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TWI713030B - 非揮發性記憶裝置及記憶胞之讀取動作方法 - Google Patents

非揮發性記憶裝置及記憶胞之讀取動作方法 Download PDF

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TWI713030B
TWI713030B TW108102682A TW108102682A TWI713030B TW I713030 B TWI713030 B TW I713030B TW 108102682 A TW108102682 A TW 108102682A TW 108102682 A TW108102682 A TW 108102682A TW I713030 B TWI713030 B TW I713030B
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片山明
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日商東芝記憶體股份有限公司
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Abstract

實施形態提供一種可進行有效之讀取動作之非揮發性記憶裝置。
實施形態之非揮發性記憶裝置具備：第1及第2配線；記憶胞，其具有可將低電阻狀態及高電阻狀態之一者設定為資料之電阻變化記憶元件、與選擇電阻變化記憶元件之2端子開關元件的串聯連接；讀取電路30，其於第1及第2讀取期間自電阻變化記憶元件讀取資料；寫入電路20，其於第1及第2讀取期間之間的寫入期間將資料寫入電阻變化記憶元件；及判定電路40，其藉由將基於第1讀取期間讀取之資料之第1電壓與基於第2讀取期間讀取之資料之第2電壓比較而判定第1讀取期間讀取之資料；且該非揮發性記憶裝置構成為於第1讀取期間、寫入期間及第2讀取期間，於記憶胞流通同一方向之電流。

Description

非揮發性記憶裝置及記憶胞之讀取動作方法
本發明之實施形態係關於一種非揮發性記憶裝置。
提出有一種於字元線與位元線之交叉點，配置有具有電阻變化記憶元件與具有開關功能之元件之串聯連接之記憶胞的非揮發性記憶裝置。
然而，於先前之交叉點型之非揮發性記憶裝置中，未必可說進行有效之讀取動作。
實施形態提供一種可進行有效之讀取動作之非揮發性記憶裝置。
實施形態之非揮發性記憶裝置係具備：第1配線；第2配線；其與上述第1配線交叉；記憶胞，其係設置於上述第1配線與上述第2配線之間者，且具有可將低電阻狀態及高電阻狀態之一者設定為資料之電阻變化記憶元件、與選擇上述電阻變化記憶元件之2端子開關元件的串聯連接；讀取電路，其於第1讀取期間及第2讀取期間自上述電阻變化記憶元件讀取資料；寫入電路，其於上述第1讀取期間與上述第2讀取期間之間的寫入期間，將資料寫入至上述電阻變化記憶元件；及判定電路，其藉由將基於上述第1讀取期間讀取之資料之第1電壓與基於上述第2讀取期間讀取之資料之第2電壓比較而判定上述第1讀取期間讀取之資料；且該非揮發性 記憶裝置構成為於上述第1讀取期間、上述寫入期間及上述第2讀取期間，同一方向之電流流通於上述記憶胞。
10:記憶胞陣列
11:字元線(第1配線)
12:位元線(第2配線)
13:記憶胞
14:電阻變化記憶元件
15:2端子選擇元件
20:寫入電路
21:寫入驅動器
30:讀取電路
31:取樣保持電路
32:補償電路
35:電晶體對
36:電晶體對
37:電容器
38:電容器
40:判定電路
50:恆定電流電路
51:第1恆定電流源
51a:電晶體
51b:電晶體
52:第2恆定電流源
60:控制電路
a:REN信號
b:REN信號
EVAL:信號
EVALb:信號
GBL:全域位元線
GWL:全域字元線
P1:期間
P2:期間
RD1:第1讀取期間
RD2:第2讀取期間
REN:信號
S/A:取樣保持放大器
SPL:信號
SPLb:信號
V1:電壓
V2:電壓
Va:電壓
Vb:電壓
Vb+△V:電壓
WT:寫入期間
△V:補償電壓
圖1係顯示實施形態之非揮發性記憶裝置之概略構成之方塊圖。
圖2係顯示實施形態之非揮發性記憶裝置之記憶胞陣列之構成的電氣電路圖。
圖3係模式性顯示實施形態之非揮發性記憶裝置之2端子選擇元件之電壓-電流特性的圖。
圖4係顯示實施形態之非揮發性記憶裝置之第1構成例的電氣電路圖。
圖5係顯示實施形態之非揮發性記憶裝置之第1構成例之動作的時序圖。
圖6(a)、(b)係顯示實施形態之非揮發性記憶裝置之第1構成例之動作的時序圖。
圖7係就實施形態之非揮發性記憶裝置之補償電路之功能進行顯示的圖。
圖8係就圖7之比較例進行顯示之圖。
圖9係顯示實施形態之非揮發性記憶裝置之第2構成例的電氣電路圖。
圖10(a)、(b)係顯示實施形態之非揮發性記憶裝置之第2構成例之動作的時序圖。
以下，參照圖式說明實施形態。
圖1係顯示實施形態之非揮發性記憶裝置之概略構成的方塊圖。
圖1所示之非揮發性記憶裝置係具備：記憶胞陣列10、寫入電路20、讀取電路30、判定電路40、恆定電流電路50及控制電路60。
圖2係顯示記憶胞陣列10之構成之電氣電路圖。
圖2所示之記憶胞陣列10包含：複數條字元線(第1配線)11、複數條位元線(第2配線)12及複數個記憶胞13。字元線11與位元線12相互交叉，且於字元線11與位元線12之交叉點(cross point)配置有記憶胞13。具體而言，字元線11、位元線12及記憶胞13具有積層構造，於字元線11與位元線12間設置有記憶胞13。記憶胞13之一端連接於字元線11，記憶胞13之另一端連接於位元線12。
記憶胞13藉由電阻變化記憶元件14、與選擇電阻變化記憶元件14之2端子選擇元件15之串聯連接而構成。陣列狀配置此種記憶胞13而構成記憶胞陣列10。
電阻變化記憶元件14可將低電阻狀態及具有較低電阻狀態更高之電阻之高電阻狀態之一者選擇性地設定為資料(0或1)。例如，可對電阻變化記憶元件14使用磁阻效應元件，即MTJ(magnetic tunnel junction：磁性穿隧接面)元件。
磁阻效應元件14係包含記憶層、參照層、及記憶層與參照層間之穿隧障壁層。於記憶層之磁化方向相對於參照層之磁化方向平行之情形時，磁阻效應元件14呈低電阻狀態。於記憶層之磁化方向相對於參照層之磁化方向反向平行之情形時，磁阻效應元件14呈高電阻狀態。磁阻效 應元件14之電阻狀態(低電阻狀態、高電阻狀態)可根據流通於磁阻效應元件14之寫入電流之方向而設定。又，藉由於磁阻效應元件流通較寫入電流更小之讀取電流而進行讀取。
2端子選擇元件15作為2端子間開關發揮功能。施加於2端子間之電壓小於閾值電壓之情形時，2端子間開關元件為高電阻狀態(例如非電性導通狀態)。施加於2端子間之電壓大於閾值電壓之情形時，2端子間開關元件為低電阻狀態(例如電性導通狀態)。2端子間開關元件亦可於雙向具有上述之功能。
上述之開關元件亦可包含自包含Te、Se及S之群選擇之至少1種硫族元素。或可包含含有該等硫族元素之化合物即硫族化物。又，上述之開關元件亦可包含自包含B、Al、Ga、In、C、Si、Ge、Sn、As、P及Sb之群選擇之至少1種元素。
對字元線11與位元線12之間施加電壓，使施加於2端子選擇元件15之2端子間之電壓大於閾值電壓，藉此，2端子選擇元件15成為低電阻狀態(接通狀態)。
圖3係模式性顯示2端子選擇元件15之電壓-電流特性之圖。若使施加於2端子選擇元件15之2端子間之電壓增加且施加電壓變為V1，則2端子間之電壓減少至V2。若進而使施加電壓增加，則電流急劇增加。即，若一般性記述2端子選擇元件15之電壓-電流特性，則於2端子間之電壓成為V1之前電流單調增加，若2端子間之電壓變為V1，則電壓減少至V2，若使電壓自V2開始增加，則電流單調增加。
返回圖1之說明。
寫入電路20為用以將期望之資料寫入記憶胞13(電阻變化 記憶元件14)之電路。即，由寫入電路20經由2端子選擇元件15使寫入電流流通於電阻變化記憶元件14，藉此將期望之資料(與低電阻狀態或高電阻狀態對應之資料)寫入電阻變化記憶元件14。該寫入電路20由寫入驅動器(W/D)等構成。
讀取電路30為用以自記憶胞13(自電阻變化記憶元件14)讀取資料之電路。即，由讀取電路30經由2端子選擇元件15使讀取電流流通於電阻變化記憶元件14，藉此，讀取記憶於電阻變化記憶元件14之資料(與低電阻狀態或高電阻狀態對應之資料)。該讀取電路30由讀取放大器(S/A)等構成。
判定電路40為判定由讀取電路30讀取之資料(與低電阻狀態或高電阻狀態對應之資料)者。關於該判定電路40，稍後詳細地進行說明。
恆定電流電路50為對記憶胞13供給恆定電流者。關於該恆定電流電路50，稍後詳細地進行說明。
控制電路60為控制寫入電路20、讀取電路30及恆定電流電路50等者。
於本實施形態中，讀取動作根據自我參照讀取方式進行。以下，對自我參照讀取方式進行說明。
例如，於使用磁阻效應元件作為電阻變化記憶元件14之情形時，難以增大電阻變化記憶元件14之讀取餘裕。尤其，若每個元件之電阻值不同，則難以將低電阻狀態與高電阻狀態間之閾值固定為特定值。可藉由使用自我參照讀取方式來減少此種問題。
於自我參照讀取方式中，首先，於第1讀取期間，讀取記 憶於電阻變化記憶元件14之資料。具體而言，預先保持基於第1讀取期間讀取之資料之第1電壓。接著，於寫入期間，將基準資料寫入電阻變化記憶元件14。具體而言，將與低電阻狀態對應之資料或與高電阻狀態對應之資料作為基準資料寫入電阻變化記憶元件14。接著，於第2讀取期間，自電阻變化記憶元件14讀取基於寫入期間寫入之基準資料之資料。具體而言，讀取基於第2讀取期間讀取之資料之第2電壓。接著，藉由將第1電壓與第2電壓進行比較，判定第1讀取期間讀取之資料。即，藉由將第1電壓與第2電壓進行比較，判定第1讀取期間讀取之資料為與低電阻狀態對應之資料或與高電阻狀態對應之資料。該判定動作由判定電路40進行。
例如，設想使用與低電阻狀態對應之資料作為基準資料之情形。於該情形時，於第1電壓與第2電壓幾乎無異之情形時，判定第1讀取期間讀取之資料(原來記憶之資料)為與低電阻狀態對應之資料。於第1電壓與第2電壓之差較大之情形時，判定第1讀取期間讀取之資料(原來記憶之資料)為與高電阻狀態對應之資料。另，為了進一步提高讀取精度，較佳使用稍後敘述之補償電壓。
藉由使用如上所述之自我參照讀取方式，即便每個元件之電阻值不同，亦可確實地讀取記憶於電阻變化記憶元件14之資料(原來記憶之資料)。
於本實施形態中，於上述之自我參照讀取方式中，構成為於第1讀取期間、寫入期間及第2讀取期間，於記憶胞13流通同一方向之電流。即，構成為由控制電路60控制寫入電路20及讀取電路30，藉此於第1讀取期間、寫入期間及第2讀取期間，於記憶胞13流通同一方向之電流。以下，就該點加以說明。
如上已述，2端子選擇元件15具有如圖3所示之電壓-電流特性。即，當2端子選擇元件15一旦變為斷開狀態時，除非將電壓施加至圖3之電壓V1，否則2端子選擇元件15不會再次變為接通狀態。因此，若於讀取期間與寫入期間，流通於記憶胞13之電流之方向改變，則致使於讀取期間與寫入期間之間的期間，2端子選擇元件15暫時變為斷開狀態，且需使2端子選擇元件15再次轉變為接通狀態。因此，難以進行有效之自我參照讀取動作。
於本實施形態中，由於構成為於第1讀取期間、寫入期間及第2讀取期間，於電阻變化記憶元件14流通同一方向之電流，故可防止如上所述之問題，且可進行有效之讀取動作。
又，於本實施形態中，可藉由設置恆定電流電路50，而更有效地防止如上所述之問題。
即便構成為於第1讀取期間、寫入期間及第2讀取期間，於電阻變化記憶元件14流通同一方向之電流，若於讀取期間與寫入期間之間存在電流未流通於記憶胞13之期間，則有於此種期間2端子選擇元件15變為斷開狀態之虞。
於本實施形態中，可藉由設置恆定電流電路50，而於第1讀取期間、寫入期間及第2讀取期間連續地將電流供給至電阻變化記憶元件14。因此，可防止如上所述之問題，且可進行更有效之讀取動作。
接著，對本實施形態之非揮發性記憶裝置之更詳細之構成例(第1構成例)及更詳細之動作，參照圖4(電氣電路圖)及圖5(時序圖)進行說明。
如圖4所示，寫入電路20包含有寫入驅動器(W/D)21，並 由W/D21執行寫入。
讀取電路30包含有取樣保持放大器(S/A)電路31。於S/A電路31內，除S/A主電路外還包含有補償電路32。又，於讀取電路30內包含有恆定電流源(第1恆定電流源)51。即，圖1所示之恆定電流電路50所含之恆定電流源實質上作為恆定電流源51包含於讀取電路30。恆定電流源51由電晶體51a及電晶體51b構成。又，於恆定電流源51經由全域位元線GBL連接有記憶胞13。再者，於讀取電路30內，包含有電晶體對35、電晶體對36、電容器37及電容器38。
如圖5所示，於第1讀取期間RD1中，REN信號為高位準，電晶體51a變為接通狀態。又，由於SPL信號及EVAL信號亦為高位準，故電晶體對35及電晶體對36亦變為接通狀態。其結果，記憶胞13之資料(電阻變化記憶元件之資料)經由電晶體51a、電晶體對35及電晶體對36被讀取，且與記憶胞13之資料對應之電壓被充電至電容器37及電容器38。
於寫入期間WT中，自寫入驅動器21將基準資料(0或1)寫入記憶胞13內之電阻變化記憶元件。又，由於SPL信號被切換成低位準，故電晶體對35變為斷開狀態。其結果，於電容器37保持充電電壓。於本實施形態中，於寫入期間WT中，REN信號(a)亦維持高位準，且電晶體51a維持接通狀態。因此，於記憶胞13，於第1讀取期間RD1及寫入期間WT連續地流通電流。因此，如上已述，記憶胞13內之2端子選擇元件不會變為斷開狀態，而維持接通狀態。相對於此，於比較例之情形時，由於REN信號(b)被切換成低位準，故電晶體51a變為斷開狀態。因此，於記憶胞13不流通電流，且記憶胞13內之2端子選擇元件變為斷開狀態。
於第2讀取期間RD2，REN信號亦維持高位準。又，於第2 讀取期間RD2之前半期間，EVAL信號為高位準，故通過電晶體對36將電壓充電至電容器38。即，將與基準資料對應之電壓充電至電容器38。於第2讀取期間RD2之後半期間，EVAL信號變為低位準，故於電容器38保持充電電壓。於第2讀取期間RD2，REN信號亦維持高位準，故於寫入期間WT及第2讀取期間RD2連續地流通電流。因此，如上已述，記憶胞13內之2端子選擇元件不會變為斷開狀態，而維持接通狀態。
圖6(a)係顯示全域位元線GBL及全域字元線GWL之電壓的時序圖，圖6(b)係顯示於記憶胞13流通之電流之時序圖。由圖6(a)及(b)可知，於第1讀取期間RD1、寫入期間WT及第2讀取期間RD2連續地對記憶胞13施加電壓，而於記憶胞13流通電流。
於判定電路40中，比較保持於電容器37之電壓(設為電壓Va)與保持於電容器38之電壓(設為電壓Vb)。此時，並非單純地比較電壓Va與電壓Vb，而是對電壓Va及電壓Vb之一者加上補償電路32所產生之補償電壓。以下，對該補償電路32之功能進行說明。
例如，設想使用低位準資料作為基準資料(與電壓Vb對應之資料)之情形。於該情形時，於電壓Va與電壓Vb幾乎無異之情形時，判定第1讀取期間讀取之資料(原來記憶之資料)為低位準資料。於電壓Va與電壓Vb之差較大之情形時，判定第1讀取期間讀取之資料(原來記憶之資料)為高位準資料。然而，於通常之判定動作中，將原來記憶之資料之電壓位準(設為電壓位準Vx)與基準資料之電壓位準(設為電壓位準Vy)進行比較，判定為Vx>Vy或Vx<Vy。因此，於單純比較電壓Va與電壓Vb之情形時，難以進行正確之判定動作。因此，於本實施形態中，對電壓Va及電壓Vb之一者加上補償電壓。
圖7及圖8係就上述之補償電路32之功能進行顯示之圖。圖7係設置有補償電路32之情形(本實施形態之情形)，圖8係未設置補償電路32之情形(比較例之情形)。
於圖8之比較例中，於第1讀取期間讀取之資料(原來記憶之資料)為低位準資料之情形時，較理想為電壓Va與電壓Vb相等。然而，實際上，有時電壓Va為稍微高於電壓Vb之電壓，有時電壓Va為稍微低於電壓Vb之電壓。因此，於比較例之方法中，有無法正確地判別第1讀取期間讀取之資料(原來記憶之資料)之虞。
於圖7所示之本實施形態之例中，對電壓Vb加上補償電壓△V並將Vb+△V設為基準電壓(閾值電壓)。若以該基準電壓(閾值電壓)Vb+△V為基準判定電壓Va，則可確實地判定第1讀取期間讀取之資料(原來記憶之資料)為低位準資料或高位準資料。
另，於上述之例中，對電壓Vb(與基準資料對應之電壓)加上補償電壓△V，亦可對電壓Va(與原來記憶之資料對應之電壓)加上補償電壓△V。即，於上述之例中，對第2讀取期間自記憶胞13讀取之電壓Vb加上補償電壓△V，亦可對第1讀取期間自記憶胞13讀取之電壓Va加上補償電壓△V。
接著，對本實施形態之非揮發性記憶裝置之變更例(第2構成例)，參照圖9(電氣電路圖)及圖10(時序圖)進行說明。
於圖4所示之第1構成例中，恆定電流電路50包含1個恆定電流源(第1恆定電流源)51，但於第2構成例中，如圖9所示，恆定電流電路50包含2個之恆定電流源(第1恆定電流源)51及恆定電流源(第2恆定電流源)52。另，於本構成例中，第2恆定電流源52以外之基本構成皆與第1構 成例同樣。
圖9(a)係顯示全域位元線GBL及全域字元線GWL之電壓之時序圖，圖9(b)係顯示於記憶胞13流通之電流之時序圖。期間P1為第1電流源51之接通期間，期間P2為第2電流源52之接通期間。
由圖9(a)及(b)可知，與第1構成例同樣，於第1讀取期間RD1、寫入期間WT及第2讀取期間RD2連續地對記憶胞13施加電壓，而於記憶胞13流通電流。
於本構成例中，僅於第1讀取期間RD1之初期，使對記憶胞13供給電流之第2恆定電流源52接通。藉由設置該第2恆定電流源52，可於第1讀取期間RD1之初期快速地將2端子選擇元件設為接通狀態，且可將自我參照讀取方式之動作提前。
又，於上述各實施形態中，對應用2端子間開關元件作為選擇器之情形進行說明，但作為選擇器，亦可應用3端子間開關元件即場效電晶體等、MOS(metal oxide semiconductor：金屬氧化物半導體)電晶體或FIN電晶體等選擇電晶體。又可應用2端子型之具有二極體功能之開關元件。
雖對本發明之若干實施形態加以說明，但該等實施形態係作為例而提示者，並非意圖限定發明之範圍。該等新穎之實施形態可以其他各種形態實施，於不脫離發明主旨之範圍內，可進行各種省略、置換、變更。該等實施形態或其之變化皆包含於發明之範圍或主旨，且包含於申請專利範圍記載之發明及與其均等之範圍內。
[相關申請案]
本申請案享有以日本專利申請案第2018-182412號(申請日：2018年9月14日)作為基礎申請案之優先權。本申請案藉由參照該基礎申請案而包含基礎申請案之所有內容。
10:記憶胞陣列
20:寫入電路
30:讀取電路
40:判定電路
50:恆定電流電路
60:控制電路

Claims (20)

  1. 一種非揮發性記憶裝置，其具備：第1配線，其沿第1方向延伸；第2配線，其沿與上述第1方向交叉之第2方向延伸；記憶胞，其係設置於上述第1配線與上述第2配線之間者，且具有可將低電阻狀態及高電阻狀態之一者設定為資料之電阻變化記憶元件、與選擇上述電阻變化記憶元件之2端子開關元件的串聯連接；讀取電路，其於第1讀取期間及第2讀取期間自上述電阻變化記憶元件讀取資料；寫入電路，其於上述第1讀取期間與上述第2讀取期間之間的寫入期間將資料寫入上述電阻變化記憶元件；及判定電路，其藉由將基於上述第1讀取期間讀取之資料之第1電壓與基於上述第2讀取期間讀取之資料之第2電壓比較而判定上述第1讀取期間讀取之資料；且該非揮發性記憶裝置構成為：於上述第1讀取期間、上述寫入期間及上述第2讀取期間，於上述記憶胞流通同一方向之電流。
  2. 如請求項1之非揮發性記憶裝置，其中進而具備：第1恆定電流源，其於上述第1讀取期間、上述寫入期間及上述第2讀取期間連續地對上述記憶胞供給電流。
  3. 如請求項2之非揮發性記憶裝置，其中 上述第1恆定電流源包含於上述讀取電路。
  4. 如請求項2之非揮發性記憶裝置，其中進而具備：第2恆定電流源，其於上述第1讀取期間之初期對上述記憶胞供給電流。
  5. 如請求項1之非揮發性記憶裝置，其中上述第1電壓為對上述第1讀取期間自上述記憶胞讀取之電壓加上補償電壓的電壓。
  6. 如請求項1之非揮發性記憶裝置，其中上述第2電壓為對上述第2讀取期間自上述記憶胞讀取之電壓加上補償電壓的電壓。
  7. 如請求項1之非揮發性記憶裝置，其中上述2端子開關元件係於施加於2端子間之電壓大於閾值時呈低電阻狀態，於施加於2端子間之電壓小於閾值時呈高電阻狀態。
  8. 如請求項1之非揮發性記憶裝置，其中上述2端子開關元件含有硫族元素。
  9. 如請求項1之非揮發性記憶裝置，其中上述電阻變化記憶元件為磁阻效應元件。
  10. 一種非揮發性記憶裝置，其具備：第1配線，其沿第1方向延伸；第2配線，其沿與上述第1方向交叉之第2方向延伸；記憶胞，其係設置於上述第1配線與上述第2配線之間，且包含電阻變化記憶元件及開關元件，上述電阻變化記憶元件具有與上述第1配線連接之第1端部，上述開關元件具有與上述電阻變化元件之第2端部連接之第1端部及與上述第2配線連接之第2端部；讀取電路，其對第1電容器及第2電容器中之至少一者，以與經寫入至上述記憶胞之資料的值對應之電壓進行充電；寫入電路，其對應於寫入至上述記憶胞之資料的值，使上述電阻變化記憶元件為低電阻狀態或高電阻狀態；及控制電路，其為了將第1讀取動作、寫入動作及第2讀取動作連續進行，藉由控制上述讀取電路及上述寫入電路，進行讀取動作；且於上述第1讀取動作、上述寫入動作及上述第2讀取動作之期間中，藉由上述控制電路，電流於上述記憶胞內於同一方向連續地流動。
  11. 如請求項10之非揮發性記憶裝置，其中上述讀取電路包含：經由電晶體而連接於上述記憶胞之恆定電流源，上述電晶體於上述第1讀取動作、上述寫入動作及上述第2讀取動作之期間中維持ON狀態。
  12. 如請求項11之非揮發性記憶裝置，其中進而具備： 連接於上述記憶胞之恆定電流源；上述恆定電流源於上述第1讀取動作開始時成為ON。
  13. 如請求項10之非揮發性記憶裝置，其中進而具備：判定電路，其為了決定上述第1讀取動作中被讀取出之資料的值，比較基於上述第1讀取動作中被讀取出之資料的第1電壓與基於上述第2讀取動作中被讀取出之資料的第2電壓。
  14. 如請求項13之非揮發性記憶裝置，其中上述第1電壓係：對補償電壓加上了與上述第1讀取動作中自上述記憶胞被讀取出之資料對應之電壓。
  15. 如請求項13之非揮發性記憶裝置，其中上述第2電壓係：對補償電壓加上了與上述第2讀取動作中自上述記憶胞被讀取出之資料對應之電壓。
  16. 如請求項10之非揮發性記憶裝置，其中上述開關元件係：在施加於上述開關元件之電壓高於閾值電壓時為低電阻狀態，在施加於上述開關元件之電壓低於閾值電壓時為高電阻狀態。
  17. 如請求項16之非揮發性記憶裝置，其中上述開關元件含有硫族元素。
  18. 如請求項10之非揮發性記憶裝置，其中上述電阻變化記憶元件為磁阻效應元件。
  19. 一種記憶胞之讀取動作方法，上述記憶胞包含電阻變化記憶元件及開關元件，上述電阻變化記憶元件具有與第1配線連接之第1端部，上述開關元件具有與上述電阻變化元件之第2端部連接之第1端部及與第2配線連接之第2端部；上述記憶胞之讀取動作方法包括：上述讀取動作之第1期間中，對第1電容器以與經寫入至上述記憶胞之資料的值對應之電壓進行充電；接續於上述第1期間之上述讀取動作之第2期間中，對應於經寫入至上述記憶胞之基準資料的值，使上述電阻變化記憶元件為低電阻狀態或高電阻狀態；接續於上述第2期間之上述讀取動作之第3期間中，對第2電容器以與經寫入至上述記憶胞之上述基準資料的值對應之電壓進行充電；及為了決定於上述第1期間中被讀取出之資料的值，比較基於對上述第1電容器經充電之電壓的第1電壓與基於對上述第2電容器經充電之電壓的第2電壓；且上述第1期間、上述第2期間及上述第3期間中，對上述記憶胞連續地供給電流。
  20. 如請求項19之記憶胞之讀取動作方法，其對補償電壓，為了得出上述第1電壓，加上對上述第1電容器經充電之電壓，或者為了得出上述第2電壓，加上對上述第2電容器經充電之電壓。
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