TWI701275B - 長條薄膜及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種長條薄膜，係由含有具有結晶性的聚合物之樹脂所構成之長條薄膜，前述長條薄膜的配向軸，相對於前述長條薄膜的長邊方向為垂直，前述長條薄膜的Nz係數Nz1為滿足(式1)，前述長條薄膜的雙折射△n為滿足(式2)，且前述聚合物的結晶化度X為滿足(式3)。
1.0≦Nz1≦1.15 (式1)
0.01≦△n≦0.1 (式2)
15%≦X (式3)
Description
本發明係有關於一種長條薄膜及其製造方法。
液晶顯示裝置、有機電激發光顯示裝置等的影像顯示裝置，設置有各式各樣的光學薄膜。例如，為了所顯示的影像之光學補償，有在影像顯示裝置設置相位差膜之情形。此種相位差薄膜等的光學薄膜，係例如藉由將由樹脂所構成的坯膜進行延伸，而製造成長條薄膜，並切取成為所需要的大小而使用(參照專利文獻1~3)。
[專利文獻1]日本特開2013-151162號公報
[專利文獻2]日本特許第5503975號公報
[專利文獻3]日本特開2014-221550號公報
在如前述的光學薄膜，係有要求該光學薄膜的Nz係數為接近1.0之情形。Nz係數為接近1.0之光學薄膜，係例如能夠藉由對坯膜施行自由單軸延伸處理來製造。在此，所謂
自由單軸延伸處理，係指在某一方向之延伸處理且不對被延伸方向以外的方向施加拘束力之處理。
此種自由單軸延伸處理，通常藉由將長條坯膜在長度方向進行延伸之縱向單軸延伸處理來進行。但是，在縱向單軸延伸處理，因為不會對薄膜寬度方向施加拘束力，所以薄膜寬度縮小。因此，製造薄膜寬度較寬闊的光學薄膜是困難的，所以製造效率不高。
作為以較高的製造效率來製造薄膜寬度較寬闊的光學薄膜之方法，可舉出使用拉幅裝置之延伸處理。通常，拉幅裝置係藉由採用該拉幅裝置的把持件將坯膜的兩端部把持，且將坯膜拉伸來進行延伸處理。但是，通常採用拉幅裝置之延伸處理係具有雙軸性，因為在延伸方向以外亦對坯膜施加拘束力，所以難以使Nz係數接近1.0。這點在專利文獻1~3，係有記載能夠製造Nz係數為接近1.0的光學薄膜之意旨。但是，在專利文獻1~3記載的方法，因為要求特殊構造的延伸裝置，所以導入成本變高。因此，要求開發一種能夠使用與先前不同的製造方法，來製造具有接近1.0的Nz係數之光學薄膜。
因此，本發明者進行研討時，發現以較大的延伸倍率進行延伸處理時，能夠藉由使用拉幅延伸機的延伸處理來製造Nz係數為接近1.0的光學薄膜。但是，增大延伸倍率時，所製造的光學薄膜之雙折射△n變為過大。具有過大的雙折射△n之光學薄膜，通常被要求將厚度薄化，以得到所需要的光學特性。但是，如此雙折射△n較大且厚度較薄的光學薄膜，因厚度偏差所造成的影響有變大之傾向。因此，難以控制遲滯
值等的光學特性，而使其作為光學薄膜的性能容易變低。
本發明係鑒於前述的課題而發明，其目的係提供一種Nz係數為接近1.0的長條薄膜及其製造方法；該長條薄膜能夠使用與先前不同的新穎製造方法來製造，且能夠使用作為光學薄膜。
為了解決前述的課題，本發明者專心研討之結果，發現藉由以下的製造方法，能夠製造可使用作為光學薄膜之Nz係數為接近1.0的長條薄膜，而完成了本發明；該製造方法包含：對由含有具有結晶性的聚合物之樹脂所構成之長條坯膜，在寬度方向施行延伸處理之步驟；及隨後施行加熱處理之步驟。亦即，本發明係如下述。
[1]一種長條薄膜，係由含有具有結晶性的聚合物之樹脂所構成之長條薄膜，前述長條薄膜的配向軸，相對於前述長條薄膜的長邊方向為垂直，前述長條薄膜的Nz係數Nz1為滿足(式1)，前述長條薄膜的雙折射△n為滿足(式2)，且前述聚合物的結晶化度X為滿足(式3)。
1.0≦Nz1≦1.15 (式1)
0.01≦△n≦0.1 (式2)
15%≦X (式3)
[2]如[1]所述之長條薄膜，其中前述樹脂的吸水率為0.1%以下。
[3]如[1]或[2]所述之長條薄膜，其中前述聚合物為含脂環式結構的聚合物。
[4]如[1]至[3]項中任一項所述之長條薄膜，其中前述長條薄膜的厚度為1μm以上、100μm以下。
[5]一種長條薄膜的製造方法，具有第一步驟：對由含有具有結晶性的聚合物之樹脂所構成之長條坯膜，在寬度方向施行延伸處理，而得到Nz係數為Nz2之延伸薄膜；及第二步驟：對在前述第一步驟所得到的前述延伸薄膜施行加熱處理，而得到Nz係數為Nz1之長條薄膜；前述延伸薄膜的Nz係數Nz2與前述長條薄膜的Nz係數Nz1之差△Nz為滿足(式4)，前述長條薄膜的Nz係數Nz1為滿足(式1)，前述長條薄膜的雙折射△n為滿足(式2)，在前述長條薄膜所含有的聚合物之結晶化度X為滿足(式3)。
0.05≦△Nz≦0.5 (式4)
1.0≦Nz1≦1.15 (式1)
0.01≦△n≦0.1 (式2)
15%≦X (式3)
依照本發明，能夠提供一種Nz係數為接近1.0的長條薄膜及其製造方法，該長條薄膜能夠使用與先前不同之新穎製造方法來製造，且可使用作為光學薄膜。
以下，揭示實施形態及例示物而詳細地說明本發明。但是，本發明係不被以下所揭示的實施形態及例示物限定，在不脫離本發明的申請專利範圍及其均等範圍之範圍，能夠任意地變更而實施。
在以下的說明，所謂「長條」薄膜，係指相對於寬度，具有5倍以上的長度之薄膜，較佳是具有10倍或是其以上的長度，具體而言，係指具有能夠被捲取成為捲物狀而保管或搬運之程度的長度之薄膜。長條薄膜的長度之上限沒有特別限制，例如，能夠設成相對於寬度為10萬倍以下。
在以下的說明，所謂長條薄膜的「長邊方向」，係表示該薄膜的長邊延伸存在之方向。該長邊方向通常與該薄膜的長度方向為一致，又，相對於該薄膜的寬度方向為垂直。又，該長邊方向通常與製造生產線之薄膜搬運方向平行。
在以下的說明，長條薄膜的面內方向之遲滯值Re，只要未預先告知，就是以「Re=(nx-ny)×d」表示之值，長條薄膜的厚度方向之遲滯值Rth，係以「Rth=[{(nx+ny)/2}-nz]×d」表示之值，長條薄膜的Nz係數Nz係以「Nz=(nx-nz)/(nx-ny)=Rth/Re+0.5」表示之值，長條薄膜的雙折射△n係以「△n=nx-ny」表示之值。在此，nx係表示對該長條薄膜的厚度方向為垂直的方向(面內方向)且提供最大折射率之方向的折射率。ny係表示該長條薄膜的前述面內方向且對nx方向為垂直方向之折射率。nz係表示該長條薄膜的厚度
方向之折射率。d係表示該長條薄膜的厚度。測定波長只要未預先告知，就是590nm。
在以下的說明，所謂要素的方向為「平行」、「垂直」及「正交」，只要未預先告知，就是在不損害本發明效果之範圍內，亦可包含例如±5°的範圍內之誤差。
[1.長條薄膜的概要]
本發明的長條薄膜，係由含有具有結晶性的聚合物之樹脂所構成之長條薄膜。在以下的說明，亦有將含有具有結晶性的聚合物之樹脂，稱為「結晶性樹脂」之情形。又，本發明的長條薄膜具有相對於該長條薄膜的長邊為垂直的配向軸。在此，所謂配向軸，係表示在該長條薄膜所含有之具有結晶性的聚合物的分子之配向軸。而且，本發明的長條薄膜之Nz係數Nz1，為滿足下述(式1)，本發明的長條薄膜之雙折射△n為滿足下述(式2)，前述具有結晶性的聚合物之結晶化度X為滿足(式3)。
1.0≦Nz1≦1.15 (式1)
0.01≦△n≦0.1 (式2)
15%≦X (式3)
[2.結晶性樹脂]
在長條薄膜所含有的結晶性樹脂，係含有具有結晶性的聚合物之樹脂。所謂具有結晶性的聚合物，係指具有熔點之聚合物。又，所謂具有熔點之聚合物，亦即，係指使用示差掃描熱量計(DSC)能夠觀測到熔點之聚合物。
又，作為結晶性樹脂，通常係使用固有雙折射值為正的樹脂。因而，作為具有結晶性的聚合物，以使用固有雙
折射值為正的聚合物為佳。在此，所謂固有雙折射值為正的樹脂及聚合物，係表示延伸方向的折射率比與其正交的方向之折射率為更大之樹脂及聚合物。又，所謂固有雙折射為負的樹脂及聚合物，係表示延伸方向的折射率比與其正交的方向之折射率更小之樹脂及聚合物。
作為如前述具有結晶性的聚合物，以具有結晶性之含脂環式結構的聚合物為佳。所謂含脂環式結構的聚合物，係指在分子內具有脂環式結構的聚合物，且能夠藉由使用環狀烯烴作為單體之聚合反應而得到之聚合物或其氫化物。因為具有結晶性之含脂環式結構的聚合物，係具有優異的耐熱性及低吸濕性，所以能夠實現適合於光學薄膜之長條薄膜。又，含脂環式結構的聚合物，可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
作為含脂環式結構的聚合物所具有之脂環式結構，例如，可舉出環烷結構及環烯結構。該等之中，就容易得到具有優異的熱安定性等特性之長條薄膜而言，以環烷結構為佳。在1個脂環式結構所含有的碳原子的數目，以4個以上為佳，以5個以上為較佳，以30個以下為佳，以20個以下為較佳，以15個以下為特佳。藉由在1個脂環式結構所含有的碳原子的數目為上述範圍內，機械強度、耐熱性、及成形性能夠高度地平衡。
在含脂環式結構的聚合物，相對於全部的結構單元，具有脂環式結構的結構單元之比例，以30重量%以上為佳，以50重量%以上為較佳，以70重量%以上為特佳。藉由
將在含脂環式結構的聚合物之具有脂環式結構的結構單元之比例如前述地增多，能夠提高耐熱性。又，在含脂環式結構的聚合物，具有脂環式結構的結構單元以外的剩餘部分沒有特別的限定，能夠按照使用目的而適當地選擇。
作為前述含脂環式結構的聚合物，例如，可舉出下述的聚合物(α)~聚合物(δ)。該等之中，就容易得到具有優異的耐熱性之長條薄膜而言，作為結晶性含脂環式結構的聚合物，以聚合物(β)為佳。
聚合物(α)：環狀烯烴單體的開環聚合物且具有結晶性者。
聚合物(β)：聚合物(α)的氫化物且具有結晶性者。
聚合物(γ)：環狀烯烴單體的加成聚合物且具有結晶性者。
聚合物(δ)：聚合物(γ)的氫化物且具有結晶性者。
具體而言，作為含脂環式結構的聚合物，係以二環戊二烯的開環聚合物且具有結晶性者、及二環戊二烯的開環聚合物之氫化物且具有結晶性者為較佳，以二環戊二烯的開環聚合物之氫化物且具有結晶性者為特佳。在此，所謂二環戊二烯的開環聚合物，係指相對於總結構單元，源自二環戊二烯的結構單元的比例通常為50重量%以上、以70重量%以上為佳、以90重量%以上為較佳、更佳為100重量%之聚合物。
以下，說明聚合物(α)及聚合物(β)的製造方法。
能夠使用在聚合物(α)及聚合物(β)的製造之環狀烯烴單體，係具有由碳原子所形成之環結構且在該環中具有碳-碳雙鍵之化合物。作為環狀烯烴單體的例子，可舉出降莰烯系單體等。又，聚合物(α)為共聚物時，作為環狀烯烴單體，亦可使用
單環的環狀烯烴。
降莰烯系單體係含有降莰烯環之單體。作為降莰烯系單體，例如，可舉出雙環[2.2.1]庚-2-烯(慣用名：降莰烯)、5-亞乙基-雙環[2.2.1]庚-2-烯(慣用名：亞乙基降莰烯)及其衍生物(例如，在環具有取代基者)等的2環式單體；三環[4.3.0.12,5]癸-3,7-二烯(慣用名：二環戊二烯)及其衍生物等的3環式單體；7,8-苯并三環[4.3.0.12,5]癸-3-烯(慣用名：亞甲基四氫茀：亦稱為1,4-亞甲基-1,4,4a,9a-四氫茀)及其衍生物、四環[4.4.0.12,5.17,10]十二-3-烯(慣用名：四環十二烯)、8-亞乙基四環[4.4.0.12,5.17,10]-3-十二烯及其衍生物等的4環式單體等。
作為在前述單體之取代基，例如，可舉出甲基、乙基等的烷基；乙烯基等的烯基；丙烷-2-亞基等的亞烷基；苯基等的芳基；羥基；酸酐基；羧基；甲氧基羰基等的烷氧基羰基等。又，前述的取代基，可單獨具有1種類，亦可以任意比率具有2種類以上。
作為單環的環狀烯烴，例如，可舉出環丁烯、環戊烯、甲基環戊烯、環己烯、甲基環己烯、環庚烯、環辛烯等的環狀單烯烴；環己二烯、甲基環己二烯、環辛二烯、甲基環辛二烯、苯基環辛二烯等的環狀二烯烴等。
環狀烯烴單體可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。使用2種以上之環狀烯烴單體時，聚合物(α)可為嵌段共聚物，亦可為無規共聚物。
環狀烯烴單體，能夠存在內型異構物(endo isomer)及外型異構物(exo isomer)的立體異構物。作為環狀烯烴單體，
可使用內型異構物及外型異構物的任一者。又，可以單獨只使用內型異構物及外型異構物之中一方的異構物，亦可以任意比例使用含有內型異構物及外型異構物之異構物混合物。其中，就含脂環式結構的聚合物的結晶性提高且容易得到具有優異的耐熱性之長條薄膜而沿，以提高一方的立體異構物之比例為佳。例如，內型異構物或外型異構物的比例，以80%以上為佳，以90%以上為較佳，以95%以上為更佳。又，就容易合成而沿，以內型異構物的比例為較高者為佳。
聚合物(α)及聚合物(β)，通常藉由提高其間規立體規則性(syndiotactic stereoregularity)的程度(外消旋二單元組(racemo diad)的比例)，而能夠提高結晶性。從提高聚合物(α)及聚合物(β)的立體規則性程度的觀點而言，針對聚合物(α)及聚合物(β)的結構單元之外消旋二單元組的比例，以51%以上為佳，以60%以上為較佳，以70%以上為特佳。
外消旋二單元組的比例，能夠藉由13C-NMR光譜分析來測定。具體而言，能夠使用下述的方法來測定。將鄰二氯苯-d4作為溶劑，在200℃應用反相閘控去耦(inverse-gated decoupling)法而進行聚合物試料的13C-NMR測定。從該13C-NMR的測定結果，將鄰二氯苯-d4之127.5ppm的尖峰作為基準位移，且基於源自內消旋二單元組(meso diad)之43.35ppm的信號、及源自外消旋二單元組之43.43ppm的信號之強度比，而能夠求取聚合物試料之外消旋二單元組的比例。
聚合物(α)的合成，通常使用開環聚合觸媒。開環聚合觸媒可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上
而使用。作為此種聚合物(α)的合成用開環聚合觸媒，較佳是能夠使環狀烯烴單體開環聚合且生成具有間規立體規則性之開環聚合物者。作為較佳的開環聚合觸媒，可舉出含有以下述式(A)表示的金屬化合物者。
M(NR1)X4-a(OR2)a．Lb (A)
(在式(A)，M係表示選自由週期表第6族的過渡金屬原子所組成群組之金屬原子，R1係表示在3位置、4位置及5位置的至少1個位置可具有取代基之苯基、或以-CH2R3(R3係表示選自由氫原子、可具有取代基之烷基、及可具有取代基之芳基所組成群組之基)表示之基，R2係表示選自由可具有取代基之烷基、及可具有取代基之芳基所組成群組之基，X係表示選自由鹵素原子、可具有取代基之烷基、可具有取代基之芳基、及烷基矽烷基所組成群組之基，L係表示電子供給性之中性配位體，a係表示0或1的數目，b係表示0~2的整數)。
在式(A)，M係表示選自由週期表第6族的過渡金屬原子所組成群組之金屬原子。作為該M，以鉻、鉬及鎢為佳，以鉬及鎢為較佳，以鎢為特佳。
在式(A)，R1係表示在3位置、4位置及5位置的至少1個位置可具有取代基之苯基、或以-CH2R3表示之基。
在R1的3位置、4位置及5位置的至少1個位置可具有取代基之苯基的碳原子數，以6~20為佳，以6~15為較佳。又，作為前述取代基，例如，可舉出甲基、乙基等的烷基；氟原子、氯原子、溴原子等的鹵素原子；甲氧基、乙氧基、異丙氧基等的烷氧基等。該等取代基可單獨具有1種類，亦可以任意比率具有2種類以上。而且，在R1，在3位置、4位置及5位置的至少2個位置所存在的取代基，亦可互相鍵結而形成環結構。
作為在3位置、4位置及5位置的至少1個位置可具有取代基之苯基，例如，可舉出未取代苯基；4-甲基苯基、4-氯苯基、3-甲氧基苯基、4-環己基苯基、4-甲氧基苯基等的單取代苯基；3,5-二甲基苯基、3,5-二氯苯基、3,4-二甲基苯基、3,5-二甲氧基苯基等的二取代苯基；3,4,5-三甲基苯基、3,4,5-三氯苯基等的三取代苯基；2-萘基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-2-萘基等可具有取代基之2-萘基等。
在R1之以-CH2R3表示之基，R3係表示選自由氫原子、可具有取代基之烷基、及可具有取代基之芳基所組成群組之基。
R3之可具有取代基之烷基的碳原子數，以1~20為佳，以1~10為較佳。該烷基可為直鏈狀，亦可為分枝狀。而且，作為前述取代基，例如，可舉出苯基、4-甲基苯基等可具有取代基之苯基；甲氧基、乙氧基等的烷氧基等。該等取代基可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
作為R3之可具有取代基之烷基，例如，可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、新戊基、
苄基、新戊苯(neophyl)基等。
R3之可具有取代基之芳基的碳原子數，係以6~20為佳，以6~15為較佳。而且，作為前述取代基，例如，可舉出甲基、乙基等的烷基；氟原子、氯原子、溴原子等的鹵素原子；甲氧基、乙氧基、異丙氧基等的烷氧基等。該等取代基可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
作為R3之可具有取代基之芳基，例如，可舉出苯基、1-萘基、2-萘基、4-甲基苯基、2,6-二甲基苯基等。
該等之中，作為以R3表示之基，以碳原子數為1~20的烷基為佳。
在式(A)，R2係表示選自由可具有取代基之烷基、及可具有取代基之芳基所組成群組之基。作為R2之可具有取代基之烷基、及可具有取代基之芳基，各自能夠任意地使用從作為R3之可具有取代基之烷基、及可具有取代基之芳基已揭示的範圍所選擇者。
在式(A)，X係表示選自由、鹵素原子、可具有取代基之烷基、可具有取代基之芳基、及烷基矽烷基所組成群組之基。
作為X的鹵素原子，例如，可舉出氯原子、溴原子、碘原子。
作為X之可具有取代基之烷基、及可具有取代基之芳基，各自能夠任意地使用從作為R3之可具有取代基之烷基、及可具有取代基之芳基已揭示的範圍所選擇者。
作為X的烷基矽烷基，例如，可舉出三甲基矽烷基、三乙
基矽烷基、第三丁基二甲基矽烷基等。
以式(A)表示之金屬化合物，在1分子中具有2個以上的X時，該等X可彼此相同亦可彼此不同。而且，2個以上的X亦可互相鍵結而形成環結構。
在式(A)，L係表示電子供給性之中性配位體。
作為L之電子供給性的中性配位體，例如，可舉出含有週期表第14族或第15族的原子之電子供給性化合物。作為其具體例，可舉出三甲基膦、三異丙基膦、三環己基膦、三苯基膦等的膦類；二乙醚、二丁醚、1,2-二甲氧基乙烷、四氫呋喃等的醚類；三甲胺、三乙胺、吡啶、二甲基吡啶等的胺類等。該等之中，以醚類為佳。又，以式(A)表示之金屬化合物，在1分子中具有2個以上的L時，該等L可彼此相同亦可不同。
作為以式(A)表示之金屬化合物，以具有苯基醯亞胺基之鎢化合物為佳。亦即，在式(A)，M為鎢原子，而且，以R1為苯基之化合物為佳。而且，其中以四氯鎢苯基醯亞胺(四氫呋喃)錯合物為較佳。
以式(A)表示之金屬化合物的製造方法，沒有特別限定。例如，如特開平5-345817號公報所記載，能夠藉由將第6族過渡金屬的鹵氧化物；3位置、4位置及5位置的至少1個位置可具有取代基之異氰酸苯酯類或單取代異氰酸甲酯類；電子供給性之中性配位體(L)；以及視需要之醇類、金屬烷氧化物及金屬芳基氧化物進行混合，來製造以式(A)表示之金屬化合物。
在前述的製造方法，以式(A)表示之金屬化合物，
通常能夠以被反應液含有之狀態來得到。製造金屬化合物後，可將前述反應液直接作為開環聚合反應的觸媒液。又，亦可藉由結晶化等的精製處理，將金屬化合物從反應液離析及精製後，將所得到的金屬化合物提供到開環聚合反應。
開環聚合觸媒可以單獨使用以式(A)表示之金屬化合物，亦可將以式(A)表示之金屬化合物與其它成分組合而使用。例如，藉由將以式(A)表示之金屬化合物與有機金屬還原劑組合而使用，能夠提升聚合活性。
作為有機金屬還原劑，例如，可舉出具有碳原子數1~20的烴基之週期表第1族、第2族、第12族、第13族或14族的有機金屬化合物。作為此種有機金屬化合物，例如，可舉出甲基鋰、正丁基鋰、苯基鋰等的有機鋰；丁基乙基鎂、丁基辛基鎂、二己基鎂、氯化乙基鎂、氯化正丁基鎂、溴化烯丙基鎂等的有機鎂；二甲基鋅、二乙基鋅、二苯基鋅等的有機鋅；三甲基鋁、三乙基鋁、三異丁基鋁、氯化二乙基鋁、乙基鋁倍半氯化物、二氯化乙基鋁、乙氧化二乙基鋁、異丁氧化二異丁基鋁、乙氧化乙基鋁、二異丁氧化異丁基鋁等的有機鋁；四甲基錫、四(正丁基)錫、四苯基錫等的有機錫等。該等之中，以有機鋁或有機錫為佳。又，有機金屬還原劑可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
開環聚合反應通常在有機溶劑中進行。有機溶劑能夠使用可使開環聚合物及其氫化物在預定的條件下溶解或分散，而且不會阻礙開環聚合反應及氫化反應者。作為此種有機溶劑，例如，可舉出戊烷、己烷、庚烷等的脂肪族烴溶劑；
環戊烷、環己烷、甲基環己烷、二甲基環己烷、三甲基環己烷、乙基環己烷、二乙基環己烷、十氫萘、雙環庚烷、三環癸烷、六氫茚、環辛烷等的脂環族烴溶劑；苯、甲苯、二甲苯等的芳香族烴溶劑；二氯甲烷、氯仿、1,2-二氯乙烷等的鹵素系脂肪族烴溶劑；氯苯、二氯苯等的鹵素系芳香族烴溶劑；硝基甲烷、硝基苯、乙腈等的含氮烴溶劑；二乙醚、四氫呋喃等的醚溶劑；將該等組合而成之混合溶劑等。該等之中，作為有機溶劑，係以芳香族烴溶劑、脂肪族烴溶劑、脂環族烴溶劑、醚溶劑為佳。又，有機溶劑可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
開環聚合反應，例如，能夠藉由將環狀烯烴單體、以式(A)表示之金屬化合物、及視需要之有機金屬還原劑混合，而使其開始。混合該等成分之順序沒有特別限定。例如，可以在含有環狀烯烴單體之溶液，混合含有以式(A)表示之金屬化合物及有機金屬還原劑之溶液。又，亦可在含有有機金屬還原劑之溶液，混合含有環狀烯烴單體及以式(A)表示的金屬化合物之溶液。而且，亦可在含有環狀烯烴單體及有機金屬還原劑之溶液，混合式含有以式(A)表示的金屬化合物之溶液。混合各成分時，可將各自的成分之總量一次混合，亦可分成複數次而混合。又，亦可以持續相對較長的時間(例如1分鐘以上)而連續地混合。
在開環聚合反應開始時之反應液中的環狀烯烴單體之濃度，以1重量%以上為佳、以2重量%以上為較佳、以3重量%以上為特佳，以50重量%以下為佳，以45重量%以下
為較佳，以40重量%以下為特佳。藉由使環狀烯烴單體的濃度成為前述範圍的下限值以上，能夠提高生產性。又，藉由成為上限值以下，因為能夠降低開環聚合反應後的反應液黏度，所以能夠容易地進行隨後的氫化反應。
在開環聚合反應所使用之以式(A)表示的金屬化合物之量，以「金屬化合物：環狀烯烴單體」的莫耳比落入預定範圍之方式設定為佳。具體而言，前述的莫耳比以1：100~1：2,000,000為佳，以1：500~1,000,000為較佳，以1：1,000~1：500,000為特佳。藉由使金屬化合物的量成為前述範圍的下限值以上，能夠得到充分的聚合活性。又，藉由成為上限值以下，在反應後能夠容易地將金屬化合物除去。
有機金屬還原劑的量，相對於以式(A)表示之金屬化合物1莫耳，以0.1莫耳以上為佳，以0.2莫耳以上為較佳，以0.5莫耳以上為特佳，以100莫耳以下為佳，以50莫耳以下為較佳，以20莫耳以下為特佳。藉由使有機金屬還原劑的量成為前述範圍的下限值以上，能夠充分地提高聚合活性。又，藉由成為上限值以下，能夠抑制副反應的產生。
聚合物(α)的聚合反應系統，亦可含有活性調整劑。藉由使用活性調整劑，能夠使開環聚合觸媒安定化、或調整開環聚合反應的反應速度、或調整聚合物的分子量分布。作為活性調整劑，能夠使用具有官能基之有機化合物。作為此種活性調整劑，例如，可舉出含氧化合物、含氮化合物、含磷有機化合物等。
作為含氧化合物，例如，可舉出二乙醚、二異丙
基醚、二丁醚、茴香醚、呋喃、四氫呋喃等的醚類；丙酮、二苯甲酮、環己酮等的酮類；乙酸乙酯等的酯類等。
作為含氮化合物可舉出例如，乙腈、苯甲腈等的腈類；三乙胺、三異丙胺、奎寧(quinucidine)、N,N-二乙基苯胺等的胺類；吡啶、2,4-二甲基吡啶、2,6-二甲基吡啶、2-第三丁基吡啶等的吡啶類等。
作為含磷化合物，例如，可舉出三苯基膦、三環己基膦、磷酸三苯酯、磷酸三甲酯等的膦類；三苯基氧化膦等的氧化膦類等。
活性調整劑可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上而使用。
在聚合物(α)的聚合反應系統之活性調整劑量，相對於以式(A)表示之金屬化合物100莫耳%，以0.01莫耳%~100莫耳%為較佳。
聚合物(α)的聚合反應系統，亦可含有分子量調整劑，用以調整聚合物(α)的分子量。作為分子量調整劑，例如，可舉出1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯等的α-烯烴類；苯乙烯、乙烯基甲苯等的芳香族乙烯系化合物；乙基乙烯基醚、異丁基乙烯基醚、烯丙基環氧丙基醚、乙酸烯丙酯、烯丙醇、環氧丙基甲基丙烯酸酯等的含氧乙烯系化合物；烯丙氯(allyl chloride)等的含鹵素乙烯系化合物；丙烯醯胺等的含氮乙烯系化合物；1,4-戊二烯、1,4-己二烯、1,5-己二烯、1,6-庚二烯、2-甲基-1,4-戊二烯、2,5-二甲基-1,5-己二烯等的非共軛二烯；1,3-丁二烯、2-甲基-1,3-丁二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、1,3-
戊二烯、1,3-己二烯等的共軛二烯等。
分子量調整劑可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上而使用。
在用以使聚合物(α)聚合之聚合反應系統之分子量調整劑的量，能夠按照目標分子量而適當地決定。分子量調整劑的具體量，相對於環狀烯烴單體，以0.1莫耳%~50莫耳%的範圍為較佳。
聚合溫度以-78℃以上為佳，以-30℃以上為較佳，以+200℃以下為佳，以+180℃以下為較佳。
聚合時間能夠取決於反應規模。具體的聚合時間。從1分鐘至1000小時的範圍為較佳。
使用上述的製造方法，能夠得到聚合物(α)。藉由將該聚合物(α)氫化，能夠製造聚合物(β)。
聚合物(α)的氫化，例如，能夠依照常用的方法，在氫化觸媒的存在下，藉由對含有聚合物(α)之反應系統內供給氫來進行。在該氫化反應，適當地設定反應條件時，通常氫化反應不會引起氫化物的立體化學性(tacticity)產生變化。
作為氫化觸媒，能夠使用習知作為烯烴化合物的氫化觸媒之均勻系觸媒及不均勻觸媒。
作為均勻系觸媒，例如，可舉出乙酸鈷/三乙基鋁、乙醯丙酮鎳/三異丁基鋁、二氯化二茂鈦/正丁基鋰、二氯化二茂鋯/第二丁基鋰、鈦酸四丁氧酯/二甲基鎂等由過渡金屬化合物與鹼金屬化合物的組合所構成之觸媒；二氯雙(三苯基膦)鈀、氯氫化羰基參(三苯基膦)釕、氯氫化羰基雙(三環己基膦)釕、二
氯化雙(三環己基膦)苯次甲基釕(IV)、氯參(三苯基膦)銠等的貴金屬錯合物觸媒等。
作為不均勻觸媒，例如，可舉出鎳、鈀、鉑、銠、釕等的金屬觸媒；鎳/氧化矽、鎳/矽藻土、鎳/氧化鋁、鈀/碳、鈀/氧化矽、鈀/矽藻土、鈀/氧化鋁等，使碳、氧化矽、矽藻土、氧化鋁、氧化鈦等的載體負載前述金屬而成之固體觸媒。
氫化觸媒可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
氫化反應通常能夠在惰性有機溶劑中進行。作為惰性有機溶劑，可舉出苯、甲苯等的芳香族烴溶劑；戊烷、己烷等的脂肪族烴溶劑；環己烷、十氫萘等的脂環族烴溶劑；四氫呋喃、乙二醇二甲醚等的醚溶劑等。惰性有機溶劑可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。又，惰性有機溶劑可以是與在開環聚合反應所使用的有機溶劑相同者、亦可以是不同者。而且，亦可在開環聚合反應的反應液中混合氫化觸媒，而進行氫化反應。
氫化反應的反應條件，通常依照所使用的氫化觸媒而不同。氫化反應的反應溫度以-20℃以上為佳，以-10℃以上為較佳，以0℃以上為特佳，以+250℃以下為佳，以+220℃以下為較佳，以+200℃以下為特佳。藉由使反應溫度成為前述範圍的下限值以上，能夠增快反應速度。又，藉由成為上限值以下，能夠抑制副反應的產生。
氫壓力以0.01MPa以上為佳，以0.05MPa以上為較佳，以0.1MPa以上為特佳，以20MPa以下為佳，以15MPa
以下為較佳，以10MPa以下為特佳。藉由使氫壓力成為前述範圍的下限值以上，能夠增快反應速度。又，藉由成為上限值以下，因為不需要高耐壓反應裝置等特別的裝置，而能夠抑制設備成本。
氫化反應的反應時間，可以設定在能夠達成所需要的氫化率之任意時間，以0.1小時~10小時為佳。氫化反應後，通常依照常用的方法，回收聚合物(α)的氫化物，亦即聚合物(β)。
在氫化反應之氫化率(經氫化的主鏈雙鍵之比例)，以98%以上為佳，以99%以上為較佳。氫化率越高，能夠使含脂環式結構的聚合物的耐熱性越良好。在此，聚合物的氫化率，能夠將鄰二氯苯-d4作為溶劑，藉由在145℃之1H-NMR測定來測定。
其次，說明聚合物(γ)及聚合物(δ)的製造方法。
作為在聚合物(γ)及(δ)的製造所使用之環狀烯烴單體，能夠任意地使用從作為製造聚合物(α)及聚合物(β)能夠使用之環狀烯烴單體已揭示的範圍所選擇者。又，環狀烯烴單體可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
在聚合物(γ)的製造，作為單體，能夠組合環狀烯烴單體，而使用能夠與環狀烯烴單體共聚合的任意單體。作為任意單體，例如，可舉出乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯等的碳原子數2~20的α-烯烴；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等的芳香環乙烯系化合物；1,4-己二烯、4-甲基-1,4-己二烯、5-甲基-1,4-己二烯、1,7-辛二烯等的非共軛二烯等。該等之中，以
α-烯烴為佳，以乙烯為較佳。又，任意單體可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
環狀烯烴單體與任意單體的量之比例，以重量比(環狀烯烴單體：任意單體)計，以30：70~99：1為佳，以50：50~97：3為較佳，以70：30~95：5為特佳。
使用2種以上的環狀烯烴單體時、及將環狀烯烴單體與任意單體組合而使用時，聚合物(γ)可為嵌段共聚物，亦可為無規共聚物。
聚合物(γ)的合成通常使用加成聚合觸媒。作為此種加成聚合觸媒，例如，可舉出由釩化合物及有機鋁化合物所形成之釩系觸媒、由鈦化合物及有機鋁化合物所形成之鈦系觸媒、及由鋯錯合物及鋁氧烷所形成之鋯系觸媒等。又，加成聚合觸媒可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
加成聚合觸媒的量，相對於單體1莫耳，以0.000001莫耳以上為佳，以0.00001莫耳以上為較佳，以0.1莫耳以下為佳，以0.01莫耳以下為較佳。
環狀烯烴單體的加成聚合，通常能夠在有機溶劑中進行。作為有機溶劑，能夠任意地使用從作為環狀烯烴單體的開環聚合能夠使用的有機溶劑已揭示的範圍所選擇者。又，有機溶劑可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
在用以製造聚合物(γ)的聚合之聚合溫度，以-50℃以上為佳，以-30℃以上為較佳，以-20℃以上為特佳，以250℃
以下為佳，以200℃以下為較佳，以150℃以下為特佳。又，聚合時間以30分鐘以上為佳，以1小時以上為較佳，以20小時以下為佳，以10小時以下為較佳。
使用上述的製造方法，能夠得到聚合物(γ)。藉由將該聚合物(γ)氫化，能夠製造聚合物(δ)。
聚合物(γ)的氫化，能夠藉由與作為將聚合物(α)氫化之方法在上文中已揭示者同樣的方法來進行。
在結晶性樹脂所含有之具有結晶性的聚合物之結晶化度X為滿足前述(式3)。具有結晶性的聚合物之更具體的結晶化度X之範圍，通常為15%以上，以20%以上為佳，以25%以上為較佳。藉由促進結晶化至具有如此高的結晶化度X為止，能夠使長條薄膜具有接近1.0的Nz係數。而且，一般而言，藉由使具有結晶性的聚合物之結晶化度X成為前述範圍的下限值以上，能夠賦予長條薄膜較高的耐熱性及耐藥品性。具有結晶性的聚合物之結晶化度X的上限沒有限制，以70%以下為佳，以60%以下為較佳，以50%以下為特佳。藉由結晶化度X為前述的上限值以下，能夠容易地使長條薄膜的透明性成為良好。聚合物的結晶化度能夠使用X射線繞射法來測定。
具有結晶性的聚合物之熔點，以200℃以上為佳，以230℃以上為較佳，以290℃以下為佳。藉由使用具有此種熔點之聚合物，能夠得到成形性與耐熱性的平衡更加優異之長條薄膜。
具有結晶性的聚合物之重量平均分子量(Mw)，以1,000以上為佳，以2,000以上為較佳，以1,000,000以下為佳，
以500,000以下為較佳。具有此種重量平均分子量之聚合物，具有優異的成形加工性與耐熱性的平衡。
具有結晶性的聚合物之分子量分布(Mw/Mn)，以1.0以上為佳，以1.5以上為較佳，以4.0以下為佳，以3.5以下為較佳。在此，Mn係表示數量平均分子量。具有此種分子量分布之聚合物，具有優異的成形加工性。
具有結晶性的聚合物之重量平均分子量(Mw)及分子量分布(Mw/Mn)，能夠藉由以四氫呋喃作為展開溶劑之凝膠滲透層析法(GPC)，以聚苯乙烯換算值的方式測定。
具有結晶性的聚合物之玻璃轉移溫度Tg沒有特別限定，通常為85℃以上、170℃以下的範圍。
在結晶性樹脂，具有結晶性的聚合物之比例，以50重量%以上為佳，以70重量%以上為較佳，以90重量%以上為特佳。藉由使具有結晶性的聚合物的比例成為前述範圍的下限值以上，能夠提高長條薄膜的耐熱性。
結晶性樹脂除了具有結晶性的聚合物以外，亦能夠含有任意成分。作為任意成分，例如，可舉出酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑、硫系抗氧化劑等的抗氧化劑；受阻胺系光安定劑等的光安定劑；石油系蠟、費托蠟(Fischer-Tropsch wax)、聚伸烷基蠟(polyalkylene wax)等的蠟；山梨糖醇系化合物、有機磷酸的金屬鹽、有機羧酸的金屬鹽、高嶺土及滑石等的核劑；二胺基茋衍生物、香豆素衍生物、唑系衍生物(例如，苯并
唑衍生物、苯并三唑衍生物、苯并咪唑衍生物、及苯并噻唑衍生物)、咔唑衍生物、吡啶衍生物、萘二甲酸衍生物、及
咪唑酮衍生物等的螢光増白劑；二苯甲酮系紫外線吸收劑、枊酸系紫外線吸收劑、苯并三唑系紫外線吸收劑等的紫外線吸收劑；滑石、氧化矽、碳酸鈣、玻璃纖維等的無機填充材；著色劑；阻燃劑；阻燃助劑；抗靜電劑；可塑劑；近紅外線吸收劑；滑劑；填料；軟質聚合物等具有結晶性的聚合物以外的任意聚合物等。又，任意成分可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
因為上述的結晶性樹脂通常吸水率較低，所以具有優異的耐水性。尤其是從尺寸安定性的觀點，結晶性樹脂的吸水率以0.1%以下為佳，以0.08%以下為較佳，以0.05%以下為特佳。結晶性樹脂的吸水率能夠使用下述的方法來測定。準備由結晶性樹脂所構成的薄膜狀試片，測定該試片的質量。隨後，將該試片浸漬在23℃的水中24小時，測定浸漬後的試片之質量。然後，能夠算出相對於浸漬前的試片質量，因浸漬而増加之試片質量的比例作為吸水率(%)。
又，上述的結晶性樹脂通常具有優異的耐熱性。具體而言，結晶性樹脂的耐熱溫度以180℃以上為佳，以200℃以上為較佳，以220℃以上為特佳。在此，結晶性樹脂的耐熱溫度能夠使用下述的方法確認。準備由結晶性樹脂所構成之薄膜作為試料。在不對該薄膜施加張力的狀態下，將該薄膜在某溫度Tx的環境下放置10分鐘。隨後，以目視確認薄膜的面狀。在薄膜表面的形狀無法確認凹凸時，能夠判定結晶性樹脂的耐熱溫度為前述溫度Tx以上。
[3.長條薄膜的物性]
本發明的長條薄膜相對於該長條薄膜的長邊方向具有垂直的配向軸。通常在長條薄膜所含有之具有結晶性聚合物的分子，係平行地配向在前述的配向軸。該配向軸能夠基於長條薄膜的遲相軸而測定。具體而言，形成長條薄膜之結晶性樹脂的固有雙折射值為正的情況，長條薄膜的配向軸方向，係與長條薄膜的遲相軸平行。又，形成長條薄膜之結晶性樹脂的固有雙折射值為負的情況，長條薄膜的配向軸之方向，係與長條薄膜的遲相軸垂直。
本發明的長條薄膜之Nz係數Nz1為滿足前述(式1)。更詳言之，長條薄膜的Nz係數Nz1通常為1.15以下，以1.12以下為較佳，以1.08以下為特佳，理想為1.0。具有如此接近1.0的Nz係數之長條薄膜，能夠適合使用作為例如液晶顯示裝置的光學補償薄膜等的光學薄膜。
本發明的長條薄膜之雙折射△n為滿足前述(式2)。更詳言之，長條薄膜的雙折射△n通常為0.010以上，以0.011以上為佳，以0.012以上為較佳，以0.02以上為特佳，通常為0.1以下，以0.07以下為佳，以0.04以下為較佳。藉由長條薄膜的雙折射△n為前述範圍的下限值以上，能夠使Nz係數等的光學特性落入所需要的範圍。而且，雙折射△n為前述範圍的下限值以上時，在欲得到具有作為顯示器用薄膜在使用時被要求的遲滯值之長條薄膜之情況，因為能夠抑制厚度過剩地變厚，所以能夠使該長條薄膜的操作性成為良好。又，藉由雙折射△n為前述範圍的上限值以下，能夠容易地抑制起因於長條薄膜的膜厚不均之光學特性偏差，而且能夠得到漏光較
少的長條薄膜。又，雙折射△n為前述範圍的上限值以下時，在欲得到具有作為光學薄膜在使用時被要求的適當遲滯值之長條薄膜之情況，因為能夠抑制厚度過剩地變薄，所以能夠使該長條薄膜的操作性成為良好。
本發明的長條薄膜以具有優異的透明性為佳。具體而言，本發明的長條薄膜之總光線透射率，以70%以上為佳，以80%以上為較佳，以90%以上為特佳。長條薄膜的總光線透射率能夠使用紫外．可見分光計，在波長400nm~700nm的範圍進行測定。
本發明的長條薄膜，以霧度較小為佳。具體而言，本發明的長條薄膜之霧度，以10%以下為佳，以5%以下為較佳，以3%以下為特佳。長條薄膜的霧度，能夠藉由將該長條薄膜在任意部位切取50mm×50mm的正方形薄膜試樣，隨後，使用霧度計量器測定薄膜試樣而測定。
本發明的長條薄膜具有遲滯值。例如，將本發明的長條薄膜使用作為相位差膜、光學補償薄膜等的光學薄膜時，本發明長條薄膜能夠具有遲滯值。
[4.長條薄膜的厚度]
本發明的長條薄膜之厚度能夠按照用途而設定，以1μm以上為佳，以3μm以上為較佳，以5μm以上為特佳，以100μm以下為佳，以50μm以下為較佳，以25μm以下為特佳。長條薄膜的厚度為前述範圍的下限值以上時，能夠提高長條薄膜的機械強度。又，長條薄膜的厚度為前述範圍的下限值以上時，能夠使長條薄膜的操作性成為良好。又，長條薄膜的厚度為前
述範圍的上限值以下時，製造長條薄膜時能夠容易捲取。而且，長條薄膜的厚度為前述範圍的上限值以下時，因為能夠抑制遲滯值變為過大，所以能夠適合利用作為相位差膜等的光學薄膜。
[5.長條薄膜的製造方法]
本發明的長條薄膜，能夠藉由具有以下步驟的製造方法來製造：第一步驟，其係對由結晶性樹脂所構成之長條坯膜，在寬度方向施行延伸處理，而得到Nz係數為Nz2之延伸薄膜；及第二步驟，其係對第一步驟所得到的延伸薄膜施行加熱處理，而得到Nz係數為Nz1之本發明的長條薄膜。在該製造方法，因為能夠藉由在寬度方向的延伸處理而得到延伸薄膜，所以容易製造寬度寬闊的長條薄膜。因此，能夠效率良好地製造所需要的長條薄膜。又，因為藉由在延伸後進行加熱之簡單的操作，能夠製造所需要的長條薄膜，所以不須準備特殊構造之延伸裝置，而能夠抑制導入成本。以下，說明該製造方法。
[5.1.坯膜的準備]
在該長條薄膜的製造方法，進行準備坯膜之步驟。坯膜係由結晶性樹脂所構成之薄膜。作為製造由結晶性樹脂所構成的坯膜之方法，例如，可舉出射出成形法、擠製成形法、沖壓成形法、吹塑成形法、吹氣成形法、壓延成形法、注型成形法、壓縮成形法等的樹脂成型法。該等之中，因為容易控制厚度，以擠製成形法為佳。
使用擠製成形法而製造坯膜時，在該擠製成形法之製造條件較佳為如下所述。缸筒溫度(熔融樹脂溫度)以Tm
以上為佳，以Tm+20℃以上為較佳，以Tm+100℃以下為佳，以Tm+50℃以下為較佳。又，鑄造滾筒溫度以Tg-50℃以上為佳，以Tg+70℃以下為佳，以Tg+40℃以下為較佳。而且，冷卻輥溫度係以Tg-70℃以上為佳，以Tg-50℃以上為較佳，以Tg+60℃以下為佳，以Tg+30℃以下為較佳。藉由在此種條件下製造坯膜，能夠容易地製造所需要的厚度之坯膜。在此，「Tm」係表示在結晶性樹脂所含有之具有結晶性的聚合物的熔點，「Tg」係表示前述具有結晶性的聚合物之玻璃轉移溫度。
坯膜的厚度，能夠按照欲製造的長條薄膜之厚度而任意地設定，以5μm以上為佳，以10μm以上為較佳，以20μm以上為特佳，以1mm以下為佳，以500μm以下為較佳，以400μm以下為更佳，以200μm以下為特佳。
[5.2.第一步驟：延伸步驟]
在準備坯膜之後，進行第一步驟，其係對該坯膜，在寬度方向施行延伸處理，而得到延伸薄膜。因為只有在寬度方向之單一方向進行延伸處理，所以將該延伸方法稱為橫單軸延伸法。作為該橫單軸延伸法，例如能夠採用使用拉幅延伸機之延伸方法。
在第一步驟將坯膜進行延伸時之延伸溫度，以(Tg-30℃)以上為佳，以(Tg-10℃)以上為較佳，以(Tg+60℃)以下為佳，以(Tg+50℃)以下為較佳。藉由在此種溫度範圍進行延伸，能夠使在坯膜所含有聚合物分子適當地配向。
將坯膜延伸時的延伸倍率，能夠按照所需要的光學特性、厚度、強度等要素而適當地選擇。具體的延伸倍率以
1.25倍以上為佳，以1.7倍以上為較佳，以2.0倍以上為特佳，以5.0倍以下為佳，以4.5倍以下為較佳，以4.0倍以下為特佳。藉由使延伸倍率落入前述範圍，能夠使在坯膜所含有聚合物分子適當地配向。又，延伸倍率為前述範圍的下限值以上時，因為能夠抑制延伸薄膜的Nz係數Nz2之值變為過大，所以能夠使長條薄膜的Nz係數Nz1容易地落入所需要的範圍。而且，延伸倍率為前述範圍的上限值以下時，因為能夠抑制雙折射△n變為過大，所以能夠使遲滯值的精確度成為良好、或有效地抑制延伸時產生斷裂。
藉由對坯膜施行如前述的延伸處理，能夠得到延伸薄膜。在該延伸薄膜所含有之具有結晶性的聚合物分子，係藉由在延伸處理時被施加的張力而配向。因此延伸薄膜產生折射率nx、ny及nz的異方性，而且，在延伸方向之寬度方向顯現配向軸。此時，在使用拉幅裝置等延伸裝置之工業製造的情況，一般而言，拘束力係對延伸方向以外的方向起作用。因此，聚合物的分子各自除了寬度方向的張力以外，亦對長邊方向施加張力，相對地在寬度方向之配向性變弱。例如，使用拉幅裝置將未延伸且無配向之無Nz係數的值之坯膜，在寬度方向進行延伸2.0倍時，所得到的延伸薄膜之Nz係數Nz2有成為1.5左右之傾向。
延伸薄膜之具體的Nz係數Nz2，以1.65以下為佳，以1.55以下為較佳，以1.50以下為特佳。藉由延伸薄膜的Nz係數Nz2為前述範圍的上限值以下，容易製造具有接近1.0的Nz係數Nz1之長條薄膜。又，延伸薄膜的Nz係數Nz2之下限
值越接近1.0，在第二步驟能夠有效地活用將Nz係數降低而接近1.0之本製造方法的優點。但是，為了使延伸薄膜的Nz係數Nz2接近1.0，通常要求增大延伸倍率。延伸倍率較大時，延伸薄膜的雙折射△n變大，因此，長條薄膜的雙折射△n亦有變大之可能性。如此雙折射△n較大的長條薄膜，為了得到使用作為光學薄膜時具有被要求的適當遲滯值之長條薄膜，而被要求將厚度薄化，結果，有因長條薄膜厚度的偏差致使長條薄膜全體的性能低落之可能性。因此，從抑制長條薄膜的雙折射△n變為過大之觀點，延伸薄膜的Nz係數Nz2以1.20以上為佳，以1.25以上為較佳，以1.30以上為特佳。
又，，藉由如前述地對坯膜施行延伸處理，通常能夠藉由在第二步驟的加熱處理而抑制大的結晶粒之產生。因此，能夠抑制起因於結晶粒之長條薄膜的白化，所以能夠提高長條薄膜的透明性。
延伸薄膜的厚度，能夠按照欲製造的長條薄膜之厚度而任意地設定，以1μm以上為佳，以3μm以上為較佳，以100μm以下為佳，以50μm以下為較佳，以25μm以下為更佳。
[5.3.第二步驟：加熱步驟]
在前述第一步驟得到延伸薄膜之後，進行第二步驟，其係對該延伸薄膜施行加熱處理，而得到本發明的長條薄膜。在第二步驟施行加熱處理時，在延伸薄膜所含有之具有結晶性的聚合物，係在維持其配向狀態下被促進結晶化。藉由該結晶化的促進，聚合物的結晶化度X變大而能夠得到本發明的長條薄
膜。又，藉由加熱處理，因為延伸薄膜的Nz係數Nz2變小，能夠得到具有比施行加熱處理前之延伸薄膜的Nz係數Nz2更低的Nz係數Nz1之長條薄膜。因此藉由經過第二步驟，能夠得到滿足前述(式1)~(式3)之本發明的長條薄膜。
在第二步驟之延伸薄膜的加熱溫度，較佳是成為以下特定的溫度範圍：在延伸薄膜所含有之具有結晶性的聚合物之玻璃轉移溫度Tg以上、該聚合物的熔點Tm以下。藉此，能夠有效地促進具有結晶性的聚合物之結晶化。而且，前述特定的溫度範圍之中，係以設定在結晶化速度變大的溫度為佳。例如，使用二環戊二烯的開環聚合物之氫化物作為具有結晶性的聚合物時，在第二步驟之延伸薄膜的加熱溫度以110℃以上為佳，以120℃以上為較佳，以240℃以下為佳，以220℃以下為較佳。又，藉由使在第二步驟之加熱溫度成為前述範圍的上限以下，通常能夠有效地抑制長條薄膜的白濁。
在第二步驟，將延伸薄膜維持在前述特定的溫度範圍之處理時間，以1秒以上為佳，以5秒以上為較佳，以10秒以上為特佳，以1小時以下為佳，以30分鐘以下為較佳，以10分鐘以下為特佳。藉由使處理時間成為前述範圍的下限值以上，因為能夠充分地促進具有結晶性的聚合物之結晶化，所以能夠使Nz係數等的光學特性容易地落入所需要的範圍。又，藉由使處理時間成為前述範圍的上限值以下，能夠效地抑制因加熱處理引起長條薄膜產生白濁。
藉由前述的加熱處理，延伸薄膜的Nz係數Nz2變小，而能夠得到具有接近1.0的Nz係數Nz1之長條薄膜。因
此，通常長條薄膜的Nz係數Nz1比延伸薄膜的Nz係數Nz2更小。此時，延伸薄膜的Nz係數Nz2與長條薄膜的Nz係數Nz1之差△Nz(=Nz2-Nz1)為滿足下述的(式4)。
0.05≦△Nz≦0.5 (式4)
更詳言之，前述的Nz係數之差△Nz，通常為0.05以上，以0.08以上為佳，以0.10以上為較佳，通常為0.5以下，以0.45以下為佳，以0.40以下為較佳。Nz係數的差△Nz為前述範圍的下限值以上時，不必使延伸薄膜的Nz係數Nz2成為接近1.0的值，因為不必以較高的延伸倍率將坯膜在寬度方向進行延伸，所以能夠將加熱處理後的長條薄膜之雙折射△n容易地控制在所需要的範圍。又，Nz係數的差△Nz為前述範圍的上限值以下時，因為能夠抑制加熱處理時薄膜的尺寸變化過大，所以能夠有效地抑制薄膜斷裂及產生皺紋。
作為用以對延伸薄膜施行加熱處理之加熱裝置，就加熱裝置不必與延伸薄膜接觸而言，以能夠使延伸薄膜的環境溫度上升之加熱裝置為佳。舉出適合的加熱裝置之具體例，可舉出烘箱及加熱爐。
在第二步驟，延伸薄膜的加熱處理，以在保持延伸薄膜的至少二邊且使其緊張的狀態下進行為佳。在此，所謂使延伸薄膜緊張的狀態，係指對延伸薄膜施加張力的狀態。但是使該延伸薄膜緊張的狀態，不包含延伸薄膜實質上被延伸的狀態。又，所謂實質上被延伸，係指在延伸薄膜的任一方向之延伸倍率為通常1.1倍以上。
藉由在保將延伸薄膜的至少二邊且使其緊張的狀
態下進行加熱處理，能夠妨礙在被保持的邊之間的區域因延伸薄膜的熱收縮而引起的變形。此時，為了妨礙在延伸薄膜的寬闊面積產生變形，較佳是保持包含相向的二邊之邊，而使該被保持之邊之間的區域成為緊張的狀態為佳。具體而言，較佳是在長條延伸薄膜，藉由保持位於寬度方向的端部之二邊(亦即長邊)使前述二邊之間的區域成為緊張的狀態，而在該長條延伸薄膜的全面妨礙產生變形。如此變形受到妨礙之延伸薄膜，即便因熱收縮而在薄膜內產生應力，亦能夠抑制產生皺紋等的變形。因此，能夠抑制因加熱處理而導致長條薄膜的平滑性受到損害，所以能夠得到起伏及皺紋較少之平滑的長條薄膜。
保持延伸薄膜時，能夠藉由適當的保持器而保持延伸薄膜的邊。保持器可以是能夠連續地保持延伸薄膜的邊之全長者，亦可以是空出間隔而能夠間歇地保持者。例如，可藉由以預定間隔配列而成之保持器而間歇地保持延伸薄膜的邊。
又，作為保持器，較佳是在延伸薄膜的邊以外的部分不與延伸薄膜接觸。藉由使用此種保持器，能夠得到具有更優異的平滑性之長條薄膜。
而且，作為保持器，較佳是在第二步驟能夠將在保持器之間的相對位置固定者為佳。此種保持器，因為保持器之間的位置在第二步驟不會相對地移動，所以在加熱處理時容易抑制延伸薄膜之實質上的延伸。
作為適合的保持器，例如作為用以保持位於長條延伸薄膜的寬度方向端部之二邊之保持器，可舉出設置在拉幅延伸機之能夠把持延伸薄膜的邊之把持件。
可使用保持器保持位於長條延伸薄膜的長度方向的端部之邊(亦即短邊)，但是亦可以保持延伸薄膜之經加熱至特定溫度範圍之區域的長度方向之兩側來代替保持前述的邊。例如，可在延伸薄膜之經加熱至特定溫度範圍之區域的長度方向之兩側，設置能夠將延伸薄膜以不會熱收縮的方式保持且使其成為緊張的狀態之保持裝置。作為此種保持裝置，例如，可舉出2個輥筒的組合等。
藉由該等組合而對延伸薄膜施加搬運張力等的張力，能夠在經加熱至特定溫度範圍之區域抑制該延伸薄膜的熱收縮。因此，將前述組合使用作為保持裝置時，因為能夠在將延伸薄膜沿著長度方向搬運的同時保持該延伸薄膜，所以能夠有效率地製造長條薄膜。
[5.4.任意步驟]
上述長條薄膜的製造方法，能夠組合第一步驟及第二步驟而包含任意步驟。例如，上述的製造方法亦可包含在第一步驟之前，將坯膜在寬度方向延伸之步驟。又，例如，上述的製造方法，亦可包含對長條薄膜施行任意的表面處理之步驟。
[6.長條薄膜的用途]
本發明的長條薄膜，能夠使用在任意用途，尤其是以使用作為光學補償薄膜、相位差膜、偏光板保護膜等的光學薄膜為佳。
以下，舉出實施例而具體地說明本發明。但是，本發明不被以下揭示的實施例限定，在不脫離本發明的申請專
利範圍及其均等範圍之範圍，能夠任意地變更而實施。在以下的說明，表示量之「%」及「份」只要未預先告知，就是重量基準。又，以下說明之操作，只要未預先告知，就是在常溫及常壓的條件下進行。
[重量平均分子量及數量平均分子量的測定方法]
聚合物的重量平均分子量及數量平均分子量，係使用凝膠滲透層析法(GPC)系統(TOSOH公司製「HLC-8320」)，以聚苯乙烯換算值的方式測定。測定時，使用H型管柱(TOSOH公司製)作為管柱，使用四氫呋喃作為溶劑。又，測定時的溫度為40℃。
[玻璃轉移溫度Tg及熔點Tm之測定方法]
將在氮氣環境下加熱至300℃之試料使用液體氮進行急速冷卻，使用示差操作熱量計(DSC)，以10℃/分鐘的速度升溫，而求取試料的玻璃轉移溫度Tg及熔點Tm。
[聚合物的氫化率之測定方法]
聚合物的氫化率，係將鄰二氯苯-d4作為溶劑，在145℃藉由1H-NMR測定來測定。
[聚合物的外消旋二單元組的比例之測定方法]
將鄰二氯苯-d4作為溶劑，在150℃應用反相閘控去耦法進行聚合物的13C-NMR測定。從該13C-NMR測定的結果，將鄰二氯苯-d4之127.5ppm的尖峰設作基準位移，基於源自內消旋二單元組之43.35ppm的信號、與源自外消旋二單元組之43.43ppm的信號之強度比，而求取聚合物的外消旋二單元組之比例。
[聚合物的結晶化度之測定方法]
藉由X射線繞射法而測定在薄膜所含有的聚合物之結晶化度。
[薄膜的Nz係數、雙折射△n及配向軸方向之測定方法]
從作為評價對象之薄膜，以寬度100mm、長度50mm切取試片。針對該試片，使用AXOMETRICS公司製「AxoScan」，在測定波長590nm測定面內方向的遲滯值Re(單位：nm)、厚度方向的遲滯值Rth(單位：nm)、遲相軸的方向、以及折射率nx、ny及nz。從所測得的遲滯值Re及Rth，計算Nz係數(=Rth/Re+0.5)。又，從測得的折射率nx及ny，計算薄膜的雙折射△n(=nx-ny)。
[薄膜之漏光評價方法]
在面光源上，將直線偏光板、相位差膜(面內方向的遲滯值Re=60nm、厚度方向的遲滯值Rth=-90nm)、作為評價對象的試料薄膜、及直線偏光板，依照此順序重疊來製造評價用試樣。此時，2片直線偏光板設作正交尼科耳鏡(crossed Nicol)配置。又，相位差膜的遲相軸及試料薄膜的遲相軸，係使其與面光源側的直線偏光板之吸收軸平行。
隨後，在使面光源點燈之狀態下，從相對於面光源側的直線偏光板之吸收軸為45°的方位，以40°的俯角觀察評價用試樣。觀察的結果，將無漏光無且能夠看到黑色者判定為「良」。又，稍微漏光者判定為「不可」。而且，大幅度地漏光者判定為「不良」。
[吸水率的評價方法]
從作為評價對象的薄膜，以寬度100mm、長度100mm切取試片，測定試片的質量。隨後，將該試片浸漬在23℃的水中24小時，測定浸漬後之試片的質量。而且，將相對於浸漬前的試片之質量，因浸漬而増加的試片之質量比例算出而作為吸水率(%)。吸水率為0.1%以下時，判定為「良」，大於0.1%時判定為「不良」。
[製造例1.二環戊二烯的開環聚合物之氫化物的製造]
將金屬製的耐壓反應器充分地乾燥後，進行氮氣取代。在該金屬製耐壓反應器添加環己烷154.5份、二環戊二烯(內型異構物含有率99%以上)的濃度70%環己烷溶液42.8份(就二環戊二烯的量而言，為30份)、及1-己烯1.9份，加溫至53℃。
將四氯鎢苯基醯亞胺(四氫呋喃)錯合物0.014份溶解在0.70份的甲苯而成之溶液，添加濃度19%的二乙基鋁乙氧化物/正己烷溶液0.061份，攪拌10分鐘，而調製觸媒溶液。在耐壓反應器添加該觸媒溶液而開始開環聚合反應。隨後，邊保持53℃邊使其反應4小時，而得到環戊二烯的開環聚合物之溶液。所得到的二環戊二烯之開環聚合物的數量平均分子量(Mn)及重量平均分子量(Mw)分別為8,750及28,100，從該等求取之分子量分布(Mw/Mn)為3.21。
在所得到之二環戊二烯的開環聚合物之溶液200份，添加1,2-乙二醇0.037份作為停止劑，加溫至60℃、攪拌1小時，而使聚合反應停止。在此，添加1份水滑石(hydrotalcite)
化合物(協和化學工業公司製「KYOWARD(註冊商標)2000」)，加溫至60℃、攪拌1小時。隨後，添加0.4份過濾助劑(昭和化學工業公司製「Radiolite(註冊商標)#1500」)，使用PP打褶過濾筒(ADVANTEC東洋公司製「TCP-HX」)而將吸附劑與溶液過濾分開。
在過濾後的二環戊二烯的開環聚合物之溶液200份(聚合物量30份)，添加環己烷100份、添加氯氫化羰基參(三苯基膦)釕0.0043份，在氫壓6MPa、180℃進行氫化反應4小時。藉此，得到含有二環戊二烯的開環聚合物之氫化物之反應液。該反應液係氫化物析出而成為漿料溶液。
將在前述反應液所含有的氫化物與溶液，使用離心分離器進行分離，在60℃減壓乾燥24小時，而得到具有結晶性之二環戊二烯的開環聚合物之氫化物28.5份。該氫化物的氫化率為99%以上，玻璃轉移溫度(Tg)為95℃，熔點(Tm)為262℃，外消旋二單元組的比例為89%。
[實施例1]
(1-1.坯膜的製造)
在製造例1所得到之二環戊二烯的開環聚合物之氫化物100份，混合抗氧化劑(肆[亞甲基-3-(3’,5’-二-第三丁基-4’-羥苯基)丙酸酯]甲烷；BASF JAPAN公司製「IRGANOX(註冊商標)1010」)1.1份，而得到成為薄膜材料之樹脂。
將前述樹脂投入具備4個內徑3mmΦ的模孔之雙軸擠製機。使用前述的雙軸擠製機，藉由熱熔融擠製成形將樹脂成形為股線狀成形體。使用股線切刀將該成形體進行細切，
而得到樹脂的丸粒。將前述雙軸擠製機的運轉條件顯示在以下。
．料筒設定溫度：270℃~280℃
．模具設定溫度：250℃
．螺桿轉數：145rpm
．饋線轉數：50rpm
接著，將所得到的丸粒，供給至具備T型模具之熱熔融擠製薄膜成形機。使用該薄膜成形機，以2m/分鐘的速度捲取成為捲物之方式，製造由前述樹脂所構成之長條坯膜(厚度22μm)。將前述薄膜成形機的運轉條件顯示在以下。
．料筒溫度設定：280℃~290℃
．模具溫度：270℃
．螺桿轉數：30rpm
(1-2.延伸處理(第一步驟))
準備具備能夠把持長條坯膜的寬度方向端部之二邊的夾子之拉幅延伸機。將長條坯膜供給至前述的拉幅延伸機，藉由使用夾子保持坯膜的寬度方向的端部之二邊，而在寬度方向進行拉伸，來對坯膜施行單軸延伸處理。此時的延伸條件為延伸溫度120℃、延伸倍率2.4倍。藉此，得到延伸薄膜。從如此進行而得到之延伸薄膜的一部分，將被夾子把持之端部切除，針對殘留的部分，使用上述方法測定Nz係數及聚合物的結晶化度。
(1-3.加熱處理(第二步驟))
在使用拉幅裝置的夾子保持延伸薄膜的寬度方向的端部
之二邊且使其緊張的狀態下，在搬運延伸薄膜的同時對延伸薄膜施行加熱處理。此時的加熱條件為處理溫度200℃、處理時間1分鐘。藉此，在延伸薄膜所含有之含脂環式結構的聚合物進行結晶化，而能夠得到厚度9μm的長條薄膜。從如此進行而得到的長條薄膜，將被夾子把持之端部切除，使用上述的方法針對殘留的部分測定Nz係數、雙折射、遲相軸的方向、聚合物的結晶化度及吸水率。因為所測得的遲相軸相對於長條薄膜的長邊方向為垂直，所以能夠確認所製造的長條薄膜之配向軸相對於長條薄膜的長度方向為垂直。又，所測得的吸水率為0.01%以下。
[實施例2]
在前述步驟(1-1)，將坯膜的厚度變更成為12μm。又，在前述步驟(1-2)，將延伸溫度變更成為110℃。除了以上的事項之外，與實施例1同樣地進行而進行製造長條薄膜及評價。所測得的吸水率為0.01%以下。
[比較例1]
在前述步驟(1-3)，將加熱處理的處理溫度變更成為140℃。除了以上的事項之外，與實施例2同樣地進行長條薄膜的製造及評價。所測得的吸水率為0.01%以下。
[比較例2]
在前述步驟(1-1)，使用不具有結晶性之含有環狀烯烴聚合物的環狀烯烴樹脂(日本ZEON公司製「ZEONOR」、玻璃轉移溫度120℃)作為坯膜的材料之樹脂。又，在前述步驟(1-2)，將延伸溫度變更為140℃。而且，不進行如前述步驟(1-3)的加熱
處理。除了以上的事項之外，與實施例1同樣地進行長條薄膜的製造及評價。所測得的吸水率為0.01%以下。
[比較例3]
在前述步驟(1-1)，使用不具有結晶性之含有聚碳酸酯的聚碳酸酯樹脂(旭化成公司製「WONDERLITE PC-115」、玻璃轉移溫度145℃)作為坯膜的材料之樹脂。又，在前述步驟(1-2)，將延伸溫度變更為150℃、延伸倍率變更為2.7倍。而且，不進行如前述步驟(1-3)的加熱處理。除了以上的事項之外，與實施例1同樣地進行長條薄膜的製造及評價。所測得的吸水率為0.24%。
[結果]
將前述的實施例及比較例之結果，顯示在下述的表1。在下述的表1，簡稱的意思係如以下。
Poly-DCPD：具有結晶性之二環戊二烯的開環聚合物之氫化物。
ZNR：不具有結晶性之含有環狀烯烴聚合物的環狀烯烴樹脂。
PC：不具有結晶性之含有聚碳酸酯的聚碳酸酯樹脂。
[表1]
[研討]
在實施例1及2，藉由對延伸薄膜施行加熱處理，來將延伸薄膜之Nz係數降低，而得到具有接近1.0的Nz係數之長條薄膜。因為該長條薄膜之雙折射及Nz係數的光學特性為較佳，所以在漏光評價能夠得到良好的結果。從以上的結果，能夠確認依照本發明能夠實現良好的光學薄膜。
Claims (5)
- 一種長條薄膜，係由含有具有結晶性的聚合物之樹脂所構成之長條薄膜，前述長條薄膜的配向軸，相對於前述長條薄膜的長邊方向為垂直，前述長條薄膜的Nz係數Nz1為滿足(式1)，前述長條薄膜的雙折射△n為滿足(式2)，且前述聚合物的結晶化度X為滿足(式3)，1.0≦Nz1≦1.15 (式1) 0.01≦△n≦0.1 (式2) 15%≦X (式3)。
- 如申請專利範圍第1項所述之長條薄膜，其中前述樹脂的吸水率為0.1%以下。
- 如申請專利範圍第1項所述之長條薄膜，其中前述聚合物為含脂環式結構的聚合物。
- 如申請專利範圍第1項所述之長條薄膜，其中前述長條薄膜的厚度為1μm以上、100μm以下。
- 一種長條薄膜的製造方法，係具有第一步驟：對由含有具有結晶性的聚合物之樹脂所構成之長條坯膜，在寬度方向施行延伸處理，而得到Nz係數為Nz2之延伸薄膜；及第二步驟：對在前述第一步驟所得到的前述延伸薄膜施行加熱處理，而得到Nz係數為Nz1之長條薄膜；前述延伸薄膜的Nz係數Nz2與前述長條薄膜的Nz係數Nz1 之差△Nz為滿足(式4)，前述長條薄膜的Nz係數Nz1為滿足(式1)，前述長條薄膜的雙折射△n為滿足(式2)，在前述長條薄膜所含有的聚合物之結晶化度X為滿足(式3)，0.05≦△Nz≦0.5 (式4) 1.0≦Nz1≦1.15 (式1) 0.01≦△n≦0.1 (式2) 15%≦X (式3)。
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