TWI787720B - 有機半導體基板 - Google Patents
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Abstract
一種有機半導體基板包括基底、第一導電圖案、第二導電圖案、第一金屬氧化物圖案、第二金屬氧化物圖案、有機平坦圖案層、源極、汲極、有機半導體圖案、有機閘絕緣層及閘極。第一導電圖案及第二導電圖案設置於基底上且彼此分離。第一金屬氧化物圖案及第二金屬氧化物圖案分別覆蓋且分別電性連接至第一導電圖案及第二導電圖案。有機平坦圖案層的第一部設置於第一金屬氧化物圖案與第二金屬氧化物圖案之間。第一金屬氧化物圖案的表面與基底具有第一距離。有機平坦圖案層之第一部的表面與基底具有第二距離。第二距離小於或等於第一距離。
Description
本發明是有關於一種半導體基板，且特別是有關於一種有機半導體基板。
由於有機薄膜電晶體（Organic thin-film transistor，OTFT）具輕薄、可撓性（Flexibility）、製程溫度低等優點與特性，因此已廣泛地應用於諸如液晶顯示器、有機發光顯示器、電泳顯示器等顯示裝置中。基於改善有機薄膜電晶體之電性的考量，會先製作一有機平坦層，然後，才於有機平坦層上形成有機半導體圖案，並使有機半導體圖案電性連接至位於有機平坦層上的源極與汲極。一般而言，源極與汲極會分別透過有機平坦層的多個接觸窗電性連接至位於有機平坦層下的多個導電圖案。有機平坦層需具備相當的厚度才能於其中形成接觸窗。然而，有機平坦層的材料貴，有機平坦層的厚度越厚時，有機薄膜電晶體的製造成本也越高。
本發明提供一種有機半導體基板，製造成本低。
本發明之一實施例的有機半導體基板包括基底、第一導電圖案、第二導電圖案、第一金屬氧化物圖案、第二金屬氧化物圖案、有機平坦圖案層、源極、汲極、有機半導體圖案、有機閘絕緣層及閘極。第一導電圖案及第二導電圖案設置於基底上，且彼此分離。第一金屬氧化物圖案及第二金屬氧化物圖案分別覆蓋第一導電圖案及第二導電圖案，且分別電性連接至第一導電圖案及第二導電圖案。有機平坦圖案層具有第一部。有機平坦圖案層的第一部設置於第一金屬氧化物圖案與第二金屬氧化物圖案之間。第一金屬氧化物圖案具有背向基底的表面。第一金屬氧化物圖案的表面與基底具有第一距離。有機平坦圖案層的第一部具有背向基底的表面。有機平坦圖案層之第一部的表面與基底具有第二距離。第二距離小於或等於第一距離。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電性連接。再者，“電性連接”或“耦合”可以是二元件間存在其它元件。
本文使用的“約”、“近似”、或“實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的“約”、“近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。
除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
圖1A至圖1K為本發明一實施例之有機半導體基板10的製造流程的俯視示意圖。
圖2A至圖2K為本發明一實施例之有機半導體基板10的製造流程的剖面示意圖。
圖2A至圖2K分別對應圖1A至圖1K的剖線A-A’。
圖3為本發明一實施例之有機半導體基板10的剖面示意圖。圖3對應圖1K的剖線B-B’。
圖4為本發明一實施例之有機半導體基板10的剖面示意圖。圖4對應圖1K的剖線C-C’。
以下配合圖1A至圖1K、圖2A至圖2K、圖3及圖4說明本發明一實施例之有機半導體基板10的製造流程及其構造。
請參照圖1A及圖2A，首先，提供基底110。在本實施例中，基底110例如是可撓性基底；舉例而言，可撓性基底的材質可選用有機聚合物，例如：聚醯亞胺（polyimide；PI）、聚萘二甲酸乙醇酯（polyethylene naphthalate；PEN）、聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate；PET）、聚碳酸酯（polycarbonates；PC）、聚醚碸（polyether sulfone；PES）或聚芳基酸酯（polyarylate），其它合適的材料、或前述至少二種材料的組合。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，基底110也可為硬質基底；舉例而言，硬質基底的材質可為玻璃、石英或其它合適的材料。
請參照圖1A及圖2A，接著，可選擇性地於基底110上形成緩衝層120。緩衝層120可為單層或多層結構。舉例而言，在本實施例中，緩衝層120的材料可包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其他合適的材料或上述至少兩種材料的組合，但本發明不以此為限。
請參照圖1A及圖2A，接著，於基板110上形成第一導電圖案層130。在本實施例中，第一導電圖案層130可設置於緩衝層120上。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，第一導電圖案層130也可直接設置於基底110上。
第一導電圖案層130可為單層或多層結構。在本實施例中，基於導電性的考量，第一導電圖案層130的材質可包括金屬。舉例而言，在本實施例中，第一導電圖案層130可包括依序堆疊的鉬/鋁/鉬（Mo/Al/Mo），但本發明不以此為限。
第一導電圖案層130包括第一導電圖案132及第二導電圖案134，設置於基底110上且彼此分離。在本實施例中，第一導電圖案132可包括一資料線DL；第二導電圖案134可做為一橋接元件使用，以後續製程中橋接有機薄膜電晶體OTFT的汲極164與畫素電極220，如圖1K所示。
請參照圖1A及圖2A，在本實施例中，第一導電圖案層130更包括第三導電圖案136，設置於基底110上且與第一導電圖案132及第二導電圖案134分離。在本實施例中，第三導電圖案136可做為儲存電容的一電極使用。
請參照圖1B及圖2B，接著，於基底110上形成一金屬氧化物圖案層140，以覆蓋第一導電圖案層130。於後續製程中，金屬氧化物圖案層140係做為一蝕刻保護層使用。舉例而言，在本實施例中，金屬氧化物圖案層140的材質可為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層，但本發明不以此為限。
金屬氧化物圖案層140包括彼此分離的第一金屬氧化物圖案142及第二金屬氧化物圖案144。第一金屬氧化物圖案142及第二金屬氧化物圖案144分別覆蓋第一導電圖案132及第二導電圖案134，且分別電性連接至第一導電圖案132及第二導電圖案134。
請參照圖1B，在本實施例中，第一導電圖案132於基底110上的垂直投影位於第一金屬氧化物圖案142於基底110上的垂直投影以內。第一導電圖案132的形狀與第一金屬氧化物圖案142的形狀實質上相同，且第一金屬氧化物圖案142的面積大於第一導電圖案132的面積。簡言之，在本實施例中，第一金屬氧化物圖案142完全地包覆第一導電圖案132。
在本實施例中，第一導電圖案132包括資料線DL，資料線DL在第一方向x上具有一線寬W
DL，資料線DL在第二方向y上具有一長度L
DL，第一金屬氧化物圖案142於第一方向x上具有一寬度W
142，第一金屬氧化物圖案142於第二方向y上具有一長度L
142，第一金屬氧化物圖案142的寬度W
142大於資料線DL的線寬W
DL，第一金屬氧化物圖案142的長度L
142也大於資料線DL的長度L
DL，其中第一方向x與第二方向y交錯。簡言之，在本實施例中，第一金屬氧化物圖案142完全地包覆資料線DL。
請參照圖1B，在本實施例中，第二導電圖案134在第一方向x上具有一寬度Wx
134，第二金屬氧化物圖案144於第一方向x上具有一寬度Wx
144，且第二金屬氧化物圖案144的寬度Wx
144大於第二導電圖案134的Wx
134；第二導電圖案134在第二方向y上具有一寬度Wy
134，第二金屬氧化物圖案144於第二方向y上具有一寬度Wy
144，且第二金屬氧化物圖案144的寬度Wy
144大於第二導電圖案134的寬度Wy
134。在本實施例中，第二導電圖案134於基底110上的垂直投影位於第二金屬氧化物圖案144於基底110上的垂直投影以內。在本實施例中，第二導電圖案134的形狀與第二金屬氧化物圖案144的形狀實質上相同，且第二金屬氧化物圖案144的面積大於第二導電圖案134的面積。簡言之，在本實施例中，第二金屬氧化物圖案144完全地包覆第二導電圖案134。
請參照圖1B，在本實施例中，金屬氧化物圖案層140更包括第三金屬氧化物圖案146。第三金屬氧化物圖案146與第一金屬氧化物圖案142及第二金屬氧化物圖案144分離。第三金屬氧化物圖案146覆蓋且電性連接至第三導電圖案136。
在本實施例中，第三導電圖案136在第一方向x上具有一寬度Wx
136，第三金屬氧化物圖案146於第一方向x上具有一寬度Wx
146，且第三金屬氧化物圖案146的寬度Wx
146大於第三導電圖案136的Wx
136；第三導電圖案136在第二方向y上具有一寬度Wy
136，第三金屬氧化物圖案146於第二方向y上具有一寬度Wy
146，且第三金屬氧化物圖案146的寬度Wy
146大於第三導電圖案136的寬度Wy
136。在本實施例中，第三導電圖案136於基底110上的垂直投影位於第三金屬氧化物圖案146於基底110上的垂直投影以內。在本實施例中，第三導電圖案136的形狀與第三金屬氧化物圖案146的形狀實質上相同，且第三金屬氧化物圖案146的面積大於第三導電圖案136的面積。簡言之，在本實施例中，第三金屬氧化物圖案146完全地包覆第三導電圖案136。
請參照圖1C及圖2C，接著，於基底110上形成一有機平坦層150，以覆蓋金屬氧化物圖案層140及部分的緩衝層120。有機平坦層150包括第一部150a及第二部150b。有機平坦層150的第一部150a填入第一金屬氧化物圖案142、第二金屬氧化物圖案144及第三金屬氧化物圖案146之間的間隙g（標示於圖2C）。有機平坦層150的第二部150b設置於有機平坦層150的第一部150a、第一金屬氧化物圖案142、第二金屬氧化物圖案144及第三金屬氧化物圖案146上。舉例而言，在本實施例中，有機平坦層150的材質可包括各種聚合物，例如但不限於：聚乙烯基苯酚、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚乙烯胺、聚馬來醯亞胺、聚醯亞胺、聚碸、矽氧烷聚合物、苯酚甲醛（Novolac）樹脂、苯并噁唑聚合物、聚噁二唑、馬來酸酐聚合物以及上述材料的共聚物。
請參照圖1C、圖1D、圖2C及圖2D，接著，移除有機平坦層150的第二部150b，以形成有機平坦圖案層152。舉例而言，在本實施例中，可使用氧電漿灰化法（O
2Plasma Ashing）移除有機平坦層150的第二部150b，以形成有機平坦圖案層152，但本發明不以此為限。
請參照圖1D及圖2D，有機平坦圖案層152填入第一金屬氧化物圖案142、第二金屬氧化物圖案144及第三金屬氧化物圖案146之間的空隙g，且具有分別露出第一金屬氧化物圖案142、第二金屬氧化物圖案144及第三金屬氧化物圖案146的第一開口152a、第二開口152b及第三開口152c。在有機半導體基板10（標於圖1K）的俯視圖中，第一金屬氧化物圖案142填滿且不超出有機平坦圖案層152的第一開口152a；第二金屬氧化物圖案144填滿且不超出有機平坦圖案層152的第二開口152b；第三金屬氧化物圖案146填滿且不超出有機平坦圖案層152的第三開口152c。簡言之，在有機半導體基板10（標於圖1K）的俯視圖中，金屬氧化物圖案層140與有機平坦圖案層152互補。
請參照圖2D，有機平坦圖案層152具有第一部152-1，設置於第一金屬氧化物圖案142與第二金屬氧化物圖案144之間。第一金屬氧化物圖案142具有背向基底110的一表面142s，第一金屬氧化物圖案142的表面142s與基底110具有第一距離D1，有機平坦圖案層152的第一部152-1具有背向基底110的一表面152-1s，有機平坦圖案層152之第一部152-1的表面152-1s與基底110具有第二距離D2，且第二距離D2小於或等於第一距離D1。第二金屬氧化物圖案144具有背向基底110的一表面144s，第二金屬氧化物圖案144的表面144s與基底110具有一第三距離D3，且第二距離D2小於或等於第三距離D3。
請參照圖1E及圖2E，接著，於金屬氧化物圖案層140及有機平坦圖案層152上形成第二導電圖案層160。第二導電圖案層160可為單層或多層結構。舉例而言，在本實施例中，第二導電圖案層160的材質可包括金屬。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，第二導電圖案層160的材質也可包括其它導電材料，例如但不限於：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物或其它合適的材料、或是上述導電材料的堆疊層。
第二導電圖案層160包括彼此分離的源極162與汲極164。源極162與汲極164分別設置於第一金屬氧化物圖案142與第二金屬氧化物圖案144上，且分別電性連接至第一金屬氧化物圖案142與第二金屬氧化物圖案144。特別是，源極162的至少一部分是直接設置於第一金屬氧化物圖案142上而與第一金屬氧化物圖案142電性接觸，源極162並不需透過有機平坦圖案層152的任何接觸窗來電性連接至第一金屬氧化物圖案142；汲極164的至少一部是直接設置於第二金屬氧化物圖案144上而與第二金屬氧化物圖案144電性接觸，汲極164並不需要透過有機平坦圖案層152的任何接觸窗來電性連接至第二金屬氧化物圖案144。
請參照圖2E，在本實施例中，有機平坦圖案層152的第一部152-1具有背向基底110的一表面152-1s，有機平坦圖案層152之第一部152-1的表面152-1s與基底110具有第二距離D2，源極162具有與第一金屬氧化物圖案142直接接觸的接觸表面162s，源極162的接觸表面162s與基底110具有第四距離D4，且第四距離D4大於或等於第二距離D2；汲極164具有與第二金屬氧化物圖案144直接接觸的接觸表面164s，汲極164的接觸表面164s與基底110具有第五距離D5，且第五距離D5大於或等於第二距離D2。
值得一提的是，在上述製程中，移除有機平坦層150的第二部150b，以露出第一金屬氧化物圖案142及第二金屬氧化物圖案144（如圖2C及圖2D所示），並使得源極162與汲極164可直接形成在第一金屬氧化物圖案142及第二金屬氧化物圖案144上，以電性接觸於第一金屬氧化物圖案142及第二金屬氧化物圖案144（如圖2E所示）。因此，形成於第一金屬氧化物圖案142與第二金屬氧化物圖案144上之有機平坦層150之第二部150b的厚度H（標示於圖2C）不需過厚，製作有機平坦層150的材料的用量可大幅減少，有助於降低製造成本。此外，在本實施例中，使用氧電漿灰化法（O
2Plasma Ashing）移除有機平坦層150的第二部150b，以形成有機平坦圖案層152，因此，在形成有機平坦圖案層152的過程中並不需使用光罩，製造過程中所需的光罩的總數可減少，也有助於製造成本的降低。
請參照圖1F及圖2F，接著，於第二導電圖案層160及有機平坦圖案層152上依序形成有機半導體層170及有機保護層180。請參照圖1F、圖1G、圖2F及圖2G，接著，藉由微影蝕刻製程圖案化有機保護層180，以形成有機保護圖案182；再以有機保護圖案182作為遮罩蝕刻有機半導體層170，而形成有機半導體圖案172。在本實施例中，可選擇性地保留有機保護圖案182。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，也可移除有機保護圖案182。
請參照圖1G及圖2G，有機半導體圖案172設置於源極162、汲極164及有機平坦圖案層152的第一部152-1上，其中有機半導體圖案172的兩區分別電性連接至源極162與汲極164。
在本實施例中，有機半導體圖案172的材料可以包括各種稠合雜環、芳烴（例如并五苯）、聚噻吩、稠合（雜）芳族化合物（例如
苝醯亞胺和萘醯亞胺小分子或聚合物）、多環芳族烴隨機共聚物（例如苯并硫屬元素雜環戊烯并苯并硫屬元素雜環戊烯單體單元、茀單體單元或三芳基胺單體單元）、聚乙炔、聚對苯二甲醯及其衍生物、聚苯二甲醯及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚苯硫酚及其衍生物、聚呋喃及其衍生物、聚苯胺及其衍生物或其他合適材料或以上材料的組合。
在一些實施例中，有機半導體圖案172包括下列化合物中的至少一者：2,7-二溴[1]苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩、2,7-雙[(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜環戊硼烷-2-基)]-9,9-二-正辛基茀以及2-(4-(二苯基胺基)苯基)-2-甲基丙腈。
有機保護圖案182的材料可包括電絕緣的材料，例如但不限於：氟聚合物、聚異丁烯、聚(乙烯基苯酚-共-甲基丙烯酸甲酯)、聚乙烯醇、聚丙烯、聚氯乙烯、聚氰基支鏈澱粉、聚乙烯基苯基、聚乙烯基環己烷、基於苯并環丁烷之聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯、聚(苯乙烯-共-丁二烯)、聚甲基丙烯酸環己酯、甲基丙烯酸甲酯與苯乙烯之共聚物、聚甲氧基苯乙烯（PMeOS）、甲氧基苯乙烯與苯乙烯之共聚物、聚乙醯氧基苯乙烯（PAcOS）、乙醯氧基苯乙烯與苯乙烯之共聚物、苯乙烯與乙烯基甲苯之共聚物、聚碸、聚乙烯基吡啶、聚乙烯基氟、聚丙烯腈、聚4-乙烯基吡啶、聚(2-乙基-2-噁唑啉)、聚三氟氯乙烯、聚乙烯吡咯烷酮以及聚五氟苯乙烯。
請參照圖1H及圖2H，接著，於基底110上形成有機閘絕緣層190，以覆蓋有機保護圖案182、有機半導體圖案172及第二導電圖案層160。有機閘絕緣層190設置於有機半導體圖案172、有機保護圖案182及第二導電圖案層160上。有機閘絕緣層190具有一接觸窗190a（繪於圖1H），重疊於第二金屬氧化物圖案144。
有機閘絕緣層190可以是單層或多層結構，且有機閘絕緣層190的材料可以包括電絕緣材料，例如各種介電質聚合物。上述的介電質聚合物可以是由一或多種非環狀乙烯基單體聚合得到的乙烯基聚合物、衍生自一或多種乙烯基酚單體的聚合物（例如，聚-4-乙烯基酚（PVP））、或乙烯基酚或乙烯基酚衍生物與至少一種其他乙烯基單體之共聚物。上述的非環狀乙烯基單體之實例包括乙烯、丙烯、丁二烯、苯乙烯、乙烯基酚、氯乙烯、乙酸乙烯酯、丙烯酸酯（例如，甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯醯胺）、丙烯腈及其衍生物。上述的乙烯基單體可為丙烯酸系單體，例如甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯醯胺或其衍生物。
請參照圖1I及圖2I，接著，於有機閘絕緣層190上形成第三導電圖案層200。第三導電圖案層200包括掃描線202及連接至掃描線202的閘極204。閘極204、有機閘絕緣層190、有機半導體圖案172、源極162與汲極164可組成有機薄膜電晶體OTFT。第三導電圖案層200可以是單層或多層結構。基於導電性的考量，第三導電圖案層200一般是使用金屬材料，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第三導電圖案層200的材料例如為合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物或其它合適的材料或是金屬材料與其它導材料的堆疊層。
值得一提的是，在本實施例中，源極162的至少一部分是直接設置於第一金屬氧化物圖案142上而與第一金屬氧化物圖案142電性接觸，源極162並不需透過有機平坦圖案層152的任何接觸窗來電性連接至第一金屬氧化物圖案142；汲極164的至少一部是直接設置於第二金屬氧化物圖案144上而與第二金屬氧化物圖案144電性接觸，汲極164並不需要透過有機平坦圖案層152的任何接觸窗來電性連接至第二金屬氧化物圖案144。也就是說，在源極162及汲極164所屬之第二導電圖案層160的上方沒有設置有機平坦圖案層152，因此，閘極204與第一導電圖案層130的距離D6（標示於圖2I）短，使得閘極204與第一導電圖案層130之間的電容值大，有助於應用在需大電容的電子產品（例如：可撓式感測器、電子紙等）中。
請參照圖1J與圖2J，接著，於基底110上形成有機保護層210，以覆蓋第三導電圖案層200。有機保護層210具有一接觸窗210a（繪示於圖1J），重疊於有機閘絕緣層190的接觸窗190a。在本實施例中，有機保護層180的材質可包括具有羥基側鏈的聚合物，以與包含(伸乙烯基或)二烯的羧酸或其衍生物反應。舉例而言，有機有機保護層180可以包括聚(甲基丙烯酸2-羥乙酯)、聚(乙烯酚)、聚(乙烯醇)及其共聚物，例如聚(乙烯醇-共-乙烯)或聚(乙烯酚/甲基丙烯酸甲酯)，但本發明不限於此。
請參照圖1K、圖2K、圖3及圖4，接著，於有機保護層210上形成畫素電極220。畫素電極220透過有機保護層210的接觸窗210a及有機閘絕緣層190的接觸窗190a電性連接至第二金屬氧化物圖案144，進而與有機薄膜電晶體OTFT的汲極164電性連接。畫素電極220可重疊於第三導電圖案136，以形成有機半導體基板10的儲存電容。於此，便完成本實施例的有機半導體基板10。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重述。
圖5為本發明一實施例之有機半導體基板10A的剖面示意圖。
圖5的有機半導體基板10A與圖2K的有機半導體基板10類似，以下說明兩者的差異，兩者相同或相似處，請參照前述說明，於此便不再重述。
在圖2K的實施例中，有機平坦圖案層152之第一部152-1的表面152-1s與基底110的第二距離D2實質上等於第一金屬氧化物圖案142的表面142s與基底110的第一距離D1。但，在圖5的實施例中，有機平坦圖案層152之第一部152-1的表面152-1s與基底110的第二距離D2小於第一金屬氧化物圖案142的表面142s與基底110的第一距離D1。
10、10A:有機半導體基板
110:基底
120:緩衝層
130:第一導電圖案層
132:第一導電圖案
134:第二導電圖案
136:第三導電圖案
140:金屬氧化物圖案層
142:第一金屬氧化物圖案
142s、152-1s、144s:表面
144:第二金屬氧化物圖案
146:第三金屬氧化物圖案
150:有機平坦層
150a:第一部
150b:第二部
152:有機平坦圖案層
152a:第一開口
152b:第二開口
152c:第三開口
152-1:第一部
160:第二導電圖案層
162:源極
162s、164s:接觸表面
164:汲極
170:有機半導體層
172:有機半導體圖案
180:有機保護層
182:有機保護圖案
190:有機閘絕緣層
190a、210a:接觸窗
200:第三導電圖案層
202:掃描線
204:閘極
210:有機保護層
220:畫素電極
A-A’、B-B’、C-C’:
DL:資料線
D1:第一距離
D2:第二距離
D3:第三距離
D4:第四距離
D5:第五距離
D6:距離
g:間隙
H:厚度
L
DL、L
142:長度
OTFT:有機薄膜電晶體
W
DL:線寬
W
142、Wx
134、Wx
136、Wx
144、Wx
146、Wy
134、Wy
136、Wy
144、Wy
146:寬度
x:第一方向
y:第二方向
圖1A至圖1K為本發明一實施例之有機半導體基板10的製造流程的俯視示意圖。
圖2A至圖2K為本發明一實施例之有機半導體基板10的製造流程的剖面示意圖。
圖3為本發明一實施例之有機半導體基板10的剖面示意圖。
圖4為本發明一實施例之有機半導體基板10的剖面示意圖。
圖5為本發明一實施例之有機半導體基板10A的剖面示意圖。
10:有機半導體基板
110:基底
120:緩衝層
130:第一導電圖案層
132:第一導電圖案
134:第二導電圖案
140:金屬氧化物圖案層
142:第一金屬氧化物圖案
142s、152-1s、144s:表面
144:第二金屬氧化物圖案
152:有機平坦圖案層
152-1:第一部
160:第二導電圖案層
162:源極
162s、164s:接觸表面
164:汲極
172:有機半導體圖案
182:有機保護圖案
190:有機閘絕緣層
200:第三導電圖案層
202:掃描線
204:閘極
210:有機保護層
A-A’:剖線
D1:第一距離
D2:第二距離
D3:第三距離
D4:第四距離
D5:第五距離
g:間隙
OTFT:有機薄膜電晶體
Claims (9)
- 一種有機半導體基板，包括：一基底；一第一導電圖案及一第二導電圖案，設置於該基底上，且彼此分離；一第一金屬氧化物圖案及一第二金屬氧化物圖案，分別覆蓋該第一導電圖案及該第二導電圖案，且分別電性連接至該第一導電圖案及該第二導電圖案；一有機平坦圖案層，具有一第一部，其中該有機平坦圖案層的該第一部設置於該第一金屬氧化物圖案與該第二金屬氧化物圖案之間，該第一金屬氧化物圖案具有背向該基底的一表面，該第一金屬氧化物圖案的該表面與該基底具有一第一距離，該有機平坦圖案層的該第一部具有背向該基底的一表面，該有機平坦圖案層之該第一部的該表面與該基底具有一第二距離，且該第二距離小於或等於該第一距離；一源極與一汲極，彼此分離，其中該源極與該汲極分別設置於該第一金屬氧化物圖案與該第二金屬氧化物圖案上，且分別電性連接至該第一金屬氧化物圖案與該第二金屬氧化物圖案；一有機半導體圖案，設置於該源極、該汲極及該有機平坦圖案層的該第一部上，其中該有機半導體圖案的兩區分別電性連接至該源極與該汲極；一有機閘絕緣層，設置於該有機半導體圖案上； 一閘極，設置於該有機閘絕緣層上；一第三導電圖案，設置於該基底上，且與該第一導電圖案及該第二導電圖案分離；一第三金屬氧化物圖案，與該第一金屬氧化物圖案及該第二金屬氧化物圖案分離，覆蓋且電性連接至該第三導電圖案；以及一畫素電極，電性連接至該汲極，且重疊於該第三導電圖案，其中該第三導電圖案於該基底上的一垂直投影位於該第三金屬氧化物圖案於該基底上的一垂直投影以內。
- 如請求項1所述的有機半導體基板，其中該第二金屬氧化物圖案具有背向該基底的一表面，該第二金屬氧化物圖案的該表面與該基底具有一第三距離，且該第二距離小於或等於該第三距離。
- 如請求項1所述的有機半導體基板，其中該第一導電圖案包括一資料線，且該第一導電圖案於該基底上的一垂直投影位於該第一金屬氧化物圖案於該基底上的一垂直投影以內。
- 如請求項1所述的有機半導體基板，其中該第一導電圖案包括一資料線，該資料線在一第一方向上具有一線寬，該資料線在與該第一方向交錯的一第二方向上具有一長度，該第一金屬氧化物圖案於該第一方向上具有一寬度，該第一金屬氧化物圖案於該第二方向上具有一長度，該第一金屬氧化物圖案的該寬度大於該資料線的該線寬，且該第一金屬氧化物圖案的該長度大於該資料線的該長度。
- 一種有機半導體基板，包括：一基底；一第一導電圖案及一第二導電圖案，設置於該基底上，且彼此分離；一第一金屬氧化物圖案及一第二金屬氧化物圖案，分別覆蓋該第一導電圖案及該第二導電圖案，且分別電性連接至該第一導電圖案及該第二導電圖案；一有機平坦圖案層，具有一第一部，其中該有機平坦圖案層的該第一部設置於該第一金屬氧化物圖案與該第二金屬氧化物圖案之間，該第一金屬氧化物圖案具有背向該基底的一表面，該第一金屬氧化物圖案的該表面與該基底具有一第一距離，該有機平坦圖案層的該第一部具有背向該基底的一表面，該有機平坦圖案層之該第一部的該表面與該基底具有一第二距離，且該第二距離小於或等於該第一距離；一源極與一汲極，彼此分離，其中該源極與該汲極分別設置於該第一金屬氧化物圖案與該第二金屬氧化物圖案上，且分別電性連接至該第一金屬氧化物圖案與該第二金屬氧化物圖案；一有機半導體圖案，設置於該源極、該汲極及該有機平坦圖案層的該第一部上，其中該有機半導體圖案的兩區分別電性連接至該源極與該汲極；一有機閘絕緣層，設置於該有機半導體圖案上；一閘極，設置於該有機閘絕緣層上； 一第三導電圖案，設置於該基底上，且與該第一導電圖案及該第二導電圖案分離；一第三金屬氧化物圖案，與該第一金屬氧化物圖案及該第二金屬氧化物圖案分離，覆蓋且電性連接至該第三導電圖案；以及一畫素電極，電性連接至該汲極，且重疊於該第三導電圖案，其中該第三金屬氧化物圖案於一第一方向上的一寬度大於該第三導電圖案於該第一方向上的一寬度，該第三金屬氧化物圖案於一第二方向上的一寬度大於該第三導電圖案於該第二方向上的一寬度，且該第一方向與該第二方向交錯。
- 如請求項1所述的有機半導體基板，其中該源極具有與該第一金屬氧化物圖案直接接觸的一接觸表面，該源極的該接觸表面與該基底具有一第四距離，且該第四距離大於或等於該第二距離。
- 如請求項6所述的有機半導體基板，其中該汲極具有與該第二金屬氧化物圖案直接接觸的一接觸表面，該汲極的該接觸表面與該基底具有一第五距離，且該第五距離大於或等於該第二距離。
- 如請求項1所述的有機半導體基板，其中該第一金屬氧化物圖案及該第二金屬氧化物圖案屬於一金屬氧化物圖案層，且該金屬氧化物圖案層與該有機平坦圖案層互補。
- 如請求項1所述的有機半導體基板，其中該有機平坦圖案層具有一第一開口及一第二開口；在該有機半導體基板的俯 視圖中，該第一金屬氧化物圖案填滿且不超出該有機平坦圖案層的該第一開口，且該第二金屬氧化物圖案填滿且不超出該有機平坦圖案層的該第二開口。
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