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TWI718765B - 影像感測裝置 - Google Patents

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TWI718765B
TWI718765B TW108141842A TW108141842A TWI718765B TW I718765 B TWI718765 B TW I718765B TW 108141842 A TW108141842 A TW 108141842A TW 108141842 A TW108141842 A TW 108141842A TW I718765 B TWI718765 B TW I718765B
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photodiode
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Inventor
顏士傑
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大陸商廣州立景創新科技有限公司
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Abstract

一種影像感測裝置包括感測模組與非可見光發射器。感測模組包括多個像素組與基材,該些像素組排列設置於基材上。像素組包括子像素、非可見光感測器與調焦件,且子像素與非可見光感測器排列為陣列。子像素包括可見光光電二極體,且非可見光感測器包括非可見光光電二極體。調焦件位於可見光光電二極體與基材之間或非可見光光電二極體與基材之間,且調焦件使可見光光電二極體與基材之間的距離小於或大於非可見光光電二極體與基材之間的距離。非可見光發射器對應於感測模組設置,且非可見光感測器用以感測非可見光發射器發射的非可見光。

Description

影像感測裝置
本發明涉及影像感測器,具體涉及一種可拍攝三維影像的影像感測裝置。
現有一種可拍攝三維影像的攝影裝置,此種攝影裝置包括感測模組,感測模組上設置有像素陣列與深度感測器,像素陣列可接收可見光光線以產生二維影像,而深度感測器可計算深度數據,攝影裝置可將此深度數據與二維影像結合而產生三維影像。現有的深度感測器有幾種類型,舉例來說,一種深度感測器是以二個並列的影像感測器來同時擷取兩張二維影像,並計算這兩張二維影像的相位差以推算出影像中的物體與成像面之間的深度數據。另一種深度感測器具有飛時測距(time of flight,TOF)感測單元與非可見光發射器,此種飛時測距感測單元可接收非可見光發射器所發射的非可見光,且可根據非可見光發射器發射非可見光的時間點與飛時測距感測單元接收到非可見光的時間點的時間差而計算出深度數據。
現有採用飛時測距技術的三維影像攝影裝置,會遭遇對焦問題。具體來說,在感測模組中用來接收可見光的像素陣列與用來接收非可見光的飛時測距感測單元,是接收來自於攝影裝置的同一顆鏡頭的入射光,然而基於可見光與非可見光的波長或攝影裝置中的各種透鏡或濾光片等元件,像素陣列與飛時測距感測單元的焦距卻可能不同,這會造成當像素陣列對焦正確而產生清晰的二維影像時,飛時測距感測單元卻無法正確對焦而造成深度數據不精確;反之,若飛時測距感測單元正確對焦時,其對應的二維影像卻可能因未正確對焦而造成影像模糊。
有鑒於上述問題,以下提出本發明及其實施例,以提供一種影像感測裝置,以期望能解決對焦不正確而造成深度數據不夠精確或影像模糊的問題。
根據本發明實施例,一種影像感測裝置包括感測模組與非可見光發射器。感測模組包括多個像素組與基材,該些像素組排列設置於基材上。每一像素組包括多個子像素、至少一非可見光感測器與至少一調焦件,且多個子像素與非可見光感測器排列為陣列。每一子像素包括可見光光電二極體,且非可見光感測器包括非可見光光電二極體。調焦件位於每一可見光光電二極體與基材之間或非可見光光電二極體與基材之間,且調焦件使每一可見光光電二極體與基材之間的距離小於或大於非可見光光電二極體與基材之間的距離。非可見光發射器對應於感測模組設置,且非可見光感測器用以感測非可見光發射器發射的非可見光。
綜上所述,根據本發明實施例所提出的影像感測裝置,調焦件可改變每一可見光光電二極體與鏡頭總成之間的距離或非可見光光電二極體與鏡頭總成之間的距離,藉此使可見光與非可見光可分別正確對焦至子像素與非可見光感測器,以同時產生清晰的二維影像與精確的深度數據。並藉由將深度數據結合二維影像,所述影像感測裝置可快速且精確地產生三維影像。
以下在實施方式中詳細敘述本發明的詳細特徵以及優點,其內容足以使任何熟悉相關技藝者瞭解本發明的技術內容並據以實施,且根據本說明書所揭露的內容、申請專利範圍及圖式,任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關的目的及優點。
請參照圖1,圖1為本發明一實施例的影像感測裝置11應用於手機10的示意圖。如圖1所示,手機10可為智慧手機,而影像感測裝置11可用於拍攝三維影像。影像感測裝置11包括攝像組件100與非可見光發射器200,攝像組件100與非可見光發射器200彼此並列且間隔設置於手機10上,但攝像組件100與非可見光發射器200的相對位置並不限於此實施例。在不同實施例中,影像感測裝置11可應用於任何電子裝置上,例如行車記錄器、數位相機或自動駕駛輔助裝置等。
請參照圖2,圖2是本發明一實施例的影像感測裝置11的剖面示意圖,圖2為圖1的影像感測裝置11的攝像組件100與非可見光發射器200的局部剖面示意圖。影像感測裝置11的攝像組件100包括感測模組110、鏡頭總成120與第一濾光片130,感測模組110與第一濾光片130是在鏡頭總成120的軸向上對齊鏡頭總成120。第一濾光片130是位於鏡頭總成120與感測模組110之間,且第一濾光片130是允許可見光與紅外光通過並過濾掉其餘波長的光。
請參照圖3,圖3是本發明第一實施例的感測模組110的局部頂視示意圖。感測模組110包括多個像素組300與基材400,且多個像素組300在感測模組110上是排列為陣列,且這些像素組300是排列設置於基材400上。需理解的是圖3僅示意性地示出感測模組110的局部以及多個像素組300的其中四個像素組300。每一個像素組300包括多個子像素與至少一個非可見光感測器340,且每一個像素組300中的多個子像素與非可見光感測器340也是排列為陣列。在本實施例中,每一個像素組300包括三個子像素與至少一個非可見光感測器340,且每一個所述像素組300的三個子像素分別是第一顏色子像素310、第二顏色子像素320與第三顏色子像素330。在每一個所述像素組300中,第一顏色子像素310、第二顏色子像素320、第三顏色子像素330與非可見光感測器340是排列為二個行與二個列的2x2陣列。
如圖1至圖3所示,非可見光發射器200是對應於感測模組110設置,且非可見光發射器200可發射非可見光,而非可見光感測器340可用以感測非可見光發射器200發射後而反射的非可見光。在本實施例中,非可見光發射器200是用以發射紅外光,非可見光感測器340是用以感測紅外光。並且,第一顏色子像素310是綠色子像素,其是用以感測可見光的綠光;第二顏色子像素320是藍色子像素,其是用以感測可見光的藍光;第三顏色子像素330是紅色子像素,其是用以感測可見光的紅光。也就是說,每一個像素組300的第一顏色子像素310、第二顏色子像素320與第三顏色子像素330所感測到的資料可組成像素數據(或稱RGB資料),而感測模組110的所有像素組300的像素數據可組成二維彩色影像。並且,影像感測裝置11可藉由非可見光發射器200發射紅外光與各像素組300的非可見光感測器340感測到紅外光的時間差,而計算出對應於每一個像素組300的深度數據。舉例來說,非可見光發射器200在t0的時間點發射特定紅外光,而多個像素組300的非可見光感測器340是分別在t1、t2、t3…等時間點感測到所述特定紅外光的反射光,影像感測裝置11可根據t1、t2、t3…相較於t0的差值計算出各個像素組300的深度數據。最後,影像感測裝置11可將感測模組110的所有像素組300的像素數據與深度數據組合而產生三維彩色影像。
請參照圖4,圖4為圖3的線段4-4處的局部剖面示意圖,需理解的是圖4僅示意性地示出像素組300的主要結構。如圖4所示,在本實施例中,每一像素組300的每一子像素包括可見光光電二極體351,而非可見光發射器200包括非可見光光電二極體352,並且,每一像素組300更包括線路層353,線路層353包括多個第一線路353A與至少一第二線路353B,各第一線路353A會訊號連接對應的子像素的可見光光電二極體351,且第二線路353B會訊號連接非可見光感測器340的非可見光光電二極體352。在本實施例中,第一線路353A與第二線路353B是形成於線路層353的圖案化金屬線路,第一線路353A可用以傳送電力至可見光光電二極體351並接收可見光光電二極體351所產生的訊號,且第二線路353B可用以傳送電力至非可見光光電二極體352並接收非可見光光電二極體352所產生的訊號,但不限於此。
在一些實施例中,感測模組110會根據線路層353的相對位置而區分為前照式(front side illuminated,FSI)與背照式(back side illuminated,BSI)。若感測模組110為前照式,意味在進入攝像組件100的光線的光路上,線路層353會位在可見光光電二極體351與非可見光光電二極體352的前方,光線會先通過線路層353,再進入可見光光電二極體351與非可見光光電二極體352。若感測模組110為背照式,意味在進入攝像組件100的光線的光路上,線路層353會位在可見光光電二極體351與非可見光光電二極體352的後方,光線並不會先通過線路層353再進入可見光光電二極體351與非可見光光電二極體352,而是直接進入可見光光電二極體351與非可見光光電二極體352。
如圖4所示,在本實施例中,感測模組110為背照式,且線路層353是位於基材400與可見光光電二極體351以及基材400與非可見光光電二極體352之間,光線穿過第第一濾光片130並進入可見光光電二極體351與非可見光光電二極體352時,並不會先通過線路層353。舉例來說,線路層353是形成於基材400上,所有像素組300的多個可見光光電二極體351與多個非可見光光電二極體352是排列於線路層353上,各可見光光電二極體351是分別對齊且電性連接對應的各第一線路353A,且各非可見光光電二極體352是分別對齊且電性連接對應的各第二線路353B。
如圖4所示,在本實施例中,每一像素組300更包括多個微透鏡354與多個第二濾光片355。各第二濾光片355是分別對齊對應的可見光光電二極體351,且各可見光光電二極體351是分別位於對應的第二濾光片355與線路層353之間。多個微透鏡354是分別對齊對應的可見光光電二極體351與對應的非可見光光電二極體352,且其中多個微透鏡354介於第一濾光片130與對應的第二濾光片355之間,以及其中另外多個微透鏡354分別位於第一濾光片130與對應的非可見光光電二極體352之間。微透鏡354可增加可見光光電二極體351與非可見光光電二極體352所接收的光量。
在本實施例中,每一像素組300更包括至少一調焦件356,調焦件356用以改變可見光光電二極體351或非可見光光電二極體352相對於基材400的距離,亦即,調焦件356可使每一可見光光電二極體351與基材400之間的距離小於或大於非可見光光電二極體352與基材400之間的距離,以使穿透鏡頭總成120與第一濾光片130的可見光與不可見光可分別且正確地對焦到位在光路上不同距離的可見光光電二極體351與非可見光光電二極體352。在一些實施例中,調焦件356可位於非可見光光電二極體352與基材400之間,但不限於此。在其他實施例中,調焦件356可位於可見光光電二極體351與基材400之間,容後詳述。
在本實施例中,第二濾光片355、可見光光電二極體351與線路層353的第一線路353A組成一個子像素,且微透鏡354是對齊對應的子像素的第二濾光片355。根據某一子像素的第二濾光片355是允許可見光的紅光、綠光或藍光通過,可定義此子像素是第一顏色子像素310、第二顏色子像素320或第三顏色子像素330。以第三顏色子像素330為例,其第二濾光片355僅允許可見光的紅光通過,則第三顏色子像素330為紅色子像素。當穿透第一濾光片130的可見光與紅外光,進一步穿透第三顏色子像素330的微透鏡354與第二濾光片355之後,僅有可見光的紅光會進入可見光光電二極體351,因而第三顏色子像素330會產生對應于紅光的資料。
在本實施例中,非可見光光電二極體352與線路層353的第二線路353B組成一個非可見光感測器340,且微透鏡354是對齊對應的非可見光感測器340的非可見光光電二極體352。在本實施例中,非可見光光電二極體352僅能感測紅外光,因此在非可見光光電二極體352上方無需設置第二濾光片355。當穿透第一濾光片130的可見光與紅外光,進一步穿透微透鏡354而進入非可見光光電二極體352,且非可見光感測器340會產生對應於紅外光的資料。
在影像感測裝置11中,外界的光會穿透鏡頭總成120、穿過第一濾光片130並投射到感測模組110上,而感測模組110上用來感測可見光的子像素與用來感測紅外光的非可見光感測器340可感測此投射光並產生對應資料。然而,基於可見光與非可見光的波長的不同或基於對應子像素與非可見光感測器340的微透鏡354或其他未示出的光學元件在光學與結構上差異,會在光學成向上產生一定程度的影響,使得可見光與非可見光的成像位置或焦點不同。在不同實施例中,為了使三維影像的清晰度與深度數據都能更加精確,調焦件356用以改變可見光光電二極體351或非可見光光電二極體352相對於基材400的距離,從而對應改變可見光光電二極體351或非可見光光電二極體352相對於第一濾光片130或鏡頭總成120的距離,使可見光與非可見光的成像位置或焦點可剛好落在可見光光電二極體351與非可見光光電二極體352。
如圖4所示,在本實施例中,調焦件356是位於非可見光光電二極體352與第二線路353B之間,且相較於可見光光電二極體351,調焦件356使非可見光光電二極體352相對遠離基材400。可見光光電二極體351的頂端與基材400之間相距具有第一距離D1,而非可見光光電二極體352的頂端與基材400之間相距有第二距離D2,且第一距離D1小於第二距離D2。
在本實施例中,調焦件356是以絕緣材料製成,但不限於此。在感測模組110的製程中,線路層353會首先被形成於基材400上,而調焦件356會再形成於線路層353上,可見光光電二極體351與非可見光光電二極體352會接著形成於線路層353與調焦件356上。在本實施例中,調焦件356中還可形成有延伸線路357,且延伸線路357可電性連接非可見光光電二極體352與對應的第二線路353B。
舉例來說,當影像感測裝置11要產生一張三維影像,可見光會對焦於距離基材400第一距離D1處的可見光光電二極體351,子像素會感測可見光而產生像素數據,此時影像感測裝置11可產生一張清晰的二維彩色影像,而紅外光會對焦於距離基材400的第二距離D2處的非可見光光電二極體352,非可見光感測器340會感測此紅外光而產生深度數據,此時影像感測裝置11可產生一張清晰的二維紅外光影像,且此二維紅外光影像的每個像素具有對應的深度數據。其中每一個像素組300的多個子像素產生的像素數據會對應於非可見光感測器340產生的深度數據,且由於像素數據與深度數據是分別在焦點正確的情況下所產生,二維彩色影像的每一個像素可正確對應至二維紅外光影像的對應像素與深度數據。因此,影像感測裝置11可將二維彩色影像與二維紅外光影像疊合,從而對應產生清晰且深度數據正確的三維彩色影像。
請參照圖5至圖7,圖5至圖7分別為本發明第二、第三與第四實施例的感測模組110的局部剖面示意圖。圖5至圖7與圖4的感測模組110的主要差別在於調焦件356的相對位置。如圖5至圖7所示,在第二、第三與第四實施例中,感測模組110皆為背照式。如圖5所示,在第二實施例中,調焦件356是位於基材400與第二線路353B之間。在感測模組110的製程中,調焦件356會首先形成於基材400上,而線路層353會再被形成於基材400與調焦件356上,可見光光電二極體351與非可見光光電二極體352會接著形成於線路層353上。同樣地,調焦件356使非可見光光電二極體352相對遠離基材400。可見光光電二極體351的頂端與基材400之間相距具有第一距離D1,而非可見光光電二極體352的頂端與基材400之間相距有第二距離D2,且第一距離D1小於第二距離D2。在一些實施例中,調焦件356可以是凸設於基材400上的特定位置的凸出結構。在一些實施例中,調焦件356可以是與基材400整合為一體。
如圖6與圖7所示,在第三與第四實施例中,基於微透鏡354或其他光學元件在光學與結構上的差異,使得在光線穿過鏡頭總成120後,可見光的焦距可能會小於非可見光的焦距,在此情況下,調焦件356可對應於子像素的可見光光電二極體351設置,以改變可見光光電二極體351的相對位置。如圖6所示,在第三實施例中,調焦件356是位於可見光光電二極體351與第一線路353A之間。如圖7所示,在第四實施例中,調焦件356是位於基材400與第一線路353A之間。無論是第三或第四實施例,調焦件356皆使可見光光電二極體351相對遠離基材400。可見光光電二極體351的頂端與基材400之間相距具有第一距離D1,而非可見光光電二極體352的頂端與基材400之間相距有第二距離D2,且第一距離D1大於第二距離D2。
請參照圖8與圖9,圖8與圖9分別為本發明第五與第六實施例的感測模組110的局部剖面示意圖。圖8、圖9與圖4的感測模組110的主要差別在於圖8與圖9的感測模組110為前照式。如圖8與圖9所示,在第五與第六實施例中,可見光光電二極體351與非可見光光電二極體352是位於線路層353與基材400之間,光線穿過第第一濾光片130後,會先通過線路層353再進入可見光光電二極體351與非可見光光電二極體352。所有像素組300的多個可見光光電二極體351與多個非可見光光電二極體352是排列於基材400上,而線路層353是形成於可見光光電二極體351與非可見光光電二極體352上。各可見光光電二極體351是分別對齊且電性連接對應的各第一線路353A,且各非可見光光電二極體352是分別對齊且電性連接對應的各第二線路353B。
如圖8所示,在第五實施例中,調焦件356是位於非可見光光電二極體352與基材400之間。在感測模組110的製程中,調焦件356會首先形成於基材400上,而可見光光電二極體351與非可見光光電二極體352會再被形成於基材400與調焦件356上,線路層353會接著形成於可見光光電二極體351與非可見光光電二極體352上。調焦件356使非可見光光電二極體352相對遠離基材400。可見光光電二極體351的頂端與基材400之間相距具有第一距離D1,而非可見光光電二極體352的頂端與基材400之間相距有第二距離D2,且第一距離D1小於第二距離D2。如圖9所示,在第六實施例中,調焦件356是位於可見光光電二極體351與基材400之間,且調焦件356使可見光光電二極體351相對遠離基材400。可見光光電二極體351的頂端與基材400之間相距具有第一距離D1,而非可見光光電二極體352的頂端與基材400之間相距有第二距離D2,且第一距離D1大於第二距離D2。
請參照圖10,圖10為本發明第七實施例的感測模組110的局部頂視示意圖。如圖10所示,在每一個像素組300中,第一顏色子像素310有九個且排列為三個行與三個列的第一組陣列,第二顏色子像素320有九個且排列為三個行與三個列的第二組陣列,第三顏色子像素330有九個且排列為三個行與三個列的第三組陣列,且非可見光感測器340為單個。其中,第一組陣列、第二組陣列、第三組陣列與單個非可見光感測器340排列為二個行與二個列的陣列。在本實施例中,子像素的寬度約為1至2微米,而九個子像素所組成的3x3陣列的寬度約為3至6微米,而單個非可見光感測器340的寬度約為4至7微米,因此三組各為3x3陣列的子像素陣列與單個非可見光感測器340可排列為2x2陣列的像素組300。
請參照圖11,圖11為圖10的線段11-11處的局部剖面示意圖。圖11與圖4的感測模組110的主要差異在於圖11的感測模組110的單個非可見光感測器340的寬度大於單個子像素的寬度,且相應地,微透鏡354包括寬度較窄的第一微透鏡354A與寬度較寬的第二微透鏡354B,第一微透鏡354A是對應於子像素設置,而第二微透鏡354B是對應於非可見光感測器340。在本實施例中,第一微透鏡354A是位於第二濾光片355上,而第二微透鏡354B是位於非可見光光電二極體352上。調焦件356是位於非可見光光電二極體352與第二線路353B之間,且調焦件356的延伸線路357電性連接非可見光光電二極體352與第二線路353B。可見光光電二極體351的頂端與基材400之間相距具有第一距離D1,而非可見光光電二極體352的頂端與基材400之間相距有第二距離D2,且第一距離D1小於第二距離D2。
綜上所述,根據本發明實施例所提出的影像感測裝置,像素組與鏡頭總成之間的距離是固定的且是設置於基材上,而子像素與非可見光感測器的焦距不同,在此情況下,由於調焦件可改變每一可見光光電二極體與鏡頭總成之間的距離或非可見光光電二極體與鏡頭總成之間的距離,藉此使可見光與非可見光可分別正確對焦至子像素與非可見光感測器,以同時產生清晰的二維影像與精確的深度數據。並藉由將深度數據結合二維影像,所述影像感測裝置可快速且精確地產生三維影像。
雖然本發明的技術內容已經以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神所作些許之更動與潤飾,皆應涵蓋于本發明的範疇內,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為准。
10:手機 11:影像感測裝置 100:攝像組件 110:感測模組 120:鏡頭總成 130:第一濾光片 200:非可見光發射器 300:像素組 310:第一顏色子像素 320:第二顏色子像素 330:第三顏色子像素 340:非可見光感測器 351:可見光光電二極體 352:非可見光光電二極體 353:線路層 353A:第一線路 353B:第二線路 354:微透鏡 354A:第一微透鏡 354B:第二微透鏡 355:第二濾光片 356:調焦件 357:延伸線路 400:基材 D1:第一距離 D2:第二距離
圖1所示為本發明一實施例的影像感測裝置應用於手機的示意圖; 圖2所示為本發明一實施例的影像感測裝置的剖面示意圖; 圖3所示為本發明第一實施例的感測模組的局部頂視示意圖; 圖4為圖3的線段4-4處的局部剖面示意圖; 圖5所示為本發明第二實施例的感測模組的局部剖面示意圖; 圖6所示為本發明第三實施例的感測模組的局部剖面示意圖; 圖7所示為本發明第四實施例的感測模組的局部剖面示意圖; 圖8所示為本發明第五實施例的感測模組的局部剖面示意圖; 圖9所示為本發明第六實施例的感測模組的局部剖面示意圖; 圖10所示為本發明第七實施例的感測模組的局部頂視示意圖;以及 圖11為圖10的線段11-11處的局部剖面示意圖。
130:第一濾光片
330:第三顏色子像素
340:非可見光感測器
351:可見光光電二極體
352:非可見光光電二極體
353:線路層
353A:第一線路
353B:第二線路
354:微透鏡
355:第二濾光片
356:調焦件
357:延伸線路
400:基材
D1:第一距離
D2:第二距離

Claims (10)

  1. 一種影像感測裝置,包括: 一感測模組,包括多個像素組與一基材,該些像素組排列設置於該基材上,每一該像素組包括多個子像素、至少一非可見光感測器與至少一調焦件,該多個子像素與該非可見光感測器排列為陣列,每一該子像素包括一可見光光電二極體,該非可見光感測器包括一非可見光光電二極體,該調焦件位於每一該可見光光電二極體與該基材之間或該非可見光光電二極體與該基材之間,且該調焦件使每一該可見光光電二極體與該基材之間的距離小於或大於該非可見光光電二極體與該基材之間的距離;以及 一非可見光發射器,對應於該感測模組設置,且該非可見光感測器用以感測該非可見光發射器發射的非可見光。
  2. 如請求項1所述的影像感測裝置,其中,每一該像素組包括一線路層,該線路層包括多個第一線路與一第二線路,各該第一線路訊號連接對應的該子像素,且該第二線路訊號連接該非可見光感測器。
  3. 如請求項2所述的影像感測裝置,其中,該線路層位於該基材與該可見光光電二極體以及該基材與該非可見光光電二極體之間。
  4. 如請求項3所述的影像感測裝置,其中,該調焦件位於該非可見光光電二極體與該第二線路之間;或者,該調焦件位於該基材與該第二線路之間。
  5. 如請求項3所述的影像感測裝置,其中,該調焦件位於該可見光光電二極體與該第一線路之間;或者,該調焦件位於該基材與該第一線路之間。
  6. 如請求項2所述的影像感測裝置,其中,該可見光光電二極體與該非可見光光電二極體位於該線路層與該基材之間。
  7. 如請求項6所述的影像感測裝置,其中,該調焦件位於該非可見光光電二極體與該基材之間。
  8. 如請求項6所述的影像感測裝置,其中,該調焦件位於該可見光光電二極體與該基材之間。
  9. 如請求項1所述的影像感測裝置,其中,每一個該像素組的該多個子像素包括一第一顏色子像素、一第二顏色子像素與一第三顏色子像素。
  10. 如請求項9所述的影像感測裝置,其中,在每一個該像素組中,該第一顏色子像素有九個且排列為三個行與三個列的一第一組陣列,該第二顏色子像素有九個且排列為三個行與三個列的一第二組陣列,該第三顏色子像素有九個且排列為三個行與三個列的一第三組陣列,該非可見光感測器為單個,其中,該第一組陣列、該第二組陣列、該第三組陣列與該單個非可見光感測器排列為二個行與二個列的陣列。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI754809B (zh) * 2019-04-11 2022-02-11 大陸商廣州立景創新科技有限公司 影像感測裝置
US12143697B2 (en) * 2020-12-11 2024-11-12 Qualcomm Incorporated Spectral image capturing using infrared light and color light filtering
CN118281024B (zh) * 2024-05-31 2024-09-20 杭州海康威视数字技术股份有限公司 一种像素阵列、光电二极管的制备方法、成像传感器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009046268A1 (en) * 2007-10-04 2009-04-09 Magna Electronics Combined rgb and ir imaging sensor
TW201421993A (zh) * 2012-11-20 2014-06-01 Visera Technologies Co Ltd 影像感測裝置
TW201448567A (zh) * 2013-03-15 2014-12-16 Intel Corp 適應性深度感測技術
TW201710641A (zh) * 2015-05-27 2017-03-16 英特爾股份有限公司 可調適的深度感測系統
TW201915563A (zh) * 2017-10-02 2019-04-16 源奇科技股份有限公司 光學感測裝置及結構光投射器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2908341B1 (en) * 2014-02-18 2018-07-11 ams AG Semiconductor device with surface integrated focusing element
KR20160025729A (ko) 2014-08-28 2016-03-09 에스케이하이닉스 주식회사 깊이 검출 픽셀을 구비한 이미지 센서 및 이를 이용한 깊이 정보 생성 방법
JP2017139286A (ja) * 2016-02-02 2017-08-10 ソニー株式会社 撮像素子、及び、カメラシステム
TWI754809B (zh) * 2019-04-11 2022-02-11 大陸商廣州立景創新科技有限公司 影像感測裝置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009046268A1 (en) * 2007-10-04 2009-04-09 Magna Electronics Combined rgb and ir imaging sensor
TW201421993A (zh) * 2012-11-20 2014-06-01 Visera Technologies Co Ltd 影像感測裝置
TW201448567A (zh) * 2013-03-15 2014-12-16 Intel Corp 適應性深度感測技術
TW201710641A (zh) * 2015-05-27 2017-03-16 英特爾股份有限公司 可調適的深度感測系統
TW201915563A (zh) * 2017-10-02 2019-04-16 源奇科技股份有限公司 光學感測裝置及結構光投射器

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