TWI724020B - 處理晶圓的方法及用於該方法的保護片 - Google Patents

Abstract

本發明係有關於一種處理晶圓的方法，該晶圓在一側具有一裝置區域及一周圍邊緣區域，該裝置區域具有被複數條分劃線分開之複數個裝置，且該周圍邊緣區域沒有裝置並且形成在該裝置區域四周，其中該裝置區域形成有由該晶圓之一平面突出的複數個突起。該方法包含以下步驟：提供一保護薄膜；提供一基底片，該基底片具有施加至其一前表面之一緩衝層；將該保護薄膜之一前表面附接在該晶圓之該一側，以便覆蓋在該晶圓上之該等裝置，其中該保護薄膜利用一黏著劑黏在至少該周圍邊緣區域上；及將與該保護薄膜之該前表面相對的該保護薄膜之一背表面附接在該緩衝層上。由該晶圓之該平面突出的該等突起被埋在該緩衝層中且與該基底片之該前表面相對的該基底片之一背表面大致平行於與該一側相對的該晶圓之該側。該方法更包含研磨與該一側相對的該晶圓之該側以便調整該晶圓厚度。本發明更有關於一種用於該處理方法的保護片。

Description

處理晶圓的方法及用於該方法的保護片 技術領域

本發明係有關於一種處理晶圓，例如半導體晶圓的方法，該晶圓在一側具有一裝置區域及一周圍邊緣區域，該裝置區域具有被複數條分劃線分開之複數個裝置，且該周圍邊緣區域沒有裝置並且形成在該裝置區域四周，其中該裝置區域形成有由該晶圓之一平面突出的複數個突起。此外，本發明有關於一種用於該方法的保護片。

技術背景

在一半導體裝置製程中，具有一裝置區域之一晶圓被分成複數個獨立晶粒或晶片，而該裝置區域具有被複數條分劃線分開之複數個裝置。這製程通常包含用以調整該晶圓厚度之一研磨步驟及沿該等分劃線切割該晶圓以獲得該等獨立晶粒或晶片之一切割步驟。該研磨步驟係由該晶圓之一背側實行，且該晶圓之背側與形成該裝置區域之一晶圓前側相對。

在習知半導體裝置製程，例如晶圓級晶片尺寸封 裝(WLCSP)中，該晶圓之裝置區域形成有由該晶圓之一平面突出的複數個突起，例如凸塊。這些突起係，例如，當將該等晶粒或晶片結合在如行動電話及個人電腦之電子設備中時，用以建立與該等獨立晶粒或晶片中之裝置的電接觸。

為了減少該電子設備之尺寸，必須減少該等半導體裝置之尺寸。因此，在上述研磨步驟中研磨形成有該等裝置之晶圓至μm範圍內，例如，在30至100μm之範圍內的厚度。

但是，在習知半導體裝置製程中，若由該晶圓之一平面突出之突起，例如，凸塊存在該裝置區域中，在研磨步驟中會產生問題。詳而言之，由於存在這些突起，該晶圓在研磨時斷裂之風險顯著地增加。此外，若將該晶圓研磨至一小厚度，例如，在μm範圍內之一厚度，由於該晶圓之小厚度及在該研磨步驟中所施加之壓力，在該晶圓前側的該裝置區域之突起會造成該晶圓背側之變形。由於在該晶圓前側之該等突起的圖案轉印至該晶圓背側，後者之效應稱為「圖案轉印」，且導致該晶圓之背側表面不必要之凹凸，因此損害製得之晶粒或晶片的品質。

此外，在該晶圓之裝置區域中存在該等突起亦顯著地增加在上述切割步驟中破壞該晶圓之風險。詳而言之，由於在研磨後晶圓厚度減少，該等晶粒或晶圓之側壁會在切割步驟中破裂，因此嚴重地破壞製得之晶粒或晶圓。

因此，仍需要一種可使破壞晶圓之風險降至最低的處理晶圓的可靠且有效方法，其中該晶圓之一側具有一裝置區域，而該裝置區域形成有複數個突起。

發明概要

因此，本發明之一目的在於提供一種可使破壞晶圓之風險降至最低之處理晶圓的可靠且有效方法，其中該晶圓之一側具有一裝置區域，而該裝置區域形成有複數個突起。此外，本發明之目的在於提供一種用於該方法的保護片。這些目的係藉由具有請求項1之技術特徵的一晶圓處理方法及具有請求項15之技術特徵的一保護片來達成。本發明之較佳實施例係依據該等依附項得出。

本發明提供一種處理晶圓的方法，該晶圓在一側具有一裝置區域及一周圍邊緣區域，該裝置區域具有被複數條分劃線分開之複數個裝置，且該周圍邊緣區域沒有裝置並且形成在該裝置區域四周，其中該裝置區域形成有由該晶圓之一平面突出、延伸或凸出的複數個突起。該方法包含以下步驟：提供一保護薄膜；提供一基底片，該基底片具有施加至其一前表面之一緩衝層；將該保護薄膜之一前表面附接在該晶圓之該一側，以便覆蓋在該晶圓上之該等裝置，其中該保護薄膜利用一黏著劑黏在至少該周圍邊緣區域上；及將與該保護薄膜之該前表面相對的該保護薄膜之一背表面附接在該緩衝層上。由該晶圓之該平面突出之該等突起被埋在該緩衝層中且與該基底片之該前表 面相對的該基底片之一背表面大致平行於與該一側相對的該晶圓之該側。該方法更包含研磨與該一側相對的該晶圓之該側以便調整該晶圓厚度。

該等突起或凸起，例如凸塊，由該晶圓之一平面突出、延伸或凸出，而該晶圓之該平面係一大致平坦表面。該等突起或凸起界定該晶圓之該一側的一表面結構或形狀結構，使這一側凹凸。

該等突起可不規則地配置或配置成一規則圖案。只有某些突起可配置成一規則圖案。

該等突起可具有任何一種形狀。例如，某些或全部突起可呈球形、半球形、例如具有一圓形、橢圓形或如三角形、正方形等多邊形橫截面或基底區域的柱或管柱形、錐形、截頭錐形或階形。

至少某些突起可由形成在該晶圓之該平面上的複數個元件產生。例如，就一矽穿孔(TSV)之情形而言，至少某些突起可由沿其厚度方向部分地或完全地穿過該晶圓之複數個元件產生。這些後者之元件可沿該晶圓厚度之一部分或沿全部晶圓厚度延伸。

該等突起可在該晶圓之厚度方向上具有在20至300μm，並宜在40至250μm，50至200μm較佳且70至150μm更佳之範圍內的一高度。

所有突起可具有大致相同之形狀及/或尺寸。或者，至少某些突起之形狀及/或尺寸可互不相同。

該保護薄膜之背表面附接在該緩衝層之一表面 上，且該緩衝層之該表面與接觸該基底片的該緩衝層之該表面相對。

依據本發明之晶圓處理方法，該保護薄膜之該前表面附接在該晶圓之該一側，即，該晶圓前側上，且該保護薄膜之該後表面附接在施加於該基底片之該前表面的該緩衝層上，使得由該晶圓之該平面突出之突起被埋在該緩衝層中且該基底片之該背表面大致平行於與該一側相對的該晶圓之該側。依此方式，形成一晶圓單元，且該晶圓單元包含該晶圓、該保護薄膜及具有該緩衝層之該基底片，並且該晶圓單元可消除在後續晶圓加工步驟時由在該裝置區域中存在該等突起產生之表面凹凸的任何不利影響。

詳而言之，藉由將該等突起埋在施加至該基底片之前表面的該緩衝層中，該等突起在晶圓處理，例如，在後續研磨及切割步驟中可靠地受到保護而不會被破壞。

此外，形成上述晶圓單元之一前表面的該基底片之該背表面及形成這晶圓單元之一第二表面的該晶圓之該背側大致互相平行。因此，當研磨該晶圓之背側以調整該晶圓厚度時，例如，藉由將該基底片之背表面放在一夾頭座上，可施加一適當反壓至這背表面。

由於該基底片之平面背表面大致平行於該晶圓之該背側，例如，藉由一研磨設備之一研磨輪，在該研磨步驟中施加至該晶圓之壓力平均地且均勻地分配在該晶 圓上，因此減少圖案轉印，即，由該裝置區域中之該等突起界定之圖案轉印至該研磨晶圓背側，及該晶圓之斷裂的風險。此外，該基底片之平坦、均勻背表面及該晶圓之背側的大致平行對齊容許該研磨步驟可以一高準確度實行，因此在研磨後獲得一特別一致且均勻之晶圓厚度。

該保護薄膜覆蓋形成在該晶圓之裝置區域中之該等裝置，因此保護該等裝置不受破壞及污染。此外，該保護薄膜有助於在處理後由該晶圓移除具有該緩衝層之該基底片。另外，該保護薄膜作為在該晶圓前側與該緩衝層之間的另一緩衝或阻尼，因此進一步有助於在研磨時一致且均勻地分配壓力。因此，可特別可靠地防止在該研磨步驟時的一圖案轉印或該晶圓之斷裂。

依此方式，特佳的是該保護薄膜是可壓縮的、彈性的、可撓的及/或可撓曲的。依此方式，可進一步增強該保護薄膜之緩衝或阻尼效果。

因此，本發明之晶圓處理方法可以一可靠且有效之方式減少對該晶圓之任何破壞，例如一圖案轉印或晶圓斷裂。

該晶圓可為，例如，一半導體晶圓、一玻璃晶圓、一藍寶石晶圓、如氧化鋁(Al₂O₃)陶瓷晶圓之一陶瓷晶圓、一石英晶圓、一氧化鋯晶圓、一PZT(鋯鈦酸鉛)晶圓、一聚碳酸酯晶圓、一金屬(例如，銅、鐵、不鏽鋼、鋁等)或金屬化材料晶圓、一肥粒鐵晶圓、一光學晶體材料晶圓、如環氧樹脂之一樹脂、塗布或模製晶圓等。

詳而言之，該晶圓可為，例如，一Si晶圓、一GaAs晶圓、GaN晶圓、GaP晶圓、InAs晶圓、一InP晶圓、一SiC晶圓、一SiN晶圓、一LT(組酸鋰)晶圓、一LN(鈮酸鋰)晶圓等。

該晶圓可由一單一材料或由不同材料之組合，例如二或二以上之上述材料製成。例如，該晶圓可為一Si與玻璃結合晶圓，其中由Si製成之一晶圓元件結合在由玻璃製成之一晶圓元件上。

在本發明之方法中，可先積層該保護薄膜及在其前表面上具有該緩衝層之該基底片，以形成一保護片，而該保護片包含該基底片、該緩衝層及附接在該緩衝層上之該保護薄膜。接著可將以此方式形成之該保護片附接在該晶圓之該一側，使得由該晶圓之該平面突出的該等突起被該保護薄膜覆蓋且被埋在該緩衝層中，並且該基底片之該背表面大致平行於與該一側相對的該晶圓之側。在這情形中，當該保護片附接在該晶圓之該一側上時，該保護薄膜之該前表面附接在該晶圓之該一側。

依此方式，該晶圓處理方法可以一特別簡單且有效之方式實行。例如，該保護片可事先製備、儲存以供後來使用並在需要時供該晶圓處理使用。因此可大量製造該保護片，使其生產之時間與成本均特別有效率。

或者，該保護薄膜可先附接在該晶圓之該一側，且附接有該保護薄膜的該晶圓之該一側可接著附接在該基底片之該前表面上，使得由該晶圓之該平面突出的該等 突起被埋在該緩衝層中且該基底片之該背表面大致平行於與該一側相對的該晶圓之該側。在這情形中，該保護薄膜可特別相對於由該晶圓之該平面突出之該等突起，以一特別高準確度附接在該晶圓之該一側上。

該方法可更包含沿該等分劃線切割該晶圓。該晶圓可由其前側或背側切割。

該切割可藉由，例如，藉刀切割或鋸切來機械切割、及/或藉由雷射切割及/或藉由電漿切割來實施。該晶圓可在一單一機械切割步驟、一單一雷射切割步驟或一單一電漿切割步驟中切割。或者，該晶圓可藉由一連串機械切割及/或雷射切割及/或電漿切割步驟來切割。

該晶圓之切割可在該保護薄膜及具有該緩衝層之該基底片附接在該晶圓上的狀態下實施。依此方式，可確保在該切割步驟時施加之壓力在切割時一致地且均勻地分配在整個晶圓上，因此減少在該切割步驟中對該晶圓造成破壞，例如，製得晶粒或晶圓之側壁破裂的風險。在這情形中，最好該晶圓可由其背側切割。

該方法可更包含由該晶圓移除該保護薄膜、該緩衝層及該基底片。例如，該保護薄膜、該緩衝層及該基底片可在研磨後，例如，在研磨後但在切割前、或在研磨及切割後，由該晶圓移除。依此方式，該等獨立晶粒可以一簡單且可靠之方式分開及拾取。例如，若保護薄膜、該緩衝層及該基底片設置成上述保護片之形態，該保護片可在研磨後或在研磨及切割後由該晶圓移除。

在一實施例中，該基底片、該緩衝層及該保護薄膜可個別地，即，一個接著一個地移除。此外，可先一起移除該基底片及該緩衝層，接著移除該保護薄膜。或者，可先移除該基底片，接著一起移除該緩衝層及該保護薄膜。

該晶圓之切割可在由該晶圓移除該保護薄膜、該緩衝層及該基底片之前實施。在這情形中，在該切割步驟中，該晶圓被該保護薄膜、該緩衝層及該基底片安全地保護。因此，可特別可靠地避免在切割時對該晶圓之破壞。

或者，該晶圓之切割可在由該晶圓移除該保護薄膜、該緩衝層及該基底片之後實施。這方法使該等獨立晶粒可在該切割步驟後立即被分開及拾取。在這情形中，最好由該晶圓之前側實施該切割步驟。

用以將該保護薄膜黏在該晶圓之該一側上的黏著劑可只設置在該晶圓之周圍邊緣區域中。依此方式，可特別可靠地確保在移除該保護薄膜後沒有黏著劑殘留物留在該裝置區域中。此外，藉由只在該周圍邊緣區域中設置該黏著劑，保護薄膜及晶圓互相附接之面積顯著地減少。因此，該保護薄膜可更容易地由該晶圓分離且進一步降低破壞該晶圓，特別是形成在其裝置區域中之該等突起的風險。

此外，若處理，例如，固化該黏著劑，以便讓該保護薄膜更容易分離，則該等裝置由於與具有該黏著劑之 區域分開而在該處理步驟中不受到破壞。

例如，該黏著劑可以一環形配置設置在該周圍邊緣區域中。

或者，該黏著劑可設置在該晶圓之該一側與該保護薄膜的一全接觸區域上。依此方式，可確保該保護薄膜特別可靠地固持定位在該晶圓之該一側上。此外，在切割該晶圓後，可藉由該保護薄膜確實地固持該等製得之分開晶粒，因此防止該等晶粒或晶圓之不必要位移或移動。

詳而言之，該黏著劑可設置在與該晶圓之該一側接觸的該保護薄膜之一全表面上。

該黏著劑可藉由一外來刺激物，例如熱、UV輻射、一電場及/或一化學藥劑來固化。依此方式，在處理後可特別容易地由該晶圓移除該保護薄膜。該外來刺激物可施加至該等黏著劑以降低其黏著力，因此可輕易地移除該保護薄膜。

附接該保護薄膜在該晶圓之該一側上的步驟可在一真空腔室中實施。詳而言之，藉由使用一真空積層機，該保護薄膜可附接在該晶圓之該一側。在該真空積層機中，將該晶圓放在一真空腔室中之一夾頭座上並呈該晶圓背側與該夾頭座之一上表面接觸且該晶圓前側朝上的一狀態。欲附接在該晶圓前側之該保護薄膜被一環形框架固持在其周圍部份且放在該真空腔室中之該晶圓前側上方。位在該夾頭座及該環形框架上方之該真空腔室的一上部具有一空氣入口，且該空氣入口被一可擴展橡膠膜封閉。

在該晶圓及該保護薄膜已載入該真空腔室中後，該腔室被抽真空且通過該空氣入口供給空氣至該橡膠膜，使該橡膠膜擴展進入該真空腔室。依此方式，該橡膠膜向下移入該真空腔室中以將該保護薄膜推抵在該晶圓前側，因此以該保護薄膜密封該周圍晶圓部分且將該薄膜壓抵在該晶圓前側之該裝置區域。因此，該保護薄膜可緊密地附接在該晶圓前側，以跟隨在該裝置區域中之該等突起的輪廓。

接著，解除在該真空腔室中之真空且藉由該黏著劑及在該真空腔室中之正壓將該保護薄膜固持定位在該晶圓前側。

或者，該橡膠膜可以一軟衝頭或一軟滾子取代。

該保護薄膜可附接在該晶圓之該一側，使得該薄膜只部份地跟隨該等突起之輪廓。例如，該保護薄膜可只跟隨該晶圓之厚度方向上的該等突起之上部份。該保護薄膜之如此配置可容許具有該緩衝層之該基底片及該保護薄膜特別容易由該晶圓移除。

或者，該保護薄膜可附接在該晶圓前側以緊密地跟隨該等突起之輪廓。依此方式，附接有該保護薄膜之該等突起可特別可靠地埋在該緩衝層中。

該保護薄膜可擴展。當附接在該晶圓之該一側上時，該保護薄膜可擴大，以便跟隨由該晶圓之該平面突出的該等突起之輪廓。

詳而言之，該保護薄膜可擴展至其原始尺寸之兩倍或兩倍以上，且宜為其原始尺寸之三倍或三倍以上並且其原始尺寸之四倍或四倍以上更佳。依此方式，詳而言之，就擴展至其原始尺寸之三或四倍或四倍以上的情形而言，可以可靠地確保該保護薄膜緊密地跟隨該等突起之輪廓。

該緩衝層可由容許由該晶圓之該平面突出的該等突起埋入其中的任何一種材料形成。例如，該緩衝層可由一樹脂、一黏著劑、一凝膠等形成。

該緩衝層可藉由一外來刺激物，例如UV輻射、熱、一電場及/或一化學藥劑來固化。在這情形中，該緩衝層在施加該外來刺激物時至少硬化至某程度。例如，該緩衝層可由一可固化樹脂、一可固化黏著劑、可固化凝膠等形成。

該緩衝層可組配成可在固化後具有一定程度之壓縮性、彈性及/或撓性，即，在固化後可壓縮、具彈性及/或可撓。例如，該緩衝層可使得它藉由固化成為一似橡膠狀態。或者，該緩衝層可組配成可在固化後到達一剛性、堅硬狀態。

在本發明之處理方法中作為該緩衝層使用之UV可固化樹脂的較佳例子係DISCO公司生產之ResiFlat及DENKA生產之TEMPLOC。

該方法更包含在研磨與該一側相對的該晶圓之側，即，該晶圓背側前，施加該外來刺激物至該緩衝層以 便固化該緩衝層。依此方式，可進一步增加研磨時該晶圓之保護及研磨準確性。

該保護薄膜有助於由該晶圓移除具有可固化或固化之緩衝層的該基底片。詳而言之，由於具有該保護薄膜，可以一可靠且簡單之方式由該晶圓移除具有該緩衝層之該基底片，以避免在該裝置區域中之如樹脂、黏著劑或凝膠殘留物等的任何殘留物，藉此防止該等裝置之污染且減少在該移除過程中破壞該等突起之風險。

若該可固化緩衝層在固化後具有一定程度之壓縮性、彈性及/或撓性，即，可壓縮、具彈性及/或可撓，例如，似橡膠，則可在固化後以一特別可靠且有效之方式移除具有該固化緩衝層之基底片。

若該緩衝層組配成可在固化時成為一剛性、堅硬狀態，則藉由施加一外來刺激物至該固化緩衝層、軟化或移除該緩衝層至某程度，可協助由該晶圓移除該基底片及該緩衝層。例如，如由DENKA生產之UV可固化樹脂TEMPLOC形成之某些緩衝層可藉由在固化後施加熱水來處理，以便軟化該固化緩衝層並容許特別容易地由該晶圓移除該基底片及該緩衝層。

本發明之方法可更包含在研磨與該一側相對的該晶圓之該側前，切除側向地延伸或延伸超出該晶圓之一圓周的該保護薄膜及/或該緩衝層，即該可固化或固化之緩衝層、及/或該基底片的一部份或複數個部份。依此方式，在研磨時及可能後續處理步驟，例如切割中，可進一步協 助處理該晶圓單元，且該晶圓單元包含該晶圓、該保護薄膜及具有該緩衝層之該基底片。

該基底片之材料沒有特別限制。該基底片可由一軟或可撓曲材料，例如，一聚合物材料，如聚氯乙烯(PVC)或乙烯乙酸乙烯酯(EVA)製成。

或者，該基底片可由一剛性或堅硬材料，例如PET及/或矽及/或玻璃及/或SUS製成。

例如，若該基底片由PET或玻璃製成且該緩衝層可藉由一外來刺激物固化，則利用可透射通過PET或玻璃之輻射，例如UV輻射，可固化該緩衝層。若該基底片由矽或SUS製成，可提供一符合經濟效益之基底片。

此外，該基底片可由上述材料之一組合形成。

該基底片可具有在200至1500μm，且宜在400至1200μm並且在500至1000μm更佳之範圍內的一厚度。

該保護薄膜可具有在5至200μm，且宜在8至100μm、在10至80μm較佳並且在12至50μm更佳之範圍內的一厚度。依此方式，可確保該保護薄膜可撓且可撓曲到足以充分地符合在該裝置區域中之該等突起的輪廓，同時，具有一足夠厚度以便可靠地且有效地提供上述緩衝或阻尼效果。

該保護薄膜可由一聚合物材料，如聚氯乙烯(PVC)或乙烯乙酸乙烯酯(EVA)製成。例如，該保護薄膜可為一「Saran」似包覆材料。

在該附接狀態中之該保護薄膜的直徑可與該晶 圓之直徑大致相同。

該緩衝層可具有在20至300μm，且宜在50至250μm並且在80至200μm更佳之範圍內的一厚度。

本發明更提供用於處理一晶圓，特別是用於上述本發明之處理晶圓的方法的一保護片。

本發明之保護片包含一基底片、施加至該基底片之一前表面的一緩衝層、其背表面附接在該緩衝層上之一保護薄膜、及一黏著劑層。該黏著劑層施加至與該保護薄膜之背表面相對的該保護薄膜之一前表面的至少一部份。

本發明之處理方法的上述特徵亦可應用於本發明之保護片。

本發明之保護片係用於本發明之處理晶圓的方法的一保護片。詳而言之，該保護片組配成可附接在該晶圓之該一側上，使得由該晶圓之該平面突出的該等突起被該保護薄膜覆蓋且被埋在該緩衝層中，並且該基底片之該背表面大致平行於與該一側相對的該晶圓之該側。

因此，本發明之保護片提供已在以上本發明之處理方法中詳細說明的技術效果及優點。

該緩衝層可如以上已詳細說明地藉由一外來刺激物，例如UV輻射、熱、一電場及/或一化學藥劑來固化。

該黏著劑層可具有一大致環形。該黏著劑層可只設置在該保護薄膜之該前表面之一圓周或周圍部份中。

依此方式，可確保該黏著劑只設置在該晶圓之周圍邊緣區域中。因此，可特別可靠地確保在移除該保護薄膜後在該裝置區域中未留下任何黏著劑殘留物。此外，保護薄膜及晶圓互相附接之面積顯著地減少。因此，該保護片可更容易地由該晶圓分離且進一步減少破壞該晶圓，特別是形成在其裝置區域中之該等突起的風險。

此外，若例如藉由固化處理該黏著劑以便更容易分離該保護薄膜，則由於該等裝置與具有該黏著劑之區域分開，可保護該等裝置在該處理步驟中不因施加一外來刺激物而受損。

或者，該黏著劑可大致設置在該保護薄膜之全前表面上。依此方式，可確保該保護薄膜特別可靠地被固持定位在該晶圓之該一側。此外，在切割該晶圓後，製得之分開晶粒或晶圓可被該保護片確實地固持，因此防止該等晶粒或晶圓之不必要位移或移動。

該黏著劑可設置在該保護薄膜之全接觸表面上，且該全接觸表面組配成可與該晶圓之該一側接觸。

該環形或大致環形黏著劑層之內徑可比一半導體尺寸晶圓，例如，一半導體晶圓之直徑小。

在此，該用語「大致環形」表示該黏著劑層之形狀可，例如，由於具有一或複數個平坦或直線部份、缺口及/或溝槽而與一完美環形不一致。該黏著劑層之內周圍或圓周形狀可對應於該半導體尺寸晶圓的外周圍或圓周形狀。

此外，在此，該用語「半導體尺寸晶圓」表示具有尺寸(標準尺寸)，特別是一半導體晶圓之直徑(標準直徑)，即，外徑的一晶圓。該等尺寸，特別是半導體晶圓之直徑，即，外徑係定義在該SEMI標準中。例如，該半導體尺寸晶圓可為一Si晶圓。拋光之單晶Si晶圓的尺寸係定義在該SEMI標準M1及M76中。該半導體尺寸晶圓可為一3英吋、4英吋、5英吋、6英吋、8英吋、12英吋或18英吋晶圓。

該大致環形或環形黏著劑層之外徑可比該半導體尺寸晶圓之直徑大。

該大致環形或環形黏著劑層之外徑可比用以固持一半導體尺寸晶圓之一半導體尺寸環形框架的內徑大。

在此，該用語「半導體尺寸環形框架」表示具有尺寸(標準尺寸)，特別是用以固持一半導體晶圓之一環形框架的內徑(標準直徑)的一環形框架。

該等尺寸，特別是用以固持半導體晶圓之環形框架的內徑亦定義在該SEMI標準中。例如，用於300mm之帶框架的尺寸係定義在SEMI標準SEMI G74中且用於300mm之塑膠帶框架的尺寸係定義在SEMI標準SEMI G87中。該等環形框架可具有用以固持半導體尺寸晶圓之框架尺寸，且該等半導體尺寸晶圓具有，例如，3英吋、4英吋、5英吋、6英吋、8英吋、12英吋或18英吋之尺寸。

藉由提供該大致環形或環形黏著劑層使得其外徑比用以固持該半導體尺寸晶圓之半導體尺寸環形框架 的內徑大，該保護片可透過該黏著劑層附接在該環形框架上，使得該黏著劑層之一外周圍部份黏在該環形框架之一內周圍部份上。依此方式，該環形框架之一中央開口，即，該環形框架之內徑內的區域，可被該保護片封閉。因此，該保護片可確實地附接在該環形框架上。

因此，一單一保護片可用於固持與保護該晶圓及將該晶圓附接在該環形框架上，因此減少必要設備組件及處理步驟之數目。

該黏著劑層之內徑可大致等於或大於該晶圓之裝置區域的外徑。依此方式，可特別可靠地防止破壞及污染形成在該裝置區域中之裝置。

該基底片可具有一大致圓形或圓形。該基底片之直徑可與一半導體尺寸晶圓之直徑大致相同。

在此，該用語「大致圓形」表示其周圍或圓周形態可，例如，由於具有一或複數個平坦或直線部份、缺口及/或溝槽而與一完美圓形不一致的一形狀。該基底片之大致圓形可對應於該半導體尺寸晶圓之周圍或圓周形狀。該半導體尺寸晶圓之外圓周可具有一或複數個平坦或直線部份。該晶圓之外圓周可具有，例如，用以表示該晶圓之結晶方位的一缺口或溝槽。

該大致圓形或圓形基底片之直徑可與該大致環形或環形黏著劑層之外徑大致相同。依此方式，可確保特別有效地使用資源。

該黏著劑層之內徑可比該晶圓之直徑小0.5至 3.5mm，且宜小1.0至3.0mm並且小1.5至2.5mm更佳。其中未形成裝置之一晶圓的周圍邊緣區域或邊緣除外區域通常具有距離該晶圓邊緣大約2至3mm之一寬度。因此，藉由如上所述地選擇該黏著劑層之內徑，可確保該黏著劑層不干涉形成在該晶圓上之該等裝置。

該黏著劑層之外徑可在105至575mm之範圍內。該黏著劑層之內徑可在45至445mm之範圍內。

該黏著劑層之外徑可比該黏著劑層之內徑大30至100mm，且宜大40至70mm。依此方式，該保護片可特別可靠地附接在該晶圓及該環形框架上。

該基底片可由一單一材料或由不同材料之一組合形成。例如，該基底片可由聚氯乙烯(PVC)、聚烯烴(PO)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚亞醯胺膜(Kapton)等或這些材料中之二或二以上材料的一組合形成。這些材料容許該保護片可以一牢固且輕量形式設置。

該黏著劑層可具有5至200μm，且宜在10至150μm並且在20至100μm更佳之範圍內的一厚度。

1:圖案側

2:裝置區域

3:周圍邊緣區域

4:保護薄膜

5,5’:保護片

6:背側

7:基底片

9:黏著劑層

11:分劃線

13:緩衝層

14:突起

17:前表面

18:背表面

20:夾頭座

23:部份

25:環形框架

26:晶粒

W:晶圓

圖式簡單說明

以下，參照圖式說明本發明之非限制例，其中：圖1係一橫截面圖，顯示欲藉由本發明之方法處理之一晶圓；圖2係圖1所示之晶圓的立體圖；圖3係一橫截面圖，顯示依據本發明之一第一實施例之 一保護片；圖4係一橫截面圖，顯示在依據本發明一實施例之處理晶圓的一方法中將圖3所示之保護片附接在該晶圓上的一步驟；圖5係一橫截面圖，顯示在依據本發明另一實施例之處理晶圓的一方法中將圖3所示之保護片附接在該晶圓上的一步驟；圖6係一橫截面圖，顯示圖4所示之附接步驟的結果；圖7係圖6所示之晶圓及保護片之配置的立體圖；圖8係一橫截面圖，顯示在圖6與7所示之晶圓上實施之一研磨步驟的結果；圖9係一橫截面圖，顯示切除圖6所示之保護片之一側向延伸部份的一步驟；圖10係一橫截面圖，顯示圖9所示之切割步驟的結果；圖11係一橫截面圖，顯示在圖10所示之該晶圓上實施之一研磨步驟的結果；圖12係一橫截面圖，顯示本發明之一第二實施例的一保護片；圖13係一橫截面圖，顯示在依據本發明另一實施例之處理晶圓的一方法中將圖12所示之保護片附接在該晶圓上的一步驟的結果；圖14係一橫截面圖，顯示切除圖13所示之保護片之複數個側向延伸部份的一步驟；及圖15係一橫截面圖，顯示在圖14所示之晶圓上實施之 一切割步驟的結果。

較佳實施例之詳細說明

以下參照附圖說明本發明之較佳實施例。該等較佳實施例係有關於用以處理一晶圓W之方法及用於這些方法的保護片。

該晶圓W可為，例如，具有形成在其一前側表面上之MEMS裝置的一MEMS晶圓，且在以下說明中該前側表面被稱為一圖案側1。但是，該晶圓W不限於一MEMS晶圓，亦可為一CMOS晶圓或在該圖案側1具有其他種類裝置的一晶圓，且該CMOS晶圓具有形成在其圖案側1且宜作為固態成像裝置之CMOS裝置。

該晶圓W可由一半導體，例如，矽製成。該矽晶圓W可包括在一矽基材上之複數個裝置，例如IC(積體電路)及LSI(大型積體電路)。或者，該晶圓可為一光學裝置晶圓，該光學裝置晶圓係藉由在例如陶瓷、玻璃或藍寶石之一無機材料基材上形成如LED(發光二極體)之光學裝置來構成。該晶圓W不限於此且可以任何其他方式形成。此外，亦可為上述示範晶圓設計之一組合。

該晶圓W可具有在研磨前在μm範圍內，且宜在625至925μm之範圍內的一厚度。

該晶圓W宜呈一圓形。該晶圓W具有形成在該圖案側1稱為切割道(street)之複數條交叉分劃線11(請參見圖2)，藉此將該晶圓W分隔成複數個矩形區域，而例如前述 者之複數個裝置分別形成在該等矩形區域中。這些裝置形成在該晶圓W之一裝置區域2中。若為一圓形晶圓W，這裝置區域2宜為圓形且與該晶圓W之外圓周同心地配置。

該裝置區域2被一環形周圍邊緣區域3包圍，如圖1與2示意地所示。在這周圍邊緣區域3中，未形成裝置。該周圍邊緣區域3宜與該裝置區域2及/或該晶圓W之外圓周同心地配置。該周圍邊緣區域3之徑向延伸部可在mm範圍內且宜在1至3mm之範圍內。

該裝置區域2形成有由該晶圓W之一平面突出之複數個突起14，如例如圖1示意地所示。該等突起14可為，例如，用以與在該等分開晶粒中之該裝置區域2的裝置產生電接觸的凸塊。該等突起14在該晶圓W之厚度方向上的高度可，例如，在20至200μm之範圍內。

以下，參照圖1至11說明依據本發明之一第一實施例之處理一晶圓W的一方法。

圖1顯示欲藉由本發明之方法處理之晶圓W的橫截面圖。圖2顯示在圖1中以橫截面顯示之該晶圓W的立體圖。圖3顯示依據本發明之一第一實施例之一保護片5的橫截面圖。

如圖3所示，該保護片5包含一基底片7、施加在該基底片7之一前表面17上的一緩衝層13、其背表面附接在該緩衝層13上的一保護薄膜4、及一黏著劑層9，且該黏著劑層9施加在與該保護薄膜4之背表面相對的該保護薄膜4之一前表面的一部份上。詳而言之，該黏著劑層9具有 一環形且設置在該保護薄膜4之前表面之一圓周或周圍部份中。

或者，該黏著劑層9可設置在該晶圓W之圖案側1與該保護薄膜4的一全接觸區域上。詳而言之，該黏著劑可設置在與該晶圓W之圖案側1接觸的該保護薄膜4之一全表面上。

該基底片7與該緩衝層13具有一大致圓形。該基底片7及該緩衝層13之外徑大致相等且與該黏著劑層9之外徑大致相等。

該基底片7可，例如，具有在500至1000μm之範圍內的一厚度。該保護薄膜4可具有在5至200μm之範圍內的一厚度。該緩衝層可具有在20至300μm，且宜在80至200μm之範圍內的一厚度。

該緩衝層13可藉由一外來刺激物，例如UV輻射、熱、一電場及/或一化學藥劑來固化。詳而言之，該緩衝層13可由一可固化樹脂，例如DISCO公司生產之ResiFlat或DENKA生產之TEMPLOC形成。

該保護片5可藉由積層該保護薄膜4及在其前表面17上具有該緩衝層13之該基底片7來形成。

圖4顯示將該保護薄膜4之該前表面附接在該晶圓W之圖案側1的一步驟。

如圖4所示，該環形黏著劑層9具有大於一環形框架25之內徑的一外徑。此外，該環形黏著劑層9具有小於該晶圓W之外徑但大於該裝置區域2之外徑的一內徑。因 此，可以可靠地確保該黏著劑層9之黏著劑只與該晶圓W之周圍邊緣區域3接觸。

在將該保護片5附接在該晶圓W上之前，將該保護片5之一周圍部份安裝在該環形框架25上。接著，將與該基底片7之該前表面17相對的該基底片7之一背表面18放在一夾頭座20上。接著，如圖4中之一箭號所示，將該晶圓W附接在放置於該夾頭座20上之保護片5上，藉此將該保護薄膜4之前表面附接在該晶圓W之圖案側1上並藉由該黏著劑層9將該保護薄膜4黏在該周圍邊緣區域3上。接著，將由該晶圓W之平面突出之突起14埋在該緩衝層13中，如圖6示意地所示。

該保護薄膜4覆蓋形成在包括該等突起14之該裝置區域2中的裝置，因此保護該等裝置不受破壞或污染。此外，如稍後將詳述地，在一後續研磨步驟中，該保護薄膜4作為另一緩衝或阻尼。

形成該黏著劑層9之黏著劑可藉由一外來刺激物，例如熱、UV輻射、一電場及/或一化學藥劑來固化。依此方式，該保護片5可在處理後特別容易地由該晶圓W移除。

詳而言之，該黏著劑可為一丙烯酸樹脂或一環氧樹脂。該黏著劑之一UV可固化型樹脂的一較佳例子係，例如，胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物。

此外，該黏著劑可為，例如，一水溶性樹脂。

例如，該保護薄膜4可由一聚合物材料，例如 PVC或EVA製成。

該保護薄膜4可撓曲且可延伸至其原始直徑之大約三倍。

當將該晶圓W附接在該保護片5上時，該保護薄膜4擴展至，例如，其原始直徑之大約三倍，以便緊密地跟隨該等突起14之輪廓，如圖6示意地所示。

該基底片7之背表面18大致平行於與該圖案側1相對的該晶圓W之側，即，其背側6，如圖6中之虛線箭號所示。

詳而言之，藉由，例如，在一安裝腔室(未圖示)中施加一平行壓力至該晶圓背側6及該基底片7之背表面18，將該晶圓W及該保護片5壓在一起，以便將該等突起14可靠地埋在該緩衝層13中且達成基底片背表面18與晶圓背側6之大致平行對齊。就使用DISCO公司生產之ResiFlat作為一樹脂緩衝層之情形而言，適合達成這目的之加壓設備及加壓操作的細節揭示在JP 5320058 B2及JP 5324212 B2中。

藉由以上述方式將該晶圓W附接在該保護片5上，形成由該晶圓W、該保護薄膜4、該緩衝層13及該基底片7構成之一晶圓單元，如圖6與7所示。

將該晶圓附接在該保護片5上之另一方法係顯示於圖5中。

詳而言之，如此圖所示，可將該晶圓背側6放在該夾頭座20上使得該圖案側1朝上。接著，可將保護片5附接在被固持在該夾頭座20上之該晶圓W的圖案側1上，如圖 5中之一箭號所示，使得該等突起14被埋在該緩衝層13中且該基底片7之背表面18大致平行於該晶圓W之背側6。這將該晶圓W及該保護片5互相附接之另一步驟可，例如，在一真空安裝器，如一真空腔室，例如上述真空腔室中實行。

在互相附接該晶圓W及該保護片5後，施加該外來刺激物至該緩衝層13以便固化該緩衝層13。例如，就一熱可固化，例如，熱固型緩衝層13之情形而言，該緩衝層13可藉由在一烘箱中加熱而固化。就一UV可固化緩衝層13之情形而言，若使用對UV輻射為透明之一基底片材料，例如PET或玻璃，則該緩衝層13可藉由施加UV輻射，例如，通過該基底片7而固化。

因此，該等突起14被牢固地固持在該固化緩衝層13中且在進一步處理時均特別可靠地維持該基底片背表面18與該晶圓背側6之大致平行相對對齊。

但是，因注意的是上述固化該緩衝層13之步驟是任選的。或者，該緩衝層13可由一不可固化材料，例如一不可固化黏著劑、一不可固化樹脂或一不可固化凝膠形成，或該緩衝層13可由一可固化材料形成，但在處理該晶圓W的方法中不可固化。

接著，在固化該緩衝層13之任選步驟後，研磨該晶圓W之背側6，用以在將一平面、平坦平面之該基底片7的背表面18放在該夾頭座20之頂面上(請參見圖6)的狀態下調整該晶圓厚度。在該研磨步驟中，該晶圓厚度可調整至，例如，在大約30至100μm之範圍內的一值。該厚度可 為該等晶粒26之最終厚度(請參見圖2)。

該晶圓W之背側6之研磨可使用一研磨設備(未圖示)實施。該研磨設備可包含一心軸殼體、可旋轉地收納在該心軸殼體中的一心軸及安裝在該心軸之下端的一研磨輪。複數個研磨構件可固定在該研磨輪之下表面上，其中各研磨構件可由一鑽石研磨構件形成，且該鑽石研磨構件係藉由利用一結合，如一金屬結合或一樹脂結合固定鑽石研磨粒來構成。具有該等研磨構件之該研磨輪係藉由，例如，使用一馬達驅動該心軸而以高速旋轉。

在該研磨步驟中，固持該晶圓單元之夾頭座20及該研磨設備之研磨輪旋轉且該研磨輪下降，使該研磨輪之研磨構件接觸該晶圓W之背側6，藉此研磨該背側6。

由於放在該研磨設備之夾頭座20頂面上的該基底片7之平面背表面18大致平行於該晶圓W之背側6，在該研磨步驟中由該研磨輪施加至該晶圓W之壓力平均地且均勻地分配在該晶圓W上。因此，可減少圖案轉印或該晶圓W斷裂之風險。此外，該基底片7之平坦、均勻之背表面18與該晶圓W之背側6的大致平行對齊容許該研磨步驟可以高準確度實行，因此在研磨後達成一特別一致且均勻之晶圓厚度。

該保護薄膜4覆蓋形成在該晶圓W之裝置區域2中的裝置，因此保護該等裝置不受，例如，形成該緩衝層13之材料的殘留物破壞及污染。此外，該保護薄膜4作為在該晶圓W之圖案側1與該緩衝層13間之另一緩衝或阻尼， 因此更有助於在研磨時壓力之一致及均勻分配。因此，可特別可靠地防止在該研磨過程中圖案轉印或該晶圓W之斷裂。

或者，在研磨該晶圓W之背側6前，可切除側向地延伸超出該晶圓W之圓周的該保護片5之一部份23，如圖9至11示意地所示。

詳而言之，切除該側向延伸部份23之步驟係由圖9中之虛線表示。例如，藉由如使用一刀或鋸機械切割、藉由雷射切割或藉由電漿切割，可切除該部份23。切除該部份23有助於在後續處理步驟中處理該晶圓單元。這切割步驟之結果示意地顯示在圖10中。

在切除該部份23後，可以與上述相同之方式研磨該晶圓W之背側6，因此獲得如圖11所示之晶圓W及保護片5之配置。

在已研磨該晶圓W之背側6後，該晶圓W可接受進一步之步驟，例如切割。如以上已詳述地，可在由該晶圓W移除該保護薄膜4、該緩衝層13及該基底片7，即該保護片5前或後，實施該晶圓W之切割。以下，進一步詳細說明在切割該晶圓W前由該晶圓W移除該保護片5之一實施例。

該緩衝層13可在固化後具有一定程度之壓縮性、彈性及/或撓性，例如，一似橡膠行為，因此可特別容易地由該晶圓W移除該保護片5。替代地或另外地，在移除該保護片5前可施加如熱水之另一外來刺激物至該固化緩衝 層13，以便軟化該固化緩衝層13而進一步促進該移除步驟。

若可藉由如UV輻射、熱、一電場及/或一化學藥劑之一外來刺激物來固化該黏著劑層9，則施加該外來刺激物至該黏著劑層9，以便降低其黏著力。依此方式，可以一特別簡單且可靠之方式由該晶圓W移除該保護片5。由於該黏著劑層9只設置在該周圍邊緣區域3中，沒有因黏著劑殘留物污染形成在該裝置區域2中之裝置的風險。

在已由該晶圓W移除該保護片5後，可沿該等分劃線11由其圖案側1切割該晶圓W，以便使該等晶粒26(請參見圖2)互相完全分離。切割該晶圓W可藉由，例如，使用一刀或一鋸機械切割，及/或藉由雷射切割及/或藉由電漿切割來實施。

在該等晶粒26已在該切割步驟中完全互相分離後，可藉由一拾取裝置(未圖示)拾取該等晶粒。

以下，參照圖12至15說明依據本發明之一第二實施例之處理一晶圓W的一方法。

第二實施例之方法與第一實施例之方法實質上不同處在於未使用例如圖4至6所示之環形框架25的環形框架。這第二實施例之處理方法使用依據本發明之一第二實施例的一保護片5’(請參見圖12)，該保護片5’與依據第一實施例之保護片5不同處在於它具有一較小外徑。

詳而言之，如圖13示意地所示，該保護片5’之外徑只比該晶圓W之外徑稍大0.5至2.0mm。

或者，該保護片5’之外徑可與該晶圓W之外徑大致相同。

此外，圖13至15所示之處理步驟分別與圖6、9與11所示者大致相同。

詳而言之，先將該晶圓W附接在該保護片5’上，使得該保護薄膜4黏在該周圍邊緣區域3上，該等突起14被埋在該緩衝層13中且該基底片7之背表面18大致平行於該晶圓W之背側6，如圖13中之虛線箭號所示。這附接可如以上已詳述地藉由利用施加一平行壓力至該晶圓背側6及該基底片7之背表面18將該晶圓W及該保護片5’壓在一起來達成。該背表面18被放在該夾頭座20之頂面上(請參見圖13)。

另一任選步驟是可在研磨該晶圓W之背側6前，切除側向地延伸超出該晶圓W之圓周的該保護片5’之一部份23。例如，可如以上已詳述地藉由，如使用一刀或一鋸機械切割、藉由雷射切割或藉由電漿切割來切除該部份23。切除部份23之任選步驟係由圖14中之虛線表示。

接著，研磨該晶圓W之背側6以調整該晶圓厚度，例如，到在大約30至100μm之範圍內的一值。該厚度可為該等晶粒26(請參見圖2)之最終厚度。該晶圓W之背側6的研磨可以與上述依據本發明之第一實施例的方法相同的方式實施。研磨該晶圓W之背側6的結果示意地顯示在圖15中。

然後，可以與以上詳述者相同之方式實行切割該晶圓W及拾取製得之晶粒26的步驟。

1‧‧‧圖案側

2‧‧‧裝置區域

3‧‧‧周圍邊緣區域

4‧‧‧保護薄膜

5‧‧‧保護片

6‧‧‧背側

7‧‧‧基底片

9‧‧‧黏著劑層

13‧‧‧緩衝層

14‧‧‧突起

18‧‧‧背表面

20‧‧‧夾頭座

25‧‧‧環形框架

W‧‧‧晶圓

Claims (19)

1. 一種處理晶圓的方法，該晶圓在一側具有一裝置區域及一周圍邊緣區域，該裝置區域具有被複數條分劃線分開之複數個裝置，且該周圍邊緣區域沒有裝置並且形成在該裝置區域四周，其中該裝置區域形成有由該晶圓之一平面突出的複數個突起且該方法包含以下步驟：提供一保護薄膜；提供一基底片，該基底片具有施加在其一前表面上之一緩衝層，其中該緩衝層可藉由一外來刺激物而固化並且該緩衝層組構成在固化之後成為彈性的；將該保護薄膜之一前表面附接在該晶圓之該一側，以覆蓋在該晶圓上之該等裝置，其中該保護薄膜利用一黏著劑黏在至少該周圍邊緣區域上；將與該保護薄膜之該前表面相對的該保護薄膜之一背表面附接在該緩衝層上，其中由該晶圓之該平面突出之該等突起被埋在該緩衝層中並且與該基底片之該前表面相對的該基底片之一背表面實質上平行於該晶圓中與該一側相對的側；及研磨該晶圓中與該一側相對的該側以便調整該晶圓厚度。
2. 如請求項1之方法，其中首先積層該保護薄膜及具有施加至其前表面之該 緩衝層的該基底片，以形成一保護片，而該保護片包含該基底片、該緩衝層及附接在該緩衝層上之該保護薄膜，且接著將該保護片附接在該晶圓之該一側，使得由該晶圓之該平面突出的該等突起被該保護薄膜覆蓋且被埋在該緩衝層中，並且該基底片之該背表面實質上平行於該晶圓中與該一側相對的該側。
3. 如請求項1之方法，其中首先將該保護薄膜附接在該晶圓之該一側，且接著將附接有該保護薄膜的該晶圓之該一側附接在該基底片之該前表面上，使得由該晶圓之該平面突出的該等突起被埋在該緩衝層中且該基底片之該背表面實質上平行於該晶圓中與該一側相對的該側。
4. 如請求項1至3中任一項之方法，更包含沿該等分劃線切割該晶圓的步驟。
5. 如請求項1至3中任一項之方法，更包含由該晶圓移除該保護薄膜、該緩衝層及該基底片的步驟。
6. 如請求項4之方法，更包含由該晶圓移除該保護薄膜、該緩衝層及該基底片的步驟，其中該晶圓之該切割係在由該晶圓移除該保護薄膜、該緩衝層及該基底片之前或之後實施。
7. 如請求項1至3中任一項之方法，其中用以將該保護薄膜黏在該晶圓之該一側上的該黏著劑只設置在該周圍邊緣區域中或者該黏著劑設置在該晶圓之該一側與該保 護薄膜的一整個接觸區域上。
8. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該保護薄膜可擴展且當該保護薄膜附接在該晶圓之該一側上時，該保護薄膜被擴展，以便跟隨由該晶圓之該平面突出的該等突起之輪廓。
9. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該外來刺激物係UV輻射、熱、一電場及/或一化學藥劑。
10. 如請求項1至3中任一項之方法，更包含在研磨該晶圓中與該一側相對的該側之前，施加該外來刺激物至該緩衝層以便固化該緩衝層的步驟。
11. 如請求項1至3中任一項之方法，更包含在研磨該晶圓中與該一側相對的該側之前，切除側向地延伸或延伸超出該晶圓之一圓周的該保護薄膜及/或該緩衝層及/或該基底片的一部份或複數個部份的步驟。
12. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該基底片由一剛性材料，例如PET及/或矽及/或玻璃及/或SUS製成。
13. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該保護薄膜具有在5至200μm之範圍內的一厚度。
14. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該緩衝層具有在20至300μm之範圍內的一厚度。
15. 一種用於處理晶圓之保護片，該晶圓在一側具有一裝置區域，該裝置區域具有複數個裝置，其中該裝置區域形成有由該晶圓之一平面突出的複數個突起，該保護片包含： 一基底片；一緩衝層，其施加至該基底片之一前表面，其中該緩衝層可藉由一外來刺激物而固化並且該緩衝層組構成在固化之後成為彈性的；一保護薄膜，其一背表面附接在該緩衝層上；及一黏著劑層，其施加至與該保護薄膜之該背表面相對的該保護薄膜之一前表面的至少一部份；其中該保護薄膜可擴展並且該保護薄膜組構成在附接至該晶圓之該一側時被擴展，俾以部分地或緊密地跟隨由該晶圓之該平面突出的該等突起之輪廓。
16. 如請求項15之保護片，其中該外來刺激物係UV輻射、熱、一電場及/或一化學藥劑。
17. 如請求項15或16之保護片，其中該黏著劑層具有一實質環形。
18. 如請求項17之保護片，其中該黏著劑層之內徑比一半導體尺寸的晶圓之直徑還小。
19. 如請求項17之保護片，其中該黏著劑層之外徑比用以固持一半導體尺寸的晶圓之一半導體尺寸的環形框架的內徑還大。

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