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TWI703751B - 包含有機發光二極體之有機發光顯示裝置 - Google Patents

包含有機發光二極體之有機發光顯示裝置 Download PDF

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TWI703751B
TWI703751B TW104127236A TW104127236A TWI703751B TW I703751 B TWI703751 B TW I703751B TW 104127236 A TW104127236 A TW 104127236A TW 104127236 A TW104127236 A TW 104127236A TW I703751 B TWI703751 B TW I703751B
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金東贊
金元鐘
金應道
徐東揆
林多慧
任相薰
秋昌雄
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南韓商三星顯示器有限公司
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Abstract

本發明揭示一種有機發光二極體、及一種包含其之有機發光顯示裝置。該有機發光二極體包括彼此面對的第一電極及第二電極；位於第一電極與第二電極之間的發射層；以及位於第一電極與發射層之間的電洞注入層，該電洞注入層包含偶極性材料，其包括不同極性的第一成分及第二成分。

Description

包含有機發光二極體之有機發光顯示裝置
本發明提供一種有機發光二極體、及一種包含其之有機發光顯示裝置。
液晶顯示器(LCD)可取代陰極射線管(CRT)而有助於降低監視器及電視的重量及厚度。液晶顯示器，其為被動發光裝置，需要獨立的背光，且可能具有受限的回應速度及視角。近來，自發光的有機發光顯示裝置已作為下一代的顯示裝置而引起注目。
本發明之實施例可藉由提供一種有機發光二極體而實現，其包括彼此面對的第一電極及第二電極；位於第一電極與第二電極之間的發射層；以及位於第一電極與發射層之間的電洞注入層，該電洞注入層包含偶極性材料，其包括具不同極性的第一成分及第二成分。
第一成分可為具功函數為4.0電子伏特或4.0電子伏特以上的金屬或非金屬，而第二成分可包括鹵素。
第一成分可包括Ag、Au、B、Be、C、Co、Cr、Cu、Fe、Hg、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Sb、Se、Si、Sn、Ta、Te、Ti、V、W、In、或Zn之一或多個。
第二成分可包括F、Cl、Br、或I之一或多個。
該偶極性材料可包括NiI2 、CoI2 、CuI、AgI、SnI2 、或InI3 之一或多個。
該有機發光二極體可進一步包括位於發射層與第二電極之間的電子注入層。該電子注入層可具有3.0電子伏特或3.0電子伏特以下的功函數，且可包括鹼金屬、鹼土金屬、稀土元素、或過渡金屬、或其合金之一或多個。
電子注入層可包括Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba、Ce、Sm、Eu、Gd、Yb、或其合金之一或多個。
該偶極性材料之偶極矩可為5德拜(Debye)或5德拜以上。
第一成分可包括鹼金屬、鹼土金屬、稀土元素、或過渡金屬之一或多個，且第二成分可包括鹵素。
第一成分可具有3.0電子伏特或3.0電子伏特以下的功函數，且可包括Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba、Ce、Sm、Eu、Gd、Yb、或其合金之一或多個。
該電洞注入層可進一步包括具功函數為4.3電子伏特或4.3電子伏特以上的金屬。
具功函數為4.3電子伏特或4.3電子伏特以上的金屬可包括Ag、Au、B、Be、C、Co、Cr、Cu、Fe、Hg、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Sb、Se、Si、Sn、Ta、Te、Ti、V、W、或Zn之一或多個。
該電洞注入層可進一步包括具相對介電常數為10或10以上的氧化物。
該氧化物可包括WO3 、MoO3 、Cu2 O、Yb2 O3 、Sm2 O3 、Nb2 O3 、Gd2 O3 、或Eu2 O3 之一或多個。
有機發光二極體可進一步包括位於發射層與電洞注入層之間的電洞傳輸層、及位於發射層與第二電極之間的電子傳輸層。電洞傳輸層及電子傳輸層可包括有機材料。
電洞注入層可進一步包括具功函數為4.3電子伏特或4.3電子伏特以上的金屬、及具相對介電常數為10或10以上的氧化物之至少之一。
該電洞注入層可由複數層組成，且該複數層之每一個可包括偶極性材料、具功函數為4.3電子伏特或4.3電子伏特以上的金屬、及具相對介電常數為10或10以上的氧化物之至少之一。
實施例可藉由提供一種有機發光顯示裝置而實現，該有機發光顯示裝置包括基板；在基板上的閘極線；在基板上的資料線及驅動電壓線；連接閘極線與資料線的切換薄膜電晶體；連接切換薄膜電晶體與驅動電壓線之驅動薄膜電晶體；以及連接該驅動薄膜電晶體之有機發光二極體。有機發光二極體包括彼此面對的第一電極及第二電極；位於第一電極與第二電極之間的發射層；以及位於第一電極與發射層之間的電洞注入層，該電洞注入層包含具不同極性的第一成分及第二成分之偶極性材料。
第一成分可為具功函數為4.0電子伏特或4.0電子伏特以上的金屬或非金屬，且第二成分可包括鹵素。
第一成分可包括Ag、Au、B、Be、C、Co、Cr、Cu、Fe、Hg、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Sb、Se、Si、Sn、Ta、Te、Ti、V、W、In、或Zn之一或多個。
第二成分可包括F、Cl、Br、或I之一或多個。
該偶極性材料可包括NiI2 、CoI2 、CuI、AgI、SnI2 、或InI3 之一或多個。
偶極性材料之偶極矩可為5德拜(Debye)或5德拜以上。
第一成分可包括鹼金屬、鹼土金屬、稀土元素、或過渡金屬之一或多個，且第二成分可包括鹵素。
第一成分可具有3.0電子伏特或3.0電子伏特以下的功函數，且可包括Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba、Ce、Sm、Eu、Gd、Yb、或其合金之一或多個。
電洞注入層可進一步包括具功函數為4.3電子伏特或4.3電子伏特以上的金屬。
具功函數為4.3電子伏特或4.3電子伏特以上的金屬可包括Ag、Au、B、Be、C、Co、Cr、Cu、Fe、Hg、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Sb、Se、Si、Sn、Ta、Te、Ti、V、W、或Zn之一或多個。
該電洞注入層可進一步包括具相對介電常數為10或10以上的氧化物。
該氧化物可包括WO3 、MoO3 、Cu2 O、Yb2 O3 、Sm2 O3 、Nb2 O3 、Gd2 O3 、或Eu2 O3 之一或多個。
發射層可包括紅光發射層、綠光發射層、及藍光發射層，且可進一步包括位於藍光發射層下的輔助層。
有機發光元件可進一步包括配置於紅光發射層下的紅光共振輔助層、及配置於綠光發射層下的綠光共振輔助層。
輔助層可包括由以下化學式1表示的化合物：
Figure 02_image001
化學式1 A1、A2、與A3各可為氫、烷基、芳基、咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃(DBF)、以及聯苯，且a、b、與c各可為0至4之間的正數。
輔助層可包括由以下化學式2表示的化合物：
Figure 02_image003
化學式2 a可為0至3，b與c各可為0至3，X可選自O、N、與S，且各X可為相同或不同。
例示性實施例現將參考附圖而於下文中更完整地說明；然而，其可以許多不同形式實施，且不應視為限於在此所述的實施例。相反地，這些實施例係提供以使本揭示將徹底與完整，且將例示性實施方式充分地傳達給所屬技術領域中具有通常知識者。
在圖式中，層及區域之尺寸可為了清楚地描述而誇大。亦將了解的是，當層或元件被稱為在另一層或基板之「上」時，其可直接地位在另一層或基板之上，或者亦可存在中介層。此外將了解的是，當層被稱為在另一層之「下」時，其可直接在之下，且亦可存在一或多層的中介層。另外，亦將了解的是，當層被稱為位於二層「之間」時，其可為位於二層之間的唯一層，或者亦可存在一或多層的中介層。全文中類似之參考符號係指類似之元件。
以下將揭述配設有根據例示性實施例的有機發光二極體之有機發光顯示裝置作為實例。
第1圖繪示根據本發明之一例示性實施例之有機發光顯示裝置的橫切面圖。第2圖繪示將第1圖之有機發光二極體的一部分放大之橫切面圖。
本發明之有機發光顯示裝置可包括基板；在基板上的閘極線；在基板上的資料線及驅動電壓線；連接閘極線與資料線的切換薄膜電晶體；連接切換薄膜電晶體與驅動電壓線之驅動薄膜電晶體。然而，為了易於說明，第1圖及第2圖主要詳細繪示驅動薄膜電晶體。參考第1圖及第2圖，例示性實施例的有機發光顯示裝置可包括基板123、薄膜電晶體130、第一電極160、發光二極體層170、及第二電極180。第一電極160可為陽極且第二電極180可為陰極。在一實施例中，第一電極160可為陰極且第二電極180可為陽極。
基板123可由無機材料，如玻璃；有機材料，如聚碳酸酯(polycarbonate)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)、聚醯胺(polyamide)、或聚醚碸(polyether sulfone)；矽晶圓；或其組合製成。
基板緩衝層126可被配置於基板123上。基板緩衝層126可防止雜質滲入，且將表面平坦化。
基板緩衝層126可由各種能夠實行上述功能的材料製成。例如基板緩衝層126可包括氮化矽(SiNx)膜、氧化矽(SiOx)膜、及氧氮化矽(SiOxNy)膜之至少之一。基板緩衝層126不為必要組件，且可依照基板123之型式及製程條件而不提供。
驅動半導體層137可在基板緩衝層126上形成。驅動半導體層137可由包括多晶矽的材料製成。此外，驅動半導體層137可包括不摻有雜質(摻雜物)之通道區域135、及因在通道區域135兩側摻雜而形成的源極區域134與汲極區域136。摻雜的離子材料為P-型雜質，如硼(B)，且通常可使用B2 H6 。該雜質依薄膜電晶體之型式而定。
由氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiOx)製成的閘極絕緣層127可被配置於驅動半導體層137上。包括驅動閘極電極133之閘極配線可被配置於閘極絕緣層127上。驅動閘極電極133重疊驅動半導體層137之至少一部分，例如通道區域135。
覆蓋驅動閘極電極133之層間絕緣層128可在閘極絕緣層127上形成。可暴露驅動半導體層137之源極區域134與汲極區域136的第一接觸孔122a與第二接觸孔122b可在閘極絕緣層127及層間絕緣層128中形成。類似閘極絕緣層127，層間絕緣層128可由氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiOx)製成。
包括驅動源極電極131與驅動汲極電極132之資料配線可被配置於層間絕緣層128上。驅動源極電極131與驅動汲極電極132可分別經由第一接觸孔122a與第二接觸孔122b連接至驅動半導體層137之源極區域134與汲極區域136，第一接觸孔122a與第二接觸孔122b係形成於層間絕緣層128及閘極絕緣層127中。
驅動薄膜電晶體130可由驅動半導體層137、驅動閘極電極133、驅動源極電極131及驅動汲極電極132形成。驅動薄膜電晶體130之組態可以各種方式修改。
覆蓋資料配線之平坦化層124可在層間絕緣層128上形成。平坦化層124藉由移除階段而將表面平坦化，且可增加欲在其上形成的有機發光二極體之發射效率。暴露一部分驅動汲極電極132之第三接觸孔122c可在平坦化層124中形成。
平坦化層124可由例如聚丙烯酸酯樹脂(polyacrylates resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、酚樹脂(phenolic resin)、聚醯胺樹脂(polyamides resin)、聚醯亞胺樹脂(polyimides resin)、不飽和聚酯樹脂(unsaturated polyesters resin)、聚苯醚樹脂(poly-phenylenethers resin)、聚苯硫醚樹脂(poly-phenylenesulfides resin)、及苯并環丁烯(benzocyclobutene， BCB)之任何一或多個所製成。
在一實施例中，可不提供平坦化層124及層間絕緣層128之任何一個。
有機發光二極體的第一電極160，例如像素電極，可被配置於平坦化層124上。例如，有機發光顯示裝置可包括分別配置於複數個像素中的複數個像素電極。該複數個像素電極可彼此分開。該像素電極可經由平坦化層124之第三接觸孔122c而連接至汲極電極132。
具有暴露像素電極之開口之像素定義層125可被配置於平坦化層124上。例如，在像素定義層125之間形成分別對應像素之複數個開口。發光二極體層170可被配置於由像素定義層125形成的各開口中，且可藉像素定義層125界定形成發光二極體層170之像素區域。
像素電極可對應像素定義層125之開口而配置。在一實施例中，該像素電極可不僅對應像素定義層125之開口而配置，而是可將一部分像素電極配置於像素定義層125下而與像素定義層125重疊。
像素定義層125可由聚丙烯系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、或矽系無機材料製成。
發光二極體層170可被配置於像素電極160上。以下將詳述發光二極體層170之結構。
第二電極180，例如共用電極，可被配置於發光二極體層170上，且可形成包括像素電極、發光二極體層170、與共用電極之有機發光二極體LD。
像素電極與共用電極可由透明導電性材料、或半透明或反射性導電性材料製成。該有機發光顯示裝置可依像素電極與共用電極的材料而為頂部發射型、底部發射型、或雙面發射型。
覆蓋及保護共用電極之外塗層190可在共用電極上藉有機層形成。
薄膜封裝層121可在外塗層190上形成。薄膜封裝層121密封及保護在基板123上形成的有機發光二極體LD及驅動電路，以隔絕外部。
薄膜封裝層121可包括交錯堆疊之有機密封層121a與121c、及無機密封層121b與121d。例如在第1圖中，薄膜封裝層121可藉由交錯堆疊二有機密封層121a與121c、及二無機密封層121b與121d而形成。
以下將參考第2圖說明根據一例示性實施例的有機發光二極體。
參考第2圖，根據例示性實施例的有機發光二極體(第1圖之部分X)具有其中依序堆疊第一電極160、電洞注入層172、電洞傳輸層174、發射層175、電子傳輸層177、及第二電極180之結構。
第一電極160可為陽極，且為了易於注入電洞而可選擇選自具高功函數之材料的材料。第一電極160可為透明電極或不透明電極。第一電極160可為透明電極，且第一電極160可由厚度小的導電性氧化物，如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(SnO2 )、氧化鋅(ZnO)、或其組合；或金屬，如鋁、銀、與鎂製成。第一電極160可為不透明電極，且第一電極160可由金屬如鋁、銀、與鎂製成。
第一電極160可以包括不同種類材料之二或多層結構形成。例如，第一電極160可形成為具有其中依序堆疊氧化銦錫(ITO)/銀(Ag)/氧化銦錫(ITO)之結構。
第一電極160可藉濺射或真空沉積形成。
第一電極160上的電洞注入層172改善自第一電極160對電洞傳輸層174之電洞注入。在本例示性實施例中，電洞注入層172可包含藉由鍵結具不同極性的第一成分與第二成分而形成的偶極性材料。第一成分為當偶極性材料被離子化時會變成陽離子之元素，而第二成分為會變成陰離子之元素。
在本例示性實施例中，第一成分可為具功函數為4.3電子伏特或4.3電子伏特以上的金屬或非金屬。第一成分可包括Ag、Au、B、Be、C、Co、Cr、Cu、Fe、Hg、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Sb、Se、Si、Sn、Ta、Te、Ti、V、W、或Zn之一或多個。在一些例示性實施例中，第一成分可為具功函數為4.0電子伏特或4.0電子伏特以上的金屬或非金屬。該第一成分可包括Ag、Au、B、Be、C、Co、Cr、Cu、Fe、Hg、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Sb、Se、Si、Sn、Ta、Te、Ti、V、W、In、或Zn之一或多個。
第二成分可包括鹵素。第二成分可為F、Cl、Br、或I。
在本例示性實施例中，該偶極性材料可包括例如NiI2 、CoI2 、CuI、AgI、SnI2 、或InI3 之一或多個，且可為第一成分與第二成分之化合物。
在根據一例示性實施例的有機發光二極體中，可將具有強烈偶極性質之電洞注入層172配置於為無機材料之第一電極160、與為有機材料層之電洞傳輸層174或發射層175之界面上。
該有機材料層之真空度可偏移，且電洞注入屏障會減少。可增加界面處之電場，且可能有電洞穿隧效應。
例如具功函數為4.3電子伏特或4.3電子伏特以上(高功函數)的金屬或非金屬與鹵素之偶極性材料可能在界面處解離，且包括電洞之載體注入屏障可因金屬具有高功函數而減少。具有高功函數之金屬可氧化及捕獲界面上的電子，電子可能會分離，電洞可在有機材料層中形成，而可形成p-摻雜型界面區域，且可形成電洞注入層。
從偶極性材料解離的鹵素離子可防止第一電極160之ITO(氧化銦錫)中的In與Sn離子移動至有機材料層，且可防止例如由於In與Sn離子而造成的有機材料層結晶。在ITO表面上形成的針洞可能會被覆蓋，且可降低例如由於大氣中Ag與S鍵結所造成的膨脹。
電洞注入層172之厚度可為約25奈米至約35奈米。較佳為電洞注入層172為約30奈米厚。
電洞傳輸層174可被配置於電洞注入層172上。電洞傳輸層174可適當輸送來自電洞注入層172之電洞。電洞傳輸層174可包括有機材料。例如，電洞傳輸層174可包括NPD(N,N-二萘基-N,N’-二苯基聯苯胺(N, N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine))、TPD(N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二(苯基)-聯苯胺(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N, N'-bis-(phenyl)-benzidine))、s-TAD、以及MTDATA (4,4’,4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基胺基)-三苯基胺(4,4',4”-Tris (N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine))之至少之一。
電洞傳輸層174之厚度可為約15奈米至約25奈米。較佳為，電洞傳輸層174可為約20奈米厚。
在較佳例示性實施例中，將電洞注入層172與電洞傳輸層174堆疊。在一實施例中，電洞注入層172與電洞傳輸層174可形成為單一層。
發射層175可被配置於電洞傳輸層174上。發射層175可包括呈現指定顏色之發射材料。例如，發射層175可呈現原色，如藍色、綠色、或紅色，或這些顏色的組合。
發射層175之厚度實質上可為10奈米至50奈米。發射層175可包括主體及摻雜劑。發射層175可包括發射紅光、綠光、藍光、及白光之材料，且可由磷光或螢光材料製成。
發射層175可發射紅光，且可由例如包括主體材料，例如CBP (咔唑聯苯(carbazole biphenyl))或mCP (1,3-二(咔唑-9-基) (1,3-bis(carbazol-9-yl))；及摻雜劑，例如PIQIr(acac) (二(1-苯基異喹啉)乙醯丙酮合銥(bis (1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium))、PQIr(acac) (二(1-苯基喹啉)乙醯丙酮合銥(bis (1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium))、PQIr (三(1-苯基喹啉)合銥(tris (1-phenylquinoline)iridium))、與PtOEP (八乙基卟啉鉑(octaethylporphyrin platinum))之任一或多個之磷光材料製成，或者可由包括PBD:Eu(DBM)3(Phen)或苝之螢光材料製成。
發射層175可發射綠光，且可由例如包括主體材料，例如CBP或mCP；及摻雜材料，例如Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)合銥(fac-tris (2-phenylpyridine)iridium))之磷光材料製成，或者其可由包括Alq3(三(8-羥基喹啉)鋁(tris (8-hydroxyquinolino)aluminum))之螢光材料製成。
發射層175可發射藍光，且可由例如包括主體材料，例如CBP或mCP；及摻雜材料，例如(4,6-F2ppy)2Irpic之磷光材料製成。發射層175可由例如包括螺-DPVBi、螺-6P、二苯乙烯基苯(distyrylbenzene，DSB)、二苯乙烯基芳烴(distyrylarylene，DSA)、PFO系聚合物、以及PPV系聚合物之任一個的螢光材料製成。
電子傳輸層177可被配置於發射層175上。電子傳輸層177可將來自第二電極180之電子輸送至發射層175。電子傳輸層177可防止從第一電極160注入之電洞通過發射層175移動至第二電極180。例如電子傳輸層177可作用為電洞阻擋層，且可幫助電洞與電子在發射層175中鍵結。
電子傳輸層177可包括有機材料。例如，電子傳輸層177可由Alq3(三(8-羥基喹啉)鋁)、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq、以及SAlq之任一或多個來製成。
第二電極180可被配置於電子傳輸層177上。第二電極180可為陰極，且為了易於注入電子而可包括具低功函數的材料。例如，可使用金屬，如鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫、鉛、銫、鋇、或其合金，且可使用多層結構材料，如LiF/Al、LiO2 /Al、LiF/Ca、LiF/Al、及BaF2 /Ca。
第二電極180可由合金製成，且可依照沉積來源之溫度、大氣、及真空度而控制及適當選擇合金比例。
第二電極180可由二或多層組成。
第3圖繪示將第2圖之有機發光二極體作部分修改之例示性實施例的橫切面圖。
參考第3圖，其繪示根據第2圖之例示性實施例的有機發光二極體LD中具有電子注入層179之結構。在本例示性實施例中，電子注入層179可被配置於電子傳輸層177與第二電極180之間。電子注入層179使電子易於從第二電極180被注入至電子傳輸層177。在本例示性實施例中，電子注入層179可包括具低功函數的金屬。電子注入層179用之金屬之功函數可為約3.0電子伏特或3.0電子伏特以下。例如，電子注入層179可包括鹼金屬、鹼土金屬、稀土元素、鹼金屬氧化物、鹼土金屬氧化物、稀土氧化物、或其合金之一或多個。電子注入層179可包括Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba、Ce、Sm、Eu、Gd、Yb、或其合金之一或多個。
除了上述差異以外，相對於第2圖所述者可應用於第3圖之例示性實施例。
第4圖繪示將第2圖之有機發光二極體作部分修改之例示性實施例的橫切面圖。
參考第4圖，修改參考第2圖所述的有機發光二極體LD之發射層175。例如，在本例示性實施例中，發射層175可包括紅光發射層R、綠光發射層G、以及藍光發射層B，且可將用於改善藍光發射層B之效率的輔助層BIL配置於藍光發射層B下。
紅光發射層R可為約30奈米至約50奈米厚，綠光發射層G可為約10奈米至約30奈米厚，而藍光發射層B可為約10奈米至約30奈米厚。藍光發射層B下的輔助層BIL可為約20奈米厚或20奈米以下厚。輔助層BIL可調整電洞電荷平衡，且改善藍光發射層B之效率。輔助層BIL可包括由以下化學式1表示的化合物。
Figure 02_image005
化學式1
在化學式1中，A1、A2、與A3各可為氫、烷基、芳基、咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃(DBF)、及聯苯，且a、b、與c各可為0至4之間的正數。
由化學式1表示的化合物之實例可包括以下化學式1-1、1-2、1-3、1-4、1-5、及1-6。
Figure 02_image007
化學式1-1
Figure 02_image009
化學式1-2
Figure 02_image011
化學式1-3
Figure 02_image013
化學式1-4
Figure 02_image015
化學式1-5
Figure 02_image017
化學式1-6
另一例示性實施例為輔助層BIL可包括由以下化學式2表示的化合物。
Figure 02_image019
化學式2
在化學式2中，a為0至3，b與c各為0至3，X可選自O、N、與S，且X可各為相同或不同。
由化學式2表示的化合物之示例可包括以下化學式2-1至2-6。
Figure 02_image021
化學式2-1
Figure 02_image023
化學式2-2
Figure 02_image025
化學式2-3
Figure 02_image027
化學式2-4
Figure 02_image029
化學式2-5
Figure 02_image031
化學式2-6
另一例示性實施例為，輔助層BIL可包括由以下化學式3表示的化合物。
Figure 02_image033
化學式3
在化學式3中，A1可為烷基、芳基、咔唑、二苯并噻吩、及二苯并呋喃(DBF)，L1與L2可為
Figure 02_image035
(n為0至3)，且連接L1與L2之DBF可以咔唑或二苯并噻吩替代。
以下將揭述根據一例示性實施例的輔助層BIL之合成方法。例如揭述以下化學式1-1之合成方法。
Figure 02_image007
化學式1-1 ＜合成例＞
在氬大氣下，將6.3克之4-二苯并呋喃硼酸(4-dibenzofuran boronic acid)、4.8克之4,4’,4”-三溴三苯基胺(4, 4', 4''-tribromotriphenylamine)、104毫克(mg)之四(三苯基膦)鈀(tetrakis(triphenylphosphine) palladium)(Pd(PPh3 )4 )、48毫升之碳酸鈉(Na2 CO3 )溶液(2M)、以及48毫升之甲苯置於300毫升之三頸燒瓶中，且將其在80℃反應8小時。將反應溶液以甲苯/水萃取，且將萃取液以無水硫酸鎂(sodium sulfate)乾燥。將其在低壓下濃縮，及將獲得的粗產物經由管柱純化法精製，藉此得到3.9克之泛白黃色粉末。
參考第4圖，紅光共振輔助層R’可被配置於紅光發射層R下，及綠光共振輔助層G’可被配置於綠光發射層G下。紅光共振輔助層R’及綠光共振輔助層G’為針對各顏色(例如紅或綠色)設定振諧(resonant)距離(共振(resonance)距離)之層。在一些實施例中，未包含藍光共振輔助層。例如可不形成配置於電洞傳輸層174與藍光發射層B及輔助層BIL之間之獨立共振輔助層於對應紅光發射層R或綠光發射層G之藍光發射層B及輔助層BIL下。在一些實施例中，輔助層BIL係物理性接觸電洞傳輸層174。
雖然在第4圖中未描述，如同相對於第3圖所述的例示性實施例，電子注入層179可在第二電極180與電子傳輸層177之間形成。
除了上述差異以外，相對於第2圖所述者可應用於第4圖之例示性實施例。
第5圖繪示第2圖之有機發光二極體之經修改例示性實施例的橫切面圖。
參考第5圖，根據例示性實施例之有機發光二極體可包括第一電極260、發光二極體層270、及第二電極280。配置於第一電極260上的電洞注入層272可包括具功函數為4.3電子伏特或4.3電子伏特以上(高功函數)的金屬。使用具有高功函數的金屬可針對第一電極260與電洞傳輸層274減少電洞注入屏障。電洞注入層272可進一步包含具有不同極性的第一成分及第二成分之偶極性材料及/或具相對介電常數為10或10以上的氧化物。電洞注入層272可藉由將具功函數為4.3電子伏特或4.3電子伏特以上(高功函數)的金屬、第一成分及第二成分之偶極性材料、及具相對介電常數為10或10以上的氧化物之至少之一或至少之二或以上共沉積而形成。
在本例示性實施例中，當將偶極性材料及/或具相對介電常數為10或10以上的氧化物加入包括具功函數為4.3電子伏特或4.3電子伏特以上(高功函數)的金屬之電洞注入層272時，可在界面上發生平坦化，且穿隧效應可隨電場增加而變得更加容易。例如，在界面上製造的偶極可偏移為有機材料層的電洞傳輸層274或發射層275之真空度(及增加LUMO位階(level))，且可降低注入屏障。
此外，在根據本例示性實施例之有機發光二極體LD中，包括RbI之電洞注入層272可以非晶薄膜之型式配置於第一電極260上。當第一電極260係由ITO/Ag/ITO製成時，Ag可能傳輸通過結晶ITO至有機材料層，且可能會減損發光性質。
電洞注入層272之具功函數為4.3電子伏特或4.3電子伏特以上(高功函數)的金屬可包括Ag、Au、B、Be、C、Co、Cr、Cu、Fe、Hg、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Sb、Se、Si、Sn、Ta、Te、Ti、V、W、或Zn之一或多個。
電洞注入層272中之偶極性材料的第一成分及第二成分之偶極矩可為5德拜或5德拜以上。第一成分可包括週期表中之鹼金屬、鹼土金屬、稀土元素、或過渡金屬之一或多個，且第二成分可包括鹵素。第一成分可包括具功函數為3.0電子伏特或3.0電子伏特以上，且選自Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba、Ce、Sm、Eu、Gd、Yb、或其合金者之一或多個。
電洞注入層272中具相對介電常數為10或10以上的氧化物可包括WO3 、MoO3 、Cu2 O、Yb2 O3 、Sm2 O3 、Nb2 O3 、Gd2 O3 、Eu2 O3 之一或多個。
電洞注入層272上的電洞傳輸層274、發射層275、電子傳輸層277、及第二電極280可依循相對於第2圖所述者。
第6圖繪示將第5圖之有機發光二極體作部分修改之例示性實施例的橫切面圖。
參考第6圖，其描述根據第5圖之例示性實施例的有機發光二極體LD中具有電子注入層279之結構。在本例示性實施例中，電子注入層279可被配置於電子傳輸層277與第二電極280之間。電子注入層279可使電子易於從第二電極280被注入至電子傳輸層277。在本例示性實施例中，電子注入層279可包括具低功函數的金屬。電子注入層279用之金屬之功函數可為3.0電子伏特或3.0電子伏特以下。例如，電子注入層279可由鹼金屬、鹼土金屬、稀土元素、鹼金屬氧化物、鹼土金屬氧化物、稀土氧化物、或其合金之一或多個製成。電子注入層279可包括Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba、Ce、Sm、Eu、Gd、Yb、或其合金之一或多個。
除了上述差異以外，相對於第5圖所述者可應用於第6圖之例示性實施例。
第7圖繪示將第5圖之有機發光二極體作部分修改之例示性實施例的橫切面圖。
參考第7圖，其描述根據第5圖之例示性實施例的有機發光二極體LD中具有雙層電洞注入層272之結構。在本例示性實施例中，電洞注入層272可包括第一電洞注入層272-1及第二電洞注入層272-2。第一電洞注入層272-1及第二電洞注入層272-2各可藉由將具功函數為4.3電子伏特或4.3電子伏特以上(高功函數)的金屬、第一成分及第二成分之偶極性材料、及具相對介電常數為10或10以上的氧化物之至少之一或至少之二或以上共沉積而形成。第一電洞注入層272-1及第二電洞注入層272-2可由相同材料製成，或者可包括不同的材料。
除了上述差異以外，相對於第5圖所述者可應用於第7圖之例示性實施例。
第8圖描述將第5圖之有機發光二極體作部分修改之例示性實施例的橫切面圖。
參考第8圖，其描述根據第5圖之例示性實施例的有機發光二極體LD中具有三層電洞注入層272之結構。在本例示性實施例中，電洞注入層272可包括第一電洞注入層272-1、第二電洞注入層272-2、及第三電洞注入層272-3。第一電洞注入層272-1、第二電洞注入層272-2、及第三電洞注入層272-3各可藉由將具功函數為4.3電子伏特或4.3電子伏特以上(高功函數)的金屬、第一成分及第二成分之偶極性材料、及具相對介電常數為10或10以上的氧化物之至少之一或至少之二或以上共沉積而形成。第一電洞注入層272-1、第二電洞注入層272-2、及第三電洞注入層272-3可由相同的材料製成，或者可包括不同的材料。
除了上述差異以外，相對於第5圖所述者可應用於第8圖之例示性實施例。
第9圖繪示將第5圖之有機發光二極體作部分修改之例示性實施例的橫切面圖。
參考第9圖，其修改參考第5圖所述的有機發光二極體LD之發射層275。例如，在本例示性實施例中，發射層275可包括紅光發射層R、綠光發射層G、與藍光發射層B，且可將用於改善藍光發射層B之效率的輔助層BIL配置於藍光發射層B下。
紅光發射層R、綠光發射層G、藍光發射層B、及藍光發射層B下的輔助層BIL之說明可參照相對於第4圖所述者。
參考第9圖，紅光共振輔助層R’可被配置於紅光發射層R下，且綠光共振輔助層G’可被配置於綠光發射層G下。紅光共振輔助層R’及綠光共振輔助層G’為針對各顏色(例如紅或綠色)設定振諧距離(共振距離)之層。在一些實施例中，未包含藍光共振輔助層。例如，可不形成配置於電洞傳輸層274與藍光發射層B及輔助層BIL之間的獨立共振輔助層於對應紅光發射層R或綠光發射層G之藍光發射層B及輔助層BIL下。在一些實施例中，輔助層BIL係物理性接觸電洞傳輸層274。
雖然在第9圖中未描述，但如同相對於第6圖所述的例示性實施例，電子注入層279可在第二電極280與電子傳輸層277之間形成。
除了上述差異以外，相對於第5圖所述者可應用於第9圖之例示性實施例。
藉由總結及回顧，為自發光型之有機發光顯示裝置可具有大視角、優良對比度、及快速回應性。有機發光顯示裝置可包括有機發光二極體，從一電極注入的電子與從另一電極注入的電洞可在發射層結合而可產生激子，該激子可發射能量而可發光。
本發明提供一種可具有高效率及長使用壽命之有機發光二極體、及一種包含該有機發光二極體之有機發光顯示裝置。根據一例示性實施例，可形成包含偶極性材料之電洞注入層，且可增加發射效率。根據一例示性實施例，其可在藍光發射層下形成輔助層，且可增加藍光發射層之發射效率。
現已在此揭示例示性實施例，且雖然使用指定術語，但其僅以一般性及說明性方式使用及解讀，而非用於限制目的。如對本申請案所屬技術領域中具有通常知識者而言為顯而易知的，在一些情況中，除非另有特定地指示，否則搭配特定實施例所述之特點、特徵、及/或要素可單獨或結合搭配其他實施例所述之特點、特徵、及/或要素而使用。因此，所屬技術領域中具有通常知識者將了解的是，可進行各種形式及細節之變化而不背離由以下申請專利範圍所述的本發明之精神及範圍。
121‧‧‧薄膜封裝層 121a、121c‧‧‧有機密封層 121b、121d‧‧‧無機密封層 122a‧‧‧第一接觸孔 122b‧‧‧第二接觸孔 122c‧‧‧第三接觸孔 123‧‧‧基板 124‧‧‧平坦化層 125‧‧‧像素定義層 126‧‧‧基板緩衝層 127‧‧‧閘極絕緣層 128‧‧‧層間絕緣層 130‧‧‧薄膜電晶體 131‧‧‧驅動源極電極 132‧‧‧驅動汲極電極 133‧‧‧驅動閘極電極 134‧‧‧源極區域 135‧‧‧通道區域 136‧‧‧汲極區域 137‧‧‧驅動半導體層 160、260‧‧‧第一電極 170、270‧‧‧發光二極體層 172、272‧‧‧電洞注入層 174、274‧‧‧電洞傳輸層 175、275‧‧‧發射層 177、277‧‧‧電子傳輸層 179、279‧‧‧電子注入層 180、280‧‧‧第二電極 190‧‧‧外塗層 272-1‧‧‧第一電洞注入層 272-2‧‧‧第二電洞注入層 272-3‧‧‧第三電洞注入層 B‧‧‧藍光發射層 BIL‧‧‧輔助層 LD‧‧‧有機發光二極體 X‧‧‧部分 R‧‧‧紅光發射層 R’‧‧‧紅光共振輔助層 G‧‧‧綠光發射層 G’‧‧‧綠光共振輔助層
對於所屬技術領域中具有通常知識者而言本發明之特點藉由參考附圖來詳細說明例示性實施例將變得顯而易知，其中：
第1圖繪示根據一例示性實施例之有機發光顯示裝置的橫切面圖；
第2圖繪示將第1圖之有機發光二極體放大之橫切面圖；
第3圖繪示將第2圖之有機發光二極體作部分修改之例示性實施例的橫切面圖；
第4圖繪示將第2圖之有機發光二極體作部分修改之例示性實施例的橫切面圖；
第5圖繪示第2圖之有機發光二極體之經修改例示性實施例的橫切面圖；
第6圖繪示將第5圖之有機發光二極體作部分修改之例示性實施例的橫切面圖；
第7圖繪示將第5圖之有機發光二極體作部分修改之例示性實施例的橫切面圖；
第8圖繪示將第5圖之有機發光二極體作部分修改之例示性實施例的橫切面圖；及
第9圖繪示將第5圖之有機發光二極體作部分修改之例示性實施例的橫切面圖。
121‧‧‧薄膜封裝層
121a、121c‧‧‧有機密封層
121b、121d‧‧‧無機密封層
122a‧‧‧第一接觸孔
122b‧‧‧第二接觸孔
122c‧‧‧第三接觸孔
123‧‧‧基板
124‧‧‧平坦化層
125‧‧‧像素定義層
126‧‧‧基板緩衝層
127‧‧‧閘極絕緣層
128‧‧‧層間絕緣層
130‧‧‧薄膜電晶體
131‧‧‧驅動源極電極
132‧‧‧驅動汲極電極
133‧‧‧驅動閘極電極
134‧‧‧源極區域
135‧‧‧通道區域
136‧‧‧汲極區域
137‧‧‧驅動半導體層
160‧‧‧第一電極
170‧‧‧發光二極體層
180‧‧‧第二電極
190‧‧‧外塗層
LD‧‧‧有機發光二極體
X‧‧‧部分

Claims (13)

  1. 一種有機發光顯示裝置，其包含：一基板；一閘極線，在該基板上；一資料線及一驅動電壓線，在該基板上；一切換薄膜電晶體，連接至該閘極線與該資料線；一驅動薄膜電晶體，連接至該切換薄膜電晶體與該驅動電壓線；以及一有機發光二極體，連接至該驅動薄膜電晶體，其中該有機發光二極體包括：一第一電極及一第二電極，其彼此面對；一發射層，位於該第一電極與該第二電極之間；以及一電洞注入層，位於該第一電極與該發射層之間，該電洞注入層包含具不同極性的一第一成分及一第二成分之一偶極性材料，其中該發射層包括一紅光發射層、一綠光發射層、及一藍光發射層，且進一步包括位於該藍光發射層下的一輔助層，且該輔助層包括由以下化學式2表示的化合物：
    Figure 104127236-A0305-02-0038-1
     其中a為0至3，b與c各為0至3，X選自O、N、與S，且各X為相同或不同的。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中：該第一成分為具功函數為4.0電子伏特或4.0電子伏特以上的金屬或非金屬，以及該第二成分包括鹵素。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一成分包括Ag、Au、B、Be、C、Co、Cr、Cu、Fe、Hg、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Sb、Se、Si、Sn、Ta、Te、Ti、V、W、In、或Zn之一或多個。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二成分包括F、Cl、Br、或I之一或多個。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示裝置，其中該偶極性材料包括NiI2、CoI2、CuI、AgI、SnI2、或InI3之一或多個。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該偶極性材料之一偶極矩為5德拜(Debye)或5德拜以上。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光顯示裝置，其中：該第一成分包括鹼金屬、鹼土金屬、稀土元素、或過渡金屬之一或多個，以及該第二成分包括鹵素。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一成分具有3.0電子伏特或3.0電子伏特以下的功函數，且包括Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba、Ce、Sm、Eu、Gd、Yb、或其合金之一或多個。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，其中該電洞注入層進一步包括具功函數為4.3電子伏特或4.3電子伏特以上的金屬。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中具功函數為4.3電子伏特或4.3電子伏特以上的金屬包括Ag、Au、B、Be、C、Co、Cr、Cu、Fe、Hg、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Sb、Se、Si、Sn、Ta、Te、Ti、V、W、或Zn之一或多個。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該電洞注入層進一步包括具相對介電常數為10或10以上的氧化物。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中該氧化物包括WO3、MoO3、Cu2O、Yb2O3、Sm2O3、Nb2O3、Gd2O3、或Eu2O3之一或多個。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其進一步包含配置於該紅光發射層下的一紅光共振輔助層、及配置於該綠光發射層下的一綠光共振輔助層。
TW104127236A 2014-08-21 2015-08-20 包含有機發光二極體之有機發光顯示裝置 TWI703751B (zh)

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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101733151B1 (ko) * 2014-08-21 2017-05-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102343655B1 (ko) * 2014-12-24 2021-12-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102543575B1 (ko) 2016-04-07 2023-06-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US20170294628A1 (en) * 2016-04-07 2017-10-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Diode and Light Emitting Diode Display
JP6664514B2 (ja) 2016-05-10 2020-03-13 エルジー・ケム・リミテッド 有機電界発光素子およびその製造方法
KR102522667B1 (ko) * 2016-06-13 2023-04-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102642330B1 (ko) 2016-07-19 2024-03-05 삼성디스플레이 주식회사 유기발광소자 및 이를 포함하는 표시장치
KR102708001B1 (ko) 2017-02-15 2024-09-20 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102362185B1 (ko) * 2017-06-21 2022-02-11 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
JP7253502B2 (ja) * 2018-01-29 2023-04-06 出光興産株式会社 化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20200072647A (ko) * 2018-12-12 2020-06-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102169567B1 (ko) 2018-12-21 2020-10-23 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102169568B1 (ko) 2018-12-21 2020-10-23 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20210090331A (ko) * 2020-01-09 2021-07-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
CN113540368A (zh) * 2020-04-20 2021-10-22 Tcl科技集团股份有限公司 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
KR102820733B1 (ko) * 2020-08-21 2025-06-16 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 및 그 제조방법
CN114512617A (zh) * 2020-11-17 2022-05-17 京东方科技集团股份有限公司 一种发光器件、显示装置和发光器件的制作方法
CN115176523A (zh) 2020-12-17 2022-10-11 京东方科技集团股份有限公司 蓝色有机电致发光器件、显示面板和显示装置
CN112635691B (zh) * 2020-12-31 2022-07-12 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及阵列基板的制作方法
KR20220102708A (ko) 2021-01-13 2022-07-21 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200727739A (en) * 2006-01-13 2007-07-16 Au Optronics Corp Organic electro-luminescence device
TW200936545A (en) * 2007-12-21 2009-09-01 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent device
TW200943600A (en) * 2007-04-03 2009-10-16 Univ Tsinghua Organic electroluminescent device
TW201004010A (en) * 2008-04-17 2010-01-16 Fuji Electric Holdings Organic light emitting diode device
TW201248963A (en) * 2011-03-04 2012-12-01 Sony Corp Organic EL display device and method of manufacturing the same
TW201426994A (zh) * 2012-12-27 2014-07-01 Lg Display Co Ltd 有機發光二極體顯示裝置及其製造方法

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5837166A (en) * 1993-09-29 1998-11-17 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and arylenediamine derivative
JP3529543B2 (ja) 1995-04-27 2004-05-24 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5677572A (en) 1996-07-29 1997-10-14 Eastman Kodak Company Bilayer electrode on a n-type semiconductor
KR101200860B1 (ko) 2004-05-28 2012-11-13 글로벌 오엘이디 테크놀러지 엘엘씨 안정한 중간 연결부를 갖는 직렬식 ｏｌｅｄ
KR101030008B1 (ko) 2004-12-31 2011-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광 소자
US8007927B2 (en) * 2007-12-28 2011-08-30 Universal Display Corporation Dibenzothiophene-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
KR100741104B1 (ko) 2005-12-30 2007-07-20 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자
JP2009044104A (ja) 2007-08-10 2009-02-26 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及び製造方法
KR100922755B1 (ko) 2007-12-28 2009-10-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
KR100922759B1 (ko) 2008-02-26 2009-10-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
WO2010028262A1 (en) * 2008-09-04 2010-03-11 Universal Display Corporation White phosphorescent organic light emitting devices
EP2377181B1 (en) * 2008-12-12 2019-05-01 Universal Display Corporation Improved oled stability via doped hole transport layer
KR101609275B1 (ko) * 2008-12-16 2016-04-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2011074633A1 (ja) 2009-12-16 2011-06-23 パナソニック電工株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101647134B1 (ko) 2010-03-29 2016-08-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
JP5653179B2 (ja) * 2010-11-05 2015-01-14 キヤノン株式会社 フェナンスレン化合物及びこれを用いた有機発光素子
US10276637B2 (en) * 2011-05-13 2019-04-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic EL multi-color light-emitting device
KR20130022986A (ko) 2011-08-26 2013-03-07 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광표시장치
CN103050641B (zh) 2011-10-14 2016-03-02 乐金显示有限公司 有机发光器件和使用该器件的显示板
JP6044010B2 (ja) * 2012-07-31 2016-12-14 エルジー・ケム・リミテッド 有機電子素子用基板
KR101497138B1 (ko) * 2012-08-21 2015-02-27 제일모직 주식회사 유기광전자소자 및 이를 포함하는 표시장치
KR101975570B1 (ko) 2012-11-06 2019-08-26 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR101684979B1 (ko) 2012-12-31 2016-12-09 제일모직 주식회사 유기광전자소자 및 이를 포함하는 표시장치
KR101998627B1 (ko) 2013-01-25 2019-07-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광소자 및 그의 제조방법
US9391124B2 (en) * 2013-07-02 2016-07-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
KR102231935B1 (ko) * 2013-08-05 2021-03-25 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
US9853229B2 (en) * 2013-10-23 2017-12-26 University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
US9450198B2 (en) * 2014-04-15 2016-09-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR101668030B1 (ko) * 2014-08-21 2016-10-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
US10236464B2 (en) * 2014-08-21 2019-03-19 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode
KR101733151B1 (ko) * 2014-08-21 2017-05-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
US10003041B2 (en) * 2014-08-21 2018-06-19 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode and organic light emitting display device including the same
KR102343279B1 (ko) * 2014-10-01 2021-12-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102343655B1 (ko) * 2014-12-24 2021-12-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102277378B1 (ko) * 2015-01-19 2021-07-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102459818B1 (ko) * 2015-05-06 2022-10-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20160141931A (ko) * 2015-06-01 2016-12-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102392044B1 (ko) * 2015-06-15 2022-04-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102407115B1 (ko) * 2015-06-25 2022-06-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102545675B1 (ko) * 2016-05-11 2023-06-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200727739A (en) * 2006-01-13 2007-07-16 Au Optronics Corp Organic electro-luminescence device
TW200943600A (en) * 2007-04-03 2009-10-16 Univ Tsinghua Organic electroluminescent device
TW200936545A (en) * 2007-12-21 2009-09-01 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent device
TW201004010A (en) * 2008-04-17 2010-01-16 Fuji Electric Holdings Organic light emitting diode device
TW201248963A (en) * 2011-03-04 2012-12-01 Sony Corp Organic EL display device and method of manufacturing the same
TW201426994A (zh) * 2012-12-27 2014-07-01 Lg Display Co Ltd 有機發光二極體顯示裝置及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160023992A (ko) 2016-03-04
CN105390522B (zh) 2020-10-30
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US10367163B2 (en) 2019-07-30
KR101733151B1 (ko) 2017-05-08
TW201614892A (en) 2016-04-16
CN105390522A (zh) 2016-03-09

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