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TWI702441B - 拼接顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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TWI702441B
TWI702441B TW108117380A TW108117380A TWI702441B TW I702441 B TWI702441 B TW I702441B TW 108117380 A TW108117380 A TW 108117380A TW 108117380 A TW108117380 A TW 108117380A TW I702441 B TWI702441 B TW I702441B
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Taiwan
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thin film
film transistor
display device
front panel
spliced display
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TW108117380A
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馬禎妘
林勝隆
法蘭契 伊恩
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元太科技工業股份有限公司
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Abstract

一種拼接顯示裝置包含支撐件、複數個薄膜電晶體基板、前面板與保護片。薄膜電晶體基板位於支撐件上且彼此相鄰。前面板位於薄膜電晶體基板上，且具有透光膜、透明導電層與顯示介質層。透明導電層位於透光膜的底面上。顯示介質層位於透明導電層與薄膜電晶體基板之間。保護片位於前面板的頂面上。

Description

拼接顯示裝置及其製造方法
本案是有關於一種拼接顯示裝置與一種拼接顯示裝置的製造方法。
目前的反射式顯示裝置若希望達到大尺寸顯示的目的，須以多個反射式顯示面板拼接而成。然而，相鄰的面板與面板之間會因各組件的製程公差與組裝公差而產生間隙。舉例來說，薄膜電晶體(TFT)基板的切割能力公差、上保護片與薄膜電晶體基板的間距(安全公差)、前面板(Front panel laminate；FPL)與薄膜電晶體基板的間距(安全公差)。這些公差將會累積而造成拼接顯示裝置的接縫過大影響視覺效果。
本發明之一技術態樣為一種拼接顯示裝置。
根據本發明一實施方式，一種拼接顯示裝置包含支撐件、複數個薄膜電晶體基板、前面板與保護片。薄膜電晶體基板位於支撐件上且彼此相鄰。前面板位於薄膜電晶體基板 上，且具有透光膜、透明導電層與顯示介質層。透明導電層位於透光膜的底面上。顯示介質層位於透明導電層與薄膜電晶體基板之間。保護片位於前面板的頂面上。
在本發明一實施方式中，上述薄膜電晶體基板之相鄰兩者之間的間距介於10μm至200μm的範圍。
在本發明一實施方式中，上述拼接顯示裝置更包含黏膠層。黏膠層位於薄膜電晶體基板與支撐件之間。
在本發明一實施方式中，上述黏膠層為光學透明膠或雙面膠。
在本發明一實施方式中，上述支撐件為撓性基板。
在本發明一實施方式中，上述支撐件的材質為玻璃、壓克力、碳纖維、石墨烯或金屬。
在本發明一實施方式中，上述支撐件的面積大於薄膜電晶體基板的面積和。
在本發明一實施方式中，上述薄膜電晶體基板的面積和大於保護片的面積，且保護片的面積大於前面板的面積。
在本發明一實施方式中，上述每一薄膜電晶體基板的邊緣具有接合區，且接合區彼此相鄰。
在本發明一實施方式中，上述薄膜電晶體基板的延伸方向平行接合區的延伸方向。
本發明之一技術態樣為一種拼接顯示裝置的製造方法。
根據本發明一實施方式，一種拼接顯示裝置的製造方法包含將複數個薄膜電晶體基板設置於支撐件上，使薄膜電晶體基板彼此相鄰；將前面板設置於薄膜電晶體基板上，其中前面板的透明導電層位於前面板的透光膜的底面上，且前面板的顯示介質層位於透明導電層與薄膜電晶體基板之間；以及將保護片設置於前面板的頂面上。
在本發明一實施方式中，上述製造方法更包含沿母薄膜電晶體基板的複數個主動區的邊緣形成複數個切割區，其中切割區分別位於主動區外；以及沿切割區切割母薄膜電晶體基板以形成薄膜電晶體基板。
在本發明一實施方式中，是以雷射切割的方式切割母薄膜電晶體基板的切割區。
在本發明一實施方式中，是以貼合的方式將薄膜電晶體基板設置於支撐件上。
在本發明一實施方式中，是藉由光罩對位標記將薄膜電晶體基板設置於支撐件上。
在本發明上述實施方式中，由於只用單一前面板(Front panel laminate；FPL)設置在複數個薄膜電晶體基板上，並只用單一保護片設置在前面板上，因此前面板邊緣與薄膜電晶體基板邊緣之間的間距(安全公差)、及保護片邊緣與薄膜電晶體基板邊緣之間的間距(安全公差)的限制便可消除，僅剩下薄膜電晶體基板之間的間距(即切割能力公差)影響接縫處大小，可大幅降低視覺上的影響。此外，由於此拼接顯示裝置實際上只有薄膜電晶體基板是拼接的，接縫處上方有前面板 與保護片覆蓋，因此還可進一步提升視覺效果。本揭露之拼接顯示裝置可改善到人眼不可見的接縫處。
100‧‧‧拼接顯示裝置
110‧‧‧支撐件
120‧‧‧母薄膜電晶體基板
120a、120b、120c、120d、120e、120f‧‧‧薄膜電晶體基板
121a、121b‧‧‧邊緣
122a、122b、122c、122d、122e、122f‧‧‧接合區
123a、123b、123c、123d、123e、123f‧‧‧主動區
124a、124b‧‧‧邊緣
125a、125b‧‧‧切割區
130‧‧‧前面板
132‧‧‧透光膜
133‧‧‧底面
134‧‧‧透明導電層
135‧‧‧頂面
136‧‧‧顯示介質層
137‧‧‧微膠囊
140‧‧‧保護片
150‧‧‧黏膠層
2-2‧‧‧線段
d‧‧‧間距
D1、D2‧‧‧延伸方向
L‧‧‧線
S1、S2、S3‧‧‧步驟
第1圖繪示根據本發明一實施方式之拼接顯示裝置的俯視圖。
第2圖繪示第1圖之拼接顯示裝置沿線段2-2的剖面圖。
第3圖繪示第2圖之前面板的局部放大圖。
第4圖繪示第1圖之薄膜電晶體基板的放大圖。
第5圖繪示根據本發明一實施方式之薄膜電晶體基板的放大圖。
第6圖繪示根據本發明一實施方式之拼接顯示裝置的製造方法的流程圖。
第7圖繪示根據本發明一實施方式之母薄膜電晶體基板切割前的俯視圖。
以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明確說明，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。
第1圖繪示根據本發明一實施方式之拼接顯示裝置100的俯視圖。第2圖繪示第1圖之拼接顯示裝置100沿線段2-2的剖面圖。同時參閱第1圖與第2圖，拼接顯示裝置100包含支撐件110、複數個薄膜電晶體(Thin film transistor；TFT)基板120a、120b、前面板(Front panel laminate；FPL)130與保護片140。薄膜電晶體基板120a、120b位於支撐件110上且彼此相鄰。前面板130位於薄膜電晶體基板120a、120b上。也就是說，前面板130的一部分位於薄膜電晶體基板120a上，另一部分位於薄膜電晶體基板120b上。薄膜電晶體基板的數量並不用以限制本發明。此外，保護片140位於前面板130的頂面135上，也就是位在前面板130相對於薄膜電晶體基板120a、120b的表面上。
由於拼接顯示裝置100只用單一前面板130設置在薄膜電晶體基板120a、120b上，並只用單一保護片140設置在前面板130上，因此傳統上之前面板邊緣與薄膜電晶體基板邊緣之間的間距(安全公差)、及傳統上之保護片邊緣與薄膜電晶體基板邊緣之間的間距(安全公差)的限制便可消除，不需擔心相鄰兩片前面板或相鄰兩片保護片在組裝時彼此摩擦、撞擊、重疊而特意分開，進而影響視覺效果。
如此一來，拼接顯示裝置100僅剩下薄膜電晶體基板120a、120b之間的間距d(即切割能力公差)影響接縫處大小，可大幅降低視覺上的影響。此外，由於此拼接顯示裝置100實際上只有薄膜電晶體基板120a、120b是拼接的，接縫處上方有前面板130與保護片140覆蓋，因此還可進一步提升視覺 效果。
本揭露之拼接顯示裝置100可改善到人眼不可見的接縫處。在本實施方式中，兩相鄰之薄膜電晶體基板120a、120b之間的間距d可介於10μm至200μm的範圍，當間距d降低至50μm以下，可達人眼不可見的接縫。
此外，拼接顯示裝置100更包含黏膠層150。黏膠層150位於薄膜電晶體基板120a、120b與支撐件110之間。黏膠層150可以為光學透明膠(Optical clear adhesive；OCA)或雙面膠。光學透明膠可塗佈於薄膜電晶體基板120a、120b的底面或支撐件110的頂面上，並不用以限制本發明。
在本實施方式中，支撐件110可以為撓性基板。支撐件110的材質可以為玻璃、壓克力、碳纖維、石墨烯或金屬。此外，由第1圖可知，支撐件110的面積大於薄膜電晶體基板120a、120b的面積和。薄膜電晶體基板120a、120b的面積和大於保護片140的面積，且保護片140的面積大於前面板130的面積。前面板130可例如是一微膠囊電泳(Microcapsule)顯示面板、一微杯電泳(MicroCup)顯示面板或其他合適的顯示面板，並不限於此。
第3圖繪示第2圖一實施例之前面板130的局部放大圖。同時參閱第2圖與第3圖，前面板130具有透光膜132、透明導電層134與顯示介質層136。透明導電層134位於透光膜132的底面133上。在本實施方式中，透明導電層134的材質可以包含銦錫氧化物(ITO)，但並不以此為限。顯示介質層136位於透明導電層134與薄膜電晶體基板120a之間及透明導電 層134與薄膜電晶體基板120b之間。顯示介質層136具有複數個微膠囊137，每一微膠囊137其內具有複數個帶電粒子，例如黑色粒子與白色粒子，但並不用以限制本發明。
第4圖繪示第1圖之薄膜電晶體基板120a、120b的放大圖。在本實施方式中，薄膜電晶體基板120a的下側邊緣121a具有接合區122a，薄膜電晶體基板120b的下側邊緣121b具有接合區122b，且接合區122a、122b彼此相鄰。接合區122a、122b可電性連接外部電子裝置，以控制薄膜電晶體基板120a的主動區(即畫素區)123a與薄膜電晶體基板120b的主動區123b。此外，薄膜電晶體基板120a、120b的延伸方向D1(即拼接的長度方向)平行接合區122a、122b的延伸方向D2，其拼接數量不用以限制本發明。
第5圖繪示根據本發明一實施方式之薄膜電晶體基板120a、120b、120c、120d、120e、120f的放大圖。與第4圖實施方式不同的地方在於薄膜電晶體基板120a、120b、120c、120d、120e、120f的數量為六。在本實施方式中，薄膜電晶體基板120d、120e、120f的接合區122d、122e、122f位於薄膜電晶體基板120d、120e、120f的上側邊緣，薄膜電晶體基板120a、120b、120c的接合區122a、122b、122c位於薄膜電晶體基板120a、120b、120c的下側邊緣。薄膜電晶體基板120a、120b、120c、120d、120e、120f之其中相鄰兩者之間的間距d除了可於水平方向延伸外，也可於垂直方向延伸。間距d可介於10μm至200μm的範圍，當間距d降低至50μm以下，可達人眼不可見的接縫。此外，薄膜電晶體基板 120a、120b、120c、120d、120e、120f分別具有主動區123a、123b、123c、123d、123e、123f，可顯示較第4圖更大尺寸的拼接影像。
應瞭解到，已敘述過的元件連接關係、材料與功效將不再重複贅述，合先敘明。在以下敘述中，將說明第1圖之拼接顯示裝置100的製造方法。
第6圖繪示根據本發明一實施方式之拼接顯示裝置的製造方法的流程圖。拼接顯示裝置的製造方法包含下列步驟。首先在步驟S1中，拼接顯示裝置的製造方法包含將複數個薄膜電晶體基板設置於支撐件上，使薄膜電晶體基板彼此相鄰。接著在步驟S2中，將前面板設置於薄膜電晶體基板上，其中前面板的透明導電層位於前面板的透光膜的底面上，且前面板的顯示介質層位於透明導電層與薄膜電晶體基板之間。之後在步驟S3中，將保護片設置於前面板的頂面上。
在以下敘述中，將說明上述各步驟。
第7圖繪示根據本發明一實施方式之母薄膜電晶體基板120切割前的俯視圖。在第6圖的步驟S1之前，可沿母薄膜電晶體基板120的主動區123a、123b的邊緣124a、124b分別形成複數個切割區125a、125b。切割區125a、125b分別位於主動區123a、123b外。切割區125a可以為主動區123a右側預留的一欄畫素區，切割區125b可以為主動區123b左側預留的一欄畫素區。接著，可沿切割區125a、125b(即沿線L)切割母薄膜電晶體基板120，以形成薄膜電晶體基板120a、120b。在本實施方式中，可採雷射切割的方式切割母薄膜電 晶體基板120的切割區125a、125b。
同時參閱第2圖與第6圖，待得到薄膜電晶體基板120a、120b後，可將薄膜電晶體基板120a、120b設置於支撐件110上，使薄膜電晶體基板120a、120b彼此相鄰。在本實施方式中，可採貼合的方式將薄膜電晶體基板120a、120b設置於支撐件110上，例如以光學透明膠或雙面膠的黏膠層150貼合。在步驟S1中，為了進一步縮減第2圖的間距d，還可藉由光罩對位標記將薄膜電晶體基板120a、120b精確地設置於支撐件110上。
接著在步驟S2中，將前面板130設置於薄膜電晶體基板120a、120b上。前面板130的透明導電層134(見第3圖)位於前面板130的透光膜132的底面133(見第3圖)上，且前面板130的顯示介質層136(見第3圖)位於透明導電層134與薄膜電晶體基板120a、120b之間。之後在步驟S3中，便可將保護片140設置於前面板130的頂面135上，而得到第1圖的拼接顯示裝置100。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧拼接顯示裝置
110‧‧‧支撐件
120a、120b‧‧‧薄膜電晶體基板
130‧‧‧前面板
135‧‧‧頂面
140‧‧‧保護片
150‧‧‧黏膠層
d‧‧‧間距

Claims (15)

  1. 一種拼接顯示裝置，包含：一支撐件；複數個薄膜電晶體基板，位於該支撐件上且彼此相鄰，其中該些薄膜電晶體基板之相鄰兩者之間有一間距；一前面板，位於該些薄膜電晶體基板上，且具有一透光膜、一透明導電層與一顯示介質層，其中該透明導電層位於該透光膜的底面上，該顯示介質層位於該透明導電層與該些薄膜電晶體基板之間；以及一保護片，位於該前面板相對於該些薄膜電晶體基板的另一面上。
  2. 如請求項1所述的拼接顯示裝置，其中該些薄膜電晶體基板之相鄰兩者之間的該間距介於10μm至200μm的範圍。
  3. 如請求項1所述的拼接顯示裝置，更包含：一黏膠層，位於該些薄膜電晶體基板與該支撐件之間。
  4. 如請求項3所述的拼接顯示裝置，其中該黏膠層為光學透明膠或雙面膠。
  5. 如請求項1所述的拼接顯示裝置，其中該支撐件為撓性基板。
  6. 如請求項1所述的拼接顯示裝置，其中該支撐件的材質為玻璃、壓克力、碳纖維、石墨烯或金屬。
  7. 如請求項1所述的拼接顯示裝置，其中該支撐件的面積大於該些薄膜電晶體基板的面積和。
  8. 如請求項1所述的拼接顯示裝置，其中該些薄膜電晶體基板的面積和大於該保護片的面積，且該保護片的面積大於該前面板的面積。
  9. 如請求項1所述的拼接顯示裝置，其中每一該些薄膜電晶體基板的一邊緣具有一接合區，且該些接合區彼此相鄰。
  10. 如請求項9所述的拼接顯示裝置，其中該些薄膜電晶體基板的延伸方向平行該些接合區的延伸方向。
  11. 一種拼接顯示裝置的製造方法，包含：將複數個薄膜電晶體基板設置於一支撐件上，使該些薄膜電晶體基板彼此相鄰；將一前面板設置於該些薄膜電晶體基板上，其中該前面板的一透明導電層位於該前面板的一透光膜的底面上，且該前面板的一顯示介質層位於該透明導電層與該些薄膜電晶體基板之間；以及將一保護片設置於該前面板的頂面上。
  12. 如請求項11所述的拼接顯示裝置的製造方法，更包含：沿一母薄膜電晶體基板的複數個主動區的邊緣形成複數個切割區，其中該些切割區分別位於該些主動區外；以及沿該些切割區切割該母薄膜電晶體基板以形成該些薄膜電晶體基板。
  13. 如請求項12所述的拼接顯示裝置的製造方法，其中是以雷射切割的方式切割該母薄膜電晶體基板的該些切割區。
  14. 如請求項11所述的拼接顯示裝置的製造方法，其中是以貼合的方式將該薄膜電晶體基板設置於該支撐件上。
  15. 如請求項11所述的拼接顯示裝置的製造方法，其中是藉由光罩對位標記將該些薄膜電晶體基板設置於該支撐件上。
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