[go: up one dir, main page]

TWI705735B - 設於高頻電源系統之阻抗匹配裝置 - Google Patents

設於高頻電源系統之阻抗匹配裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI705735B
TWI705735B TW108101579A TW108101579A TWI705735B TW I705735 B TWI705735 B TW I705735B TW 108101579 A TW108101579 A TW 108101579A TW 108101579 A TW108101579 A TW 108101579A TW I705735 B TWI705735 B TW I705735B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
matching state
slope
matching
frequency power
power supply
Prior art date
Application number
TW108101579A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202014057A (zh
Inventor
高原敏浩
河田悅郎
岸良貴通
岡崎丈浩
藤原延崇
勝冶篤史
中村謙太
Original Assignee
日商阿德特克等離子技術公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商阿德特克等離子技術公司 filed Critical 日商阿德特克等離子技術公司
Publication of TW202014057A publication Critical patent/TW202014057A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI705735B publication Critical patent/TWI705735B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00—Networks using active elements
    • H03H11/02—Multiple-port networks
    • H03H11/28—Impedance matching networks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
    • H01J37/32155—Frequency modulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/3299—Feedback systems
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/30—Time-delay networks
    • H03H7/34—Time-delay networks with lumped and distributed reactance
    • H03H7/345—Adjustable networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38—Impedance-matching networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38—Impedance-matching networks
    • H03H7/40—Automatic matching of load impedance to source impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/327—Arrangements for generating the plasma

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本發明提供一種阻抗匹配裝置，其即便於負載之阻抗連續性地變化之情形時，亦可早期地改善高頻電源與負載之間之阻抗不匹配。 本發明之阻抗匹配裝置設於構成為透過機械地變更常數之匹配器將高頻電源之輸出供給至負載之高頻電源系統，且具備：匹配狀態值獲取部，其獲取表示高頻電源與負載之間之匹配狀態之匹配狀態值；及控制部，其基於匹配狀態值對高頻電源之振盪頻率進行控制。控制部當匹配狀態值表示匹配狀態之惡化時，使振盪頻率朝匹配狀態改善之方向以第1斜率變化之後，使振盪頻率以較第1斜率平緩之第2斜率復原。

Description

設於高頻電源系統之阻抗匹配裝置
本發明係關於一種阻抗匹配裝置，其設於構成為透過機械地變更常數之匹配器將高頻電源之輸出供給至負載的高頻電源系統。
於蝕刻或薄膜形成等半導體製造製程中，使用電漿處理裝置及對該電漿處理裝置供給所需電力之高頻電源系統。高頻電源系統通常為了穩定地且有效率地進行對電漿處理裝置之電力之供給，具有實現與電漿處理裝置之阻抗匹配之功能。
於專利文獻1中，揭示有一種具備高頻電源101、阻抗匹配裝置102、及匹配器103且具有阻抗匹配功能之高頻電源系統100（參照圖11）。阻抗匹配裝置102構成為根據高頻電源101與負載20（電漿處理裝置）之間之阻抗之匹配狀態而變更高頻電源101之振盪頻率。又，匹配器103由機械地變更常數之被動元件所構成。
根據該高頻電源系統100，藉由使能夠匹配之範圍較小但匹配速度較快之基於振盪頻率之變更之阻抗匹配與能夠匹配之範圍較大但匹配速度較慢之基於匹配器103之阻抗匹配協動，能夠實現較習知大之範圍之匹配。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2013/132591號
[發明所欲解決之課題]
然而，上述習知之高頻電源系統100中，若於電漿點火之後負載20之阻抗連續性地變化，則無法改善由此產生之阻抗不匹配，其結果，存在電漿變得不穩定或不點火之情況。
本發明係鑒於上述問題而完成者，且課題在於提供一種阻抗匹配裝置，其即便於負載之阻抗連續性地變化之情形時，亦可早期地改善高頻電源與負載之間之阻抗不匹配。 [解決課題之技術手段]
為了解決上述課題，本發明之阻抗匹配裝置係設於構成為透過機械地變更常數之匹配器將高頻電源之輸出供給至負載之高頻電源系統者，且具有如下構成，即，具備：匹配狀態值獲取部，其獲取表示高頻電源與負載之間之匹配狀態之匹配狀態值；及控制部，其基於匹配狀態值對高頻電源之振盪頻率進行控制；控制部當匹配狀態值表示匹配狀態之惡化時，使振盪頻率朝匹配狀態改善之方向以第1斜率變化之後，使振盪頻率以較第1斜率平緩之第2斜率復原。
上述阻抗匹配裝置之控制部亦可具有於預先規定之不匹配抑制期間之期間，使振盪頻率以第1斜率變化之構成。於該情形時，控制部亦可進而具有如下構成：當不匹配抑制期間結束時，無論匹配狀態值所表示之匹配狀態如何，均使振盪頻率以第2斜率開始復原。
或者，上述阻抗匹配裝置之控制部亦可具有如下構成：於直至匹配狀態值表示匹配狀態已改善至預先規定之程度之期間，使振盪頻率以第1斜率變化。
又，上述阻抗匹配裝置之控制部亦可具有如下構成：當匹配狀態值之變化量超過預先規定之閾值時，使振盪頻率以第1斜率開始變化。
又，於上述阻抗匹配裝置中，可使用與反射波之大小相關之值作為匹配狀態值。
再者，上述阻抗匹配裝置之負載例如為電漿處理裝置。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種阻抗匹配裝置，其即便於負載之阻抗連續性地變化之情形時，亦可早期地改善高頻電源與負載之間之阻抗不匹配。
以下，一面參照隨附圖式，一面對本發明之阻抗匹配裝置之實施例進行說明。
[第1實施例] 圖1表示包含本發明之第1實施例之阻抗匹配裝置12之高頻電源系統10。高頻電源系統10係用以對負載20供給所需電力者，如該圖所示，進而包含高頻電源11及匹配器16。
高頻電源11透過匹配器16對負載20輸出高頻電力。高頻電源11構成為可根據來自阻抗匹配裝置12之指令而將振盪頻率（即，高頻電力之頻率）於某種程度之範圍（於本實施例中，為以13.56 MHz為中心之±1.00 MHz之範圍）調整。
匹配器16如圖2（A）所示，具備可變更常數（電容）之2個電容器及1個電感器。電容器之常數由匹配器16中所包含之未圖示之匹配狀態偵測部及控制部，以改善高頻電源11與負載20之間之阻抗不匹配之方式變更。但，該變更由於使用電動致動器等機械地進行，故而非常平緩。
再者，匹配器16之電路構成並不限定於圖2（A）所示者，例如，亦可為如該圖（B）～（D）所示者。於本發明中，可根據負載20之構成等適當選擇匹配器16之電路構成。
根據圖1可明確，匹配器16自阻抗匹配裝置12獨立。因此，自阻抗匹配裝置12來看，可認為匹配器16中之常數之變更具有自主性。
負載20係於蝕刻或薄膜形成等半導體製造製程中所使用之電漿處理裝置（更詳細而言，捲繞於構成電漿處理裝置之電漿腔室之線圈）。負載20之阻抗根據導入至電漿腔室內之氣體之種類及量等，而時時刻刻地變動。
阻抗匹配裝置12具備匹配狀態值獲取部13、控制部14、及設定記憶部15。阻抗匹配裝置12既可將其全部收容至高頻電源11或匹配器16之殼體，亦可僅將一部分（例如，控制部14與設定記憶部15）收容至高頻電源11或匹配器16之殼體。或者，亦可將高頻電源11、阻抗匹配裝置12及匹配器16之全部收容至1個殼體。
匹配狀態值獲取部13由介裝於將高頻電源11與匹配器16連接之電力線之定向耦合器所構成。匹配狀態值獲取部13輸出與反射波之大小相關之值（反射電力值），作為表示高頻電源11與負載20之間之匹配狀態之匹配狀態值。設定記憶部15由揮發性或非揮發性之記憶體所構成。設定記憶部15記憶有由使用者輸入之與控制部14之動作相關之設定資訊。控制部14由運算處理單元MPU（Micro-Processing Unit，微處理單元）等所構成。控制部14基於自匹配狀態值獲取部13輸出之匹配狀態值、與記憶於設定記憶部15中之設定資訊，輸出用以對高頻電源11之振盪頻率進行控制之控制訊號。
繼而，一面參照圖3～圖5，一面對第1實施例中之控制部14之動作例進行說明。再者，以下，為了使說明簡單，對如下情形進行說明，即，電漿之點火已經完成，高頻電源11之振盪頻率為中心頻率F0（＝13.56 MHz），且於不產生反射波時負載20之阻抗變動。
首先，控制部14讀入記憶於設定記憶部15中之設定資訊（步驟S1-1）。於設定資訊中，包含第1斜率、第2斜率、不匹配抑制期間、及閾值。
其次，控制部14基於匹配狀態值判定匹配狀態是否急遽地惡化（步驟S1-2）。更詳細而言，控制部14每隔100 μs參照匹配狀態值，若自前一個匹配狀態值向最新之匹配狀態值之變化量超過閾值ΔRth，則判定為匹配狀態急遽地惡化。控制部14每隔100 μs重複執行步驟S1-2，直至匹配狀態急遽地惡化。
若匹配狀態急遽地惡化，則控制部14於不匹配抑制期間T1之期間，使振盪頻率朝匹配狀態改善之方向以第1斜率變化（步驟S1-3）。更詳細而言，控制部14每隔100 μs使振盪頻率以與第1斜率對應之量變化（於圖4及圖5所示之動作例中，降低）。
於本實施例中，不匹配抑制期間T1設定為500 μs。因此，控制部14於不匹配抑制期間T1之期間使振盪頻率變化5次。又，於本實施例中，第1斜率設定為5 Hz/μs。因此，控制部14每隔100 μs使振盪頻率降低（或上升）500 Hz。
當經過不匹配抑制期間T1時，控制部14使振盪頻率以第2斜率恢復為中心頻率F0（步驟S1-4）。更詳細而言，控制部14每隔100 μs使振盪頻率以與第2斜率對應之量向接近中心頻率F0之方向變化（於圖4及圖5所示之動作例中，上升）。
於本實施例中，第2斜率設定為2.5 Hz/ms。即，於本實施例中，第2斜率設定為第1斜率之1/2000。因此，控制部14每隔100 μs使振盪頻率降低（或上升）0.25 Hz。
再者，控制部14不僅於在不匹配抑制期間T1之期間不匹配明顯改善之情形時（參照圖4），而且於在不匹配抑制期間T1之期間不匹配並未明顯改善之情形時（參照圖5），當經過不匹配抑制期間T1時，亦不使振盪頻率進而以第1斜率變化而執行步驟S1-4。
於步驟S1-3中尚未改善之不匹配藉由匹配器16之常數自主地變更而慢慢地改善。即，於高頻電源11之振盪頻率以第2斜率恢復為中心頻率F0之期間T2中，並行地進行常數之變更與振盪頻率之變更，但如上所述，由於第2斜率非常平緩，故而不會發生2個變更競爭而產生亂調之情況。
如此，本實施例之阻抗匹配裝置12於藉由使高頻電源11之振盪頻率變化而將不匹配改善至某種程度之後，使振盪頻率恢復為原來之頻率。因此，根據本實施例之阻抗匹配裝置12，即便匹配狀態連續性地惡化，亦可藉由使振盪頻率於上限頻率F1（於本實施例中，為14.56 MHz）及下限頻率F2（於本實施例中，為12.56 MHz）之範圍內變化，而將匹配狀態於短期間內改善（參照圖6）。
另一方面，於在步驟S1-3之後不執行步驟S1-4之比較例（參照圖7及圖8）中，若匹配狀態連續性地惡化，則振盪頻率達到上限頻率F1及下限頻率F2之任一者（於圖8中，為下限頻率F2），之後無法藉由使振盪頻率變化而進行匹配狀態之改善。即，於比較例中，於匹配狀態連續性地惡化時，無法將匹配狀態於短期間內改善。再者，上述專利文獻1所記載之高頻電源系統100中，於不進行相當於步驟S1-4之動作之方面，與上述比較例共通。
[第2實施例] 本發明之第2實施例之阻抗匹配裝置12與第1實施例相同，具備匹配狀態值獲取部13、控制部14、及設定記憶部15。但，本實施例中之控制部14進行與第1實施例中之控制部不同之動作。以下，一面參照圖9及圖10，一面對第2實施例中之控制部14之動作例進行說明。
首先，控制部14讀入記憶於設定記憶部15中之設定資訊（步驟S2-1）。於設定資訊中，包含第1斜率、第2斜率、不匹配抑制期間、及閾值。
其次，控制部14與第1實施例之步驟S1-2同樣地，判定匹配狀態是否急遽地惡化（步驟S2-2）。控制部14每隔100 μs重複執行步驟S2-2，直至匹配狀態急遽地惡化，。
若匹配狀態急遽地惡化，則控制部14使振盪頻率朝匹配狀態改善之方向以第1斜率開始變化（步驟S2-3）。更詳細而言，控制部14每隔100 μs使振盪頻率以與第1斜率對應之量開始變化（於圖10所示之動作例中，降低）。第1斜率與第1實施例相同，設定為5 Hz/μs。
其次，控制部14判定使振盪頻率開始變化後之累積期間是否達到不匹配抑制期間T1，換言之，是否經過不匹配抑制期間T1（步驟S2-4）。
於判定為經過不匹配抑制期間T1之情形時，控制部14與第1實施例之步驟S1-4同樣地，使振盪頻率以第2斜率恢復為中心頻率F0（步驟S2-7）。第2斜率與第1實施例相同，設定為2.5 Hz/ms。即，於本實施例中，第2斜率亦為第1斜率之1/2000。
另一方面，於判定為未經過不匹配抑制期間T1之情形時，控制部14與步驟S2-2同樣地，判定匹配狀態是否再次急遽地惡化（步驟S2-5）。
於判定為匹配狀態再次急遽地惡化之情形時，控制部14重設使振盪頻率開始變化後之累積期間（步驟S2-6），並且使振盪頻率朝匹配狀態改善之方向以第1斜率開始變化（步驟S2-3）。
控制部14於經過不匹配抑制期間T1或直至於不匹配抑制期間T1中匹配狀態急遽地惡化，重複執行步驟S2-4及步驟S2-5。
如此，本實施例之阻抗匹配裝置12當於不匹配抑制期間T1中匹配狀態再次急遽地惡化時，於以該惡化為起點之不匹配抑制期間T1之期間使振盪頻率以第1斜率持續變化。因此，根據本實施例之阻抗匹配裝置12，即便匹配狀態以非常短之間隔連續性地惡化，亦可將匹配狀態於短期間內改善。
[變形例] 再者，本發明之阻抗匹配裝置存在以下所例示之變形例。
控制部14亦可使用根據反射波之電力與行進波之電力求出之電壓駐波比VSWR（Voltage Standing Wave Ratio），作為判定匹配狀態是否急遽地惡化時所參照之匹配狀態值。
設定記憶部15亦可記憶使振盪頻率變化之間隔及每一次變化之量之組合，作為「第1斜率」及「第2斜率」。於該情形時，設定記憶部15亦可記憶使振盪頻率以第1斜率變化之次數，作為「不匹配抑制期間」。
設定記憶部15亦可記憶使振盪頻率變化之間隔、及用以基於匹配狀態值（反射波之大小、或VSWR）決定每一次變化之量之規則，作為「第1斜率」。於該情形時，控制部14使振盪頻率以與最新之匹配狀態值對應之量變化。又，於該情形時，「第1斜率」有可能於不匹配抑制期間之中途變化。根據該構成，於產生較大之不匹配之情形時，可藉由使振盪頻率急變而早期地改善該不匹配。
設定記憶部15亦可記憶「目標匹配狀態」而代替「不匹配抑制期間」。於該情形時，控制部14只要於直至匹配狀態值表示匹配狀態已改善至「目標匹配狀態」之期間使振盪頻率以第1斜率變化，然後，使振盪頻率以第2斜率變化即可。
負載20亦可為電漿處理裝置以外者。
第1實施例及第2實施例中之具體數值僅為一例，亦可適當變更。再者，自防止亂調之觀點而言，第2斜率越小越佳。但，若使第2斜率過小，則有於期間T2之期間（即，於振盪頻率恢復為中心頻率F0之前）產生下一個匹配狀態之惡化，而妨礙藉由使振盪頻率於上限頻率F1及下限頻率F2之範圍內變化來改善匹配狀態之虞。因此，規定第2斜率時，必須考慮相反之該等情況。
10:高頻電源系統 11:高頻電源 12:阻抗匹配裝置 13:匹配狀態值獲取部 14:控制部 15:設定記憶部 16:匹配器 20:負載
圖1係表示包含本發明之阻抗匹配裝置之高頻電源系統之概略構成之方塊圖。 圖2係表示匹配器之具體構成之電路圖。 圖3係表示本發明之第1實施例之阻抗匹配裝置中所設置之控制部之動作的流程圖。 圖4係表示第1實施例之高頻電源系統之動作之圖。 圖5係表示第1實施例之高頻電源系統之另一動作之圖。 圖6係表示第1實施例之高頻電源系統之又一動作之圖。 圖7係表示比較例之高頻電源系統之動作之圖。 圖8係表示比較例之高頻電源系統之另一動作之圖。 圖9係表示本發明之第2實施例之阻抗匹配裝置中所設置之控制部之動作的流程圖。 圖10係表示第2實施例之高頻電源系統之動作之圖。 圖11係表示習知之高頻電源系統之概略構成之方塊圖。
ΔRth:閾值
F0:中心頻率
T1:不匹配抑制期間
T2:期間

Claims (6)

  1. 一種阻抗匹配裝置，其係設於構成為透過機械地變更常數之匹配器將高頻電源之輸出供給至負載之高頻電源系統者，且其特徵在於具備：匹配狀態值獲取部，其獲取表示上述高頻電源與上述負載之間之匹配狀態之匹配狀態值；及控制部，其基於上述匹配狀態值對上述高頻電源之振盪頻率進行控制；且上述控制部當上述匹配狀態值之變化量超過預先規定之閾值時，使上述振盪頻率朝上述匹配狀態改善之方向以預先規定之第1斜率變化之後，使上述振盪頻率以預先規定之第2斜率復原；上述第2斜率較上述第1斜率平緩。
  2. 如請求項1所述之阻抗匹配裝置，其中上述控制部於預先規定之不匹配抑制期間之期間，使上述振盪頻率以上述第1斜率變化。
  3. 如請求項2所述之阻抗匹配裝置，其中上述控制部當上述不匹配抑制期間結束時，無論上述匹配狀態值所表示之上述匹配狀態如何，均使上述振盪頻率以上述第2斜率開始復原。
  4. 如請求項1所述之阻抗匹配裝置，其中上述控制部於直至上述匹配狀態值表示上述匹配狀態已改善至預先規定之程度之期間，使上述振盪頻率以上述第1斜率變化。
  5. 如請求項1所述之阻抗匹配裝置，其中上述匹配狀態值為與反射波之大小相關之值。
  6. 如請求項1所述之阻抗匹配裝置，其中上述負載為電漿處理裝置。
TW108101579A 2018-09-21 2019-01-16 設於高頻電源系統之阻抗匹配裝置 TWI705735B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP2018-177136 2018-09-21
JP2018177136A JP6497724B1 (ja) 2018-09-21 2018-09-21 高周波電源システムに設けられるインピーダンス整合装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202014057A TW202014057A (zh) 2020-04-01
TWI705735B true TWI705735B (zh) 2020-09-21

Family

ID=66092577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108101579A TWI705735B (zh) 2018-09-21 2019-01-16 設於高頻電源系統之阻抗匹配裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11651938B2 (zh)
JP (1) JP6497724B1 (zh)
KR (1) KR102186935B1 (zh)
CN (1) CN110942970B (zh)
TW (1) TWI705735B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20250057147A (ko) 2018-02-23 2025-04-28 램 리써치 코포레이션 반도체 프로세싱 툴에서 rf 전류 측정
WO2019165297A1 (en) 2018-02-23 2019-08-29 Lam Research Corporation Capacitance measurement without disconnecting from high power circuit
DE102021201937A1 (de) * 2021-03-01 2022-09-01 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren zur Impedanzanpassung, Impedanzanpassungsanordnung und Plasmasystem
JP6928407B1 (ja) 2021-03-15 2021-09-01 株式会社アドテックプラズマテクノロジー 出力する高周波電力の経時変化パターンを任意に設定可能な高周波電源
JP7412048B1 (ja) * 2023-05-10 2024-01-12 株式会社アドテックプラズマテクノロジー リアクタンス可変回路および当該回路を備えたインピーダンス整合装置
CN120753775A (zh) * 2025-07-24 2025-10-10 苏州飞马医疗科技有限公司 一种高频加热蒸汽消融设备用自动追频系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW418593B (en) * 1998-02-09 2001-01-11 Eni Tech Inc Ratiometric autotuning algorithm for RF plasma generator
TW201505067A (zh) * 2013-06-17 2015-02-01 應用材料股份有限公司 用於快速且可重覆之電漿點燃及電漿室中之調整之方法
TW201513566A (zh) * 2013-09-30 2015-04-01 普來馬特股份有限公司 阻抗匹配方法與阻抗匹配系統
TWI533765B (zh) * 2013-12-19 2016-05-11 Impedance Matching Method of Plasma Etching System
TWI562189B (en) * 2011-12-29 2016-12-11 Mks Instr Inc Power distortion-based servo control systems for frequency tuning rf power sources

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6309514B1 (en) * 1994-11-07 2001-10-30 Ti Properties, Inc. Process for breaking chemical bonds
JP4799947B2 (ja) * 2005-02-25 2011-10-26 株式会社ダイヘン 高周波電源装置および高周波電源の制御方法
US8203859B2 (en) * 2006-12-29 2012-06-19 Daihen Corporation High frequency device with variable frequency and variable load impedance matching
DE102011076404B4 (de) * 2011-05-24 2014-06-26 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren zur Impedanzanpassung der Ausgangsimpedanz einer Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung an die Impedanz einer Plasmalast und Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung
WO2013132591A1 (ja) * 2012-03-06 2013-09-12 株式会社日立国際電気 高周波電源装置およびその整合方法
US10296676B2 (en) * 2013-05-09 2019-05-21 Lam Research Corporation Systems and methods for tuning an impedance matching network in a step-wise fashion
US9876476B2 (en) * 2015-08-18 2018-01-23 Mks Instruments, Inc. Supervisory control of radio frequency (RF) impedance tuning operation

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW418593B (en) * 1998-02-09 2001-01-11 Eni Tech Inc Ratiometric autotuning algorithm for RF plasma generator
TWI562189B (en) * 2011-12-29 2016-12-11 Mks Instr Inc Power distortion-based servo control systems for frequency tuning rf power sources
TW201505067A (zh) * 2013-06-17 2015-02-01 應用材料股份有限公司 用於快速且可重覆之電漿點燃及電漿室中之調整之方法
TW201513566A (zh) * 2013-09-30 2015-04-01 普來馬特股份有限公司 阻抗匹配方法與阻抗匹配系統
TWI533765B (zh) * 2013-12-19 2016-05-11 Impedance Matching Method of Plasma Etching System

Also Published As

Publication number Publication date
US11651938B2 (en) 2023-05-16
KR102186935B1 (ko) 2020-12-04
JP2020048157A (ja) 2020-03-26
US20200098546A1 (en) 2020-03-26
TW202014057A (zh) 2020-04-01
JP6497724B1 (ja) 2019-04-10
CN110942970B (zh) 2022-03-25
CN110942970A (zh) 2020-03-31
KR20200034554A (ko) 2020-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI705735B (zh) 設於高頻電源系統之阻抗匹配裝置
KR102624267B1 (ko) Rf 복귀 경로의 임피던스의 제어
KR102165744B1 (ko) 에지 램핑
JP7253415B2 (ja) インピーダンス整合装置及びインピーダンス整合方法
US10283328B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP6619818B2 (ja) パルス高周波電源のインピーダンス整合方法および装置
US10009028B2 (en) Frequency and match tuning in one state and frequency tuning in the other state
JP2019083334A (ja) 圧電トランス
KR102304002B1 (ko) 플라즈마 임피던스와 관련된 파라미터에 대한 튜닝
JP4879548B2 (ja) 高周波電源装置
JP6427682B2 (ja) 無線電力伝送システム、送電装置および受電装置
KR102194601B1 (ko) 전자식 가변 임피던스 매칭박스를 구비한 플라즈마 전원 공급 시스템
CN105247967A (zh) 用于等离子体腔室中的快速且可重复的等离子体点燃和调谐的方法
JP2005130198A (ja) 高周波装置
JP2023040191A (ja) 基板を処理するための周波数同調と整合同調とを重複させずに適用するためのシステムおよび方法
KR20230127362A (ko) 부하의 임피던스를 전력 발생기의 출력 임피던스에조정시키는 방법 및 임피던스 조정 어셈블리
KR20230049741A (ko) 임피던스 매칭 방법, 임피던스 매처 및 반도체 공정 디바이스
JP7450387B2 (ja) インピーダンス調整装置
JP7424566B2 (ja) 電磁干渉抑制部材
JP2021108414A (ja) インピーダンス調整装置
JP2008053496A (ja) エッチング装置
JP6660466B2 (ja) 圧電トランスの駆動回路および圧電トランスを駆動するための方法
KR102223874B1 (ko) 이그니션 동작과 관련된 고주파 전원 장치의 보호 리미트 변경 제어 방법
KR102454627B1 (ko) 플라즈마 시스템에 적용하는 방법 및 관련 플라즈마 시스템
JP5886725B2 (ja) 電圧印加装置および電圧印加方法