TWI711576B - 用於調整模板位置的系統及方法 - Google Patents
用於調整模板位置的系統及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI711576B TWI711576B TW106137351A TW106137351A TWI711576B TW I711576 B TWI711576 B TW I711576B TW 106137351 A TW106137351 A TW 106137351A TW 106137351 A TW106137351 A TW 106137351A TW I711576 B TWI711576 B TW I711576B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- template
- effective area
- area
- plane
- position points
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 3
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 8
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000000203 droplet dispensing Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/32—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C43/58—Measuring, controlling or regulating
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/32—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C43/58—Measuring, controlling or regulating
- B29C2043/5833—Measuring, controlling or regulating movement of moulds or mould parts, e.g. opening or closing, actuating
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- User Interface Of Digital Computer (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
一種用於調整模板間的相對位置的方法、系統及設備包括了測定一和第一模板的一有效區域相鄰的區域的一表面的第一多個位置點,該相鄰的區域的該表面和該有效區域的一表面形成該第一模板的一連續的表面;根據該等第一多個位置點辨認出該第一模板的該相鄰的區域的該表面的一平面;測定一第二模板的一有效區域的一表面的第二多個位置點,該第二模板的該有效區域從該第二模板的一表面突伸出;根據該等第二多個位置點辨認出該第二模板的該有效區域的該表面的一平面;及根據該等被辨認出的平面來調整該第一模板和該第二模板的相對位置。
Description
[0001] 本發明係有關於一種用於調整模板位置的系統及方法。
[0002] 奈米製造包括具有100奈米或更小等級的特徵構造之極小結構的製造。奈米製造對其有顯著的影響的一個應用是在積體電路的製程中。半導體製程產業為了能夠在增加形成於基材上每單位面積的電路數量的同時有更大的生產良率而持續地努力,因此,奈米製造變得更加重要。奈米製造在允許該等被形成的結構的最小特徵尺寸的持續減小的同時還能提供更好的製程控制。已採用奈米製造的其他發展領域包含生物科技、光學科技、機械系統等。
[0003] 描述於本案說明書中的發明主體的創新態樣可被體現為方法,其包括的步驟動作有調整一第一壓印微影模板和一第二壓印微影模板的相對位置,這包含了測定一和第一模板的一有效區域相鄰的區域的表面的第一多個位置點,該相鄰的區域的該表面和該有效區域的表面形成該第一模板的一連續的表面;根據該等第一多個位置點辨認出該第一模板的該相鄰的區域的該表面的平面;測定一第二模板的一有效區域的表面的第二多個位置點,該第二模板的該有效區域係從該第二模板的一表面突伸出;根據該等第二多個位置點辨認出該第二模板的該有效區域的該表面的平面;及根據該第一模板的該相鄰區域的該表面的該平面和該第二模板的該有效區域的該表面之該平面來調整該第一模板和該第二模板的相對位置。 [0004] 這些態樣的其它實施例包括被建構來實施該方法的該等步驟動作之相應的系統。 [0005] 這些及其它實施例每一者都可非必要地包括下列特徵的一者或多者。例如,比較該第一模板的該相鄰的區域的該表面的該平面和該第二模板的該有效區域的該表面的該平面;及根據比較來評估該第一模板的該相鄰的區域的該表面的該平面和該第二模板的該有效區域的該表面的該平面之間的校平誤差,其中調整該第一模板和該第二模板的該相對位置是根據該校平誤差。該第一模板和該第二模板的該相對位置被調整以補償該校平誤差。調整該第一模板和該第二模板的該相對位置包括了調整該第一模板的該相鄰的區域的該表面的該平面和該第二模板的該有效區域的該表面的該平面之間的相對角度。該第一模板的該相鄰的區域包圍該第一模板的該有效區域。該第一模板的該有效區域包括一或多個圖案特徵。該第二模板的該有效區域是實質平面的。該第一多個位置點和該第二多個位置點在時間上係同時被測定。 [0006] 描述於本案說明書中的發明主體的創新態樣可被體現為一種用來調整一第一壓印微影模板和一第二壓印微影模板的相對位置的系統,該系統包括一第一模板固持器,其被建構來固持一第一模板,該第一模板包括一有效區域及一和該有效區域相鄰的區域,其中該相鄰的區域的一表面和該有效區域的一表面形成該第一模板的一連續的表面;一第二模板固持器,其被建構來固持一第二模板,該第二模板包括一有效區域,該第二模板的該有效區域從該第二模板的一表面突伸出;一第一感測裝置,其被建構來測定該第一模板的該相鄰的區域的該表面的第一多個位置點;一第二感測裝置,其被建構來測定該第二模板的該有效區域的該表面的第二多個位置點;一作動器系統,其被建構來調整該第一模板和該第二模板的相對位置;及一處理裝置,其被建構來i)根據該等第一多個位置點辨認出該第一模板的該相鄰的區域的該表面的一平面,ii)根據該等第二多個位置點辨認出該第二模板的該有效區域的該表面的一平面,及iii)提供一訊號至該作動器系統,使得該作動器系統根據該第一模板的該相鄰的區域的該表面的該平面和該第二模板的該有效區域的該表面的該平面調整該第一模板和該第二模板的相對位置。 [0007] 這些態樣的其它實施例包括被該系統實施的相應的方法。 [0008] 描述於本案說明書中的發明主體的特定實施例可被實施以實現一或多個下列好處。本揭露內容的實施例即使沒有防止:i)複製模板的影像放置誤差,ii)一被置於該複製模板上的材料的不均勻的流體擴散,及iii)流體射出超過該複製模板上的一所想要的區域之外,但仍能將它們最小化。 [0009] 描述於本案說明書中的發明主體的一或多個實施例的細節在附圖及下面的描述中被提出。發明主體的其它可能的特徵、態樣、及好處從下面的描述、圖式及申請專利範圍中將變得明顯。
[0018] 此文獻描述了方法和系統,其提供一第一壓印微影模板和一第二壓印微影模板的相對位置的調整。詳言之,一和第一模板的一有效區域相鄰的區域的表面的第一多個位置點被測定。該相鄰的區域的該表面和該有效區域的一表面形成該第一模板的一連續的表面。該第一模板的該相鄰的區域的該表面的平面係根據該等第一多個位置點被辨認出來。一第二模板的一有效區域的表面的第二多個位置點被測定。該第二模板的該有效區域係從該第二模板的一表面突伸出。該第二模板的該有效區域的該表面的平面係根據該等第二多個位置點被辨認出來。該第一模板和該第二模板的相對位置係根據該第一模板的該相鄰的區域的該表面的該平面和該第二模板的該有效區域的該表面的該平面來加以調整。 [0019] 圖1例示一種壓印微影系統100,其形成一凹凸圖案(relief pattern)於一基材102上。該基材102可被耦合至一基材夾頭104。在一些例子中,該基材夾頭104可包括真空夾頭、銷針式夾頭、溝槽式夾頭、電磁夾頭、及/或類此者。示範性夾頭被描述在美國專利第6,873,087號中,該專利案藉此參照被併於本文中。該基材102和該基材夾頭104可進一步被一桌台106支撐。該桌台106提供繞著x軸、y軸及z軸一或多者的運動,及/或繞著z軸的轉動運動。桌台106、基材102、及基材夾頭104亦可被置於一基座(未示出)上。 [0020] 該壓印微影系統100進一步包括一壓印微影模板108,它和該基材102間隔開來。在一些例子中,該模板108包括一台面(mesa)110(模子110),其由該模板108朝向基材102延伸。在一些例子中,該模子110包括一圖案表面112。可用來形成該模板108及/或該模子110的材料包括但不侷限於熔融石英、石英、矽、有機聚合物、矽氧烷聚合物、硼矽酸鹽玻璃、氟碳聚合物、金屬、硬化的藍寶石、及/或類此者。在被例示的例子中,該圖案表面122包括多個由分開的凹部124及/或凸出物126所界定的特徵。然而,在一些例子中,亦可以有其它形態的特徵。該圖案表面112可界定任何形成將被形成在基材102上的圖案的原始圖案。 [0021] 該模板108可被耦合至一模板夾頭128。在一些例子中,該模板夾頭128可包括真空夾頭、銷針式夾頭、溝槽式夾頭、電磁夾頭、及/或類此者。示範性夾頭被描述在美國專利第6,873,087號中,該專利案藉此參照被併於本文中。此外,該模板夾頭128可被耦合至一壓印頭130,使得該模板夾頭128及/或該壓印頭130可被建構來促進該模板118的移動。 [0022] 該壓印微影系統100可進一步包括一流體配發系統132。該流體配發系統132可被用來將一可聚合物化的材料134擺放在該基材102上。該可聚合物化的材料134可使用諸如液滴配發、旋轉塗佈、浸泡塗佈、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、薄膜沉積、厚膜沉積、及/或類此者的技術來放置在該基材102上。在一些例子中,該可聚合物化的材料134是在一所想要的體積被界定在該模子110和該基材102之間之前及/或之後被置於該基材102上。該可聚合物化的材料134可包含一如美國專利第7,157,036號及美國專利公開案第2005/0187339號中所描述的單體,所有這些專利文獻皆藉此參照而被併於本文中。在一些例子中,該可聚合物化的材料134如多個小液滴136般地被置於該基材102上。 [0023] 參考圖1及2,該壓印微影系統100可進一步包含一被耦合的能量源138,用以沿著一路徑142引導能量140。在一些例子中,該壓印頭130及桌台106被建構來將該模板108和該基材102以和該路徑142疊置的方式設置。該壓印微影系統100可被一和該桌台106、該壓印頭130、該流體配發系統132、及/或該能量源138相溝通的處理器144控制,且可根據儲存在記憶體146中的電腦可讀取的程式來操作。 [0024] 在一些實施例中,該壓印頭130、該桌台106、或這兩者改變該模子110和該基材102之間的距離,用以在它們之間界定一可被該可聚合物化的材料134填滿的所想要的體積。例如,該壓印頭130可施加一力至該模板108,使得該模子110接觸該可聚合物化的材料134。在該所想要的體積被該可聚合物化的材料134填滿之後,該能量源138產生能量140,如寬頻紫外線輻射,促使該可聚合物化的材料134硬化及/或交聯,順應該基材102和該圖案表面122的一表面148的形狀,用以界定一圖案層150於該基材102上。在一些例子中,該圖案層150可包含一剩餘層152和多個被顯示為凸出物154和凹部156的特徵,其中該等凸出物154具有一厚度t1
,且該剩餘層152具有一厚度t2
。 [0025] 上述的系統和處理可被進一步實施為美國專利第6,932,934號、美國專利公開案第2004/0124566號、美國專利公開案第2004/0188381號、及美國專利公開案第2004/0211754號中的壓印微影處理及系統,該等專利文獻的每一者藉由此參照而被併於本文中。 [0026] 在一些例子中,上文所描述的方法可被用在模板複製中(如,使用在壓印微影中)。亦即,該模板108可包括一主模板(第一模板)且該基材102可包括一複製模板(第二模板)。舉例而言,如本文中所描述的,該第一模板被稱為“主”模板且該第二模板被稱為“複製”模板,它是在一壓印微影處理中用該主模板形成。然而,被理解的是,該第一模板和該第二模板並不侷限於此。 [0027] 為此,在形成該圖案層150之前,且更具體地在形成該複製模板之前,該模板108和該基材102之間的一所想要的對準被獲得。詳言之,該基材102和該模板108之間的一相對的傾斜及/或該基材102和該模板108的形狀輪廓被測定,用以即便不能防止(該可聚合物化的材料134的)不均勻的流體擴散、影像放置誤差、及流體射出最小化,但仍將它們最小化。 [0028] 圖3A及3B例示一第一模板300。如本文所描述的,該第一模板300被稱為“主”模板;然而,應被理解的是,第一模板並不侷限於此。詳言之,圖3A例示該主模板300的俯視圖,且圖3B例示該主模板300的側視圖。該主模板300包括一有效區域302和一相鄰的區域304。如圖所示,該相鄰的區域304完全包圍該有效區域302;然而,該相鄰的區域304可部分地包圍該有效區域302。在一些例子中,該有效區域302是26公釐乘33公釐,且該相鄰的區域304可在該有效區域302周圍擴大約10公釐。在一些例子中,該相鄰的區域304可在該有效區域302周圍擴大約5公釐。 [0029] 該有效區域302和一第一表面306相關連且該相鄰的區域304和一第二表面308相連關連。該第一表面306和該第二表面308形成該主模板300的一連續的表面310。亦即,在一些例子中,該主模板300和該連續的表面310是沒有任何凸出來的特徵構造。 [0030] 在一些例子中,該有效區域302包括圖案特徵。該等圖案特徵可包括多個凹部314,其界定了多個從一表面318突伸出之介於它們之間的凸出部316。然而,該表面318的深度(相對於該連續的表面310)在每一凹部314可不相同。此外,該等圖案特徵的特徵大小及密度(如,高度及/或寬度)可根據該主模板300的特定應用而改變。在一些例子中,該主模板300在整個主模板300的主體範圍內包括一實質均一的厚度(如,介於該連續的表面310和一相反的表面320之間的厚度)。 [0031] 圖4A及4B例示一第二模板400。如本文所描述的,該第二模板被稱為“複製”模板;然而,應被理解的是,第二模板並不侷限於此。詳言之,圖4A例示該複製模板400的俯視圖,且圖4B例示該複製模板400的側視圖。該複製模板400包括一有效區域402。該有效區域402和一第三表面406相關連。在一些例子中,該有效區域402包括一台面408,該台面408(以及該有效區域402)從該複製模板400的一第四表面410凸伸出。在一些例子中,該台面408是用化學蝕刻處理(如,濕蝕刻)來形成。 [0032] 在一些例子中,該有效區域402是實質平面的。亦即,該有效區域402係實質沒有任何圖案特徵。在一些例子中,該複製模板400是一中空的(被挖空的(cored-out))模板。亦即,該複製模板400在鄰近該有效區域402處的厚度係實質地比在該有效區域402外的該複製模板400的厚度薄。在一些實施例中,該複製模板400在鄰近該有效區域402處的厚度約為1.1公釐,且在該有效區域402外的該複製模板400的厚度約為0.25英吋(6.35公釐±0.1公釐)。 [0033] 圖5例示一用來調整該主模板300和該複製模板400的相對位置的系統500。該系統500包括一第一感測裝置502、一第二感測裝置504、一處理裝置506、一作動器系統508、和一桌台510。該處理裝置506和該第一感測裝置502、該第二感測裝置504、和該作動器系統508相溝通。 [0034] 該第一感測裝置502測定該主模板300的該相鄰的區域304的該第二表面308的多個位置點。在一些例子中,測定該第二表面308的該等多個位置點包括了該第一感測裝置502在多個地點測量一介於該第一感測裝置502和該第二表面308之間的距離。為了要測定該第二表面308的該等多個位置點,如圖所示地,該桌台510提供該第一感測裝置502相關於該主模板300的運動(如,沿著x軸及y軸)。然而,在一些例子中,該運動可被提供給該主模板300及/或該第一感測裝置502。為此,藉由提供該第一感測裝置502和該主模板300之間的相對運動,該第一感測裝置502測定該主模板300的該相鄰的區域304的該第二表面308的該等多個位置點。 [0035] 該第二感測裝置504測定該複製模板400的該有效區域402的該第三表面406的多個位置點。在一些例子中,測定該第三表面406的多個位置點可包括該第二感測裝置504在多個地點測量介於該第二感測裝置504和該電三表面406之間的距離。為了測定該第三表面406的該等多個位置點,如圖所示地,該桌台510提供該複製模板400相關於該第二感測裝置504的運動(如,沿著x軸及y軸)。然而,在一些例子中,該運動可被提供給該複製模板400及/或該第二感測裝置504。為此,藉由提供該第二感測裝置504和該複製模板400之間的相對運動,該第二感測裝置504測定該複製模板400的該有效區域402的該第三表面406的該等多個位置點。 [0036] 在一些例子中,該第一感測裝置502測定該主模板300的該相鄰的區域304的該第二表面308的多個位置點,及該第二感測裝置504測定該複製模板400的該有效區域402的該第三表面406的多個位置點。亦即,和該第二表面308相關的該等多個位置點的至少一部分的測定以及和該第三表面406相關的該等多個位置點的至少一部分的測定在時間上是重疊的。然而,在一些例子中,該第一感測裝置502測定該主模板300的該相鄰的區域304的該第二表面308的該等多個位置點及該第二感測裝置504測定該複製模板400的該有效區域402的該第三表面406的該等多個位置點係依序地實施。亦即,例如,該第一感測裝置502是在該第二感測裝置504測定該第三表面406的該等多個位置點之前測定該第二表面308的該等多個位置點(且反之亦可)。 [0037] 該處理裝置506辨認出該主模板300和該複製模板400各自的平面。詳言之,該處理裝置506辨認出該主模板300的該相鄰的區域304的該第二表面308的一第一平面520。在一些例子中,該處理裝置506根據該主模板300的該相鄰的區域304的該第二表面308的該等多個位置點辨認出該第一平面520。亦即,在一些例子中,該處理裝置506根據其被測定的多個位置點來形成該第二表面308的模型,且根據此模型,該處理裝置506能辨認出該第二表面308的第一平面520。 [0038] 在一些例子中,該處理裝置506測定該主模板300的該相鄰的區域304的該第二表面308的形狀輪廓。亦即,該第二表面308可具有一在整個該主模板300上會改變的形狀,如,相關於一實質扁平的輪廓。例如,該第二表面308可具有一或多個在頻率、深度、及間距上有變化的波浪形狀。該第二表面308在形狀輪廓上的變化可以是該主模板300經歷了該主模板300的形成處理中的處理條件的結果。 [0039] 此外,該處理裝置506辨認出該複製模板400的該有效區域402的該第三表面406的一第二平面540。在一些例子中,該處理裝置506根據該複製模板400的該有效區域402的該第三表面406的該等多個位置點辨認出該第二平面540。亦即,在一些例子中,該處理裝置506根據該第三表面406的被測定的該等多個位置點形成該第三表面406的模型,且該處理裝置506能夠根據此一模型來辨認出該第三表面406的該第二平面540。在一些例子中,一相對角度α被界定於該第一平面520和該第二平面540之間。 [0040] 在一些例子中,類似於該主模板300的該相鄰的區域304的該第二表面308,該處理裝置506測定該複製模板400的該有效區域402的該第三表面406的一形狀輪廓。亦即,該第三表面406可具有一在整個該複製模板400上會改變的形狀,如,相關於一實質扁平的輪廓。例如,該第三表面406可具有一或多個在頻率、深度、及間距上有變化的波浪形狀。該第三表面406在形狀輪廓上的變化可以是該複製模板400經歷了該複製模板400的形成處理中的處理條件的結果。 [0041] 在一些實施例中,該作動器系統508根據接收自該處理裝置506的訊號基於該主模板300的該相鄰的區域304的該第一平面520和該複製模板400的該有效區域402的該第三表面406的該第二平面540調整該主模板300和該複製模板400的相對位置。詳言之,圖6例示該主模板300和該複製模板400的相對位置經過調整後的該系統500。在一些例子中,該處理裝置506比較了該主模板300的該相鄰的區域304的該第二表面308的該第一平面520和該複製模板400的該有效區域402的該第三表面406的該第二平面540。比較該第一平面520和該第二平面540可包括測定該被界定在該第一平面520和該第二平面540之間的該角度α的大小。該處理裝置506可根據該比較來評估該第一平面520和該第二平面540之間的一校平誤差。例如,該校平誤差可包括該第一平面520和該第二平面540之間的一所想要的角度和該第一平面520和該第二平面540之間的該被測得的角度α之間的差異。在一些例子中,該所想要的角度是根據用該主模板300來形成一圖案於該複製模板400上時的所想要的處理條件。詳言之,該所想要的角度可根據形成在該複製模板400上的該圖案的影像放置誤差。亦即,該處理裝置506可測定該所想要的角度以補償該影像放置誤差,使得該主模板400將該所想要的圖案形成在該複製模板300上。 [0042] 在一些例子中,形成在該複製模板400上的該圖案的影像放置誤差可以是該複製模板400和該主模板300之間因為該主模板300相對於該複製模板400傾斜所形成之不均勻的應變(strain)所造成的結果。詳言之,在一些例子中,因為該複製模板400是一中空(挖空)的且該主模板300是實質均一的厚度,所以當該主模板300的傾斜相對於該複製模板400出現時,額外的力(或下壓力)在該複製模板400接觸該主模板300的期間被施加在該複製模板400的一個區域上。這在形成於該複製模板400上的該圖案的複製模板400(例如,當該圖案層150在應變條件下接受硬化時的該圖案層150)內造成一側向應變。在該主模板300和該複製模板400分離之後,該側向應變消散,造成該影像放置誤差及該複製模板400上之所想要的圖案的移位。在一些例子中,當該複製模板400被挖空時,該第三表面406可被一壓力系統保持實質平的,該壓力系統在該處理裝置506的控制下施加一正的或負的壓力至一和該第三表面406及該有效區域402相鄰的室。 [0043] 為此,該作動器系統508如上文所述地根據該校平誤差調整該主模板300及/或該複製模板400的相對位置。在一些例子中,該作動器系統508提供運動給該主模板300、該複製模板400、或這兩者,用以調整該主模板300和該複製模板400的相對位置。該運動可包括沿著x軸、y軸、及/或z軸的側向運動且可進一步包括該主模板300及/或該複製模板400相關於一旋轉點的傾斜運動。該運動可進一步包括調整該主模板300的該相鄰的區域304的該第二表面308的形狀輪廓及/或調整該複製模板400的該有效區域402的該第三表面406的形狀輪廓。 [0044] 在一些例子中,該作動器系統508調整該主模板300和該複製模板400的相對位置用以補償該校平誤差。亦即,該作動器系統508調整介於該第一平面520和該第二平面540之間的該角度α以補償該校平誤差,亦即,將該校平誤差減小至所想要的程度。調整介於該第一平面520和該第二平面540之間的該角度α包括了如上文所述之提供運動給該主模板300、該複製模板400、或這兩者,用以調整該主模板300和該複製模板400的相對位置。
[0045]100‧‧‧壓印微影系統102‧‧‧基材104‧‧‧基材夾頭106‧‧‧桌台108‧‧‧模板110‧‧‧平台(模子)112‧‧‧圖案表面122‧‧‧圖案表面124‧‧‧凹部126‧‧‧凸出物128‧‧‧模板夾頭130‧‧‧壓印頭132‧‧‧流體配發系統134‧‧‧可聚合物化的材料136‧‧‧小液滴138‧‧‧能量源140‧‧‧能量142‧‧‧路徑144‧‧‧處理器146‧‧‧記憶體148‧‧‧表面150‧‧‧圖案層152‧‧‧剩餘層154‧‧‧凸出物156‧‧‧凹部300‧‧‧第一模板(主模板)302‧‧‧有效區域304‧‧‧相鄰的區域306‧‧‧第一表面308‧‧‧第二表面310‧‧‧連續的表面314‧‧‧凹部316‧‧‧凸出部318‧‧‧表面320‧‧‧相反的表面400‧‧‧第二模板402‧‧‧有效區域406‧‧‧第三表面408‧‧‧台面410‧‧‧第四表面500‧‧‧系統502‧‧‧第一感測裝置504‧‧‧第二感測裝置506‧‧‧處理裝置508‧‧‧作動器系統510‧‧‧桌台520‧‧‧第一平面540‧‧‧第二平面
[0010] 圖1例示出依據本發明的實施例的一微影系統的簡化側視圖。 [0011] 圖2例示圖1中所示之具有一圖案層置於其上的基材的簡化側視圖。 [0012] 圖3A例示一主模板的俯視圖。 [0013] 圖3B例示該主模板的側視圖。 [0014] 圖4A例示一複製模板的俯視圖。 [0015] 圖4B例示該複製模板的側視圖。 [0016] 圖5例示一用來調整該主模板和該複製模板的相對位置的系統。 [0017] 圖6例示在該主模板和該複製模板的相對位置被調整之後的該系統。
300‧‧‧第一模板(主模板)
400‧‧‧第二模板
500‧‧‧系統
502‧‧‧第一感測裝置
504‧‧‧第二感測裝置
506‧‧‧處理裝置
508‧‧‧作動器系統
510‧‧‧桌台
520‧‧‧第一平面
540‧‧‧第二平面
Claims (14)
- 一種用於調整一第一壓印微影模板和一第二壓印微影模板的相對位置的方法,該方法包含:測定一和第一模板的一有效區域相鄰的區域的一表面的第一多個位置點,該相鄰的區域的該表面和該有效區域的一表面形成該第一模板的一連續的表面,其中測定該等第一多個位置點包含提供一第一感測器和該第一模板之間的相對運動以及在和該等第一多個位置點相對應的地點測量一介於該第一感測器和與該第一模板的該有效區域相鄰的該區域的該表面之間的距離;根據該等第一多個位置點辨認出該第一模板的該相鄰的區域的該表面的一平面;測定一第二模板的一有效區域的一表面的第二多個位置點,該第二模板的該有效區域係從該第二模板的一表面突伸出,其中測定該等第二多個位置點包含提供一第二感測器和該第二模板之間的相對運動以及在和該等第二多個位置點相對應的地點測量一介於該第二感測器和與該第二模板的該有效區域相鄰的該區域的該表面之間的距離;根據該等第二多個位置點辨認出該第二模板的該有效區域的該表面的一平面;及根據該第一模板之該相鄰區域的該表面之該平面和該第二模板之該有效區域的該表面之該平面來調整該第一模板和該第二模板的相對位置。
- 如申請專利範圍第1項之方法,其更包含:比較該第一模板的該相鄰的區域的該表面的該平面和該第二模板的該有效區域的該表面的該平面;及根據該比較來評估該第一模板的該相鄰的區域的該表面的該平面和該第二模板的該有效區域的該表面的該平面之間的校平誤差,其中調整該第一模板和該第二模板的該相對位置是根據該校平誤差。
- 如申請專利範圍第2項之方法,其中該第一模板和該第二模板的該相對位置被調整以補償該校平誤差。
- 如申請專利範圍第1項之方法,其中調整該第一模板和該第二模板的該相對位置包括了調整該第一模板的該相鄰的區域的該表面的該平面和該第二模板的該有效區域的該表面的該平面之間的相對角度。
- 如申請專利範圍第1項之方法,其中該第一模板的該相鄰的區域包圍該第一模板的該有效區域。
- 如申請專利範圍第1項之方法,其中該等第一多個位置點和該等第二多個位置點在時間上係同時被測定。
- 一種用於調整一第一壓印微影模板和一第二壓印微影模板的相對位置的系統,該系統包含:一第一模板固持器,其被建構來固持一第一模板,該第一模板包括一有效區域及一和該有效區域相鄰的區域,其中該相鄰的區域的一表面和該有效區域的一表面形成該第一模板的一連續的表面;一第二模板固持器,其被建構來固持一第二模板,該第二模板包括一有效區域,該第二模板的該有效區域從該第二模板的一表面突伸出;一第一感測裝置,其被建構來測定該第一模板的該相鄰的區域的該表面的第一多個位置點,其中該等第一多個位置點是根據該第一感測裝置和該第一模板之間的相對運動以及在和該等第一多個位置點相對應的地點被測量到的介於該第一感測裝置和與該第一模板的該有效區域相鄰的該區域的該表面之間的諸距離來測定的;一第二感測裝置,其被建構來測定該第二模板的該有效區域的該表面的第二多個位置點,其中該等第二多個位置點是根據該第二感測裝置和該第二模板之間的相對運動以及在和該等第二多個位置點相對應的地點被測量到的介於該第二感測裝置和與該第二模板的該有效區域相鄰的該區域的該表面之間的諸距離來測定的;一作動器系統,其被建構來調整該第一模板和該第二模板的相對位置;及一處理裝置,其被建構來i)根據該等第一多個位置 點辨認出該第一模板的該相鄰的區域的該表面的一平面,ii)根據該等第二多個位置點辨認出該第二模板的該有效區域的該表面的一平面,及iii)提供一訊號至該作動器系統,使得該作動器系統根據該第一模板的該相鄰的區域的該表面的該平面和該第二模板的該有效區域的該表面的該平面調整該第一模板和該第二模板的相對位置。
- 如申請專利範圍第7項之系統,其中該處理裝置被進一步建構來:比較該第一模板的該相鄰的區域的該表面的該平面和該第二模板的該有效區域的該表面的該平面;及根據該比較來評估該第一模板的該相鄰的區域的該表面的該平面和該第二模板的該有效區域的該表面的該平面之間的校平誤差,其中該作動器系統被進一步建構用於至少局部根據該校平誤差來調整該第一模板和該第二模板的該相對位置。
- 如申請專利範圍第8項之系統,其中該作動器系統被進一步建構來調整該第一模板和該第二模板的該相對位置以補償該校平誤差。
- 如申請專利範圍第8項之系統,其中該作動器系統被進一步建構來調整該第一模板的該相鄰的區域的該表面的該平面和該第二模板的該有效區域的該表面的該平面之間 的相對角度。
- 如申請專利範圍第7項之系統,其中該第一模板的該相鄰的區域包圍該第一模板的該有效區域。
- 如申請專利範圍第7項之系統,其中該第一感測裝置測定該等第一多個位置點和該第二感測裝置測定該等第二多個位置點係同時地實施。
- 一種製造物件之壓印微影方法,該方法包含:測定一和第一模板的一有效區域相鄰的區域的一表面的第一多個位置點,該相鄰的區域的該表面和該有效區域的一表面形成該第一模板的一連續的表面,其中測定該等第一多個位置點包含提供一第一感測器和該第一模板之間的相對運動以及在和該等第一多個位置點相對應的地點測量一介於該第一感測器和與該第一模板的該有效區域相鄰的該區域的該表面之間的距離;根據該等第一多個位置點辨認出該第一模板的該相鄰的區域的該表面的一平面;測定一第二模板的一有效區域的一表面的第二多個位置點,該第二模板的該有效區域係從該第二模板的一表面突伸出,其中測定該等第二多個位置點包含提供一第二感測器和該第二模板之間的相對運動以及在和該等第二多個位置點相對應的地點測量一介於該第二感測器和與該第二 模板的該有效區域相鄰的該區域的該表面之間的距離;根據該等第二多個位置點辨認出該第二模板的該有效區域的該表面的一平面;根據該第一模板的該相鄰區域的該表面的該平面和該第二模板的該有效區域的該表面之該平面來調整該第一模板和該第二模板的相對位置;將一壓印阻劑擺放在該第二模板上;使該壓印阻劑和該第一模板接觸;將該壓印阻劑聚合物化以產生一和該第一模板接觸的聚合物層;將該第一模板和該聚合物層分開;及將該聚合物層的圖案轉印至該基材以產生該物件。
- 如申請專利範圍第13項之方法,其中該物件是複製模板。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15/365,416 | 2016-11-30 | ||
| US15/365,416 US10969680B2 (en) | 2016-11-30 | 2016-11-30 | System and method for adjusting a position of a template |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201833026A TW201833026A (zh) | 2018-09-16 |
| TWI711576B true TWI711576B (zh) | 2020-12-01 |
Family
ID=62190113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW106137351A TWI711576B (zh) | 2016-11-30 | 2017-10-30 | 用於調整模板位置的系統及方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10969680B2 (zh) |
| JP (1) | JP7032907B2 (zh) |
| KR (1) | KR102253302B1 (zh) |
| CN (1) | CN108121171B (zh) |
| SG (1) | SG10201708835XA (zh) |
| TW (1) | TWI711576B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10627715B2 (en) | 2016-10-31 | 2020-04-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for separating a nanoimprint template from a substrate |
| US11454883B2 (en) | 2016-11-14 | 2022-09-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Template replication |
| US10288999B2 (en) | 2016-12-20 | 2019-05-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Methods for controlling extrusions during imprint template replication processes |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070200276A1 (en) * | 2006-02-24 | 2007-08-30 | Micron Technology, Inc. | Method for rapid printing of near-field and imprint lithographic features |
| US20100092599A1 (en) * | 2008-10-10 | 2010-04-15 | Molecular Imprints, Inc. | Complementary Alignment Marks for Imprint Lithography |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL9100410A (nl) | 1991-03-07 | 1992-10-01 | Asm Lithography Bv | Afbeeldingsapparaat voorzien van een focusfout- en/of scheefstandsdetectie-inrichting. |
| EP0585041B1 (en) | 1992-08-19 | 2000-11-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Registration method usable with a projection optical system, exposure apparatus therefor and method of manufacturing a semiconductor device by using such exposure apparatus |
| US6873087B1 (en) | 1999-10-29 | 2005-03-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes |
| JP2004505273A (ja) | 2000-08-01 | 2004-02-19 | ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 転写リソグラフィのための透明テンプレートと基板の間のギャップおよび配向を高精度でセンシングするための方法 |
| US7077992B2 (en) | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
| US6932934B2 (en) | 2002-07-11 | 2005-08-23 | Molecular Imprints, Inc. | Formation of discontinuous films during an imprint lithography process |
| US7179396B2 (en) | 2003-03-25 | 2007-02-20 | Molecular Imprints, Inc. | Positive tone bi-layer imprint lithography method |
| US7396475B2 (en) | 2003-04-25 | 2008-07-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method of forming stepped structures employing imprint lithography |
| US7157036B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-01-02 | Molecular Imprints, Inc | Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold |
| US8076386B2 (en) | 2004-02-23 | 2011-12-13 | Molecular Imprints, Inc. | Materials for imprint lithography |
| JP2006165371A (ja) | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Canon Inc | 転写装置およびデバイス製造方法 |
| DE602005012068D1 (de) * | 2005-06-10 | 2009-02-12 | Obducat Ab | Kopieren eines Musters mit Hilfe eines Zwischenstempels |
| CN101292195A (zh) | 2005-10-18 | 2008-10-22 | 佳能株式会社 | 压印装置、压印方法和压印模具 |
| WO2007067488A2 (en) | 2005-12-08 | 2007-06-14 | Molecular Imprints, Inc. | Method and system for double-sided patterning of substrates |
| US8215946B2 (en) | 2006-05-18 | 2012-07-10 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography system and method |
| NL1036558A1 (nl) | 2008-03-25 | 2009-09-28 | Asml Netherlands Bv | Method and lithographic apparatus for acquiring height data relating to a substrate surface. |
| JP2010283207A (ja) | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Toshiba Corp | パターン形成装置およびパターン形成方法 |
| JP2013021194A (ja) | 2011-07-12 | 2013-01-31 | Canon Inc | インプリント装置及び物品の製造方法 |
| JP6029268B2 (ja) | 2011-09-12 | 2016-11-24 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、それを用いた物品の製造方法 |
| JP6019685B2 (ja) | 2012-04-10 | 2016-11-02 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント方法及びナノインプリント装置 |
| JP6312379B2 (ja) | 2013-07-19 | 2018-04-18 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、リソグラフィシステム、プログラム、物品の製造方法 |
| JP6273860B2 (ja) | 2014-01-27 | 2018-02-07 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP6674218B2 (ja) | 2014-12-09 | 2020-04-01 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
| JP6497938B2 (ja) | 2015-01-05 | 2019-04-10 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法。 |
-
2016
- 2016-11-30 US US15/365,416 patent/US10969680B2/en active Active
-
2017
- 2017-10-20 JP JP2017203704A patent/JP7032907B2/ja active Active
- 2017-10-27 SG SG10201708835XA patent/SG10201708835XA/en unknown
- 2017-10-30 TW TW106137351A patent/TWI711576B/zh active
- 2017-11-21 KR KR1020170155287A patent/KR102253302B1/ko active Active
- 2017-11-27 CN CN201711200016.7A patent/CN108121171B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070200276A1 (en) * | 2006-02-24 | 2007-08-30 | Micron Technology, Inc. | Method for rapid printing of near-field and imprint lithographic features |
| US20100092599A1 (en) * | 2008-10-10 | 2010-04-15 | Molecular Imprints, Inc. | Complementary Alignment Marks for Imprint Lithography |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108121171A (zh) | 2018-06-05 |
| JP2018093182A (ja) | 2018-06-14 |
| TW201833026A (zh) | 2018-09-16 |
| JP7032907B2 (ja) | 2022-03-09 |
| KR20180062361A (ko) | 2018-06-08 |
| US20180149968A1 (en) | 2018-05-31 |
| US10969680B2 (en) | 2021-04-06 |
| CN108121171B (zh) | 2021-02-19 |
| SG10201708835XA (en) | 2018-06-28 |
| KR102253302B1 (ko) | 2021-05-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8647554B2 (en) | Residual layer thickness measurement and correction | |
| US11347144B2 (en) | Overlay improvement in nanoimprint lithography | |
| KR102240078B1 (ko) | 임프린트 장치 및 임프린트 시스템 내의 왜곡을 보정하기 위한 임프린트 방법 | |
| JP6600391B2 (ja) | ナノインプリントリソグラフィにおけるテンプレートの歪みのリアルタイム補正 | |
| US11604409B2 (en) | Template replication | |
| KR102272038B1 (ko) | 적응성 척킹 시스템 | |
| TWI711576B (zh) | 用於調整模板位置的系統及方法 | |
| JP2019145786A (ja) | インプリント装置、平坦化層形成装置、形成装置、制御方法、および、物品製造方法 | |
| TWI411522B (zh) | 基材對準技術 | |
| JP7414627B2 (ja) | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 | |
| JP2018137360A (ja) | インプリント装置および物品製造方法 | |
| JP2025089783A (ja) | インプリント装置、インプリント方法、物品の製造方法、及びプログラム |