TWI705123B - 波長轉換物質以及發光裝置 - Google Patents
波長轉換物質以及發光裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI705123B TWI705123B TW108139118A TW108139118A TWI705123B TW I705123 B TWI705123 B TW I705123B TW 108139118 A TW108139118 A TW 108139118A TW 108139118 A TW108139118 A TW 108139118A TW I705123 B TWI705123 B TW I705123B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- configuration
- wavelength conversion
- silicon
- light
- aluminum
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 112
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 78
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 52
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 88
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 64
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 64
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 29
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 23
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 claims description 23
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 21
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 13
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 11
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 8
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 8
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 8
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 8
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 8
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 7
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 7
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 6
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 6
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 6
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 claims description 6
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229920005646 polycarboxylate Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 5
- 235000010210 aluminium Nutrition 0.000 description 29
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- FPIPGXGPPPQFEQ-OVSJKPMPSA-N all-trans-retinol Chemical compound OC\C=C(/C)\C=C\C=C(/C)\C=C\C1=C(C)CCCC1(C)C FPIPGXGPPPQFEQ-OVSJKPMPSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000764773 Inna Species 0.000 description 1
- 229910010199 LiAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011717 all-trans-retinol Substances 0.000 description 1
- 235000019169 all-trans-retinol Nutrition 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Chemical group BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 229910052956 cinnabar Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Chemical group 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
- H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
- H10H20/8512—Wavelength conversion materials
- H10H20/8513—Wavelength conversion materials having two or more wavelength conversion materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/64—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7774—Aluminates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
- H10H20/812—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
- H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
- H10H20/8512—Wavelength conversion materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
一種波長轉換物質包含發光核心以及第一保護層。第一保護層包覆發光核心，且第一保護層包含矽酸鋁。在矽酸鋁的複數個矽中，各個矽分別為第零組態Q4(0Al)、第一組態Q4(1Al)、第二組態Q4(2Al)、第三組態Q4(3Al)及第四組態Q4(4Al)中之一者。第零組態Q4(0Al)的矽未與鋁氧基連接，第一組態Q4(1Al)的矽與一個鋁氧基連接，第二組態Q4(2Al)的矽與兩個鋁氧基連接，第三組態Q4(3Al)的矽與三個鋁氧基連接，第四組態Q4(4Al)的矽與四個鋁氧基連接，且第三組態Q4(3Al)及第四組態Q4(4Al)的矽的總含量大於第零組態Q4(0Al)、第一組態Q4(1Al)及第二組態Q4(2Al)的矽的總含量。
Description
本揭露是有關於一種波長轉換物質及發光裝置。
量子點與螢光粉是常見的波長轉換物質，其可應用於發光二極體上，以吸收發光二極體晶片的光線並發出其他顏色的光，並進一步混合為所需的色光。進一步地，量子點或螢光粉可與發光二極體裝置搭配，做為顯示器的背光源或是顯示器的像素。
然而，波長轉換物質易受氧氣及水氣破壞，進而導致其發光亮度與使用壽命降低。因此，亟需一種技術方案來降低氧氣及水氣對波長轉換物質的損害，藉此提高波長轉換物質的信賴性。
本揭露之一技術態樣為一種波長轉換物質。
根據本揭露一實施方式，波長轉換物質包含發光核心以及第一保護層。第一保護層包覆發光核心，且第一保護層包含矽酸鋁。在矽酸鋁的複數個矽中，各個矽分別為第零組
態Q4(0Al)、第一組態Q4(1Al)、第二組態Q4(2Al)、第三組態Q4(3Al)及第四組態Q4(4Al)中之一者。第零組態Q4(0Al)的矽未與鋁氧基連接，第一組態Q4(1Al)的矽與一個鋁氧基連接，第二組態Q4(2Al)的矽與兩個鋁氧基連接，第三組態Q4(3Al)的矽與三個鋁氧基連接，第四組態Q4(4Al)的矽與四個鋁氧基連接，且第三組態Q4(3Al)及第四組態Q4(4Al)的矽的總含量大於第零組態Q4(0Al)、第一組態Q4(1Al)及第二組態Q4(2Al)的矽的總含量。
在本揭露一實施方式中，以矽酸鋁的矽的總含量為100%計，第三組態Q4(3Al)及第四組態Q4(4Al)的矽的總含量大於80%。
在本揭露一實施方式中，在波長轉換物質的29Si核磁共振頻譜中，約在-70ppm至-120ppm具有矽酸鋁的各矽的波峰，且在波長轉換物質的27Al核磁共振頻譜中，約在40ppm至80ppm具有矽酸鋁的複數個鋁中的各鋁的波峰。
在本揭露一實施方式中，在波長轉換物質的29Si核磁共振頻譜中，約在-84ppm至-95ppm中具有第三組態Q4(3Al)的波峰，約在-80ppm至-93ppm中具有第四組態Q4(4Al)的波峰。
在本揭露一實施方式中，在矽酸鋁的複數個鋁中，各鋁分別為第三組態q3(3Si)及第四組態q4(4Si)中之一者，第三組態q3(3Si)的鋁與三個矽氧基連接，第四組態q4(4Si)的鋁與四個矽氧基連接，且在波長轉換物質的27Al核磁共振頻譜中，約在50ppm至80ppm具有第三組態q3(3Si)及
第四組態q4(4Si)的波峰。
在本揭露一實施方式中，發光核心包含量子點材料。
在本揭露一實施方式中，量子點材料的表面可經修飾性處理，修飾性處理包含配位基交換處理、微乳化處理、有機材料包覆、無機材料包覆、受介孔顆粒孔隙包覆或上述之組合。
在本揭露一實施方式中，發光核心包含螢光粉材料。
在本揭露一實施方式中，螢光粉材料的表面可經修飾性處理，修飾性處理包含有機材料包覆、無機材料包覆或上述之組合。
在本揭露一實施方式中，有機材料包覆所用的材料包含聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(PEN)、聚苯乙烯(PS)、聚偏氟乙烯(PVDF)、聚乙酸乙烯酯(PVAC)、聚丙烯(PP)、聚醯胺(PA)、聚羧酸酯(PC)、聚醯亞胺(PI)、環氧樹脂(epoxy)、矽膠(silicone)或上述之組合。
在本揭露一實施方式中，無機材料包覆所用的材料包含氮化物、金屬氧化物、矽氧化物或上述之組合。
本揭露之另一技術態樣為一種發光裝置。
根據本揭露一實施方式，發光裝置包含固態半導體發光元件以及上述之波長轉換物質。固態半導體發光元件用以發出第一光線。波長轉換物質吸收部分第一光線，且發出不
同於第一光線之波長的第二光線。
在本揭露一實施方式中，固態半導體發光元件為發光二極體。
根據本揭露上述實施方式，由於第一保護層可保護發光核心免於受到外界物質的損害(例如氧氣及水氣破壞)，因此波長轉換物質可具有良好的發光壽命。特別的是，第一保護層的矽酸鋁具有特定組態之矽的組成，故可達到優於一般保護層的保護功效。此外，包含上述波長轉換物質的發光裝置可具有良好的信賴性。
100、200‧‧‧波長轉換物質
110‧‧‧發光核心
120‧‧‧第一保護層
130‧‧‧第二保護層
300a‧‧‧發光裝置
300b‧‧‧發光裝置
302‧‧‧電路板
304‧‧‧反射杯壁
306‧‧‧導電支架
308‧‧‧導線
310‧‧‧固態半導體發光元件
312‧‧‧可透光膠材
320‧‧‧波長轉換膜
322‧‧‧波長轉換物質
330‧‧‧第一光線
340‧‧‧第二光線
SP‧‧‧容置空間
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之詳細說明如下：
第1圖繪示根據本揭露一實施方式之波長轉換物質的剖面示意圖。
第2圖繪示根據本揭露另一實施方式之波長轉換物質的剖面示意圖。
第3A圖繪示根據本揭露一實施方式之發光裝置的側視示意圖。
第3B圖繪示根據本揭露另一實施方式之發光裝置的側視示意圖。
第4圖繪示不同組態之矽的29Si核磁共振頻譜的化學位移(chemical shift)參考值。
第5圖繪示根據本揭露之實施例1的波長轉換物質的29Si核磁共振頻譜。
第6圖繪示不同組態之鋁的27Al核磁共振頻譜的化學位移參考值。
第7圖繪示根據本揭露之實施例1的波長轉換物質的27Al核磁共振頻譜。
第8圖繪示根據本揭露之實施例1與比較例1的波長轉換物質的亮度一時間關係圖。
第9圖繪示根據本揭露之實施例1的波長轉換物質的發光強度一波長關係圖。
第10圖繪示比較例1之波長轉換物質的發光強度一波長關係圖。
以下將以圖式揭露本揭露之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本揭露。也就是說，在本揭露部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。
第1圖繪示根據本揭露一實施方式之波長轉換物質100的剖面示意圖。波長轉換物質100包含發光核心110以及第一保護層120，且第一保護層120包覆發光核心110。發光核心110可包含量子點材料或螢光粉材料。
在一些實施方式中，第一保護層120包含矽酸鋁。值得注意的是，第一保護層120的矽酸鋁包含複數個矽，且各個矽分別為第零組態Q4(0Al)、第一組態Q4(1Al)、第二組態Q4(2Al)、第三組態Q4(3Al)及第四組態Q4(4Al)中之一者。詳細而言，第零組態Q4(0Al)的矽未與鋁氧基連接，第一組態Q4(1Al)的矽與一個鋁氧基連接，第二組態Q4(2Al)的矽與兩個鋁氧基連接，第三組態Q4(3Al)的矽與三個鋁氧基連接，第四組態Q4(4Al)的矽與四個鋁氧基連接。換句話說，在Qn(mAl)中，n係矽原子的鍵結數量，而m係矽原子透過氧原子再與鋁原子鍵結的數量，其中，n可為4，而m可為0、1、2、3或4。
在一些實施方式中，第零組態Q4(0Al)的矽可為如下述結構式(1)的結構，其中，R為直鏈或支鏈的烷基或氫原子。
在一些實施方式中，第一組態Q4(1Al)的矽可為如下述結構式(2)的結構，其中，R為直鏈或支鏈的烷基或氫原子。
在一些實施方式中，第二組態Q4(2Al)、第三組態Q4(3Al)及第四組態Q4(4Al)的矽可為如下述結構式(3)的結構。在結構式(3)中，標示為Q4(1Al)的矽為第一組態Q4(1Al)，標示為Q4(2Al)的矽為第二組態Q4(2Al)，標示為Q4(3Al)的矽為第三組態Q4(1Al)，標示為Q4(4Al)的矽為第四組態Q4(4Al)。其中，R可為直鏈或支鏈的烷基或氫原子。
在第一保護層120的矽酸鋁中，第三組態Q4(3Al)及第四組態Q4(4Al)的矽的總含量大於第零組態Q4(0Al)、第一組態Q4(1Al)及第二組態Q4(2Al)的矽的總含量。應瞭解
到，本文中所指的「含量」係指「莫耳數」。值得注意的是，在一般狀況下，三氧化二鋁(Al2O3)的耐水氧性質較二氧化矽(SiO2)佳，因此以第三組態Q4(3Al)及第四組態Q4(4Al)的矽為主的矽酸鋁可使得第一保護層120中三氧化二鋁(Al2O3)的比例提升，而讓第一保護層120具有較佳的保護力(即具有較佳的耐水氧性質)，進而大幅提升包覆於第一保護層120中之發光核心110的耐受性。
在一些實施方式中，以矽酸鋁的矽的總含量為100%計，第三組態Q4(3Al)及第四組態Q4(4Al)的矽的總含量大於80%。舉例來說，第三組態Q4(3Al)及第四組態Q4(4Al)的矽的總含量可為85%、90%、95%或99%。在另一些實施方式中，第四組態Q4(4Al)的矽的含量大於第三組態Q4(3Al)的矽的含量。在其他實施方式中，第四組態Q4(4Al)的矽的含量大於第零組態Q4(0Al)、第一組態Q4(1Al)、第二組態Q4(2Al)及第三組態Q4(3Al)的矽的總含量。
另一方面，在第一保護層120的矽酸鋁的複數個鋁中，各個鋁分別為第三組態q3(3Si)及第四組態q4(4Si)中之一者。詳細而言，第三組態q3(3Si)的鋁與三個矽氧基連接，第四組態q4(4Si)的鋁與四個矽氧基連接。換句話說，在qn(mSi)中，n係鋁原子的鍵結數量，而m係鋁原子透過氧原子再與矽原子鍵結的數量，其中，n可為3或4，而m可為3或4。
在一些實施方式中，第三組態q3(3Si)的鋁可為如下述結構式(4)的結構，其中，R為直鏈或支鏈的烷基或氫原子。
在一些實施方式中，第四組態q4(4Si)的鋁可為如下述結構式(5)的結構。在結構式(5)中，標示為q3(3Si)的鋁為第三組態q3(3Si)，標示為q4(4Si)的鋁為第四組態q4(4Si)。其中，R可為直鏈或支鏈的烷基或氫原子。
在一些實施方式中，第四組態q4(4Si)的鋁的含量大於第三組態q3(3Si)的鋁的含量。在另一些實施方式中，以矽酸鋁的鋁的總含量為100%計，以矽酸鋁的鋁的總含量為100%計，第三組態q3(3Si)及第四組態q4(4Si)的鋁的總含量大於80%。舉例來說，第三組態q3(3Si)及第四組態q4(4Si)
的鋁的總含量可為85%、90%、95%或99%。
由於第一保護層120可保護發光核心110免於受到外界物質的損害(例如氧氣及水氣破壞)，因此使得波長轉換物質100可具有良好的發光壽命。特別的是，第一保護層120的矽酸鋁具有特定組態之矽與特定組態之鋁的組成，故可達到優於一般保護層的保護功效。
在一些實施方式中，發光核心110包含量子點材料。舉例來說，量子點材料包含CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe、CsPbX3或Cs4PbX6，其中，X為
氯、溴、碘或其組合。
在一些實施方式中，量子點材料的表面除了被第一保護層120包覆外，更可包含其他修飾性處理，例如配位基交換處理、微乳化處理、有機材料包覆、無機材料包覆、受介孔顆粒孔隙包覆或上述之組合。經修飾性處理後的量子點材料可具有較良好的發光壽命。
舉例來說，有機材料包覆所使用的材料包含聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate),PMMA)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚苯乙烯(polystyrene,PS)、聚偏氟乙烯(polyvinylidene difluoride,PVDF)、聚乙酸乙烯酯(polyvinyl acetate,PVAC)、聚丙烯(polypropylene,PP)、聚醯胺(polyamide,PA)、聚羧酸酯(polycarbonate,PC)、聚醯亞胺(polyimide,PI)、環氧樹脂(epoxy)或矽膠(silicone)。此外，無機材料包覆所使用的材料包含氮化物、金屬氧化物、矽氧化物或上述之組合。
在一些實施方式中，發光核心110包含螢光粉材料。舉例來說，螢光粉材料包含Y3Al5O12(YAG)、LuYAG、GaYAG、SrS：Eu2+、SrGa2S4：Eu2+、ZnS：Cu+、ZnS：Ag+、Y2O2S：Eu2+、La2O2S：Eu2+、Gd2O2S：Eu2+、SrGa2S4：Ce3+,ZnS：Mn2+、SrS：Eu2+、CaS：Eu2+、(Sr1-xCax)S：Eu2+、Ba2SiO4：Eu2+、Sr2SiO4：Eu2+、(Mg,Ca,Sr,Ba)3Si2O7：Eu2+、Ca8Mg(SiO4)4Cl2：Eu2+、
(Mg,Ca,Sr,Ba)2SiO4：Eu2+、(Sr,Ca,Ba)SixOyNz：Eu2+、(Ca,Mg,Y)SiwAlxOyNz：Ce2+、Ca2Si5N8：Eu2+、(Ca,Mg,Y)SiwAlxOyNz：Eu2+、K2GeF6：Mn4+、K2SiF6：Mn4+、K2TiF6：Mn4+、Sr(LiAl3N4)：Eu2+、Si6-nAlnOnN8-n(n=0-4.2)：Eu2或上述之組合。
在一些實施方式中，螢光粉材料的表面除了被第一保護層120包覆外，更可包含其他修飾性處理，例如有機材料包覆、無機材料包覆或上述之組合。經修飾性處理後的螢光粉材料可具有較良好的發光壽命。
舉例來說，有機材料包覆所使用的材料包含聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚苯乙烯、聚偏氟乙烯、聚乙酸乙烯酯包覆、聚丙烯、聚醯胺、聚羧酸酯、聚醯亞胺、環氧樹脂或矽膠。此外，無機材料包覆使用的材料包含氮化物、金屬氧化物、矽氧化物或上述之組合。
第2圖繪示根據本揭露另一實施方式之波長轉換物質200的剖面示意圖。波長轉換物質200與第1圖之波長轉換物質100不同之處在於：波長轉換物質200更包含第二保護層130。第二保護層130包覆第一保護層120。在一些實施方式中，第二保護層130可包含有機材料，例如聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚醯胺、聚碳酸酯、聚醯亞胺、環氧樹脂、矽氧樹脂。在另一些實施方式中，第二保護層130可包含無機材料，例如二氧化鈦(TiO2)、二氧化矽(SiO2)、
氮化硼(BN)或氧化鋅(ZnO)。
由於第二保護層130亦可保護發光核心110免於受到外界因素的損害(例如氧氣及水氣破壞)，因此使得波長轉換物質200具有較良好的發光壽命。在一些實施方式中，第一保護層120與第二保護層130的配置可以互換。也就是說，第二保護層130包覆發光核心110，而第一保護層120包覆第二保護層130。
第3A圖繪示根據本揭露一實施方式之發光裝置300a的側視示意圖。發光裝置300a包含電路板302、固態半導體發光元件310以及波長轉換膜320，其中固態半導體發光元件310位於電路板302上，且波長轉換膜320中包含波長轉換物質322。在一些實施方式中，固態半導體發光元件310可為發光二極體，例如發光二極體晶片或含有發光二極體晶片的封裝結構。此外，波長轉換物質322可為第1圖之波長轉換物質100或第2圖之波長轉換物質200，也就是說，波長轉換物質322可包含量子點或螢光粉。固態半導體發光元件310用以發出第一光線330，而波長轉換物質322吸收部分的第一光線330，並發出不同於第一光線330之波長的第二光線340。舉例來說，當固態半導體發光元件310為藍光發光二極體晶片或含有藍光發光二極體晶片的封裝結構，且波長轉換物質322含有紅、綠量子點(或紅、綠螢光粉)時，紅、綠量子點(或紅、綠螢光粉)可將固態半導體發光元件310所發出之部分藍光轉為紅光及綠光。隨後，紅光、綠光以及未經紅、綠量子點轉換的藍光混合為白光，並由發光裝置300a射出。舉例來說，當固態半
導體發光元件310為藍光發光二極體晶片或含有藍光發光二極體晶片的封裝結構，且波長轉換物質322為YAG(Y3Al5O12：Ce)黃色螢光粉時，YAG黃色螢光粉可將固態半導體發光元件310所發出之部分藍光轉為黃光。隨後，黃光以及未經YAG黃色螢光粉轉換的藍光混合為白光，並由發光裝置300a射出。
第3B圖繪示根據本揭露另一實施方式之發光裝置300b的側視示意圖。發光裝置300b包含反射杯壁304、一組導電支架306(例如：正、負導電支架306)、固態半導體發光元件310、可透光膠材312以及波長轉換物質322。固態半導體發光元件310可為發光二極體晶片，位於導電支架306上，並透過導線308電性連接正、負導電支架306。反射杯壁304圍繞發光二極體晶片並形成容置空間SP，而波長轉換物質322與可透光膠材312混合並填充於反射杯壁304的容置空間SP中。波長轉換物質322可為第1圖之波長轉換物質100或第2圖之波長轉換物質200，也就是說，波長轉換物質322可包含量子點或螢光粉(例如，紅、綠量子點、紅、綠螢光粉或YAG螢光粉)。固態半導體發光元件310所發出的光線與量子點或螢光粉之間的作用如上段所述，於此便不重覆贅述。
本揭露提供實施例1以及比較例1。實施例1係使用本揭露的第一保護層120包覆量子點材料CdSe所形成的波長轉換物質，且實施例1的結構如第1圖所示。比較例1係未使用任何保護層包覆量子點材料CdSe所形成的波長轉
換物質。
第4圖繪示不同組態之矽的29Si核磁共振頻譜的化學位移(chemical shift)參考值。第5圖繪示本揭露之實施例1的波長轉換物質的29Si核磁共振頻譜。透過對照第4圖及第5圖可進一步瞭解本揭露之實施例1的第一保護層120的組成，以下將詳細說明。
首先請參閱第4圖，在29Si核磁共振頻譜中，第零組態Q4(0Al)的矽的化學位移值約在-100ppm至-118ppm，第一組態Q4(1Al)的矽的化學位移值約在-94ppm至-106ppm，第二組態Q4(2Al)的矽的化學位移值約在-90ppm至-100ppm，第三組態Q4(3Al)的矽的化學位移值約在-84ppm至-95ppm，第四組態Q4(4Al)的矽的化學位移值約在-80ppm至-93ppm。在上述的化學位移值的範圍中，可能包含約正負3.0ppm的誤差。舉例來說，第零組態Q4(0Al)的矽的化學位移值可能約在-97ppm至-121ppm。
接著請參閱第5圖。在29Si核磁共振頻譜中，第一保護層120的矽酸鋁中各個矽的波峰的化學位移值約在-70ppm至-120ppm，且約在-80ppm至-95ppm具有最明顯的峰值。由此可知，本揭露之實施例1的第一保護層120確實主要是由第三組態Q4(3Al)及第四組態Q4(4Al)的矽所組成。此外，在29Si核磁共振頻譜中，本揭露之實施例1的波長轉換物質約在-84ppm至-95ppm中具有第三組態Q4(3Al)的矽的波峰，約在-80ppm至-93ppm中具有第四組態
Q4(4Al)的矽的波峰。另外，將各組態對應之化學位移值範圍的面積積分後，可得知本揭露之實施例1的第三組態Q4(3Al)及第四組態Q4(4Al)的矽的總含量大於第零組態Q4(0Al)、第一組態Q4(1Al)及第二組態Q4(2Al)的矽的總含量。
第6圖繪示不同組態之鋁的27Al核磁共振頻譜的化學位移(chemical shift)參考值。第7圖繪示根據本揭露之實施例1的波長轉換物質的27Al核磁共振頻譜。透過對照第6圖及第7圖可進一步瞭解本揭露之實施例1的第一保護層120的組成，以下將詳細說明。
首先請參閱第6圖，在27Al核磁共振頻譜中，第三組態q3(3Si)的鋁的化學位移值約在72ppm至82ppm，第四組態q4(4Si)的鋁的化學位移值約在50ppm至70ppm。在上述的化學位移值的範圍中，可能包含約正負3.0ppm的誤差。舉例來說，第三組態q3(3Si)的鋁的化學位移值可能約在69ppm至85ppm。
接著請參閱第7圖。在27Al核磁共振頻譜中，第一保護層120的矽酸鋁中各個鋁的波峰的化學位移值約在40ppm至80ppm。此外，在27Al核磁共振頻譜中，本揭露之實施例1的波長轉換物質約在50ppm至80ppm中具有第三組態q3(3Si)及第四組態q4(4Si)的鋁的波峰。應瞭解到，在本揭露之第一保護層120的27Al核磁共振頻譜中，化學位移值約在5ppm至6ppm處為水分子所造成的訊號。
第8圖繪示根據本揭露之實施例1之波長轉換物
質與比較例1之波長轉換物質的亮度-時間關係圖。一般而言，發光元件的壽命係由L50來評估，其中，L50為發光元件的亮度衰減至原來的50%時所需的時間。請參閱第8圖，曲線L1為本揭露之實施例1的波長轉換物質的亮度隨時間變化的趨勢線，而曲線L2為比較例1之波長轉換物質的亮度隨時間變化的趨勢線。由第8圖可知，本揭露之實施例1的波長轉換物質的亮度隨時間衰退幅度小，且在經歷約504個小時的發光後，依舊可維持約90%的亮度；相對地，比較例1之波長轉換物質的亮度隨時間衰退幅度大，且在經歷約336個小時的發光後，僅剩約75%的亮度。
第9圖繪示根據本揭露之實施例1的波長轉換物質的發光強度-波長關係圖。第10圖繪示比較例1的波長轉換物質的發光強度-波長關係圖。同時參閱第9圖及第10圖可知，本揭露之實施例1的波長轉換物質在經歷約168小時的發光後，各個波長範圍的發光強度的衰退幅度極小；相對地，比較例1的波長轉換物質在經歷約168小時的發光後，各個波長範圍的發光強度的衰退幅度較大。詳細而言，在約620nm至650nm之間，比較例1的波長轉換物質的發光強度衰退幅度較大，而本揭露之實施例1的波長轉換物質的發光強度衰退則相對較小。此結果顯示第一保護層120除了可使波長轉換物質的發光壽命增加外，亦可以維持波長轉換物質在長時間運作下所發出之顏色的一致性。
本揭露提供一種波長轉換物質，具有良好的發光壽命，且在長時間的發光下，依舊可維持良好的亮度。由於保
護層可保護發光核心免於受到外界物質的損害(例如氧氣及水氣破壞)，因此波長轉換物質可具有良好的發光壽命。特別的是，保護層的矽酸鋁具有特定組態之矽與特定組態之鋁的組成，故可達到優於一般保護層的保護功效。值得注意的是，本揭露的保護層不僅適用於量子點材料，亦適用於螢光粉材料。此外，本揭露亦提供一種包含上述波長轉換物質的發光裝置，其具有良好的信賴性。
雖然本揭露已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧波長轉換物質
110‧‧‧發光核心
120‧‧‧第一保護層
Claims (13)
- 一種波長轉換物質，包含：一發光核心；以及一第一保護層，包覆該發光核心，其中該第一保護層包含矽酸鋁，在該矽酸鋁的複數個矽中，各該矽分別為第零組態Q4(0Al)、第一組態Q4(1Al)、第二組態Q4(2Al)、第三組態Q4(3Al)及第四組態Q4(4Al)中之一者，該第零組態Q4(0Al)的矽未與鋁氧基連接，該第一組態Q4(1Al)的矽與一個鋁氧基連接，該第二組態Q4(2Al)的矽與兩個鋁氧基連接，該第三組態Q4(3Al)的矽與三個鋁氧基連接，該第四組態Q4(4Al)的矽與四個鋁氧基連接，且該第三組態Q4(3Al)及該第四組態Q4(4Al)的矽的總含量大於該第零組態Q4(0Al)、該第一組態Q4(1Al)及該第二組態Q4(2Al)的矽的總含量。
- 如請求項1所述之波長轉換物質，其中以該矽酸鋁的矽的總含量為100%計，該第三組態Q4(3Al)及該第四組態Q4(4Al)的矽的總含量大於80%。
- 如請求項1所述之波長轉換物質，其中在該波長轉換物質的29Si核磁共振頻譜中，約在-70ppm至-120ppm具有該矽酸鋁的各該矽的波峰，且在該波長轉換物質的27Al核磁共振頻譜中，約在40ppm至80ppm具有該矽酸鋁的複數個鋁中的各該鋁的波峰。
- 如請求項1所述之波長轉換物質，其中在該波長轉換物質的29Si核磁共振頻譜中，約在-84ppm至-95ppm中具有該第三組態Q4(3Al)的波峰，約在-80ppm至-93ppm中具有該第四組態Q4(4Al)的波峰。
- 如請求項1所述之波長轉換物質，其中在該矽酸鋁的複數個鋁中，各該鋁分別為第三組態q3(3Si)及第四組態q4(4Si)中之一者，該第三組態q3(3Si)的鋁與三個矽氧基連接，該第四組態q4(4Si)的鋁與四個矽氧基連接，且在該波長轉換物質的27Al核磁共振頻譜中，約在50ppm至80ppm具有該第三組態q3(3Si)及該第四組態q4(4Si)的波峰。
- 如請求項1所述之波長轉換物質，其中該發光核心包含一量子點材料。
- 如請求項6所述之波長轉換物質，其中該量子點材料的表面可經修飾性處理，該修飾性處理包含配位基交換處理、微乳化處理、有機材料包覆、無機材料包覆、受介孔顆粒孔隙包覆或上述之組合。
- 如請求項1所述之波長轉換物質，其中該發光核心包含一螢光粉材料。
- 如請求項8所述之波長轉換物質，其中該螢光粉材料的表面可經修飾性處理，該修飾性處理包含有機材料包覆、無機材料包覆或上述之組合。
- 如請求項7或9之任一者所述之波長轉換物質，其中該有機材料包覆所用的材料包含聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(PEN)、聚苯乙烯(PS)、聚偏氟乙烯(PVDF)、聚乙酸乙烯酯(PVAC)、聚丙烯(PP)、聚醯胺(PA)、聚羧酸酯(PC)、聚醯亞胺(PI)、環氧樹脂(epoxy)、矽膠(silicone)或上述之組合。
- 如請求項7或9之任一者所述之波長轉換物質，其中該無機材料包覆所用的材料包含氮化物、金屬氧化物、矽氧化物或上述之組合。
- 一種發光裝置，包含：一固態半導體發光元件，用以發出一第一光線；以及如請求項1至9之任一者所述之波長轉換物質，吸收部分該第一光線，且發出不同於該第一光線之波長的一第二光線。
- 如請求項12所述之發光裝置，其中該固態半導體發光元件為一發光二極體。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW108139118A TWI705123B (zh) | 2019-10-29 | 2019-10-29 | 波長轉換物質以及發光裝置 |
| CN201911087553.4A CN112750937B (zh) | 2019-10-29 | 2019-11-08 | 波长转换物质以及发光装置 |
| US16/698,978 US11245056B2 (en) | 2019-10-29 | 2019-11-28 | Wavelength converting material and light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW108139118A TWI705123B (zh) | 2019-10-29 | 2019-10-29 | 波長轉換物質以及發光裝置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI705123B true TWI705123B (zh) | 2020-09-21 |
| TW202116972A TW202116972A (zh) | 2021-05-01 |
Family
ID=74091315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW108139118A TWI705123B (zh) | 2019-10-29 | 2019-10-29 | 波長轉換物質以及發光裝置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11245056B2 (zh) |
| CN (1) | CN112750937B (zh) |
| TW (1) | TWI705123B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11407938B2 (en) * | 2020-01-31 | 2022-08-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Structure, agglomerate, conversion element and method of producing a structure |
| CN115566114A (zh) * | 2022-11-07 | 2023-01-03 | 深圳市思坦科技有限公司 | 复合量子点材料、制备方法、微发光二极管及显示设备 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201819488A (zh) * | 2016-09-07 | 2018-06-01 | Sumitomo Chemical Co | 波長轉換薄片、層合體及發光裝置、以及波長轉換薄片的製造方法 |
| TW201835297A (zh) * | 2017-01-06 | 2018-10-01 | 日商Ｊｓｒ股份有限公司 | 含螢光體粒子組成物、波長轉換層及波長轉換層的製造方法 |
| TW201930502A (zh) * | 2017-10-13 | 2019-08-01 | 德商馬克專利公司 | 光電裝置之製造方法 |
| TWI667332B (zh) * | 2014-07-28 | 2019-08-01 | 荷蘭商皇家飛利浦有限公司 | 具有經改良量子效率之經二氧化矽塗覆之量子點 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101336479A (zh) * | 2005-12-01 | 2008-12-31 | 沙诺夫公司 | 防潮磷光体和led发光器件 |
| CN101117578B (zh) * | 2007-08-14 | 2012-05-02 | 四川大学 | 聚合物复合稀土长余辉发光材料及其制备方法和应用 |
| JP5511524B2 (ja) * | 2010-06-07 | 2014-06-04 | 日東電工株式会社 | 光半導体用封止シート |
| US9334442B2 (en) * | 2011-06-29 | 2016-05-10 | Koninklijke Philips N.V. | Luminescent material particles comprising a coating and lighting unit comprising such luminescent material |
| CN102531580B (zh) | 2011-12-14 | 2014-01-29 | 同济大学 | 一种利用铝硅复合氧化物包覆纳米钛酸锶钡介质储能材料及其制备方法 |
| US20140170786A1 (en) * | 2012-12-13 | 2014-06-19 | Juanita N. Kurtin | Ceramic composition having dispersion of nano-particles therein and methods of fabricating same |
| WO2015054493A1 (en) * | 2013-10-09 | 2015-04-16 | Nanocomposix, Inc. | Encapsulated particles |
| WO2016041838A1 (en) * | 2014-09-17 | 2016-03-24 | Koninklijke Philips N.V. | Phosphor with hybrid coating and method of production |
| DE102016104194A1 (de) * | 2016-03-08 | 2017-09-14 | Osram Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Leuchtstoffpartikeln mit einer Schutzschicht und Leuchtstoffpartikel mit einer Schutzschicht |
| JP7137841B2 (ja) * | 2016-06-14 | 2022-09-15 | ユニバーシティ オブ ワシントン | ポリマー－シリカハイブリッドＰｄｏｔおよびこれらを使用する方法 |
| CN107541203B (zh) | 2016-06-27 | 2020-04-10 | 上海交通大学 | 金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点及其制备方法 |
| KR102608507B1 (ko) * | 2016-08-30 | 2023-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
| US10347799B2 (en) * | 2017-11-10 | 2019-07-09 | Cree, Inc. | Stabilized quantum dot composite and method of making a stabilized quantum dot composite |
| US11253844B2 (en) * | 2018-03-14 | 2022-02-22 | Evonik Operations Gmbh | Oligomerization catalyst and process for the production thereof |
| US20210139768A1 (en) * | 2018-03-27 | 2021-05-13 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Wavelength conversion member, back light unit, image display device, and curable composition |
| WO2021030368A1 (en) * | 2019-08-12 | 2021-02-18 | The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate | Synthetic aluminosilicate material and methods of forming and using same |
-
2019
- 2019-10-29 TW TW108139118A patent/TWI705123B/zh active
- 2019-11-08 CN CN201911087553.4A patent/CN112750937B/zh active Active
- 2019-11-28 US US16/698,978 patent/US11245056B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI667332B (zh) * | 2014-07-28 | 2019-08-01 | 荷蘭商皇家飛利浦有限公司 | 具有經改良量子效率之經二氧化矽塗覆之量子點 |
| TW201819488A (zh) * | 2016-09-07 | 2018-06-01 | Sumitomo Chemical Co | 波長轉換薄片、層合體及發光裝置、以及波長轉換薄片的製造方法 |
| TW201835297A (zh) * | 2017-01-06 | 2018-10-01 | 日商Ｊｓｒ股份有限公司 | 含螢光體粒子組成物、波長轉換層及波長轉換層的製造方法 |
| TW201930502A (zh) * | 2017-10-13 | 2019-08-01 | 德商馬克專利公司 | 光電裝置之製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11245056B2 (en) | 2022-02-08 |
| US20210126167A1 (en) | 2021-04-29 |
| CN112750937B (zh) | 2022-04-29 |
| TW202116972A (zh) | 2021-05-01 |
| CN112750937A (zh) | 2021-05-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109904190B (zh) | 显示装置 | |
| KR100982992B1 (ko) | 양자점 파장변환시트, 및 양자점 파장변환시트를 포함하는 발광장치 | |
| US8251528B2 (en) | Wavelength conversion plate and light emitting device using the same | |
| KR101942042B1 (ko) | 내습성 칩 스케일 패키징 발광 디바이스 | |
| JP2016046260A (ja) | モールドフレームおよび光学シートと、これを含むバックライトユニットおよび液晶表示装置 | |
| WO2013022215A2 (ko) | 발광장치, 백라이트 유닛과 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| CN110196509B (zh) | 显示装置 | |
| CN110970571B (zh) | 自发光显示装置 | |
| US10707276B2 (en) | Display device | |
| KR20110005177A (ko) | 발광체-고분자 복합체용 조성물, 발광체-고분자 복합체 및 상기 발광체-고분자 복합체를 포함하는 발광 소자 | |
| TWI705123B (zh) | 波長轉換物質以及發光裝置 | |
| US20200127174A1 (en) | Light emitting diode package with enhanced quantum dot reliability | |
| KR20120140052A (ko) | 발광 디바이스 | |
| CN115811917A (zh) | 颜色转换面板 | |
| KR20160117083A (ko) | 양자점을 포함하는 광학 시트 | |
| TWI808178B (zh) | 波長轉換物質及發光裝置 | |
| TWI554790B (zh) | 複合式光學膜 | |
| TWI627454B (zh) | 背光裝置 | |
| JP2012036265A (ja) | 照明装置 | |
| KR102263850B1 (ko) | 방충용 백색 led 패키지 | |
| TWI712188B (zh) | 發光封裝結構及其製造方法 | |
| CN115963660B (zh) | 发光装置 | |
| US20240124350A1 (en) | Quantum dot composite structure and a forming method thereof | |
| US20240150652A1 (en) | Quantum dot structure, forming method thereof and light-emitting device including the same | |
| JP2013098278A (ja) | 発光装置 |