TWI718285B - 溫度測定用基板及溫度測定系統 - Google Patents

Abstract

本實施形態之溫度測定用基板包含：基板，其係半導體晶圓或平板顯示器用基板中之任一者；及至少1根光纖，其敷設於上述基板之表面，且具有第1圖案部、及較上述第1圖案部密集地形成之第2圖案部。

Description

溫度測定用基板及溫度測定系統

本發明係關於一種溫度測定用基板及溫度測定系統。

自先前以來，已知有於基板設置有複數個熱電偶或鉑熱電阻檢測器等溫度檢測部之溫度測定用基板(例如參照專利文獻1、2)。於該等溫度測定用基板中，利用複數個溫度檢測部檢測基板之溫度，藉以測定基板之溫度分佈。 又，已知有如下構成：於被測定物敷設光纖，檢測藉由入射至光纖內之脈衝光之拉曼效應而產生之背向散射光，藉以測定被測定物之溫度分佈(例如參照專利文獻3)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開平11-344386號公報 [專利文獻2]日本專利特表2002-544502號公報 [專利文獻3]日本專利特開平5-346355號公報

[發明所欲解決之問題] 然而，於專利文獻1、2所記載之構成中，利用複數個溫度檢測部檢測基板之溫度而藉以測定基板之溫度分佈，因此無法測定連續之溫度分佈，從而較難以高空間解析度測定溫度分佈。 又，於專利文獻3所記載之構成中，測定半導體晶圓等基板之溫度分佈之情形時，較難以高空間解析度測定溫度分佈。其原因在於：入射至光纖內之脈衝光之脈衝長度與半導體晶圓等基板之大小相比較長。 因此，於一態樣中，本發明之目的在於：提供一種能以高空間解析度測定溫度分佈之溫度測定用基板。 [解決問題之技術手段] 為了達成上述目的，本發明之一態樣之溫度測定用基板包含：基板，其係半導體晶圓、或平板顯示器用基板中之任一者；及至少1根光纖，其敷設於上述基板之表面，且具有第1圖案部、及較上述第1圖案部密集地形成之第2圖案部。 [發明之效果] 根據所揭示之溫度測定用基板，能以高空間解析度測定溫度分佈。

以下，參照圖式，對用以實施本發明之形態進行說明。再者，於本說明書及圖式中，對於實質上相同之構成，藉由標註相同之符號而省略重複之說明。 (溫度測定系統) 對本實施形態之溫度測定系統進行說明。本實施形態之溫度測定系統係如下系統：將敷設於半導體晶圓(以下稱為「晶圓」)之表面之光纖用作感測器，利用作為背向散射光之一的拉曼散射光而測定沿光纖之溫度分佈。本實施形態之溫度測定系統例如用於對半導體晶圓等基板實施熱處理等特定處理之基板處理裝置。以下，將利用作為背向散射光之一的拉曼散射光而測定沿光纖之溫度分佈之系統亦稱為ROTDR(Raman Optical Time Domain Reflectometer，拉曼光時域反射計)系統。 圖1係表示本實施形態之溫度測定系統之一例之概略構成圖。 如圖1所示，本實施形態之溫度測定系統包含溫度測定用晶圓10、計算機20、及計測機本體30。 溫度測定用晶圓10係於晶圓之表面敷設有光纖之基板。關於溫度測定用晶圓10之詳細情況將於下文加以敍述。計算機20係控制計測機本體30之電腦等。 計測機本體30包含光源31、分光器32、波長分離部33、光檢測器34、及信號處理部35，連接於光纖而加以使用。 光源31以固定週期輸出特定脈衝長度之雷射光(以下亦稱為「脈衝光」)。雷射光通過分光器32而自光纖之光源31側之端部(入射端)入射至光纖內。入射至光纖內之光一面因構成光纖之分子而發生散射一面行進。於光纖內產生之散射光之一部分作為背向散射光而返回至入射端。 作為背向散射光之一的拉曼散射光(司托克士光及反司托克士光)具有溫度依存性。反司托克士光之溫度依存性大於司托克士光之溫度依存性。再者，司托克士光係較入射光而言向長波長側位移之拉曼散射光，反司托克士光係較入射光而言向短波長側位移之拉曼散射光。 背向散射光通過光纖內而自光纖之入射端出射，藉由分光器32反射而入射至波長分離部33。 波長分離部33包含分光器、光學濾光片、及聚光透鏡等，將拉曼散射光分離為司托克士光與反司托克士光，並將分離後之光輸入至光檢測器34。光檢測器34輸出與司托克士光及反司托克士光之強度相應之電氣信號。信號處理部35基於自光檢測器34輸出之電氣信號而計算出光纖之長度方向之溫度分佈。 如此，於本實施形態之溫度測定系統中，將敷設於晶圓之表面之光纖用作感測器，檢測作為背向散射光之一的拉曼散射光之溫度依存性，藉此計算出晶圓之溫度分佈。又，測定脈衝光入射至光纖起至於光纖內產生之背向拉曼散射光返回至入射端為止的往返時間，藉此計算出產生背向拉曼散射光之位置(距離)。 (溫度測定用晶圓) 對本實施形態之溫度測定用晶圓10進行說明。本實施形態之溫度測定用晶圓10用於使脈衝光入射至敷設於晶圓之表面之光纖內而計算晶圓之溫度分佈時。以下，對可測定晶圓之溫度分佈之第1實施形態至第4實施形態之溫度測定用晶圓進行說明。 [第1實施形態] 圖2係用以對第1實施形態之溫度測定用晶圓之一例進行說明之圖。 如圖2所示，第1實施形態之溫度測定用晶圓10A包含晶圓11及光纖12。 作為晶圓11，例如可使用矽(Si)晶圓。晶圓11之直徑並無特別限定，例如可設為300 mm、450 mm。 光纖12敷設於晶圓11之表面。光纖12係由石英玻璃、塑膠等所形成之1根細纖維狀之管。自圖1所記載之光源31輸出之脈衝光入射至光纖12。光纖12於晶圓11之外周部具有始端與終端。始端及終端作為與圖1所記載之計測機本體30連接之連接部13而發揮功能。再者，始端及終端只要可供光入射即可，例如亦可配置於晶圓11之中心部。 光纖12於始端與終端之間包含稀疏地形成之部分(以下稱為「疏部14」)、及較疏部14密集地形成之部分(以下稱為「密部15」)。光纖12之疏部14與密部15係交替地配置。疏部14之數量及密部15之數量並無特別限定，可根據晶圓11之大小等而決定。於光纖12包含複數個密部15之情形時，各個密部15可為同一形狀，亦可為不同形狀。於圖2中，表示出遍及晶圓11之整個表面而交替地配置有18個疏部14與17個密部15之例。 圖3A及圖3B係表示圖2之溫度測定用晶圓之密部之一例之圖。圖3A係密部之概略俯視圖，圖3B係密部之概略剖視圖。再者，於圖3A及圖3B中，表示出圖2之溫度測定用晶圓之複數個密部中之一個。 如圖3A所示，密部15於俯視時形成為以密部15之中心為漩渦中心之漩渦狀。密部15之圈數並無特別限定，較佳為根據入射至光纖12之脈衝光之脈衝長度而設定。其原因在於：於利用ROTDR系統而實施之溫度測定中，光纖12之長度方向之空間解析度依存於測定所用雷射光於光纖12之纖芯中之脈衝長度。具體而言，較佳為如成為入射至光纖12之脈衝光之脈衝長度以上之長度的圈數。藉此，能以特別高之空間解析度測定溫度分佈。又，密部15之圈數較佳為如成為入射至光纖12之脈衝光之脈衝長度之2倍以下之長度的圈數，更佳為如成為入射至光纖12之脈衝光之脈衝長度之1.5倍以下之長度的圈數。藉此，可於晶圓11之表面形成儘可能多之密部15，因此可增加晶圓11之表面之測定點數，從而使空間解析度提高。 再者，脈衝長度L(m)係藉由以下之式(1)而計算出之值。 L＝c×t/(2×n_λ ) (1) 此處，t(s)係雷射之脈衝寬度，c(m/s)係光速，λ(nm)係纖芯中之雷射波長，n_λ 係雷射波長λ(nm)下之折射率。再者，於使用普通ROTDR系統之情形時，脈衝長度L(m)為1～2 m左右。 又，於密部15中，光纖12之彎曲半徑最小之部分的彎曲半徑(以下稱為「最小彎曲半徑」)較佳為光纖12之容許彎曲半徑以上，更佳為與容許彎曲半徑相等。藉此，可不使光纖12破損且密集地敷設光纖12。因此，可使形成相同圈數所需之面積變小。其結果，可測定晶圓11之表面之更小區域之溫度。進而，可於晶圓11之表面形成更多密部15，從而使測定溫度分佈時之空間解析度提高。再者，於圖3A中，以Rmin表示最小彎曲半徑，以Ra表示容許彎曲半徑。 如圖3A及圖3B所示，密部15係藉由設置於密部15之外周部之3個部位之接著構件16而固定於晶圓11之表面。藉此，密部15可維持與晶圓11之表面接觸之狀態。因此，即便於真空中亦可與於大氣中同樣地測定晶圓11之溫度分佈。接著構件16之種類只要為可將密部15固定於晶圓11之表面者，便無特別限定。 如圖4A及圖4B係表示圖2之溫度測定用晶圓之密部之另一例之圖，表示出溫度測定用晶圓之密部之剖面。 如圖4A所示，密部15亦可為藉由設置於晶圓11與密部15之間之接著構件16而固定於晶圓11之構成。於該情形時，作為接著構件16，較佳為高導熱性材料，例如可使用導熱性接著劑、導熱性片材。藉此，可將晶圓11之熱有效率地傳遞至密部15。因此，即便於真空中亦可與於大氣中同樣地測定晶圓11之溫度分佈。 又，如圖4B所示，密部15亦可為配置於形成在晶圓11之表面之凹部17內且由接著構件16覆蓋之構成。藉此，密部15藉由接著構件16而得到保護，因此可靠性提高。於該情形時，作為接著構件16，較佳為高導熱性材料，例如可使用導熱性接著劑、導熱性片材。藉此，可將晶圓11之熱有效率地傳遞至密部15。因此，即便於真空中亦可與於大氣中同樣地測定晶圓11之溫度分佈。 圖5係表示圖2之溫度測定用晶圓之密部之又一例之圖，表示出溫度測定用晶圓之密部之上表面。 如圖5所示，密部15於俯視時以具有2個中心，且敷設於密部15之區域內的光纖12全長之中點位於密部15之中心之方式形成為漩渦狀。密部15之圈數並無特別限定，較佳為如成為入射至光纖12之脈衝光之脈衝長度以上之長度的圈數。藉此，能以特別高之空間解析度測定溫度分佈。又，密部15之圈數較佳為如成為入射至光纖12之脈衝光之脈衝長度之2倍以下之長度的圈數，更佳為如成為入射至光纖12之脈衝光之脈衝長度之1.5倍以下之長度的圈數。藉此，可於晶圓11之表面形成儘可能多之密部15，因此空間解析度提高。 又，於密部15中，光纖12之最小彎曲半徑較佳為光纖12之容許彎曲半徑以上，更佳為與容許彎曲半徑相等。藉此，可不使光纖12破損且密集地敷設光纖12。因此，可使形成相同圈數所需之面積變小。其結果，可測定晶圓11之表面之更小區域之溫度。進而，可於晶圓11之表面形成更多密部15，從而使測定溫度分佈時之空間解析度提高。再者，於圖5中，以Rmin1、Rmin2表示最小彎曲半徑，以Ra表示容許彎曲半徑。 如以上所說明般，於第1實施形態之溫度測定用晶圓10A中，晶圓11之表面敷設有包含疏部14、及較疏部14密集地形成之密部15的光纖12。藉此，即便於測定直徑較入射至光纖12內之脈衝光之脈衝長度小的晶圓11之溫度分佈之情形時，亦可取得至少密部15之區域之溫度，從而能以高空間解析度測定晶圓11之面內溫度分佈。 又，於第1實施形態之溫度測定用晶圓10A中，晶圓11之表面僅設置光纖12與接著構件16。因此，可降低用以製造溫度測定用晶圓10A之成本。又，不含電氣性之要素，因此即便於例如產生電漿之基板處理裝置之環境下，亦可不受因電漿而產生之電磁雜訊之影響地測定溫度分佈。 尤其是，於第1實施形態之溫度測定用晶圓10A中，遍及晶圓11之整個表面而交替地配置有複數個密部15與疏部14，因此可於晶圓11之整個表面，以高空間解析度仔細地測定面內溫度分佈。又，作為另一效果，由於係遍及晶圓11之整個表面而交替地配置有複數個密部15與疏部14，因此容易視認出密部15，容易進行溫度測定位置之鑑定，從而可測定晶圓11之所期望之位置之溫度。 [第2實施形態] 圖6係用以對第2實施形態之溫度測定用晶圓之一例進行說明之圖。 如圖6所示，第2實施形態之溫度測定用晶圓10B包含晶圓11及光纖12。 作為晶圓11，例如可使用矽(Si)晶圓。晶圓11之直徑並無特別限定，例如可設為300 mm、450 mm。 光纖12敷設於晶圓11之表面。光纖12係由石英玻璃、塑膠等所形成之1根細纖維狀之管。自圖1所記載之光源31輸出之脈衝光入射至光纖12。光纖12於晶圓11之外周部具有始端與終端。始端及終端作為與圖1所記載之計測機本體30連接之連接部13而發揮功能。再者，始端及終端只要可供光入射即可，例如亦可配置於晶圓11之中心部。 光纖12於始端與終端之間包含密部15及疏部14，該密部15配置於晶圓11之外周部；該疏部14配置於較密部15靠晶圓11之中心側，且較密部15稀疏地形成。密部15之圈數並無特別限定，較佳為如成為入射至光纖12之脈衝光之脈衝長度以上之長度的圈數。藉此，能以特別高之空間解析度測定溫度分佈。又，密部15之圈數較佳為如成為入射至光纖12之脈衝光之脈衝長度之2倍以下之長度的圈數，更佳為如成為入射至光纖12之脈衝光之脈衝長度之1.5倍以下之長度的圈數。藉此，可於晶圓11之表面形成儘可能多之密部15，因此空間解析度提高。 再者，於圖6中，表示出疏部14與密部15各配置有1個之例，但亦可自晶圓11之外周部朝向中心而交替地配置有密部15與疏部14。藉由自晶圓11之外周部朝向中心而交替地配置有密部15與疏部14，尤其可使晶圓11之徑向之空間解析度提高。又，於自晶圓11之外周部朝向中心而交替地配置有密部15與疏部14之情形時，容易視認出密部15，容易進行溫度測定位置之鑑定，從而可測定晶圓11之徑向上的所期望之位置之溫度。 如以上所說明般，於第2實施形態之溫度測定用晶圓10B中，與第1實施形態同樣地，晶圓11之表面敷設有包含疏部14、及較疏部14密集地配置之密部15的光纖12。藉此，即便於測定直徑較入射至光纖12內之脈衝光之脈衝長度小的晶圓11之溫度分佈之情形時，亦可取得至少密部15之區域之溫度，從而能以高空間解析度測定晶圓11之面內溫度分佈。 又，於第2實施形態之溫度測定用晶圓10B中，與第1實施形態同樣地，晶圓11之表面僅設置光纖12與接著構件16。因此，可降低用以製造溫度測定用晶圓10B之成本。又，不含電氣性之要素，因此即便於例如產生電漿之基板處理裝置之環境下，亦可不受因電漿而產生之電磁雜訊之影響地測定溫度分佈。 尤其是，於第2實施形態中，在晶圓11之外周部配置有密部15，且在較密部15靠晶圓11之中心側配置有疏部14，因此可提高外周部之空間解析度，並且可提高晶圓11之徑向上之空間解析度。 [第3實施形態] 圖7係用以對第3實施形態之溫度測定用晶圓之一例進行說明之圖。 如圖7所示，第3實施形態之溫度測定用晶圓10C包含晶圓11及光纖12。 作為晶圓11，例如可使用矽(Si)晶圓。晶圓11之直徑並無特別限定，例如可設為300 mm、450 mm。 光纖12敷設於晶圓11之表面。光纖12係由石英玻璃、塑膠等所形成之1根細纖維狀之管。自圖1所記載之光源31輸出之脈衝光入射至光纖12。光纖12於晶圓11之外周部具有始端與終端。始端及終端作為與圖1所記載之計測機本體30連接之連接部13而發揮功能。再者，始端及終端只要可供光入射即可，例如亦可配置於晶圓11之中心部。 光纖12於始端與終端之間包含配置於晶圓11之外周部之第1密部151、以及配置於較第1密部151靠晶圓11之中心側之第2密部152及疏部14。第1密部151可設為與第2實施形態之密部15相同之構成，疏部14及第2密部152可設為與第1實施形態之疏部14及密部15相同之構成。 如以上所說明般，於第3實施形態之溫度測定用晶圓10C中，與第1實施形態同樣地，晶圓11之表面敷設有光纖12，該光纖12包含疏部14、較疏部14密集地配置之第2密部152、及與第2實施形態同樣地配置於晶圓11之外周部之第1密部151。藉此，即便於測定直徑較入射至光纖12內之脈衝光之脈衝長度小的晶圓11之溫度分佈之情形時，亦可取得至少第1密部151及第2密部152之區域之溫度，從而能以高空間解析度測定晶圓11之面內溫度分佈。 又，於第3實施形態之溫度測定用晶圓10C中，晶圓11之表面僅設置光纖12與接著構件16。因此，可降低用以製造溫度測定用晶圓10C之成本。又，不含電氣性之要素，因此即便於例如產生電漿之基板處理裝置之環境下，亦可不受因電漿而產生之電磁雜訊之影響地測定溫度分佈。 尤其是，於第3實施形態之溫度測定用晶圓10C中，與第1實施形態同樣地，於晶圓11之表面交替地配置有複數個第2密部152與疏部14，因此可於晶圓11之整個表面，以高空間解析度仔細地測定面內溫度分佈。 又，於第3實施形態之溫度測定用晶圓10C中，與第2實施形態同樣地，於晶圓11之外周部配置有第1密部151，且於較第1密部151靠晶圓11之中心側配置有疏部14，因此可提高外周部之空間解析度，並且可提高晶圓11之徑向上之空間解析度。如此，於第3實施形態中，藉由1片溫度測定用晶圓10C便可於晶圓11之整個表面以高空間解析度仔細地測定面內溫度分佈，且可提高晶圓11之外周部及徑向之空間解析度。因此，無需使用複數片溫度測定用晶圓而測定晶圓11之溫度分佈，從而可縮短測定晶圓11之溫度分佈之時間。 [第4實施形態] 圖8A及圖8B是用以對第4實施形態之溫度測定用晶圓之一例進行說明之圖。圖8A係溫度測定用晶圓之概略立體圖，圖8B係圖8A之溫度測定用晶圓之分解立體圖。 如圖8A所示，第4實施形態之溫度測定用晶圓10D包含第1晶圓111、第2晶圓112、及光纖敷設部18。如圖8B所示，光纖敷設部18係藉由使用未圖示之接著構件將第2晶圓112接合於第1晶圓111之敷設有光纖12之側之表面而形成。即，光纖12被第1晶圓111與第2晶圓112夾入，且於第1晶圓111與第2晶圓112之間隙填充有接著構件。 光纖12與第1實施形態同樣地，於始端與終端之間包含疏部14、及較疏部14密集地形成之密部15，且疏部14與密部15係交替地配置。再者，光纖12亦可與第2實施形態或第3實施形態同樣地配置。 於第4實施形態之溫度測定用晶圓10D中，光纖12被第1晶圓111與第2晶圓112夾入，且於第1晶圓111與第2晶圓112之間隙填充有接著構件，因此光纖12不露出。故而，光纖12不會直接暴露於製程環境下，從而可抑制因腐蝕性氣體或電漿而導致之光纖12之表面之劣化。其結果，溫度測定用晶圓10D之耐久性提高。 再者，於上述各實施形態中，溫度測定用晶圓10係溫度測定用基板之一例。晶圓11係基板之一例。疏部14係第1圖案部之一例。密部15係第2圖案部之一例。 以上，藉由上述實施形態對溫度測定用基板及溫度測定系統進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態，可於本發明之範圍內進行各種變化及改良。 於上述各實施形態中，列舉於晶圓11之表面敷設有1根光纖12之情形為例進行了說明，但亦可於晶圓11之表面敷設有複數根光纖12。於該情形時，亦可與複數根光纖12之各者對應地設置計算機20及計測機本體30。 又，於上述各實施形態中，列舉於晶圓11之一表面敷設有光纖12之情形為例進行了說明，但亦可於晶圓11之兩表面敷設有光纖12。 又，上述各實施形態中之溫度測定用晶圓10例如亦可在載置於晶圓載置台之狀態下進行使用，該晶圓載置台係為了對晶圓進行特定處理或檢查而保持晶圓者。將溫度測定用晶圓10以載置於晶圓載置台之狀態加以使用時，於在晶圓11之一表面敷設有光纖12之情形時，例如亦可將晶圓11之一表面作為上側，而以光纖12不與晶圓載置台接觸之狀態進行載置。又，例如亦可將晶圓11之一表面作為下側，而以光纖12與晶圓載置台接觸之狀態進行載置。 用作本發明之溫度測定用基板之基板並不限定於晶圓，例如亦可為用於平板顯示器或太陽電池之基板。 本申請案主張於2016年4月19日向日本專利廳提出申請之基礎申請案2016-083933號之優先權，並藉由參照而將其全部內容引用至此處。

10‧‧‧溫度測定用晶圓10A‧‧‧溫度測定用晶圓10B‧‧‧溫度測定用晶圓10C‧‧‧溫度測定用晶圓10D‧‧‧溫度測定用晶圓11‧‧‧晶圓12‧‧‧光纖13‧‧‧連接部14‧‧‧疏部15‧‧‧密部16‧‧‧接著構件17‧‧‧凹部18‧‧‧光纖敷設部20‧‧‧計算機30‧‧‧計測機本體31‧‧‧光源32‧‧‧分光器33‧‧‧波長分離部34‧‧‧光檢測器35‧‧‧信號處理部111‧‧‧第1晶圓112‧‧‧第2晶圓151‧‧‧第1密部152‧‧‧第2密部Ra‧‧‧容許彎曲半徑Rmin‧‧‧最小彎曲半徑Rmin1‧‧‧最小彎曲半徑Rmin2‧‧‧最小彎曲半徑

圖1係表示本實施形態之溫度測定系統之一例之方塊圖。 圖2係用以對第1實施形態之溫度測定用晶圓之一例進行說明之圖。 圖3A係表示圖2之溫度測定用晶圓之密部之一例之圖。 圖3B係表示圖2之溫度測定用晶圓之密部之一例之圖。 圖4A係表示圖2之溫度測定用晶圓之密部之另一例之圖。 圖4B係表示圖2之溫度測定用晶圓之密部之另一例之圖。 圖5係表示圖2之溫度測定用晶圓之密部之又一例之圖。 圖6係用以對第2實施形態之溫度測定用晶圓之一例進行說明之圖。 圖7係用以對第3實施形態之溫度測定用晶圓之一例進行說明之圖。 圖8A係用以對第4實施形態之溫度測定用晶圓之一例進行說明之圖。 圖8B係用以對第4實施形態之溫度測定用晶圓之一例進行說明之圖。

10‧‧‧溫度測定用晶圓

20‧‧‧計算機

30‧‧‧計測機本體

31‧‧‧光源

32‧‧‧分光器

33‧‧‧波長分離部

34‧‧‧光檢測器

35‧‧‧信號處理部

Claims (13)

1. 一種溫度測定用基板，其包含：基板，其係半導體晶圓、或平板顯示器用基板中之任一者；及至少1根光纖，其敷設於上述基板之表面，且具有第1圖案部、及較上述第1圖案部密集地形成之第2圖案部，上述第2圖案部之長度為入射至上述光纖之脈衝光之脈衝長度以上，上述第2圖案部於俯視時形成為漩渦狀。
2. 如請求項1之溫度測定用基板，其中上述光纖具有可供光入射之始端及終端。
3. 如請求項1之溫度測定用基板，其中上述第1圖案部與上述第2圖案部係交替地配置。
4. 如請求項1之溫度測定用基板，其中上述第2圖案部之最小彎曲半徑為上述光纖之容許彎曲半徑以上。
5. 如請求項1之溫度測定用基板，其中上述第2圖案部之最小彎曲半徑與上述光纖之容許彎曲半徑相等。
6. 如請求項1之溫度測定用基板，其中上述光纖具有複數個上述第2圖案部，且 上述複數個第2圖案部之各者為同一形狀。
7. 如請求項1之溫度測定用基板，其中上述第2圖案部配置於上述基板之外周部，且上述第1圖案部配置於較上述第2圖案部靠上述基板之中心側。
8. 如請求項1之溫度測定用基板，其中上述第2圖案部包含於俯視時形成為漩渦狀之部分、及配置於較上述第1圖案部靠外周側之部分。
9. 如請求項1之溫度測定用基板，其中上述第2圖案部藉由接著構件而固定於上述基板之表面。
10. 如請求項9之溫度測定用基板，其中上述第2圖案部由上述接著構件覆蓋。
11. 如請求項9之溫度測定用基板，其中上述接著構件係高導熱性材料。
12. 如請求項1之溫度測定用基板，其中上述基板係半導體晶圓。
13. 一種溫度測定系統，其包含：如請求項1之溫度測定用基板；及計測機本體，其使脈衝光入射至上述溫度測定用基板之上述光纖。

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