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TWI791363B - 微型電阻層之製造方法以及微型電阻器之製造方法 - Google Patents

微型電阻層之製造方法以及微型電阻器之製造方法 Download PDF

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TWI791363B
TWI791363B TW110149006A TW110149006A TWI791363B TW I791363 B TWI791363 B TW I791363B TW 110149006 A TW110149006 A TW 110149006A TW 110149006 A TW110149006 A TW 110149006A TW I791363 B TWI791363 B TW I791363B
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蕭勝利
紀智偉
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國巨股份有限公司
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Abstract

一種微型電阻層之製造方法以及微型電阻器之製造方法。此微型電阻層之製造方法包含：提供一基材；利用網版印刷製程或濺鍍(sputtering)製程來形成第一電阻層於基材上，其中第一電阻層覆蓋基材的複數個產品區域；將第一電阻層切割為複數個第二電阻層，其中每一產品區域包含一個第二電阻層，每一第二電阻層之面積小於0.4*0.2毫米平方；以及根據預設電阻值來修整每一第二電阻層的圖案，以使每一第二電阻層的圖案對應至預設電阻值。此微型電阻器之製造方法係應用上述微型電阻層之製造方法來製造微型電阻器。

Description

微型電阻層之製造方法以及微型電阻器之製造方法
本揭露是有關於一種微型電阻層之製造方法以及微型電阻器之製造方法。
隨著經濟與科技的快速發展，各種電子產品，例如智慧型手機、平板電腦以及筆記型電腦需要提供更多的功能來滿足使用者的需求。例如，智慧型手機需要提供照相功能和影像處理功能來滿足使用者對相片品質的需求。因此，電子產品需要使用體積較小的電子零件，以整合更多的電子零件於電子產品中來滿足使用者的需求。
電阻器是製造電子產品所必需的電子元件。為了滿足小體積的要求，各種小體積的微型電阻器，例如01005型微型電阻器和0075型微型電阻器，被陸續開發出來以滿足小體積電阻器的需求。然而，目前的微型電阻器製造方法需要較高的成本與時間，因此需要一種耗時更小以及成本更低的微型電阻器製造方法。
為了解決上述問題，本揭露之實施例提出一種微型電阻層之製造方法以及微型電阻器之製造方法，其可大幅減少微型電阻器的製造時間以及降低微型電阻器的製造成本。
根據本揭露之一實施例，上述微型電阻層之製造方法包含：提供一基材，其中此基材被定義出複數個產品區域，每一產品區域之面積在0.4*0.2毫米平方(mm2)以下；利用網版印刷製程或濺鍍(sputtering)製程來形成第一電阻層於基材上，其中第一電阻層覆蓋產品區域；將該第一電阻層切割為複數個第二電阻層，其中每一產品區域包含第二電阻層之一者，每一第二電阻層之面積小於0.4*0.2毫米平方(mm2)；以及根據預設電阻值來修整每一第二電阻層的圖案，以使每一第二電阻層的圖案對應至預設電阻值。
在一些實施例中，網版印刷製程係應用一全開口網版。
根據本揭露之一實施例，上述微型電阻器之製造方法包含：提供一基材，其中此基材具有相對之第一表面以及第二表面，此基材被定義出複數個電阻器區域，每一電阻器區域之面積在0.4*0.2毫米平方(mm2)以下；於基材之第一表面上形成複數個第一內電極對，其中每一電阻器區域包含上述第一內電極對之一者；於基材之第二表面上形成複數個第二內電極對，其中每一電阻器區域包含上述 第二內電極對之一者；利用網版印刷製程或濺鍍製程來形成第一電阻層於基材之第一表面上，以覆蓋電阻器區域；將第一電阻層切割為複數個第二電阻層，其中每一電阻器區域包含上述第二電阻層之一者，每一第二電阻層之面積小於0.4*0.2毫米平方(mm2)；根據預設電阻值來修整每一電阻器區域之該第二電阻層的圖案，以使每一電阻器區域之第二電阻層的圖案對應至預設電阻值；根據電阻器區域將基材切割成複數個長條基材；形成一外電極層於每一長條基材上，其中外電極層包含一側電極層，且電性連接每一電阻器區域之第一內電極對、第二內電極對以及第二電阻層；以及根據電阻器區域來切割每一長條基材，以獲得面積在0.4*0.2毫米平方(mm2)以下之複數個微型電阻器。
在一些實施例中，將第一電阻層切割為第二電阻層的步驟係利用雷射來進行。
在一些實施例中，根據預設電阻值來修整每一電阻器區域之第二電阻層的圖案的步驟係利用雷射來進行。
在一些實施例中，網版印刷製程係應用一全開口網版。
在一些實施例中，其中上述電阻器區域係以一矩陣之形式來排列，而具有複數個電阻器行和複數個電阻器列。
在一些實施例中，全開口網版包含複數個開口，每一開口之面積係根據矩陣之每一電阻器行之面積來決定。
根據本揭露之一實施例，上述微型電阻器之製造方法包含：提供一基材，其中此基材具有相對之第一表面以及第二表面，此基材被定義出複數個電阻器區域，每一電阻器區域之面積在0.4*0.2毫米平方(mm2)以下；於基材之第一表面上形成複數個第一內電極對，其中每一電阻器區域包含上述第一內電極對之一者；於基材之第二表面上形成複數個第二內電極對，其中每一電阻器區域包含第二內電極對之一者；利用網版印刷製程或濺鍍製程來形成第一電阻層於基材之第一表面上，以覆蓋上述電阻器區域；將第一電阻層切割為複數個第二電阻層，其中每一電阻器區域包含上述第二電阻層之一者，每一第二電阻層之面積小於0.4*0.2毫米平方(mm2)；根據預設電阻值來修整每一電阻器區域之第二電阻層的圖案，以使每一電阻器區域之第二電阻層的圖案對應至預設電阻值；進行一外電極形成步驟，以於每一該些電阻器區域中形成一外電極層，其中外電極層包含一側電極層，且電性連接每一電阻器區域之第一內電極對、第二內電極對以及第二電阻層；以及根據電阻器區域來切割基材，以獲得面積在0.4*0.2毫米平方(mm2)以下之複數個微型電阻器。
在一些實施例中，將第一電阻層切割為第二電阻層的步驟係利用雷射來進行。
在一些實施例中，根據該預設電阻值來修整每一電阻器區域之第二電阻層的圖案的步驟係利用雷射來進行。
在一些實施例中，上述電阻器區域係以矩陣之形式 來排列，而具有複數個電阻器行和複數個電阻器列。
在一些實施例中，網版印刷製程係應用一全開口網版。
為讓本揭露的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100:微型電阻層之製造方法
110~140:步驟
210:基材
212:產品區域
220:第一電阻層
222:子電阻層
222a:第二電阻層
310:全開口網版
312:開口
320:全開口網版
322:開口
400:微型電阻器之製造方法
410~480:步驟
510:基材
510a:第一表面
510b:第二表面
520:第一電阻層
522:子電阻層
522a:第二電阻層
530:外電極層
540:微型電阻器
600:微型電阻層之製造方法
610~640:步驟
710:基材
712:產品區域
720:第一電阻層
722:子電阻層
722a:第二電阻層
800:微型電阻器之製造方法
810~880:步驟
910:基材
920:第一電阻層
922:子電阻層
922a:第二電阻層
930:外電極層
940:微型電阻器
CL:切割線
OP:開口
PR:產品列
PC:產品行
RC:電阻器行
RR:電阻器列
FE:第一電極對
FE1:電極
FE2:電極
BE:第二電極對
BE1:電極
BE2:電極
圖1係繪示根據本揭露實施例之微型電阻層之製造方法的流程示意圖。
圖2A係繪示根據本揭露實施例之基材的示意圖。
圖2B係繪示根據本揭露實施例之第一電阻層的示意圖。
圖2C係繪示根據本揭露實施例之第二電阻層的示意圖。
圖2D係繪示根據本揭露實施例之第二電阻層的圖案修整的示意圖。
圖3A係繪示根據本揭露實施例之全開口網版的示意圖。
圖3B係繪示根據本揭露實施例之全開口網版的示意圖。
圖4係繪示根據本揭露實施例之微型電阻器之製造方法的流程示意圖。
圖5A係繪示根據本揭露實施例之基材的示意圖。
圖5B係繪示根據本揭露實施例之第一電極對的示意圖。
圖5C係繪示根據本揭露實施例之第二電極對的示意圖。
圖5D係繪示根據本揭露實施例之第一電阻層的示意圖。
圖5E係繪示根據本揭露實施例之第二電阻層的示意圖。
圖5F係繪示根據本揭露實施例之第二電阻層之圖案修整的示意圖。
圖5G係繪示根據本揭露實施例之具有第二電阻層之微型電阻器的示意圖。
圖6係繪示根據本揭露實施例之微型電阻層之製造方法的流程示意圖。
圖7A係繪示根據本揭露實施例之基材的示意圖。
圖7B係繪示根據本揭露實施例之第一電阻層的示意圖。
圖7C係繪示根據本揭露實施例之第二電阻層的示意圖。
圖7D係繪示根據本揭露實施例之第二電阻層的圖案修整的示意圖。
圖8係繪示根據本揭露實施例之微型電阻器之製造方法的流程示意圖。
圖9A係繪示根據本揭露實施例之基材的示意圖。
圖9B係繪示根據本揭露實施例之第一電阻層的示意圖。
圖9C係繪示根據本揭露實施例之第二電阻層的示意圖。
圖9D係繪示根據本揭露實施例之第二電阻層之圖案修整的示意圖。
圖9E係繪示根據本揭露實施例之第一電極對的示意圖。
圖9F係繪示根據本揭露實施例之第二電極對的示意圖。
圖9G係繪示根據本揭露實施例之具有第二電阻層之微型電阻器的示意圖。
下文是以實施方式配合附圖作詳細說明，但所提供的實施方式並非用以限制本揭露所涵蓋的範圍，而結構運作的描述非用以限制其執行的順序，任何由元件重新組合的結構，所產生具有均等功效的裝置，皆為本揭露所涵蓋的範圍。此外，圖式僅以說明為目的，並未依照原尺寸作圖。
關於本文中所使用之『第一』、『第二』、…等，並非特別指次序或順位的意思，其僅為了區別以相同技術用語描述的元件或操作。
請參照圖1，其係繪示根據本揭露實施例之微型電阻層之製造方法100的流程示意圖。微型電阻層之製造方法100係適用於製造面積在0.4*0.2毫米平方(mm2)以下的微型電阻層。在微型電阻層之製造方法100中，首先進行步驟110，以提供基材210，如圖2A所示。基材210可由絕緣材料所形成，例如玻璃纖維、氮化鋁材料、矽基材料或陶瓷材料，但本揭露之實施例並不受限於此。基材210定義有複數個產品區域212，其係由複數條虛擬之切割線CL所定義。產品區域212係預先定義來形成包含電阻層的產品，例如電阻器或其他包含電阻層的各種元件。在本實施例中，產品區域212具有實質為0.4*0.2毫米平方(mm2)以下的面積，且以一矩陣之形式來排列，而具有複數個產品行PC和複數個產品列PR。在一些實施例中，產品區域212具有實質為0.3*0.15毫米平方(mm2)的 面積。
然後，進行步驟120，以利用網版印刷製程來形成第一電阻層220於基材210上，如圖2B所示。在本實施例中，步驟120之網版印刷製程係應用全開口網版來進行，以於基材210上形成第一電阻層220。第一電阻層220包含複數條子電阻層222，其係對應形成於產品行PC上。例如，在本實施例中，子電阻層222係對應產品行PC來形成，並跨過多條產品列PR。然而，本揭露之實施例並不受限於此。
接著，進行步驟130和140，以根據產品區域212來切割第一電阻層220來形成第二電阻層222a，並對第二電阻層222a進行修阻。在步驟130中，第一電阻層220的每條子電阻層222被切割為複數個第二電阻層222a，如圖2C所示。例如，每條子電阻層222根據多條產品列PR來切割為複數個第二電阻層222a，使得每個產品區域212都包含一個第二電阻層222a。在本實施例中，由於產品區域212具有0.4*0.2毫米平方以下的面積，因此每個產品區域212的第二電阻層222a的面積小於0.4*0.2毫米平方。在步驟140中，根據預設電阻值來修整每一產品區域212中的第二電阻層222a的圖案(例如，切割出長條狀開口OP)，以使第二電阻層222a的圖案對應至預設電阻值，如圖2D所示。在本實施例中，第一電阻層220的切割和第二電阻層222a的圖案修整係利用雷射來完成，然而本揭露之實施例並不受限於此。
另外，在一些實施例中，上述之步驟120可包含遮罩形成步驟，以預先形成遮罩(未繪示)於基材210上。此遮罩具複數個開口，以暴露出部分的基材210。然後，再利用全開口網版310來形成覆蓋於基材210與遮罩上的第一電阻層220，其中全開口網版310不具有網目和網結，且其開口312之大小實質等於產品區域212之陣列的大小，如圖3A所示。如此，便可形成覆蓋產品區域212之陣列的第一電阻層220，其中部分的第一電阻層220係形成於暴露的基材210部分上。然後，再將遮罩與遮罩上的第一電阻層220移除，便可得到如圖2B所示之第一電阻層220。
在一些實施例中，上述步驟120所使用之全開口網版320不具有網目和網結，且具有複數個開口322，如圖3B所示。為了形成如圖2B所示之第一電阻層220，每一開口322面積係根據產品行PC來決定。例如，開口322之長度實質等於產品行PC之長度，而開口322之寬度則略小於產品行PC之寬度。
由上述之說明可知，本揭露實施例之微型電阻層之製造方法100係利用網版印刷製程來製造小尺寸的微型電阻層，其中網版印刷製程係以全開口網版來形成微型電阻層。由於微型電阻層之製造方法100係採用全開口網版來形成微型電阻層，故可避免由網版網結和網目所造成的缺失，例如印刷層形狀不全、印刷層厚度不足或者印刷層產生破孔。其次，利用網版印刷製程來製造微型電阻層可大 幅減少微型電阻層的製造時間與成本。
請參照圖4，其係繪示根據本揭露實施例之微型電阻器之製造方法400的流程示意圖。微型電阻器之製造方法400係利用上述微型電阻層之製造方法100來製造微型電阻器，例如01005型微型電阻器、0075型微型電阻器或尺寸更小的微型電阻器。在微型電阻器之製造方法400中，首先進行步驟410，以提供基材510，如圖5A所示。基材510可由絕緣材料所形成，例如玻璃纖維、氮化鋁材料、矽基材料或陶瓷材料，但本揭露之實施例並不受限於此。基材510定義有複數個電阻器區域512，其係由複數條虛擬之切割線CL所定義。電阻器區域512係預先定義來形微型電阻器在本實施例中，電阻器區域512具有實質為0.4*0.2毫米平方(mm2)以下的面積，且以一矩陣之形式來排列，而具有複數個電阻器行RC和複數個電阻器列RR。在一些實施例中，電阻器區域512具有實質為0.3*0.15毫米平方(mm2)的面積。
然後，進行步驟420和430，以分別於基材510的第一表面510a和第二表面510b形成複數個第一電極對FE和第二電極對BE，如圖5B和5C所示。在本實施例中，第一表面510a為基材510的正面，而第二表面510b為基材510的背面。每一電阻器區域512的正面包含一個第一電極對FE，每一第一電極對FE包含2個電極FE1和FE2。每一電阻器區域512的背面包含一個第二電極對BE，每一第二電極對BE包含2個電極BE1和BE2。
然後，進行步驟440，以利用網版印刷製程來形成第一電阻層520於基材510的第一表面510a上，如圖5D所示。在本實施例中，步驟430之網版印刷製程係應用全開口網版來進行，以於基材510的第一表面510a上形成第一電阻層520。第一電阻層520包含複數條子電阻層522，其係對應形成於電阻器行RC上。例如，在本實施例中，子電阻層522係對應電阻器行RC來形成，並跨過多條電阻器列RR。然而，本揭露之實施例並不受限於此。
在本揭露之一些實施例中，步驟410~430的順序可根據使用者需求來置換。例如，可先形成第一電阻層520後，再形成第一電極對FE。
接著，進行步驟450和460，以根據電阻器區域512來切割第一電阻層520來形成第二電阻層522a，並對第二電阻層522a進行修阻。在步驟430中，第一電阻層520的每條子電阻層522被切割為複數個第二電阻層522a，如圖5E所示。例如，每條子電阻層522根據多條電阻器列RR來切割為複數個第二電阻層522a，使得每個電阻器區域512都包含一個第二電阻層522a。在本實施例中，由於電阻器區域512具有0.4*0.2毫米平方以下的面積，因此每個電阻器區域512的第二電阻層522a的面積小於0.4*0.2毫米平方。在步驟440中，根據預設電阻值來修整每一電阻器區域512中的第二電阻層522a的圖案，以使第二電阻層522a的圖案對應至預設電阻值， 如圖5F所示。在本實施例中，第一電阻層520的切割和第二電阻層522a的圖案修整係利用雷射來完成，然而本揭露之實施例並不受限於此。
由步驟410~460可知微型電阻器之製造方法400採用係微型電阻層之製造方法100，如此微型電阻器之製造方法400可於每個電阻器區域512上形成微型電阻圖案。
接著，進行步驟470和480，以形成外電極層530於每一電阻器區域512上，並根據電阻器區域512來進行切割，以獲得面積在0.4*0.2毫米平方(mm2)以下之複數個微型電阻器540，如圖5G所示。在圖5G中，外電極層530係包覆於微型電阻器540的兩端，並電性連接至上述之第一電極對FE、第二電極對BE以及第二電阻層522a。例如，外電極層530包含有側電極層，側電極層會沿著微型電阻器540的兩端側壁延伸至微型電阻器的背面，以使第一電極對FE與第二電極對BE電性連接。
在一些實施例中，步驟470會根據電阻器行RC來將基材510切成複數個長條形基材，再形成外電極層530於長條形基材上。然後，步驟480會根據電阻器列RR來切割長條形基材，以獲得微型電阻器540。
在一些實施例中，步驟470不切割基材510，而是在每一電阻器區域512中形成外電極層530。然後，步驟480會根據電阻器列RR來切割長條形基材，以獲得微型電阻器540。
由上述說明可知，本揭露實施例之微型電阻器之製造方法400採用了微型電阻層之製造方法100，如此微型電阻器之製造方法400所製造的微型電阻器540的微型電阻圖案會具有較少的缺失，且微型電阻器540的製造成本與時間可大幅減少。
在本發明之一些實施例中，微型電阻層/電阻器之製造方法100可採用濺鍍(sputtering)製程來取代網版印刷製程來形成電阻層。如此，可獲得更低電阻值(<1Ω)的電阻層/電阻器。
請參照圖6，其係繪示根據本揭露實施例之微型電阻層之製造方法600的流程示意圖。微型電阻層之製造方法600係適用於製造面積在0.4*0.2毫米平方(mm2)以下的微型電阻層。在微型電阻層之製造方法600中，首先進行步驟610，以提供基材710，如圖7A所示。基材710可由絕緣材料所形成，例如玻璃纖維、氮化鋁材料、矽基材料或陶瓷材料，但本揭露之實施例並不受限於此。基材710定義有複數個產品區域712，其係由複數條虛擬之切割線CL所定義。產品區域712係預先定義來形成包含電阻層的產品，例如電阻器或其他包含電阻層的各種元件。在本實施例中，產品區域712具有實質為0.4*0.2毫米平方(mm2)以下的面積，且以一矩陣之形式來排列，而具有複數個產品行PC和複數個產品列PR。在一些實施例中，產品區域712具有實質為0.3*0.15毫米平方(mm2)的面積。
然後，進行步驟620，以利用濺鍍製程來形成第一電阻層720於基材710上，如圖7B所示。在本實施例中，濺鍍製程將第一電阻層720形成並覆蓋於基材710的整個表面上。
接著，進行步驟630和640，以根據產品區域712來切割第一電阻層720，以提供第二電阻層722a，並對第二電阻層722a進行修阻。在步驟630中，第一電阻層220係沿著產品區域712的長度方向來被切割為複數條子電阻層722，如圖7C所示。每一條子電阻層722係跨越多條產品行PC，因此每條子電阻層722可根據多條產品行PC被定義出複數個第二電阻層722a，使得每個產品區域712都包含一個第二電阻層722a。在本實施例中，由於產品區域712具有0.4*0.2毫米平方以下的面積，因此每個產品區域712的第二電阻層722a的面積小於0.4*0.2毫米平方。在步驟640中，根據預設電阻值來修整每一產品區域712中的第二電阻層722a的圖案(例如，切割出長條狀開口OP)，以使第二電阻層722a的圖案對應至預設電阻值，如圖7D所示。在本實施例中，第一電阻層720的切割和第二電阻層722a的圖案修整係利用雷射來完成，然而本揭露之實施例並不受限於此。
請參照圖8，其係繪示根據本揭露實施例之微型電阻器之製造方法800的流程示意圖。微型電阻器之製造方法800係利用上述微型電阻層之製造方法600來製造微型電阻器，例如01005型微型電阻器、0075型微型電阻器 或尺寸更小的微型電阻器。在微型電阻器之製造方法800中，首先進行步驟810，以提供基材910，如圖9A所示。基材910可由絕緣材料所形成，例如玻璃纖維、氮化鋁材料、矽基材料或陶瓷材料，但本揭露之實施例並不受限於此。基材910定義有複數個電阻器區域912，其係由複數條虛擬之切割線CL所定義。電阻器區域912係預先定義來形微型電阻器在本實施例中，電阻器區域912具有實質為0.4*0.2毫米平方(mm2)以下的面積，且以一矩陣之形式來排列，而具有複數個電阻器行RC和複數個電阻器列RR。在一些實施例中，電阻器區域912具有實質為0.3*0.15毫米平方(mm2)的面積。
然後，進行步驟820，以利用濺鍍製程來形成第一電阻層920於基材910上，如圖9B所示。在本實施例中，濺鍍製程將第一電阻層920形成並覆蓋於基材910的整個表面(例如，基材910的正面)上。
接著，進行步驟830和840，以根據電阻器區域912來切割第一電阻層920來形成第二電阻層922a，並對第二電阻層922a進行修阻。在步驟830中，第一電阻層920係沿著電阻器區域912的長度方向來被切割為複數子電阻層922，如圖9C所示。每一條子電阻層922係跨越多條電阻器行RC，因此每條子電阻層922可根據多條電阻器行RC被定義出複數個第二電阻層922a，使得每個產品區域912都包含一個第二電阻層922a。在本實施例中，由於產品區域912具有0.4*0.2毫米平方以下的面 積，因此每個產品區域912的第二電阻層922a的面積小於0.4*0.2毫米平方。在步驟840中，根據預設電阻值來修整每一產品區域912中的第二電阻層922a的圖案(例如，切割出長條狀開口OP)，以使第二電阻層922a的圖案對應至預設電阻值，如圖9D所示。在本實施例中，第一電阻層920的切割和第二電阻層922a的圖案修整係利用雷射來完成，然而本揭露之實施例並不受限於此。
然後，進行步驟850和860，以分別於基材910正面和背面形成複數個第一電極對FE和第二電極對BE，如圖9E和9F所示。在本實施例中，第一電極對FE包含兩個電極FE1和FE2，其係形成於基材910正面的第二電阻層922a上，並覆蓋第二電阻層922a的相對兩端部，如圖9E所示。第二電極對BE包含2個電極BE1和BE2，其係對應個電極FE1和FE2來形成於基材910的背面，如圖9F所示。
接著，進行步驟870和880，以形成外電極層930於每一電阻器區域912上，並根據電阻器區域912來進行切割，以獲得面積在0.4*0.2毫米平方(mm2)以下之複數個微型電阻器940，如圖9G所示。在圖9G中，外電極層930係包覆於微型電阻器940的兩端，並電性連接至上述之第一電極對FE、第二電極對BE以及第二電阻層922a。例如，外電極層930包含有側電極層，側電極層會沿著微型電阻器940的兩端側壁延伸至微型電阻器的背面，以使第一電極對FE與第二電極對BE電性連接。
在一些實施例中，步驟870會根據電阻器行RC來將基材910切成複數個長條形基材，再形成外電極層930於長條形基材上。然後，步驟880會根據電阻器列RR來切割長條形基材，以獲得微型電阻器940。
在一些實施例中，步驟870不切割基材910，而是在每一電阻器區域912中形成外電極層930。然後，步驟880會根據電阻器列RR來切割長條形基材，以獲得微型電阻器940。
雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100:微型電阻層之製造方法
110~140:步驟

Claims (13)

  1. 一種微型電阻層之製造方法，包含：提供一基材，其中該基材被定義出複數個產品區域，每一該些產品區域之面積在0.4*0.2毫米平方(mm2)以下；利用一網版印刷製程或一濺鍍(sputtering)製程來形成一第一電阻層於該基材上，其中該第一電阻層覆蓋該些產品區域；將該第一電阻層切割為複數個第二電阻層，其中每一該些產品區域包含該些第二電阻層之一者，每一該些第二電阻層之面積小於0.4*0.2毫米平方(mm2)；以及根據一預設電阻值來修整每一該些第二電阻層的圖案，以使每一該些第二電阻層的圖案對應至該預設電阻值。
  2. 如請求項1所述之微型電阻層之製造方法，其中該網版印刷製程係應用一全開口網版。
  3. 一種微型電阻器之製造方法，包含：提供一基材，其中該基材具有相對之一第一表面以及一第二表面，該基材被定義出複數個電阻器區域，每一該些電阻器區域之面積在0.4*0.2毫米平方(mm2)以下；於該基材之該第一表面上形成複數個第一內電極對，其中每一該些電阻器區域包含該些第一內電極對之一者；於該基材之該第二表面上形成複數個第二內電極對，其 中每一該些電阻器區域包含該些第二內電極對之一者；利用一網版印刷製程或一濺鍍(sputtering)製程來形成一第一電阻層於該基材之該第一表面上，以覆蓋該些電阻器區域；將該第一電阻層切割為複數個第二電阻層，其中每一該些電阻器區域包含該些第二電阻層之一者，每一該些第二電阻層之面積小於0.4*0.2毫米平方(mm2)；根據一預設電阻值來修整每一該些電阻器區域之該第二電阻層的圖案，以使每一該些電阻器區域之該第二電阻層的圖案對應至該預設電阻值；根據該些電阻器區域將該基材切割成複數個長條基材；形成一外電極層於每一該些長條基材上，其中該外電極層包含一側電極層，且電性連接每一該些電阻器區域之該第一內電極對、該第二內電極對以及該第二電阻層；以及根據該些電阻器區域來切割每一該些長條基材，以獲得面積在0.4*0.2毫米平方(mm2)以下之複數個微型電阻器。
  4. 如請求項3所述之微型電阻器之製造方法，其中將該第一電阻層切割為該些第二電阻層的步驟係利用雷射來進行。
  5. 如請求項3所述之微型電阻器之製造方法，其中根據該預設電阻值來修整每一該些電阻器區域之該第 二電阻層的圖案的步驟係利用雷射來進行。
  6. 如請求項3所述之微型電阻器之製造方法，其中該網版印刷製程係應用一全開口網版。
  7. 如請求項3所述之微型電阻器之製造方法，其中該些電阻器區域係以一矩陣之形式來排列，而具有複數個電阻器行和複數個電阻器列。
  8. 如請求項6所述之微型電阻器之製造方法，其中該全開口網版包含複數個開口，每一該些開口之面積係根據該矩陣之每一該些電阻器行之面積來決定。
  9. 一種微型電阻器之製造方法，包含：提供一基材，其中該基材具有相對之一第一表面以及一第二表面，該基材被定義出複數個電阻器區域，每一該些電阻器區域之面積在0.4*0.2毫米平方(mm2)以下；於該基材之該第一表面上形成複數個第一內電極對，其中每一該些電阻器區域包含該些第一內電極對之一者；於該基材之該第二表面上形成複數個第二內電極對，其中每一該些電阻器區域包含該些第二內電極對之一者；利用一網版印刷製程或一濺鍍(sputtering)製程來形成一第一電阻層於該基材之該第一表面上，以覆蓋該些電阻器區域； 將該第一電阻層切割為複數個第二電阻層，其中每一該些電阻器區域包含該些第二電阻層之一者，每一該些第二電阻層之面積小於0.4*0.2毫米平方(mm2)；根據一預設電阻值來修整每一該些電阻器區域之該第二電阻層的圖案，以使每一該些電阻器區域之該第二電阻層的圖案對應至該預設電阻值；進行一外電極形成步驟，以於每一該些電阻器區域中形成一外電極層，其中外電極層包含一側電極層，且電性連接每一該些電阻器區域之該第一內電極對、該第二內電極對以及該第二電阻層；以及根據該些電阻器區域來切割該基材，以獲得面積在0.4*0.2毫米平方(mm2)以下之複數個微型電阻器。
  10. 如請求項9所述之微型電阻器之製造方法，其中將該第一電阻層切割為該些第二電阻層的步驟係利用雷射來進行。
  11. 如請求項9所述之微型電阻器之製造方法，其中根據該預設電阻值來修整每一該些電阻器區域之該第二電阻層的圖案的步驟係利用雷射來進行。
  12. 如請求項9所述之微型電阻器之製造方法，其中該些電阻器區域係以一矩陣之形式來排列，而具有複數個電阻器行和複數個電阻器列。
  13. 如請求項9所述之微型電阻器之製造方法，其中該網版印刷製程係應用一全開口網版。
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