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TWI716379B - 透光性膜 - Google Patents

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Publication number
TWI716379B
TWI716379B TW105105163A TW105105163A TWI716379B TW I716379 B TWI716379 B TW I716379B TW 105105163 A TW105105163 A TW 105105163A TW 105105163 A TW105105163 A TW 105105163A TW I716379 B TWI716379 B TW I716379B
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TW
Taiwan
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inorganic oxide
oxide layer
layer
inorganic
film
Prior art date
Application number
TW105105163A
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English (en)
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TW201637848A (zh
Inventor
藤野望
梨木智剛
Original Assignee
日商日東電工股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 日商日東電工股份有限公司 filed Critical 日商日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明之透光性膜依序包括透明基材及透光性無機層。透明基材包含高分子膜。透光性無機層依序包括第1無機氧化物層、金屬層、及第2無機氧化物層。透光性無機層具有導電性，第1無機氧化物層及第2無機氧化物層含有氫原子。第2無機氧化物層中之氫原子之含量H2相對於第1無機氧化物層中之氫原子之含量H1之比(H2/H1)為0.10以上且10.00以下。

Description

透光性膜
本發明係關於一種透光性膜，詳細而言，係關於一種可較佳地用於光學用途之透光性膜。
先前，已知具備透明導電層之透明導電性膜等透光性膜被用於觸控面板等光學用途中。
例如，提出有於玻璃基板上形成有透明氧化物薄膜、銀系薄膜及透明氧化物薄膜之透明導電膜(例如參照專利文獻1)。關於專利文獻1之透明導電膜，兩層透明氧化導電膜均由包含氧化銦之混合氧化物形成。
於專利文獻1中，於將透明導電膜進行圖案化時，首先，於上側之透明氧化物薄膜上形成電極形狀之抗蝕膜，繼而，對自抗蝕膜露出之部位藉由蝕刻液進行蝕刻，將三層薄膜形成為電極形狀。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開平9-176837號公報
然而，若兩層透明氧化導電膜之利用蝕刻液之蝕刻速度大為不同，即，於兩層透明氧化導電膜中一者相對於另一者明顯較快之情形時，若以結束另一透明氧化導電膜之圖案化之方式設定透明導電膜之 蝕刻時間，則對於抗蝕膜之端緣，於一透明氧化導電膜形成自其端緣向內側侵蝕之過蝕刻部分(或側面蝕刻部分)。於該情形時，有透明導電膜變得難以保持其形狀，進而無法確實地發揮期望作用(例如導電作用)之不良情況。
相反地，若以結束一透明氧化導電膜之圖案化之方式設定透明導電膜之蝕刻時間，則有蝕刻速度相對於一者明顯較慢，無法結束另一透明氧化導電膜之圖案化，即，無法將另一透明氧化導電膜圖案化為所需之形狀的不良情況。
本發明之目的在於提供一種可將第1無機氧化物層及第2無機氧化物層兩者藉由蝕刻而確實地圖案化，並且可抑制過蝕刻部分之形成的透光性膜。
本發明之透光性膜之特徵在於依序具備透明基材及透光性無機層，且上述透明基材包含高分子膜，上述透光性無機層依序具備第1無機氧化物層、金屬層、及第2無機氧化物層，上述透光性無機層具有導電性，上述第1無機氧化物層及第2無機氧化物層含有氫原子，上述第2無機氧化物層中之氫原子之含量H2相對於上述第1無機氧化物層中之氫原子之含量H1之比(H2/H1)為0.10以上且10.00以下。
又，於本發明之透光性膜中，較佳為上述第1無機氧化物層中之氫原子之含量H1及上述第2無機氧化物層中之氫原子之含量H2均為5×1019atoms/cm3以上且8,000×1019atoms/cm3以下。
又，於本發明之透光性膜中，較佳為上述第1無機氧化物層及上述第2無機氧化物層中之至少一者含有氧化銦。
又，於本發明之透光性膜中，較佳為上述第1無機氧化物層及上述第2無機氧化物層均為非晶質。
又，於本發明之透光性膜中，較佳為上述第2無機氧化物層之厚 度T2相對於上述第1無機氧化物層之厚度T1之比(T2/T1)為0.5以上且1.5以下。
又，於本發明之透光性膜中，較佳為上述第1無機氧化物層及上述第2無機氧化物層進而含有碳原子，上述第1無機氧化物層中之氫原子之含量H1與碳原子之含量C1之合計含量(H1+C1)、及上述第2無機氧化物層中之氫原子之含量H2與碳原子之含量C2之合計含量(H2+C2)均為6×1019atoms/cm3以上且10,000×1019atoms/cm3以下。
根據本發明之透光性膜，可將第1無機氧化物層及第2無機氧化物層兩者藉由蝕刻而確實地圖案化，並且可抑制過蝕刻部分之形成。
1‧‧‧透光性膜
2‧‧‧透明基材
3‧‧‧保護層
4‧‧‧透光性無機層
5‧‧‧第1無機氧化物層
6‧‧‧金屬層
7‧‧‧第2無機氧化物層
8‧‧‧蝕刻阻劑
9‧‧‧非圖案部
10‧‧‧圖案部
11‧‧‧過蝕刻部分
12‧‧‧附保護層之透明基材
13‧‧‧無機物層
D‧‧‧過蝕刻部分之寬度方向長度
L‧‧‧圖案部之寬度
S‧‧‧非圖案部之寬度
圖1表示本發明之透光性膜之一實施形態之剖視圖。
圖2表示圖1所示之透光性無機層形成為配線圖案之透光性膜之剖視圖。
圖3表示透光性無機層形成為配線圖案，且於第1無機氧化物層形成有過蝕刻部分之比較例1之透光性膜之剖視圖之一例。
圖4表示透光性無機層形成為配線圖案，且於第2無機氧化物層形成有過蝕刻部分之相當於比較例之透光性膜之剖視圖之一例。
圖5表示作為透光性膜之變化例之於透明基材之上表面直接配置有第1無機氧化物層之透光性膜之剖視圖。
圖6表示作為透光性膜之變化例之於保護層及第1無機氧化物層之間介置有無機物層之透光性膜之剖視圖。
於圖1中，紙面上下方向為上下方向(厚度方向、第1方向)，且紙面上側為上側(厚度方向一側、第1方向一側)，紙面下側為下側(厚度方向另一側、第1方向另一側)。於圖1中，紙面左右方向為左右方向 (寬度方向、與第1方向正交之第2方向)，且紙面左側為左側(第2方向一側)，紙面右側為右側(第2方向另一側)。於圖1中，紙厚方向為前後方向(與第1方向及第2方向正交之第3方向)，且紙面近前側為前側(第3方向一側)，紙面裏側為後側(第3方向另一側)。具體係依據各圖之方向箭頭。
1.透光性膜
透光性膜1呈具有特定厚度之膜形狀(包含片形狀)，於與厚度方向正交之特定方向(前後方向及左右方向，即面方向)延伸，具有平坦之上表面及平坦之下表面(兩個主面)。透光性膜1例如係光學裝置(例如，圖像顯示裝置、調光裝置)中所具備之觸控面板用基材或調光面板等一零件，即，並非光學裝置。即，透光性膜1係用以製作光學裝置等之零件，係不包含LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示裝置)模組等圖像顯示元件或LED(Light Emitting Diode，發光二極體)等光源、零件單獨流通且產業上可利用之器件。又，透光性膜1包含透明導電性膜。
具體而言，如圖1所示，透光性膜1係依序具備透明基材2、保護層3、及透光性無機層4之透光性積層膜。即，透光性膜1具備：透明基材2、配置於透明基材2之上側之保護層3、及配置於保護層3之上側之透光性無機層4。又，較佳為透光性膜1僅由透明基材2、保護層3、及透光性無機層4構成。以下，對各層進行詳述。
2.透明基材
透明基材2係透光性膜1之最下層，且係確保透光性膜1之機械強度之支持材料。透明基材2將透光性無機層4與保護層3一併支持。
透明基材2包含高分子膜。
高分子膜具有透明性。作為高分子膜之材料，可列舉：例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET，polyethylene terephthalate)、聚對苯二甲酸 丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯樹脂、例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸系樹脂(丙烯酸系樹脂及/或甲基丙烯酸系樹脂)、例如聚乙烯、聚丙烯、環烯烴聚合物等烯烴樹脂、例如聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚芳酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、纖維素樹脂、聚苯乙烯樹脂、降
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烯樹脂等。該等高分子膜可單獨使用或並用兩種以上。就透明性、耐熱性、機械特性等觀點而言，較佳為列舉烯烴樹脂或聚酯樹脂，更佳為列舉環烯烴聚合物或PET。
透明基材2之厚度例如為2μm以上，較佳為20μm以上，又，例如為300μm以下，較佳為200μm以下，更佳為150μm以下。
又，就保持第1無機氧化物層5及第2無機氧化物層7之非晶之觀點而言，透明基材2較佳為含有水。即，於透明基材2中，高分子膜含有水。
3.保護層
保護層3係用以使透光性無機層4之上表面不易產生擦痕(即，獲得優異之耐擦傷性)之擦傷保護層。又，保護層3亦係光學調整層，其以如參照圖2所示於其後之步驟中將透光性無機層4形成為配線圖案後，使非圖案部9與圖案部10之差異不被辨識之方式(即，以抑制配線圖案之視認之方式)調整透光性膜1之光學物性。
保護層3具有膜形狀(包含片形狀)，且以接觸於透明基材2之上表面之方式配置於透明基材2之整個上表面。
保護層3係由樹脂組合物製備。
樹脂組合物例如含有樹脂及粒子。樹脂組合物較佳為僅含有樹脂，更佳為僅由樹脂構成。
作為樹脂，可列舉：硬化性樹脂、熱塑性樹脂(例如，聚烯烴樹脂)等，較佳為列舉硬化性樹脂。
作為硬化性樹脂，可列舉：例如藉由活性能量線(具體而言，紫 外線、電子束等)之照射而硬化之活性能量線硬化性樹脂、例如藉由加熱而硬化之熱硬化性樹脂等，較佳為列舉活性能量線硬化性樹脂。
活性能量線硬化性樹脂例如可列舉：分子中具備具有聚合性碳-碳雙鍵之官能基之聚合物。作為此種官能基，例如可列舉：乙烯基、(甲基)丙烯醯基(甲基丙烯醯基及/或丙烯醯基)等。
作為活性能量線硬化性樹脂，例如可列舉：側鏈含有官能基之(甲基)丙烯酸系樹脂(丙烯酸系樹脂及/或甲基丙烯酸系樹脂)等。
該等樹脂可單獨使用或並用兩種以上。
作為粒子，例如可列舉：無機粒子、有機粒子等。作為無機粒子，可列舉：例如二氧化矽粒子、例如包含氧化鋯、氧化鈦等之金屬氧化物粒子、例如碳酸鈣等碳酸鹽粒子等。作為有機粒子，例如可列舉交聯丙烯酸系樹脂粒子等。
保護層3之厚度例如為0.1μm以上，較佳為1μm以上，又，例如為10μm以下，較佳為5μm以下。保護層3之厚度例如係藉由利用穿透式電子顯微鏡(TEM，Transmission Electron Microscope)之剖面觀察而測定。
4.透光性無機層
透光性無機層4係用以如參照圖2所示於其後之步驟中形成為配線圖案而形成圖案部10之導電層。又，透光性無機層4包含透明導電層。
如圖1所示，透光性無機層4係透光性膜1之最上層，且具有膜形狀(包含片形狀)，以接觸於保護層3之上表面之方式配置於保護層3之整個上表面。
透光性無機層4依序具備：第1無機氧化物層5、金屬層6、及第2無機氧化物層7。即，透光性無機層4具備：配置於保護層3上之第1無機氧化物層5、配置於第1無機氧化物層5上之金屬層6、及配置於金屬 層6上之第2無機氧化物層7。又，透光性無機層4較佳為僅由第1無機氧化物層5、金屬層6、及第2無機氧化物層7構成。
5.第1無機氧化物層
第1無機氧化物層5係與下述金屬層6及第2無機氧化物層7共同對透光性無機層4賦予導電性之導電層。又，第1無機氧化物層5亦係防止透明基材2中所含有之源自水之氫、或保護層3中所含有之源自有機物之碳浸出至金屬層6之阻擋層。進而，第1無機氧化物層5亦係用以與下述第2無機氧化物層7共同抑制金屬層6之可見光反射率，提高透光性無機層4之可見光透過率之光學調整層。
第1無機氧化物層5係透光性無機層4中之最下層，且具有膜形狀(包含片形狀)，以接觸於保護層3之上表面之方式配置於保護層3之整個上表面。
第1無機氧化物層5含有可於下述蝕刻液中溶解之無機氧化物作為主成分。
作為無機氧化物，例如可列舉：由選自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W所組成之群中之至少1種金屬所形成之金屬氧化物等。可於金屬氧化物中視需要進而摻雜上述群中所示之金屬原子。
作為無機氧化物，就降低比電阻之觀點、及確保優異之透明性之觀點而言，可列舉的是含氧化銦之氧化物，更佳可列舉的是銦錫複合氧化物(ITO，Indium Tin Oxides)。
ITO中所含有之氧化錫(SnO2)之含量相對於氧化錫及氧化銦(In2O3)之合計量，例如為0.5質量%以上，較佳為3質量%以上，更佳為6質量%以上，進而較佳為8質量%以上，尤佳為10質量%以上，最佳為超過10質量%，且，例如為35質量%以下，較佳為20質量%以下，更佳為15質量%以下，進而較佳為13質量%以下。氧化銦之含量 (In2O3)係氧化錫(SnO2)之含量之剩餘部分。藉由將ITO中所含有之氧化錫(SnO2)之含量設為較佳之範圍，而容易抑制ITO膜之經時之膜質變化。
無機氧化物可為晶質及非晶質中之任一種。就容易如參照圖2所示於其後之步驟中實施圖案化之觀點而言，無機氧化物較佳為非晶質。
於本申請案中，於25,000倍下之俯視TEM圖像中，於晶粒所占之面積比率為50%以下(較佳為0%以上且30%以下)之情形時，設為非晶質，於超過50%(較佳為80%以上)之情形時，設為晶質。
無機氧化物於第1無機氧化物層5中之含有比率例如為95質量%以上，較佳為98質量%以上，更佳為99質量%以上，又，例如未達100質量%。
又，第1無機氧化物層5含有氫原子。氫原子例如並非源自作為主成分含有於第1無機氧化物層5之無機氧化物，而源自透明基材2之高分子膜所含有之水(H2O)或吸附於乾式裝置(具體而言，濺鍍裝置等真空裝置)內之水(H2O)(於其後之製造方法中進行詳述)。
第1無機氧化物層5中之氫原子之含量H1例如為5×1019atoms/cm3以上，較佳為10×1019atoms/cm3以上，更佳為50×1019atoms/cm3以上，進而較佳為100×1019atoms/cm3以上，又，例如為8,000×1019atoms/cm3以下，較佳為4000×1019atoms/cm3以下，更佳為800×1019atoms/cm3以下。
若第1無機氧化物層5中之氫原子之含量H1為上述上限以下，則可防止第1無機氧化物層5於濕熱環境下之膜質之劣化。
另一方面，若第1無機氧化物層5中之氫原子之含量H1為上述下限以上，則可抑制第1無機氧化物層5之經時之結晶化，可維持良好之蝕刻性。
進而，第1無機氧化物層5含有碳原子。碳原子例如並非源自上述無機氧化物，而源自上述保護層3中所含有之有機物。
第1無機氧化物層5中之碳原子之含量C1係以第1無機氧化物層5中之氫原子之含量H1與碳原子之含量C1之合計含量(H1+C1)例如成為6×1019atoms/cm3以上，較佳為成為10×1019atoms/cm3以上，更佳為成為20×1019atoms/cm3以上，進而較佳為成為100×1019atoms/cm3以上，又，例如為成為10,000×1019atoms/cm3以下，較佳為成為5000×1019atoms/cm3以下，更佳為成為1000×1019atoms/cm3以下之方式進行調整。
若合計含量H1+C1為上述上限以下，則可獲得濕熱耐久性優異之第1無機氧化物層。
另一方面，若合計含量H1+C1為上述下限以上，則可提高第1無機氧化物層5之蝕刻性。
具體而言，第1無機氧化物層5中之碳原子之含量C1例如為1×1019atoms/cm3以上，較佳為3×1019atoms/cm3以上，更佳為10×1019atoms/cm3以上，又，例如為100×1019atoms/cm3以下，較佳為50×1019atoms/cm3以下，更佳為30×1019atoms/cm3以下。第1無機氧化物層5中之碳原子之含量C1係藉由針對第1無機氧化物層5之厚度方向中央部之二次離子質譜法而進行測定。
第1無機氧化物層5之厚度T1例如為5nm以上，較佳為20nm以上，更佳為30nm以上，又，例如為60nm以下，較佳為50nm以下。若第1無機氧化物層5之厚度T1為上述範圍，則容易將透光性無機層4之可見光透過率調整為較高之水準。第1無機氧化物層5之厚度T1例如係藉由利用穿透式電子顯微鏡(TEM)之剖面觀察而測定。
6.金屬層
金屬層6係與第1無機氧化物層5及第2無機氧化物層7共同對透光 性無機層4賦予導電性之導電層。又，金屬層6亦係降低透光性無機層4之比電阻之低比電阻化層。
金屬層6具有膜形狀(包含片形狀)，且係以接觸於第1無機氧化物層5之上表面之方式配置於第1無機氧化物層5之上表面。
形成金屬層6之金屬例如係比電阻較小之金屬，且係可於與對第1無機氧化物層5進行蝕刻之蝕刻液相同之蝕刻液中溶解之金屬。金屬材料並無限定，例如可由選自由Ti、Si、Nb、In、Zn、Sn、Au、Ag、Cu、Al、Co、Cr、Ni、Pb、Pd、Pt、Cu、Ge、Ru、Nd、Mg、Ca、Na、W、Zr、Ta及Hf所組成之群中之1種金屬構成，或可列舉含有兩種以上金屬之合金。
作為金屬，較佳為列舉：銀(Ag)、銀合金，更佳為列舉銀合金。若金屬為銀或銀合金，則除了可減小透光性無機層4之電阻值以外，亦可獲得近紅外線區域(波長850~250nm)之平均反射率尤其高之透光性無機層4，亦可較佳地應用於在室外所使用之畫質顯示裝置用途。
銀合金含有銀作為主成分，含有其他金屬作為副成分，具體而言，例如可列舉：Ag-Pd合金、Ag-Pd-Cu合金、Ag-Pd-Cu-Ge合金、Ag-Cu-Au合金、Ag-Cu-Sn合金、Ag-Ru-Cu合金、Ag-Ru-Au合金、Ag-Nd合金、Ag-Mg合金、Ag-Ca合金、Ag-Na合金等。就加濕耐久性之觀點而言，作為銀合金，較佳為含Cu之Ag合金(例如為Ag-Cu合金、Ag-Cu-Sn合金等)、含Pd之Ag(例如為Ag-Pd合金等)合金、含Cu、Pd之Ag合金(例如為Ag-Pd-Cu合金等)。
銀合金(較佳為Ag-Pd合金)中之銀之含有比率例如為80質量%以上，較佳為90質量%以上，更佳為95質量%以上，又，例如為99.9質量%以下。銀合金中之其他金屬之含有比率係上述銀之含有比率之剩餘部分。於金屬為Ag-Pd合金之情形時，Ag-Pd合金中之Pd之含有比 率具體而言例如為0.1質量%以上，又，例如為10質量%以下，較佳為5質量%以下，更佳為1質量%以下。
關於金屬層6之厚度，就提高透光性無機層4之透過率之觀點而言，例如為1nm以上，較佳為5nm以上，又，例如為20nm以下，較佳為10nm以下。
7.第2無機氧化物層
第2無機氧化物層7係與第1無機氧化物層5及金屬層6共同對透光性無機層4賦予導電性之導電層。又，第2無機氧化物層7亦係防止環境中之氧氣或水分等浸出至金屬層6之阻擋層，亦係用以抑制金屬層6之可見光反射率，提高透光性無機層4之可見光透過率之光學調整層。
第2無機氧化物層7係透光性無機層4中之最上層，且具有膜形狀(包含片形狀)，以接觸於金屬層6之上表面之方式配置於金屬層6之整個上表面。
第2無機氧化物層7含有第1無機氧化物層5中所例示之無機氧化物，具體而言係可於與對第1無機氧化物層5進行蝕刻之蝕刻相同之蝕刻液中溶解之無機氧化物，較佳為含有氧化銦，更佳為包含ITO。
無機氧化物於第2無機氧化物層7中之含有比率例如為95質量%以上，較佳為98質量%以上，更佳為99質量%以上，又，例如未達100質量%。
又，第2無機氧化物層7含有氫原子。氫原子例如並非源自作為主成分含有於第2無機氧化物層7中之無機氧化物，而源自透明基材2之高分子膜所含有之水(H2O)或吸附於乾式裝置(具體而言，濺鍍裝置等真空裝置)內之水(H2O)(於其後之製造方法中進行詳述)。
第2無機氧化物層7中之氫原子之含量H2係以第2無機氧化物層7中之氫原子之含量H2相對於第1無機氧化物層5中之氫原子之含量H1 之比(H2/H1)成為0.10以上且10.00以下之方式設定。
另一方面，若氫原子之比(H2/H1)未達0.10，則第1無機氧化物層5中之氫原子之含量H1相對於第2無機氧化物層7中之氫原子之含量H2過高。因此，於下述透光性無機層4之蝕刻中，第1無機氧化物層5之利用蝕刻液之蝕刻速度R1相對於第2無機氧化物層7之利用蝕刻液之蝕刻速度R2過快。其結果，如圖3所示，於透光性無機層4之蝕刻時，於第1無機氧化物層5之端部形成過蝕刻部11。
再者，如圖3所示，過蝕刻部分11具有剖面大致三角形狀。然而，過蝕刻部11之形狀並不限定於圖3所示之形狀。例如，雖未圖示，但進行了過蝕刻之第1無機氧化物層5之兩端部之剖面亦可成為相對於金屬層6之面方向垂直之形狀。
另一方面，若比(H2/H1)超過10.00，則第2無機氧化物層7中之氫原子之含量H2相對於第1無機氧化物層5中之氫原子之含量H1過高。因此，於透光性無機層4之蝕刻中，第2無機氧化物層7之利用蝕刻液之蝕刻速度R2相對於第1無機氧化物層5之利用蝕刻液之蝕刻速度R1過快。其結果，如圖4所示，於透光性無機層4之蝕刻時，於第2無機氧化物層7之端部形成過蝕刻部11。
又，第2無機氧化物層7中之氫原子之含量H2係以第2無機氧化物層7中之氫原子之含量H2相對於第1無機氧化物層5中之氫原子之含量H1之比(H2/H1)較佳為成為0.20以上，更佳為成為0.40以上，進而較佳為成為0.50以上，進而較佳為成為0.75以上，又，較佳為成為5.00以下，更佳為成為2.50以下，進而較佳為成為1.50以下，尤佳為成為1.25以下，最佳為成為1.20以下之方式設定。
若比(H2/H1)為上述下限以上，則於對透光性無機層4進行蝕刻時，可抑制於第1無機氧化物層5之端部形成過蝕刻部11。
另一方面，若比(H2/H1)為上述上限以下，則於對透光性無機層4 進行蝕刻時，可抑制於第2無機氧化物層7之端部形成過蝕刻部11。
即，若比(H2/H1)為上述下限以上且上述上限以下，則可使第1無機氧化物層5之利用蝕刻液之蝕刻速度R1與第2無機氧化物層7之利用蝕刻液之蝕刻速度R2近似。因此，可抑制於第1無機氧化物層5及第2無機氧化物層7之任一者形成過蝕刻部11。
第2無機氧化物層7中之氫原子之含量H2相對於第1無機氧化物層5中之氫原子之含量H1之比(H2/H1)係於下述第1無機氧化物層5及第2無機氧化物層7之製造方法中進行調整。
具體而言，第2無機氧化物層7中之氫原子之含量H2例如為5×1019atoms/cm3以上，較佳為10×1019atoms/cm3以上，較佳為100×1019atoms/cm3以上，又，例如為8,000×1019atoms/cm3以下，較佳為4000×1019atoms/cm3以下，更佳為800×1019atoms/cm3以下，進而較佳為300×1019atoms/cm3以下。
若第2無機氧化物層7中之氫原子之含量H2為上述上限以下，則可防止第2無機氧化物層7於濕熱環境下之膜質之劣化。若第2無機氧化物層7中之氫原子之含量H2為上述下限以上，則可抑制第2無機氧化物層7之經時之結晶化，可保持良好之蝕刻性。
第2無機氧化物層7中之氫原子之含量H2係藉由針對第2無機氧化物層7之厚度方向中央部之二次離子質譜法而測定。
進而，第2無機氧化物層7含有碳原子。碳原子例如並非源自上述無機氧化物，而源自上述透明基材2之高分子膜所含有之有機物(於其後之製造方法中進行詳述)。
第2無機氧化物層7中之碳原子之含量C2係以第2無機氧化物層7中之氫原子之含量H2與碳原子之含量C2之合計含量(H2+C2)例如成為6×1019atoms/cm3以上，較佳為成為10×1019atoms/cm3以上，更佳為成為20×1019atoms/cm3以上，進而較佳為成為100×1019atoms/cm3以 上，且，例如成為10,000×1019atoms/cm3以下，較佳為成為5000×1019atoms/cm3以下，更佳為成為1000×1019atoms/cm3以下之方式調整。
若合計含量(H2+C2)為上述上限以下，則可獲得濕熱耐久性優異之第2無機氧化物層7。若合計含量(H2+C2)為上述下限以上，則可獲得蝕刻性優異之第2無機氧化物層7。
具體而言，第2無機氧化物層7中之碳原子之含量C2例如為1×1019atoms/cm3以上，較佳為2×1019atoms/cm3以上，更佳為3×1019atoms/cm3以上，且，例如為100×1019atoms/cm3以下，較佳為50×1019atoms/cm3以下，更佳為30×1019atoms/cm3以下，進而較佳為10×1019atoms/cm3以下。
第2無機氧化物層7中之氫原子之含量H2與碳原子之含量C2之合計含量(H2+C2)相對於第1無機氧化物層5中之氫原子之含量H1與碳原子之含量C1之合計含量(H1+C1)之比「(H2+C2)/(H1+C1)」較佳為大於氫原子之比(H2/H1)，{(H2+C2)/(H1+C1)}/(H2/H1)之值例如為1.01以上，較佳為1.03以上，又，例如為3.00以下，較佳為2.00以下，更佳為1.50以下。雖然配置於與大氣接觸之側之第2無機氧化物層7與第1無機氧化物層5相比，容易因大氣中之氧氣而成為結晶膜，但藉由除存在充分之氫原子量以外，進而含有大量碳原子，而有維持非晶質性，容易確保蝕刻性之傾向。雖然其原因並不限定於任何理論，但推測係由於碳原子之原子尺寸大於氫原子，容易阻礙無機氧化物層之結晶化。氫原子與碳原子之合計含量之比(H2+C2)/(H1+C1)大於氫原子之比(H2/H1)之情形與並非如此之情形相比，即便第1無機氧化物層5及第2無機氧化物層7之氫原子量之含量為較小之水準(例如為10×1019atoms/cm3左右)，亦更容易維持良好之蝕刻性。另一方面，於{(H2+C2)/(H1+C1)}/(H2/H1)之值過大之情形(例如，值超過3.00之情形)時，有第2無機氧化物層7之膜質劣化，濕熱耐久性變差 之虞。
第2無機氧化物層7之厚度T2係以第2無機氧化物層之厚度T2相對於第1無機氧化物層之厚度T1之比(T2/T1)例如成為0.5以上，較佳為成為0.75以上，又，例如成為1.5以下，較佳為成為1.25以下之方式調整。
若比(T2/T1)為上述下限以上且上述上限以下，則即便於濕熱環境下亦可抑制金屬層6之劣化。
具體而言，第2無機氧化物層7之厚度T2例如為5nm以上，較佳為20nm以上，進而較佳為30nm以上，又，例如為60nm以下，較佳為50nm以下。若第2無機氧化物層7之厚度T2為上述範圍，則容易將透光性無機層4之可見光透過率調整為較高之水準。
並且，透光性無機層4之厚度，即第1無機氧化物層5、金屬層6及第2無機氧化物層7之總厚度例如為20nm以上，較佳為40nm以上，更佳為60nm以上，進而較佳為80nm以上，又，例如為150nm以下，較佳為120nm以下，更佳為100nm以下。
8.透光性膜之製造方法
繼而，對製造透光性膜1之方法進行說明。
於製造透光性膜1時，例如於透明基材2上依序配置(積層)保護層3、第1無機氧化物層5、金屬層6、及第2無機氧化物層7。
於該方法中，如參照圖1所示，首先，準備透明基材2。
所準備之透明基材2(高分子膜)中之水分量例如為10μg/cm2以上，較佳為15μg/cm2以上，又，例如為200μg/cm2以下，較佳為170μg/cm2以下。若水分量為上述下限以上，則容易抑制其後形成之第1無機氧化物層5及第2無機氧化物層7之結晶性之經時之大幅變化。另一方面，若水分量為上述上限以下，則容易抑制第2無機氧化物層7中之氫原子之含量H2與第1無機氧化物層5中之氫原子之含量H1之差增 大。透明基材2中之水分量係依據JIS K 7251(2002年)B法-水分氣化法進行測定。
又，透明基材2(高分子膜)中所含有之水相對於透明基材2之含量例如為0.05質量%以上，較佳為0.1質量%以上，又，例如亦為1.5質量%以下，較佳為1.0質量%以下，更佳為0.5質量%以下。
再者，上述水之一部分或全部係於其後說明之脫氣處理中被釋出至外部。
繼而，將樹脂組合物例如藉由濕式而配置於透明基材2之上表面。
具體而言，首先，將樹脂組合物塗佈於透明基材2之上表面。其後，於樹脂組合物含有活性能量線硬化性樹脂之情形時，照射活性能量線。
藉此，於透明基材2之整個上表面形成膜形狀之保護層3。即，獲得具備透明基材2及保護層3之附保護層之透明基材12。
於保護層3中以適當之比率含有有機物。
其後，視需要對附保護層之透明基材12進行脫氣處理。
於對附保護層之透明基材12進行脫氣處理時，將附保護層之透明基材12放置於例如為1×10-1Pa以下，較佳為1×10-2Pa以下，又，例如為1×10-3Pa以下，較佳為5×10-4Pa以下之減壓環境下。脫氣處理係使用其後詳述之乾式裝置中所具備之排氣裝置(具體而言，包含渦輪分子泵等)實施。
藉由該脫氣處理，透明基材2中所含有之水之一部分、或保護層3中所含有之有機物之一部分釋出至外部。
繼而，將透光性無機層4例如藉由乾式而配置於保護層3之上表面。
具體而言，將第1無機氧化物層5、金屬層6及第2無機氧化物層7 各者依序藉由乾式進行配置。
作為乾式，例如可列舉：真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆法等。較佳為列舉濺鍍法。具體而言，可列舉磁控濺鍍法。
作為用於濺鍍法之氣體，例如可列舉Ar等惰性氣體。又，視需要可並用氧氣等反應性氣體。於並用反應性氣體之情形時，反應性氣體之流量比並無特別限定，以反應性氣體之流量相對於惰性氣體之流量之比計，例如為0.1/100以上，較佳為1/100以上，又，例如為5/100以下。
具體而言，於第1無機氧化物層5之形成時，作為氣體，較佳為並用惰性氣體及反應性氣體。於金屬層6之形成時，作為氣體，較佳為單獨使用惰性氣體。於第2無機氧化物層7之形成時，作為氣體，較佳為並用惰性氣體及反應性氣體。
用於濺鍍法之電源並無限定，例如可為DC(Direct Current，直流)電源、MF/AC(Medium Frequency/Alternating Current，中頻/交流)電源及RF(Radio Frequency，射頻)電源中之任一種，又，亦可為該等之組合。
又，較佳為於利用濺鍍法而形成第1無機氧化物層5時，將透明基材2(及保護層3)進行冷卻。具體而言，使透明基材2之下表面(即，透明基材2中與形成第1無機氧化物層5側之面(即，透明基材2之上表面)相反側之面)接觸於冷卻裝置(例如冷卻輥)等，將透明基材2(及保護層3)進行冷卻。藉此，於形成第1無機氧化物層5時，可抑制因由濺鍍所產生之蒸鍍熱等而使透明基材2中所含有之水、及保護層3中所含有之有機物大量釋出，而於第1無機氧化物層5中過量地含有水。冷卻溫度例如為-30℃以上，較佳為-10℃以上，又，例如為60℃以下，較佳為40℃以下，更佳為20℃以下。
藉此，使依序形成第1無機氧化物層5、金屬層6及第2無機氧化 物層7而成之透光性無機層4形成於保護層3上。
又，透光性無機層4之表面電阻值例如為40Ω/□以下，較佳為30Ω/□以下，更佳為20Ω/□以下，進而較佳為15Ω/□以下，又，例如為0.1Ω/□以上，較佳為1Ω/□以上，更佳為5Ω/□以上。
透光性無機層4之比電阻例如為2.5×10-4Ω‧cm以下，較佳為2.0×10-4Ω‧cm以下，更佳為1.5×10-4Ω‧cm以下，進而較佳為1.1×10-4Ω‧cm以下，又，亦例如為0.01×10-4Ω‧cm以上，較佳為0.1×10-4Ω‧cm以上，更佳為0.5×10-4Ω‧cm以上。
透光性無機層4之比電阻係使用透光性無機層4之厚度(第1無機氧化物層、金屬層6、第2無機氧化物層7之總厚度)、及透光性無機層4之表面電阻值而算出。
又，透光性無機層4較佳為近紅外線(波長850~2500nm)之平均反射率較高。具備近紅外線區域之反射率較高之金屬層6(例如，包含銀或銀合金之金屬層6)之透光性無機層4例如與包含導電性氧化物(例如ITO等)之透明無機氧化物相比，近紅外線之平均反射率較高，可有效率地遮斷太陽光等熱線。因此，亦可較佳地應用於面板溫度容易上升之環境(例如室外等)下所使用之圖像顯示裝置。透光性無機層4之近紅外線(波長為850~2500nm)之平均反射率例如為10%以上，較佳為20%以上，更佳為40%以上，進而較佳為50%以上，又，例如為95%以下，較佳為90%以下。
並且，將第2無機氧化物層7中之氫原子之含量H2相對於第1無機氧化物層5中之氫原子之含量H1之比(H2/H1)設定為上述範圍之方法並無限定，較佳為選擇以下(1)~(2)中之至少一者。
(1)於利用乾式形成第1無機氧化物層5及第2無機氧化物層7時，向乾式裝置內之環境中導入水(水蒸氣)。水之導入方法並無限定，例如將藉由使惰性氣體經由設置於裝置外部之蒸餾水儲槽所製備之包含 水蒸氣與惰性氣體之混合氣體導入至乾式裝置內。藉此，可容易地導入水。進而設置複數之氣體導入路徑，以不同路徑分別導入包含水蒸氣與惰性氣體之混合氣體、及惰性氣體(不含水蒸氣之氣體)，適當變更其導入比率。關於第1無機氧化物層5及第2無機氧化物層7之形成時之水之導入量，以水蒸氣之流量相對於惰性氣體之流量之比計，例如為0.01/100以上，較佳為0.1/100以上，更佳為0.5/100以上，進而較佳為1/100以上，例如為20/100以下，更佳為10/100以下。於以不同路徑導入包含水蒸氣與惰性氣體之混合氣體、及惰性氣體之情形時，關於第1無機氧化物層5及第2無機氧化物層7之形成時之水之導入量，以包含水蒸氣與惰性氣體之混合氣體之流量相對於惰性氣體之流量之比計，例如為1/100以上，較佳為10/100以上，更佳為15/100以上，例如為80/100以下，為50/100以下。第2無機氧化物層7較佳為形成時之水導入量多於第1無機氧化物層5，以形成第2無機氧化物層7時導入之水導入量相對於形成第1無機氧化物層5時導入之水導入量之比(於形成第2無機氧化物層7時導入之水導入量/於形成第1無機氧化物層5時導入之水導入量)計，例如為110/100以上，較佳為120/100以上，更佳為150/100以上。
根據該(1)，可簡單地控制第1無機氧化物層5中之氫原子之含量H1、及第2無機氧化物層7中之氫原子之含量H2各者。
(2)將自開始透光性無機層4之形成至結束為止之時間，具體而言自開始第1無機氧化物層5之形成至結束第2無機氧化物層7之形成之時間設定為短時間，具體而言，例如設定為15分鐘以下，較佳為設定為10分鐘以下，更佳為設定為5分鐘以下，進而較佳為設定為3分鐘以下，又，例如設定為5秒以上，較佳為設定為30秒以上。
於藉由乾式而形成第1無機氧化物層5及第2無機氧化物層7時，源自透明基材2之氣體成分(具體而言，水等)於真空(減壓)環境下經時 地減少。並且，於藉由乾式而形成第2無機氧化物層7時，第2無機氧化物層7中所含有之水之含量於真空(減壓)環境下經時明顯減少。因此，根據該(2)，若以短時間完成透光性無機層4之形成，則抑制第2無機氧化物層7中所含有之水降低之比率，故而可使第2無機氧化物層7中之氫原子之含量H2與第1無機氧化物層5中之氫原子之含量H1近似(換言之，減小H2與H1之差)，使H2/H1近似於1。
為了將第2無機氧化物層7中之氫原子之含量H2相對於第1無機氧化物層5中之氫原子之含量H1之比(H2/H1)設定為上述範圍，較佳為並用(1)及(2)。
藉此，獲得如圖1所示依序具備透明基材2、保護層3、第1無機氧化物層5、金屬層6、及第2無機氧化物層7之透光性膜1。
由於透光性膜1具備在金屬層6之上表面及下表面具備光學調整層(第1無機氧化物層5及第2無機氧化物層7)之透光性無機層4，故而即便透光性無機層4包含大致上可見光反射率較高之金屬層6(具體而言，例如波長550nm之反射率為15%以上，進而為30%以上之金屬層6)，亦可實現較高之可見光透過率。透光性膜1之可見光透過率例如為60%以上，較佳為70%以上，更佳為80%以上，進而較佳為85%以上，最佳為超過86%，又，例如為95%以下。
透光性膜1之總厚度例如為2μm以上，較佳為20μm以上，又，例如為300μm以下，較佳為200μm以下，更佳為150μm以下。
再者，可利用捲對捲式方式實施上述製造方法。又，亦可利用分批方式實施一部分或全部。
9.透光性無機層之圖案化
其後，如圖2所示，藉由蝕刻而將透光性無機層4形成為配線圖案。藉此，於保護層3上形成非圖案部9及圖案部10。於非圖案部9中，保護層3之上表面自圖案部10露出。
具體而言，首先，將感光性膜配置於第2無機氧化物層7之整個上表面，繼而，如參照圖2所示，經由具有對應於非圖案部9及圖案部10之圖案之光罩進行曝光，其後進行顯影，藉此將對應於非圖案部9之感光性膜去除。藉此，於成為圖案部10之透光性無機層4之上表面形成具有與圖案部10相同圖案之蝕刻阻劑8。
其後，對自蝕刻阻劑8露出之透光性無機層4使用蝕刻液進行蝕刻。作為蝕刻液，只要為可將至少第1無機氧化物層5及第2無機氧化物層7，較佳為第1無機氧化物層5、金屬層6及第2無機氧化物層7溶解之蝕刻液，則其組成並無限定，例如可列舉：鹽酸、硫酸、硝酸、乙酸、草酸、磷酸及該等之混酸等酸。藉此，將對應於非圖案部9之第2無機氧化物層7、金屬層6及第1無機氧化物層5去除。
藉此，如圖2所示，將透光性無機層4形成為具有條紋形狀之圖案部10之配線圖案。圖案部10例如係於前後方向延伸、於左右方向相互隔開間隔(非圖案部9)而整齊排列配置有複數個。各圖案部10之寬度L例如為1μm以上且3000μm以下。鄰接之圖案部10之間隔S例如為1μm以上且3000μm以下。
其後，例如藉由剝離等將蝕刻阻劑8自第2無機氧化物層7之上表面去除。
其後，透光性膜1例如係設置於光學裝置。
作為光學裝置，例如可列舉：圖像顯示裝置、調光裝置等。
於將透光性膜1設置於圖像顯示裝置(具體而言，具有LCD模組等圖像顯示元件之圖像顯示裝置)之情形時，透光性膜1例如係用作觸控面板用基材。作為觸控面板之形式，可列舉：光學方式、超音波方式、靜電電容方式、電阻膜方式等各種方式，尤其可較佳地用於靜電電容方式之觸控面板。
又，可將透光性膜1例如用作近紅外線反射用基材。例如藉由於 圖像顯示裝置中設置波長850~2500nm之近紅外線之平均反射率較高(例如為10%以上)之透光性膜1，可較佳地應用於面向室外使用之畫質顯示裝置。透光性膜1例如亦可作為貼合於偏光膜之透光性無機層積層偏光膜而設置於圖像顯示裝置。
又，於將透光性膜1設置於調光裝置(具體而言，具有LED等光源之調光裝置)之情形時，透光性膜1例如係作為調光膜而設置。
10.作用效果
根據該透光性膜1，可將第1無機氧化物層5及第2無機氧化物層7兩者藉由蝕刻而確實地圖案化，並且可抑制過蝕刻部分11之形成。
即，由於比(H2/H1)為0.10以上且10.00以下，故而可使第1無機氧化物層5及第2無機氧化物層7之物性(例如膜質)近似。具體而言，可使第1無機氧化物層5之利用蝕刻液之蝕刻速度R1與第2無機氧化物層7之利用蝕刻液之蝕刻速度R2近似。因此，可抑制於第1無機氧化物層5及第2無機氧化物層7之任一者產生過蝕刻部11。
另一方面，於日本專利特開2003-36037號公報中，揭示有具備銀合金導電層與導電保護層之銀合金配線，且揭示有基於銀合金導電層之蝕刻速度與導電保護層之蝕刻速度之差異，於銀合金導電層形成側面蝕刻部分(過蝕刻部分)的內容。然而，日本專利特開2003-36037號公報並非如上述「發明所欲解決之問題」欄中記載般揭示第1無機氧化物層或第2無機氧化物層中之過蝕刻部分者。
又，於該透光性膜1中，若第1無機氧化物層中之氫原子之含量H1、及第2無機氧化物層中之氫原子之含量H2均為5×1019atoms/cm3以上且8,000×1019atoms/cm3以下，則可保持優異之濕熱耐久性。
又，於該透光性膜1中，若第1無機氧化物層5及第2無機氧化物層7中之至少一者含有氧化銦，則可兼具良好之蝕刻性與耐環境性。
又，於該透光性膜1中，若第1無機氧化物層5及第2無機氧化物 層7均為非晶質，則可容易地實施藉由蝕刻之圖案化。
又，於該透光性金屬積層膜1中，若金屬層6為包含銀或銀合金之金屬層，則近紅外線之平均反射率較高，可有效率地遮斷太陽光等熱線。
又，於該透光性膜1中，若金屬層6為包含銀或銀合金之金屬層，則近紅外線之平均反射率較高，可有效率地遮斷太陽光等熱線。
又，於該透光性膜1中，若第2無機氧化物層7之厚度T2相對於第1無機氧化物層5之厚度T1之比(T2/T1)為0.5以上且1.5以下，則可抑制金屬層6之劣化。
又，於該透光性膜1中，第1無機氧化物層5及第2無機氧化物層7進而含有碳原子，且若第1無機氧化物層5中之氫原子之含量H1與碳原子之含量C1之合計含量(H1+C1)、及第2無機氧化物層7中之氫原子之含量H2與碳原子之含量C2之合計含量(H2+C2)均為6×1019atoms/cm3以上且10,000×1019atoms/cm3以下，則透光性無機層4之非晶質性優異，可進一步確實地維持蝕刻性。
11.變化例
於變化例中，關於與上述一實施形態相同之構件及步驟係附以相同之參照符號，並省略其詳細之說明。
於一實施形態中，作為第1無機氧化物層5及第2無機氧化物層7中之無機氧化物，均例示ITO，但例如可使一者中之無機氧化物含有ITO，使另一者中之無機氧化物含有ITO以外之無機氧化物(例如TiOx、IZO(Indium Zinc Oxide，氧化銦鋅)、IGO(Indium Gallium Oxide，氧化銦鎵)、IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，氧化銦鎵鋅)等)。
於一實施形態中，如圖1所示於透明基材2上設置透光性無機層4，但亦可於透明基材2下進而設置透光性無機層4，但未進行圖示。 即，透光性膜1可於透明基材2之上下兩側分別依序具備保護層3及透光性無機層4。
於一實施形態中，如圖1所示，將保護層3介置於透明基材2及第1無機氧化物層5之間。但例如亦可如圖5所示，將第1無機氧化物層5直接配置於透明基材2之上表面。即，透光性膜1依序具備透明基材2、第1無機氧化物層5、金屬層6及第2無機氧化物層7。另一方面，該透光性膜1不具備保護層3。
於一實施形態中，如圖1所示，將第1無機氧化物層5直接配置於保護層3之上表面。但例如亦可如圖6所示，將無機物層13介置於保護層3及第1無機氧化物層5之間。
無機物層13係與保護層3一同以抑制透光性無機層4中之配線圖案之視認之方式調整透光性膜1之光學物性之光學調整層(第2光學調整層)。無機物層13具有膜形狀(包含片形狀)，且以接觸於保護層3之上表面之方式配置於保護層3之整個上表面。無機物層13具有特定之光學物性，例如由氧化物、氟化物等無機物而製備。無機物層13之厚度為1nm以上，較佳為5nm以上，更佳為10nm以上，又，例如為80nm以下，較佳為40nm以下，更佳為25nm以下。
實施例
以下，例示實施例及比較例，對本發明進而具體地進行說明。再者，本發明並不限定於任何實施例及比較例。又，於以下記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體之數值可替換為上述「實施方式」中所記載之與該等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限值(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限值(定義為「以上」、「超過」之數值)。
實施例1
(膜基材之準備、及保護層之形成)
首先，準備包含長條狀聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜且厚度為50μm之透明基材。再者，所準備之透明基材中之水分量為19μg/cm2，又，水相對於透明基材之含量亦為0.27質量%。
繼而，於透明基材之上表面塗佈包含丙烯酸系樹脂之紫外線硬化性樹脂，藉由紫外線照射而使其硬化，形成包含硬化樹脂層且厚度為2μm之保護層。藉此，獲得具備透明基材及保護層之附保護層之透明基材捲筒。
(第1無機氧化物層之形成)
繼而，將附保護層之透明基材捲筒設置於真空濺鍍裝置並靜置，進行真空排氣直至未搬送時之氣壓成為4×10-3Pa為止(脫氣處理)。此時，於不導入濺鍍氣體(Ar及O2)之狀態下搬送附保護層之透明基材之一部分，確認氣壓上升至2×10-2Pa。藉此，確認於附保護層之透明基材捲筒殘存充分量之氣體。
繼而，一面將附保護層之透明基材捲筒捲出，一面於硬化樹脂層之上表面藉由濺鍍而形成包含銦錫氧化物層且厚度為42nm之第1無機氧化物層。
具體而言，於導入有Ar及O2之氣壓0.3Pa之真空環境下(流量比為Ar：O2=100：1.4)，使用直流(DC)電源，濺鍍包含10質量%之氧化錫與90質量%之氧化銦之燒結體之靶。
再者，於藉由濺鍍而形成第1無機氧化物層時，使附保護層之透明基材捲筒之下表面(具體而言，透明基材之下表面)接觸於-5℃之冷卻輥，將附保護層之透明基材捲筒進行冷卻。
(金屬層之形成)
藉由濺鍍而將包含Ag-Pd合金且厚度為8nm之金屬層形成於第1無機氧化物層之上表面。
具體而言，於導入有Ar之氣壓0.3Pa之真空環境下，使用直流 (DC)電源作為電源，濺鍍Ag-Pd靶(Pd之含有比率：0.5質量%)。
(第2無機氧化物層之形成)
藉由濺鍍而將包含ITO且厚度為40nm之第2無機氧化物層形成於金屬層之上表面。
具體而言，於導入有Ar及O2之氣壓0.4Pa之真空環境下(流量比為Ar：O2=100：1.5)，使用直流(DC)電源，濺鍍包含10質量%之氧化錫與90質量%之氧化銦之燒結體之靶。
又，自開始第1無機氧化物層之形成至完成第2無機氧化物層之形成所需之時間、即形成透光性無機層所需之時間為3.5分鐘。
藉此，獲得於透明基材上依序形成有保護層、第1無機氧化物層、金屬層及第2無機氧化物層之透光性膜。
實施例2
將於真空濺鍍裝置內設置附保護層之透明基材捲筒後之未搬送時之氣壓變更為4×10-4Pa，使用包含12質量%之氧化錫與88質量%之氧化銦之燒結體之靶形成第1無機氧化物層及第2無機氧化物層，將形成透光性無機層所需之時間自3.5分鐘變更為0.7分鐘，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得透光性膜。
實施例3
將濺鍍Ag-Pd靶時之放電輸出減小25%，將金屬層之厚度變更為6nm，除此以外，以與實施例2相同之方式獲得透光性膜。
實施例4
將濺鍍Ag-Pd靶時之放電輸出增大25%，將金屬層之厚度變更為10nm，除此以外，以與實施例2相同之方式獲得透光性膜。
比較例1
將於真空濺鍍裝置內設置附保護層之透明基材捲筒後之未搬送時之氣壓自4×10-3Pa變更為9×10-5Pa，又，將形成透光性無機層所需 之時間自3.5分鐘變更為180分鐘，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得透光性膜。
(測定)
(1)厚度
藉由使用穿透式電子顯微鏡(日立製作所製造之H-7650)之剖面觀察而測定保護層、第1金屬氧化物層、金屬層及第2金屬氧化物之厚度。
又，使用膜厚計(Peacock公司製造之數位千分錶DG-205)測定基材之厚度。
(2)氫原子及碳原子之含量
使用二次離子質譜分析裝置(裝置名「PHI ADEPT-1010」，ULVAC-PHI公司製造)，藉由二次離子質譜法測定第1無機氧化物層中之氫原子及碳原子之含量(H1、C1)。具體而言，藉由二次離子質譜法測定第1無機氧化物層之厚度方向中央部中之氫原子之含量(H1)及碳原子之含量(C1)。
又，對於第2無機氧化物層中之氫原子之含量(H2)及碳原子之含量(C2)，亦以與第1無機氧化物層之測定相同之方式實施。
(3)透光性無機層之比電阻
由依據JIS K7194(1994年)之四探針法所測定之透光性無機層之表面電阻值、及藉由(1)之厚度之測定所求出之透光性無機層之厚度的積，算出透光性無機層之比電阻。將其結果示於表1。
(4)蝕刻性
於透光性無機層4之整個上表面配置感光性膜(DFR，商品名「RY3310」，日立化成公司製造)，繼而如參照圖2所示，利用具有對應於非圖案部及圖案部之形成之圖案的光罩進行曝光，其後進行顯影，藉此將對應於非圖案部之感光性膜去除。藉此，於成為圖案部之 透光性無機層4之上表面形成具有與圖案部相同圖案之蝕刻阻劑13。其後，藉由將自蝕刻阻劑13露出之透光性無機層4浸漬於加溫至40℃之蝕刻液(ADEKA股份有限公司製造之ADEKA CHELUMICA SET-500)中30秒而進行蝕刻。
藉此，如圖2所示，將透光性無機層4形成為具有條紋形狀之圖案部之配線圖案。圖案部之寬度L為100μm，又，非圖案部之寬度S(即，鄰接之圖案部之間隔S)為100μm。
其後，於附抗蝕劑之透光性無機層圖案中，藉由TEM觀察第1無機氧化物層及第2無機氧化物層之過蝕刻部分之有無及程度，基於下述基準，評價蝕刻性。再者，對於第2無機氧化物層，未觀察到過蝕刻部分。
再者，所謂下述「過蝕刻部分之寬度方向長度」，係指自第2無機氧化物層之端緣至第1無機氧化物層中侵蝕至內側之部分中之位於最內側之部分(最深部)之距離D。
基準
○：第1無機氧化物層中之過蝕刻部分之寬度方向長度D未達10μm。
△：第1無機氧化物層中之過蝕刻部分之寬度方向長度D為10μm以上且未達15μm。
×：第1無機氧化物層中之過蝕刻部分之寬度方向長度D為15μm以上。
(5)光學特性
使用測霧計(Suga Test Instruments公司製造，裝置名「HGM-2DP)測定全光線透過率，設為可見光透過率。
又，將附黏著劑之黑色板以不混入氣泡之方式貼合於各實施例、比較例之透光性膜之與透光性無機層相反之側。繼而，使用分光 光度計(Hitachi High-Technologies公司製造之「U-4100」)，以5nm間距測定近紅外線區域(850~2500nm)之光反射率，算出透光性無機層之反射率之平均值(平均反射率)。
將其結果示於表1。
Figure 105105163-A0202-12-0030-1
再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其僅為例示，不應限定地加以解釋。由該技術領域之業者所明確之本發明之變化例係包含於下述申請專利範圍中。
[產業上之可利用性]
透光性膜例如可用於光學裝置等中。
1‧‧‧透光性膜
2‧‧‧透明基材
3‧‧‧保護層
4‧‧‧透光性無機層
5‧‧‧第1無機氧化物層
6‧‧‧金屬層
7‧‧‧第2無機氧化物層
12‧‧‧附保護層之透明基材

Claims (8)

  1. 一種透光性膜，其特徵在於依序包括透明基材及透光性無機層，且上述透明基材包含高分子膜，上述透光性無機層由3層組成，依序為第1無機氧化物層、金屬層、及第2無機氧化物層，上述透光性無機層具有導電性，上述第1無機氧化物層及第2無機氧化物層含有氫原子，且上述第2無機氧化物層中之氫原子之含量H2相對於上述第1無機氧化物層中之氫原子之含量H1之比(H2/H1)為0.10以上且10.00以下。
  2. 一種透光性膜，其特徵在於依序包括透明基材及透光性無機層，且上述透明基材包含高分子膜，上述透光性無機層依序包括第1無機氧化物層、金屬層、及第2無機氧化物層，上述透光性無機層具有導電性，上述第1無機氧化物層及第2無機氧化物層含有氫原子，上述第2無機氧化物層中之氫原子之含量H2相對於上述第1無機氧化物層中之氫原子之含量H1之比(H2/H1)為0.10以上且10.00以下，且上述透光性膜之全光線透過率為80%以上。
  3. 一種透光性膜，其係圖案形成用透光性膜，且依序包括透明基材及透光性無機層，上述透明基材包含高分子膜， 上述透光性無機層依序包括第1無機氧化物層、金屬層、及第2無機氧化物層，上述透光性無機層具有導電性，上述第1無機氧化物層及第2無機氧化物層含有氫原子，且上述第2無機氧化物層中之氫原子之含量H2相對於上述第1無機氧化物層中之氫原子之含量H1之比(H2/H1)為0.10以上且10.00以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之透光性膜，其中上述第1無機氧化物層中之氫原子之含量H1、及上述第2無機氧化物層中之氫原子之含量H2均為5×1019atoms/cm3以上且8,000×1019atoms/cm3以下。
  5. 如請求項1至3中任一項之透光性膜，其中上述第1無機氧化物層及上述第2無機氧化物層中之至少一者含有氧化銦。
  6. 如請求項1至3中任一項之透光性膜，其中上述第1無機氧化物層及上述第2無機氧化物層均為非晶質。
  7. 如請求項1至3中任一項之透光性膜，其中上述第2無機氧化物層之厚度T2相對於上述第1無機氧化物層之厚度T1之比(T2/T1)為0.5以上且1.5以下。
  8. 如請求項1至3中任一項之透光性膜，其中上述第1無機氧化物層及上述第2無機氧化物層進而含有碳原子，且上述第1無機氧化物層中之氫原子之含量H1與碳原子之含量C1之合計含量(H1+C1)、及上述第2無機氧化物層中之氫原子之含量H2與碳原子之含量C2之合計含量(H2+C2)均為6×1019atoms/cm3以上且10,000×1019atoms/cm3以下。
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