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TWI705245B - 氣體感測器 - Google Patents

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Publication number
TWI705245B
TWI705245B TW108145237A TW108145237A TWI705245B TW I705245 B TWI705245 B TW I705245B TW 108145237 A TW108145237 A TW 108145237A TW 108145237 A TW108145237 A TW 108145237A TW I705245 B TWI705245 B TW I705245B
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Taiwan
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TW108145237A
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TW202122791A (zh
Inventor
戴慶良
呂威霆
Original Assignee
國立中興大學
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Abstract

本發明係一種氣體感測器,包含有一基板、一指叉電極、以及一感測薄膜,該指叉電極具有一底層設於該基板、一第一電極設於該底層、以及一第二電極設於該底層,該第一電極具有一第一主體、以及多數第一延伸部由該第一主體延伸而出,該第二電極具有一第二主體、以及多數第二延伸部由該第二主體延伸而出,該等第一延伸部與該等第二延伸部交錯排列,使該指叉電極之頂面形成一中央較四周低陷之承置部,該感測薄膜位於該承置部中且貼附於該第一電極與該第二電極。藉此,該氣體感測器對於丙酮等氣體具有良好的偵測靈敏度,製造良率高且可降低製造成本。

Description

氣體感測器
本發明與感測器有關,特別是指一種氣體感測器。
近幾年的研究指出,人體所呼出氣體中的丙酮濃度與血糖值高低具有高度的線性關係,且糖尿病患者所呼出丙酮氣體的濃度亦高於健康的人體,藉此,可利用非侵入式的氣體感測方法,來取代傳統血糖機需要扎手以取血滴至血糖試紙的侵入式測試方法,除了可減緩患者扎手的不適感,避免其傷口不易治癒的問題,同時亦可以達到快速監控血糖值高低的目的。
然而,現今市售的氣體感測器通常用於偵測環境中的總揮發性有機化合物(Volatile Organic Compounds, VOCs)等對人體危害之氣體,雖已有酒測器可偵測人體呼出的酒精濃度,惟尚無應用於低濃度(500 ppb-2000ppb)丙酮氣體感測器的相關發展,而目前仍在研究階段的丙酮氣體感測器亦尚未被廣泛地使用。因此,如何使非侵入式的氣體感測器對於丙酮氣體具有良好偵測靈敏度,同時能夠降低其製造成本,即成為本領域技術人員共同追求的目標。
本發明之一目的在於提供一種氣體感測器,對於丙酮氣體具有良好的偵測靈敏度,並可提升製程良率以降低製造成本。
為了達成上述目的,本發明之氣體感測器包含有一基板、一指叉電極、以及一感測薄膜,該指叉電極具有一底層設於該基板、一第一電極設於該底層、以及一第二電極設於該底層,該第一電極具有一第一主體、以及多數第一延伸部由該第一主體延伸而出,該第二電極具有一第二主體、以及多數第二延伸部由該第二主體延伸而出,該等第一延伸部與該等第二延伸部交錯排列,使該指叉電極之頂面形成一中央較四周低陷之承置部,該感測薄膜位於該承置部中且貼附於該第一電極與該第二電極。藉此,該氣體感測器對於丙酮等氣體具有良好的偵測靈敏度,並可提升製程良率以降低製造成本。
以下藉由一較佳實施例配合圖式,詳細說明本發明的技術內容及特徵,如第1至3圖所示,係本發明一較佳實施例所提供之氣體感測器1,包含有一基板10、一指叉電極20設於該基板10、一感測薄膜30貼附於該指叉電極20、四加熱件40設於該基板10與該指叉電極20之間、一溫度感測元件50設於該基板10與該指叉電極20之間且未與該等加熱件40接觸、以及一訊號放大電路(圖未示)與該指叉電極20電性連接。
該基板10之頂面11設有二凹槽12位於該加熱件40下方。
該指叉電極20具有一底層21設於該基板10之頂面11、一第一電極22設於該底層21之頂面、以及一第二電極25設於該底層21之頂面,該第一、二電極22,25與該訊號放大電路電性連接,如第2圖所示,該第一電極22具有一第一主體23大致沿左右方向沿伸、以及多數第一延伸部24由該第一主體23沿前後方向延伸而出,各該第一延伸部24遠離該第一主體23之一端其厚度小於該第一主體23之厚度,該第二電極25具有一第二主體26大致沿左右方向沿伸、以及多數第二延伸部27由該第二主體26沿前後方向延伸而出,各該第二延伸部27遠離該第二主體26之一端其厚度小於該第二主體26之厚度,且該等第一延伸部24與該等第二延伸部27互相平行且交錯排列,使該指叉電極20之頂面形成一中央較四周低陷之承置部28,且由於該指叉電極20之外輪廓約呈圓形,而使該承置部28呈圓盤狀。由於該指叉電極20係採用微機電技術製成,因此該第一、二電極22, 25是以一層一層疊加上去的方式形成,圖式中的層數僅為示意,實際並無限制,另由於該底層21與該第一、二電極22, 25之間更具有一絕緣層(圖未示),該底層21並不會與該第一、二電極22,25導通。
需要說明的是,該底層21是作為蝕刻停止層,以防止製程中蝕刻液往下侵蝕其他元件,如該加熱件40及該溫度感測元件50等。
該感測薄膜30位於該承置部28中且以其底面貼附於該第一電極22與該第二電極25,該感測薄膜30係包含摻雜有碳奈米微粒的金屬氧化物,該金屬氧化物可為WO 3、SnO 2、ZnO、Co 3O 4、TiO 2、NiO、In 2O 3或ZrO 2等,該碳奈米微粒則可為單壁奈米碳管、多壁奈米碳管或石墨烯。藉此,該感測薄膜30、該第一、二電極22, 25與該訊號放大電路可形成一迴路。
需要說明的是,由於在製程上是將液態且具有相當黏度的金屬氧化物滴附於該指叉電極20上,再經固化成型該感測薄膜30,因此,該感測薄膜30會因應該指叉電極20之承置部28的形狀而使其中央區域較周圍來得厚,由於該感測薄膜30實際上中央的厚度約莫為1mm,故以薄膜稱之。
該等加熱件40係由熱阻材料製成且設於該基板10的頂面11與該指叉電極20的底層21之間,整體呈狹長片狀,由於熱阻材料經通電後會基於電流熱效應原理發熱,即可透過該指叉電極20對該感測薄膜30加熱,另由於該等加熱件40大部分的面積位於該等凹槽12上方,幾乎僅有二端與該基板10連接,基於空氣的熱傳導效率相較於該基板10的熱傳導效率差,而該等凹槽12的設置減少了該基板10與各該加熱件40的連接面積,這樣就可以有效減少熱能經由該基板10散失,藉此,只要輸入較低的電能,該加熱件40即可使該感測薄膜30達到所需的工作溫度。
該溫度感測元件50約呈長條狀,且位於該基板10之頂面11的正中央,該溫度感測元件50係由熱阻材料製成,由於熱阻材料在不同的溫度下具有不同的電阻,因此,該氣體感測器1可藉由該溫度感測元件50之電阻值得知當下的溫度。於其他實施例中,該溫度感測元件50的形狀及位置可有其他變化。
於實際操作時,向該加熱件40通入電流,使該加熱件40對該感測薄膜30進行加熱,同時,藉由該溫度感測元件50之電阻變化來判斷當下的溫度,當該氣體感測器1加熱至工作溫度時,該感測薄膜30接觸丙酮氣體時即可產生化學反應而改變電阻,電阻的變化可透過該指叉電極20向外輸出,並經由該訊號放大電路轉換成電壓訊號供一外部系統(圖未示)判讀其對應之血糖值。
藉由上述的結構,該氣體感測器對於低濃度的丙酮氣體具有良好的偵測靈敏度,且於製程上,該指叉電極20之承置部28的淺盤狀結構提供該感測薄膜30於披覆時的限位作用,使金屬氧化物於滴附時可因重力作用而自動定位於該承置部28中,可提高加工過程的容錯率,有效降低生產不良率,進而可降低製造成本,以達成本發明的目的。
需要說明的是,本發明之該氣體感測器1係採用微機電技術製造而成。
需要說明的是,該氣體感測器1除了可感測低濃度的丙酮之外,還能藉由調整該感測薄膜30的成分及該氣體感測器1的工作溫度而應用於感測氧氣、一氧化碳、二氧化碳、揮發性有機物(Volatile Organmic Compounds, VOCs)等氣體。
需要說明的是,於其他實施例中,該凹槽12與該加熱件40的形狀及數量可以有其他變化,例如:該凹槽12可省略不設。而該指叉電極20之外周圍的形狀並非本案重點而可有其他變化,例如:方形。
上述僅為本創作實施例的說明,不可用來限制本創作的專利範圍,舉凡未超脫本創作精神所做的簡易潤飾或變化,例如:位於該第一電極22最旁邊的第一延伸部24厚度與第一主體23的厚度相同,或者位於該第二電極25最旁邊的第二延伸部27與該第二主體26的厚度相同,只要該指叉電極20之四周圍皆高於中央,亦即,只要該指叉電極20之頂面形成中央較四周低陷之承置部28即可;或者,該加熱件40及溫度感測元件50係採用其他材料製成,均應為本創作申請專利範圍所涵蓋。
1:氣體感測器 10:基板 11頂面 12:凹槽 20:指叉電極 21:底層 22:第一電極 23:第一主體 24:第一延伸部 25:第二電極 26:第二主體 27:第二延伸部 28:承置部 30:感測薄膜 40:加熱件 50:溫度感測元件
第1圖為本發明一較佳實施例之氣體感測器之立體圖; 第2圖為本發明一較佳實施例之氣體感測器的分解圖; 第3圖為第1圖沿3-3方向之剖視圖。
1:氣體感測器
10:基板
20:指叉電極
30:感測薄膜
40:加熱件

Claims (10)

  1. 一種氣體感測器,包含有: 一基板; 一指叉電極,具有一底層設於該基板、一第一電極設於該底層、以及一第二電極設於該底層,該第一電極具有一第一主體、以及多數第一延伸部由該第一主體延伸而出,該第二電極具有一第二主體、以及多數第二延伸部由該第二主體延伸而出,該等第一延伸部與該等第二延伸部交錯排列,使該指叉電極之頂面形成一中央較四周低陷之承置部;以及 一感測薄膜,位於該承置部中且貼附於該第一電極與該第二電極。
  2. 如請求項1所述的氣體感測器,更包含有至少一加熱件設於該基板與該指叉電極之間。
  3. 如請求項2所述的氣體感測器,其中該基板之頂面設有至少一凹槽位於該加熱件下方,以減少該基板與該加熱件的連接面積。
  4. 如請求項2或3所述的氣體感測器,更包含有一溫度感測元件設於該基板與該指叉電極之間,且該溫度感測元件未與該加熱件接觸。
  5. 如請求項1所述的氣體感測器,其中該感測薄膜包含摻雜有碳奈米微粒的金屬氧化物。
  6. 如請求項5所述的氣體感測器,其中該金屬氧化物為WO 3、SnO 2、ZnO、Co 3O 4、TiO 2、NiO、In 2O 3或ZrO 2
  7. 如請求項5所述的氣體感測器,其中碳奈米微粒為單壁奈米碳管、多壁奈米碳管或石墨烯。
  8. 如請求項1所述的氣體感測器,其中各該第一延伸部遠離該第一主體之一端其厚度小於該第一主體之厚度,各該第二延伸部遠離該第二主體之一端其厚度小於該第二主體之厚度。
  9. 如請求項1所述的氣體感測器,其中該承置部呈圓盤狀。
  10. 如請求項1所述的氣體感測器,其中該感測薄膜的中央區域較周圍來得厚。
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