TWI706597B

TWI706597B - 天線結構總成

Info

Publication number: TWI706597B
Application number: TW108134964A
Authority: TW
Inventors: 曾冠學; 江正雄
Original assignee: 微星科技股份有限公司; 大陸商恩斯邁電子（深圳）有限公司
Priority date: 2019-09-26
Filing date: 2019-09-26
Publication date: 2020-10-01
Also published as: CN112563727A; TW202114290A; CN112563727B

Abstract

一種天線結構總成包含第一天線、第二天線、導電屏蔽牆、及連接部。第一天線及第二天線設置於接地片上，第一天線與第二天線間的第一間隙寬度為最高操作頻率對應之波長的1/40至1/2。導電屏蔽牆鄰近於接地片，導電屏蔽牆與接地片之間的第二間隙之寬度範圍是最高操作頻率對應之波長的1/40至1/2。導電屏蔽牆與第一天線及/或第二天線在投影平面上部分重疊，且導電屏蔽牆的高度大於或等於第一天線或第二天線之高度的1/2，導電屏蔽牆的長度大於或等於第一天線及第二天線的總長度的1/2。連接部電性連接至導電屏蔽牆及接地片，且連接部位於第一天線與第二天線之間。

Description

天線結構總成

本申請案涉及通訊領域，尤其是涉及一種天線結構總成。

現今電子產品對於無線通訊的功能需求增加，一個產品中可能設置有多個天線，但是天線與天線之間，容易產生訊號的干擾。因此，天線的隔離度，成為現今無線通訊的關鍵。以往提升天線隔離度有以下幾種方法，最簡單的方式是直接增加相鄰天線的距離，天線隔離度可隨相鄰距離增加而提升。然而，在產品有限的尺寸內，通常無法提供天線寬裕的距離，所以有實務上應用的限制。

其次，一些文獻提出，將相鄰兩隻天線設計成不同的極化，藉以降低相互間的電磁場干擾。但因相鄰兩隻天線的不同極化，容易造成整體輻射效能下降之副作用。再者，可在兩天線之間加入四分之一波長的隔離器(Isolator)，但在相同的尺寸下，隔離器的加入雖然可以提升相鄰天線的隔離度，天線原本的特性卻會被影響，而造成產品於遠距離傳播接收的通訊品質下降。

在此，為了解決現有技術上的問題，提供一種天線結構總成。天線結構總成包含第一天線、第二天線、至少一導電屏蔽牆、以及至少一連接部。第一天線設置於接地片上。第二天線設置於接地片，並鄰近第一天線，第一天線與第二天線間之第一間隙的寬度為最高操作頻率對應之波長的1/40至1/2。至少一導電屏蔽牆鄰近於接地片，各導電屏蔽牆與接地片之間具有第二間隙，第二間隙之寬度範圍是最高操作頻率對應之波長的1/40至1/2。各導電屏蔽牆與第一天線及/或第二天線的投影，在一投影平面上至少一部分重疊，且各導電屏蔽牆的高度大於或等於第一天線或第二天線之高度的1/2，至少一導電屏蔽牆的總長度大於或等於第一天線及第二天線的總長度的1/2。至少一連接部電性連接至少一導電屏蔽牆及接地片，且至少一連接部中的至少一個位於第一天線與第二天線之間。

在一些實施例中，至少一導電屏蔽牆中的至少一個具有一開口。

在一些實施例中，至少一連接部與接地片直接連接。

在另一些實施例中，至少一連接部與接地片之間不直接連接，透過電容耦合電性連接。更詳細地，至少一連接部與接地片之間的第三間隙的寬度小於最高操作頻率對應之波長的1/100。

在一些實施例中，至少一導電屏蔽牆包含第一導電屏蔽牆及第二導電屏蔽牆，至少一連接部包含第一連接部及第二連接部。第一導電屏蔽牆與第一天線在投影平面上部分重疊，第二導電屏蔽牆與第二天線在該投影平面上部分重疊，第一連接部連接接地片及第一導電屏蔽牆，第二連接部連接接地片及第二導電屏蔽牆，且第一連接部及第二連接部位於第一天線及第二天線之間。

在一些實施例中，第一天線與該第二天線分別設置於該接地片的第一邊緣及第二邊緣，第一邊緣及第二邊緣大致成正交，第一導電屏蔽牆及第二導電屏蔽牆的長度延伸方向大致呈正交。進一步地，第一導電屏蔽牆及第二導電屏蔽牆之間具有第四間隙，第四間隙的寬度之範圍是最高操作頻率對應之波長的1/40至1/6。

在一些實施例中，至少一導電屏蔽牆中的至少其中之一包含延伸部，延伸部從導電屏蔽牆的上緣朝向第一天線或第二天線的方向延伸出，延伸部的長度小於或等於最高操作頻率對應之波長的1/4。

在一些實施例中，至少一導電屏蔽牆中的至少其中之一位於接地片上方，至少一導電屏蔽牆並透過至少一連接部連接至接地片。

在一些實施例中，第二間隙中填充有介電材料。

在一些實施例中，最高操作頻率對應之波長為1至15mm。

在上述實施例中所述，透過在導電屏蔽牆及接地片間開設有間隙，並透過位於第一天線及第二天線間的連接部連接導電屏蔽牆及接地片，即使在第一天線及第二天線之間的距離很小時，也能保持天線的特性，更提升了第一天線及第二天線之間的隔離度，而使此天線結構總成適用於各種電子通訊裝置。

附圖中，為了清楚起見，放大了部分元件、區域等的寬度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。

應當理解，儘管術語“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的“第一元件”、“部件”、“區域”、或“部分”可以被稱為第二元件、部件、區域、或部分而不脫離本文的教導。

此外，諸如“下”或“底部”和“上”或“頂部”的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的“下”側的元件將被定向在其他元件的“上”側。因此，示例性術語“下”可以包括“下”和“上”的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件“下方”的元件將被定向為在其它元件“上方”。因此，示例性術語“下面”或“下面”可以包括上方和下方的取向。

圖1為天線結構總成第一實施例的立體示意圖。圖2為天線結構總成第一實施例的俯視示意圖。如圖1及圖2所示，第一實施例的天線結構總成1包含第一天線10、第二天線20、導電屏蔽牆30、以及連接部40。第一天線10及第二天線20的一部分均設置在接地片100上，並朝接地片100的上方延伸出。第二天線20鄰近第一天線10，第一天線10與第二天線20之間具有第一間隙G1，第一間隙G1的寬度d1為最高操作頻率對應之波長的1/40至1/2，較佳地為1/10至1/4。導電屏蔽牆30鄰近於接地片100，導電屏蔽牆30與接地片100之間具有第二間隙G2，第二間隙G2之寬度d2範圍是最高操作頻率對應之波長的1/40至1/2，較佳地為1/10至1/4。在此，第一天線10與第二天線20的操作頻帶可以對應於LTE、Wifi、GPS、ultra-wideband、sub6GHz、mmWave等頻帶，而由其對應之最高頻率所對應的波長，來調整第一間隙G1的寬度d1。一般而言，最高操作頻率對應之波長為1至15mm，例如，2至8mm。較佳地，第一間隙G1的寬度d1小於5mm。

在第一實施例中，導電屏蔽牆30、第一天線10、第二天線20在縱向的延伸方向大致平行於接地片100的法線方向，而第一天線10、第二天線20可以投影至導電屏蔽牆30上。連接部40連接導電屏蔽牆30及接地片100，且位於第一天線10與第二天線20之間。然而，以上僅為示例，而非用以限制。例如，導電屏蔽牆30、第一天線10、第二天線20可以不需平行，僅需在投影平面上至少部分重疊即可。另外，導電屏蔽牆30的高度H大於或等於第一天線10或第二天線20之高度h的1/2，且導電屏蔽牆30的長度L大於或等於第一天線10及第二天線20的總長度的1/2。如此來達到金屬屏蔽的功效，減少外部信號的干擾並有效改善兩天線隔離度。

圖3為天線結構總成第二實施例的立體示意圖。如圖3所示，同時參見圖1，第二實施例與第一實施例不同之處在於，導電屏蔽牆30中的具有開口35。在圖式中，導電屏蔽牆30可以為具有多個開口35的網狀結構，然而，這僅為示例，而非用以限制。實際上，導電屏蔽牆30，也可以開設孔洞、開槽、或者使用具有多孔性的導電泡綿或導電布。如此，在具有金屬屏蔽的功效時，也能透過孔洞來達到增加第一天線10、第二天線20的功用。同時，還可以增加整體元件的通風、散熱效果。進一步地，連接部40中也可以設置有開口45。

圖4為天線結構總成第三實施例的立體示意圖。圖5為天線結構總成第三實施例的側視示意圖。如圖4及圖5所示，同時參見圖1及圖2，第三實施例與第一實施例的差異在於，連接部40與接地片100之間不直接連接，透過電容耦合電性連接。更詳細地，連接部40是位於接地片100的上方，連接部40與接地片100之間具有第三間隙G3，且第三間隙G3的的寬度d3小於最高操作頻率對應之波長的1/100。

更進一步地，如圖4及圖5所示，導電屏蔽牆30與接地片100之間的第二間隙G2及/或連接部40與接地片100之間的第三間隙G3中可以填充有介電材料50。透過介電材料50的介電性質，來提升電容值，進而提升電容耦合的效應。

圖6為天線結構總成第四實施例的立體示意圖。如圖6所示，同時參考圖1，第四實施例在導電屏蔽牆30與接地片100之間設有多個連接部40A、40B、40C，其中第一連接部40A鄰近於第一天線10、第二連接部40B鄰近於第二天線20，第三連接部40C位於第一天線10及第二天線20之間。然而，這僅為示例而不限於此，實際上可以設置有更多個連接部，第一連接部40A、第二連接部40B及第三連接部40C也可以都設置於第一天線10及第二天線20之間。

圖7為天線結構總成第五實施例的立體示意圖。如圖7所示，同時參考圖1，第五實施例中，導電屏蔽牆30更包含延伸部37。延伸部37從導電屏蔽牆30的上緣延伸出。延伸部37的長度小於或等於最高操作頻率對應之波長的1/4。一般而言，設置有延伸部37之導電屏蔽牆30，其高度H都高於第一天線10或第二天線20之高度h，延伸部37可以對於第一天線10或第二天線20達到屏蔽功用，而減少外部信號的干擾，提升了第一天線10與第二天線20間的隔離度。在圖7中，延伸部37是朝向第一天線10或第二天線20的方向延伸出，但實際上，朝相反於第一天線10或第二天線20延伸出，亦有提升隔離度的功效。

圖8為天線結構總成第六實施例的立體示意圖。如圖8所示，第六實施例的天線結構總成1在導電屏蔽牆30、連接部40的設計上不同於前述實施例，第六實施例包含了第一導電屏蔽牆30A、第二導電屏蔽牆30B、第一連接部40A及第二連接部40B。第一導電屏蔽牆30A位於第一天線10的一側，且與第一天線10在投影平面上部分重疊。第二導電屏蔽牆30B與第二天線20在投影平面上部分重疊。第一連接部40A連接接地片100及第一導電屏蔽牆30A，第二連接部40B連接接地片100及第二導電屏蔽牆30B，且第一連接部40A及第二連接部40B位於第一天線10及第二天線20之間。

更詳細地，第一導電屏蔽牆30A及第二導電屏蔽牆30B之間具有第四間隙G4，第四間隙G4的寬度d4小於第一間隙G1的寬度d1，一般來說，第四間隙G4的寬度d4的寬度範圍是最高操作頻率對應之波長的1/40至1/6，較佳地為1/20至1/10。

圖9為天線結構總成第七實施例的立體示意圖。圖10為天線結構總成第八實施例的立體示意圖。如圖9及圖10所示，同時參照圖1，第七及第八實施例，第一天線10與第二天線20分別設置於接地片100的第一邊緣100A及第二邊緣100B，第一邊緣100A與第二邊緣100B大致呈正交，在次，大致是指允許必要的偏差，例如第一邊緣100A與第二邊緣100B可以在正交範圍加/減15度的範圍。導電屏蔽牆30呈L型，彎折的兩部分分別鄰近於第一天線10及第二天線20。然而，這僅為示例，而非限於此，導電屏蔽牆30也可以呈銳角或鈍角的彎折，只要能滿足導電屏蔽牆30、第一天線10、第二天線20在投影平面上至少部分重疊即可。另外，連接部40可以如同圖9設置於第一邊緣100A，也可以如同圖10設置於第二邊緣100B。唯需注意的是，連接部40必須設置於第一天線10與第二天線20之間。然而，這僅為示例，而非用以限制。實際上，也可以如圖6設置多個連接部40。

圖11為天線結構總成第九實施例的立體示意圖。圖12為天線結構總成第十實施例的立體示意圖。如圖11及圖12所示，同時參見圖8、圖9，第九實施例及第十實施例，如同圖8的時施例第一導電屏蔽牆30A、第二導電屏蔽牆30B、第一連接部40A及第二連接部40B，又如同圖9的時施例第一天線10與第二天線20分別設置於接地片100的第一邊緣100A及第二邊緣100B，第一連接部40A連接接地片100及第一導電屏蔽牆30A，第二連接部40B連接接地片100該第二導電屏蔽牆30B，且第一連接部40A及第二連接部40B位於第一天線10及第二天線20之間。

如圖12所示之第十實施例，第一導電屏蔽牆30A及第二導電屏蔽牆30B更包含延伸部37。延伸部37從第一導電屏蔽牆30A及第二導電屏蔽牆30B的上緣分別朝向第一天線10及第二天線20的方向延伸出，以遮蔽第一天線10及第二天線20的頂部。在此可以理解的是，導電屏蔽牆30可以設置為一個或多個，為對應於第一天線10、第二天線20的導電屏蔽牆30必須設置有連接部40與接地片100連接，而提升第一天線10與第二天線20間的隔離度。此外，導電屏蔽牆30的總長度應大於第一天線10及第二天線20的總長度的1/2。連接部40也可以設置有一個或多個，但至少一個必須設置於第一天線10與第二天線20之間。同樣地，在圖11及圖12中，第一導電屏蔽牆30A及第二導電屏蔽牆30B的延伸方向，雖然圖式中大致以正交方式呈現，但這僅為示例而非限於此，第一導電屏蔽牆30A及第二導電屏蔽牆30B的延伸方向也可以夾銳角或鈍角，僅需滿足第一天線10與第一導電屏蔽牆30A在投影平面部分重疊、而第二天線20與第二導電屏蔽牆30B在另一投影平面上至少部分重疊即可。

圖13為天線結構總成第十一實施例的立體示意圖。如圖13所示，第十一實施例天線結構總成1的導電屏蔽牆30是位於接地片100上方，導電屏蔽牆30並透過連接部40連接至接地片100。換言之，導電屏蔽牆30可以設置於第一天線10、第二天線20的外側，也可以設置於第一天線10、第二天線20的內側。如此，在整個電子裝置的設計上，導電屏蔽牆30有更多設置的為至可以選擇。

圖14為比較例的波頻圖。圖15為天線結構總成的波頻圖。如圖14所示，圖14為不具有導電屏蔽牆30及連接部40之第一天線10、第二天線20所量測出的頻譜圖。圖14中下方的曲線，分別表示第一天線10、第二天線20的信號響應，而上方的曲線，表示在第二天線20接收到第一天線10上之訊號強度。

圖15是以圖1之實施例所量測的頻譜圖，第一間隙G1的寬度d1設計為5mm。對照圖14，在下方的曲線並無明顯的變化，增加了導電屏蔽牆30及連接部40，表示第一天線10、第二天線20的阻抗、頻率響應並無明顯的影響。然而，在上方的曲線下移，表示第二天線20接收到第一天線10上之訊號強度大幅降低，也就是第一天線10、第二天線20之間的隔離度大幅地提升。

習用技術上，一般認為金屬屏蔽會降低電磁輻射與增加靜電放電宣洩路徑，而導致天線功能降低，嚴重影響使用者於無線通訊應用時的體驗，且在金屬屏蔽與天線距離愈近會越嚴重。因此，不會將天線設計在鄰近於殼體或是金屬牆的位置。然而，本案透過導電屏蔽牆30、連接部40、以及導電屏蔽牆30與接地片100間的第二間隙G2，能克服了習用的技術偏見。

綜上所述，上述實施例透過在導電屏蔽牆30及接地片100間開設有第二間隙G2，並透過位於第一天線10及第二天線20間的連接部40連接導電屏蔽牆30及接地片100，即使在第一天線10及第二天線20之間的第一間隙G1的寬度d1小於10mm時，也能保持天線的特性，更提升了第一天線10及第二天線20之間的隔離度，而使此天線結構總成1適用於各種電子通訊裝置。

雖然本發明的技術內容已經以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神所作些許之更動與潤飾，皆應涵蓋於本發明的範疇內，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

1:天線結構總成

10:第一天線

20:第二天線

30:導電屏蔽牆

30A:第一導電屏蔽牆

30B:第二導電屏蔽牆

35:開口

37:延伸部

40:連接部

40A:第一連接部

40B:第二連接部

40C:第三連接部

45:開口

50:介電材料

100:接地片

d1:第一間隙的寬度

d2:第二間隙的寬度

d3:第三間隙的寬度

d4:第四間隙的寬度

G1:第一間隙

G2:第二間隙

G3:第三間隙

G4:第四間隙

H:導電屏蔽牆的高度

L:導電屏蔽牆的長度

h:第一天線/第二天線的高度

100A:第一邊緣

100B:第一邊緣

圖1為天線結構總成第一實施例的立體示意圖。圖2為天線結構總成第一實施例的俯視示意圖。圖3為天線結構總成第二實施例的立體示意圖。圖4為天線結構總成第三實施例的立體示意圖。圖5為天線結構總成第三實施例的側視示意圖。圖6為天線結構總成第四實施例的立體示意圖。圖7為天線結構總成第五實施例的立體示意圖。圖8為天線結構總成第六實施例的立體示意圖。圖9為天線結構總成第七實施例的立體示意圖。圖10為天線結構總成第八實施例的立體示意圖。圖11為天線結構總成第九實施例的立體示意圖。圖12為天線結構總成第十實施例的立體示意圖。圖13為天線結構總成第十一實施例的立體示意圖。圖14為比較例的波頻圖。圖15為天線結構總成的波頻圖。