[go: up one dir, main page]

TWI711103B - 基板處理裝置 - Google Patents

基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI711103B
TWI711103B TW108146616A TW108146616A TWI711103B TW I711103 B TWI711103 B TW I711103B TW 108146616 A TW108146616 A TW 108146616A TW 108146616 A TW108146616 A TW 108146616A TW I711103 B TWI711103 B TW I711103B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
fluid
unit
processing apparatus
detection
Prior art date
Application number
TW108146616A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202036748A (zh
Inventor
大森圭悟
Original Assignee
日商芝浦機械電子裝置股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 filed Critical 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司
Publication of TW202036748A publication Critical patent/TW202036748A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI711103B publication Critical patent/TWI711103B/zh

Links

Images

Classifications

    • H10P72/3302
    • H10P72/0402
    • H10P72/3304

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

提供一種不會造成基板損傷,可以提高基板的檢出精度的基板處理裝置。 實施例的基板處理裝置(10),是具有:將基板(W)沿著搬運路(A1)搬運的搬運部(30)、及將藉由搬運部(30)被搬運的基板(W)藉由處理液處理的處理部(40)、及從被搬運的基板(W)的下面側將流體吐出的噴嘴(53a)、及具有檢出來自噴嘴(53a)的處理液已到達了擺動部(51)的感測器部(52)的基板檢出部(50)、及依據從基板檢出部(50)被輸出的檢出訊號將基板(W)檢出的控制部(60)。

Description

基板處理裝置
本發明的實施例,是有關於基板處理裝置。
在液晶顯示裝置和半導體裝置等的製造過程中,使用:將液晶面板用玻璃和光罩用玻璃等的基板搬運,對於移動的基板將處理液(例如藥液)吐出將基板處理,的基板處理裝置。 在這種基板處理裝置中,具有檢出沿著搬運路被搬運的基板的有無的基板檢出裝置。基板檢出裝置,是具有接觸型及非接觸型者。在接觸型的基板檢出裝置中,具有例如鐘擺型的感測器。這是藉由被搬運的基板與鐘擺接觸使鐘擺擺動,將此擺動由感測器感知的型式。非接觸型的基板檢出裝置,是例如,藉由投受光而將基板的有無由感測器檢出的型式。 但是接觸型的基板檢出裝置,因為基板檢出裝置的一部分會與基板接觸,所以會在基板的先端部分發生破裂等,造成基板損傷。且非接觸型的基板檢出裝置,具有:藉由在基板處理裝置內被使用的處理液附著而使光亂反射,而被誤檢出,的問題。
本發明,是不會造成基板損傷,且可提高基板的檢出精度。 本發明的實施例的基板處理裝置,是具有:將基板沿著搬運路搬運的搬運部、及將藉由前述搬運部被搬運的前述基板藉由處理液處理的處理部、及檢出藉由前述搬運部被搬運的前述基板的基板檢出部,前述基板檢出部,是具有:從藉由前述搬運部被搬運的前述基板的下面側將流體吐出的吐出部、及在隔著前述搬運路的與前述吐出部相面對的位置中,檢出來自前述吐出部的前述流體的到達的檢出部。 依據本發明的實施例的話,不會造成基板損傷,且可以提高基板的檢出精度。
<第1實施例> 對於本發明的第1實施例參照第1圖~第3圖進行說明。 (基本構成) 如第1圖所示,第1實施例的基板處理裝置10,是具備:處理室20、及搬運部30、及處理部40、及基板檢出部50、及控制部60。 處理室20,是將基板W處理用的處理槽,在內部形成有讓基板W移動的搬運路A1的框體。在此處理室20中,形成有搬入口21及搬出口22。搬運路A1,是從搬入口21至搬出口22為止朝水平延伸,位於處理室20的上下方向的大致中央。又,處理對象的基板W,是使用例如矩形狀的玻璃基板。 搬運部30,是具有:複數滾子31及複數根(在第1圖中為11根)的旋轉軸32,藉由那些的滾子31及旋轉軸32將基板W在搬運路A1上沿著搬運方向A2搬運。各滾子31,是由規定間隔被固定在各旋轉軸32,旋轉軸32是藉由旋轉而一起旋轉。各旋轉軸32,是各別比與基板W中的搬運方向A2垂直交叉的方向中的長度(寬度方向長度)更長地形成,並列地沿著基板W的搬運方向A2被排列,可旋轉地被設置。這些的旋轉軸32,是藉由共通的驅動機構(無圖示),彼此之間同步旋轉,與各滾子31一起形成基板W的搬運路A1。此搬運部30,是藉由各滾子31將基板W支撐,將支撐的基板W藉由各滾子31的旋轉而朝規定的搬運方向A2搬運。 處理部40,是具有:複數噴灑器41,藉由那些的噴灑器41,對於在搬運路A1移動的基板W供給處理液(例如顯像液)將基板W處理(例如顯像處理)。各噴灑器41,是隔著搬運路A1地在搬運路A1的上方及下方各別設置複數個(在第1圖中為7個)。這些的噴灑器41之中,位於搬運路A1的上方的各噴灑器41a,是對於搬運路A1從上方將處理液吐出。且,位於搬運路A1的下方的各噴灑器41b,是對於搬運路A1從下方將處理液吐出。各噴灑器41a、41b,是具有在與基板W的搬運方向A2垂直交叉的水平面內的方向排列的複數噴嘴(無圖示),從各噴嘴朝向在搬運路A1移動的基板W將處理液由高壓吐出朝基板W供給處理液。 各噴灑器41a,是透過液供給管42a與槽桶43連接,各噴灑器41b,是透過液供給管42b與槽桶43連接。這些的噴灑器41a、41b,是藉由從槽桶43的由泵(無圖示)所產生壓送,透過液供給管42a、42b將被供給的處理液吐出。從各噴灑器41a、41b被吐出的處理液,是透過與處理室20的底部連接的回收管44朝槽桶43被回收且被貯留。被回收至槽桶43的處理液,是藉由壓送再度透過各液供給管42a、42b被供給至各噴灑器41a、41b。 基板檢出部50,是檢出在搬運路A1移動的基板W。在本實施例中,在處理室20內具有2個基板檢出部50a、50b。基板檢出部50a,是被設於處理室20的搬入口21的附近。基板檢出部50b,是位於處理室20的搬出口22的附近。且,檢出沿著搬運路A1被搬運的基板W中的與搬運方向垂直交叉的寬度方向的端部。 在此使用第2圖、第3圖,說明基板檢出部50(50a、50b)。又,基板檢出部50a及50b,是成為相同構成。 第2圖(a)是顯示基板檢出部50未檢出基板W的狀態,第2圖(b)是顯示基板檢出部50檢出基板W的狀態,第3圖,是從第2圖(a)的CR方向所見的側面圖。 基板檢出部50,是具有:擺動部51、及感測器部52、及流體吐出部(吐出部)53。擺動部51及感測器部52,是作為檢出部的功能。 擺動部51,是具有:可旋轉自如地被支撐於處理室20的框架20a等的旋轉軸1(第3圖參照)、及被固定支撐於旋轉軸1的擺動板2。此擺動板2是例如金屬板,具有:被支撐於旋轉軸1的本體2a、及在本體2a的一方端對於本體2a具有鈍角地被支撐的受板2b。受板2b是例如樹脂製的板,對於先前述及的處理液具有耐液性的構件。在受板2b中,安裝有錘2c。藉由此錘2c,使擺動板2本身,在第2圖中,被賦予以旋轉軸1為中心的順時針的旋轉力矩。又,2d、2e是止動器。擺動板2,雖是受到先前述及的順時針的旋轉力矩,但是如第2圖(b)所示,在擺動板2與止動器2d抵接之處,其轉動(擺動)被限制。另一方面,如第2圖(a)所示,藉由使從後述的流體吐出部53被吐出的液體與受板2b抵接,在擺動板2中,雖受到以旋轉軸1為中心的逆時針的旋轉力矩,但是止動器2e與擺動板2抵接之處,其轉動(擺動)被限制。 感測器部52,是檢出擺動板2的擺動的有無。如第3圖所示,將磁鐵2f內藏的檢出板2g是被固定支撐在擺動板2的另一方端中。此檢出板2g的擺動的有無,是藉由被固定於框架20a的磁性感測器52a而被檢出。即,磁性感測器52a,是第2圖(a)的狀態時將斷開(OFF)訊號朝控制部60輸出,第2圖(b)的狀態時將導通(ON)訊號朝控制部60輸出。 流體吐出部53,是具有噴嘴53a。此噴嘴53a、及擺動板2的受板2b,是隔著搬運路A1相面對地配置。在本實施例中,噴嘴53a,是在基板W的搬運路A1的下方,且與沿著搬運路A1被搬運的基板W的寬度方向的一方的端部的下面相面對地配置。對於此,先前述及的受板2b,是在搬運路A1的上方,與噴嘴53a相面對地設置。如第2圖(a)、(b)所示,流體m是從搬運路A1的下方朝向搬運路A1,即在第2圖中朝向上方,從噴嘴53a被吐出。例如,來自噴嘴53a的流體m的吐出,不是只有由基板處理裝置10所進行的基板W的處理中,處理待機中也被持續。在本實施例中,噴嘴53a與液供給管42b連接,從噴嘴53a被吐出的流體m,是與基板的處理所使用的處理液(例如顯像液)相同。噴嘴53a的吐出口徑,是例如1-5mm。從噴嘴53a被吐出的流體m是與擺動板2的受板2b抵接時,如第2圖(a)所示,在擺動板2中,會發生以旋轉軸1為中心的逆時針的旋轉力矩。且從噴嘴53a被吐出的流體m的液壓是被設定成:使此逆時針的旋轉力矩,成為在具有錘2c的擺動板2本身發生的時鐘方向的旋轉力矩以上。此液壓的設定,可以依據藉由實驗等求得的液壓進行。又已經述及,受到逆時針的旋轉力矩的擺動板2,是在止動器2e與擺動板2抵接之處,其轉動被限制。 如前述,第2圖(a)是顯示基板檢出部50未檢出基板W的狀態,第2圖(b)是顯示基板檢出部50檢出基板W的狀態。又在第2圖中基板的搬運方向,是紙面的垂直交叉方向。 在第2圖(a)中,從噴嘴53a被吐出的流體m,是不會被基板W遮到地到達受板2b。由此,擺動板2,是以旋轉軸1為中心朝逆時針方向轉動,其轉動是在擺動板2與止動器2e抵接之處停止,使此狀態被維持。此時,磁性感測器52a,因為未檢出磁鐵2f,所以將斷開(OFF)訊號朝控制部60輸出。另一方面在第2圖(b)中,從噴嘴53a被吐出的流體m,因為是被基板W遮住所以無法到達受板2b。由此,擺動板2,是以旋轉軸1為中心朝順時針方向轉動,其轉動是在擺動板2與止動器2d抵接之處停止,使此狀態被維持。此時,磁性感測器52a,是檢出磁鐵2f,將導通(ON)訊號朝控制部60輸出。 又,基板檢出部50a、50b,是將構成搬運部30的旋轉軸32迴避地配置。 返回至第1圖,控制部60,是具備:將各部集中地控制的微電腦、及將處理資訊和各種程式等記憶的記憶部(皆無圖示)。此控制部60,是依據各種資訊和各種程式,將搬運部30、處理部40、基板檢出部50控制。 (基板處理) 接著說明,前述的基板處理裝置10所進行的基板處理(基板處理過程)。 在基板處理中,搬運部30的各滾子31旋轉,使那些的滾子31上的基板W朝規定的搬運方向A2被搬運,沿著搬運路A1移動。在此搬運路A1中的液供給範圍中,從基板W的搬運之前,預先從位於搬運路A1的上方的各噴灑器41a使處理液被吐出,進一步,從位於搬運路A1的下方的各噴灑器41b使處理液被吐出。且,從噴嘴53a也被吐出與從各噴灑器41a、41b被供給的處理液相同的處理液。在從各噴灑器41a、41b使處理液朝搬運路A1中的液供給範圍被吐出的狀態下,基板W通過該液供給範圍的話,朝基板W的上下面(表背面)被供給處理液,使基板W的上下面藉由處理液被處理。 在此基板處理中,將搬運路A1移動的基板W,是藉由搬入口21側的基板檢出部50a而被檢出,使其檢出訊號朝控制部60被輸入。即,從搬入口21被搬入的基板W,若到達構成基板檢出部50a的噴嘴53a的上方的話,從噴嘴53a被吐出的流體m,就無法到達受板2b,從第2圖(a)所示的狀態朝第2圖(b)所示的狀態變化。藉此從磁性感測器52a使導通(ON)訊號被輸入至控制部60。其後,基板W移動,藉由如前述從各噴灑器41a、41b被供給的處理液而被處理。且,基板W若到達搬出口22側的基板檢出部50b的話,同樣地基板W被檢出,其檢出訊號被輸入至控制部60。其後,下一個處理對象的基板W若從搬運路A1移動來的話,與前述同樣地,藉由搬入口21側的基板檢出部50a被檢出,其後,藉由搬出口22側的基板檢出部50b被檢出。這些的檢出訊號也被輸入至控制部60。之後的處理對象的基板W也同樣。 控制部60,是收訊來自各基板檢出部50a、50b的檢出訊號,將依據此搬運路A1上的基板W的有無檢出。 進一步控制部60,是對應基板W的有無,判斷基板W是否穩定地被搬運。例如,控制部60,是依據搬入口21側的基板檢出部50a的檢出訊號把握到有基板W之後,藉由依據基板檢出部50a的檢出訊號判斷直到把握到沒有基板W為止的時間是否為規定的容許範圍內,來確認基板W的搬運速度。進一步,控制部60,是依據基板檢出部50a的檢出訊號把握到沒有基板W之後,藉由依據基板檢出部50a的檢出訊號判斷直到把握到有下一個基板W為止的時間是否為規定的容許範圍內,來確認基板W的搬運間隔。這種確認,也依據搬出口22側的基板檢出部50b的檢出訊號同樣地被實行。控制部60,是判斷為這些的時間不是規定的容許範圍內的情況時,就判別為搬運中的基板W的搬運速度和搬運間隔不正常,搬運異常發生,藉由例如音和顯示等將搬運異常報知,將基板W的搬運停止。另一方面,前述的各時間是被判斷為規定的容許範圍內的情況時,就判別為搬運是正常,繼續搬運。又,前述的各規定的容許範圍是各別預先被設定在控制部60的記憶部。 如以上說明,依據第1實施例的話,基板檢出部50,因為是檢出來自噴嘴53a的被吐出的流體m是否到達受板2b,所以構成基板檢出部50的擺動板2等不需要與基板W直接接觸就可以將基板W的到來檢出。因此,可以不會造成基板W損傷地將基板W的到來檢出。 且基板檢出部50,因為是藉由從噴嘴53a被吐出的流體m是否到達受板2b,來檢出基板W的到達,所以例如,與隔著搬運路A1配置投光器及受光器的情況時比較的話,起因於附著在受光器等的處理液的誤檢出被抑制,可以提高基板的檢出精度。 且從基板檢出部50的噴嘴53a被吐出的流體m,是與處理部40所使用的處理液相同者。由此,即使將從噴灑器41a、41b被吐出的處理液、及從噴嘴53a被吐出的流體m回收至同一的槽桶43,處理液的濃度也不會變化,不同的處理液也不會混合。由此,可以將被回收至槽桶43的處理液,再度使用在處理部40中的處理。 且從噴嘴53a吐出足夠讓擺動板2擺動的量及流速的流體m即可,且從噴嘴53a吐出的流體m,沒有必要與受板2b的整體接觸,只要接觸受板2b的一部分即可。因此,可以減少流體m的使用量。將從噴嘴53a吐出的流體m的使用量減少的話,基板W的搬運也不會起因於基板W受到從噴嘴53a吐出的流體m而被妨害。 且第2圖(b)所示,在來自噴嘴53a的流體m無法到達受板2b的狀態下,受板2b,是成為對於與本體2a的連接部朝搬運路A1側傾斜的狀態。因此,基板W通過基板檢出部50,從噴嘴53a吐出的流體m到達受板2b的至少最初,流體m主要是朝本體2a及受板2b的連接部側流動。因此,到達了受板2b的流體m,可以有效地活用在對於擺動板2的逆時針方向的力矩的生成。 但是一般,在基板處理裝置中,基板的上面側中央部分多是作為最終的製品被使用的面。即,基板的下面(背面),特別是基板的寬度方向的端部中的下面,與基板上面的中央部分相比精密的處理多不被要求。在本實施例中,從噴嘴53a被吐出的流體m,因為不是與基板W的上面,而是與基板W的下面抵接,所以可防止從噴嘴53a被供給的流體m被供給至基板W的上面側的處理液的供給量變動。從此可知,可以將基板W的上面側的處理均一地進行。 且構成基板檢出部50的擺動部51及流體吐出部53,是儘可能地,接近搬運路A1較佳。例如,將噴嘴53a設於搬運路A1的正下方(例如與滾子31相同高度位置),將如第2圖(b)所示的狀態的受板2b設於搬運路A1的正上方(例如比被滾子31搬運的基板W的厚度分更略高的位置)。由此,可以抑制從噴嘴53a吐出的流體m的量。 抑制從噴嘴53a吐出的流體m的量,對於以下的點也有利。在上述的實施例中所例示的基板處理裝置10中,通常,多不會將如噴灑器41的將處理液吐出的工具設置在處理室20的搬入口21和搬出口22的附近。這是為了防止從噴灑器41吐出的處理液侵入與處理室20相鄰接的其他的處理室。可以抑制從噴嘴53a吐出的流體m的量的話,就可防止從噴嘴53a吐出的流體m侵入其他的處理室。 <其他的實施例> 對於前述的實施例,加上如下的變更也無妨。 噴嘴53a,雖是與液供給管42b連接地構成,但是不限定於此,具備噴嘴53a專用的液供給管也可以。 且不特別設置基板檢出部50用的噴嘴53a,可取代噴嘴53a,而利用被使用在基板W的下面(背面)的處理的噴灑器41b所具有的噴嘴也可以。 且從噴嘴53a被吐出的流體m沒有必要是與處理液相同者,與處理液不同種類的液體也可以。 且雖從構成流體吐出部53的噴嘴53a,將流體m(例如顯像液)吐出,但是不限定於此,將氣體吐出也可以。 且磁性感測器52a,雖是檢出磁鐵2f,將導通(ON)訊號朝控制部60輸出,但是磁性感測器52a檢出磁鐵2f的話將斷開(OFF)訊號朝控制部60輸出,磁性感測器52a未檢出磁鐵2f的情況時將導通(ON)訊號朝控制部60輸出也可以。 且雖藉由將錘2c安裝在擺動板2來獲得旋轉力矩,但是不限定於此,在旋轉軸1及框架20a之間隔著扭轉彈簧也可以。 且雖例示了將複數根的滾子31設於旋轉軸32地構成1根搬運滾子,但是不限定於此,例如,對於1根旋轉軸32,使用1根圓筒狀的搬運滾子也可以。 且雖例示了將噴灑器41設於搬運路A1的上方及下方,但是不限定於此,例如,只有將基板W的上面處理的情況,只有設於搬運路A1的上方也可以。 且各基板檢出部50,雖是設置擺動部51,將此擺動部51的擺動由感測器部52檢出地構成,但是不限定於此,例如,可取代擺動部51,設置由從流體吐出部53被供給的流體而旋轉的旋轉體,藉由檢出此旋轉體的旋轉的有無,或是旋轉體的旋轉速度的差,來檢出基板W也可以。 以上,雖說明了本發明的一些的實施例,但是這些的實施例,只是例示者,未意圖限定發明的範圍。這些新穎的實施例,可由其他的各式各樣的形態被實施,在不脫離發明的實質範圍內,可以進行各種的省略、置換、變更。這些實施例和其變形,是被包含於發明的範圍和實質,並且被包含於申請專利範圍的發明及其均等的範圍。
1:旋轉軸 2:擺動板 2a:本體 2b:受板 2c:錘 2d,2e:止動器 2f:磁鐵 2g:檢出板 10:基板處理裝置 20:處理室 20a:框架 21:搬入口 22:搬出口 30:搬運部 31:滾子 32:旋轉軸 40:處理部 41(41a,41b):噴灑器 42(42a,42b):液供給管 43:槽桶 44:回收管 50(50a,50b):基板檢出部 51:擺動部 52:感測器部 52a:磁性感測器 53:流體吐出部 53a:噴嘴 60:控制部 A1:搬運路 A2:搬運方向 m:流體 W:基板
[第1圖]顯示本發明的基板處理裝置的第1實施例的圖。 [第2圖]顯示被設置在第1圖所示的基板處理裝置的基板檢出部的構造例及動作例的圖。 [第3圖]從第2圖(a)所示的CR方向所見的基板檢出部的側面圖。
W:基板 10:基板處理裝置 20:處理室 20a:框架 21:搬入口 22:搬出口 30:搬運部 31:滾子 32:旋轉軸 40:處理部 41,41a,41b:噴灑器 42a,42b:液供給管 43:槽桶 44:回收管 50,50a,50b:基板檢出部 53:流體吐出部 60:控制部

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置,具有: 將基板沿著搬運路搬運的搬運部、及 將藉由前述搬運部被搬運的前述基板藉由處理液處理的處理部、及 檢出藉由前述搬運部被搬運的前述基板的基板檢出部, 前述基板檢出部,是具有:從藉由前述搬運部被搬運的前述基板的下面側將流體吐出的吐出部、及在隔著前述搬運路的與前述吐出部相面對的位置中檢出來自前述吐出部的前述流體的到達的檢出部。
  2. 如請求項1的基板處理裝置,其中, 前述流體,是與前述處理液相同的處理液。
  3. 如請求項1或2的基板處理裝置,其中, 具備: 將在前述處理部所使用的處理液回收用的回收管、及 將藉由前述回收管被回收的前述處理液貯留的槽桶、及 前述處理部,是將被回收且被貯留在前述槽桶的前述處理液,再度使用於前述處理部的處理。
  4. 如請求項1或2的基板處理裝置,其中, 前述檢出部,是具有:擺動部、及感測器部, 前述擺動部,是藉由從前述吐出部被吐出的流體而擺動, 前述感測器部,是檢出前述擺動部的前述擺動。
  5. 如請求項4記載的基板處理裝置,其中, 前述擺動部,是具有以與前述基板的搬運方向平行的軸為中心擺動的擺動板。
  6. 如請求項5的基板處理裝置,其中, 前述擺動板,是具有:本體、及在前述本體的一端具有鈍角地被支撐的受板。
  7. 如請求項6的基板處理裝置,其中, 在前述受板中安裝有錘,藉由此錘,使以前述軸為中心使前述基板側的旋轉力矩被附加在前述擺動板中。
  8. 如請求項6的基板處理裝置,其中, 前述受板,是在從前述吐出部被吐出的前述流體被前述基板遮住而無法到達前述受板的狀態下,成為對於與前述本體的連接部朝前述搬運路側傾斜的狀態。
  9. 如請求項1或2的基板處理裝置,其中, 前述流體是從前述基板來到前述吐出部的上方之前就從前述吐出部被吐出。
  10. 如請求項1或2的基板處理裝置,其中, 前述處理部,是具有: 沿著前述基板的搬運方向被設置的複數噴灑器、及 讓被供給至前述噴灑器的前述處理液流動的液供給管, 前述吐出部,是具有噴嘴,前述噴嘴,是與前述液供給管連接。
  11. 如請求項1或2的基板處理裝置,其中, 前述檢出部,是具有由從前述吐出部被供給的流體而旋轉的旋轉體, 前述基板檢出部,是從前述旋轉體的旋轉狀態檢出前述流體的到達。
TW108146616A 2019-03-29 2019-12-19 基板處理裝置 TWI711103B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019065819A JP6857682B2 (ja) 2019-03-29 2019-03-29 基板処理装置
JP2019-065819 2019-03-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202036748A TW202036748A (zh) 2020-10-01
TWI711103B true TWI711103B (zh) 2020-11-21

Family

ID=72673029

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108146616A TWI711103B (zh) 2019-03-29 2019-12-19 基板處理裝置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6857682B2 (zh)
CN (1) CN111755366B (zh)
TW (1) TWI711103B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7594946B2 (ja) * 2021-03-10 2024-12-05 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7419320B2 (ja) * 2021-09-30 2024-01-22 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107081673A (zh) * 2016-02-12 2017-08-22 株式会社荏原制作所 基板保持模块、基板处理装置及基板处理方法
TW201836049A (zh) * 2017-02-28 2018-10-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置以及基板處理方法
WO2019021586A1 (ja) * 2017-07-28 2019-01-31 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000173963A (ja) * 1998-12-03 2000-06-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4763527B2 (ja) * 2006-06-22 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4861970B2 (ja) * 2007-12-04 2012-01-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2013051337A (ja) * 2011-08-31 2013-03-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び処理液の流路切り替え方法
CN103187341B (zh) * 2011-12-27 2015-11-18 芝浦机械电子株式会社 基板的处理装置及处理方法
JP6000019B2 (ja) * 2012-08-22 2016-09-28 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
CN105185726B (zh) * 2014-05-13 2018-09-21 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置、基板处理方法、基板制造装置及基板制造方法
JP6008917B2 (ja) * 2014-09-10 2016-10-19 芝浦メカトロニクス株式会社 基板検出装置および基板処理装置
JP2016167475A (ja) * 2015-03-09 2016-09-15 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
CN107305854B (zh) * 2016-04-22 2021-05-14 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 一种集成电路基板清洗设备
JP6789026B2 (ja) * 2016-07-28 2020-11-25 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107081673A (zh) * 2016-02-12 2017-08-22 株式会社荏原制作所 基板保持模块、基板处理装置及基板处理方法
TW201836049A (zh) * 2017-02-28 2018-10-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置以及基板處理方法
WO2019021586A1 (ja) * 2017-07-28 2019-01-31 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202036748A (zh) 2020-10-01
JP2020167260A (ja) 2020-10-08
CN111755366B (zh) 2024-02-02
JP6857682B2 (ja) 2021-04-14
CN111755366A (zh) 2020-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI711103B (zh) 基板處理裝置
CN102205296B (zh) 涂敷装置
TWI494260B (zh) Substrate processing device
JP5368326B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6789026B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2008004747A (ja) 基板処理装置
JP5103317B2 (ja) 缶洗浄装置及び缶の洗浄方法
JP6737649B2 (ja) 塗布装置および塗布方法
JP6732213B2 (ja) ガラス基板の製造方法
JP2004283777A (ja) 基板処理装置
JP2012124308A5 (zh)
TWI788210B (zh) 基板處理裝置
JP7148289B2 (ja) 基板検出装置及び基板処理装置
TWI741062B (zh) 玻璃基板之製造方法
JP4837938B2 (ja) コーティング装置
JP7451781B2 (ja) 基板処理装置
TWI851080B (zh) 基板處理裝置
CN101526760B (zh) 基板处理系统及显影方法
JP2007217752A (ja) エッチング装置
JP6700605B2 (ja) ガラス基板の製造方法
JP6667797B2 (ja) ガラス基板の製造方法
JP2023125257A (ja) 基板処理装置および基板検知方法
JP2008073601A (ja) 被塗装体の部分塗装装置
KR200473500Y1 (ko) 기판 이송 장치
KR20110010517A (ko) 분사상태를 감지할 수 있는 기판 처리 장치