TWI706829B - 雙面研磨裝置用的載體的製造方法及晶圓的雙面研磨方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種雙面研磨裝置用的載體的製造方法，包含準備載體基材及比該載體基材更厚的插入材的準備步驟、將插入材嵌入支承孔而使插入材自載體基材的表面側及背面側兩者表面突出的嵌入步驟、各別測定自載體基材的表面側突出的插入材的表面側突出量及自載體基材的背面側突出的插入材的背面側突出量的測定步驟、設定啟用研磨載體時的上定盤及下定盤的轉速而降低表面側突出量及背面側突出量的差值的設定步驟及以經設定的上定盤及下定盤的各別的轉速而啟用研磨載體的啟用研磨步驟。藉此能提高雙面研磨後的晶圓的邊緣部的平坦度。

Description

雙面研磨裝置用的載體的製造方法及晶圓的雙面研磨方法

本發明係關於雙面研磨裝置用的載體的製造方法及晶圓的雙面研磨方法。

雙面研磨裝置係為了每一批次同時研磨五片左右的晶圓的雙面，而將具有與晶圓片數相同數目的支承孔的雙面研磨裝置用的載體設置於定盤上。藉由載體的支承孔支承晶圓，以設置於上下定盤的研磨布而自雙面夾住晶圓，供給研磨劑至研磨表面的同時進行研磨。

雙面研磨裝置用的載體係形成為薄於晶圓的厚度，以例如不鏽鋼、鈦等的金屬，或是環氧玻璃等的硬質樹脂所構成。於此，金屬製的載體係為了防止晶圓支承孔的內周部與晶圓的外周部接觸而破損，而在晶圓支承孔的內側設有樹脂製的插入材。此插入材係藉由嵌入或射出成型而形成。

在將插入材予以嵌入支承孔的情況，例如專利文獻1所記載，舉出：將已進行拋光加工及研磨加工的插入材嵌合於載體基材，對插入材施加垂直的負重的同時進行黏接及乾燥的手法。

於此，由於插入材的內周部會與晶圓的外周部接觸的緣故，在精細地製作晶圓的邊緣形狀變得重要。由於期望此插入材與載體基材的高度相同的緣故，將厚的插入材予以嵌入之後所凸出來的部分，必須藉由載體啟用研磨而加工。

期望此插入材與載體基材的高度相同，是因為根據插入材的高度，於晶圓邊緣部發揮的保持器（Retainer）效果會不同。保持器效果係有防止晶圓的邊緣部會大大地下垂的作用。因此，插入材的高度與晶圓的厚度會影響邊緣部的上翹、下垂的形狀。

現今，雙面研磨後的晶圓的邊緣部的平坦度，在表面與背面會發生差異。此主要的原因係能列舉插入材與載體基材的厚度的差異。習知，為了抑制厚度差異，而於事前藉由將插入樹脂研磨而調整為一致的厚度之後嵌入載體。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］

［專利文獻1］日本特開2014-176954號公報

［發明所欲解決之問題］ 然而，在將插入材嵌入載體基材時，難以將表面與背面對稱地嵌入，而在插入材的表側或背側發生錯位的狀態下被固定，而在表面及背面載體基材與插入材的段差量產生差。

此段差量的差雖然在通常的載體的啟用研磨多少會被緩和，但是無法控制插入材的在表面與背面的加工量，而使表面與背面的對稱性依然地維持不良。因此，在使用如此的載體進行晶圓的雙面研磨的情況下，有雙面研磨後的晶圓的邊緣部的平坦度會惡化的問題。

鑒於如同前述的問題，本發明的目的在於提供一種雙面研磨裝置用的載體的製造方法以及晶圓的雙面研磨方法，而能提高雙面研磨後的晶圓的邊緣部的平坦度。 ［解決問題之技術手段］

為了達成上述目的，本發明提供一種雙面研磨裝置用的載體的製造方法，該載體係在具有貼附有研磨布的上定盤及下定盤的雙面研磨裝置而被使用，該載體係具有形成有支承晶圓的支承孔的載體基材、以及形成有沿著該支承孔的內周而配置且與該晶圓的外周部相接的內周部的插入材，該製造方法包含：一準備步驟，係準備該載體基材及比該載體基材更厚的該插入材；一嵌入步驟，係將該插入材嵌入該支承孔，而使該插入材自該載體基材的表面側及背面側兩者的表面突出；一測定步驟，係各別測定自該載體基材的表面側突出的該插入材的表面側突出量，以及自該載體基材的背面側突出的該插入材的背面側突出量；一設定步驟，係將啟用研磨該載體時的該上定盤及該下定盤的轉速予以設定，而降低該表面側突出量及該背面側突出量的差值；以及一啟用研磨步驟，以經設定的該上定盤及該下定盤的各別的轉速而將該載體予以啟用研磨。

如此一來，由於能降低自載體基材的插入材的表面側突出量與背面側突出量的緣故，而能提高載體基材的表面與背面之中的插入材的對稱性。藉此能製造得以提升雙面研磨後的晶圓的邊緣部的平坦度的雙面研磨裝置用的載體。

此時，該準備步驟之中，準備比該載體基材的厚度更厚10 μm以上且40 μm以下的該插入材為佳。

如此一來，在嵌入步驟之中能平順地進行插入材的向支承孔的嵌入，並且能防止啟用研磨的長時間化。

再者此時，在該設定步驟之中，將該上定盤及該下定盤的轉速予以設定，而使關於啟用研磨該載體時的相對於該載體的該上定盤及該下定盤的相對轉速中，其中一個該相對轉速為另一個該相對轉速的1.5倍以上為佳。

如此一來，在能充分地減少突出量的差的同時，能設定使載體的啟用研磨更有效率地進行的轉速。

再者此時，在該設定步驟之中，將該上定盤及該下定盤的轉速予以設定，而使啟用研磨該載體時的相對於該載體的該上定盤及該下定盤的相對轉速各別為0 rpm以上且30 rpm以下為佳。

如此一來，能設定得以使載體的啟用研磨更有效率地進行的轉速。

再者此時，在該啟用研磨步驟之中，使用藉由溶媒而將平均磨粒徑為60 nm以上的研磨劑予以稀釋2至5倍的鹼性水溶液為佳。

如此一來，能更有效率地進行啟用研磨。

再者此時，在該啟用研磨步驟之後再次進行該測定步驟，直到在該測定步驟之中所測定的該表面側突出量及該背面側突出量的差值為5 μm以下為止，反覆進行該設定步驟、該啟用研磨步驟及該測定步驟為佳。

如此一來，能更確實地提高載體基材的表面與背面的插入材的對稱性。

再者，本發明提供一種晶圓的雙面研磨方法，於貼附有研磨布的上定盤與下定盤之間，配置藉由如上述之本發明的雙面研磨裝置用的載體的製造方法所製造的該載體，於形成於該載體的該支承孔支承該晶圓而進行雙面研磨。

如此一來，能確實地提高雙面研磨後的晶圓的邊緣部的平坦度。〔對照先前技術之功效〕

本發明的雙面研磨裝置用的載體的製造方法，由於能降低自載體基材的插入材的表面側突出量與背面側突出量的差值的緣故，而能提高載體基材的表面與背面的插入材的對稱性，藉此能提高雙面研磨後的晶圓的邊緣部的平坦度。

以下對本發明的實施例進行說明，但是本發明並非線定於此。 如同上述，於將插入材嵌入載體基材時，插入材會在表側（或背側）發生錯位的狀態下被固定，在使用如此的載體進行晶圓的雙面研磨的情況下，雙面研磨後的晶圓的邊緣部的平坦度會有惡化的問題。

因此，本發明人們為了解決如此的問題而反覆地努力研究。結果找出：各別測定自載體基材的表面側突出的插入材的表面側突出量，將在啟用研磨載體時的上定盤及下定盤的轉速予以設定，而降低表面側突出量及背面側突出量的差值，以經設定的上定盤及下定盤的各別的轉速而將載體予以啟用研磨。進而想到：如此一來，由於能夠降低自載體基材的插入材的表面側突出量與背面側突出量的緣故，而能提高載體基材的表面與背面之中的插入材的對稱性，藉此能製造得以提升雙面研磨後的晶圓的邊緣部的平坦度的雙面研磨裝置用的載體。然後，對於為了實施這些的最佳方式進行精查，而完成了本發明。

於第2圖顯示雙面研磨裝置用的載體的一範例。載體1具有形成有用於支承晶圓的支承孔2的載體基材3、以及形成有沿著該載體基材3的支承孔2的內周而配置且與晶圓外周部相接的內周部的插入材4。能藉由插入材4保護晶圓的倒角部。

如此的載體1係用於例如在將如第3圖所示的4way式的雙面研磨裝置10之中的晶圓W予以雙面研磨時。雙面研磨裝置10配備有被設置為上下相對向的上定盤11及下定盤12。於上下定盤11、12各別貼附有研磨布13。於上定盤11及下定盤12之間的中心部設置有太陽齒輪14，於周邊部設置有內齒輪15。

然後，於太陽齒輪14及內齒輪15的各齒部與載體1的外周齒相咬合，伴隨著上定盤11及下定盤12藉由未圖示的驅動源而旋轉，載體1於自轉的同時繞著太陽齒輪14公轉。此時，以載體1的支承孔2所支承的晶圓W的雙面係藉由上下的研磨布13而同時地研磨。於晶圓W的研磨時，自研磨漿供給裝置16供給研磨漿17至晶圓W的研磨面。

以下參考第1圖至第3圖，說明本發明的雙面研磨裝置用的載體的製造方法。

首先，進行準備如第2圖所示的載體基材3及比載體基材3更厚的插入材4的準備步驟（第1圖的SP1）。於此，雖然示例一個支承孔2的載體基材3，當然並非限定於此，具有複數個支承孔者亦可。

此時，準備比載體基材3的厚度更厚10 μm以上且40 μm以下的插入材4為佳，更佳為15 μm以上且25 μm以下的插入材4。如此一來，能平順地進行後述的嵌入步驟之中的將插入材向支承孔的嵌入，且防止後述的啟用研磨步驟的長時間化。

插入材4，準備例如材質為硬質樹脂者為佳。載體基材3，準備例如材質為不鏽鋼或鈦等的金屬製，或是於此表面施有表面硬化處理者為佳。但是，本發明並非特別限定於這些材質。

接下來，進行將插入材4嵌入支承孔2，而使插入材4自載體基材3的表面側及背面側兩者的表面突出的嵌入步驟（第1圖的SP2）。

接下來，進行各別測定自載體基材3的表面側突出的插入材4的表面側突出量，以及自載體基材3的背面側突出的插入材4的背面側突出量的測定步驟（第1圖的SP3）。

此時，能使用例如接觸式的段差測定器而測定這些的表面側突出量及背面側突出量（段差量）。

接下來，進行將在啟用研磨載體1時的上定盤11及下定盤12的轉速予以設定，而降低表面側突出量及背面側突出量的差值的設定步驟（第1圖的SP4）。

具體而言，例如藉由將插入材4的突出量大的表面側的定盤的相對轉速予以提高，或者將插入材4的突出量小的表面側的定盤的相對轉速予以降低，而能控制表面及背面的插入材4的加工量。例如，可參考表面側突出量與背面側突出量的比率而設定相對轉速。這種情況，不必一定要使突出量的比率與轉速的比率的絕對值一致。若預先求得插入材的研磨速度與定盤轉速的關係，就能簡單地設定相對轉速。

此時，關於啟用研磨載體1時的相對於載體1的上定盤及下定盤的相對轉速，設定上定盤11及下定盤12的轉速，而使相對於其中一個相對轉速，另一個相對轉速為1.5倍以上為佳。如此一來，能在充分地降低突出量的差值的同時，能設定更有效率地進行載體1的啟用研磨的轉速。 另外，上述的相對於一個相對轉速的另一個相對轉速的設定若為4倍，在效率方面係為充分。

再者此時將上定盤11及下定盤12的轉速予以設定，而使啟用研磨載體1時的相對於載體1的上定盤11及下定盤12的相對轉速各別為0 rpm以上且30 rpm以下。如此一來，能設定得以有效率地進行載體1的啟用研磨的轉速。

進行以上述的設定步驟所設定的上定盤11及下定盤12的各別的轉速而將載體1予以啟用研磨的啟用研磨步驟（第1圖的SP5）。

此時，使用藉由溶媒而將平均磨粒徑為60 nm以上的研磨劑予以稀釋2至5倍的鹼性水溶液為佳。如此一來，能有效率地進行啟用研磨。 另外，若上述平均磨粒徑為100 nm以上，在效率方面係為充分。

再者，研磨布13使用蕭氏（Shore）A硬度為85至95的發泡聚氨脂襯墊為佳。

此時，如第4圖所示，啟用研磨步驟（SP5）之後再進行測定步驟（SP6），使在此測定步驟（SP6）之中所測定的表面側突出量及背面側突出量的差值為5 μm以下，較佳為2 μm以下，更佳為1 μm以下為止，反覆進行設定步驟（SP4）、啟用研磨步驟（SP5）及測定步驟（SP6）為佳。如此一來，能更確實地提升載體基材3的表面與背面的插入材4的對稱性。 另外，上述的差值本身愈小愈好，若有必要，差值消失（差值為0 μm）為止反覆進行上述步驟亦為可能。

具體而言，例如於測定步驟（SP6）之後，進行表面側突出量與背面側突出量的差值是否為期望值以下的判斷步驟（SP7）為佳。藉此能判斷在表面側突出量與背面側突出量的差值大於期望值的情況下，再次進行設定步驟（SP4），在表面側突出量與背面側突出量的差值在期望值以下的情況，則為完成啟用研磨（SP8）。

如同以上說明，本發明的雙面研磨裝置用的載體的製造方法，由於能降低自載體基材的插入材的表面側突出量與背面側突出量的差值的緣故，而能提高載體基材的表面與背面之中的插入材的對稱性，藉此能提升雙面研磨後的晶圓的邊緣部的平坦度。

再者，本發明的晶圓的雙面研磨方法，於貼附有研磨布的上定盤與下定盤之間，配置藉由如上述之本發明的雙面研磨裝置用的載體的製造方法所製造的載體，於形成於該載體的支承孔支承晶圓而進行雙面研磨。如此一來，能提高雙面研磨後的晶圓的邊緣部的平坦度。

具體而言，例如如第3圖所示，於載體1的支承孔2內支承晶圓W。接下來，於雙面研磨裝置10的上下定盤11、12之間插入支承有晶圓W的載體1。然後，藉由研磨漿供給裝置16供給研磨漿17至研磨面的同時，使上下定盤11、12旋轉的同時使載體1自轉及公轉。如此一來，藉由將晶圓W的雙面滑接於研磨布13，而能研磨晶圓W的雙面。

在上述實施例之中，載體係為如第2圖所示的僅設置一個支承孔者。但是本發明並非限定於此，對於在一個載體設置複數個支承孔及對應於此的插入材，亦能應用本發明。

以下，表示本發明的實施例及比較例而更具體地說明本發明，但是本發明並非限定於此。

［實施例］ 作為載體基材，準備自純鈦所構成，表面施有2 μm的DLC鍍膜處理，鍍膜後的厚度約為776 μm者。再者，作為插入材，準備事先施有拋光及研磨加工的厚度為790~800 μm的玻璃強化纖維環氧樹脂（EG）者（準備步驟）。

將插入材嵌入支承孔，而使插入材自載體基材的表面側及背面側兩者的表面突出（嵌入步驟）。

各別測定自載體基材的表面側突出的插入材的表面側突出量，以及自載體基材的背面側突出的插入材的背面側突出量（測定步驟）。表面側突出量以及背面側突出量的測定係使用Mitutoyo製SURFTEST SJ-400而進行。此結果與後述的啟用研磨後的測定結果一同示於第5圖及第6圖。

其結果如第6圖所示，啟用研磨前的表面側突出量為14.22 μm，背面側突出量為7.82 μm。亦即，啟用研磨前的表面側突出量與背面側突出量的差值為6.4 μm，比率為1.82。

將在啟用研磨載體時的上定盤及下定盤的轉速予以設定，而降低表面側突出量及背面側突出量的差值（設定步驟），以經此設定的上定盤及下定盤的各別的轉速而將載體予以啟用研磨（啟用研磨步驟）。

然後，於啟用研磨步驟之後再次進行測定步驟，直到在測定步驟之中所測定的表面側突出量及背面側突出量的差值為1 μm以下為止，反覆進行設定步驟、啟用研磨步驟及測定步驟。

在設定步驟之中，如下述表1所示，設定轉速，而使關於啟用研磨載體時的相對於載體的上定盤及下定盤的相對轉速，相對於下定盤的相對轉速，上定盤的相對轉速在啟用研磨（第一回）中為2倍，在啟用研磨（第二回）中為1.5倍。再者，啟用研磨的時間，啟用研磨（第一回）為60分鐘，啟用研磨（第二回）為120分鐘。

【表1】

載體的啟用研磨，係使用在不二越機械工業製的雙面研磨裝置DPS-20B的上下定盤貼附蕭氏A硬度90的發泡聚氨酯襯墊的富士紡愛媛製的SF5000作為研磨布的雙面研磨裝置。在載體的啟用研磨之中的研磨漿係使用藉由溶媒將Fujimi Incorporated製的平均磨粒徑為77 nm的COMPOL80研磨劑予以稀釋3倍而為13.5 wt%且pH 10.5的KOH基底的鹼性水溶液。

如第6圖所示，載體的啟用研磨（第一回）後的表面側突出量為3.50 μm、背面側突出量為1.96 μm。亦即，載體的啟用研磨（第一回）後的表面側突出量與背面側突出量的差值為1.54 μm。

再者，載體的啟用研磨（第二回）後的表面側突出量為1.48 μm，背面側突出量為0.78 μm。亦即，載體的啟用研磨（第二回）後的表面側突出量與背面側突出量的差值為0.7 μm。

如此一來，於載體的啟用研磨（第二回）之後，表面側突出量與背面側突出量的差值為1 μm以下的緣故，在這時間點結束載體的啟用研磨。

［比較例］ 使用與實施例相同的雙面研磨裝置，依照如第7圖所示的步驟圖而進行雙面研磨裝置用的載體的製造。

首先準備與實施例同樣的載體基材，以及事先進行過拋光及研磨加工的厚度780~790 μm的插入材（第7圖的SP101），進行通常的嵌入（SP102）。之後與實施例同樣地測定載體基材的表面側及背面側的位移（第7圖的SP103）。此時的結果與後述的啟用研磨後的測定結果一同示於第8圖及第9圖。

其結果如第8圖及第9圖所示，在比較例之中，在插入材的嵌入的時間點，插入材朝表面側有大的錯位。啟用研磨的表面側突出量為23.29 μm，背面側突出量為-13.45 μm。

之後，進行通常的載體的啟用研磨（第7圖的SP104）後，之後再進行測定步驟（第7圖的SP105），直到在此測定步驟之中所測定的表面側突出量為5 μm以下為止，反覆進行啟用研磨步驟及測定步驟（第7圖的SP106）。

啟用研磨如下述的表2所示，關於啟用研磨載體時的相對於載體的上定盤及下定盤的相對轉速，與通常的晶圓的雙面研磨相同，上定盤的相對轉速與下定盤的相對轉速為同等。再者，啟用研磨的時間，啟用研磨（第一回）為60分鐘，啟用研磨（第二回）為150分鐘。

【表2】

如第9圖所示，比較例的載體的啟用研磨（第一回）後的表面側突出量為6.59 μm，載體的啟用研磨（第二回）後的表面側突出量為4.95 μm。因此，載體的啟用研磨（第二回）後的表面側突出量為5 μm以下的緣故，在此時間點結束載體的啟用研磨。

然而，如第8圖、第9圖所示，在比較例之中製造的載體，由於在插入材的嵌入的時間點，插入材朝表面側有大的錯位，即使進行通常的啟用研磨，亦無法修正此突出量，而成為載體基材的表面與背面的對稱性不佳的狀態。

另一方面，在實施例之中，雖然在插入材的嵌入的時間點，插入材朝表面錯位而被固定，插入材向兩面突出。自啟用研磨前的段差測定結果，由於表面側的突出量的方面為大的緣故，而將上定盤與載體的相對速度設定為大於與下定盤的相對速度，而進行啟用研磨。其結果，在實施例之中，能製造啟用研磨後的載體基材的表面與背面的插入材的對稱性比比較例良好的載體。

同樣地，在實施例及比較例之中，各別製造複數片的載體。然後使用這些製造的載體進行直徑300 mm的矽晶圓的雙面研磨，合計五批次。

晶圓的雙面研磨，與載體的啟用研磨相同，使用在不二越機械工業製的雙面研磨裝置DPS-20B的上下定盤貼附蕭氏A硬度90的發泡聚氨酯襯墊的富士紡愛媛製的SF5000作為研磨布的雙面研磨裝置。

再者，作為晶圓的雙面研磨的研磨漿係使用將矽系磨粒的Fujimi Incorporated製的RDS-H11201與RDS-H11202（平均粒徑為74 nm及89 nm）以混合比1:1使磨粒濃度為2.4 wt%且pH 10.5的KOH基底的鹼性水溶液。

然後，進行雙面研磨後的晶圓的邊緣部的平坦度的測定。平坦度的測定係使用KLA Tencor公司製的WaferSight2。然後，雙面研磨後的晶圓的表面側的平坦度的測定結果（ESFQR_max ）示於第10圖，雙面研磨後的晶圓的背面側的平坦度的測定結果（Back-ZDD）示於第11圖。

其結果，比較例的ESFQR_max 的平均值為17.1 nm。相對於此，實施例的ESFQR_max 的平均值提升為13.5 nm。另外，比較例的Back-ZDD的平均值為8.6 nm/mm² 。相對於此，實施例的Back-ZDD的平均值提升為4.2 nm/mm² 。如此一來，雖然習知如比較例Back-ZDD容易惡化，但是在實施例Back-ZDD能大幅地提升。

如此一來，藉由本發明的載體的製造方法，由於能提升載體基材的表面與背面的插入材的對稱性，而能提升雙面研磨後的晶圓的邊緣部的平坦度。

此外，本發明並不限定於上述的實施例。上述實施例為舉例說明，凡具有與本發明的申請專利範圍所記載之技術思想實質上同樣之構成，產生相同的功效者，不論為何物皆包含在本發明的技術範圍內。

1‧‧‧載體2‧‧‧支承孔3‧‧‧載體基材4‧‧‧插入材10‧‧‧雙面研磨裝置11‧‧‧上定盤12‧‧‧下定盤13‧‧‧研磨布14‧‧‧太陽齒輪15‧‧‧內齒輪16‧‧‧研磨漿供給裝置17‧‧‧研磨漿W‧‧‧晶圓

第1圖係顯示本發明的載體的製造方法的一範例的步驟圖。 第2圖係顯示以本發明的製造方法所製造的雙面研磨裝置用的載體的一範例的示意圖。 第3圖係顯示能使用在本發明的雙面研磨裝置用的載體的製造方法的雙面研磨裝置的一範例的示意圖。 第4圖係顯示本發明的載體的製造方法的其它的範例的步驟圖。 第5圖係顯示實施例所測定的表面突出量及背面側突出量的輪廓的圖。 第6圖係顯示實施例所測定的表面突出量及背面側突出量的圖。 第7圖係顯示比較例的載體的製造方法的步驟圖。 第8圖係顯示比較例所測定的表面突出量及背面側突出量的輪廓的圖。 第9圖係顯示比較例所測定的表面突出量及背面側突出量的圖。 第10圖係顯示實施例及比較例的雙面研磨後的晶圓的ESFQR_max 的測定結果的圖。 第11圖係顯示實施例及比較例的雙面研磨後的晶圓的Back-ZDD的測定結果的圖。

Claims (15)

1. 一種雙面研磨裝置用的載體的製造方法，該載體係在具有貼附有研磨布的上定盤及下定盤的雙面研磨裝置而被使用，該載體係具有形成有用為支承晶圓的支承孔的載體基材、以及形成有沿著該支承孔的內周而配置且與該晶圓的外周部相接的內周部的插入材，該製造方法包含： 一準備步驟，係準備該載體基材及比該載體基材更厚的該插入材； 一嵌入步驟，係將該插入材嵌入該支承孔，而使該插入材自該載體基材的表面側及背面側兩者的表面突出； 一測定步驟，係各別測定自該載體基材的表面側突出的該插入材的表面側突出量，以及自該載體基材的背面側突出的該插入材的背面側突出量； 一設定步驟，係將啟用研磨該載體時的該上定盤及該下定盤的轉速予以設定，而降低該表面側突出量及該背面側突出量的差值；以及 一啟用研磨步驟，以經設定的該上定盤及該下定盤的各別的轉速而將該載體予以啟用研磨。
2. 如請求項1所述之雙面研磨裝置用的載體的製造方法，其中在該準備步驟之中，準備比該載體基材的厚度更厚10 μm以上且40 μm以下的該插入材。
3. 如請求項1所述之雙面研磨裝置用的載體的製造方法，其中在該設定步驟之中，將該上定盤及該下定盤的轉速予以設定，而使關於啟動研磨該載體時的相對於該載體的該上定盤及該下定盤的相對轉速中，其中一個該相對轉速為另一個該相對轉速的1.5倍以上。
4. 如請求項2所述之雙面研磨裝置用的載體的製造方法，其中在該設定步驟之中，將該上定盤及該下定盤的轉速予以設定，而使關於啟動研磨該載體時的相對於該載體的該上定盤及該下定盤的相對轉速中，其中一個該相對轉速為另一個該相對轉速的1.5倍以上。
5. 如請求項1所述之雙面研磨裝置用的載體的製造方法，其中在該設定步驟之中，將該上定盤及該下定盤的轉速予以設定，而使啟動研磨該載體時的相對於該載體的該上定盤及該下定盤的相對轉速各別為0 rpm以上且30 rpm以下。
6. 如請求項2所述之雙面研磨裝置用的載體的製造方法，其中在該設定步驟之中，將該上定盤及該下定盤的轉速予以設定，而使啟動研磨該載體時的相對於該載體的該上定盤及該下定盤的相對轉速各別為0 rpm以上且30 rpm以下。
7. 如請求項3所述之雙面研磨裝置用的載體的製造方法，其中在該設定步驟之中，將該上定盤及該下定盤的轉速予以設定，而使啟動研磨該載體時的相對於該載體的該上定盤及該下定盤的相對轉速各別為0 rpm以上且30 rpm以下。
8. 如請求項4所述之雙面研磨裝置用的載體的製造方法，其中在該設定步驟之中，將該上定盤及該下定盤的轉速予以設定，而使啟動研磨該載體時的相對於該載體的該上定盤及該下定盤的相對轉速各別為0 rpm以上且30 rpm以下。
9. 如請求項1至8中任一項所述之雙面研磨裝置用的載體的製造方法，其中在該啟動研磨步驟之中，使用藉由溶媒而將平均磨粒徑為60 nm以上的研磨劑予以稀釋2至5倍的鹼性水溶液。
10. 如請求項1至8中任一項所述之雙面研磨裝置用的載體的製造方法，其中在該啟動研磨步驟之後再次進行該測定步驟，直到在該測定步驟之中所測定的該表面側突出量及該背面側突出量的差值為5 μm以下為止，反覆進行該設定步驟、該啟動研磨步驟及該測定步驟。
11. 如請求項9所述之雙面研磨裝置用的載體的製造方法，其中在該啟動研磨步驟之後再次進行該測定步驟，直到在該測定步驟之中所測定的該表面側突出量及該背面側突出量的差值為5 μm以下為止，反覆進行該設定步驟、該啟動研磨步驟及該測定步驟。
12. 一種晶圓的雙面研磨方法，於貼附有研磨布的上定盤與下定盤之間，配置藉由如請求項1至8中任一項所述之雙面研磨裝置用的載體的製造方法所製造的該載體，於形成於該載體的該支承孔支承該晶圓而進行雙面研磨。
13. 一種晶圓的雙面研磨方法，於貼附有研磨布的上定盤與下定盤之間，配置藉由如請求項9所述之雙面研磨裝置用的載體的製造方法所製造的該載體，於形成於該載體的該支承孔支承該晶圓而進行雙面研磨。
14. 一種晶圓的雙面研磨方法，於貼附有研磨布的上定盤與下定盤之間，配置藉由如請求項10所述之雙面研磨裝置用的載體的製造方法所製造的該載體，於形成於該載體的該支承孔支承該晶圓而進行雙面研磨。
15. 一種晶圓的雙面研磨方法，於貼附有研磨布的上定盤與下定盤之間，配置藉由如請求項11所述之雙面研磨裝置用的載體的製造方法所製造的該載體，於形成於該載體的該支承孔支承該晶圓而進行雙面研磨。

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