奈米到50奈米範圍內。吸氣劑結構氧化層140的厚度Tsw3定義於介面區202上方、吸氣劑層136的外部側壁處，且介於大致0.1奈米到2奈米範圍內。
在一些實施例中，吸氣劑結構氧化層140中的厚度(例如，Tsw1、Tsw2、Tsw3)的差異是由於反應材料擴散到吸氣劑層136和/或過濾層138的表面且與釋氣物質反應的能力。由於過濾層138阻擋雜質，介面區202下的過濾層138內的反應材料能夠與釋氣物質反應而因此不受雜質影響，且因此具有最大厚度範圍。由於介面區202內的反應材料因吸氣劑層136內存在雜質因此可被部 分地阻礙，因此使得厚度Tsw2小於厚度Tsw1。當介面區202上方的吸氣劑層136內的反應材料與釋氣物質反應時，所述反應材料受雜質影響，且因此具有最小厚度。在一些實施例中，厚度Tob大致等於厚度Tsw1。在一些實施例中，厚度Tob大於厚度Tsw1，厚度Tsw1大於厚度Tsw2，且厚度Tsw2大於厚度Tsw3。在一些實施例中，厚度Tob是比厚度Tsw1大至少兩倍，厚度Tsw1比厚度Tsw2大至少2倍，且厚度Tsw2比厚度Tsw3大至少4倍。
參考圖2D，提供根據圖1的吸氣劑結構134的一些替代實施例的吸氣劑結構134的橫截面圖200d，其中吸氣劑結構氧化層140包括兩個離散厚度。
吸氣劑結構氧化層140具有U形且包封吸氣劑層136和過濾層138的外部側壁。吸氣劑結構氧化層140的厚度Tob定義於過濾層138的底部表面與吸氣劑結構氧化層140的底部表面之間，且介於大致10奈米到100奈米範圍內。吸氣劑結構氧化層140的厚度Tsw1定義於介面區202下、過濾層138的外部側壁處，且介於大致10奈米到100奈米範圍內。吸氣劑結構氧化層140的厚度Tsw3定義於介面區202上方、吸氣劑層136的外部側壁處，且介於大致0.1奈米到2奈米範圍內。在一些實施例中，吸氣劑結構氧化層140的底部表面是粗糙的(圖2D中未繪示)。
參考圖3，提供根據圖1的積體晶片100的一些替代實施例的積體晶片300的橫截面圖，其中吸氣劑結構134與黏結環結構122直接接觸。
CMOS結構102上覆於吸氣劑結構134，使得多個金屬內連線層108中的金屬層301與吸氣劑層136直接接觸。吸氣劑結構134的外部側壁與黏結環結構122的內部側壁直接接觸。多晶矽層302位於黏結環結構122與MEMS基底114之間。多晶矽層302上覆於柔軟可移動元件116。下部氧化層304位於多晶矽層302與頂蓋基底120之間。在一些實施例中，多晶矽層302的頂部表面是粗糙的(例如，具有鋸齒形輪廓或一些其它適合的輪廓)，且配置成減少柔軟可移動元件116與吸氣劑結構134之間的黏滯。
參考圖4，提供根據圖1的積體晶片100的一些替代實施例的積體晶片400的橫截面圖，其中接觸墊404上覆於MEMS基底114。
MEMS基底114上覆於積體電路(integrated circuit；IC)晶粒402。在一些實施例中，IC晶粒402包括具有多個器件(例如，電晶體、變容器(varactor)、電阻器、電容器、電感器等)的基底，所述器件安置於IC晶粒402內且經由內連線結構(未繪示)電耦合至MEMS基底114。多個接觸墊404安置於MEMS基底114的上部表面上。在一些實施例中，多個接觸墊404分別提供與MEMS基底114和/或IC晶粒402中的器件的歐姆接觸。在一些實施例中，多個接觸墊404包括與底部黏結環130相同的材料。在一些實施例中，多個接觸墊404的頂部表面與底部黏結環130的頂部表面對準。在一些實施例中，黏結環氧化層132形成於黏結環結構122的外部側壁上。
參考圖5，提供根據圖1的積體晶片100的一些替代實施例的積體晶片500的橫截面圖，其中自組裝單層(SAM)502包封多個柔軟可移動元件116。
SAM 502包圍且保形地包封多個柔軟可移動元件116。SAM 502充當多個柔軟可移動元件116與吸氣劑結構氧化層140之間的防黏滯層。此外，SAM 502充當多個柔軟可移動元件116與IC晶粒402之間的防黏滯層。在一些實施例中，頂部黏結環125和底部黏結環130是或包括金或一些其它適合的材料，這允許低溫(例如，小於約200攝氏度)下的共熔黏結。用於將頂部黏結環125黏結到底部黏結環130的低溫可(例如)減小SAM 502將從MEMS基底114剝離的可能性。在一些實施例中，當高黏結溫度(例如，大致425攝氏度)用於將頂部黏結環125黏結到底部黏結環130時，SAM 502可能剝離。舉例來說，當SAM 502包括四氯化矽(silicon-chlorine)時，SAM 502可由於高黏結溫度而從多個柔軟可移動元件116剝離。
圖6到圖12說明根據本公開的實施例的形成包含具有吸氣劑結構的微機電系統(MEMS)器件的積體晶片的方法的一些實施例的橫截面圖600到橫截面圖1200。雖然參考方法描述圖6到圖12中所繪示的橫截面圖600到橫截面圖1200，但應瞭解，圖6到圖12中所繪示的結構不限於所述方法而實際上可單獨獨立於所述方法。雖然圖6到圖12被描述為一系列動作，但應瞭解，這些動作是非限制性的，因為所述動作的次序可在其它實施例中更 改，且所公開的方法還適用於其它結構。在其它實施例中，說明和/或描述的一些動作可完全或部分地省略。在一些實施例中，圖6到圖12可(例如)用於形成圖1的積體晶片100。
如圖6的橫截面圖600所示，反應層602形成於頂蓋基底120上方。在一些實施例中，通過濺鍍製程形成反應層602。在一些實施例中，反應層602包括反應材料和雜質。雜質可(例如)從濺鍍製程的使用中固有地和/或不合期望地形成。在一些其它實施例中，來自反應材料源的雜質可以(例如)是或包括銀、鋁、硼、鉍、鈣、鎘、碳、鉻、銅、鐵、鉀、鋰、鎂、錳、鉬、鈉、鎳、磷、鉛、矽、錫、釷、鈾、釩、鎢、鋅、鋯、鈹、汞或類似物。在又其它實施例中，來自用於在頂蓋基底120上方形成反應材料的製造環境和/或工具的雜質可以(例如)是或包括氧、碳、氮、氫、氯、硫或類似物。在一些實施例中，在溫度介於大致100攝氏度到125攝氏度範圍內的情況下形成反應層602。
在一些實施例中，反應材料可以(例如)是鈦、釕、鋯或類似物，和/或可(例如)以大致10奈米到50奈米範圍內的厚度而形成。在一些實施例中，反應層602可(例如)具有一種組成物，所述組成物具有90%反應材料和10%雜質、80%反應材料和20%雜質或在大致70%到95%反應材料和大致30%到5%雜質的範圍內。頂蓋基底120可以是(例如)塊狀基底(例如，塊狀矽基底)、單晶矽、P摻雜矽或N摻雜矽。
如圖7的橫截面圖700所示，非反應層702形成於反應 層602上方。在一些實施例中，非反應層702可以(例如)是或包括非反應材料(例如，金或類似物)，和/或可(例如)以大致200奈米到800奈米範圍內的厚度而形成。在一些實施方式中，非反應層702是或包括阻擋反應層602的雜質擴散通過非反應層702同時還允許反應層602的反應材料擴散或者移動通過非反應層702的材料。在一些實施例中，在溫度介於大致100攝氏度到125攝氏度範圍內的情況下形成非反應層702。
如圖8的橫截面圖800所示，執行退火製程以使來自非反應層(圖7的702)的非反應材料與來自反應層602的反應材料相互擴散或者組合，進而定義反應過濾層802。在一些實施例中，退火製程達到大致250攝氏度的最大溫度。在一些其它實施例中，退火製程包括大致150攝氏度到250攝氏度範圍內的溫度。在一些實施例中，反應過濾層802可以(例如)是或包括具有反應材料和非反應材料的化合物，和/或可(例如)以大致7奈米到20奈米範圍內的厚度而形成。此類化合物可以(例如)是或包括鈦金(TiAu3)、釕金、鋯金或類似物。非反應膜804位於反應過濾層802上方，且包括來自非反應層(圖7的702)的在進行退火製程時並未與反應材料組合的非反應材料。在一些實施例中，非反應膜804可以(例如)是或包括非反應材料，和/或可(例如)以大致180奈米到780奈米範圍內的厚度而形成。
如圖9的橫截面圖900所示，在反應層(圖8的602)、反應過濾層(圖8的802)、非反應膜(圖8的804)以及頂蓋基 底120中執行蝕刻製程以定義第一開口901a、第二開口901b、頂部黏結結構902以及多層吸氣劑結構904。頂部黏結結構902包含：頂部黏結環125；黏結環過濾層126，位於頂部黏結環125之下；以及黏結環吸氣劑124，位於黏結環過濾層126之下。此外，黏結環吸氣劑124直接接觸頂蓋基底120。黏結環過濾層126和頂部黏結環125的厚度Tbr可(例如)介於大致200奈米到800奈米的範圍內。多層吸氣劑結構904包含中心非反應層906、中心反應過濾層908以及吸氣劑層136。中心反應過濾層908和中心非反應層906的厚度Tcg可(例如)介於大致200奈米到800奈米範圍內。在一些實施例中，藉由以下執行蝕刻製程：在非反應膜(圖8的804)上方形成遮罩層(未繪示)；根據遮罩層執行蝕刻以定義第一開口901a和第二開口901b；以及去除遮罩層。在一些實施例中，當自上而下觀測時，第一開口901a和第二開口901b是包圍多層吸氣劑結構904的環形溝槽的區段。
如圖10的橫截面圖1000所示，在多層吸氣劑結構(圖9的904)中執行蝕刻製程以去除中心非反應層(圖9的906)且去除中心反應過濾層908的一部分，從而定義過濾層138和吸氣劑結構134。蝕刻製程有助於使得過濾層138的第二過濾側138b粗糙，這減小黏滯的可能性。在一些實施例中，蝕刻製程將厚度Tcg減小到大致7奈米到20奈米範圍內。在一些實施例中，蝕刻製程並不減小頂部黏結環結構902的厚度Tbr。在一些實施例中，藉由以下執行蝕刻製程：在頂蓋基底120和頂部黏結結構902上方形 成遮罩層(未繪示)；根據遮罩層執行蝕刻以去除中心非反應層(圖9的906)且減小中心反應過濾層(圖9的908)的厚度；以及去除遮罩層。
在一些實施例中，在圖6到圖10中所概述的先前步驟中的每一個之後/期間，反應材料可與釋氣物質反應且在反應層(圖6的602)、非反應層(圖7的702)、反應過濾層(圖8的802)、非反應膜(圖8的804)、多層吸氣劑結構(圖9的904)、頂部黏結結構902、吸氣劑結構134或前述內容的任何組合的暴露於空氣的任一表面上形成氧化物。因此，在一些實施例中，在圖6到圖10的每一步驟和/或任何子步驟之後執行清潔製程以去除氧化物。清潔製程可在彼此上方形成層和/或將層黏結在一起之前減緩由氧化物存在造成的剝離問題。
如圖11的橫截面圖1100所示，將來自圖10的結構旋轉180度且黏結到上覆於MEMS基底114的底部黏結環130，進而形成且密封空腔118。黏結製程包含：使頂部黏結環125在底部黏結環130上方對準；使頂部黏結環125和底部黏結環130接觸；以及執行退火製程以沿黏結介面128將頂部黏結環125黏結到底部黏結環130。頂部黏結環125和底部黏結環130包括相同材料(例如，金或一些其它適合的材料)，使得黏結介面128包括相同材料。在一些實施例中，黏結製程達到大致200攝氏度的最大溫度。在一些實施例中，黏結製程的最大溫度小於吸氣劑層136的吸氣劑活化溫度(例如，300攝氏度)且大於或等於過濾層140的吸氣劑 活化溫度(例如，200攝氏度)。舉例來說，過濾層138可在黏結製程期間吸收空腔118內的釋氣物質，且吸氣劑層136可在黏結製程期間不吸收空腔118內的釋氣物質。因此，吸氣劑結構氧化層140將形成於過濾層138的底部表面和過濾層138的外部側壁周圍。在一些實施例中，底部黏結環130可以(例如)是或包括金，和/或可(例如)以大致500奈米到1000奈米範圍內的厚度而形成。
如圖12的橫截面圖1200所示，在積體晶片的後續處理步驟和/或操作期間，氧化物沿吸氣劑層136的側壁和黏結環吸氣劑124的側壁出現。在一些實施例中，在大於吸氣劑層136的吸氣劑活化溫度的處理和/或操作溫度下，氧化物沿吸氣劑層136的側壁出現。在一些實施例中，在積體晶片的5,000個週期後，氧化物可(例如)沿過濾層138的表面出現。在一些實施例中，在積體晶片的10,000個週期後，氧化物可(例如)沿吸氣劑層136的表面出現。
過濾層138配置成在阻擋雜質從吸氣劑層136傳遞到第一過濾側138a時將反應材料從第一過濾側138a傳遞到第二過濾側138b。因此，過濾層138使得反應材料在無雜質存在的情況下與空腔118內的釋氣物質反應。因此，過濾層138具有比吸氣劑層136的吸氣效率更大的吸氣效率。過濾層138的吸氣效率可減小空腔118內的壓力，進而有助於維持空腔118內的真空密封。
圖13說明形成包含具有吸氣劑結構的微機電系統 (MEMS)器件的積體晶片的方法1300的一些額外實施例的流程圖。
雖然所公開的方法1300在本文中說明且描述為一系列動作或事件，但應瞭解，不應以限制意義來解釋此類動作或事件的所說明排序。舉例來說，除本文中所說明和/或所描述的動作或事件之外，一些動作可與其它動作或事件以不同次序和/或同時出現。另外，可能需要並非所有的所說明動作，以實施本文中的描述的一或多個方面或實施例。另外，本文中所描繪的動作中的一或多個可以一或多個單獨動作和/或階段進行。
在1302處，包括反應材料的反應層形成於頂蓋基底上方。圖6說明對應於動作1302的一些實施例的橫截面圖。
在1304處，包括非反應材料的非反應層形成於反應層上方。圖7說明對應於動作1304的一些實施例的橫截面圖。
在1306處，執行退火製程以形成反應材料與非反應材料的合金。合金定義反應過濾層且形成於非反應層的第一部分內。非反應層的其餘第二部分上覆於反應過濾層。圖8說明對應於動作1306的一些實施例的截面圖。
在1308處，在頂蓋基底、反應層、反應過濾層以及非反應層的第二部分中執行蝕刻製程以定義兩個開口、吸氣劑結構以及黏結環結構。圖9說明對應於動作1308的一些實施例的橫截面圖。
在1310處，在吸氣劑結構上執行薄化製程以去除上覆於 反應過濾層的非反應層的第二部分和反應過濾層的一部分，進而定義具有粗糙頂部表面的過濾層。圖10說明對應於動作1310的一些實施例的橫截面圖。
在1312處，執行黏結製程以將黏結環結構黏結到底部黏結環結構。底部黏結環結構上覆於MEMS基底，且黏結製程定義並密封MEMS基底之下的載體基底與頂蓋基底之間的空腔。圖11說明對應於動作1312的一些實施例的橫截面圖。
因此，在一些實施例中，本申請涉及具有增強吸氣劑結構的MEMS器件。增強吸氣劑結構包含過濾層和吸氣劑層。過濾層包括非反應材料，而吸氣劑層包括反應材料和雜質。此外，過濾層的第一側鄰接於吸氣劑層，且過濾層的第二側面向空腔，MEMS器件位於所述空腔內。過濾層配置成在阻擋雜質時將反應材料從過濾層的第一側傳遞到第二側。
在各種實施例中，本申請提供積體晶片，所述積體晶片包含：第一基底；第二基底，上覆於第一基底；第三基底，上覆於第二基底，其中第一基底、第二基底以及第三基底至少部分地定義空腔，且其中第二基底包括位於空腔中且位於第一基底與第三基底之間的可移動塊；以及吸氣劑結構，位於空腔中且包含吸氣劑層和過濾層，其中吸氣劑層包括吸氣劑材料，其中過濾層具有鄰接吸氣劑層的第一側，且進一步具有與第一側相對且面向空腔的第二側，且其中過濾層配置成在阻擋任何雜質時將吸氣劑材料從第一側傳遞到第二側。
在本發明的實施例中，其中所述吸氣劑材料配置成與所述空腔中的釋氣物質反應以在所述過濾層的所述第二側上形成氧化層。
在本發明的實施例中，其中所述過濾層包括金，所述吸氣劑材料包括鈦，且所述釋氣物質包括氧氣。
在本發明的實施例中，其中所述吸氣劑層的外部側壁與所述過濾層的外部側壁對準。
在本發明的實施例中，所述的積體晶片，進一步包括：黏結環結構，位於所述第二基底與所述第三基底之間，其中所述黏結環結構包括上覆於第二黏結環層的第一黏結環層，其中所述第一黏結環層包括所述吸氣劑材料且所述第二黏結環層包括與所述吸氣劑材料不同的材料，且其中所述吸氣劑結構橫向地位於所述黏結環結構的內部側壁之間。
在本發明的實施例中，其中所述吸氣劑層的底部表面包括多個突出部，其中所述過濾層的所述第一側包括與所述多個突出部相接的多個凹部。
在本發明的實施例中，其中所述過濾層的所述第二側具有粗糙表面。
在本發明的實施例中，其中所述吸氣劑材料從所述過濾層的頂部表面傳送到所述過濾層的底部表面。
在本發明的實施例中，其中所述吸氣劑材料從所述過濾層的所述第一側傳送到相對的外部側壁。
在各種實施例中，本申請提供積體晶片，所述積體晶片包含：載體基底；頂蓋基底，上覆於載體基底；微機電系統(MEMS)基底，夾在載體基底與頂蓋基底之間，其中載體基底、頂蓋基底以及MEMS基底至少部分地定義空腔，且其中MEMS基底包括位於空腔中且位於載體基底與頂蓋基底之間的可移動塊；以及吸氣劑結構，位於空腔中且包含吸氣劑層、氧化層以及擴散層，其中吸氣劑層包括第一材料，氧化層包括第一材料的氧化物，且擴散層包括第二材料，且其中擴散層位於吸氣劑層與氧化層之間。
在本發明的實施例中，其中所述第一材料為鈦、釕或鋯，且所述第二材料為金。
在本發明的實施例中，其中所述吸氣劑層的外部側壁與所述擴散層的外部側壁對準，且其中所述氧化層對所述吸氣劑層和所述擴散層的所述外部側壁進行加襯。
在本發明的實施例中，其中所述氧化層具有U形且直接地接觸所述吸氣劑層的外部側壁、所述擴散層的外部側壁以及所述擴散層的底部表面。
在本發明的實施例中，其中所述氧化層沿所述吸氣劑層的所述外部側壁的第一寬度小於所述氧化層沿所述擴散層的所述外部側壁的第二寬度。
在本發明的實施例中，其中所述氧化層直接接觸所述吸氣劑層的下部表面與所述擴散層的上部表面之間的介面，其中所述氧化層包括所述介面處的第三寬度，且其中所述第三寬度大於 所述第一寬度且小於所述第二寬度。
在本發明的實施例中，所述的積體晶片，進一步包括：黏結環結構，位於所述微機電系統基底與所述頂蓋基底之間，其中所述黏結環結構具有一對側壁區段，其中所述側壁區段位於所述空腔中且位於所述空腔的相對側上，且其中所述積體晶片進一步包括：黏結環氧化層，直接接觸所述側壁區段，其中所述黏結環氧化層包括與所述氧化層相同的材料。
在本發明的實施例中，其中所述黏結環結構包括：底部黏結環區；黏結環吸氣劑區，上覆於所述底部黏結環區；以及黏結環擴散區，夾在所述黏結環吸氣劑區與所述底部黏結環區之間；其中所述黏結環氧化層從所述黏結環吸氣劑區的上部表面延伸到所述底部黏結環區的上部表面，其中所述黏結環氧化層具有從所述黏結環吸氣劑區的所述上部表面到所述黏結環吸氣劑區的下部表面的第一氧化物寬度，且進一步具有從所述黏結環吸氣劑區的所述下部表面到所述底部黏結環區的所述上部表面的第二氧化物寬度，且其中所述第一氧化物寬度小於所述第二氧化物寬度。
在各種實施例中，本申請提供形成積體晶片的方法，所述方法包含：在頂蓋基底上形成多層膜，其中多層膜包括含有第一材料的吸收層，且進一步包括含有與第一材料不同的第二材料的吸收增強層；在多層膜中執行蝕刻製程以劃定多層膜的黏結環部分和多層膜的吸氣劑部分；在多層膜的吸氣劑部分中執行薄化製程以減小吸收增強層在吸氣劑部分處的厚度而不減小吸收增強 層在黏結環部分處的厚度；以及將多層膜黏結到MEMS結構，使得吸氣劑部分上覆於MEMS結構中的可移動塊且密封空腔，可移動塊處於所述空腔內。
在本發明的實施例中，其中所述多層膜的所述形成包括：在所述頂蓋基底上沉積所述第一材料以形成所述吸收層；在所述吸收層上沉積所述第二材料以形成所述吸收增強層；以及執行退火製程以在所述吸收增強層中形成所述第一材料與所述第二材料的化合物。
在本發明的實施例中，其中所述多層膜具有吸氣劑活化溫度，且其中所述黏結達到大於或等於所述吸氣劑活化溫度的最大黏結溫度。
前文概述若干實施例的特徵以使得本領域的技術人員可更好地理解本公開的實施例的各方面。所屬領域的技術人員應瞭解，其可以易於使用本公開的實施例作為設計或修改用於進行本文中所引入的實施例的相同目的和/或獲得相同優勢的其它製程和結構的基礎。所屬領域的技術人員還應認識到，此類等效構造並不脫離本公開的實施例的精神和範圍，且其可在不脫離本公開的實施例的精神和範圍的情況下在本文中進行各種改變、替代和更改。
100:積體晶片
102:互補金屬氧化物半導體結構
104:半導體基底
106:電晶體器件
108:金屬內連線層
110:層間介電層
112:鈍化層
113:電極
114:微機電基底
116:柔軟可移動元件
118:空腔
120:頂蓋基底
120a:第一側
122:黏結環結構
124:黏結環吸氣劑
125:頂部黏結環
126:黏結環過濾層
128:黏結介面
130:底部黏結環
132:黏結環氧化層
134:吸氣劑結構
136:吸氣劑層
138:過濾層
138a:第一過濾側
138b:第二過濾側
140:吸氣劑結構氧化層

Claims (9)

  1. 一種積體晶片，包括：第一基底；第二基底，上覆於所述第一基底；第三基底，上覆於所述第二基底，其中所述第一基底、所述第二基底以及所述第三基底至少部分地定義空腔，且其中所述第二基底包括位於所述空腔中且位於所述第一基底與所述第三基底之間的可移動塊；以及吸氣劑結構，位於所述空腔中且包括吸氣劑層和過濾層，其中所述吸氣劑層包括吸氣劑材料，其中所述過濾層具有鄰接所述吸氣劑層的第一側，且進一步具有與所述第一側相對且面向所述空腔的第二側，且其中所述過濾層配置成在阻擋任何雜質時將所述吸氣劑材料從所述第一側傳遞到所述第二側，其中所述過濾層的所述第二側具有粗糙表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的積體晶片，其中所述吸氣劑材料配置成與所述空腔中的釋氣物質反應以在所述過濾層的所述第二側上形成氧化層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的積體晶片，其中所述吸氣劑層的底部表面包括多個突出部，其中所述過濾層的所述第一側包括與所述多個突出部相接的多個凹部。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的積體晶片，其中所述吸氣劑材料從所述過濾層的頂部表面傳送到所述過濾層的底部表面。
  5. 一種積體晶片，包括：載體基底； 頂蓋基底，上覆於所述載體基底；微機電系統基底，夾在所述載體基底與所述頂蓋基底之間，其中所述載體基底、所述頂蓋基底以及所述微機電系統基底至少部分地定義空腔，且其中所述微機電系統基底包括位於所述空腔中且位於所述載體基底與所述頂蓋基底之間的可移動塊；以及吸氣劑結構，位於所述空腔中且包含吸氣劑層、氧化層以及擴散層，其中所述吸氣劑層包括第一材料，所述氧化層包括所述第一材料的氧化物，且所述擴散層包括第二材料，且其中所述擴散層位於所述吸氣劑層與所述氧化層之間，其中所述擴散層具有鄰接所述吸氣劑層的第一側，且進一步具有與所述第一側相對且面向所述氧化層的第二側，所述擴散層的所述第二側具有粗糙表面。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的積體晶片，其中所述氧化層具有U形且直接地接觸所述吸氣劑層的外部側壁、所述擴散層的外部側壁以及所述擴散層的底部表面。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的積體晶片，進一步包括：黏結環結構，位於所述微機電系統基底與所述頂蓋基底之間，其中所述黏結環結構具有一對側壁區段，其中所述側壁區段位於所述空腔中且位於所述空腔的相對側上，且其中所述積體晶片進一步包括：黏結環氧化層，直接接觸所述側壁區段，其中所述黏結環氧化層包括與所述氧化層相同的材料。
  8. 一種形成積體晶片的方法，包括： 在頂蓋基底上形成多層膜，其中所述多層膜包括含有第一材料的吸收層，且進一步包括含有與所述第一材料不同的第二材料的吸收增強層；在所述多層膜中執行蝕刻製程，以劃定所述多層膜的黏結環部分和所述多層膜的吸氣劑部分；在所述多層膜的所述吸氣劑部分中執行薄化製程，以減小所述吸氣劑部分處的所述吸收增強層的厚度而不減小所述黏結環部分處的所述吸收增強層的厚度；以及將所述多層膜黏結到微機電系統結構，使得所述吸氣劑部分上覆於所述微機電系統結構中的可移動塊且密封空腔，所述可移動塊處於所述空腔內。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的形成積體晶片的方法，其中所述多層膜的所述形成包括：在所述頂蓋基底上沉積所述第一材料以形成所述吸收層；在所述吸收層上沉積所述第二材料以形成所述吸收增強層；以及執行退火製程以在所述吸收增強層中形成所述第一材料與所述第二材料的化合物。
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