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TWI708379B - 影像感測器、製造影像感測器之方法、及檢驗系統 - Google Patents

影像感測器、製造影像感測器之方法、及檢驗系統 Download PDF

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TWI708379B
TWI708379B TW108105342A TW108105342A TWI708379B TW I708379 B TWI708379 B TW I708379B TW 108105342 A TW108105342 A TW 108105342A TW 108105342 A TW108105342 A TW 108105342A TW I708379 B TWI708379 B TW I708379B
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陳振華
R 伊桑尼阿里
德爾加多吉爾達多
L 布朗大衛
艾力克斯 莊勇和
費爾登約翰
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美商克萊譚克公司
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Abstract

本發明揭示一種用於短波長光及帶電粒子之影像感測器，該影像感測器包含一半導體薄膜、形成在該半導體薄膜之一表面上之電路元件及該半導體薄膜之另一表面上之一純硼層。即使在以高通量連續使用多年之情況下，此影像感測器仍具有高效率及良好穩定性。可使用CCD (電荷耦合裝置)或CMOS (互補式金屬氧化物半導體)技術製造該影像感測器。該影像感測器可係一個二維區域感測器或一個一維陣列感測器。該影像感測器可包含於一電子轟擊影像感測器中及/或一檢驗系統中。

Description

影像感測器、製造影像感測器之方法、及檢驗系統
本申請案係關於適用於感測深UV(DUV)、真空UV(VUV)及極UV(EUV)波長中之輻射之影像感測器，及用於製作此等影像感測器之方法。該等感測器之一些實施例適用於感測電子及其他帶電粒子。全部該等感測器皆適用於光罩(photomask)、比例光罩(reticle)或晶圓檢驗系統中。
積體電路產業需要具有愈來愈高解析度之檢驗工具以解析積體電路、光罩、比例光罩、太陽能電池、電荷耦合裝置等之不斷減小之特徵，以及偵測大小為該等特徵大小之量級或小於該等特徵大小之缺陷。
在許多情況中，在短波長(例如，短於約250nm之波長)操作之檢驗系統可提供此解析度。在其他情況中，可使用電子或其他帶電粒子(諸如，氦(He)核(亦即，α粒子))。明確言之，針對光罩或比例光罩檢驗，可期望使用相同於或接近於將用於微影之波長(亦即，針對當代微影，接近於193.4nm且針對未來EUV微影，接近於13.5nm)之一波長檢驗，此係因為由圖案引起之檢驗光之相移將相同於或非常類似於微影期間引起之該等相移。針對檢驗半導體圖案化晶圓，在一相對廣泛波長範圍(諸如，包含近UV、DUV及/或VUV範圍中之波長之一波長範圍)內操作之檢驗系統可 係有利的，因為一廣泛波長範圍可減小對層厚度或圖案尺寸之小改變(其等可在一個別波長引起反射率之大改變)之敏感度。
為了偵測光罩、比例光罩及半導體晶圓上之小缺陷或粒子，需要高信雜比。當以高速檢驗時，需要高光子或粒子通量密度以確保高信雜比，此係因為偵測之光子數目之統計波動(泊松雜訊)係對信雜比之一基本限制。在許多情況中，每像素需要大約100,000個或更多個光子。因為檢驗系統通常每天投入使用24小時且僅具有短暫停工，所以在僅操作幾個月之後，偵測器被曝露於大劑量輻射。
具有250nm之一真空波長之一光子具有大約5eV之能量。二氧化矽之能帶隙為約10eV。儘管此等波長光子看似無法藉由二氧化矽吸收，然如生長在矽表面上之二氧化矽在與矽之界面處必須具有一些懸鍵，此係因為二氧化矽結構無法完美匹配矽晶體之結構。此外，因為單個二氧化物係非晶系，所以材料內亦可能存在一些懸鍵。實務上，在氧化物內以及至可吸收具有深UV波長之光子(尤其波長短於約250nm之該等光子)之下層半導體之界面處將存在不可忽略密度之缺陷及雜質。此外，在高輻射通量密度下，兩個高能量光子可在一非常短時間間隔(奈秒或皮秒)內到達相同位置附近，此可導致電子藉由兩個吸收事件快速連續地激發或藉由雙光子吸收激發至二氧化矽之傳導帶。EUV光子具有非常高能量(波長13.5nm對應於接近於92eV之光子能量)且能夠使矽-氧鍵斷裂以及與氧化物中之缺陷及污染物強烈地相互作用。電子及帶電粒子偵測器通常必須偵測具有幾百eV或更高能量之電子或帶電粒子。大於10eV之能量可易於使矽-氧鍵斷裂。
如上文所指示，高能量光子及粒子可使鍵斷裂且離子化二氧化矽層 中之原子。因為二氧化矽係一良好絕緣體，所以二氧化矽中產生之自由電子在重新組合之前可具有ms或更長之壽命。一些此等電子可遷移至半導體材料中。此等電子在二氧化矽內及二氧化矽與半導體之間產生電場。此等電場可引起半導體中藉由吸收光子而產生之電子遷移至半導體之表面且重組，藉此導致信號丟失及減小之偵測器量子效率。因為產生新自由電子與其等可重組一樣快或比其等可重組更快，所以近連續使用儀器意謂可存在很少(或無)時間用於偵測器之恢復。
高能量粒子及光子亦可引起二氧化矽之不可逆變化。此等變化可包含二氧化矽內原子鍵結之重新組態或小原子之遷移。在偵測器之正常操作溫度(其等通常在自大約室溫至約50℃之一範圍中)，此等變化將不會恢復。特定言之，已知用作為EUV偵測器之習知矽光二極體隨著使用效率降級。
半導體偵測器之表面上之二氧化矽層顯著減小用於低能量(小於約2kV)電子之該等偵測器之效率。一些低能量電子係藉由二氧化矽吸收，藉此引起二氧化矽充電且使隨後到達電子偏轉。因為原生氧化物將始終形成在一曝露矽表面上，所以矽偵測器在其等表面上必須具有一些氧化物。在半導體之表面上生長或沈積一替代介電材料(代替氧化物)導致在半導體至二氧化矽界面處之缺陷狀態之一更高密度。此等缺陷減小偵測器之量子效率，尤其針對在半導體之表面附近吸收之光子或帶電粒子。
EUV感測器之降級之一額外原因在於，在一EUV系統中，碳薄層隨時間構建在曝露於EUV輻射之任一表面(包含影像感測器及光學元件之表面)上。此碳層隨著其變厚而吸收EUV輻射並減小感測器之靈敏度且減小光路徑中之光學元件之反射率。在一EUV系統中，週期性地清潔曝露於 EUV之全部表面以移除碳。通常運用活化氫(原子氫與氫基團之一混合物)執行此清潔，該活化氫對移除碳非常有效。然而，氫基團影響矽偵測器之表面上之氧化物且亦可引起該等感測器之效能之降級。
在此項技術中已知適用於偵測EUV及/或電子之二極體偵測器。在2012年3月20日頒予Nihtianov之美國專利8,138,485、2009年9月8日頒予Nihtianov之美國專利7,586,108、2012年10月25日發表之美國公開申請案2012/0268722(由Nihtianov申請)及2011年7月14日發表之美國公開申請案2011/0169116(由Nanver申請)中描述例示性二極體偵測器。此等二極體偵測器包含直接在矽表面上之薄(1nm至20nm)硼層。美國公開申請案2011/0169116進一步描述此一偵測器之表面上之一金屬導體之一開孔網眼(open mesh)。
此等先前技術偵測器具有形成在頂部(光或電子入射)表面上之接觸件。具有形成在照明表面上之接觸件及導體之一缺點在於，無法產生具有大量(數千個或數百萬個)偵測器元件(像素)之一偵測器同時維持高偵測器效率。各偵測器元件需要多個控制信號，該等控制信號通常與其他偵測器元件共用。針對100,000個電子或更多個電子之最大阱容，偵測器元件尺寸通常可在約10μm至20μm之範圍中。無法製成將此等控制信號彼此連接之數百或數千個互連線且無法在不覆蓋表面之大部分區域之情況下驅動電路。因為DUV、VUV及EUV光子及低能量粒子將不穿透諸如金屬及多晶矽之導體層，所以藉由此等導體覆蓋之區域將具有低(或無)靈敏度。
因此，需要一種能夠偵測高能量光子或帶電粒子且克服上述缺點之影像感測器。
描述製造具有高量子效率之影像感測器(其等用於使DUV、VUV及/或EUV輻射及/或帶電粒子成像)之方法。根據此等方法製造之影像感測器能夠在DUV、VUV、EUV、及/或帶電粒子之高通量下長壽命操作。此等方法包含在一半導體(較佳矽)晶圓上之一層中形成光敏主動及/或被動電路元件之程序步驟。
製造一影像感測器之一例示性方法包含：在一基板上形成一磊晶層；在該磊晶層上形成一閘極層，該閘極層包括一或多個介電材料(諸如，二氧化矽及氮化矽)層；在該閘極層上形成電路元件，包括多晶矽及介電材料，但無金屬膜或金屬互連線；薄化該基板以產生一薄化基板(本文中亦稱作一薄膜)且曝露該磊晶層之至少部分；及在該磊晶層之曝露部分上直接形成一純硼層。如本文中所使用，片語「電路元件」指代光敏裝置(諸如，電荷耦合裝置及光二極體)、其他半導體裝置(諸如，電晶體、二極體、電阻器及電容器)及該等裝置之間之電互連(通常稱為互連線)。在此第一例示性實施例中，在硼沈積之前形成之電路元件並不包含任何金屬互連線。使用標準半導體製造程序形成此等電路元件，該等標準半導體製造程序包含(但不限於)光微影、沈積、蝕刻、離子植入及退火。可使用化學蝕刻及/或拋光執行薄化樣本(例如，一晶圓)。注意，此薄化可增加影像感測器對照射在背表面上之光之敏感度。可在硼層上形成一抗反射塗層或一導電塗層。此抗反射或導電塗層可增加所關注波長至影像感測器中之透射及/或保護該影像感測器。在一實施例中，可在薄化基板之後且在形成硼層之前摻雜磊晶層之至少一曝露部分。在背表面上沈積硼層之後，可完成前表面上之電路，包含形成金屬互連線。
製造一影像感測器之另一方法包含在一基板上形成一磊晶層，接著 在該磊晶層上形成電路元件。此步驟可包含形成金屬互連線。可在電路元件上形成一處置晶圓或一保護層。接著，薄化該基板以曝露磊晶層之至少部分。如上文所指示，此薄化可增加影像感測器對照射在背表面上之光之敏感度。在薄化程序中曝露之磊晶層之表面上形成一純硼層。可在該硼層上形成一抗反射塗層或一導電塗層。此抗反射或導電塗層可增加所關注波長至影像感測器中之透射及/或保護該影像感測器。
描述具有高量子效率及針對DUV、VUV及/或EUV輻射及/或帶電粒子之長壽命操作之影像感測器。自背側薄化此等影像感測器使得其等對照射在該等影像感測器(其中此等影像感測器係背照式)之背側上之輻射或帶電粒子高度敏感。在磊晶層之背表面上直接沈積高純度非晶硼之薄(例如，厚度介於約2nm與約20nm之間)層。在一些實施例中，可在硼上塗佈一額外材料層。可選擇各層之厚度及材料以增加所關注波長至影像感測器中之透射及/或保護該影像感測器。
可使用CCD(電荷耦合裝置)或CMOS(互補式金屬氧化物半導體)技術製造本文中所描述之影像感測器。該等影像感測器可係二維區域感測器或一維陣列感測器。
本文中描述一種電子轟擊影像感測器。該電子轟擊影像感測器包含一光陰極，該光陰極在其吸收一光子或帶電粒子時發射電子。所發射之電子經加速朝向一固態影像感測器，諸如一CCD影像感測器或一CMOS影像感測器。如上文所描述，影像感測器包含直接沈積在一薄化基板上之一純硼層，藉此確保撞擊裝置之幾乎全部電子穿透至裝置中。此高位準之穿透使電子轟擊影像感測器能夠使用一低加速電壓(諸如小於2kV或小於1kV之一加速電壓)，藉此導致更佳影像解析度及更長感測器壽命。
亦描述一種用於檢驗一樣本之系統。此系統包含用於照明該樣本之一照明源及兩個照明中繼。影像中繼光學器件經組態以在樣本之光輸出(亦即，反射及/或透射)對應於第一通道照明中繼時將該等光輸出引導至一第一通道影像模式中繼，且在該等光輸出對應於第二通道照明中繼時將該等光輸出引導至一第二通道影像模式中繼。一感測器經組態以接收第一通道影像模式中繼及第二通道影像模式中繼之中繼輸出。該感測器包含一半導體薄膜，其中在該薄膜之一表面上形成電路元件且在該薄膜之相對表面上沈積一硼層。在此組態中，感測器能夠同時偵測相同樣本之兩個影像。
亦描述一種例示性檢驗系統。此檢驗系統包含一照明源、光學器件及一偵測器。光學器件經組態以將來自照明源之輻射引導且聚焦至一樣本上。偵測器經組態以自該樣本接收反射或散射之光，其中光學器件進一步經組態以將該反射或散射之光收集、引導且聚焦至偵測器上。偵測器可包含一或多個影像感測器。至少一影像感測器包含一半導體薄膜，其中該半導體薄膜包含形成在該半導體薄膜之一表面上之電路元件及沈積在該半導體薄膜之相對表面上之一硼層。
301:基板
301A:薄化基板
302:磊晶(epi)層
303:閘極氧化物層
303A:摻雜層
304:介電層
305:前側電路元件
305A:保護層
306:純硼層
307:前側金屬
308:罩蓋層
401:基板
402:磊晶(epi)層
402A:埋藏氧化物層
402B:蝕刻氧化物
403:電路元件
403A:矽穿孔(TSV)
404:處置晶圓
406:純硼層
407:金屬襯墊
501:電子轟擊影像感測器系統
502:固態影像感測器
503:負電壓
504:光陰極
505:密封管
507:管之頂部表面
510:光
520:光電子
601:時脈信號
602:第二時脈信號
603:第三時脈信號
604:線
700:分離讀出影像感測器
701A:讀出電路
701B:讀出電路
702A:串列暫存器
702B:串列暫存器
703:影像區域
703A:影像區域之側
703B:影像區域之側
704A:讀出放大器
704B:讀出放大器
710:像素
711:像素
713:n型埋藏通道
714:光敏p型矽基板
731:閘極
732:閘極
733:閘極
734:閘極
735:閘極
736:閘極
770:時間
771:時間
772:時間
800:晶圓檢驗系統
809:照明源
815:通道1照明中繼
820:通道2照明中繼
830:檢驗物件
840:影像中繼光學器件
855:通道1影像模式中繼
860:通道2影像模式中繼感測器
870:影像感測器
890:資料
900:偵測器總成
902:矽插入物
904:光敏感測器
906:驅動器電路
908:數位轉換器電路
910:基板
912:印刷電路板(PCB)通孔互連線
916:焊料球
1000:感測器模組陣列
1001:感測器模組陣列
1002:上列
1004:下列
1006:時間延遲積分(TDI)影像掃描方向
1100:檢驗系統
1102:照明源
1103:光學器件
1104:偵測器總成
1105:物鏡
1106:偵測器
1108:樣本
1112:載物台
1114:計算系統
1116:載體媒體
1118:程式指令
A:方向
B:方向
P1a:電荷耦合裝置(CCD)驅動器
P1b:電荷耦合裝置(CCD)驅動器
P2a:電荷耦合裝置(CCD)驅動器
P2b:電荷耦合裝置(CCD)驅動器
P3a:電荷耦合裝置(CCD)驅動器
P3b:電荷耦合裝置(CCD)驅動器
圖1圖解說明製造一影像感測器之一例示性方法。
圖2圖解說明用於製造一影像感測器之一替代例示性技術200。
圖3A至3G圖解說明經受參考圖1所描述之方法之一晶圓之例示性橫截面。
圖4A至4G圖解說明經受參考圖2所描述之方法之一晶圓之例示性橫截面。
圖5圖解說明一例示性電子轟擊影像感測器系統。
圖6圖解說明本文中所描述併入CCD之影像感測器之任一者之時脈信號之例示性驅動電壓。
圖7A圖解說明包含兩組讀出電路之一例示性分離讀出影像感測器。
圖7B圖解說明驅動若干組閘極電極之複數個CCD驅動器，各組具有多個閘極。
圖8展示可在一感測器上同時偵測影像或信號之兩個通道之一比例光罩、光罩或晶圓檢驗系統。
圖9圖解說明併入一影像感測器、矽插入物及其他電子器件之一例示性偵測器總成。
圖10圖解說明包含複數個時間延遲積分(TDI)感測器模組之一例示性感測器模組陣列。
圖11圖解說明經組態以量測諸如一晶圓、比例光罩或光罩之一樣本之一例示性檢驗系統。
相關申請案
本申請案主張2012年4月10日由Chern等人申請之標題為「BACK-ILLUMINATED CCD WITH PURE-BORON COATING FOR EUV AND VUV APPLICATION IN MASK AND WAFER INSPECTION」之美國臨時申請案61/622,295及2012年6月12日由Chuang等人申請之標題為「ELECTRON-BOMBARDED CCD AND INSPECTION SYSTEMS USING ELECTRON-BOMBARDED CCD DETECTORS」之美國臨時申請案61/658,758之優先權，該等案之兩者以引用的方式併入本文中。
本申請案亦涉及2012年12月10日由Chuang等人申請之標題為 「ELECTRON-BOMBARDED CHARGE-COUPLED DEVICE AND INSPECTION SYSTEMS USING EBCCD DETECTORS」之美國專利申請案13/710,315，該案主張2011年12月12日由Chuang等人申請之標題為「ELECTRON-BOMBARDED CHARGE-COUPLED DEVICE AND INSPECTION SYSTEMS USING EBCCD DETECTORS」之臨時申請案61/569,611之優先權。本申請案亦涉及2012年12月10日由Brown等人申請之標題為「METHOD AND APPARATUS FOR HIGH SPEED ACQUISITION OF MOVING IMAGES USING PULSED ILLUMINATION」之美國臨時申請案61/735,427。全部此等申請案以引用的方式併入本文中。
圖1圖解說明用於製造一影像感測器之一例示性技術100。在步驟101中，可使用標準半導體處理步驟(諸如，微影、沈積、離子植入、退火及蝕刻)產生電路元件。在步驟101期間亦可產生CCD及/或CMOS感測器元件及裝置。此等電路元件係產生於晶圓之前表面上之一磊晶層中，且因此被稱為前側電路元件。在較佳實施例中，磊晶(epi)層之厚度為約20μm至40μm。在較佳實施例中，用p型摻雜劑(諸如硼)摻雜磊晶層及基板兩者，但磊晶層具有遠低於塊狀晶圓(下文及圖中稱作為p+摻雜)之一摻雜劑濃度(下文及圖中稱作為p-摻雜)。典型地，磊晶層電阻率將為約10Ω-cm至100Ω-cm，且基板電阻率將小於約0.01Ω-cm。儘管在步驟101中可形成多晶矽互連線，然因為在後續高溫處理步驟中將破壞金屬，所以一般不形成金屬互連線。
在步驟103中，可自背側薄化主動感測器區域或甚至整個晶圓。此薄化通常包含拋光與蝕刻之一組合以曝露磊晶層。在一實施例中，自背側拋 光晶圓直至該晶圓之厚度為約200μm至300μm。接著，用一材料(諸如，光阻劑或其他適合材料)保護前表面及主動感測器區域周圍之框區域。此時，使用一化學蝕刻劑以蝕除主動感測器區域上方之塊狀晶圓，藉此曝露主動感測器區域。因為塊狀晶圓具有遠高於磊晶層之一摻雜劑濃度及缺陷密度，所以塊狀半導體材料之蝕刻速率遠高於磊晶層之蝕刻速率。蝕刻程序在其到達磊晶層時減速，藉此導致一均勻厚度薄膜區域。在另一實施例中，將影像感測器接合至一處置晶圓，該處理晶圓可由石英、矽、藍寶石或其他材料製成。接著，使用一拋光程序以拋光整個晶圓直至僅留下磊晶層。
在步驟105中，可在前側表面上沈積一保護層以在步驟107至111期間保護前側電路元件。特定言之，因為硼趨於優先沈積在矽上，所以必須保護前側表面上之任何曝露矽或多晶矽。在一些實施例中，可在步驟103之前執行步驟105，使得保護層可在背薄化程序(步驟103)期間對前側表面提供額外保護。在一些實施例中，保護層可包括(例如)使用電漿增強型CVD沈積而沈積之氮化矽層。
在步驟107中，可清潔且製備後側表面用於硼沈積。在此清潔期間，應自背表面移除原生氧化物及任何污染物(包含有機物及金屬)。在一較佳實施例中，可使用一稀釋HF溶液或一RCA清潔程序(其係包含有機污染物、薄氧化物層及離子污染之移除之一組熟知晶圓清潔步驟)執行清潔。在清潔之後且在製備期間，較佳使用Marangoni乾燥技術(基於表面張力之乾燥技術)或一類似技術乾燥晶圓以使表面保持乾燥且無水痕。在較佳實施例中，在步驟107至109期間(例如使用乾燥氮)在一受控氣氛中保護晶圓以最小化原生氧化物再生長。
在步驟109中，可在一還原環境(諸如，稀釋氫氣或低壓氫氣)中使晶圓保持於一高溫達幾分鐘。在較佳實施例中，可使晶圓保持在大約800℃之一溫度達約4分鐘。此高溫可移除可能在步驟107之後再生長之任何原生氧化物層。
在步驟111中，在背側表面之背側上沈積一非晶純硼層。在一較佳實施例中，可在約700℃至800℃之一溫度使用乙硼烷與氫氣之一混合物執行此沈積以產生一高純度非晶硼層。硼層之厚度取決於感測器之預期應用。典型地，硼層厚度介於約2nm與20nm之間。通常藉由對一無針孔均勻膜之需要而限制最小厚度。最大厚度通常取決於藉由硼對所關注之光子或帶電粒子之吸收。注意，可以相同處理工具且較佳在相同處理腔室中執行步驟109與111，藉此確保可快速連續地執行步驟109與111而無該等步驟之間之表面污染或氧化物生長之可能性。可在2010年《J.Electron.Material》，第39卷，第162至173頁，Sarubbi等人之「Chemical vapor deposition of a-boron layers on silicon for controlled nanometer-deep p+-n junction formation」中找到關於硼沈積之更多細節。
硼層中之純度及針孔之缺乏對本文中所揭示之影像感測器之敏感度及壽命係至關重要的。若在沈積硼之前未自磊晶層表面移除任何原生氧化物膜，則該原生氧化物將受DUV、VUV及EUV光子及帶電粒子影響且將引起感測器使用效能之一降級。即使在硼沈積之前移除全部原生氧化物，若硼層中存在針孔，則在處理之後，氧仍將能夠透過該等針孔到達磊晶層且可氧化該層之表面。
在一些實施例中，亦可在步驟111期間(或緊接於步驟111之後)在硼層之頂部上沈積其他層。此等其它層可包含由一或多種材料組成之抗反射塗 層(諸如，二氧化矽、氮化矽、氟化鎂及氟化鋰)。此等其它層亦可包含包括一耐火金屬之一薄(幾nm)層之一保護層。即使抗反射塗層可受DUV、VUV或EUV輻射影響，在抗反射塗層與磊晶層之間存在硼層仍屏蔽磊晶層使之免受抗反射塗層中之電荷及陷阱之擾且確保影像感測器之敏感度不顯著降級。
在步驟113中，可移除或圖案化前側保護層以準備在前表面上製造互連線。在一些實施例中，此移除/圖案化可包含在稀釋HF中蝕刻前側表面，因為硼層對稀釋HF係相對不滲透。
在步驟115中，可圖案化及製造前表面上之互連線。可藉由Al、Cu或另一金屬形成此等互連線。在完成互連線製造之後，可在前側表面上沈積一鈍化層以保護此等互連線。
在步驟117中，可封裝完成的電路元件。封裝可包含一晶片至一基板之覆晶接合或線接合。封裝可包含使所關注波長透射之一窗，或可包括介接至一真空密封件之一凸緣或密封件。在電子轟擊影像感測器實施例中，封裝可包含其他組件，諸如，一光陰極以及一密封真空管。
圖2圖解說明用於製造一影像感測器之一替代例示性技術200。在此實施例中，可在步驟201中使用包含微影、沈積、離子植入、退火及蝕刻之標準半導體處理步驟產生電路元件。在一實施例中，在步驟201中亦可產生CCD及/或CMOS感測器元件及裝置。此等電路元件係產生在晶圓之前側表面上之一磊晶層中。在較佳實施例中，磊晶層之厚度為約20μm至40μm。磊晶層具有一低摻雜劑濃度(p-)。在一實施例中，在步驟201中亦可產生互連線(諸如，金屬互連線)。
在步驟203中，可保護晶圓之前側表面。此保護可包含在步驟201期 間形成之電路元件之頂部上沈積一或多個保護層。此保護亦可(或代替性地)包含將晶圓附接至一處置晶圓，諸如，矽晶圓、石英晶圓或由其他材料製成之晶圓。
步驟205涉及自背側薄化晶圓以便曝露(至少)主動感測器區域中之磊晶層。此步驟可涉及拋光、蝕刻或兩者。在一些實施例中，背薄化整個晶圓。在其他實施例中，僅主動感測器區域經薄化直至磊晶層。
步驟207包含在硼沈積之前清潔及製備背側表面。在此清潔期間，應自背側表面移除原生氧化物及任何污染物(包含有機物及金屬)。在一實施例中，可使用一稀釋HF溶液或一RCA清潔程序執行此清潔。在清潔之後且在製備期間，可使用Marangoni乾燥技術或一類似技術乾燥晶圓以使表面保持乾燥且無水痕。
在步驟209中，可將晶圓輸送至一保護環境中之一沈積工具，藉此允許在步驟211期間保護晶圓。在一實施例中，例如，該保護環境係一乾燥氮氣氛，其最小化原生氧化物再生長。應將執行步驟209所花費之時間保持在一最小值，較佳不大於約五分鐘。
在步驟211中，在晶圓之背側表面上沈積硼。在一較佳實施例中，可在約400℃至450℃之一溫度使用乙硼烷與氫氣之一混合物完成此沈積，藉此產生高純度非晶硼層。經沈積硼層之厚度取決於感測器之預期應用。典型地，硼層厚度將介於約2nm與10nm之間。最小厚度藉由對一無針孔均勻膜之需要進行設定，而最大厚度取決於藉由硼對所關注之光子或帶電粒子之吸收以及在前側上存在金屬互連線時晶圓可保持在高溫之最大時間長度。
在一些實施例中，可在步驟211中在硼層上沈積其他層。此等其它層 可包含由一或多種材料(諸如二氧化矽、氮化矽、氟化鎂及氟化鋰)組成之抗反射塗層。此等其它層亦可包含包括一耐火金屬之一薄層之一保護層。在一些實施例中，此耐火金屬厚度可介於大約1nm與大約10nm之間。
在一實施例中，可在步驟213中移除保護前側層。在另一實施例中，在步驟213中，可在保護前側層中敞開孔或通孔，或可曝露裝置之邊緣周圍之矽穿孔，藉此允許連接至電路結構。
在步驟215中，可將所得結構包裝在一適合封裝中。包裝步驟可包括裝置至基板之覆晶接合或線接合。封裝可包含使所關注波長透射之一窗，或可包括用於至一真空密封件之介面之一凸緣或密封件。在電子轟擊影像感測器實施例中，封裝可包含其他組件(諸如光陰極)且可包括一密封真空管。
圖3A至圖3F圖解說明經歷方法100(圖1)之一晶圓之例示性截面。圖3A圖解說明形成在一基板301之前側上之一磊晶(epi)層302。在一實施例中，基板301係一p+(亦即，高度p摻雜)基板，且磊晶層302係一p-磊晶層(亦即，具有低濃度之p摻雜劑之一層)。圖3B圖解說明形成在磊晶層302上之一閘極氧化物層303、形成在閘極氧化物層303上之介電層304及形成在介電層304上之前側電路元件305(步驟101)。注意，取決於影像感測器技術之類型，閘極介電質可包括一個、兩個或三個層。形成前側電路元件包含植入或摻雜磊晶層之前側之部分，且可涉及圖案化閘極層。圖3C圖解說明在其背側表面處(至少在特定區域中)薄化以形成薄化基板301A之基板301(步驟103)及形成在前側電路元件305上之一保護層305A(步驟105)。圖3D圖解說明可形成在藉由薄化基板301A曝露之磊晶層302之一部分中之一選用摻雜層303A。可藉由其後接著熱活化之離子植 入、電漿摻雜、電漿輔助摻雜或類似技術形成此摻雜。在一實施例中，可在步驟107期間作為背側表面製備之部分且在步驟109中之高溫表面處理之前執行此摻雜。圖3E圖解說明形成在薄化基板301A及曝露磊晶層302上之一純硼層306(步驟111)。因為一些硼擴散幾nm至磊晶層中，所以一些實施例無需包含單獨摻雜層303A。圖3F圖解說明在移除或敞開保護層305A(步驟113)之後，可在前側電路元件305上形成前側金屬(亦即，互連線)307。圖3G圖解說明其中可在純硼層306上形成一罩蓋層308之一選用實施例。可在步驟111(沈積硼層)之後但在步驟117(封裝)之前)之任一時間形成罩蓋層308。
圖4A至圖4G圖解說明經受方法120(圖1B)之一晶圓之例示性截面。圖4A圖解說明形成在一基板401之前側上之一磊晶(epi)層402。在一實施例中，基板401係一p+基板，且磊晶層402係一p-磊晶層。在一實施例中，基板係在基板401與磊晶層402之間具有一埋藏氧化物層402A之一SOI(絕緣體上矽)晶圓。SOI晶圓可購自Soitec(貝爾南，法國)及其他供應商。在其他實施例中，磊晶層係直接生長在基板401上而無任何埋藏氧化物層402A。圖4B圖解說明包含可形成在磊晶層上之互連線之各種電路元件403(步驟121)(注意，展示但並未標示磊晶層以免過度複雜化圖式)。因為該等互連線係在背薄化直至磊晶層之前形成在晶圓上，所以此等互連線可使用正常次微米CMOS處理技術形成且可包含多層高密度金屬互連線。在一些實施例中，在影像感測器陣列之一或多個邊緣周圍產生多個矽穿孔(TSV)403A以便允許連接至電路元件403。圖4C圖解說明附接至電路元件403之頂部之一處置晶圓404(步驟123)。注意，展示但並未標示矽穿孔以免過度複雜化圖式。在其他實施例中，可使用一保護層代替處置晶圓 404。圖4D圖解說明在基板401經背薄化至磊晶層402之後之晶圓。在一實施例中，此背薄化曝露埋藏氧化物層402A。圖4E圖解說明在背側表面之一清潔及製備(其可導致圖案化經蝕刻氧化物402B以便保護TSV 403A同時曝露影像感測器陣列區域中之磊晶層)之後之晶圓(步驟127)。圖4F圖解說明形成在磊晶層402之背側表面上之後之一純硼層406(步驟131)。在一些實施例中，可在純硼層之頂部上沈積一抗反射塗層或金屬塗層或罩蓋層(未展示)。圖4G圖解說明在移除且用金屬襯墊407替換經蝕刻氧化物402B以便允許電連接至TSV 403A之後之晶圓(步驟131)。
圖5圖解說明一例示性電子轟擊影像感測器系統501。在此實施例中，可將整個總成包含於一密封管505(亦即，實質上類似於標準影像增強器及電子轟擊CCD(EBCCD)裝置之密封管)中。管505之一頂部表面507可包含在所關注波長下係透明之一窗。針對UV敏感電子轟擊影像感測器，此窗較佳包括一非常純級之石英、熔融矽石或氧化鋁(藍寶石)。在一些較佳實施例中，用一UV抗反射塗層塗佈窗之外表面。此一塗層可包括一低折射率材料(諸如，MgF2)之一單層或可包括一多層塗層。
在窗之內表面上塗佈一光陰極504或將光陰極504放置成緊鄰於該內表面。光陰極材料可實質上類似於此項技術中已知於光倍增器、影像增強器或先前技術EBCCD偵測器中使用之任一光陰極材料。在較佳實施例中，光陰極可包括一或多種鹼金屬(諸如，銫)及/或可包括一半導體(諸如，GaN、GaAs或矽)。可相對於一固態影像感測器502(其定位於密封管505之底部表面附近)而使光陰極504保持在一負電壓503。在一些實施例中，負電壓503可係大約500V；在其他實施例中，其可係幾百伏特或大約1000V。在較佳實施例中，負電壓503介於100V與1500V之間。
固態影像感測器502可係經定向使得電子首先照射在其背側表面上之一薄化CCD或CMOS影像感測器。固態影像感測器502之背側包含直接沈積在如上所述之影像陣列之磊晶層上之硼層。在一些實施例中，在硼層上沈積一導電材料(諸如，一耐火金屬)之一薄(幾nm)層以防止感測器表面之充電。相較於非耐火金屬，一耐火金屬(諸如，鈦、鎢、鉭、銠、釕、釩或鉻)具有優點，因為耐火金屬之硬度使得其等抗藉由電子之濺鍍，且其等在室溫下相對抗氧化。在一些實施例中，固態影像感測器502係一時間延遲積分(TDI)CCD。在一些實施例中，固態影像感測器502包括電子敏感元件之一線性陣列。在其他實施例中，固態影像感測器502包括電子敏感元件之二維陣列。在一些較佳實施例中，固態影像感測器502係保持接近於接地電位(所展示)。
當光510入射在電子轟擊影像感測器系統501上時，自光陰極504發射一或多個光電子520。此等光電子在實質上全部方向上發射，但其等藉由光陰極504與固態影像感測器502之間之電位差而加速朝向固態影像感測器502。在較佳實施例中，光陰極504與固態影像感測器502之間之間隙小於1mm。在一些實施例中，間隙為大約500μm。
併入具有結構之一者及/或根據本文中所描述之任何方法製造之固態影像感測器502使電子轟擊影像感測器系統501能夠用光陰極504與固態影像感測器502之間之一低電位差進行操作但具有高增益，此係因為電子穿透硼層比穿透二氧化矽層容易。因為硼摻雜矽、矽化硼及硼皆至少部分導電，所以最小化或避免在電子轟擊下之表面之充電。如本文中所描述，可藉由硼層之頂部上之一導電或金屬層而進一步減小對充電之敏感度。
在先前技術EBCCD感測器中，光陰極與影像感測器之間之間隙通常 為1mm至2mm。在電子自光陰極出射時，此一大間隙允許電子在其等歸因於電子能量而自光陰極行進至影像感測器時之顯著橫向運動。因為光陰極與影像感測器之間之大電位差(通常約2000V或更高)，所以1mm至2mm或更大之一間隙係必需的。減小光陰極與影像感測器之間之電位差允許使用一較小間隙。此外，電子之較低能量意謂固態影像感測器內產生較少電子散佈。
到達固態影像感測器502之電子之低能量意謂自固態影像感測器502之表面燒蝕之原子之可能性低至零。此外，到達固態影像感測器502之電子之能量不足以自矽產生X射線，藉此避免在固態影像感測器502之鄰近像素中產生寄生信號。
相較於高能量電子，在密封管505中產生之真空中低能量電子與殘余氣體原子之碰撞將產生較少離子。此外，歸因於光陰極504與固態影像感測器502之間之低電位差，當該等離子撞擊光陰極時，其等將具有較小動能且將燒蝕較少光陰極材料。
可在2012年12月10日由Chuang等人申請且以引用的方式併入本文之標題為「ELECTRON-BOMBARDED CHARGE-COUPLED DEVICE AND INSPECTION SYSTEMS USING EBCCD DETECTORS」之美國專利申請案13/710,315中找到可併入至電子轟擊影像感測器系統501中之電子轟擊影像感測器之額外細節。在2012年8月3日由Chuang等人申請且以引用的方式併入本文之標題為「PHOTOCATHODE WITH LOW NOISE AND HIGH QUANTUM EFFICIENCY,HIGH SPATIAL RESOLUTION LOW-NOISE IMAGE SENSOR AND INSPECTION SYSTEMS INCORPORATING AN IMAGE SENSOR」之美國臨時專利申請案 61/679,200中描述適用於電子轟擊影像感測器系統501中之一光陰極結構。
圖6圖解說明本文中所描述併入CCD之任一影像感測器之時脈信號之例示性驅動電壓。在一CCD中，需要將電荷自一儲存元件傳遞至另一儲存元件直至電荷到達輸出放大器。需要多個時脈信號以傳遞電荷。取決於CCD之設計，通常需要2個、3個或4個時脈信號。在一些較佳實施例中，優先於傳統CCD裝置中使用之大體上方波形，該等時脈信號之形狀係正弦或大致正弦。使用正弦波形之優點在於：電荷傳遞較平穩(其尤其有利於允許TDI感測器更精確地追蹤影像之運動)，且時脈信號因基頻之諧波之最小含量而產生較少電雜訊及熱。圖6圖解說明針對一3相CCD之時脈電壓。時脈信號601展示作為時間之一函數之第一時脈信號上之電壓。時脈信號601係一大致正弦波形。第二時脈信號602亦具有根據時間改變之一電壓，但相對於時脈信號601相位延遲實質上120°。第三時脈信號603之電壓亦根據時間改變，但相對於時脈信號602相位延遲實質上120°，且因此相對於時脈信號601相位延遲實質上240°。線604圖解說明三個時脈信號601、602及603之總和，其實質上始終為零。實質上零總和電壓意謂來自時脈信號之極少電流流入固態影像感測器502之接地信號中，藉此導致較低電雜訊位準。此與三個異相方波時脈信號(其等基本上始終將具有非零總和電壓)之總和形成對比。
在包含一2相CCD(未展示)之一影像感測器中，兩個時脈信號將彼此異相實質上180°。在一4相CCD(未展示)中，第二時脈信號相對於第一時脈信號將相位延遲實質上90°，第三時脈信號相對於第一時脈信號將相位延遲實質上180°，且第四時脈信號相對於第一時脈信號將相位延遲實質上 270°。
可在2011年5月31日發證之Brown等人之標題為「Apparatus for continuous clocking of TDI sensors」之美國專利7,952,633及在2009年10月27日發證之Brown等人之標題為「Continuous clocking of TDI sensors」之美國專利7,952,633中找到用於驅動CCD影像感測器之正弦及其他時脈信號之使用之更多細節。此等專利之兩者以引用的方式併入本文中。
圖7A圖解說明一例示性分離讀出影像感測器700，該分離讀出影像感測器700包含定位於一影像區域703之任一側上之兩組讀出電路701A及701B。如本文中所描述，影像區域703包含在其光敏表面上之一純硼層。讀出電路701A及701B可包含串列暫存器702A與702B及讀出放大器704A與704B，以及其他組件(諸如，傳遞閘)。在2009年10月27日發證之標題為「Continuous Clocking of TDI Sensors」之美國專利7,609,309中描述讀出電路701A及701B以及感測器700之其他組件之例示性實施例，該案以引用的方式併入本文中。影像區域703係一個二維(2D)像素陣列，且影像之各線在各方向A及B上同時讀出。接著，在最簡單情況中，各線每次讀出一像素。因此，在較佳實施例中，可將串列暫存器702A及702B分成複數個暫存器段(例如，圖7A展示分成六段之各串列暫存器)，藉此允許使用複數個放大器704A及704B並行讀出。
注意，可獨立操作讀出電路701A及701B，藉此允許影像感測器700提供兩個讀出方向A及B。在一分離讀出模式中，可對影像區域703之各側(亦即，側703A及703B)同步計時以讀出一影像線至其等各自輸出通道中。在一實施例中，影像區域703可具有1000條線，各線由一行像素形 成。因此，在分離讀出模式期間，可在方向A上讀出500條線，且同時可在B方向上讀出500條線。
此分離讀出模式可能基於影像感測器中之電荷耦合裝置(CCD)驅動器之定時啟動。例如，可使用複數個CCD驅動器P1a、P2a、P3a、P1b、P2b及P3b以提供相位。如圖7B中所展示，可將CCD驅動器P1a、P2a、P3a、P1b、P2b及P3b特性化為閘極電極(在下文中係閘極)之驅動組，各組具有六個閘極。在影像感測器之一較佳實施例中，針對各像素提供三個閘極以提供三個相位。在圖7B中，展示兩個像素710及711，其中閘極731、732及733定位在像素710上方且閘極734、735及736定位在像素711上方。在影像感測器中，沿著讀出軸對準像素710及711以形成形成影像區域703之2D像素陣列之一行之部分。
可將影像區域703實施為一光學感測器或一帶電粒子感測器。在一光學感測器實施例中，影像區域703可包含一光敏p型矽基板714及一n型埋藏通道713。藉由憑藉一時脈輸入信號(例如，來自CCD驅動器P1a、P2a、P3a、P1b、P2b及P3b之時脈信號之一者)施加至一特定閘極之電壓位準判定矽基板714中之靜電力。高位準電壓引發閘極下方之一電位「井」之形成，而低位準電壓形成用以電子移動之一電位障壁。為確保來自一像素之電荷不與其他像素混合，在驅使一鄰近閘極電壓降低時驅使一閘極電壓升高。在時間770之一初始狀態，像素710及711之閘極731及734分別具有形成具有積體電荷(亦即，電子)之電位井之高位準電壓，且(像素710之)閘極732、733及(像素711之)閘極735、736具有形成電位障壁之低位準電壓。在一後續時間771，像素710及711之閘極732及735分別具有形成具有積體電荷(亦即，電子)之電位井之高位準電壓，且(像素710之)閘 極731、733及(像素711之)閘極734、736具有形成電位障壁之低位準電壓。在又一後續時間772，像素710及711之閘極733及736分別具有形成具有積體電荷(亦即，電子)之電位井之高位準電壓，且(像素710之)閘極731、732及(像素711之)閘極734、735具有形成電位障壁之低位準電壓。注意，當偏移電荷時，鄰近閘極兩者較佳在短時間內具有一高位準電壓以促進電荷傳遞。因此自時間770至時間771，電荷自左偏移至右，亦即，自像素710偏移至像素711。自時間771至時間772可發生電荷之一類似定向偏移。
在2012年12月10日由David Brown等人申請且以引用的方式併入本文之標題為「METHOD AND APPARATUS FOR HIGH SPEED ACQUISITION OF MOVING IMAGES USING PULSED ILLUMINATION」之美國臨時專利申請案61/735,427中提供分離讀出影像感測器700之額外細節。在2009年5月5日發證且以引用的方式併入本文之Brown等人之標題為「METHOD AND APPARATUS FOR SIMULTANEOUS HIGH-SPEED ACQUISITION OF MULTIPLE IMAGES」之美國專利7,528,943中提供關於其他例示性影像感測器之額外細節。
圖8展示在一感測器870上同時偵測影像或信號之兩個通道之一比例光罩、光罩或晶圓檢驗系統800。影像感測器870包括如上文所描述之一分離讀出影像感測器。照明源809可併入一193奈米或次200奈米雷射。當一檢驗物件830係透明(例如，一比例光罩或光罩)時，兩個通道可包括反射及投射強度，或可包括兩種不同照明模式(諸如入射角度、偏光狀態、波長範圍或其等之一些組合)。使用通道1照明中繼815及通道2照明中繼 820將光引導至檢驗物件830。
檢驗物件830可係一比例光罩、一光罩、一半導體晶圓或待檢驗之其他物品。影像中繼光學器件840可將藉由檢驗物件830反射及/或透射之光引導至一通道1影像模式中繼855及一通道2影像模式中繼860。通道1影像模式中繼855經調諧以偵測對應於通道1照明中繼815之反射及/或透射，而通道2影像模式中繼感測器860經調諧以偵測對應於通道2照明中繼820之反射及/或透射。通道1影像模式中繼855及通道2影像模式中繼感測器860繼而將其等輸出引导至感測器870。對應於兩個通道之經偵測信號或影像之資料係展示為資料890且傳輸至一電腦(未展示)以供處理。
在2008年4月1日頒予Kvamme等人之美國專利7,352,457及1996年10月8日頒予Emery等人之美國專利5,563,702中描述可經組態以量測來自一比例光罩或光罩之透射及反射光之比例光罩及光罩檢驗系統及方法之其他細節，該等案之兩者以引用的方式併入本文中。
圖9圖解說明根據本發明之某些實施例併入一光敏感測器904、一矽插入物902及其他電子器件之一例示性偵測器總成900。
在本發明之一態樣中，偵測器總成900可包含佈置在一插入物902之表面上之一或多個光敏感測器904。在一些實施例中，總成100之一或多個插入物902可包含(但不限於)矽插入物。在本發明之一進一步態樣中，總成900之一或多個光敏感測器904經背薄化且針對背光照明進一步經組態而包含如上文所描述之沈積在背表面上之一硼層。
在本發明之另一態樣中，可將總成900之各種電路元件佈置於插入物902上或內建於插入物902中。在一實施例中，可將一或多個放大電路(例如，電荷轉換放大器)(未展示)佈置於插入物902上或內建於插入物902 中。在另一實施例中，可將一或多個轉換電路(例如，類比轉數位轉換電路，亦即，數位轉換器電路908)佈置於插入物902上或內建於插入物902中。在另一實施例中，可將一或多個驅動器電路906佈置於插入物902上或內建於插入物902中。例如，該一或多個驅動器電路906可包含一時序/串列驅動電路。例如，該一或多個驅動器電路906可包含(但不限於)時脈驅動器電路或重設驅動器電路。在另一實施例中，可將一或多個去耦合電容器(未展示)佈置於插入物902上或內建於插入物902中。在一進一步實施例中，可將一或多個串列傳輸器(圖9中未展示)佈置於插入物902上或內建於插入物902中。
在本發明之另一態樣中，可將一或多個支撐結構佈置在光敏感測器904之底部表面與插入物902之頂部表面之間，以便對光敏感測器904提供實體支撐。在一實施例中，可將複數個焊料球916佈置在光敏感測器904之底部表面與插入物902之頂部表面之間，以便對光敏感測器904提供實體支撐。在本文中認知，儘管光敏感測器904之成像區域可能不包含外部電連接，然光敏感測器904之背薄化引起光敏感測器904變得愈來愈有可撓性。因而，可利用焊料球916以依強化光敏感測器904之成像部分之一方式將光敏感測器904連接至插入物902。在一替代實施例中，可將一底膠填充材料佈置在光敏感測器904之底部表面與插入物902之頂部表面之間，以便對光敏感測器904提供實體支撐。例如，可將環氧樹脂佈置在光敏感測器904之底部表面與插入物902之頂部表面之間。
在本發明之另一態樣中，將插入物902及各種額外電路(例如，放大電路、驅動器電路906、數位轉換器電路908及類似物)佈置在一基板910之一表面上。在一進一步態樣中，基板910包含具有高導熱性之一基板(例 如，陶瓷基板)。在此方面，基板910經組態以對光敏感測器904/插入物902總成提供實體支撐，同時亦提供一種使總成900有效地傳導熱遠離光敏感測器904及各種其他電路(例如，數位轉換器電路908、驅動器電路906、放大器及類似物)之構件。在本文中認知，基板可包含此項技術中已知之任一剛性高度導熱基板材料。例如，基板910可包含(但不限於)一陶瓷基板。例如，基板910可包含(但不限於)氮化鋁。
在另一實施例中，基板910可經組態以提供至一插座或一下層印刷電路板(PCB)之一介面。例如，如圖9中所展示，基板910可提供插入物902與一插座或一PCB通孔互連線912之間之互連。熟習此項技術者將認知，基板910可操作地耦合至一下層PCB且以各種方式(其等全部皆解釋為處於本發明之範疇內)進一步電耦合至一插座或PCB。
可在2012年9月18日由Brown等人申請且以引用的方式併入本文之標題為「INTERPOSER BASED IMAGING SENSOR FOR HIGH-SPEED IMAGE ACQUISITION AND INSPECTION SYSTEMS」之美國專利申請案13/622,155中找到併入影像感測器、矽插入物及其他電子器件之偵測器總成之更多細節。
圖10圖解說明包含複數個時間延遲積分(TDI)感測器模組1001之一例示性感測器模組陣列1000。各感測器模組1001包含上述影像感測器之一者。在一些實施例中，影像感測器在硼之頂部上可具有幾nm(諸如，1nm或2nm)厚之Ru或其他耐火金屬塗層，以便在清潔期間保護硼。在一實施例中，各TDI感測器模組1001可包含局部化驅動及信號處理電路。此電路可包含一TDI感測器(中心區塊)、用於處理來自該TDI感測器之信號之處理電路、時序及串列驅動電路及像素閘極驅動器電路。驅動/處理電路係 定位在TDI感測器周圍。因此，鄰近列中之TDI感測器可經對準使得在用於一連續掃描組態中時達成至少100%影像涵蓋範圍。
例如，在圖10中展示之實施例中，上列1002可相對於下列1004偏移使得TDI感測器定位於藉由一鄰近列之驅動/處理電路產生之間隙中。為確保影像涵蓋範圍中無間隙，各TDI感測器之寬度等於或大於TDI感測器之間之間隙。在此組態中，因為檢驗之晶圓/光罩/比例光罩係在一TDI影像掃描方向1006上移動，所以感測器模組陣列1000可確保100% EUV波長影像擷取。在一實施例中，來自鄰近列之TDI感測器之間之一些最小重疊可提供冗餘資料。此冗餘資料可(例如)確保藉由TDI感測器模組1001產生之影像資料之精確對準。在最小重疊之一實施例中，檢驗系統可自待用於邊緣像素之一TDI感測器模組任意選擇資料。在另一實施例中，一偵測系統可使用子像素數位處理組合及對準來自多個TDI感測器模組之資料，以達成邊緣像素附近之改良品質資料。
在2011年5月19日由Chuang等人發表且以引用的方式併入本文之標題為「EUV HIGH THROUGHPUT INSPECTION SYSTEM FOR DEFECT DETECTION ON PATTERNED EUV MASKS,MASK BLANKS,AND WAFERS」之美國公開專利申請案2011/0116077中描述用於一EUV檢驗系統之偵測器陣列之更多細節。
圖11圖解說明經組態以量測一樣本1108(諸如，一晶圓、比例光罩或光罩)之一例示性檢驗系統1100。樣本1108係放置在一載物台1112上以促進移動至光學器件下方之樣本1108之不同區域。載物台1112可包括一X-Y載物台或一R-θ載物台。在一些實施例中，載物台1112可在檢驗期間調整樣本1108之高度以維持聚焦。在其他實施例中，可調整一物鏡1105以維 持聚焦。
一照明源1102可包括一或多個雷射及/或一寬頻光源。照明源1102可發射DUV及/或VUV輻射。包含一物鏡1105之光學器件1103可引導該輻射朝向樣本1108且將其聚焦於樣本1108上。光學器件1103亦可包括鏡、透鏡及/或光束分離器。可藉由光學器件1103將自樣本1108反射或散射之光收集、引導及聚焦至一偵測器1106上，該偵測器1106處於一偵測器總成1104內。
偵測器1106可包含本文中描述之影像感測器之一者或多者，包含塗佈有硼之背照式CCD感測器、塗佈有硼之背照式CMOS感測器及併入塗佈有硼之背薄化固態影像感測器之電子轟擊影像感測器。偵測器1106可包含一個二維陣列感測器或一個一維線感測器。在一實施例中，可將偵測器1106之輸出提供至一計算系統1114，該計算系統1114分析輸出。可藉由程式指令1118(其可儲存於一載體媒體1116上)組態計算系統1114。
在一實施例中，照明源1102可係一連續源(諸如一弧光燈、一雷射泵浦電漿光源或一CW雷射)。在另一實施例中，照明源1102可係一脈衝源(諸如，一鎖模雷射、一Q切換雷射或藉由一Q切換雷射泵浦之一電漿光源)。在併入一Q切換雷射之檢驗系統1100之一些實施例中，偵測器1106內之影像感測器或若干影像感測器與雷射脈衝同步。在此等實施例中，影像感測器可在雷射脈衝期間以一TDI模式操作且接著可在雷射脈衝之間透過感測器之兩側上之多個輸出而讀出資料。
檢驗系統1100之一些實施例照明樣本1108上之一線，且在一或多個暗視野及/或明視野收集通道中收集散射及/或反射之光。在此等實施例中，影像感測器可係一線感測器或一電子轟擊線感測器。
檢驗系統1100之一些實施例照明樣本1108上之多個點，且在一或多個暗視野及/或明視野收集通道中收集散射及/或反射之光。在此等實施例中，影像感測器可係一二維陣列感測器或一電子轟擊二維陣列感測器。
可在2011年7月12日由Romanovsky等人申請之標題為「SAMPLE INSPECTION SYSTEM」之美國臨時申請案61/506,892、2012年7月9日由Romanovsky等人申請之標題為「WAFER INSPECTION SYSTEM」之美國專利申請案13/554,954、2009年7月16日由Armstrong等人發表之美國公開專利申請案2009/0180176、2007年1月4日由Chuang等人發表之美國公開專利申請案2007/0002465、1999年12月7日發證之Shafer等人之美國專利5,999,310及2009年4月28日發證之Leong等人之美國專利7,525,649中找到併入本文中所描述之一或多個影像之檢驗系統1100之各種實施例之額外細節。全部此等專利及專利申請案以引用的方式併入本文中。
上文所描述之本發明之結構及方法之各種實施例僅圖解說明本發明之原理，且並非旨在將本發明之範疇限制於所描述之特定實施例。例如，可將額外步驟添加至圖1及圖2中描繪之流程圖，或可依與所展示不同之序列完成所展示之一些步驟。因此，僅藉由以下申請專利範圍及其等效物限制本發明。

Claims (17)

  1. 一種用於感測深紫外光(deep ultraviolet；DUV)輻射、真空紫外光(vacuum ultraviolet；VUV)輻射、極紫外光(extreme ultraviolet；EUV)輻射及帶電粒子之至少一者之影像感測器，該影像感測器包括：一磊晶層，該磊晶層包含相對的第一表面及第二表面；一或多個電路元件，其等形成於該磊晶層之該第一表面上；一摻雜層，其形成於該磊晶層之該第二表面中；一純硼層，其位於該磊晶層之該第二表面上；直接接觸該等電路元件之一處置晶圓(handling wafer)，其中該純硼層之厚度在2nm及20nm之間。
  2. 如請求項1之影像感測器，其中該磊晶層之厚度在20μm及40μm之間。
  3. 如請求項2之影像感測器，其進一步包括沈積於該硼層上之一抗反射塗層。
  4. 如請求項2之影像感測器，其進一步包括沈積於該硼層上以形成一罩蓋層的一導電塗層。
  5. 如請求項1之影像感測器，其中該影像感測器包括一電荷耦合裝置(CCD)。
  6. 如請求項1之影像感測器，其中該影像感測器包括一互補式金屬氧化物半導體(CMOS)裝置。
  7. 如請求項1之影像感測器，其進一步包括形成於該等電路元件上之一保護層。
  8. 如請求項1之影像感測器，其進一步包括一封裝，其中該封裝包含用於介接至一真空密封件之一凸緣或密封件。
  9. 一種製造一影像感測器之方法，該方法包括：在一矽基板上形成一磊晶層；在該矽基板上形成一介電層；在該介電層上形成一電路元件層；薄化該矽基板以產生一薄化基板，該薄化基板曝露該磊晶層之至少一部分；摻雜該磊晶層之該至少一曝露部分；及在該磊晶層之該至少一曝露部分上形成一純硼層。
  10. 如請求項9之方法，其進一步包括在該純硼層上形成一抗反射塗層。
  11. 如請求項9之方法，其進一步包括在該純硼層上形成一導電層。
  12. 如請求項9之方法，其進一步包括在該電路元件層上形成一保護層。
  13. 如請求項9之方法，其進一步包括將該薄化基板封裝於一封裝中，其中該封裝包含用於介接至一真空密封件之一凸緣或密封件。
  14. 一種製造一影像感測器之方法，該方法包括：在一矽基板上形成一磊晶層；在該磊晶層上形成多個電路元件；將一處置晶圓附接至該等電路元件；薄化該矽基板以曝露該磊晶層之一部分；摻雜該磊晶層之該曝露部分；及在該磊晶層之該曝露部分上形成一純硼層。
  15. 如請求項14之方法，其進一步包括在該純硼層上形成一抗反射塗層。
  16. 如請求項14之方法，其進一步包括在該純硼層上形成一導電層。
  17. 一種檢驗系統，其包括：一照明源；光學器件，其等包含一物鏡，該等光學器件經組態以將來自該照明源之輻射引導及聚焦至一樣本上；一偵測器，其經組態以接收來自該樣本之反射或散射光，其中該 等光學器件進一步經組態以將該反射或散射光收集、引導及聚焦至該偵測器上，該偵測器包含一或多個影像感測器，至少一影像感測器包含一半導體薄膜，該半導體薄膜包括一磊晶層，該磊晶層包含相對的第一表面及第二表面，該半導體薄膜包含形成於該磊晶層之該第一表面上之多個電路元件、形成於該磊晶層之該第二表面中之一摻雜劑以及形成於該半導體薄膜上之一純硼層，使得硼之一部分經由該第二表面擴散至該磊晶層中。
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Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9793673B2 (en) 2011-06-13 2017-10-17 Kla-Tencor Corporation Semiconductor inspection and metrology system using laser pulse multiplier
US8873596B2 (en) 2011-07-22 2014-10-28 Kla-Tencor Corporation Laser with high quality, stable output beam, and long life high conversion efficiency non-linear crystal
US10197501B2 (en) 2011-12-12 2019-02-05 Kla-Tencor Corporation Electron-bombarded charge-coupled device and inspection systems using EBCCD detectors
US9496425B2 (en) * 2012-04-10 2016-11-15 Kla-Tencor Corporation Back-illuminated sensor with boron layer
US9601299B2 (en) 2012-08-03 2017-03-21 Kla-Tencor Corporation Photocathode including silicon substrate with boron layer
NL2011568A (en) * 2012-10-31 2014-05-06 Asml Netherlands Bv Sensor and lithographic apparatus.
US9151940B2 (en) 2012-12-05 2015-10-06 Kla-Tencor Corporation Semiconductor inspection and metrology system using laser pulse multiplier
US9426400B2 (en) 2012-12-10 2016-08-23 Kla-Tencor Corporation Method and apparatus for high speed acquisition of moving images using pulsed illumination
US8929406B2 (en) 2013-01-24 2015-01-06 Kla-Tencor Corporation 193NM laser and inspection system
US9529182B2 (en) 2013-02-13 2016-12-27 KLA—Tencor Corporation 193nm laser and inspection system
US9608399B2 (en) 2013-03-18 2017-03-28 Kla-Tencor Corporation 193 nm laser and an inspection system using a 193 nm laser
US9478402B2 (en) 2013-04-01 2016-10-25 Kla-Tencor Corporation Photomultiplier tube, image sensor, and an inspection system using a PMT or image sensor
DE102013211090A1 (de) * 2013-06-14 2014-12-18 Robert Bosch Gmbh Erfassungssystem zum Erfassen einer Lötverbindung
US9613992B2 (en) * 2013-06-24 2017-04-04 Ge Medical Systems Israel, Ltd Detector module for an imaging system
US9347890B2 (en) 2013-12-19 2016-05-24 Kla-Tencor Corporation Low-noise sensor and an inspection system using a low-noise sensor
US9748294B2 (en) 2014-01-10 2017-08-29 Hamamatsu Photonics K.K. Anti-reflection layer for back-illuminated sensor
US9410901B2 (en) * 2014-03-17 2016-08-09 Kla-Tencor Corporation Image sensor, an inspection system and a method of inspecting an article
US9804101B2 (en) 2014-03-20 2017-10-31 Kla-Tencor Corporation System and method for reducing the bandwidth of a laser and an inspection system and method using a laser
US9460886B2 (en) 2014-07-22 2016-10-04 Kla-Tencor Corporation High resolution high quantum efficiency electron bombarded CCD or CMOS imaging sensor
EP2991112A1 (en) * 2014-08-25 2016-03-02 Fei Company Improved radiation sensor, and its application in a charged-particle microscope
US9767986B2 (en) * 2014-08-29 2017-09-19 Kla-Tencor Corporation Scanning electron microscope and methods of inspecting and reviewing samples
US9419407B2 (en) 2014-09-25 2016-08-16 Kla-Tencor Corporation Laser assembly and inspection system using monolithic bandwidth narrowing apparatus
US9748729B2 (en) 2014-10-03 2017-08-29 Kla-Tencor Corporation 183NM laser and inspection system
US9599573B2 (en) * 2014-12-02 2017-03-21 Kla-Tencor Corporation Inspection systems and techniques with enhanced detection
US9860466B2 (en) 2015-05-14 2018-01-02 Kla-Tencor Corporation Sensor with electrically controllable aperture for inspection and metrology systems
US9841512B2 (en) 2015-05-14 2017-12-12 Kla-Tencor Corporation System and method for reducing radiation-induced false counts in an inspection system
US10748730B2 (en) 2015-05-21 2020-08-18 Kla-Tencor Corporation Photocathode including field emitter array on a silicon substrate with boron layer
EP3320374B1 (en) * 2015-07-09 2020-05-20 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Methods of making semiconductor x-ray detector
US10462391B2 (en) 2015-08-14 2019-10-29 Kla-Tencor Corporation Dark-field inspection using a low-noise sensor
JP6803137B2 (ja) * 2015-09-30 2020-12-23 浜松ホトニクス株式会社 裏面入射型固体撮像素子
JP2017126642A (ja) * 2016-01-13 2017-07-20 浜松ホトニクス株式会社 裏面入射型固体撮像素子及びその製造方法
CN108886070B (zh) 2016-03-03 2022-06-17 浜松光子学株式会社 半导体光检测元件
US10313622B2 (en) 2016-04-06 2019-06-04 Kla-Tencor Corporation Dual-column-parallel CCD sensor and inspection systems using a sensor
US10778925B2 (en) 2016-04-06 2020-09-15 Kla-Tencor Corporation Multiple column per channel CCD sensor architecture for inspection and metrology
WO2018042785A1 (ja) * 2016-08-29 2018-03-08 浜松ホトニクス株式会社 距離センサ及び距離画像センサ
US10175555B2 (en) 2017-01-03 2019-01-08 KLA—Tencor Corporation 183 nm CW laser and inspection system
DE102017215995B4 (de) * 2017-09-11 2021-05-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Untersuchung von photolithographischen Masken
US11114489B2 (en) * 2018-06-18 2021-09-07 Kla-Tencor Corporation Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor
EP3827462A1 (en) * 2018-07-24 2021-06-02 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Multispectral image sensor and method for fabrication of an image sensor
US11329083B2 (en) * 2018-09-26 2022-05-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer level image sensor package
US10943760B2 (en) 2018-10-12 2021-03-09 Kla Corporation Electron gun and electron microscope
WO2020083578A1 (en) 2018-10-22 2020-04-30 Asml Netherlands B.V. Radiation filter for a radiation sensor
CN109640008A (zh) * 2018-12-05 2019-04-16 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种多光谱tdi数据处理方法及装置
CN109640012A (zh) * 2018-12-05 2019-04-16 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种多光谱tdi成像方法及装置
US11114491B2 (en) 2018-12-12 2021-09-07 Kla Corporation Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor
US11268911B2 (en) 2019-01-04 2022-03-08 Kla-Tencor Corporation Boron-based capping layers for EUV optics
CN110047860B (zh) * 2019-04-26 2021-06-25 锐芯微电子股份有限公司 射线影像传感器
JP7569147B2 (ja) * 2019-09-12 2024-10-17 浜松ホトニクス株式会社 裏面入射型撮像素子
CN110797367B (zh) * 2019-11-28 2022-04-29 上海华力微电子有限公司 背照式图像传感器及其制作方法
US20210164917A1 (en) * 2019-12-03 2021-06-03 Kla Corporation Low-reflectivity back-illuminated image sensor
JP7478657B2 (ja) * 2019-12-23 2024-05-07 ガタン インコーポレイテッド 熱伝導層をもつ電子撮像検出器
CN115380203B (zh) * 2020-02-12 2025-07-22 深圳华大智造科技股份有限公司 光学成像系统及应用所述光学成像系统的生化物质检测系统
US11668601B2 (en) * 2020-02-24 2023-06-06 Kla Corporation Instrumented substrate apparatus
US11848350B2 (en) * 2020-04-08 2023-12-19 Kla Corporation Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor using a silicon on insulator wafer
US12015046B2 (en) * 2021-02-05 2024-06-18 Kla Corporation Back-illuminated sensor with boron layer deposited using plasma atomic layer deposition
WO2022175713A1 (en) * 2021-02-17 2022-08-25 Teledyne Digital Imaging, Inc. Back illuminated image sensor with implanted boron for ultraviolet response
CN113113441B (zh) * 2021-04-13 2023-06-30 中国电子科技集团公司第四十四研究所 一种避免边缘出现杂散信号的背照式ccd结构
DE102022200236B4 (de) 2022-01-12 2023-12-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Verfahren zum post-cmos kompatiblen strukturierten abscheiden einer reinen bor-schicht und sensorsystem
WO2024038303A1 (en) * 2022-08-16 2024-02-22 Teledyne Digital Imaging, Inc. Back illuminated image sensor with implanted boron for ultraviolet response
CN115588678A (zh) * 2022-11-02 2023-01-10 华中科技大学 一种电荷耦合器件以及电荷耦合器件的制备方法
KR102838260B1 (ko) 2023-05-04 2025-07-24 주식회사 참그래핀 보강된 2차원 소재 멤브레인 구조체의 제조방법
CN116380934A (zh) * 2023-06-02 2023-07-04 中山市美速光电技术有限公司 一种检测超微间距光纤阵列的质检系统
US20250142992A1 (en) * 2023-10-31 2025-05-01 Kla Corporation Back-illuminated sensor and method of making same
US12484316B2 (en) 2024-02-29 2025-11-25 Kla Corporation CVD boron uniformity overcoming loading effects

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002033473A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Hamamatsu Photonics Kk 半導体装置
US20100188655A1 (en) * 2009-01-23 2010-07-29 Kla-Tencor Corporation TDI Sensor Modules With Localized Driving And Signal Processing Circuitry For High Speed Inspection
CN102130218A (zh) * 2010-01-13 2011-07-20 Fei公司 辐射检测器
US20110256655A1 (en) * 2010-02-11 2011-10-20 California Institute Of Technology Low voltage low light imager and photodetector

Family Cites Families (213)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3755704A (en) 1970-02-06 1973-08-28 Stanford Research Inst Field emission cathode structures and devices utilizing such structures
US3870917A (en) 1971-05-10 1975-03-11 Itt Discharge device including channel type electron multiplier having ion adsorptive layer
GB1444951A (en) 1973-06-18 1976-08-04 Mullard Ltd Electronic solid state devices
GB1536412A (en) 1975-05-14 1978-12-20 English Electric Valve Co Ltd Photocathodes
US4210922A (en) * 1975-11-28 1980-07-01 U.S. Philips Corporation Charge coupled imaging device having selective wavelength sensitivity
NL7611593A (nl) 1976-10-20 1978-04-24 Optische Ind De Oude Delft Nv Werkwijze voor het in een beeldversterkerbuis aanbrengen van een lichtabsorberende, voor elek- tronen doorlaatbare laag.
JPS58146B2 (ja) 1980-10-14 1983-01-05 浜松テレビ株式会社 フレ−ミング管
US4348690A (en) 1981-04-30 1982-09-07 Rca Corporation Semiconductor imagers
US4644221A (en) 1981-05-06 1987-02-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Variable sensitivity transmission mode negative electron affinity photocathode
US4555731A (en) 1984-04-30 1985-11-26 Polaroid Corporation Electronic imaging camera with microchannel plate
US4760031A (en) * 1986-03-03 1988-07-26 California Institute Of Technology Producing CCD imaging sensor with flashed backside metal film
US4853595A (en) 1987-08-31 1989-08-01 Alfano Robert R Photomultiplier tube having a transmission strip line photocathode and system for use therewith
NL8902271A (nl) 1989-09-12 1991-04-02 Philips Nv Werkwijze voor het verbinden van twee lichamen.
US5120949A (en) 1991-01-17 1992-06-09 Burle Technologies, Inc. Semiconductor anode photomultiplier tube
JP2828221B2 (ja) 1991-06-04 1998-11-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション レーザー光波長変換装置
US5144630A (en) 1991-07-29 1992-09-01 Jtt International, Inc. Multiwavelength solid state laser using frequency conversion techniques
US5563702A (en) 1991-08-22 1996-10-08 Kla Instruments Corporation Automated photomask inspection apparatus and method
US5376810A (en) 1992-06-26 1994-12-27 California Institute Of Technology Growth of delta-doped layers on silicon CCD/S for enhanced ultraviolet response
US5227313A (en) 1992-07-24 1993-07-13 Eastman Kodak Company Process for making backside illuminated image sensors
US5315126A (en) 1992-10-13 1994-05-24 Itt Corporation Highly doped surface layer for negative electron affinity devices
US5428392A (en) 1992-11-20 1995-06-27 Picker International, Inc. Strobing time-delayed and integration video camera system
US5475227A (en) 1992-12-17 1995-12-12 Intevac, Inc. Hybrid photomultiplier tube with ion deflector
US5326978A (en) 1992-12-17 1994-07-05 Intevac, Inc. Focused electron-bombarded detector
US5760809A (en) 1993-03-19 1998-06-02 Xerox Corporation Recording sheets containing phosphonium compounds
JPH06350068A (ja) * 1993-06-03 1994-12-22 Hamamatsu Photonics Kk 半導体エネルギー線検出器の製造方法
FI940740A0 (fi) 1994-02-17 1994-02-17 Arto Salokatve Detektor foer paovisning av fotoner eller partiklar, foerfarande foer framstaellning av detektorn och maetningsfoerfarande
US6271916B1 (en) 1994-03-24 2001-08-07 Kla-Tencor Corporation Process and assembly for non-destructive surface inspections
US5493176A (en) 1994-05-23 1996-02-20 Siemens Medical Systems, Inc. Photomultiplier tube with an avalanche photodiode, a flat input end and conductors which simulate the potential distribution in a photomultiplier tube having a spherical-type input end
US20080315092A1 (en) 1994-07-28 2008-12-25 General Nanotechnology Llc Scanning probe microscopy inspection and modification system
EP0702221A3 (en) * 1994-09-14 1997-05-21 Delco Electronics Corp Sensor integrated on a chip
JPH08241977A (ja) * 1995-03-03 1996-09-17 Hamamatsu Photonics Kk 半導体装置の製造方法
JPH10508987A (ja) * 1995-05-19 1998-09-02 ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング 光検出器素子及びその製造方法
US6362484B1 (en) 1995-07-14 2002-03-26 Imec Vzw Imager or particle or radiation detector and method of manufacturing the same
US5731584A (en) 1995-07-14 1998-03-24 Imec Vzw Position sensitive particle sensor and manufacturing method therefor
AU3376597A (en) 1996-06-04 1998-01-05 Tencor Instruments Optical scanning system for surface inspection
US5999310A (en) 1996-07-22 1999-12-07 Shafer; David Ross Ultra-broadband UV microscope imaging system with wide range zoom capability
US5717518A (en) 1996-07-22 1998-02-10 Kla Instruments Corporation Broad spectrum ultraviolet catadioptric imaging system
US5742626A (en) 1996-08-14 1998-04-21 Aculight Corporation Ultraviolet solid state laser, method of using same and laser surgery apparatus
US5760899A (en) 1996-09-04 1998-06-02 Erim International, Inc. High-sensitivity multispectral sensor
US6201257B1 (en) 1996-10-10 2001-03-13 Advanced Scientific Concepts, Inc. Semiconductor X-ray photocathodes devices
US5940685A (en) 1996-10-28 1999-08-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Fabrication of UV-sensitive back illuminated CCD image sensors
US6064759A (en) 1996-11-08 2000-05-16 Buckley; B. Shawn Computer aided inspection machine
JPH10171965A (ja) 1996-12-05 1998-06-26 Toshiba Corp 積算型エリアセンサの画像入力方法及びその装置
JP3805100B2 (ja) * 1997-04-10 2006-08-02 キヤノン株式会社 光電変換装置
US6107619A (en) 1997-07-14 2000-08-22 California Institute Of Technology Delta-doped hybrid advanced detector for low energy particle detection
US6608676B1 (en) 1997-08-01 2003-08-19 Kla-Tencor Corporation System for detecting anomalies and/or features of a surface
US6201601B1 (en) 1997-09-19 2001-03-13 Kla-Tencor Corporation Sample inspection system
US6403963B1 (en) * 1997-09-29 2002-06-11 California Institute Of Technology Delta-doped CCD's as low-energy particle detectors and imagers
US6278119B1 (en) * 1997-10-21 2001-08-21 California Institute Of Technology Using a delta-doped CCD to determine the energy of a low-energy particle
US6297879B1 (en) 1998-02-27 2001-10-02 Micron Technology, Inc. Inspection method and apparatus for detecting defects on photomasks
US6376985B2 (en) 1998-03-31 2002-04-23 Applied Materials, Inc. Gated photocathode for controlled single and multiple electron beam emission
US6162707A (en) 1998-05-18 2000-12-19 The Regents Of The University Of California Low work function, stable thin films
US6373869B1 (en) 1998-07-30 2002-04-16 Actinix System and method for generating coherent radiation at ultraviolet wavelengths
US6013399A (en) * 1998-12-04 2000-01-11 Advanced Micro Devices, Inc. Reworkable EUV mask materials
US6535531B1 (en) 2001-11-29 2003-03-18 Cymer, Inc. Gas discharge laser with pulse multiplier
US6307586B1 (en) * 1999-07-20 2001-10-23 Intevac, Inc. Electron bombarded active pixel sensor camera incorporating gain control
US6285018B1 (en) * 1999-07-20 2001-09-04 Intevac, Inc. Electron bombarded active pixel sensor
US6657178B2 (en) 1999-07-20 2003-12-02 Intevac, Inc. Electron bombarded passive pixel sensor imaging
JP3634985B2 (ja) * 1999-08-26 2005-03-30 住友大阪セメント株式会社 光学的表面検査機構及び光学的表面検査装置
JP2001069193A (ja) * 1999-08-27 2001-03-16 Toshiba Tec Corp 通信衛星を経由したデータ送受信システム
JP2001169193A (ja) * 1999-12-14 2001-06-22 Hamamatsu Photonics Kk 撮像装置
US6549647B1 (en) 2000-01-07 2003-04-15 Cyberoptics Corporation Inspection system with vibration resistant video capture
US6711283B1 (en) 2000-05-03 2004-03-23 Aperio Technologies, Inc. Fully automatic rapid microscope slide scanner
US6879390B1 (en) 2000-08-10 2005-04-12 Kla-Tencor Technologies Corporation Multiple beam inspection apparatus and method
US6507147B1 (en) 2000-08-31 2003-01-14 Intevac, Inc. Unitary vacuum tube incorporating high voltage isolation
US7136159B2 (en) 2000-09-12 2006-11-14 Kla-Tencor Technologies Corporation Excimer laser inspection system
JP2002184302A (ja) 2000-12-18 2002-06-28 Hamamatsu Photonics Kk 半導体光電陰極
US6704339B2 (en) 2001-01-29 2004-03-09 Cymer, Inc. Lithography laser with beam delivery and beam pointing control
US6545281B1 (en) 2001-07-06 2003-04-08 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Pocked surface neutron detector
JP2003043533A (ja) 2001-08-03 2003-02-13 Kitakyushu Foundation For The Advancement Of Industry Science & Technology レーザーの第二高調波の方向を一定に保つための自動追尾装置
JP3573725B2 (ja) 2001-08-03 2004-10-06 川崎重工業株式会社 Ｘ線顕微鏡装置
US6747258B2 (en) 2001-10-09 2004-06-08 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Intensified hybrid solid-state sensor with an insulating layer
US7015452B2 (en) 2001-10-09 2006-03-21 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Intensified hybrid solid-state sensor
US6908355B2 (en) 2001-11-13 2005-06-21 Burle Technologies, Inc. Photocathode
US7130039B2 (en) 2002-04-18 2006-10-31 Kla-Tencor Technologies Corporation Simultaneous multi-spot inspection and imaging
JP4165129B2 (ja) 2002-06-21 2008-10-15 三菱電機株式会社 裏面入射型固体撮像素子
US20040021061A1 (en) 2002-07-30 2004-02-05 Frederik Bijkerk Photodiode, charged-coupled device and method for the production
US7446474B2 (en) 2002-10-10 2008-11-04 Applied Materials, Inc. Hetero-junction electron emitter with Group III nitride and activated alkali halide
US7283166B1 (en) * 2002-10-15 2007-10-16 Lockheed Martin Corporation Automatic control method and system for electron bombarded charge coupled device (“EBCCD”) sensor
US7126699B1 (en) 2002-10-18 2006-10-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for multi-dimensional metrology and/or inspection of a specimen
WO2004054001A2 (en) 2002-12-09 2004-06-24 Quantum Semiconductor Llc Cmos image sensor
US7005637B2 (en) * 2003-01-31 2006-02-28 Intevac, Inc. Backside thinning of image array devices
US6990385B1 (en) 2003-02-03 2006-01-24 Kla-Tencor Technologies Corporation Defect detection using multiple sensors and parallel processing
GB2398118B (en) 2003-02-07 2006-03-15 Imp College Innovations Ltd Photon arrival time detection
US7141785B2 (en) 2003-02-13 2006-11-28 Micromass Uk Limited Ion detector
US7957066B2 (en) 2003-02-21 2011-06-07 Kla-Tencor Corporation Split field inspection system using small catadioptric objectives
US7813406B1 (en) 2003-10-15 2010-10-12 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Temporal laser pulse manipulation using multiple optical ring-cavities
US7023126B2 (en) 2003-12-03 2006-04-04 Itt Manufacturing Enterprises Inc. Surface structures for halo reduction in electron bombarded devices
US7321468B2 (en) 2003-12-15 2008-01-22 Carl Zeiss Laser Optics Gmbh Method and optical arrangement for beam guiding of a light beam with beam delay
US7313155B1 (en) 2004-02-12 2007-12-25 Liyue Mu High power Q-switched laser for soft tissue ablation
JP2005241290A (ja) 2004-02-24 2005-09-08 Toshiba Corp 画像入力装置及び検査装置
US7035012B2 (en) 2004-03-01 2006-04-25 Coherent, Inc. Optical pulse duration extender
JP4365255B2 (ja) 2004-04-08 2009-11-18 浜松ホトニクス株式会社 発光体と、これを用いた電子線検出器、走査型電子顕微鏡及び質量分析装置
US7301263B2 (en) 2004-05-28 2007-11-27 Applied Materials, Inc. Multiple electron beam system with electron transmission gates
KR100688497B1 (ko) 2004-06-28 2007-03-02 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조방법
US7141791B2 (en) 2004-09-07 2006-11-28 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and method for E-beam dark field imaging
JP4500641B2 (ja) 2004-09-29 2010-07-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法およびその装置
US7455565B2 (en) 2004-10-13 2008-11-25 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Fabrication of group III-nitride photocathode having Cs activation layer
US7609309B2 (en) 2004-11-18 2009-10-27 Kla-Tencor Technologies Corporation Continuous clocking of TDI sensors
US7952633B2 (en) 2004-11-18 2011-05-31 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus for continuous clocking of TDI sensors
US7432517B2 (en) 2004-11-19 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Pulse modifier, lithographic apparatus, and device manufacturing method
WO2006076671A2 (en) 2005-01-13 2006-07-20 Whitehead Institute For Biomedical Research Method and apparatus for uv imaging
JP4751617B2 (ja) 2005-01-21 2011-08-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及びその装置
EP1716964B1 (en) 2005-04-28 2009-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device and laser irradiation apparatus
US7531826B2 (en) 2005-06-01 2009-05-12 Intevac, Inc. Photocathode structure and operation
EP1734584A1 (en) * 2005-06-14 2006-12-20 Photonis-DEP B.V. Electron bombarded image sensor array device as well as such an image sensor array
US7345825B2 (en) 2005-06-30 2008-03-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Beam delivery system for laser dark-field illumination in a catadioptric optical system
JP4491391B2 (ja) 2005-08-05 2010-06-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
JP5403852B2 (ja) 2005-08-12 2014-01-29 株式会社荏原製作所 検出装置及び検査装置
US7864425B2 (en) 2005-09-16 2011-01-04 Panasonic Corporation Composite material and optical component using the same
JP4925085B2 (ja) 2005-09-20 2012-04-25 株式会社メガオプト 深紫外レーザー光の発生方法および深紫外レーザー装置
EP1938584A4 (en) 2005-09-21 2009-09-30 Technology Inc Rjs INTEGRATED WIDE DYNAMIC RANGE AND HIGH RESOLUTION
JP4939033B2 (ja) 2005-10-31 2012-05-23 浜松ホトニクス株式会社 光電陰極
JP2007133102A (ja) 2005-11-09 2007-05-31 Canon Inc 反射防止膜を有する光学素子及びそれを有する露光装置
US7528943B2 (en) 2005-12-27 2009-05-05 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and apparatus for simultaneous high-speed acquisition of multiple images
JP4911494B2 (ja) 2006-03-18 2012-04-04 国立大学法人大阪大学 波長変換光学素子、波長変換光学素子の製造方法、波長変換装置、紫外線レーザ照射装置およびレーザ加工装置
JP4706850B2 (ja) * 2006-03-23 2011-06-22 富士フイルム株式会社 ノズルプレートの製造方法、液滴吐出ヘッド及び画像形成装置
US7598178B2 (en) * 2006-03-24 2009-10-06 Applied Materials, Inc. Carbon precursors for use during silicon epitaxial film formation
US7113325B1 (en) 2006-05-03 2006-09-26 Mitsubishi Materials Corporation Wavelength conversion method with improved conversion efficiency
US8472111B2 (en) * 2006-06-13 2013-06-25 The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Apparatus and method for deep ultraviolet optical microscopy
US7457330B2 (en) 2006-06-15 2008-11-25 Pavilion Integration Corporation Low speckle noise monolithic microchip RGB lasers
US8482197B2 (en) 2006-07-05 2013-07-09 Hamamatsu Photonics K.K. Photocathode, electron tube, field assist type photocathode, field assist type photocathode array, and field assist type electron tube
US7791170B2 (en) * 2006-07-10 2010-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of making a deep junction for electrical crosstalk reduction of an image sensor
CN101553727A (zh) * 2006-08-04 2009-10-07 伊康尼西斯公司 用于显微系统的图象处理方法
US7800040B2 (en) 2006-09-21 2010-09-21 California Institute Of Technology Method for growing a back surface contact on an imaging detector used in conjunction with back illumination
KR100826407B1 (ko) 2006-10-12 2008-05-02 삼성전기주식회사 자외선 수광용 포토 다이오드 및 이를 포함하는 이미지센서
TWI328282B (en) * 2006-10-26 2010-08-01 United Microelectronics Corp Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) image sensor and fabricating method thereof
KR100874954B1 (ko) 2006-12-04 2008-12-19 삼성전자주식회사 후면 수광 이미지 센서
US20080173903A1 (en) 2006-12-28 2008-07-24 Fujifilm Corporation Solid-state image pickup element
JP2008258202A (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Fujifilm Corp 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法
JP5342769B2 (ja) 2006-12-28 2013-11-13 浜松ホトニクス株式会社 光電陰極、電子管及び光電子増倍管
US8323406B2 (en) 2007-01-17 2012-12-04 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
US9771666B2 (en) 2007-01-17 2017-09-26 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
US8755417B1 (en) 2007-04-16 2014-06-17 Kla-Tencor Corporation Coherent light generation below about two-hundred nanometers
US20110073982A1 (en) 2007-05-25 2011-03-31 Armstrong J Joseph Inspection system using back side illuminated linear sensor
US7586108B2 (en) * 2007-06-25 2009-09-08 Asml Netherlands B.V. Radiation detector, method of manufacturing a radiation detector and lithographic apparatus comprising a radiation detector
US8138485B2 (en) * 2007-06-25 2012-03-20 Asml Netherlands B.V. Radiation detector, method of manufacturing a radiation detector, and lithographic apparatus comprising a radiation detector
US8848199B2 (en) 2007-07-10 2014-09-30 Massachusetts Institute Of Technology Tomographic phase microscopy
US8325337B2 (en) 2007-07-13 2012-12-04 Purdue Research Foundation Time resolved raman spectroscopy
US7999342B2 (en) 2007-09-24 2011-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Image sensor element for backside-illuminated sensor
JP5039495B2 (ja) * 2007-10-04 2012-10-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 マスクブランク検査方法、反射型露光マスクの製造方法、反射型露光方法および半導体集積回路の製造方法
US7525649B1 (en) 2007-10-19 2009-04-28 Kla-Tencor Technologies Corporation Surface inspection system using laser line illumination with two dimensional imaging
US7605376B2 (en) 2007-10-29 2009-10-20 Fairchild Imaging, Inc. CMOS sensor adapted for dental x-ray imaging
JP5132262B2 (ja) 2007-11-02 2013-01-30 三菱電機株式会社 裏面入射型リニアイメージセンサ、その駆動方法、及びその製造方法
US7838833B1 (en) 2007-11-30 2010-11-23 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and method for e-beam dark imaging with perspective control
US7741666B2 (en) * 2008-02-08 2010-06-22 Omnivision Technologies, Inc. Backside illuminated imaging sensor with backside P+ doped layer
US8803075B2 (en) 2008-04-18 2014-08-12 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Radiation detector device
US7714287B1 (en) 2008-06-05 2010-05-11 Kla-Tencor Corporation Apparatus and method for obtaining topographical dark-field images in a scanning electron microscope
JP2010003755A (ja) 2008-06-18 2010-01-07 Mitsubishi Electric Corp 波長変換レーザ装置
JP5305377B2 (ja) 2008-06-26 2013-10-02 株式会社フジクラ ラマン光増幅を用いた光伝送システム
US20120170021A1 (en) * 2008-09-02 2012-07-05 Phillip Walsh Method and apparatus for providing multiple wavelength reflectance magnitude and phase for a sample
US7875948B2 (en) 2008-10-21 2011-01-25 Jaroslav Hynecek Backside illuminated image sensor
US7880127B2 (en) 2008-10-27 2011-02-01 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Apparatus and method for aligning an image sensor including a header alignment means
US8017427B2 (en) 2008-12-31 2011-09-13 Omnivision Technologies, Inc. Backside-illuminated (BSI) image sensor with backside diffusion doping
EP2380047B1 (en) 2009-01-22 2018-07-11 BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Corner cube enhanced photocathode
US8175373B2 (en) 2009-02-16 2012-05-08 Kla-Tencor Corporation Use of design information and defect image information in defect classification
KR20100103238A (ko) * 2009-03-13 2010-09-27 삼성전자주식회사 에피 웨이퍼 제조 방법 및 그에 의해 제조된 에피 웨이퍼, 및 상기 에피 웨이퍼로 제조한 이미지 센서
US20100301437A1 (en) 2009-06-01 2010-12-02 Kla-Tencor Corporation Anti-Reflective Coating For Sensors Suitable For High Throughput Inspection Systems
US7985658B2 (en) * 2009-06-08 2011-07-26 Aptina Imaging Corporation Method of forming substrate for use in imager devices
WO2010148293A2 (en) * 2009-06-19 2010-12-23 Kla-Tencor Corporation Euv high throughput inspection system for defect detection on patterned euv masks, mask blanks, and wafers
JP2012530929A (ja) * 2009-06-22 2012-12-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． オブジェクト検査システムおよび方法
CN102484027A (zh) 2009-07-17 2012-05-30 克拉-坦科股份有限公司 带电粒子能量分析器
US9023152B2 (en) 2009-09-17 2015-05-05 Kla-Tencor Corporation CLBO crystal growth
CN102035085B (zh) 2009-10-08 2014-03-05 群康科技(深圳)有限公司 导电结构及其制造方法
US8629384B1 (en) 2009-10-26 2014-01-14 Kla-Tencor Corporation Photomultiplier tube optimized for surface inspection in the ultraviolet
CN102640015B (zh) 2009-12-15 2014-10-22 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 用于分析由辐射检测器输出的电脉冲的辐射检测系统和方法
EP2526566B1 (en) 2010-01-21 2018-03-07 Roper Scientific, Inc. Solid state back-illuminated photon sensor and its method of fabrication
RU2556822C2 (ru) 2010-01-22 2015-07-20 Те Борд Оф Трастиз Оф Те Лилэнд Стэнфорд Джуниор Юниверсити Ингибирование axl сигнализации в антиметастатической терапии
SG183979A1 (en) 2010-03-29 2012-10-30 Intevac Inc Time resolved photoluminescence imaging systems and methods for photovoltaic cell inspection
US8269223B2 (en) 2010-05-27 2012-09-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Polarization enhanced avalanche photodetector and method thereof
US8310021B2 (en) 2010-07-13 2012-11-13 Honeywell International Inc. Neutron detector with wafer-to-wafer bonding
WO2012021311A2 (en) 2010-08-08 2012-02-16 Kla-Tencor Corporation Dynamic wavefront control of a frequency converted laser system
SG190678A1 (en) 2010-12-16 2013-07-31 Kla Tencor Corp Wafer inspection
US8669512B2 (en) 2010-12-28 2014-03-11 Technion Research & Development Foundation Limited System and method for analyzing light by three-photon counting
US8513587B2 (en) 2011-01-24 2013-08-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image sensor with anti-reflection layer and method of manufacturing the same
US8455971B2 (en) 2011-02-14 2013-06-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for improving charge transfer in backside illuminated image sensor
JP2012175067A (ja) 2011-02-24 2012-09-10 Sony Corp 撮像素子、製造方法、および電子機器
JP2012189385A (ja) 2011-03-09 2012-10-04 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置の保守方法
WO2012154468A2 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Kla-Tencor Corporation Deep ultra-violet light sources for wafer and reticle inspection systems
WO2013006867A1 (en) 2011-07-07 2013-01-10 Massachussetts Institute Of Technology Methods and apparatus for ultrathin catalyst layer for photoelectrode
JP5731444B2 (ja) 2011-07-07 2015-06-10 富士フイルム株式会社 放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システム
US9279774B2 (en) 2011-07-12 2016-03-08 Kla-Tencor Corp. Wafer inspection
ITTO20110649A1 (it) 2011-07-19 2013-01-20 St Microelectronics Srl Dispositivo di fotorivelazione con copertura protettiva e antiriflesso, e relativo metodo di fabbricazione
US8873596B2 (en) 2011-07-22 2014-10-28 Kla-Tencor Corporation Laser with high quality, stable output beam, and long life high conversion efficiency non-linear crystal
US8871557B2 (en) 2011-09-02 2014-10-28 Electronics And Telecommunications Research Institute Photomultiplier and manufacturing method thereof
WO2013036576A1 (en) 2011-09-07 2013-03-14 Kla-Tencor Corporation Transmissive-reflective photocathode
US8748828B2 (en) 2011-09-21 2014-06-10 Kla-Tencor Corporation Interposer based imaging sensor for high-speed image acquisition and inspection systems
US20130077086A1 (en) 2011-09-23 2013-03-28 Kla-Tencor Corporation Solid-State Laser And Inspection System Using 193nm Laser
US8872159B2 (en) * 2011-09-29 2014-10-28 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Graphene on semiconductor detector
US9250178B2 (en) 2011-10-07 2016-02-02 Kla-Tencor Corporation Passivation of nonlinear optical crystals
US10197501B2 (en) 2011-12-12 2019-02-05 Kla-Tencor Corporation Electron-bombarded charge-coupled device and inspection systems using EBCCD detectors
US9389166B2 (en) 2011-12-16 2016-07-12 Kla-Tencor Corporation Enhanced high-speed logarithmic photo-detector for spot scanning system
US8754972B2 (en) 2012-02-01 2014-06-17 Kla-Tencor Corporation Integrated multi-channel analog front end and digitizer for high speed imaging applications
US9496425B2 (en) * 2012-04-10 2016-11-15 Kla-Tencor Corporation Back-illuminated sensor with boron layer
US10079257B2 (en) 2012-04-13 2018-09-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Anti-reflective layer for backside illuminated CMOS image sensors
US20130313440A1 (en) 2012-05-22 2013-11-28 Kla-Tencor Corporation Solid-State Laser And Inspection System Using 193nm Laser
KR101914231B1 (ko) 2012-05-30 2018-11-02 삼성디스플레이 주식회사 주사 전자 현미경을 이용한 검사 시스템
US8658973B2 (en) 2012-06-12 2014-02-25 Kla-Tencor Corporation Auger elemental identification algorithm
US8953869B2 (en) 2012-06-14 2015-02-10 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for inspecting extreme ultra violet reticles
US9601299B2 (en) 2012-08-03 2017-03-21 Kla-Tencor Corporation Photocathode including silicon substrate with boron layer
NL2011568A (en) 2012-10-31 2014-05-06 Asml Netherlands Bv Sensor and lithographic apparatus.
US8921782B2 (en) 2012-11-30 2014-12-30 Kla-Tencor Corporation Tilt-imaging scanning electron microscope
US9426400B2 (en) 2012-12-10 2016-08-23 Kla-Tencor Corporation Method and apparatus for high speed acquisition of moving images using pulsed illumination
US8929406B2 (en) 2013-01-24 2015-01-06 Kla-Tencor Corporation 193NM laser and inspection system
US8912615B2 (en) 2013-01-24 2014-12-16 Osi Optoelectronics, Inc. Shallow junction photodiode for detecting short wavelength light
US9529182B2 (en) 2013-02-13 2016-12-27 KLA—Tencor Corporation 193nm laser and inspection system
US9608399B2 (en) 2013-03-18 2017-03-28 Kla-Tencor Corporation 193 nm laser and an inspection system using a 193 nm laser
US9478402B2 (en) 2013-04-01 2016-10-25 Kla-Tencor Corporation Photomultiplier tube, image sensor, and an inspection system using a PMT or image sensor
US11180866B2 (en) 2013-04-10 2021-11-23 Kla Corporation Passivation of nonlinear optical crystals
US9350921B2 (en) 2013-06-06 2016-05-24 Mitutoyo Corporation Structured illumination projection with enhanced exposure control
US9347890B2 (en) 2013-12-19 2016-05-24 Kla-Tencor Corporation Low-noise sensor and an inspection system using a low-noise sensor
US9748294B2 (en) 2014-01-10 2017-08-29 Hamamatsu Photonics K.K. Anti-reflection layer for back-illuminated sensor
US9748729B2 (en) 2014-10-03 2017-08-29 Kla-Tencor Corporation 183NM laser and inspection system

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002033473A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Hamamatsu Photonics Kk 半導体装置
US20100188655A1 (en) * 2009-01-23 2010-07-29 Kla-Tencor Corporation TDI Sensor Modules With Localized Driving And Signal Processing Circuitry For High Speed Inspection
CN102130218A (zh) * 2010-01-13 2011-07-20 Fei公司 辐射检测器
US20110256655A1 (en) * 2010-02-11 2011-10-20 California Institute Of Technology Low voltage low light imager and photodetector

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
F. Sarubbi;L. K. Nanver;T. L. M. Scholtes;S. N. Nihtianov;F. Scholze，Pure boron-doped photodiodes: A solution for radiation detection in EUV lithography，ESSDERC 2008 - 38th European Solid-State Device Research Conference，IEEE，15-19 Sept. 2008，pp. 278~281 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR102156000B1 (ko) 2020-09-14
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JP6458107B2 (ja) 2019-01-23
EP2837031B1 (en) 2017-06-07
TW201812285A (zh) 2018-04-01
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EP3236501A1 (en) 2017-10-25
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KR20190143495A (ko) 2019-12-30
TW201921663A (zh) 2019-06-01
JP2025105850A (ja) 2025-07-10
EP2837031A4 (en) 2015-11-18
WO2013155011A1 (en) 2013-10-17
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US10121914B2 (en) 2018-11-06
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KR102134551B1 (ko) 2020-07-15
JP6553281B2 (ja) 2019-07-31
US10446696B2 (en) 2019-10-15
TW201727886A (zh) 2017-08-01
EP2837031A1 (en) 2015-02-18
KR102060185B1 (ko) 2020-02-11
US20130264481A1 (en) 2013-10-10
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