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TWI795075B - 形狀計測方法、形狀計測裝置及形狀計測程式 - Google Patents

形狀計測方法、形狀計測裝置及形狀計測程式 Download PDF

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TWI795075B
TWI795075B TW110142408A TW110142408A TWI795075B TW I795075 B TWI795075 B TW I795075B TW 110142408 A TW110142408 A TW 110142408A TW 110142408 A TW110142408 A TW 110142408A TW I795075 B TWI795075 B TW I795075B
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scattering intensity
intensity curve
mentioned
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estimated
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TW110142408A
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Inventor
萩原一希
Original Assignee
日商鎧俠股份有限公司
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Publication date
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Abstract

本發明之實施方式係關於一種形狀計測方法、形狀計測裝置、及程式。實施方式之形狀計測方法中，藉由第1擬合處理來計算第1參數群中所包含之參數之收斂值，該第1擬合處理係使用了散射強度曲線及第1推想散射強度曲線，該散射強度曲線係與照射於具有特定圖案之基板上之電磁波之散射強度有關，該第1推想散射強度曲線係與對第1假想構造進行第1模擬而算出之散射強度有關，其中第1假想構造係基於由包含重點參數在內之複數個參數所組成之第1參數群而構成。藉由第2擬合處理來計算第2參數群中所包含之參數之收斂值，該第2擬合處理係使用了散射強度曲線及第2推想散射強度曲線，該第2推想散射強度曲線係與對第2假想構造進行第2模擬而算出之散射強度有關，其中第2假想構造係基於由包含重點參數在內之複數個參數所組成之第2參數群而構成，且重點參數中收斂值被設定為常數。

Description

形狀計測方法、形狀計測裝置及形狀計測程式
本發明之實施方式係關於一種形狀計測方法、形狀計測裝置、及程式。
在半導體製造工藝中，利用微小角度入射X射線小角度散射法(Grazing Incidence Small Angle X-ray Scattering；以下稱作GISAXS)作為計測形成在基板上之圖案之形狀之技術。GISAXS中利用如下技術，即，基於表示圖案之形狀特徵之複數個參數來假定假想構造，藉由對假想構造進行模擬或擬合處理而計算各參數之收斂值，由此計測圖案之形狀。構成假想構造之複數個參數中有時包含難以準確地計算收斂值之參數。參數之收斂值之精度下降會導致圖案形狀之計測精度下降。
本發明之一實施方式提供一種能夠高精度地計測圖案形狀之形狀計測方法、形狀計測裝置、及程式。
根據本發明之一實施方式，提供一種形狀計測方法。形狀計測方法中，獲取散射強度曲線，上述散射強度曲線與自第1裝置照射至具有特定 圖案之基板之電磁波之散射強度有關。又，獲取第1推想散射強度曲線，上述第1推想散射強度曲線與對第1假想構造進行第1模擬而算出之散射強度有關，其中第1假想構造係基於由包含重點參數在內之複數個參數所組成之第1參數群而構成。又，藉由使用散射強度曲線與第1推想散射強度曲線進行之第1擬合處理來計算第1參數群中所包含之參數之收斂值。又，獲取第2推想散射強度曲線，上述第2推想散射強度曲線與對第2假想構造進行第2模擬而算出之散射強度有關，其中第2假想構造係基於由包含重點參數在內之複數個參數所組成之第2參數群而構成且重點參數中收斂值被設定為常數。又，藉由使用散射強度曲線與第2推想散射強度曲線進行之第2擬合處理來計算第2參數群中所包含之參數之收斂值。
根據上述構成，可提供一種能夠高精度地計測圖案形狀之形狀計測方法、形狀計測裝置、及程式。
1:形狀計測裝置
11:載台
12:X射線管
13:發散狹縫
14:二維檢測器
20:控制部
30:運算部
41:第1間隙部
42:第2間隙部
45:線部
51:CPU
52:ROM
53:RAM
54:外部記憶裝置
55:輸出裝置
56:輸入裝置
57:匯流排
101:散射強度曲線獲取部
102:第1模擬部
103:第1擬合部
104:第2模擬部
105:第2擬合部
106:形狀資訊產生部
201:基準值獲取部
202:修正部
C:單位構造
CD:線寬
ds:寬度差
H:高度
L:線
Li:入射X射線
Lo:散射X射線
M1:第1假想構造
M2:第2假想構造
RB1:第1底部曲率半徑
RB2:第2底部曲率半徑
RT1:第1上部曲率半徑
RT2:第2上部曲率半徑
SWA1:第1間隙部傾斜角
SWA2:第2間隙部傾斜角
S1:第1寬度
S2:第2寬度
P:圖案
α:入射角度
β:射出角度
圖1係表示第1實施方式之形狀計測裝置之構成之一例之圖。
圖2係表示第1實施方式之基板之圖案之一例之俯視圖。
圖3係表示第1實施方式之控制部及運算部之硬體構成之一例之方塊圖。
圖4係表示第1實施方式之運算部之功能構成之一例之方塊圖。
圖5係表示第1實施方式之散射強度曲線之一例之曲線圖。
圖6係表示第1實施方式之第1假想構造之一例之圖。
圖7係表示第1實施方式之第2假想構造之一例之圖。
圖8係表示第1實施方式之形狀計測裝置中產生形狀資訊時之處理之一例之流程圖。
圖9係表示第2實施方式之運算部之功能構成之一例之方塊圖。
圖10係表示第2實施方式中基準值與修正前之重點參數之收斂值之關係之一例之曲線圖。
圖11係表示第2實施方式中基準值與修正後之重點參數之收斂值之關係之一例之曲線圖。
圖12係表示第2實施方式中對重點參數之收斂值進行修正之處理之一例之流程圖。
以下，參照隨附圖式，對實施方式之形狀計測方法及形狀計測裝置詳細地進行說明。再者，本發明並不受該實施方式限定。
(第1實施方式)圖1係表示第1實施方式之形狀計測裝置1之構成之一例之圖。以下，例示形狀計測裝置1為GISAXS之情況。
形狀計測裝置1具備：載台11、X射線管12(第1裝置之一例)、發散狹縫13、二維檢測器14、控制部20、及運算部30。
載台11係供載置計測對象基板40之單元。載台11能夠藉由合適之驅動機構而在與供載置基板10之載置面平行之方向上移動，並且能夠在與載置面平行之面內旋轉。
基板40上形成有特定圖案。圖案包含由凹部或凸部構成之單位構造週期性地重複而成之構造，例如可為半導體記憶裝置之線與間隙圖案、穿孔圖案(記憶體孔)、柱圖案等。
圖2係表示第1實施方式之基板40之圖案P之一例之俯視圖。圖中，XY平面係與載台11之載置面平行之面，Z軸係與XY平面垂直之方向。此處所例示之圖案P係線與間隙圖案，包含第1間隙部41、第2間隙部42、及線部45。第1間隙部41及第2間隙部42係沿著Y軸自基板40之表面向基板40之內部(Z軸之負方向)下挖而成之凹部。第2間隙部42在X方向上之寬度大於第1間隙部41在X方向上之寬度。線部45係形成在第1間隙部41與第2間隙部42之間之凸部。由1個第1間隙部41、1個第2間隙部42、及2個線部45構成單位構造C，於俯視下，單位構造C係二維且週期性地進行配置。於本實施方式中，圖2中，將自與第1間隙部41之左側相鄰之線部45之X軸方向上之中間部起至與第2間隙部42之右側相鄰之線部45之X軸方向上之中間部為止作為1個單位構造C，但單位構造C之劃分方法並不限定於此。再者，圖2中所示之圖案P係例示，形成在基板40上之圖案並不限定於線與間隙圖案。
X射線管12係包含產生特定波長之X射線(電磁波之一例)之光源、及凹面鏡等之單元。光源只要產生X射線，則並無特別限定，例如可為產生Cu之Kα射線之光源等。X射線管12根據來自控制部20之控制信號，產生例如1nm以下波長之入射X射線Li。入射X射線Li藉由X射線管12內之凹 面鏡來調整光路，以所需之入射角度α照射至基板40。入射X射線Li藉由基板40上之圖案P而發生散射，因此產生散射X射線Lo。散射X射線Lo根據圖案P之形狀，以各種射出角度β自基板40散射。
發散狹縫13係用於調整入射X射線Li之寬度之狹縫。於想要提昇入射X射線Li之強度之情形時，根據來自控制部20之控制信號使發散狹縫13之寬度變寬。
二維檢測器14配置於離基板40(圖案P)足夠遠之位置，利用受光元件對散射X射線Lo進行檢測，測定散射X射線Lo之強度(散射強度)。二維檢測器14具有二維地配置有受光元件之受光部。各受光元件測定散射X射線Lo之強度。藉由將由各受光元件所測得之散射強度、與各受光元件之位置建立對應關係，而能夠產生表示散射強度分佈之二維圖像。二維檢測器14向運算部30輸出表示散射強度之檢測結果之檢測數據(例如，表示上述二維圖像之數據等)。
控制部20係資訊處理裝置，進行用於對載台11、X射線管12、發散狹縫13等進行控制之處理。控制部20藉由使載台11位移，而調整基板40上入射X射線Li入射之位置等。又，控制部20對入射至基板40之入射X射線Li之入射角度α、入射X射線Li之輸出等進行控制。又，控制部20對發散狹縫13之寬度進行控制而調整入射X射線Li之照射面積。又，控制部20對載台控制部21、光源控制部22、狹縫寬度控制部23、及運算部30設定計測基板40時之測定條件。測定條件包含例如入射角度α、狹縫寬度、載 台11之轉速等。
運算部30係資訊處理裝置，基於自二維檢測器14輸出之檢測數據，進行用於計測形成在基板40上之圖案P之形狀之處理。關於運算部30之功能，將在下文中進行敍述。
圖3係表示第1實施方式之控制部20及運算部30之硬體構成之一例之方塊圖。此處所例示之控制部20及運算部30包含CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)51、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)52、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)53、外部記憶裝置54、輸出裝置55、輸入裝置56等經由匯流排57相連接之微型電腦(處理器)。CPU 51按照記憶於ROM 52、外部記憶裝置54等中之程式來執行各種運算處理。RAM 53用作CPU 51之作業區域等。輸出裝置55可為例如顯示器、揚聲器等。輸入裝置56可為例如鍵盤、觸控面板機構、指向裝置等。再者，控制部20及運算部30之硬體構成並不限於以上所述，亦可利用例如ASIC(Application Specific Integrated Circuit，特殊應用積體電路)、FPGA(Field Programmable Gate Array，場可程式化門陣列)等裝置而構成。
圖4係表示第1實施方式之運算部30之功能構成之一例之方塊圖。運算部30具有：散射強度曲線獲取部101、第1模擬部102、第1擬合部103、第2模擬部104、第2擬合部105、及形狀資訊產生部106。該等功能性構成要素101~106，能夠藉由例如圖3所示之硬體與軟體(程式)之協作而實 現。
散射強度曲線獲取部101獲取散射強度曲線，該散射強度曲線係與照射於基板40上之電磁波之散射強度有關。本實施方式之散射強度曲線獲取部101，基於自二維檢測器14輸出之檢測數據，獲取(產生)與實際向基板40照射入射X射線Li時之散射強度有關之散射強度曲線。
圖5係表示第1實施方式之散射強度曲線之一例之曲線圖。此處所例示之散射強度曲線，係表示散射X射線Lo之射出角度β(橫軸)與散射X射線Lo之強度(縱軸)之關係。
第1模擬部102(圖4)係藉由對基於第1參數群所構成之第1假想構造執行第1模擬，而獲取第1推想散射曲線。第1參數群係由表示作為計測對象之圖案P之形狀特徵之複數個參數所組成之群，且包含重點參數。重點參數係預先自複數個參數中所選出之參數，例如可為相對難以藉由最終之擬合處理(後述之第2擬合處理)來計算出收斂值之參數等。第1假想構造係基於如上所述之第1參數群而構成之假想構造。
圖6係表示第1實施方式之第1假想構造M1之一例之圖。此處所例示之第1假想構造M1係簡單地表現了圖2中所例示之圖案P之單位構造C之形狀特徵者，該第1假想構造M1係以高度H、第1寬度S1、第2寬度S2、線寬CD、及寬度差ds作為參數。
高度H表示第1間隙部41及第2間隙部42之底部至上端部之高度(深度)。第1寬度S1係表示假設第1間隙部41跨及整個高度具有固定寬度時，第1間隙部41在X軸方向上之寬度。第2寬度S2係表示假設第2間隙部42跨及整個高度具有固定寬度時，第2間隙部42在X軸方向上之寬度。線寬CD係表示假設第1間隙部41及第2間隙部42跨及整個高度分別具有固定寬度時，第1間隙部41與第2間隙部42之間之距離。寬度差ds係表示第1寬度S1與第2寬度S2之差(S2-S1)。於本實施方式中，寬度差ds被設定為重點參數。
第1模擬部102(圖4)對如上所述之第1假想構造M1執行第1模擬。第1模擬係當向第1假想構造M1在特定之測定條件下照射入射X射線L時，推想散射強度之處理。藉由此類第1模擬，而獲取(產生)第1推想散射曲線，該第1推想散射曲線與向第1假想構造M1照射入射X射線Li時之散射強度有關。第1推想散射曲線與圖5所例示之散射強度曲線同樣，表示散射X射線Lo之射出角度β與散射X射線Lo之強度之關係。
第1擬合部103藉由使用散射強度曲線與第1推想散射強度曲線進行之第1擬合處理，來計算第1參數群中所包含之參數之收斂值。第1擬合處理中，將散射強度曲線之散射強度、與藉由改變參數之值而獲得之第1推想散射強度曲線之散射強度進行比較，當兩個散射強度之差量為閾值以下時，將此時之第1參數群中所包含之參數之值設為收斂值。
第2模擬部104藉由對基於第2參數群所構成之第2假想構造執行第2模 擬，而獲取第2推想散射曲線。第2參數群由包含重點參數在內之複數個參數所組成，且重點參數中由第1擬合部103算出之收斂值(使用第1假想構造M1所算出之收斂值)被設定為常數。第2假想構造係基於此類第2參數群而構成之假想構造。
圖7係表示第1實施方式之第2假想構造M2之一例之圖。此處所例示之第2假想構造M2相較於第1假想構造M1而言，更加詳細地表現了圖2中所例示之圖案P之單位構造C之形狀特徵。第2假想構造M2係以高度H、第1寬度S1、第2寬度S2、線寬CD、第1底部曲率半徑RB1、第2底部曲率半徑RB2、第1上部曲率半徑RT1、第2上部曲率半徑RT2、第1間隙部傾斜角SWA1、第2間隙部傾斜角SWA2、及寬度差ds作為參數，作為重點參數之寬度差ds中，由第1擬合部103算出之收斂值被設定為常數K。
高度H表示第1間隙部41及第2間隙部42之底部(底部之中央部)至上端部之高度(深度)。第1寬度S1表示第1間隙部41在H/2位置處之X軸方向上之寬度。第2寬度S2表示第2間隙部42在H/2位置處之X軸方向上之寬度。線寬CD表示在H/2位置處第1間隙部41與第2間隙部42之間之距離。第1底部曲率半徑RB1表示第1間隙部41之底部之曲率半徑。第2底部曲率半徑RB2表示第2間隙部42之底部之曲率半徑。第1上部曲率半徑RT1表示線部45之第1間隙部41側之部分之曲率半徑。第2上部曲率半徑RT2表示線部45之第2間隙部42側之部分之曲率半徑。第1間隙部傾斜角SWA1表示第1間隙部41之側面相對於水平面(XY平面)之傾斜角度。第2間隙部傾斜角SWA2表示第2間隙部42之側面相對於水平面之傾斜角度。寬度差ds表示 第1寬度S1與第2寬度S2之差(S2-S1)，其被固定為常數K(藉由第1擬合處理而算出之收斂值)。
第2模擬部104(圖4)對如上所述之第2假想構造M2執行第2模擬。第2模擬係當向第2假想構造M2在特定之測定條件下照射入射X射線Li時，推想散射強度之處理。藉由此類第2模擬，而獲取(產生)第2推想散射曲線，該第2推想散射曲線與向第2假想構造M2照射入射X射線Li時之散射強度有關。第2推想散射曲線與圖5中所例示之散射強度曲線同樣，表示散射X射線Lo之射出角度β與散射X射線Lo之強度之關係。
第2擬合部105藉由使用散射強度曲線與第2推想散射強度曲線進行之第2擬合處理，來計算第2參數群中所包含之各參數之收斂值。本實施方式中之第2參數群中所包含之參數為高度H、第1寬度S1、第2寬度S2、線寬CD、第1底部曲率半徑RB1、第2底部曲率半徑RB2、第1上部曲率半徑RT1、第2上部曲率半徑RT2、第1間隙部傾斜角SWA1、第2間隙部傾斜角SWA2、及寬度差ds(常數K)。第2擬合處理中，將散射強度曲線之散射強度、與藉由改變參數而獲得之第2推想散射強度曲線之散射強度進行比較，當兩個散射強度之差量為閾值以下時，將此時之各參數之值設為收斂值。
形狀資訊產生部106基於第2參數群中所包含之各參數之收斂值，產生與計測對象圖案P之形狀有關之形狀資訊。形狀資訊之利用方法各種各樣，形狀資訊例如能夠用於基板40之品質評價、在基板40上形成圖案P之 裝置之控制等。
圖8係表示第1實施方式之形狀計測裝置1中產生形狀資訊時之處理之一例之流程圖。散射強度曲線獲取部101基於來自二維檢測器14之檢測數據，獲取散射強度曲線(S101)。第1模擬部102設定以包含重點參數(例如，寬度差ds)在內之第1參數群為基礎之第1假想構造M1(S102)，對第1假想構造M1執行第1模擬，獲取第1假想散射強度曲線(S103)。
第1擬合部103藉由使用散射強度曲線與第1假想散射強度曲線進行之第1擬合處理，來計算第1參數群中所包含之參數之收斂值(S104)。第2模擬部104設定以重點參數被固定為收斂值(常數K)之第2參數群為基礎之第2假想構造M2(S105)，對第2假想構造M2執行第2模擬，獲取第2假想散射強度曲線(S106)。
第2擬合部105藉由使用散射強度曲線與第2假想散射強度曲線進行之第2擬合處理，來計算第2參數群中所包含之各參數之收斂值(S107)。形狀資訊產生部106基於第2參數群之收斂值，產生與圖案P之形狀有關之形狀資訊(S108)。
根據上述構成，使用重點參數之收斂值相對簡單之假想構造(第1假想構造M1)來進行計算。藉此，能夠實現減輕當使用複雜假想構造(第2假想構造M2)進行處理(第2模擬及第2擬合處理)時之處理負荷、或避免重點參數被收斂為錯誤值。藉此，能夠高精度地計測圖案之形狀。
以下，參照圖式對其他實施方式進行說明，對與第1實施方式同一或相同之部位附上同一符號，有時省略其說明。
(第2實施方式)圖9係表示第2實施方式之運算部30之功能構成之一例之方塊圖。本實施方式之運算部30於具備基準值獲取部201及修正部202作為對重點參數之收斂值進行修正之構件方面，有別於第1實施方式。
基準值獲取部201獲取基準值，該基準值係使用與上述之照射用於獲取散射強度曲線(圖5)之電磁波(入射X射線Li)之裝置(X射線管12：第1裝置)不同之裝置(第2裝置)所測得之重點參數之值。第2裝置例如亦可為向基板40照射具有與入射X射線Li不同之波長之電磁波，從而計測重點參數之值之裝置。於此情形時，第2裝置可為例如CD-SEM(Critical Dimension Scanning Electron Microscope，特徵尺寸計測用掃描電子顯微鏡)等。又，第2裝置亦可為藉由對具有圖案P且與實際作為計測對象(載置於載台11上)之基板40不同之樣品基板進行破壞性檢查，從而計測重點參數之值之裝置。於此情形時，第2裝置可為例如X-SEM(X-Ray scanning electron microscopy，X射線掃描電子顯微鏡)、X-TEM(X-Ray Transmission Electron Microscope，X射線透射電子顯微鏡)等。
修正部202基於由基準值獲取部201所獲取之基準值(由第2裝置所測得之重點參數之值)，對由第1擬合部103算出之重點參數之收斂值進行修正。修正部202基於藉由第1擬合處理(第1擬合部103)而算出之重點參數之 收斂值、與由基準值獲取部201所獲取之基準值之差，來設定用於對該收斂值進行修正之修正係數。
圖10係表示第2實施方式中基準值與修正前之重點參數之收斂值之關係之一例之曲線圖。該曲線圖中，橫軸對應於基準值，縱軸對應於修正前之重點參數之收斂值。本例中，使用由X-TEM所測得之值作為基準值。線L表示基準值與收斂值之對應關係，若兩者不存在誤差，則斜率為1，偏移(基準值為0時之收斂值之值)為0，但在圖10所示之示例中，斜率為0.599，偏移為0.386。修正部202以如此般之斜率及偏移之誤差為閾值以下之方式，設定修正係數。
圖11係表示第2實施方式中基準值與修正後之重點參數之收斂值之關係之一例之曲線圖。該曲線圖中，橫軸對應於基準值，縱軸對應於修正後之重點參數之收斂值。如圖11中所示，修正後之線L中，斜率接近於1，偏移接近於0。
圖12係表示第2實施方式中對重點參數之收斂值進行修正之處理之一例之流程圖。基準值獲取部201藉由第2裝置計測實際作為計測對象之基板40或樣品基板中之重點參數之值，來獲取所測得之值作為基準值(S201)。修正部202基於藉由第1擬合處理(第1擬合部103)而算出之重點參數之收斂值、與由基準值獲取部201所獲取之基準值之差，來設定用於對收斂值進行修正之修正係數(S202)。修正部202基於修正係數對收斂值進行修正(S203)，將修正後之收斂值作為重點參數之常數K輸出至第2模擬 部104(S204)。
根據本實施方式，能夠提高重點參數之收斂值之計算精度，且能夠提高圖案P之形狀之計測精度。
使電腦來執行根據上述實施方式所說明之各種處理或功能之程式，係以可安裝之形式或可執行之形式之檔案，記錄於CD-ROM(Compact Disc Read-Only Memory，唯讀光碟記憶體)、軟碟(FD)、CD-R(CD Recordable，可記錄式光碟)、DVD(Digital Versatile Disk，數位化多功能光碟)等電腦能夠讀取之記錄媒體中而提供。又，亦可構成為將程式儲存在連接於網際網路等網路之電腦上，經由網路將程式下載而提供。又，亦可構成為經由網際網路等網路來提供或普及程式。又，亦可構成為將程式預先組裝於ROM等中來提供。
對本發明之若干實施方式進行了說明，但該等實施方式係作為示例被提出，並不意在限定發明範圍。該等新穎之實施方式可以藉由其他各種方式實施，於不脫離發明主旨之範圍內可進行各種省略、置換、變更。該等實施方式或其變化包含在發明範圍或主旨中，並且包含在申請專利範圍所記載之發明及其均等之範圍內。
[相關申請之交叉參考]
本申請案以2021年07月13日提出申請之先前日本專利申請第2021-115748號之優先權之利益為基礎，並謀求該利益，藉由引用將其全部內容併入本文中。
30:運算部
101:散射強度曲線獲取部
102:第1模擬部
103:第1擬合部
104:第2模擬部
105:第2擬合部
106:形狀資訊產生部

Claims (8)

  1. 一種形狀計測方法，其包含如下步驟：獲取散射強度曲線，該散射強度曲線係與自第1裝置照射至具有特定圖案之基板之電磁波之散射強度有關；獲取第1推想散射強度曲線，該第1推想散射強度曲線係與對第1假想構造進行第1模擬而算出之散射強度有關，該第1假想構造係基於由包含重點參數在內之複數個參數所組成之第1參數群而構成；藉由使用上述散射強度曲線與上述第1推想散射強度曲線進行之第1擬合處理，來計算上述第1參數群中所包含之參數之收斂值；獲取第2推想散射強度曲線，該第2推想散射強度曲線係與對第2假想構造進行第2模擬而算出之散射強度有關，該第2假想構造係基於由包含上述重點參數在內之複數個參數所組成之第2參數群而構成，且上述重點參數中上述收斂值被設定為常數；及藉由使用上述散射強度曲線與上述第2推想散射強度曲線進行之第2擬合處理，來計算上述第2參數群中所包含之參數之收斂值。
  2. 如請求項1之形狀計測方法，其進而包含如下步驟：基於使用與上述第1裝置不同之第2裝置所測得之上述重點參數之值即基準值，對藉由上述第1擬合處理而算出之上述重點參數之收斂值進行修正。
  3. 如請求項2之形狀計測方法，其中上述第2裝置使用電磁波來計測上述基準值，該電磁波具有與自上述第1裝置照射之上述電磁波不同之波長。
  4. 如請求項2之形狀計測方法，其中上述第2裝置係CD-SEM。
  5. 如請求項2之形狀計測方法，其中上述第2裝置藉由對具有上述圖案、且與上述基板不同之樣品基板進行破壞性檢查，從而計測上述基準值。
  6. 如請求項5之形狀計測方法，其中上述第2裝置係X-SEM或X-TEM。
  7. 一種形狀計測裝置，其包含：散射強度曲線獲取部，其獲取散射強度曲線，該散射強度曲線係與自第1裝置照射至具有特定圖案之基板之電磁波之散射強度有關；第1模擬部，其獲取第1推想散射強度曲線，該第1推想散射強度曲線係與對第1假想構造進行第1模擬而算出之散射強度有關，該第1假想構造係基於由包含重點參數在內之複數個參數所組成之第1參數群而構成；第1擬合部，其藉由使用上述散射強度曲線與上述第1推想散射強度曲線進行之第1擬合處理，來計算上述第1參數群中所包含之參數之收斂值；第2模擬部，其獲取第2推想散射強度曲線，該第2推想散射強度曲線係與對第2假想構造進行第2模擬而算出之散射強度有關，該第2假想構造係基於由包含上述重點參數在內之複數個參數所組成之第2參數群而構成，且上述重點參數中上述收斂值被設定為常數；及第2擬合部，其藉由使用上述散射強度曲線與上述第2推想散射強度曲線進行之第2擬合處理，來計算上述第2參數群中所包含之參數之收斂值。
  8. 一種形狀計測程式，其使電腦執行如下處理：獲取散射強度曲線， 該散射強度曲線係與自第1裝置照射至具有特定圖案之基板之電磁波之散射強度有關；獲取第1推想散射強度曲線，該第1推想散射強度曲線係與對第1假想構造進行第1模擬而算出之散射強度有關，該第1假想構造係基於由包含重點參數在內之複數個參數所組成之第1參數群而構成；藉由使用上述散射強度曲線與上述第1推想散射強度曲線進行之第1擬合處理，來計算上述第1參數群中所包含之參數之收斂值；獲取第2推想散射強度曲線，該第2推想散射強度曲線係與對第2假想構造進行第2模擬而算出之散射強度有關，該第2假想構造係基於由包含上述重點參數在內之複數個參數所組成之第2參數群而構成，且上述重點參數中上述收斂值被設定為常數；及藉由使用上述散射強度曲線與上述第2推想散射強度曲線進行之第2擬合處理，來計算上述第2參數群中所包含之參數之收斂值。
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