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TWI793751B - 具有光學式距離測量元件的基底處理設備 - Google Patents

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TWI793751B
TWI793751B TW110133400A TW110133400A TWI793751B TW I793751 B TWI793751 B TW I793751B TW 110133400 A TW110133400 A TW 110133400A TW 110133400 A TW110133400 A TW 110133400A TW I793751 B TWI793751 B TW I793751B
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陳家富
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南亞科技股份有限公司
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Abstract

本揭露提供一種基底處理設備，包含一控制器以及至少一輸入/輸出腔室。該至少一輸入/輸出腔室包括一裝載鎖定裝置，其具有一基座、一導軌、一平台以及一光學測量模組，其中該導軌連接到該基座。該平台可移動地設置在該導軌上，承載一晶圓匣，其具有一批多個分隔設置之基板。該光學測量模組依據從該平台所反射的至少一光學訊號而取得該平台沿著該導軌行進之一實際移動距離。

Description

具有光學式距離測量元件的基底處理設備
本申請案主張2021年3月3日申請之美國正式申請案第17/191,160號的優先權及益處，該美國正式申請案之內容以全文引用之方式併入本文中。
本揭露關於一種基底處理設備。特別是有關於一種具有一裝載鎖定裝置的基底處理設備，該裝載鎖定裝置具有一功能，該功能是取得容納多個基底之一晶圓匣的一移動距離。
承載一批多個分隔設置半導體基板的多個載體應用在許多類型的半導體基底處理系統中，以便於批量處理並最小化由於不正確的處理而對晶圓所造成的損傷。舉例來說，如此的載體運用成將多個半導體基底依序提供給自動基底處理和加工系統的多個輸入皿盒(input magazines)、作為從此類系統依序接收多個處理後之半導體基底的多個輸出皿盒、或用作承載該等半導體基底的多個中間(生產量)裝置，該等半導體基底可能需要在此類系統處理期間的某個時間點進行採樣、測試或其他一些特殊處理。
上文之「先前技術」說明僅提供背景技術，並未承認上文之「先前技術」說明揭示本揭露之標的，不構成本揭露之先前技術，且上文之「先前技術」之任何說明均不應作為本案之任一部分。
本揭露之一實施例提供一種基底處理設備。該基底處理設備包括一控制器以及至少一輸入/輸出腔室。該至少一輸入/輸出腔室包含一裝載鎖定裝置，其包括一基座、一導軌、一平台以及一光學測量模組。該導軌連接到該基座。該平台可移動地設置在該導軌上，且承載一晶圓匣，該晶圓匣具有一批多個分隔設置之基板。該光學測量模組依據從該平台所反射的至少一光學訊號而取得該平台沿著該導軌行進之一實際移動距離。該光學測量模組包括一處理器，電性耦接到該控制器。
在一些實施例中，該裝載鎖定裝置還包括一馬達，電性耦接到該處理器並經配置以沿著該導軌朝上及朝下移動該平台。該控制器經配置以產生移動該平台的一預設移動距離，其中該預設移動距離提供到該處理器且最後到該馬達，而該處理器經配置以比較該預設移動距離與該實際移動距離之間的一差值，且若是該差值大於一臨界值的話，則發出一警報。
在一些實施例中，該光學測量模組還包括一顯示器，顯示該實際移動距離以及由該處理器所提供的一比較結果。
在一些實施例中，該光學測量模組還包括一光發射器以及一光接收器。該光發射器電性耦接到該處理器並經配置以產生具有一特定波長的光線；以及該光接收器電性耦接到該處理器並經配置以接收具有該特定波長的光線。由該光發射器所產生的光線投射到該平台、由該平台反射，並照射在該光接收器上，且該處理器經配置以依據照射在該光接收器上之光量而確定藉由該平台沿著該導軌行進的該實際移動距離。
在一些實施例中，該光學測量模組還包括一光反射器，設置在該平台上且在光線的一光學傳播路徑中，以將光線常態地導引至該光接收器。
在一些實施例中，該光發射器與該光接收器設置在該基座上。
在一些實施例中，該光學測量模組還包括一光發射器以及一光接收器。該光發射器電性耦接到該處理器並經配置以產生具有一特定波長的至少一光脈衝；以及該光接收器電性耦接到該處理器並經配置以接收具有該特定波長的一光脈衝。由該光發射器所產生的該光脈衝投射到該平台、由該平台反射，並照射在該光接收器上，且該處理器經配置以依據該光脈衝從該光發射器到該光接收器的一行進時間而確定藉由該平台沿著該導軌行進的該實際移動距離。
在一些實施例中，該基底處理設備還包括一傳輸腔室以及一處理腔室，該傳輸腔室包括一分選器，電性耦接到該控制器；以及該處理腔室提供有植入該等基底的一離子植入裝置。
在一些實施例中，該基底處理設備還包括複數個閘閥，電性耦接到該控制器。在一關閉操作期間，運用該等閘閥以密封地將該輸入/輸出腔室絕緣於該處理腔室。在一開啟操作期間，該等閘閥則允許該分選器裝載及卸下該等基底。
本揭露之另一實施例提供一種基底處理設備。該基底處理設備包括一控制器以及至少一輸入/輸出腔室。該至少一輸入/輸出腔室包含一裝載鎖定裝置，其包括一基座、一導軌、一平台以及一光學測量模組。該導軌連接到該基座。該平台可移動地設置在該導軌上，且承載一晶圓匣，該晶圓匣具有一批多個分隔設置之基板。該光學測量模組電性耦接到該控制器並經配置以依據從一光發射器直接傳輸到一光接收器的至少一光學訊號而取得該平台沿著該導軌行進之一實際移動距離。
在一些實施例中，該光發射器與該光接收器分別設置在該基座上與該平台上。
在一些實施例中，依據照射在該光接收器上的光量以確定藉由該平台沿著該導軌行進的該實際移動距離。
在一些實施例中，依據從該光發射器到該光接收器之一光脈衝的一行進時間以確定藉由該平台沿著該導軌行進的該實際移動距離。
在一些實施例中，該光學測量模組還包括一處理器，電性耦接到該光發射器與該光接收器，該裝載鎖定裝置還包括一馬達，電性耦接到該處理器並經配置以沿著該導軌朝上及朝下移動該平台，該控制器經配置以產生移動該平台的一預設移動距離，其中提供該預設移動距離到該處理器且最後到該馬達，而該處理器經配置以比較該預設移動距離與該實際移動距離之間的一差值，若是該差值大於一臨界值的話，則發出一警報。
在一些實施例中，該光學測量模組還包括一顯示器，顯示該實際移動距離以及由該處理一所提供的一比較結果。
在一些實施例中，該基底處理設備還包括一傳輸腔室、一處理腔室以及複數個閘閥。該傳輸腔室包括一分選器，電性耦接到該控制器；以及該處理腔室提供有植入該等基底的一離子植入裝置。該等閘閥電性耦接到該控制器。在一關閉操作期間，運用該等閘閥以密封地將該輸入/輸出腔室絕緣於該處理腔室。在一開啟操作期間，該等閘閥則允許該分選器裝載及卸下該等基底。
由於上述之該裝載鎖定裝置的架構，其中該平台依據該預設移動距離而對應該基座移動，且該預設移動距離是由電性耦接到該裝載鎖定裝置的該控制器所提供，所以可監控該平台沿著該導軌的該實際移動距離，藉此降低由基板刮傷所造成的成本。
上文已相當廣泛地概述本揭露之技術特徵及優點，俾使下文之本揭露詳細描述得以獲得較佳瞭解。構成本揭露之申請專利範圍標的之其它技術特徵及優點將描述於下文。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，可相當容易地利用下文揭示之概念與特定實施例可作為修改或設計其它結構或製程而實現與本揭露相同之目的。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者亦應瞭解，這類等效建構無法脫離後附之申請專利範圍所界定之本揭露的精神和範圍。
現在使用特定語言描述附圖中所示之本揭露的實施例或例子。應當理解，本揭露的範圍無意由此受到限制。所描述之實施例的任何修改或改良，以及本文件中描述之原理的任何進一步應用，所屬技術領域中具有通常知識者都認為是通常會發生的。元件編號可以在整個實施例中重複，但這並不一定意味著一個實施例的特徵適用於另一實施例，即使它們共享相同的元件編號。
應當理解，雖然用語「第一(first)」、「第二(second)」、「第三(third)」等可用於本文中以描述不同的元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、層及/或部分不應受這些用語所限制。這些用語僅用於從另一元件、部件、區域、層或部分中區分一個元件、部件、區域、層或部分。因此，以下所討論的「第一元件(first element)」、「部件(component)」、「區域(region)」、「層(layer)」或「部分(section)」可以被稱為第二裝置、部件、區域、層或部分，而不背離本文所教示。
本文中使用之術語僅是為了實現描述特定實施例之目的，而非意欲限制本發明。如本文中所使用，單數形式「一(a)」、「一(an)」，及「該(the)」意欲亦包括複數形式，除非上下文中另作明確指示。將進一步理解，當術語「包括(comprises)」及/或「包括(comprising)」用於本說明書中時，該等術語規定所陳述之特徵、整數、步驟、操作、元件，及/或組件之存在，但不排除存在或增添一或更多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件，及/或上述各者之群組。
圖1是平面示意圖，例示本揭露一些實施例的基底處理設備10。請參考圖1，處理如矽晶圓之多個半導體基底100的基底處理設備10包括一處理腔室110，該等基底100在其中進行處理；一傳輸腔室120，在處理腔室110中處理之前以及之後，該等基底100經過其移動；以及一或多個輸入/輸出腔室130，在該等基底100經過傳輸腔室120移動之前以及之後以儲存該等基底100。
傳輸腔室120包括至少一分選器(handler)122，適於在處理腔室110與輸入/輸出腔室130之間拾取、傳輸以及傳送該等基底100。分選器122可具有相互內連接的複數個手臂1222，以允許一基底保持器1224徑向移動以拾取及放置該等基底100，同時保持該等基底100的一預期角度取向(desired angular orientation)。
基底處理設備10還包括複數個閘閥140a、140b，該等閘閥140a、140b經配置以將處理腔室110絕緣輸入/輸出腔室130。該等閘閥140a、140b可開啟或關閉。當該等閘閥140a、140b在關閉位置時，該等閘閥140a、140b密封輸入/輸出腔室130，以使輸入/輸出腔室130密封地絕緣於傳輸腔室120。當該等閘閥140a、140b在開啟位置時，該等閘閥140a、140b允許分選器122裝載及卸下置放在處理腔室110與輸入/輸出腔室130中的該等基底100。每一個閘閥140a、140b僅當在一基底100經過閘閥140a、140b時開啟，並且在所有其他時間關閉。
儲存在其中一個輸入/輸出腔室130中處理後的該等基底100(多個未處理(untreated)基底)可藉由分選器122而傳輸到處理腔室110，其與閘閥140a的開啟和關閉之操作協同動作。在經過一或多次處理後，該等處理後的基底100(該等處理後的基底)可藉由分選器122而從處理腔室110傳輸到其他輸入/輸出腔室130，其與閘閥140b的開啟和關閉之操作協同動作。如圖2所示，傳送該等基底100的完整操作可藉由一控制器150進行控制，控制器150電性連接到分選器120以及閘閥140a、140b。控制器150可存在於一個人電腦(PC)中，該個人電腦具有一記憶體，該記憶體用於儲存執行控制器150的多個指令或是操作在控制器150上的資料。在該等指令執行期間，控制器150可執行一離子植入裝置20之額外的操作、功能以及控制，而離子植入裝置20經配置以將多個離子植入位在處理腔室110中的基底100。在其他實施例中，PC還可包括一中央處理單元(CPU)，以控制及協同PC的該等操作。
請參考圖2，控制器150可控制基底處理設備10的一些或全部操作。在一些實施例中，控制器150可依據分選器122的一傳送路徑以確定每一個閘閥140a、140b是否開啟或關閉。此外，在處理腔室110處之各式不同的處理可藉由改變控制器150的程式以進行控制。意即，在處理腔室110處可依據一改變的處理序列而影響該處理。舉例來說，控制器150可執行多個機器可讀取控制指令以控制腔室壓力、腔室溫度、腔室時間以及在處理腔室110中執行一特定製程的其他參數。處理腔室110藉由電性耦接到主要控制器150的至少一真空裝置160而被抽真空到至少一預定壓力。
圖3是平面示意圖，例示本揭露一些實施例的離子植入裝置20。圖4是電路方塊圖，例示本揭露一些實施例的離子植入裝置20。請參考圖3及圖4，離子植入裝置20經配置以將多個離子植入基底100中。使用一離子束250植入到基底100中的離子植入裝置20包括一離子源204、一源操縱器206、一質量分析器208、一設定偵測器210、一光束操縱器212、一多極單元214、一或多個上/下桿216以及一壓制組件218。
離子源204用於離子化一可離子化摻雜氣體，例如BF 3、BCl 3、PH 3、AsH 3，其包含被離子化的多個離子物質，例如硼(B)、磷(P)或砷(As)。由一電弧電源供應器2042所產生的能量被賦予該可離子化摻雜氣體以在離子源204內產生該離子。在一些實施例中，主要是藉由電弧放電碰撞所產生的電子轟擊原子或分子而將氣體離子化。
在離子源204內所產生的該等離子則被源操縱器206所萃取以形成離子束250，其中離子束250是源饋入材料(source feed material)的分子與原子之不同部分的一混合物。源操縱器206可包括一或多個萃取電極2062，電性耦接到控制器150並可操作於加速與萃取出自於離子源204的多個正離子。在一些實施例中，該等萃取電極2062為接地，以萃取離開離子源204的帶正電荷的該等離子並形成離子束250。
當需要高純度時，離子束250則導向經過質量分析器208，以確定被植入的物質。此外，多個磁鐵2082可集中在兩個維度(dimensions)中離子束250，偏轉它並進行配置，以使離子束250俐落地穿經一解析孔209。在一些實施例中，質量分析器208可包括複數個磁鐵2082，例如電磁鐵，其提供一磁場跨經離子束250，藉此依據該等離子的電荷-質量比而改變多個軌跡從離子束250偏轉該等離子。在一些實施例中，該等磁鐵2082可操作地耦接到控制器150，其可操作以控制該等磁鐵2082的磁場強度(及定向)。
設定偵測器210經配置以測量具有該等預期離子之離子束250的多個物理參數。一可移動測量類型的設定偵測器210可在一光束掃描位置與一後退位置之間後退。在一些實施例中，在從該後退位置沿垂直方向移動到與離子束250正交並緊接在解析孔209後面的同時，設定偵測器210在該光束掃描位置處測量該等物理參數。在測量之後，設定偵測器210從該光束掃描位置後退。設定偵測器210還經配置以依據該等測量的物理參數而產生一植入輪廓，該等測量的物理參數包括以下其中一或多個：離子束250的一電流(意即離子束電流)以及離子束250的一光斑尺寸(spot size)。
光束操縱器212接受離開解析孔209的離子束250，且用於操縱離子束250的一形狀。光束操縱器212可使用一電場操縱離子束250的形狀以定制產生均勻植入劑量之精確的一維離子束電流分佈，該電場由複數個校正磁鐵2122所產生，該等校正磁鐵2122延伸跨經該光束路徑。在一些實施例中，該等校正磁鐵2122可為電磁鐵，其電性耦接到控制器150。多極單元214與上/下桿216接受離開光束操縱器212的發散離子束250，且偏轉並使其在兩個維度上平行。在一些實施例中，多極單元214與上/下桿216可藉由一多極電源供應器2142以及一多桿電源供應器2162所提供的電力而偏轉離子束250。藉由調整使用控制器150而供應到多極單元214與上/下桿216的電力，離子束250可被導向處理腔室110。壓制組件218集中離子束250以減少角度發散與空間尺寸。
請參考圖1及圖4，離子植入裝置20還可包括一光束分析器220以及一入射角偵測器222，其設置在處理腔室110中並電性耦接到控制器150。光束分析器220位在接近支撐基底100的一植入平面112處，並經配置以測量離子束250在植入平面112附近的一植入電流，以及入射角偵測器222可位在植入平面112後面，以測量離子束250的入射角。
如圖4所示，控制器150自動化離子植入裝置20的操作。請參考圖4，控制器150連接到離子源204的電弧電源供應器2042以控制離子化該饋入氣體的功率。控制器150連接到源操縱器206的該等萃取電極2062以及質量分析器208，以控制施加到該等離子的磁場，藉此選擇包含在離子束250中的該等離子。控制器150連接到校正磁鐵2122、多極電源供應器2140以及多桿電源供應器2162，以控制離子束250在植入平面112處的發散與入射角。
該等未處理的基底100設置在耦接到閘閥140的其中一個輸入/輸出腔室130中，並由分選器122一片一片地傳送到處理腔室110。基底100在處理室110處依據一預定順序進行各式不同的處理，然後由分選器122傳送到與閘閥140b耦接的輸入/輸出腔室130。在一些實施例中，基底處理設備10僅具有一個容納該等未處理與已處理基底100的輸入/輸出腔室130。
圖5是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例在輸入/輸出腔室130中的一晶圓匣300以及一裝載鎖定裝置400。請參考圖5，當作容納保持在晶圓匣300中之該等基底100的容器的該等輸入/輸出腔室130，具有多個裝載鎖定裝置400，運用於暫時裝載在多階層狀態下的該等基底100。在一些實施例中，在輸入/輸出腔室130中的該等基底100在被移動到傳輸腔室120中且最終進入處理腔室110中之前，可以在大氣中隔離並清除顆粒。
裝載鎖定裝置400具有一基座410、一導軌420、一平台430以及一光學測量模組440，導軌420固定到基底410，平台430可移動地設置在導軌420上，運用光學測量模組440以依據由平台430所反射的至少一光學訊號而取得一實際移動距離，該實際移動距離藉由平台430而沿著導軌420行進。光學測量模組440可設置在基座410上或是在基座410中，其中設置在基座410中的光學測量模組440不僅提供在機械特性中的一改善，而且還提供了高度美觀的外觀。
裝載鎖定裝置400還具有一馬達460，經配置以驅動平台430對應基座410朝上及朝下移動，以便使承載一批分隔設置基底100的整個晶圓匣300上下移動。請參考圖6，在閘閥140a為開啟的同時，移動在其中一個輸入/輸出腔室130中的平台430，以造成一選定的未處理基底100對準閘閥140a，以使基底保持器1224可延伸進入晶圓匣300中，並成功地且快速地拾取選定的未處理基底100。移動在其他輸入/輸出腔室130中的平台430，以造成置放一已處理基底100在晶圓匣300中的一分隔階層對準閘閥140a，以使基底保持器1224可將已處理基底100傳輸到該分隔階層。因此，若是未處理基底100或分隔階層並未對準閘閥140a/140b而定位的話，則不可能卸下或裝載基底100。
如圖7所示，沿著導軌420移動平台430的一預設移動距離可由基底處理設備10的控制器150所定義，而控制器150電性耦接到馬達460。然而，由於機械差異(mechanical deviation)，所以藉由平台430沿著導軌420行進的該實際移動距離可能與該預設移動距離不同。因此，需要取得藉由平台430而沿著導軌420行進之該實際移動距離的一即時偵測方法。
圖8是放大示意圖，例示本揭露一些實施例的裝載鎖定裝置400。請參考圖7及圖8，取得藉由平台430所行進之該實際移動距離的光學測量模組440具有一光發射器442以及一光接收器444，光發射器442產生具有一特定波長的光線，光接收器444接收具有該特定波長的光線。光學測量模組440還可具有一處理器446，電性耦接到光發射器442與光接收器444，並經配置以依據照射在光接收器444上的光量而確定藉由平台430沿著導軌420行進的該實際移動距離。在一些實施例中，處理器446可與光接收器444整合在一起，形成一精簡型光學測量裝置。
光發射器442可包括一光發射表面4422，由光發射器442所產生的光線從光發射表面4422所發射，其中光發射表面4422面對平台430。在一些實施例中，光發射器442可具有一雷射二極體，以產生一可見光束或一不可見光束，該不可見光束例如紅外線光束。在其他實施例中，光發射器442可具有至少一發光二極體(LED)或至少一發光燈泡，以產生可見光或不可見光。
光接收器444具有一光接收表面4442，其中光線入射到光接收器444上。光接收器444面對平台430。在一些實施例中，暴露在基座410的光發射表面4422與光接收表面4442可位在相同水平位面。光接收器444可具有一或多個光二極體(photodiodes)。
由光發射器442所產生的光線投射到平台430的一下表面432，其中處理器446能夠控制由光發射器442所產生之光線的一發射強度。光接收器444接收由平台430之下表面432所擴散與反射的光線以及照射在光接收表面4442上的光線，且光接收器444依據照射在光接收表面4442上之所接收的光量而產生多個訊號。由光接收器444所產生的該等訊號可即時傳輸到處理器446並顯示在耦接到處理器446的一顯示器448上。
在一些實施例中，處理器446可僅藉由指示反射光線之強度變化的多個訊號來確定藉由平台430沿著導軌420行進的該實際距離。在一些實施例中，光線的強度與從光發射器442之距離的平方成反比。因此，當藉由平台430沿著導軌420行進的該實際移動距離增加時，則照射在光接收器444之光接收表面4442上的光線強度隨著該距離的平方而減少。藉由上述光線的平方反比定律，可獲得藉由平台430沿著導軌420行進的該實際移動距離。
在一些實施例中，處理器446可經配置以比較由控制器150所導出的該預設移動距離與該實際移動距離。處理器446記錄比較結果並可提供該等比較結果到顯示器448。若是該預設移動距離與該實際移動距離之間的一差值大於一臨界值的話，且因此基底保持器1224延伸到晶圓匣300中，同時開啟的閘閥140a從選定的基底100或晶圓匣300中的間隔階層偏移，則由處理器446發出一警報以通知現場技術人員關掉裝載鎖定裝置400，藉此降低由基底刮傷所造成的成本。
在一些實施例中，一光反射器450選擇地定向在平台430的下表面432上，並在光線的一傳播路徑中，以常態地引導光線到光接收器444。在被光反射器446導引之後，則增加照射在光接收表面4442上之反射光線的數量，藉此改善由光接收器444所產生之該等訊號的可靠度與精確度。
圖9及圖10是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例在輸入/輸出腔室130中的一晶圓匣300以及一裝載鎖定裝置400。請參考圖9及圖10，裝載鎖定裝置400具有一基座410、一導軌420、一平台430以及一馬達460，導軌420安裝在基座410上，平台430可移動地設置在導軌420上，馬達460耦接到平台430並經配置以驅動平台430對應基座410朝上及朝下移動，以便使承載一批分隔設置基底100的整個晶圓匣300上下移動。
裝載鎖定裝置400還具有一光學測量模組440，運用於取得藉由平台430沿著導軌420行進的一實際移動距離。光學測量模組440具有一光發射器442以及一光接收器444，光發射器442產生具有一特定波長的至少一光脈衝，光接收器444接收具有該特定波長的光脈衝。
光發射器442具有一光發射表面4422，且光接收器444具有一光接收表面4442，其中在光學測量模組440完全地組裝之後，光發射表面4422面對光接收表面4442。在一些實施例中，光發射器442設置在基座410與平台430其中一個上，且光接收器444設置在基座410與平台430的其中另一個上。舉例來說，如圖9所示，光接收器444設置在平台430的下表面432上，且光發射器442設置在基座410上並投射光線朝向光接收器444。或者是，如圖10所示，光發射器442可設置載平台430的下表面432上並投射光線到安裝在基座410上的光接收器444。在一些實施例中，設置在基座410與平台430其中一個上的光發射器442，正確地對準設置在基座410與平台430其中另一個上的光接收器444，以使由光發射器442所產生的該光脈衝可直接照射在光接收器444的光接收表面4442上。
請參考圖7、圖9及圖10，光學測量模組440還可具有一處理器446，電性耦接到光發射器442、光接收器444以及馬達460，並經配置以依據該光脈衝從光發射器442到光接收器444的一行進時間而確定藉由平台430沿著導軌420行進的該實際移動距離。在一些實施例中，處理器446能夠控制由光發射器442所產生之該等光脈衝的發射強度與週期(period)。
在一些實施例中，處理器446可記錄由光發射器442所發射與由光接收器444所接收之光脈衝的各時間點、確定在從光發射器442到光接收器444之光脈衝傳播期間的一時間週期，然後依據該時間週期計算藉由平台430所行進的該實際移動距離(意即基座410與平台430之間的距離)。在其他實施例中，藉由使用光線的反平方定律，處理器446可依據由光接收器444所接收到之光脈衝的強度而確定藉由平台430所行進的該實際距離。
總而言之，由於具有光學測量模組440之裝載鎖定裝置400的架構，所以可監控藉由平台430沿著導軌420行進的該實際移動距離，藉此降低由基底刮傷所造成的成本。
本揭露之一實施例提供一種基底處理設備。該基底處理設備包括一控制器以及提供有一裝載鎖定裝置的至少一輸入/輸出腔室。該裝載鎖定裝置包括一基座、一導軌、一平台以及一光學測量模組。導軌，連接到該基座。承載一批多個分隔設置基板之一晶圓匣的該平台可移動地設置在該導軌上。該光學測量模組經配置以依據從該平台所反射的至少一光學訊號而取得一實際移動距離，該實際移動距離是藉由該平台沿著該導軌行進。該光學測量模組包括一處理器，電性耦接到該控制器。
本揭露之另一實施例提供一種基底處理設備。該基底處理設備包括一控制器以及提供有一裝載鎖定裝置的至少一輸入/輸出腔室。該裝載鎖定裝置包括一基座、一導軌、一平台以及一光學測量模組。該導軌連接到該基座。承載一批多個分隔設置基板之一晶圓匣的該平台可移動地設置在該導軌上。該光學測量模組電性耦接到該控制器並經配置以依據直接從一光發射器傳輸到一光接收器的至少一光學訊號而取得一實際移動距離，該實際移動距離是藉由該平台沿著該導軌行進。
雖然已詳述本揭露及其優點，然而應理解可進行各種變化、取代與替代而不脫離申請專利範圍所定義之本揭露的精神與範圍。例如，可用不同的方法實施上述的許多製程，並且以其他製程或其組合替代上述的許多製程。
再者，本申請案的範圍並不受限於說明書中所述之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法與步驟之特定實施例。該技藝之技術人士可自本揭露的揭示內容理解可根據本揭露而使用與本文所述之對應實施例具有相同功能或是達到實質上相同結果之現存或是未來發展之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟。據此，此等製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟包含於本申請案之申請專利範圍內。
10:基底處理設備 20:離子植入裝置 100:半導體基底 110:處理腔室 112:植入平面 120:傳輸腔室 122:分選器 130:輸入/輸出腔室 140a:閘閥 140b:閘閥 150:控制器 160:真空裝置 204:離子源 206:源操縱器 208:質量分析器 209:解析孔 210:設定偵測器 212:光束操縱器 214:多極單元 216:上/下桿 218:壓制組件 220:光束分析器 222:入射角偵測器 250:離子束 300:晶圓匣 400:裝載鎖定裝置 410:基座 420:導軌 430:平台 432:下表面 440:光學測量模組 442:光發射器 444:光接收器 446:處理器 448:顯示器 450:光反射器 460:馬達 1222:手臂 1224:基底保持器 2042:電弧電源供應器 2062:萃取電極 2082:磁鐵 2122:校正磁鐵 2142:多極電源供應器 2162:多桿電源供應器 4422:光發射表面 4442:光接收表面
參閱實施方式與申請專利範圍合併考量圖式時，可得以更全面了解本申請案之揭示內容，圖式中相同的元件符號指相同的元件。 圖1是平面示意圖，例示本揭露一些實施例的基底處理設備。 圖2是電路方塊圖，例示本揭露一些實施例的基底處理設備。 圖3是平面示意圖，例示本揭露一些實施例的離子植入裝置。 圖4是電路方塊圖，例示本揭露一些實施例在一控制器與離子植入裝置之間的內連接。 圖5是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例的承載一晶圓匣之一裝載鎖定裝置。 圖6是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例的傳輸腔室、輸入/輸出腔室以及閘閥。 圖7是電路方塊圖，例示本揭露一些實施例的光學測量模組。 圖8是放大示意圖，例示本揭露一些實施例的裝載鎖定裝置。 圖9及圖10是剖視示意圖，例示本揭露一些實施例的承載一晶圓匣之一裝載鎖定裝置。
10:基底處理設備
100:半導體基底
110:處理腔室
112:植入平面
120:傳輸腔室
122:分選器
130:輸入/輸出腔室
140a:閘閥
140b:閘閥
220:光束分析器
222:入射角偵測器
1222:手臂
1224:基底保持器

Claims (16)

  1. 一種基底處理設備，包括：一控制器；以及至少一輸入/輸出腔室，包括一裝載鎖定裝置，該裝載鎖定裝置包括：一基座；一導軌，連接到該基座，其中該導軌沿一第一方向延伸；一平台，可移動地設置在該導軌上，且承載一晶圓匣，該晶圓匣具有一批多個沿該第一方向分隔設置之基板，其中該些基板的表面大致與該第一方向垂直；以及一光學測量模組，經配置以該光學測量模組依據從該平台所反射的至少一光學訊號而取得該平台沿著該導軌行進之一實際移動距離，其中該光學測量模組包括一處理器，電性耦接到該控制器。
  2. 如請求項1所述之基底處理設備，其中該裝載鎖定裝置還包括一馬達，電性耦接到該處理器並經配置以沿著該導軌朝上及朝下移動該平台，其中該控制器經配置以產生移動該平台的一預設移動距離，其中該預設移動距離提供到該處理器且最後到該馬達，而該處理器經配置以比較該預設移動距離與該實際移動距離之間的一差值，且若是該差值大於一臨界值的話，則發出一警報。
  3. 如請求項2所述之基底處理設備，其中該光學測量模組還包括一顯示器，顯示該實際移動距離以及一比較結果。
  4. 如請求項1所述之基底處理設備，其中該光學測量模組還包括：一光發射器，電性耦接到該處理器並經配置以產生具有一特定波長的光線；以及一光接收器，電性耦接到該處理器並經配置以接收具有該特定波長的光線；其中由該光發射器所產生的光線投射到該平台、由該平台反射，並照射在該光接收器上，且該處理器經配置以依據照射在該光接收器上之光量而確定藉由該平台沿著該導軌行進的該實際移動距離。
  5. 如請求項4所述之基底處理設備，其中該光學測量模組還包括一光反射器，設置在該平台上且在光線的一光學傳播路徑中，以將光線常態地導引至該光接收器。
  6. 如請求項4所述之基底處理設備，其中該光發射器與該光接收器設置在該基座上。
  7. 如請求項1所述之基底處理設備，其中該光學測量模組還包括：一光發射器，電性耦接到該處理器並經配置以產生具有一特定波長的至少一光脈衝；以及一光接收器，電性耦接到該處理器並經配置以接收具有該特定波 長的一光脈衝；其中由該光發射器所產生的該光脈衝投射到該平台、由該平台反射，並照射在該光接收器上，且該處理器經配置以依據該光脈衝從該光發射器到該光接收器的一行進時間而確定藉由該平台沿著該導軌行進的該實際移動距離。
  8. 如請求項1所述之基底處理設備，還包括：一傳輸腔室，包括一分選器，電性耦接到該控制器；以及一處理腔室，提供有植入該等基底的一離子植入裝置。
  9. 如請求項8所述之基底處理設備，還包括複數個閘閥，電性耦接到該控制器，其中運用在一關閉操作的該等閘閥以密封地將該輸入/輸出腔室絕緣於該處理腔室，且在一開啟操作的該等閘閥則允許該分選器裝載及卸下該等基底。
  10. 一種基底處理設備，包括：一控制器；以及至少一輸入/輸出腔室，包括一裝載鎖定裝置，該裝載鎖定裝置包括：一基座；一導軌，連接到該基座，其中該導軌沿一第一方向延伸；一平台，可移動地設置在該導軌上，且承載一晶圓匣，該晶圓匣具有一批多個沿該第一方向分隔設置之基板，其中該些基板的 表面大致與該第一方向垂直；以及一光學測量模組，電性耦接到該控制器並經配置以依據從一光發射器直接傳輸到一光接收器的至少一光學訊號而取得該平台沿著該導軌行進之一實際移動距離。
  11. 如請求項10所述之基底處理設備，其中該光發射器與該光接收器分別設置在該基座上與該平台上。
  12. 如請求項10所述之基底處理設備，其中依據照射在該光接收器上的光量以確定藉由該平台沿著該導軌行進的該實際移動距離。
  13. 如請求項10所述之基底處理設備，其中依據從該光發射器到該光接收器之一光脈衝的一行進時間以確定藉由該平台沿著該導軌行進的該實際移動距離。
  14. 如請求項10所述之基底處理設備，其中該光學測量模組還包括一處理器，電性耦接到該光發射器與該光接收器，該裝載鎖定裝置還包括一馬達，電性耦接到該處理器並經配置以沿著該導軌朝上及朝下移動該平台，該控制器經配置以產生移動該平台的一預設移動距離，其中提供該預設移動距離到該處理器且最後到該馬達，而該處理器經配置以比較該預設移動距離與該實際移動距離之間的一差值，若是該差值大於一臨界值的話，則發出一警報。
  15. 如請求項14所述之基底處理設備，其中該光學測量模組還包括一顯示器，顯示該實際移動距離以及由該處理一所提供的一比較結果。
  16. 如請求項10所述之基底處理設備，還包括：一傳輸腔室，包括一分選器，電性耦接到該控制器；一處理腔室，提供有植入該等基底的一離子植入裝置；以及複數個閘閥，電性耦接到該控制器，其中運用在一關閉操作的該等閘閥以密封地將該輸入/輸出腔室絕緣於該處理腔室，且在一開啟操作的該等閘閥則允許該分選器裝載及卸下該等基底。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11521883B2 (en) * 2021-03-03 2022-12-06 Nanya Technology Corporation Load lock device having optical measuring device for acquiring distance

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020021959A1 (en) * 1999-04-19 2002-02-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for alignment of automated workpiece handling systems
US20030130761A1 (en) * 2001-12-31 2003-07-10 Applied Materials, Inc. Cassette and workpiece handler characterization tool
US20040112537A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma treatment apparatus and method for plasma treatment
US20050045821A1 (en) * 2003-04-22 2005-03-03 Nobuharu Noji Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus
TW200619641A (en) * 2004-08-11 2006-06-16 Lehighton Electronics Inc Device and handling system for measurement of mobility and sheet charge density in conductive sheet materials
TW200712431A (en) * 2005-08-05 2007-04-01 Ebara Corp Film thickness measuring method and substrate processing apparatus
US20080032066A1 (en) * 2005-10-26 2008-02-07 Lars Stiblert Platforms, apparatuses, systems and methods for processing and analyzing substrates
US20120235036A1 (en) * 2011-03-15 2012-09-20 Ebara Corporation Inspection device
TW201443460A (zh) * 2013-03-21 2014-11-16 Ebara Corp 檢查裝置、檢查用資料之產生方法、檢查用顯示裝置、缺陷判別方法，及記錄有檢查用顯示程式之記憶媒體
US20200035452A1 (en) * 2008-06-30 2020-01-30 Nexgen Semi Holding, Inc. Method and device for spatial charged particle bunching

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2606423B2 (ja) * 1990-08-28 1997-05-07 日本電気株式会社 半導体ウェハー搬送装置および搬送方法
TW469483B (en) * 1999-04-19 2001-12-21 Applied Materials Inc Method and apparatus for aligning a cassette
US6625898B2 (en) * 2001-06-13 2003-09-30 Applied Materials, Inc Variable method and apparatus for alignment of automated workpiece handling systems
JP2005051171A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Applied Materials Inc 基板処理装置
CN100470767C (zh) * 2004-03-26 2009-03-18 富士胶片株式会社 接合衬底的装置及方法
US7976263B2 (en) * 2007-09-22 2011-07-12 David Barker Integrated wafer transfer mechanism
US10566169B1 (en) * 2008-06-30 2020-02-18 Nexgen Semi Holding, Inc. Method and device for spatial charged particle bunching
KR20160055010A (ko) * 2014-11-07 2016-05-17 삼성전자주식회사 웨이퍼 이송 로봇 및 그 제어 방법
KR101771391B1 (ko) * 2016-01-19 2017-08-25 로체 시스템즈(주) 이송로봇 티칭장치
CN206363994U (zh) * 2017-01-17 2017-07-28 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 晶圆装载装置
US11521883B2 (en) * 2021-03-03 2022-12-06 Nanya Technology Corporation Load lock device having optical measuring device for acquiring distance

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020021959A1 (en) * 1999-04-19 2002-02-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for alignment of automated workpiece handling systems
US20030130761A1 (en) * 2001-12-31 2003-07-10 Applied Materials, Inc. Cassette and workpiece handler characterization tool
US20040112537A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma treatment apparatus and method for plasma treatment
US20050045821A1 (en) * 2003-04-22 2005-03-03 Nobuharu Noji Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus
TW200619641A (en) * 2004-08-11 2006-06-16 Lehighton Electronics Inc Device and handling system for measurement of mobility and sheet charge density in conductive sheet materials
TW200712431A (en) * 2005-08-05 2007-04-01 Ebara Corp Film thickness measuring method and substrate processing apparatus
US20080032066A1 (en) * 2005-10-26 2008-02-07 Lars Stiblert Platforms, apparatuses, systems and methods for processing and analyzing substrates
US20200035452A1 (en) * 2008-06-30 2020-01-30 Nexgen Semi Holding, Inc. Method and device for spatial charged particle bunching
US20120235036A1 (en) * 2011-03-15 2012-09-20 Ebara Corporation Inspection device
TW201443460A (zh) * 2013-03-21 2014-11-16 Ebara Corp 檢查裝置、檢查用資料之產生方法、檢查用顯示裝置、缺陷判別方法，及記錄有檢查用顯示程式之記憶媒體

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